JP6456497B2 - 青色有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板に積層された陽極層と、
前記陽極層に積層された陽極修飾層と、
前記陽極修飾層に積層された正孔輸送−電子阻止層と、
前記正孔輸送−電子阻止層に積層された正孔支配型発光層と、
前記正孔支配型発光層に積層された電子支配型発光層と、
前記電子支配型発光層に積層された正孔阻止−電子輸送層と、
前記正孔阻止−電子輸送層に積層された陰極修飾層と、
前記陰極修飾層に積層された陰極層と、
を含み、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、青色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料が、トリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ツリウム及びトリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ジスプロシウムのうち選択される1種又は2種であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料に対して0.1wt%〜0.5wt%である、青色有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
基板上の陽極層をエッチングし、乾燥した後に前記陽極層上に陽極修飾層、正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層、正孔阻止−電子輸送層、陰極修飾層及び陰極層を順次に蒸着し、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、青色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、トリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ツリウム及びトリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ジスプロシウムのうちから選択される1種又は2種以上であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料の0.1wt%〜0.5wt%である、青色有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
基板と、
前記基板に積層された陽極層と、
前記陽極層に積層された陽極修飾層と、
前記陽極修飾層に積層された正孔輸送−電子阻止層と、
前記正孔輸送−電子阻止層に積層された正孔支配型発光層と、
前記正孔支配型発光層に積層された電子支配型発光層と、
前記電子支配型発光層に積層された正孔阻止−電子輸送層と、
前記正孔阻止−電子輸送層に積層された陰極修飾層と、
前記陰極修飾層に積層された陰極層と、
を含み、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、青色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料が、トリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ツリウム及びトリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ジスプロシウムのうち選択される1種又は2種であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料に対して0.1wt%〜0.5wt%である、青色有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
基板上の陽極層をエッチングし、乾燥した後に前記陽極層上に陽極修飾層、正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層、正孔阻止−電子輸送層、陰極修飾層及び陰極層を順次に蒸着し、
前記正孔支配型発光層は、青色有機発光材料及び正孔型有機ホスト材料を混合してなり、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、青色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、式(IX)の構造を有するトリ(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ツリウム及び式(X)の構造を有するトリ(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ジスプロシウムのうちから選択される1種又は2種以上であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料の0.1wt%〜0.5wt%である、青色有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
まず、基板上の陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて10〜20min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させ、
乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度8〜15Paの雰囲気下で350〜500Vの電圧により1〜10minの低圧プラズマ処理を行った後に有機蒸着室へ移送し、
真空度1〜2×10−5Paとなると、陽極層に陽極修飾層、正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層、及び正孔阻止−電子輸送層をこの順に蒸着し、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で蒸着陰極修飾層及び金属陰極層を順次に蒸着する。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ3nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ40nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ10nmのFCNIrpicドープTcTaの正孔支配型発光層5、厚さ10nmのTm(acac)3phenとFCNIrpic共ドープCzSiの電子支配型発光層6及び厚さ40nmのTmPyPB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.0nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ120nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/FCNIrpic(8%):TcTa/Tm(acac)3phen(0.2%):FCNIrpic(18%):CzSi/TmPyPB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてFCNIrpic及びTcTaの蒸発速度がそれぞれ0.004nm/s及び0.05nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてTm(acac)3phen、FCNIrpic及びCzSiの蒸発速度がそれぞれ0.0001nm/s、0.009nm/s及び0.05nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてTmPyPBの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.005nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.0nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ3nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ40nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ10nmのFCNIrpicドープmCPの正孔支配型発光層5、厚さ10nmのTm(acac)3phenとFCNIrpic共ドープ26DCzPPyの電子支配型発光層6及び厚さ40nmのTmPyPB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.0nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ120nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/FCNIrpic(10%):mCP/Tm(acac)3phen(0.2%):FCNIrpic(20%):26DCzPPy/TmPyPB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてFCNIrpic及びmCPの蒸発速度がそれぞれ0.005nm/s及び0.05nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてTm(acac)3phen、FCNIrpic及び26DCzPPyの蒸発速度がそれぞれ0.0001nm/s、0.01nm/s及び0.05nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層においてTmPyPBの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、陰極修飾層においてLiFの蒸発速度が0.005nm/sに制御され、金属陰極層においてAlの蒸発速度が1.0nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ3nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ40nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ10nmのFCNIrpicドープTcTaの正孔支配型発光層5、厚さ10nmのDy(acac)3phenとFCNIrpic共ドープ26DCzPPyの電子支配型発光層6及び厚さ40nmのTmPyPB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.0nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ120nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/FCNIrpic(8%):TcTa/Dy(acac)3phen(0.3%):FCNIrpic(20%):26DCzPPy/TmPyPB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてFCNIrpic及びTcTaの蒸発速度がそれぞれ0.004nm/s及び0.05nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてDy(acac)3phen、FCNIrpic及び26DCzPPyの蒸発速度がそれぞれ0.0003nm/s、0.02nm/s及び0.1nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてTmPyPBの蒸発速度が0.05nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.005nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.0nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ5nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ30nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ15nmのFIr6ドープmCPの正孔支配型発光層5、厚さ15nmのTm(acac)3phenとFIr6共ドープ26DCzPPyの電子支配型発光層6及び厚さ35nmの3TPYMB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.1nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ250nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/FIr6(10%):mCP/Tm(acac)3phen(0.1%):FIr6(10%):26DCzPPy/3TPYMB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.05nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.06nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてFIr6及びmCPの蒸発速度がそれぞれ0.008nm/s及び0.08nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてTm(acac)3phen、FIr6及び26DCzPPyの蒸発速度がそれぞれ0.0001nm/s、0.01nm/s及び0.1nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7において3TPYMBの蒸発速度が0.08nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.008nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が0.9nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ6nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ50nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ12nmのfac−Ir(Pmb)3ドープTCPの正孔支配型発光層5、厚さ16nmのDy(acac)3phenとfac−Ir(Pmb)3共ドープUGH2の電子支配型発光層6及び厚さ45nmのBmPyPhB正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.1nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ240nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/fac−Ir(Pmb)3(22%):TCP/Dy(acac)3phen(0.3%):fac−Ir(Pmb)3(19%):UGH2/BmPyPhB/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.01nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.08nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてIr(mppy)3及びTCPの蒸発速度がそれぞれ0.022nm/s及び0.1nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてDy(acac)3phen、fac−Ir(Pmb)3及びUGH2の蒸発速度がそれぞれ0.0003nm/s、0.019nm/s及び0.1nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてBmPyPhBの蒸発速度が0.09nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.012nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.2nm/sに制御された。
まず、ITOガラス上のITO陽極層をストリップ状の電極となるようにレーザーエッチングし、その後、洗浄液、脱イオン水を順次に用いて15min超音波洗浄してオーブンに放置して乾燥させた。次いで、乾燥後の基板を前処理真空室に放置し、真空度10Paの雰囲気下で400Vの電圧を用いてITO陽極に対して3minの低圧プラズマ処理を行った後に、それを有機蒸着室へ移送した。真空度1〜2×10−5Paの有機蒸着室において、ITO層に厚さ3nmのMoO3陽極修飾層3、厚さ40nmのTAPC正孔輸送−電子阻止層4、厚さ10nmのmer−Ir(Pmb)3ドープBSBの正孔支配型発光層5、厚さ10nmのTm(acac)3phenとmer−Ir(Pmb)3共ドープBCBPの電子支配型発光層6及び厚さ40nmのTPBi正孔阻止−電子輸送層7をこの順に蒸着した。次いで、未完成の素子が金属蒸着室へ移送され、4〜6×10−5Paの真空雰囲気下で厚さ1.0nmのLiF陰極修飾層8を蒸着し、結果として、特製のマスク版を介してLiF層上に厚さ120nmの金属Al陰極層9を蒸着し、構造がITO/MoO3/TAPC/mer−Ir(Pmb)3(9%):BSB/Tm(acac)3phen(0.3%):mer−Ir(Pmb)3(9%):BCBP/TPBi/LiF/Alである有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。陽極修飾層3においてMoO3の蒸発速度が0.06nm/sに制御され、正孔輸送−電子阻止層4においてTAPCの蒸発速度が0.08nm/sに制御され、正孔支配型発光層5においてmer−Ir(Pmb)3及びBSBの蒸発速度がそれぞれ0.009nm/s及び0.1nm/sに制御され、電子支配型発光層6においてTm(acac)3phen、mer−Ir(Pmb)3及びBCBPの蒸発速度がそれぞれ0.0003nm/s、0.009nm/s及び0.1nm/sに制御され、正孔阻止−電子輸送層7においてTPBiの蒸発速度が0.08nm/sに制御され、陰極修飾層8においてLiFの蒸発速度が0.005nm/sに制御され、金属陰極層9においてAlの蒸発速度が1.5nm/sに制御された。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板に積層された陽極層と、
前記陽極層に積層された陽極修飾層と、
前記陽極修飾層に積層された正孔輸送−電子阻止層と、
前記正孔輸送−電子阻止層に積層された正孔支配型発光層と、
前記正孔支配型発光層に積層された電子支配型発光層と、
前記電子支配型発光層に積層された正孔阻止−電子輸送層と、
前記正孔阻止−電子輸送層に積層された陰極修飾層と、
前記陰極修飾層に積層された陰極層と、
を含み、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、青色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料が、トリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ツリウム及びトリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ジスプロシウムのうち選択される1種又は2種であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料に対して0.1wt%〜0.5wt%であることを特徴とする青色有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記電子支配型発光層における青色有機発光材料の含有量は、前記電子型有機ホスト材料に対して8.0wt%〜25.0wt%であることを特徴とする請求項1に記載の青色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子支配型発光層における青色有機発光材料は、ビス(3,5−ジフルオロ−4−シアノ)ピリジル塩酸イリジウム、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジネート)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレートイリジウム、イリジウムトリス(1−フェニル−3−メチルベンゾイミダゾリン−2−イル−C,C2’)、イリジウムトリス(1−フェニル−3−メチルベンゾイミダゾリン−2−イル−C,C2’)、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジネート)(5−(ピリジン−2−イル)−1H−テトラゾレート)イリジウム、トリス[(2,6−ジイソプロピルフェニル)2−フェニル−1H−イミダゾール[e]イリジウム、イリジウムトリス(1−フェニル−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C(2)’)、イリジウムトリス(1−フェニル−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C(2)’)、ビス(1−フェニル−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(2−(2H−ピラゾール−3−イル)−ピリジネート)イリジウム、ビス(1−(4−メチルフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(2−(2H−ピラゾール−3−イル)−ピリジネート)イリジウム、ビス(1−(4−フルオロフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(2−(2H−ピラゾール−3−イル)−ピリジネート)イリジウム、ビス(1−(4−フルオロフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(2−(5−トリフルオロメチル−2H−ピラゾール−3−イル)−ピリジネート)イリジウム、イリジウムトリス(1,3−ジフェニル−ベンゾイミダゾール−2−イル−C,C2’)、ビス(1−(4−フルオロフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(3,5−ジメチル−2−(1H−ピラゾール−5−イル)ピリジネート)イリジウム、ビス(1−(4−メチルフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(3,5−ジメチル−2−(1H−ピラゾール−5−イル)ピリジネート)イリジウム、及びトリス(フェニルピラゾレート)イリジウムからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の青色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子型有機ホスト材料は、2,6−ビス[3−(9H−9−カルバゾリル)フェニル]ピリジン、1,4−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、2,2’−ビス(4−(9−カルバゾリル)フェニル)ビフェニル、トリス[2,4,6−トリメチル−3−(3−ピリジル)フェニル]ボラン、1,3,5−トリス[(3−ピリジル)−3−フェニル]ベンゼン、1,3−ビス[3,5−ジ(3−ピリジル)フェニル]ベンゼン、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼン、9−(4−t−ブチルフェニル)−3,6−ビス(トリフェニルシリル)−9H−カルバゾール及び9−(8−ジフェニルホスホリル)−ジベンゾ[b,d]フラン−9H−カルバゾールからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の青色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記正孔支配型発光層は、青色有機発光材料及び正孔型有機ホスト材料から構成され、前記正孔支配型発光層における青色有機発光材料は、前記正孔型有機ホスト材料に対して8.0wt%〜25.0wt%であり、
前記正孔支配型発光層における青色有機発光材料は、ビス(3,5−ジフルオロ−4−シアノ)ピリジル塩酸イリジウム、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジネート)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレートイリジウム、イリジウムトリス(1−フェニル−3−メチルベンゾイミダゾリン−2−イル−C,C2’)、イリジウムトリス(1−フェニル−3−メチルベンゾイミダゾリン−2−イル−C,C2’)、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジネート)(5−(ピリジン−2−イル)−1H−テトラゾレート)イリジウム、トリ[(2,6−ジイソプロピルフェニル)2−フェニル−1H−イミダゾール[e]イリジウム、イリジウムトリス(1−フェニル−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C(2)’)、イリジウムトリス(1−フェニル−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C(2)’)、ビス(1−フェニル−3−メチルイミダゾリン−2−イル− C,C2’)(2−(2H−ピラゾール−3−イル)−ピリジネート)イリジウム、ビス(1−(4−メチルフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル− C,C2’)(2−(2H−ピラゾール−3−イル)−ピリジネート)イリジウム、ビス(1−(4−フルオロフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(2−(2H−ピラゾール−3−イル)−ピリジネート)イリジウム、ビス(1−(4−フルオロフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(2−(5−トリフルオロメチル−2H−ピラゾール−3−イル)−ピリジネート)イリジウム、イリジウムトリス(1,3−ジフェニル−ベンゾイミダゾール−2−イル−C,C2’)、ビス(1−(4−フルオロフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル−C,C2’)(3,5−ジメチル−2−(1H−ピラゾール−5−イル)ピリジネート)イリジウム、ビス(1−(4−メチルフェニル)−3−メチルイミダゾリン−2−イル− C,C2’)(3,5−ジメチル−2−(1H−ピラゾール−5−イル)ピリジネート)イリジウム、及びトリス(フェニルピラゾレート)イリジウムからなる群より選ばれる1種又は2種以上であり、
前記正孔型有機ホスト材料は、4,4’−N,N’−ジカルバゾールジフェニル、1,3−ジ(カルバゾール−9−イル)ベンゼン、9,9’−(5−(トリフェニルシリル)−1,3−フェニル)ジ−9H−カルバゾール、1,3,5−トリス(9−カルバゾリル)ベンゼン、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン及び1,4−ビス(トリフェニルシリル)ビフェニルからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の青色有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記正孔輸送−電子阻止層の材料は、4,4’−シクロヘキシルジ[N,N−ジ(4−メチルフェニル)フェニルアミン]、ジピラジノ[2,3−f:2’,3’−h]キノキサリン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル、N4,N4’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N4,N4’−ビス(4−ビニルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−2,7−ジアミン−9,9−スピロビフルオレン、N,N,N’,N’−テトラ−(3−メチルフェニル)−3−3’−ジメチルp−ジアミノビフェニル、2,2’−ジ(3−(N,N−ジ−p−トリルアミノ)フェニル)ビフェニル、N,N’−ジ(ナフタレン−2−イル)−N,N’−ジ(フェニル)ジアミノビフェニル、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−スピロビフルオレン、N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチルフルオレン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチルフルオレン、N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジフェニルフルオレン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジフェニルフルオレン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−2,2’−ジメチルジアミノビフェニル、2,2’,7,7’−テトラ(N,N−ジフェニルアミノ)−2,7−ジアミノ−9,9−スピロビフルオレン、9,9−ジ[4−(N,N−ジナフタレン−2−イル−アミノ)フェニル]−9H−フルオレン、9,9−[4−(N−ナフタレン−1−イル−N−フェニルアミン)−フェニル]−9H−フルオレン、2,2’−ジ[N,N−ジ(4−フェニル)アミノ]−9,9−スピロビフルオレン、2,2’−ビス(N,N−フェニルアミノ)−9,9−スピロビフルオレン、N,N’−ジフェニル−N,N’−(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、及び4,4’−ジ[N−(p−トリル)−N−フェニル−アミノ]ジフェニルからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の青色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記正孔阻止−電子輸送層の材料は、トリス([2,4,6−トリメチル−3−(3−ピリジル)フェニル]ボラン、1,3,5−トリス[(3−ピリジル)−3−フェニル]ベンゼン、1,3−ビス[3,5−ジ(3−ピリジル)フェニル]ベンゼン、及び1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼンからなる群より選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の青色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記陽極修飾層の厚さが1〜10nmであり、前記正孔輸送−電子阻止層の厚さが30〜60nmであり、前記正孔支配型発光層の厚さが5〜20nmであり、前記電子支配型発光層の厚さが5〜20nmであり、前記正孔阻止−電子輸送層の厚さが30〜60nmであり、前記陰極修飾層の厚さが0.8〜1.2nmであり、前記陰極層の厚さが90〜300nmであることを特徴とする請求項1に記載の青色有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 基板上の陽極層をエッチングし、乾燥した後に前記陽極層上に陽極修飾層、正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層、正孔阻止−電子輸送層、陰極修飾層及び陰極層を順次に蒸着し、
前記電子支配型発光層は、有機増感材料、青色有機発光材料及び電子型有機ホスト材料から構成され、
前記有機増感材料は、トリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ツリウム及びトリス(アセチルアセトナト)(1,10−フェナントロリナト)ジスプロシウムのうちから選択される1種又は2種以上であり、
前記有機増感材料は、前記電子型有機ホスト材料の0.1wt%〜0.5wt%である青色有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記陽極修飾層の蒸発速度が0.01〜0.05nm/sであり、前記正孔輸送−電子阻止層、正孔支配型発光層、電子支配型発光層及び正孔阻止−電子輸送層におけるホスト材料の蒸発速度が0.05〜0.1nm/sであり、前記電子支配型発光層における有機増感材料の蒸発速度が0.00005〜0.0005nm/sであり、前記電子支配型発光層および正孔支配型発光層における青色発光材料の蒸発速度が0.004〜0.025nm/sであり、前記陰極修飾層の蒸発速度が0.005〜0.05nm/sであり、前記陰極層の蒸発速度が0.5〜2.0nm/sであることを特徴とする請求項9に記載の製造方法。
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