CN104393181B - 一种红色有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种红色有机电致发光器件，其由衬底、阳极层、阳极修饰层、空穴传输‑电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡‑电子传输层、阴极修饰层与阴极层依次设置而成；其中所述电子主导发光层由有机敏化材料、红色有机发光材料与电子型有机主体材料组成。本申请通过选择能级能量匹配的稀土配合物，例如Eu(DBM)3phen或者Eu(TTA)3phen作为有机敏化材料，将其微量掺入电子主导发光层中，起到载流子深束缚中心及能量传递阶梯的作用，从而提高器件的发光效率、提高器件的光谱稳定性、降低器件的工作电压、延缓器件的效率衰减以及提高器件的工作寿命。

Description

一种红色有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及一种红色有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件是一种自发光器件，其发光原理是：当电荷被注入到空穴注入电极和电子注入电极之间的有机层时，电子和空穴相遇、结合并随后湮灭，因而产生光。有机电致发光器件具有低电压、高亮度、宽视角等特性，因此有机电致发光器件近年来得到了迅猛的发展。其中，红色有机电致发光器件由于在单色显示、白光调制等方面具有广阔的应用前景，因此成为研究的热点。
一直以来，三价铱配合物由于具有发光效率高和发光颜色可调等优点而被学术界和产业界视为理想的有机电致发光材料。国内外的许多研究团队从材料合成和器件优化方面着手，欲提高红色有机电致发光器件的综合性能，以满足产业化的需要。例如，2001年美国普林斯顿大学的S.R.Forrest等人采用具有标准红色发射的铱配合物btp2Ir(acac)作为发光材料，通过掺杂的方法制得有机电致发光器件。虽然该器件显示非常理想的红光发射，然而不平衡的载流子注入导致器件的效率和亮度较低，另外器件的工作电压较高。
为了解决这些问题，2009年，中国科学院长春应用化学研究所的马东阁等人选择高效率的铱配合物(fbi)2Ir(acac)作为红光染料，将其掺入优选的主体材料中制得了多层结构的红色有机电致发光器件。该器件具有较高的最大发光效率和最大亮度，然而器件的发光效率随着电流密度的提高迅速地衰减；另外，复杂的器件结构不但导致器件的制作成本较高而且不利于降低器件的工作电压。2013年，香港大学支志明等人合成红色铂配合物作为发光材料，设计并优化双发光层器件结构，获得了具有纯正红光发射的有机电致发光器件。该器件的效率衰减得到大幅缓解，然而器件仍然存在工作电压较高、亮度较低的问题。由此可见，红色有机电致发光器件的发光效率、亮度、光谱稳定性和工作寿命等综合性能仍然没有得到有效改善。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种综合性能较高的红色有机电致发光器件及其制备方法。
有鉴于此，本申请提供了一种红色有机电致发光器件，包括：
衬底；
复合于所述衬底上的阳极层；
复合于所述阳极层上的阳极修饰层；
复合于所述阳极修饰层上的空穴传输-电子阻挡层；
复合于所述空穴传输-电子阻挡层上的空穴主导发光层；
复合于所述空穴主导发光层上的电子主导发光层；
复合于所述电子主导发光层上的空穴阻挡-电子传输层；
复合于所述空穴阻挡-电子传输层上的阴极修饰层；
复合于所述阴极修饰层上的阴极层；
所述电子主导发光层由有机敏化材料、红色有机发光材料与电子型有机主体材料组成；
所述有机敏化材料选自三(二苯甲酰甲烷)邻菲罗啉合铕和三(噻吩甲酰三氟丙酮)邻菲罗啉合铕中的一种或两种；
所述有机敏化材料为所述电子型有机主体材料的0.1wt％～0.5wt％。
优选的，所述红色有机发光材料的含量为所述电子型有机主体材料的2wt％～5wt％。
优选的，所述红色有机发光材料选自二(2-苯基喹啉)-(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)合铱、二(2-苯唑[b]2-噻吩基吡啶)乙酰丙酮合铱、三(1-苯基异喹啉)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、二[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)合铱、二[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)喹啉](乙酰丙酮)合铱、二(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶)合铱、三[2-苯基-4-甲基喹啉]合铱、双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基己烷-3，5-二酮)合铱、二(2-甲基二苯唑[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱和二[2-(2-甲基苯基)-7-甲基-喹啉](乙酰丙酮)合铱中的一种或多种。
优选的，所述电子型有机主体材料选自2,6-二[3-(9H-9-咔唑基)苯基]吡啶、1,4-双(三苯基硅烷基)苯、2,2’-双(4-(9-咔唑基)苯基)联苯、[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷、1，3，5-三[(3-吡啶)-3-苯基]苯、1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、9-(4-特丁基苯基)-3,6-双(三苯基硅基)-9H-咔唑和9-(8-二苯基磷酰基)-二苯唑[b,d]呋喃-9H-咔唑中的一种或多种。
优选的，所述空穴主导发光层由红色有机发光材料和空穴型有机主体材料组成；所述红色有机发光材料为所述空穴型有机主体材料的2.0wt％～5.0wt％；
所述红色有机发光材料选自二(2-苯基喹啉)-(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)合铱、二(2-苯唑[b]2-噻吩基吡啶)乙酰丙酮合铱、三(1-苯基异喹啉)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、二[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)合铱、二[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)喹啉](乙酰丙酮)合铱、二(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶)合铱、三[2-苯基-4-甲基喹啉]合铱、双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基己烷-3，5-二酮)合铱、二(2-甲基二苯唑[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱和二[2-(2-甲基苯基)-7-甲基-喹啉](乙酰丙酮)合铱中的一种或多种；
所述空穴型有机主体材料选自4，4’-N，N’-二咔唑二苯基、1,3-二咔唑-9-基苯、9,9'-(5-(三苯基硅烷基)-1,3-苯基)二-9H-咔唑、1,3,5-三(9-咔唑基)苯、4,4',4″-三(咔唑–9–基)三苯胺和1,4-双(三苯基硅烷基)联苯中的一种或多种。
优选的，所述空穴传输-电子阻挡层的材料选自4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、二吡嗪[2，3-f:2’,3’-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六腈基、N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-双(4-乙烯基苯基)联苯-4,4'-二胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-2，7-二胺-9，9-螺双芴、N,N,N',N'-四-(3-甲基苯基)-3-3’-二甲基对二氨基联苯、2,2'-二(3-(N,N-二-对甲苯氨基)苯基)联苯、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)二氨基联苯、N,N'-二(萘-1基)-N,N'–二苯基-2，7-二氨基-9，9-螺双芴、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-2,7-二氨基-9，9-二甲基芴、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2，7-二氨基-9，9-二甲基芴、N,N'–二(3-甲基苯基)-N,N'–二苯基-2，7-二氨基-9，9-二苯基芴、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2,7-二氨基-9,9-二苯基芴、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2,2’-二甲基二氨基联苯、2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-2,7-二氨基-9,9-螺双芴、9,9-二[4-(N,N–二萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴、9，9-[4-(N-萘-1基-N-苯胺)-苯基]-9H-芴、2，2’-二[N,N-二(4-苯基)氨基]-9,9-螺双芴、2,2’-双(N,N-苯氨基)-9,9-螺双芴、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺和4，4’-二[N-(对-甲苯基)-N-苯基-氨基]二苯基中的一种或多种。
优选的，所述空穴阻挡-电子传输层的材料选自三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷、1，3，5-三[(3-吡啶)-3-苯基]苯、1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯和的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种或多种。
优选的，所述阳极修饰层的厚度为1～10nm，所述空穴传输-电子阻挡层的厚度为30～60nm，所述空穴主导发光层的厚度为5～20nm，所述电子主导发光层的厚度为5～20nm，所述空穴阻挡-电子传输层的厚度为30～60nm，所述阴极修饰层的厚度为0.8～1.2nm，所述阴极层的厚度为90～300nm。
本申请还提供了一种红色有机电致发光器件的制备方法，包括：
将衬底上的阳极层进行刻蚀，烘干后在所述阳极层上依次蒸镀阳极修饰层、空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡-电子传输层、阴极修饰层与阴极层；
所述电子主导发光层由有机敏化材料、红色有机发光材料与电子型有机主体材料组成；
所述有机敏化材料选自三(二苯甲酰甲烷)邻菲罗啉合铕和三(噻吩甲酰三氟丙酮)邻菲罗啉合铕中的一种或两种；
所述有机敏化材料为所述电子型有机主体材料的0.1wt％～0.5wt％。
优选的，所述阳极修饰层的蒸发速率为0.01～0.05nm/s，所述空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层与空穴阻挡-电子传输层中主体材料的蒸发速率为0.05～0.1nm/s，所述电子主导发光层中的有机敏化材料的蒸发速率为0.00005～0.0005nm/s，所述电子主导发光层与空穴主导发光层中的红色发光材料的蒸发速率为0.001～0.005nm/s，所述阴极修饰层的蒸发速率为0.005～0.05nm/s，所述阴极层的蒸发速率为0.5～2.0nm/s。
本申请提供了一种红色有机电致发光器件，其包括衬底、阳极层、阳极修饰层、空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡-电子传输层、阴极修饰层与阴极层。本申请的发光材料为红色发光材料，当电子和空穴分别注入到发光层时，电子和空穴会相遇并发生复合，进而产生一个激子，激子会把能量传递给发光层中的红色发光材料的分子，激发一个电子到激发态，激发态的电子通过辐射跃迁的方式回到基态时会产生一个红色的光子，从而使有机电致发光器件发红光。
本申请通过在电子主导发光层中加入三(二苯甲酰甲烷)邻菲罗啉合铕和三(噻吩甲酰三氟丙酮)邻菲罗啉合铕的一种或两种作为有机敏化材料，使其能级及三重态能量与主体材料、发光材料的能级及三重态能量相匹配，使有机敏化材料在电致发光过程中起到载流子深束缚中心及能量传递阶梯的作用，不仅能够提高从主体材料到发光材料的能量传递，也可平衡电子和空穴在发光区间的分布，从而提高有机电致发光器件的发光效率、提高器件的光谱稳定性、降低器件的工作电压、延缓器件的效率衰减、提高器件的工作寿命。
附图说明
图1为本发明红色有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例1制备的红色有机电致发光器件的电压-电流密度-亮度特性曲线图；
图3为本发明实施例1制备的红色有机电致发光器件的电流密度-功率效率-电流效率特性曲线图；
图4为本发明实施例1制备的红色有机电致发光器件在亮度为20000cd/m2时的光谱图。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明实施例公开了一种红色有机电致发光器件，包括：
衬底；
复合于所述衬底上的阳极层；
复合于所述阳极层上的阳极修饰层；
复合于所述阳极修饰层上的空穴传输-电子阻挡层；
复合于所述空穴传输-电子阻挡层上的空穴主导发光层；
复合于所述空穴主导发光层上的电子主导发光层；
复合于所述电子主导发光层上的空穴阻挡-电子传输层；
复合于所述空穴阻挡-电子传输层上的阴极修饰层；
复合于所述阴极修饰层上阴极层；
所述电子主导发光层由有机敏化材料、红色有机发光材料与电子型有机主体材料组成；
所述有机敏化材料选自三(二苯甲酰甲烷)邻菲罗啉合铕和三(噻吩甲酰三氟丙酮)邻菲罗啉合铕中的一种或两种；
所述有机敏化材料为电子型有机主体材料的0.1wt％～0.5wt％。
有机电致发光器件(OLED)的发光原理是在外界电压的驱动下，由电极注入的电子和空穴在有机物中相遇，并将能量传递给有机发光分子，使其受到激发，从基态跃迁到激发态，当受激发分子从激发态回到基态时辐射跃迁而产生发光的现象。本申请提供了一种红色有机电致发光器件，其发红光是由于所采用的发光材料是红色发光材料，当电子和空穴分别注入到发光层时，电子和空穴会相遇并发生复合，进而产生一个激子，激子把能量传递给发光层中的红色发光材料的分子，激发一个电子到激发态，激发态的电子通过跃迁的方式回到基态时会产生一个红色的光子，从而实现有机电致发光器件发红光。
本申请所述红色有机电致发光器件由衬底、阳极层、阳极修饰层、空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡-电子传输层、阴极修饰层与阴极层依次连接设置。其中空穴主导发光层与电子主导发光层是红色有机电子发光器件的发光层。
本发明的电子主导发光层由有机敏化材料、红色有机发光材料与电子型有机主体材料组成，其中有机敏化材料在电致发光过程中起到敏化的作用，以提高从主体材料到发光材料的能量传递并平衡电子和空穴在发光区间的分布；红色有机发光材料的分子分散在电子主导发光层中作为发光中心；电子型有机主体材料起到基质的作用，提供电子传输能力。在电子主导发光层中，所述有机敏化材料的能级及三重态能量需要与主体材料、发光材料的能级及三重态能量相匹配，才能平衡电子和空穴在发光区间的分布并加速从主体材料到发光材料的能量传递，使红色有机电致发光器件具有较好的综合性能。因此，本申请通过对发光材料的选取，所述有机敏化材料选择了稀土配合物，所述有机敏化材料选自三(二苯甲酰甲烷)邻菲罗啉合铕(Eu(DBM)3phen)和具有式(Ⅹ)结构的三(噻吩甲酰三氟丙酮)邻菲罗啉合铕(Eu(TTA)3phen)中的一种或两种；
本发明中所述有机敏化材料在所述电子主导发光层中的掺杂浓度对有机电致发光器件的性能造成影响。若所述有机敏化材料的掺杂浓度过低则会导致敏化效果不理想，若掺杂浓度过高则会降低有机电致发光器件的综合性能。因此，所述有机敏化材料为所述电子型有机主体材料的0.1wt％～0.5wt％，优选为0.2wt％～0.3wt％。
按照本发明，所述电子主导发光层中所述红色有机发光材料为本领域技术人员熟知的发光材料，本申请没有特别的限制，但是为了使发光效果更好，所述红色有机发光材料优先选自具有式(Ⅱ1)结构的二(2-苯基喹啉)-(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)合铱(PQ2Ir(dpm))、具有式(Ⅱ2)结构的二(2-苯唑[b]2-噻吩基吡啶)乙酰丙酮合铱(Ir(btp)2(acac))、具有式(Ⅱ3)结构的三(1-苯基异喹啉)合铱(Ir(piq)3)、具有式(Ⅱ4)结构的二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))、具有式(Ⅱ5)结构的二[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)合铱(Ir(fliq)2(acac))、具有式(Ⅱ6)结构的二[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)喹啉](乙酰丙酮)合铱(Ir(flq)2(acac))、具有式(Ⅱ7)结构的二(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶)合铱(Ir(phq)2tpy)、具有式(Ⅱ8)结构的三[2-苯基-4-甲基喹啉]合铱(Ir(Mphq)3)、具有式(Ⅱ9)结构的双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基己烷-3，5-二酮)合铱(Ir(dpm)(piq)2)、具有式(Ⅱ10)结构的二(2-甲基二苯唑[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))和具有式(Ⅱ11)结构的二[2-(2-甲基苯基)-7-甲基-喹啉](乙酰丙酮)合铱(Ir(dmpq)2(acac))中的一种或多种；
在电子主导发光层中，所述红色有机发光材料的掺杂浓度也会影响红色有机电致发光器件的综合性能。若所述红色有机发光材料的掺杂浓度过低，则会导致器件效率偏低、色纯度不理想，掺杂浓度过高则会导致发光材料分子团聚，形成淬灭分子，最终降低器件的综合性能。因此，所述电子主导发光层中所述红色有机发光材料优选为所述电子型有机主体材料的2.0wt％～5.0wt％，更优选为2.5wt％～4.5wt％。所述电子型主体材料在电子主导发光层中起到基质的作用，提供电子传输能力，所述电子型主体材料为本领域技术人员熟知的材料，作为优选方案，所述电子型主体材料优先选自具有式(XI)结构的2,6-二[3-(9H-9-咔唑基)苯基]吡啶(26DCzPPy)、具有式(XII)结构的1,4-双(三苯基硅烷基)苯(UGH2)、具有式(XIII)结构的2,2’-双(4-(9-咔唑基)苯基)联苯(BCBP)、具有式(XIV)结构的[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷(3TPYMB)、具有式(XV)结构的1,3,5-三[(3-吡啶)-3-苯基]苯(TmPyPB)、具有式(XVI)结构的1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯(BmPyPhB)、具有式(XVII)结构的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、具有式(XVIII)结构的9-(4-特丁基苯基)-3,6-双(三苯基硅基)-9H-咔唑(CzSi)和具有式(XIX)结构的9-(8-二苯基磷酰基)-二苯唑[b,d]呋喃-9H-咔唑(DFCzPO)中的一种或多种；
本申请中所述空穴主导发光层由红色有机发光材料和空穴型有机主体材料组成，其中红色有机发光材料的分子分散在空穴主导发光层中作为发光中心。所述红色有机发光材料在所述空穴主导发光层中优选为所述空穴型有机主体材料的2.0wt％～5.0wt％，更优选为2.5wt％～4.5wt％；所述红色有机发光材料的掺杂浓度过低，则会导致器件效率偏低、色纯度不理想，掺杂浓度过高则会导致发光材料分子团聚，形成淬灭分子，最终降低器件的综合性能。所述空穴型主体材料起到基质的作用，提供空穴传输能力。本申请中所述空穴主导发光层中所述红色有机发光材料优先选自具有式(Ⅱ1)结构的二(2-苯基喹啉)-(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)合铱(PQ2Ir(dpm))、具有式(Ⅱ2)结构的二(2-苯唑[b]2-噻吩基吡啶)乙酰丙酮合铱(Ir(btp)2(acac))、具有式(Ⅱ3)结构的三(1-苯基异喹啉)合铱(Ir(piq)3)、具有式(Ⅱ4)结构的二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))、具有式(Ⅱ5)结构的二[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)合铱(Ir(fliq)2(acac))、具有式(Ⅱ6)结构的二[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)喹啉](乙酰丙酮)合铱(Ir(flq)2(acac))、具有式(Ⅱ7)结构的二(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶)合铱(Ir(phq)2tpy)、具有式(Ⅱ8)结构的三[2-苯基-4-甲基喹啉]合铱(Ir(Mphq)3)、具有式(Ⅱ9)结构的双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基己烷-3，5-二酮)合铱(Ir(dpm)(piq)2)、具有式(Ⅱ10)结构的二(2-甲基二苯唑[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))和具有式(Ⅱ11)结构的二[2-(2-甲基苯基)-7-甲基-喹啉](乙酰丙酮)合铱(Ir(dmpq)2(acac))中的一种或多种；
所述空穴型有机主体材料优先选自具有式(III)结构的4，4’-N，N’-二咔唑二苯基(CBP)、具有式(IV)结构的1,3-二咔唑-9-基苯(mCP)、具有式(V)结构的9,9'-(5-(三苯基硅烷基)-1,3-苯基)二-9H-咔唑(SimCP)、具有式(VI)结构的1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCP)、具有式(VII)结构的4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)和具有式(VIII)结构的1,4-双(三苯基硅烷基)联苯(BSB)中的一种或多种；
按照本发明，所述红色有机电致发光器件中，所述衬底可以为玻璃衬底、石英衬底、多晶硅衬底、单晶硅衬底或石墨烯薄膜衬底，本申请没有特别的限制。所述阳极层优先选自铟锡氧化物(ITO)，其面阻优选为5～25Ω。所述阳极修饰层能够降低驱动电压，加速空穴的注入，所述阳极修饰层优选采用氧化钼(MoO3)。
本申请中所述空穴传输-电子阻挡层的作用是传输空穴并阻挡电子。所述空穴传输-电子阻挡层层的材料优先选自具有式(Ⅰ1)结构的4,4'-环己基二[N,N–二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、具有式(Ⅰ2)结构的二吡嗪[2，3-f:2’,3’-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六腈基(HAT-CN)、具有式(Ⅰ3)结构的N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-双(4-乙烯基苯基)联苯-4,4'-二胺(VNPB)、具有式(Ⅰ4)结构的N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-2，7-二胺-9，9-螺双芴(Spiro-TPD)、具有式(Ⅰ5)结构的N,N,N',N'-四-(3-甲基苯基)-3-3’-二甲基对二氨基联苯(HMTPD)、具有式(Ⅰ6)结构的2,2'-二(3-(N,N-二-对甲苯氨基)苯基)联苯(3DTAPBP)、具有式(Ⅰ7)结构的N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)二氨基联苯(β-NPB)、具有式(Ⅰ8)结构的N,N'-二(萘-1基)-N,N'-二苯基-2，7-二氨基-9，9-螺双芴(Spiro-NPB)、具有式(Ⅰ9)结构的N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-2,7-二氨基-9，9-二甲基芴(DMFL-TPD)、具有式(Ⅰ10)结构的N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2，7-二氨基-9，9-二甲基芴(DMFL-NPB)、具有式(Ⅰ11)结构的N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-2，7-二氨基-9，9-二苯基芴(DPFL-TPD)、具有式(Ⅰ12)结构的N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2,7-二氨基-9,9-二苯基芴(DPFL-NPB)、具有式(Ⅰ13)结构的N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2,2’-二甲基二氨基联苯(α-NPD)、具有式(Ⅰ14)结构的2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-2,7-二氨基-9,9-螺双芴(Spiro-TAD)、具有式(Ⅰ15)结构的9,9-二[4-(N,N–二萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴(NPAPF)、具有式(Ⅰ16)结构的9，9-[4-(N-萘-1基-N-苯胺)-苯基]-9H-芴(NPBAPF)、具有式(Ⅰ17)结构的2，2’-二[N,N-二(4-苯基)氨基]-9,9-螺双芴(2,2'-Spiro-DBP)、具有式(Ⅰ18)结构的2,2’-双(N,N-苯氨基)-9,9-螺双芴(Spiro-BPA)、具有式(Ⅰ19)结构的N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺(NPB)和具有式(Ⅰ20)结构的4，4’-二[N-(对-甲苯基)-N-苯基-氨基]二苯基(TPD)中的一种或多种；
按照本发明所述空穴阻挡-电子传输层的作用是阻挡空穴并传输电子，促进电子的注入。所述空穴阻挡-电子传输层的材料优先选自具有式(XIV)结构的三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷(3TPYMB)、具有式(XV)结构的1，3，5-三[(3-吡啶)-3-苯基]苯(TmPyMB)、具有式(XVI)结构的1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯(BmPyPhB)和具有式(XVII)结构的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的一种或多种；
本申请中所述阴极修饰层的作用是降低驱动电压，加速电子的注入，所述阴极修饰层优选为氟化锂。所述阴极层优选为铝。
本申请对所述空穴传输-电子阻挡层的材料、红色有机发光材料、空穴型有机主体材料、有机敏化材料、电子型有机主体材料以及空穴阻挡-电子传输层的材料的来源均没有特别的限制，按照本领域技术人员熟知的方式制备即可得到。
本申请中所述阳极层与所述阴极层相互交叉形成器件的发光区，本申请所述红色有机电致发光器件中每层的厚度对所述器件的影响也是很大的，若厚度偏低则会导致器件效率衰减加快，若厚度偏高则会导致器件工作电压高、寿命低。因此所述阳极修饰层的厚度优选为1～10nm，空穴传输-电子阻挡层的厚度优选为30～60nm，空穴主导发光层的厚度优选为5～20nm，电子主导发光层的厚度优选为5～20nm，空穴阻挡-电子传输层的厚度优选为30～60nm，阴极修饰层的厚度优选为0.8～1.2nm，阴极层的厚度优选为90～300nm。
本申请还提供了所述红色有机电致发光器件的制备方法，包括：
将衬底上的阳极层进行刻蚀，烘干后在所述阳极层上依次蒸镀阳极修饰层、空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡-电子传输层、阴极修饰层与阴极层；
所述空穴主导发光层由红色有机发光材料与空穴型有机主体材料组成；
所述电子主导发光层由有机敏化材料、红色有机发光材料与电子型有机主体材料组成；
所述有机敏化材料选自具有式(Ⅸ)结构的三(二苯甲酰甲烷)邻菲罗啉合铕和具有式(Ⅹ)结构的三(噻吩甲酰三氟丙酮)邻菲罗啉合铕中的一种或两种；
所述有机敏化材料为所述电子型有机主体材料的0.1wt％～0.5wt％；
按照本发明，所述红色有机电致发光器件的制备方法具体为：
先将衬底上的阳极层激光刻蚀成条状的电极，然后依次用清洗液、去离子水超声清洗10～20min并放入烘箱烘干；
将烘干后的衬底放入预处理真空室，在真空度为8～15Pa的氛围下用350～500V的电压对其进行1～10min的低压等离子处理后把它转移到有机蒸镀室；
待真空度达到1～2×10-5Pa时，依次在阳极层上蒸镀阳极修饰层、空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡-电子传输层；未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在4～6×10-5Pa的真空氛围下依次蒸镀阴极修饰层和金属阴极层。
在制备红色有机电致发光器件的过程中，本申请通过控制蒸发速率实现材料的沉积。按照本发明，所述阳极修饰层蒸发速率控制在0.01～0.05nm/s，空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡-电子传输层中主体材料的蒸发速率控制在0.05～0.1nm/s，有机敏化材料的蒸发速率控制在0.00005～0.0005nm/s，红色有机发光材料的蒸发速率控制在0.001～0.005nm/s，阴极修饰层的蒸发速率控制在0.005～0.015nm/s，金属阴极层蒸发速率控制在0.5～2.0nm/s。其中蒸镀空穴主导发光层时，其中红色有机发光材料、空穴型有机主体材料在不同的蒸发源中同时蒸发，通过调控两种材料的蒸发速率使得掺杂的红色有机发光材料和空穴型有机主体材料的重量比控制在2.0％～5.0％之间；蒸镀电子主导发光层时，其中有机敏化材料、红色有机发光材料、电子型有机主体材料在不同的蒸发源中同时蒸发，通过调控三种材料的蒸发速率使得掺杂的有机敏化材料和电子型有机主体材料的质量比控制在0.1％～0.5％之间，使得掺杂的红色有机发光材料和电子型有机主体材料的质量比控制在2.0％～5.0％之间。
本申请提供了一种红色有机电致发光器件，所述红色有机电致发光器件中的电子主导发光层中选择具有匹配的能级分布的稀土配合物，例如Eu(DBM)3phen或者Eu(TTA)3phen作为有机敏化材料，其起到电子深束缚中心的作用，有利于平衡载流子的分布、拓宽器件的发光区间，从而提高器件的发光效率、降低器件的工作电压、延缓器件的效率衰减、提高器件的工作寿命；并且，所述有机敏化材料具有匹配的三重态能量，起到能量传递阶梯的作用，能够加速从主体材料到发光材料的能量传递，缓解发光材料载流子俘获能力不足导致的主体材料发光问题，从而提高器件的光谱稳定性、降低器件性能对发光材料掺杂浓度的依赖。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的红色有机电致发光器件及其制备方法进行详细说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
如图1所示，图1为本发明红色有机电致发光器件的结构示意图，其中1为玻璃衬底，2为阳极层，3为阳极修饰层，4为空穴传输-电子阻挡层，5为空穴主导发光层，6为电子主导发光层，7为空穴阻挡-电子传输层，8为阴极修饰层，9为金属阴极层。
实施例1
先将ITO玻璃上的ITO阳极层激光刻蚀成条状电极，然后依次用清洗液、去离子水超声清洗15min并放入烘箱烘干。接着将烘干后的衬底放入预处理真空室，在真空度为10Pa的氛围下用400V的电压对ITO阳极进行3min的低压等离子处理后将其转移到有机蒸镀室。在真空度为1～2×10-5Pa的有机蒸镀室中，在ITO层上依次蒸镀3nm厚的MoO3阳极修饰层3、40nm厚的TAPC空穴传输-电子阻挡层4、10nm厚PQ2Ir(dpm)掺杂TcTa的空穴主导发光层5、10nm厚Tb(acac)3phen与PQ2Ir(dpm)共掺杂CzSi的电子主导发光层6和40nm厚的TmPyPB空穴阻挡-电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在4～6×10-5Pa的真空氛围下蒸镀1.0nm厚的LiF阴极修饰层8，最后通过特制的掩模版在LiF层上蒸镀120nm厚的金属Al阴极层9，制备成结构为ITO/MoO3/TAPC/PQ2Ir(dpm)(4％)：TcTa/Eu(TTA)3phen(0.2％)：PQ2Ir(dpm)(4％)：CzSi/TmPyPB/LiF/Al的有机电致发光器件。阳极修饰层3中MoO3的蒸发速率控制在0.01nm/s，空穴传输-电子阻挡层4中TAPC的蒸发速率控制在0.05nm/s，空穴主导发光层5中PQ2Ir(dpm)和TcTa的蒸发速率分别控制在0.002nm/s和0.05nm/s，电子主导发光层6中Eu(TTA)3phen、PQ2Ir(dpm)和CzSi的蒸发速率分别控制在0.0001nm/s、0.002nm/s和0.05nm/s，空穴阻挡-电子传输层7中TmPyPB的蒸发速率控制在0.05nm/s，阴极修饰层8中LiF的蒸发速率控制在0.005nm/s，金属阴极层9中Al的蒸发速率控制在1.0nm/s。
如图2所示，图2为本实施例制备的红色有机电致发光器件的电压-电流密度-亮度特性曲线，图2中○曲线为器件的电流密度-电压曲线，□曲线为器件的亮度-电压曲线，根据图2可知，器件的亮度随着电流密度和驱动电压的升高而升高，器件的起亮电压为2.9伏，在电压为9.8伏、电流密度为438.91毫安每平方厘米(mA/cm2)时器件获得最大亮度72933坎德拉每平方米(cd/m2)。
如图3所示，图3为本实施例制备的红色有机电致发光器件的电流密度-功率效率-电流效率特性曲线，根据图3可知，器件的最大电流效率为65.73cd/A，最大功率效率为71.17lm/W。
如图4所示，图4为本发明提供的红色有机电致发光器件在亮度为20000cd/m2时的光谱图，根据图4可知，光谱主峰位于592纳米。器件色坐标为(0.592，0.377)。
实施例2
先将ITO玻璃上的ITO阳极层激光刻蚀成条状电极，然后依次用清洗液、去离子水超声清洗15min并放入烘箱烘干。接着将烘干后的衬底放入预处理真空室，在真空度为10Pa的氛围下用400V的电压对ITO阳极进行3min的低压等离子处理后将其转移到有机蒸镀室。在真空度为1～2×10-5Pa的有机蒸镀室中，在ITO层上依次蒸镀3nm厚的MoO3阳极修饰层3、40nm厚的TAPC空穴传输-电子阻挡层4、10nm厚PQ2Ir(dpm)掺杂mCP的空穴主导发光层5、10nm厚Eu(TTA)3phen与PQ2Ir(dpm)共掺杂26DCzPPy的电子主导发光层6和40nm厚的TmPyPB空穴阻挡-电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在4～6×10-5Pa的真空氛围下蒸镀1.0nm厚的LiF阴极修饰层8，最后通过特制的掩模版在LiF层上蒸镀120nm厚的金属Al阴极层9，制备成结构为ITO/MoO3/TAPC/PQ2Ir(dpm)(4％)：mCP/Eu(TTA)3phen(0.2％):PQ2Ir(dpm)(4％)：26DCzPPy/TmPyPB/LiF/Al的有机电致发光器件。阳极修饰层3中MoO3的蒸发速率控制在0.01nm/s，空穴传输-电子阻挡层4中TAPC的蒸发速率控制在0.05nm/s，空穴主导发光层5中PQ2Ir(dpm)和mCP的蒸发速率分别控制在0.002nm/s和0.05nm/s，电子主导发光层6中Eu(TTA)3phen、PQ2Ir(dpm)和26DCzPPy的蒸发速率分别控制在0.0001nm/s、0.002nm/s和0.05nm/s，空穴阻挡-电子传输层7中TmPyPB的蒸发速率控制在0.05nm/s，阴极修饰层8中LiF的蒸发速率控制在0.005nm/s，金属阴极层9中Al的蒸发速率控制在1.0nm/s。
检测本实施例制备的红色有机电致发光器件的性能，实验结果表明，在直流电源驱动下，器件发射位于592纳米左右的红光。当亮度为20000cd/m2时，器件的色坐标为(0.596，0.378)；随着工作电压的变化，器件的色坐标几乎不变。器件的起亮电压为3.0伏，器件的最大亮度为70528cd/m2。器件的最大电流效率为64.92cd/A，最大功率效率为67.95lm/W。
实施例3
先将ITO玻璃上的ITO阳极层激光刻蚀成条状电极，然后依次用清洗液、去离子水超声清洗15min并放入烘箱烘干。接着将烘干后的衬底放入预处理真空室，在真空度为10Pa的氛围下用400V的电压对ITO阳极进行3min的低压等离子处理后将其转移到有机蒸镀室。在真空度为1～2×10-5Pa的有机蒸镀室中，在ITO层上依次蒸镀3nm厚的MoO3阳极修饰层3、40nm厚的TAPC空穴传输-电子阻挡层4、10nm厚PQ2Ir(dpm)掺杂TcTa的空穴主导发光层5、10nm厚Eu(DBM)3phen与PQ2Ir(dpm)共掺杂26DCzPPy的电子主导发光层6和40nm厚的TmPyPB空穴阻挡-电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在4～6×10-5Pa的真空氛围下蒸镀1.0nm厚的LiF阴极修饰层8，最后通过特制的掩模版在LiF层上蒸镀120nm厚的金属Al阴极层9，制备成结构为ITO/MoO3/TAPC/PQ2Ir(dpm)(4％)：TcTa/Eu(DBM)3phen(0.3％):PQ2Ir(dpm)(4％)：26DCzPPy/TmPyPB/LiF/Al的有机电致发光器件。阳极修饰层3中MoO3的蒸发速率控制在0.01nm/s，空穴传输-电子阻挡层4中TAPC的蒸发速率控制在0.05nm/s，空穴主导发光层5中PQ2Ir(dpm)和TcTa的蒸发速率分别控制在0.003nm/s和0.05nm/s，电子主导发光层6中Eu(DBM)3phen、PQ2Ir(dpm)和26DCzPPy的蒸发速率分别控制在0.0003nm/s、0.004nm/s和0.1nm/s，空穴阻挡-电子传输层7中TmPyPB的蒸发速率控制在0.05nm/s，阴极修饰层8中LiF的蒸发速率控制在0.005nm/s，金属阴极层9中Al的蒸发速率控制在1.0nm/s。
检测本实施例制备的红色有机电致发光器件的性能，实验结果表明，器件在直流电源驱动下，发射位于592纳米左右的红光。当亮度为20000cd/m2时，器件的色坐标为(0.590,0.381)；随着工作电压的变化，器件的色坐标几乎不变。器件的起亮电压为3.0伏，器件的最大亮度为69864cd/m2。器件的最大电流效率为63.75cd/A，最大功率效率为66.73lm/W。
实施例4
先将ITO玻璃上的ITO阳极层激光刻蚀成条状电极，然后依次用清洗液、去离子水超声清洗15min并放入烘箱烘干。接着将烘干后的衬底放入预处理真空室，在真空度为10Pa的氛围下用400V的电压对ITO阳极进行3min的低压等离子处理后将其转移到有机蒸镀室。在真空度为1～2×10-5Pa的有机蒸镀室中，在ITO层上依次蒸镀5nm厚的MoO3阳极修饰层3、30nm厚的TAPC空穴传输-电子阻挡层4、15nm厚Ir(dmpq)3(acac)掺杂mCP的空穴主导发光层5、15nm厚Eu(DBM)3phen与Ir(dmpq)3(acac)共掺杂26DCzPPy的电子主导发光层6和35nm厚的3TPYMB空穴阻挡-电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在4～6×10- 5Pa的真空氛围下蒸镀1.1nm厚的LiF阴极修饰层8，最后通过特制的掩模版在LiF层上蒸镀250nm厚的金属Al阴极层9，制备成结构为ITO/MoO3/TAPC/Ir(dmpq)3(acac)(2％)：mCP/Eu(DBM)3phen(0.1％)：Ir(dmpq)3(acac)(3％)：26DCzPPy/3TPYMB/LiF/Al的有机电致发光器件。阳极修饰层3中MoO3的蒸发速率控制在0.01nm/s，空穴传输-电子阻挡层4中TAPC的蒸发速率控制在0.06nm/s，空穴主导发光层5中Ir(dmpq)3(acac)和mCP的蒸发速率分别控制在0.002nm/s和0.1nm/s，电子主导发光层6中Eu(DBM)3phen、Ir(dmpq)3(acac)和26DCzPPy的蒸发速率分别控制在0.0001nm/s、0.003nm/s和0.1nm/s，空穴阻挡-电子传输层7中3TPYMB的蒸发速率控制在0.08nm/s，阴极修饰层8中LiF的蒸发速率控制在0.01nm/s，金属阴极层9中Al的蒸发速率控制在0.9nm/s。
检测本实施例制备的红色有机电致发光器件的性能，实验结果表明，器件在直流电源驱动下，发射位于592纳米左右的红光。当亮度为20000cd/m2时，器件的色坐标为(0.588,0.379)；随着工作电压的变化，器件的色坐标几乎不变。器件的起亮电压为3.1伏，器件的最大亮度为64572cd/m2。器件的最大电流效率为60.11cd/A，最大功率效率为60.89lm/W。
实施例5
先将ITO玻璃上的ITO阳极层激光刻蚀成条状电极，然后依次用清洗液、去离子水超声清洗15min并放入烘箱烘干。接着将烘干后的衬底放入预处理真空室，在真空度为10Pa的氛围下用400V的电压对ITO阳极进行3min的低压等离子处理后将其转移到有机蒸镀室。在真空度为1～2×10-5Pa的有机蒸镀室中，在ITO层上依次蒸镀6nm厚的MoO3阳极修饰层3、50nm厚的TAPC空穴传输-电子阻挡层4、12nm厚Ir(MDQ)2(acac)掺杂TCP的空穴主导发光层5、16nm厚Eu(DBM)3phen与Ir(MDQ)2(acac)共掺杂UGH2的电子主导发光层6和45nm厚的BmPyPhB空穴阻挡-电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在4～6×10- 5Pa的真空氛围下蒸镀1.1nm厚的LiF阴极修饰层8，最后通过特制的掩模版在LiF层上蒸镀240nm厚的金属Al阴极层9，制备成结构为ITO/MoO3/TAPC/Ir(MDQ)2(acac)(3％)：TCP/Eu(DBM)3phen(0.3％)：Ir(MDQ)2(acac)(3％)：UGH2/BmPyPhB/LiF/Al的有机电致发光器件。阳极修饰层3中MoO3的蒸发速率控制在0.01nm/s，空穴传输-电子阻挡层4中TAPC的蒸发速率控制在0.08nm/s，空穴主导发光层5中Ir(MDQ)2(acac)和TCP的蒸发速率分别控制在0.003nm/s和0.1nm/s，电子主导发光层6中Eu(DBM)3phen、Ir(MDQ)2(acac)和UGH2的蒸发速率分别控制在0.0003nm/s、0.003nm/s和0.1nm/s，空穴阻挡-电子传输层7中BmPyPhB的蒸发速率控制在0.09nm/s，阴极修饰层8中LiF的蒸发速率控制在0.012nm/s，金属阴极层9中Al的蒸发速率控制在1.2nm/s。
检测本实施例制备的红色有机电致发光器件的性能，实验结果表明，器件在直流电源驱动下，发射位于592纳米左右的红光。当亮度为20000cd/m2时，器件的色坐标为(0.592,0.378)；随着工作电压的变化，器件的色坐标几乎不变。器件的起亮电压为3.1伏，器件的最大亮度为60782cd/m2。器件的最大电流效率为62.34cd/A，最大功率效率为63.14lm/W。
实施例6
先将ITO玻璃上的ITO阳极层激光刻蚀成条状电极，然后依次用清洗液、去离子水超声清洗15min并放入烘箱烘干。接着将烘干后的衬底放入预处理真空室，在真空度为10Pa的氛围下用400V的电压对ITO阳极进行3min的低压等离子处理后将其转移到有机蒸镀室。在真空度为1～2×10-5Pa的有机蒸镀室中，在ITO层上依次蒸镀3nm厚的MoO3阳极修饰层3、40nm厚的TAPC空穴传输-电子阻挡层4、10nm厚Ir(dpm)(piq)2掺杂BSB的空穴主导发光层5、10nm厚Tb(acac)3phen与Ir(dpm)(piq)2共掺杂BCBP的电子主导发光层6和40nm厚的TPBi空穴阻挡-电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在4～6×10-5Pa的真空氛围下蒸镀1.0nm厚的LiF阴极修饰层8，最后通过特制的掩模版在LiF层上蒸镀120nm厚的金属Al阴极层9，制备成结构为ITO/MoO3/TAPC/Ir(dpm)(piq)2(4％)：BSB/Eu(TTA)3phen(0.3％)：Ir(dpm)(piq)2(4％)：BCBP/TPBi/LiF/Al的有机电致发光器件。阳极修饰层3中MoO3的蒸发速率控制在0.02nm/s，空穴传输-电子阻挡层4中TAPC的蒸发速率控制在0.08nm/s，空穴主导发光层5中Ir(dpm)(piq)2和BSB的蒸发速率分别控制在0.004nm/s和0.1nm/s，电子主导发光层6中Ir(dpm)(piq)2、Eu(TTA)3phen和BCBP的蒸发速率分别控制在0.004nm/s、0.0003nm/s和0.1nm/s，空穴阻挡-电子传输层7中TPBi的蒸发速率控制在0.08nm/s，阴极修饰层8中LiF的蒸发速率控制在0.005nm/s，金属阴极层9中Al的蒸发速率控制在1.5nm/s。
检测本实施例制备的红色有机电致发光器件的性能，实验结果表明，器件在直流电源驱动下，发射位于592纳米左右的红光。当亮度为20000cd/m2时，器件的色坐标为(0.592,0.380)；随着工作电压的变化，器件的色坐标几乎不变。器件的起亮电压为3.0伏，器件的最大亮度为63110cd/m2。器件的最大电流效率为61.71cd/A，最大功率效率为64.59lm/W。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种红色有机电致发光器件，其特征在于，包括：
衬底；
复合于所述衬底上的阳极层；
复合于所述阳极层上的阳极修饰层；
复合于所述阳极修饰层上的空穴传输-电子阻挡层；
复合于所述空穴传输-电子阻挡层上的空穴主导发光层；
复合于所述空穴主导发光层上的电子主导发光层；
复合于所述电子主导发光层上的空穴阻挡-电子传输层；
复合于所述空穴阻挡-电子传输层上的阴极修饰层；
复合于所述阴极修饰层上的阴极层；
所述电子主导发光层由有机敏化材料、红色有机发光材料与电子型有机主体材料组成；
所述有机敏化材料选自三(二苯甲酰甲烷)邻菲罗啉合铕和三(噻吩甲酰三氟丙酮)邻菲罗啉合铕中的一种或两种；
所述有机敏化材料为所述电子型有机主体材料的0.1wt％～0.5wt％。
2.根据权利要求1所述的红色有机电致发光器件，其特征在于，所述红色有机发光材料的含量为所述电子型有机主体材料的2wt％～5wt％。
3.根据权利要求1或2所述的红色有机电致发光器件，其特征在于，所述红色有机发光材料选自二(2-苯基喹啉)-(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)合铱、二(2-苯唑[b]2-噻吩基吡啶)乙酰丙酮合铱、三(1-苯基异喹啉)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、二[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)合铱、二[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)喹啉](乙酰丙酮)合铱、二(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶)合铱、三[2-苯基-4-甲基喹啉]合铱、双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基己烷-3，5-二酮)合铱、二(2-甲基二苯唑[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱和二[2-(2-甲基苯基)-7-甲基-喹啉](乙酰丙酮)合铱中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的红色有机电致发光器件，其特征在于，所述电子型有机主体材料选自2,6-二[3-(9H-9-咔唑基)苯基]吡啶、1,4-双(三苯基硅烷基)苯、2,2’-双(4-(9-咔唑基)苯基)联苯、[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷、1，3，5-三[(3-吡啶)-3-苯基]苯、1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、9-(4-特丁基苯基)-3,6-双(三苯基硅基)-9H-咔唑和9-(8-二苯基磷酰基)-二苯唑[b,d]呋喃-9H-咔唑中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的红色有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴主导发光层由红色有机发光材料和空穴型有机主体材料组成；所述红色有机发光材料为所述空穴型有机主体材料的2.0wt％～5.0wt％；
所述红色有机发光材料选自二(2-苯基喹啉)-(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)合铱、二(2-苯唑[b]2-噻吩基吡啶)乙酰丙酮合铱、三(1-苯基异喹啉)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、二[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)合铱、二[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)喹啉](乙酰丙酮)合铱、二(2-苯基喹啉)(2-(3-甲基苯基)吡啶)合铱、三[2-苯基-4-甲基喹啉]合铱、双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基己烷-3，5-二酮)合铱、二(2-甲基二苯唑[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱和二[2-(2-甲基苯基)-7-甲基-喹啉](乙酰丙酮)合铱中的一种或多种；
所述空穴型有机主体材料选自4，4’-N，N’-二咔唑二苯基、1,3-二咔唑-9-基苯、9,9'-(5-(三苯基硅烷基)-1,3-苯基)二-9H-咔唑、1,3,5-三(9-咔唑基)苯、4,4',4”-三(咔唑–9–基)三苯胺和1,4-双(三苯基硅烷基)联苯中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的红色有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输-电子阻挡层的材料选自4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、二吡嗪[2，3-f:2’,3’-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六腈基、N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-双(4-乙烯基苯基)联苯-4,4'-二胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-2，7-二胺-9，9-螺双芴、N,N,N',N'-四-(3-甲基苯基)-3-3’-二甲基对二氨基联苯、2,2'-二(3-(N,N-二-对甲苯氨基)苯基)联苯、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)二氨基联苯、N,N'-二(萘-1基)-N,N'–二苯基-2，7-二氨基-9，9-螺双芴、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-2,7-二氨基-9，9-二甲基芴、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2，7-二氨基-9，9-二甲基芴、N,N'–二(3-甲基苯基)-N,N'–二苯基-2，7-二氨基-9，9-二苯基芴、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2,7-二氨基-9,9-二苯基芴、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-2,2’-二甲基二氨基联苯、2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-2,7-二氨基-9,9-螺双芴、9,9-二[4-(N,N–二萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴、9，9-[4-(N-萘-1基-N-苯胺)-苯基]-9H-芴、2，2’-二[N,N-二(4-苯基)氨基]-9,9-螺双芴、2,2’-双(N,N-苯氨基)-9,9-螺双芴、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺和4，4’-二[N-(对-甲苯基)-N-苯基-氨基]二苯基中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的红色有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡-电子传输层的材料选自三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷、1，3，5-三[(3-吡啶)-3-苯基]苯、1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯和的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的红色有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极修饰层的厚度为1～10nm，所述空穴传输-电子阻挡层的厚度为30～60nm，所述空穴主导发光层的厚度为5～20nm，所述电子主导发光层的厚度为5～20nm，所述空穴阻挡-电子传输层的厚度为30～60nm，所述阴极修饰层的厚度为0.8～1.2nm，所述阴极层的厚度为90～300nm。
9.一种红色有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
将衬底上的阳极层进行刻蚀，烘干后在所述阳极层上依次蒸镀阳极修饰层、空穴传输-电子阻挡层、空穴主导发光层、电子主导发光层、空穴阻挡-电子传输层、阴极修饰层与阴极层；
所述电子主导发光层由有机敏化材料、红色有机发光材料与电子型有机主体材料组成；
所述有机敏化材料选自三(二苯甲酰甲烷)邻菲罗啉合铕和三(噻吩甲酰三氟丙酮)邻菲罗啉合铕中的一种或两种；
所述有机敏化材料为所述电子型有机主体材料的0.1wt％～0.5wt％。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述阳极修饰层的蒸发速率为0.01～0.05nm/s，所述空穴主导发光层与电子主导发光层中主体材料的蒸发速率为0.05～0.1nm/s，所述电子主导发光层中的有机敏化材料的蒸发速率为0.00005～0.0005nm/s，所述电子主导发光层与空穴主导发光层中的红色发光材料的蒸发速率为0.001～0.005nm/s，所述空穴传输-电子阻挡层与空穴阻挡-电子传输层中材料的蒸发速率为0.05～0.1nm/s，所述阴极修饰层的蒸发速率为0.005～0.05nm/s，所述阴极层的蒸发速率为0.5～2.0nm/s。
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