JP2003309370A - 配線膜間接続用部材、その製造方法及び多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 汎用品として安価な通常の銅箔等を素材とす
ることができ、バンプ１４を形成するためのエッチング
も１回で足り、一度に所要の層数を重ね一括してプレス
することも可能である等の配線膜間接続用部材等を提供
する。 【解決手段】 多層配線基板１１の配線膜間を接続する
略コニーデ状のバンプ１４が絶縁膜たる第２の樹脂フィ
ルム１８に埋設配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線膜間接続用部
材、その製造方法及び多層配線基板の製造方法に関し、
詳しくは、例えば銅から成るバンプを使用して多層配線
基板の配線膜間接続を行なう場合に適用して好適な配線
膜間接続用部材、その製造方法及び多層配線基板の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】多層配線基板の配線膜間接続を行なう手
法の一つとして、例えば銅から成るバンプを使用する手
法がある。図２６を引用してこの手法を簡単に説明する
と、 （Ａ）先ず、図２６（Ａ）に示すように、多層金属板１
を用意する。該多層金属板１は、例えば厚さ１００μｍ
の銅箔から成るバンプ形成用金属層２の一方の主面に、
厚さ例えば１μｍのニッケルから成るエッチングストッ
プ層３を介して、厚さ例えば１８μｍの銅箔から成る配
線膜形成用金属層４を積層して成るものである。

【０００３】（Ｂ）次に、図２６（Ｂ）に示すように、
この多層金属板１のバンプ形成用金属層２を選択的エッ
チングして、配線膜間接続用のバンプ２ａを形成する。 （Ｃ）このエッチングが済んだら、図２６（Ｃ）に示す
ように、バンプ２ａ及び配線膜形成用金属層４の形成材
料である銅をマスクとして、エッチングストップ層３に
対するエッチングを行う。 （Ｄ）次いで、図２６（Ｄ）に示すように、バンプ２ａ
の形成面に、例えば熱硬化性樹脂から成る絶縁膜５を、
該バンプ２ａの頂部が露出するように接着する。 （Ｅ）しかる後、図２６（Ｅ）に示すように、多層金属
板１のバンプ２ａの頂部が突出する側の面に、例えば銅
から成る配線膜形成用金属薄板６を臨ませる。

【０００４】（Ｆ）次に、図２６（Ｆ）に示すように、
配線膜形成用金属薄板６を上記バンプ２ａに接続して該
バンプ２ａ形成面側に積層する。 （Ｇ）次に、多層金属板１の配線膜形成用金属層４と上
記配線膜形成用金属薄板６とを選択的エッチングによっ
てパターニングし、配線膜４ａ、６ａを形成する。これ
により、図２６（Ｇ）に示すように、多層配線基板７が
出来上がり、配線膜４ａが上層の配線膜、配線膜６ａが
下層の配線膜となる。更に層数を多くする場合は、例え
ば多層配線基板７の上に図２６（Ｄ）に示す状態の配線
基板を積層する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の手法では、
多層金属板１を使用する。この多層金属板１は、上述し
たとおり、例えば銅・ニッケル・銅の３層構造で、単な
る銅箔のような汎用品ではなく特注品である。このため
単価が高い。また、上記従来の手法では、１回目はバン
プ２ａを形成するためのエッチング、２回目はエッチン
グストップ層３を除去するためのエッチングと、少なく
とも２回、種類の異なるエッチングを行なう必要があ
る。このためその分の工数が掛かり、選択的にエッチン
グする為にエッチング材料も異なりエッチング材料費も
掛かる。

【０００６】上記従来の技術では、層数を多くする場
合、例えば配線膜形成用金属層４にエッチングで配線膜
４ａを形成してから図２６（Ｄ）に示す状態の配線基板
を積層し、その配線膜形成用金属層４ａにエッチングで
次の配線膜４ａを形成してから図２６（Ｄ）に示す状態
の次の配線基板を積層するといった手順を繰り返す必要
があり、一度に所要の層数を重ねて一括してプレスする
というようなことはできなかった。

【０００７】また、上記従来の手法では、図２７に示す
ように、バンプ形成用金属層２にバンプに対応したエッ
チングレジストパターン８を形成し、このパターン８を
マスクとしてエッチンを行ないバンプ２ａを形成する
が、この場合、エッチングの深さとの関係で、各エッチ
ングレジストパターン８の直径は或る値以下にすること
はできず、また各エッチングレジストパターン８の間に
も或る値以上の隙間Ｇを設けておく必要がある。このた
め、エッチングレジストパターン８のピッチ、言い換え
ればバンプ２ａのピッチは或る値以下にはすることはで
きず、例えば金属層の厚みが０．１ｍｍの時０．４ｍｍ
Ｐが限界となっている（このときバンプの裾部分の直径
は０．１５ｍｍ）。

【０００８】また、上記従来の手法では、形成されるバ
ンプ２ａを支承するために配線膜形成用金属層４はコン
ベアでの搬送に耐え得る厚みが必要であり，極端に薄く
なることは処理中にしわ、傷、破れが生じ実質的に採用
できない。サブトラクト法より微細化の可能なセミアデ
ィティブ法を採用することは絶縁膜５の両側に３〜５μ
程度の厚みの金属箔が利用できれば好都合であるが、配
線層を３〜５μ程度の厚みにすることは上述の理由で困
難だった。また、上記従来の手法では、バンプ２ａを高
くした場合にバンプ２ａのいわば裾の部分の直径も必然
的に大きくなる。このため、バンプ２ａを高くした状態
では、バンプ２ａのピッチをある程度以下にすることは
できなかった。

【０００９】本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解
消し、一度に所要の層数を重ね一括してプレスすること
も可能な、或いは、エッチングレジストパターンのピッ
チの限界より更に小さなピッチでバンプを配置すること
ができる、或いは絶縁膜の両側にセミアディティブ法に
より微細な配線パターンを形成することも可能な、或い
はバンプを高くしてもファインピッチが維持できる、配
線膜間接続用部材、その製造方法及び多層配線基板の製
造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の配線膜間接続
用部材は、多層配線基板の配線膜間を接続する略コニー
デ状の銅あるいは銅合金からなる複数のバンプが絶縁膜
に少なくとも一端が突出するように埋設配置されている
ことを特徴とする。

【００１１】請求項２の配線膜間接続用部材は、請求項
１記載の配線膜間接続用部材において、上記絶縁膜が芯
材となる樹脂の両面に熱圧着性樹脂を形成した三層構造
の樹脂層からなることを特徴とする。

【００１２】請求項３の配線膜間接続用部材の製造方法
は、バンプ形成用金属層にキャリヤ層を積層する工程
と、該バンプ形成用金属層の前記キャリヤ層が積層され
た面とは反対の面にレジストパターンを形成する工程
と、該レジストパターンをマスクとして前記バンプ形成
用金属層をエッチングし前記キャリヤ層に略コニーデ状
の複数のバンプが突設された第１の部材を形成する工程
と、該第１の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バンプの
頂部が露出するように積層して第２の部材を形成する工
程と、該第２の部材から前記キャリヤ層を除去し略コニ
ーデ状のバンプが絶縁膜に少なくとも一端が突出するよ
うに埋設配置された配線膜間接続用部材を形成する工程
と、を有することを特徴とする。

【００１３】請求項４の多層配線基板の製造方法は、絶
縁膜に少なくとも一端が突出するように埋設配置された
略コニーデ状の複数のバンプを有する配線膜間接続部材
の上下に配線膜となる銅箔を配置し、熱プレスにより、
上記絶縁膜及び銅箔を一体化する工程を有することを特
徴とする。

【００１４】請求項５の多層配線基板の製造方法は、絶
縁膜に少なくとも一端が突出するように埋設配置された
略コニーデ状の複数のバンプを有する配線膜間接続部材
の上下に予めキャリアに金属箔を張り合わせ所要のパタ
ーンを形成したものを配置し、熱プレスにより、上記絶
縁膜、上記バンプ、上記キャリア及び上記金属箔を一体
化する工程を有することを特徴とする。

【００１５】請求項６の多層配線基板の製造方法は、絶
縁膜に少なくとも一端が突出するように埋設配置された
略コニーデ状の複数のバンプで両面配線板ないし多層配
線基板の配線膜と他の両面配線板ないし多層配線基板の
配線膜とを接続することを特徴とする。

【００１６】請求項７の多層配線基板の製造方法は、キ
ャリアの一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形
成したものを用意し、上記キャリアの上記一方の主面に
層間絶縁用の絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫
通されるように積層し、該絶縁膜の上記キャリアと反対
側の面に配線膜形成用金属箔を積層し、上記キャリアを
除去し、上記絶縁膜の上記キャリアを除去した面に上記
配線膜形成用金属箔とは別の配線膜形成用金属箔を積層
して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔
を一体化することを特徴とする。

【００１７】請求項８の多層配線基板の製造方法は、層
間絶縁膜となるキャリアの一方の主面に略コニーデ状の
複数のバンプを形成したものを用意し、上記バンプが上
記キャリアを貫通する状態にし、上記キャリアの両面に
配線膜形成用金属箔を積層して、該キャリア、上記バン
プ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特
徴とする。

【００１８】請求項９の多層配線基板の製造方法は、一
つの配線膜形成用金属箔の一方の主面に複数のバンプを
形成した部材と、別の配線膜形成用金属箔の一方の主面
に、層間絶縁用の絶縁膜を積層し、該絶縁膜に上記複数
のバンプと対応する複数のバンプ対応孔を形成した部材
とを用意し、上記二つの部材を、上記一方の部材の各バ
ンプが他方の部材のそれと対応する各バンプ対応孔に位
置整合するように位置合わせして積層して上記バンプ、
絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化すること
を特徴とする。

【００１９】請求項１０の多層配線基板の製造方法は、
一つの型の一方の主面に複数のバンプを形成した部材
と、層間絶縁用の絶縁膜の一方の主面に別の型を積層
し、該型に上記バンプと対応するバンプ対応孔を形成し
た部材を用意し、上記バンプを形成した部材のそのバン
プを形成した側に、それと別の部材の上記絶縁膜を、上
記バンプ対応孔と上記バンプとの対応するもの同士が位
置整合するようにあてがい、上記二つの型に加圧力を加
えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにし、上
記二つの型を取り去った後、上記絶縁膜の両面に配線膜
形成用金属箔を積層して、該絶縁膜、上記バンプ及び二
つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とす
る。

【００２０】請求項１１の多層配線基板の製造方法は、
請求項１０記載の多層配線基板の製造方法において、上
記バンプ対応孔を形成した上記型として、該型の上記絶
縁膜と反対側の面に接着剤付きの樹脂フィルムを該接着
剤にて接着したものを使用し、上記二つの型に加圧力を
加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにした
後、上記二つの型の取り去りの際、上記樹脂フィルムを
剥がすことによりバンプ対応孔を有する方の型を上記接
着剤を介して取り去ることを特徴とする。

【００２１】請求項１２の多層配線基板の製造方法は、
バンプ形成用金属箔の一方の主面側からハーフエッチン
グすることにより複数のハーフバンプを形成する工程
と、上記バンプ形成用金属箔の上記一方の主面に層間絶
縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるよう
に積層する工程と、上記絶縁層の表面に上記ハーフバン
プと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、
上記バンプ形成用金属箔の他方の主面側からハーフエッ
チングすることにより上記ハーフバンプと一体化してバ
ンプを成す複数のハーフバンプを形成する工程と、上記
バンプ形成用金属箔の上記他方の主面に層間絶縁用の絶
縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層す
る工程と、上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続
される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、を有する
ことを特徴とする。

【００２２】請求項１３の多層配線基板の製造方法は、
両面配線板ないし多層配線板からなる配線板の上下に、
絶縁膜に少なくとも一端が突出して埋設配置された略コ
ニーデ状のバンプからなる配線膜間接続用部材を配置
し、更に上記上側の配線膜間接続用部材の上側と下側の
配線膜間接続用部材の下側にそれぞれ銅箔を配置し、一
体化プレスすることにより、上記両面配線板ないし多層
配線板からなる配線板の配線膜と上記銅箔とを接続する
ことを特徴とする。

【００２３】請求項１４の配線膜間接続用部材の製造方
法は、バンプ形成用金属層にキャリヤ層を積層する工程
と、該バンプ形成用金属層の前記キャリヤ層が積層され
た面とは反対の面にレジストパターンを形成する工程
と、該レジストパターンをマスクとして前記バンプ形成
用金属層をエッチングし前記キャリヤ層に略コニーデ状
のバンプが突設された第１の部材を形成する工程と、該
第１の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バンプの頂部が
露出するように積層し第２の部材を形成する工程と、該
第２の部材から前記キャリヤ層を除去し一つの配線膜間
接続用部材を形成する工程と、前記バンプ形成用金属層
とは別のバンプ形成用金属層に前記キャリヤ層とは別の
キャリヤ層を積層する工程と、前記別のバンプ形成用金
属層の前記別のキャリヤ層が積層された面とは反対の面
に前記レジストパターンとは別のレジストパターンを形
成する工程と、前記別のレジストパターンをマスクとし
て前記別のバンプ形成用金属層をエッチングし前記別の
キャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された別の第
１の部材を形成する工程と、該別の第１の部材のバンプ
の頂部が前記一つの配線膜間接続用部材の絶縁膜から露
出するように該別の第１の部材と前記一つの配線膜間接
続用部材とを積層し前記第２の部材とは別の第２の部材
を形成する工程と、該第２の部材から前記別のキャリヤ
層を除去し略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置さ
れた新たな配線膜間接続用部材を形成する工程を有する
ことを特徴とする。

【００２４】請求項１５の多層配線基板の製造方法は、
略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された配線膜
間接続用部材に導電膜を形成する工程と、該導電膜の上
にメッキにより配線パターンを形成する工程と、クイッ
クエッチングにより前記導電膜を除去する工程と、を有
することを特徴とする。

【００２５】請求項１６の配線膜間接続用部材は、略コ
ニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された部材が複数
枚、夫々のバンプが重なるように積層されていることを
特徴とする。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示実施の
形態例に基いて説明する。 （１．第１の実施の形態例）図１（Ａ）〜（Ｈ）は第１
の実施の形態例を示すもので、多層配線基板の形成方法
を工程順に示す断面図ものである。

【００２７】（Ａ）先ずバンプ形成用金属層たる銅箔１
２に接着剤を介してあるいは直接ラミネートすることに
より、キャリヤ層たる第１の樹脂フィルム１３を積層
（接着）する（図１（Ａ））。銅箔１２の厚さは任意
で、形成しようとするバンプ１４の高さに対応して定め
られるが、例えば厚さ１００μｍとされる。なお、第１
の樹脂フィルム１３に代え、例えばアルミニウムなどか
ら成る金属箔をキャリヤ層として銅箔１２に積層しても
良い。

【００２８】（Ｂ）次に、銅箔１２の二面のうち前記第
１の樹脂フィルム１３が積層された面ではない方の面
に、バンプ形成のためのエッチングレジストパターン１
６を形成する（図１（Ｂ））。 （Ｃ）次に、このエッチングレジストパターン１６をマ
スクとして、銅箔１２をエッチングする。これで、第１
の樹脂フィルム１３に略コニーデ状のバンプ１４が突設
された第１の部材１７が形成される（図１（Ｃ））。バ
ンプ１４の大きさは任意であるが、例えば高さ１００μ
ｍの場合、頂部の直径１００μｍ、裾の部分の直径１５
０μｍなどとされる。

【００２９】（Ｄ）次に、配線板の絶縁膜に相当する絶
縁膜たる第２の樹脂フィルム１８を第１の部材１７のバ
ンプ１４が突設されている側から当設する（図１
（Ｄ））。この第２の樹脂フィルム１８の厚さも任意で
あるが、例えば５０μｍとされる。また、素材としては
熱可塑性樹脂、例えば液晶ポリマー、ポリエーテルエー
テルケトン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェ
ニレンサルファイド樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹
脂または熱硬化性樹脂のＢステージ状態のエポキシプリ
プレグなども好適である。 （Ｅ）次に、バンプ１４の頂部が露出するように、この
第２の樹脂フィルム１８に第１の部材１７を積層して第
２の部材１９を形成する（図１（Ｅ））。

【００３０】尚、第２の樹脂フィルム１８の第１の部材
１７への積層は、具体的には例えば図２（Ａ）〜（Ｃ）
に示すような手順で行なう。即ち、先ず第２の樹脂フィ
ルム１８を第１の部材１７のバンプ１４が突設されてい
る側から当接する（図２（Ａ））。次いで、この第２の
樹脂フィルム１８を砥石２１でこする（図２（Ｂ））。
これにより、バンプ１４の頂部にあたる部分の樹脂が研
磨除去され、第２の樹脂フィルム１８に食い込んで行
き、やがてこの第２の樹脂フィルム１８を突き破り、バ
ンプ１４の頂部が第２の樹脂フィルム１８から露出した
状態になる。なお、砥石２１の代りに研磨ローラ等を用
いても良い。

【００３１】（Ｆ）次に、バンプが樹脂フィルム１８に
食い込み、保持されたら、この第２の部材１９から第１
の樹脂フィルム１３を剥離する（図１（Ｆ））。これで
略コニーデ状のバンプ１４が絶縁膜たる第２の樹脂フィ
ルム１８に埋設配置された配線膜間接続用部材２２が形
成される。尚、図１（Ｆ）に示すような配線膜間接続用
部材２２、即ち、略コニーデ状のバンプ１４の裾の部分
（基部）が第２の樹脂フィルムから突出する配線膜間接
続用部材２２ではなく、図１（（Ｆ‘）に示すような配
線膜間接続用部材２２、即ち、バンプ１４の頂部が第２
の樹脂フィルム１８から突出する配線膜間接続用部材２
２を得るようにすることもできる。

【００３２】図３（Ａ）〜（Ｃ）はその図１（Ｆ‘）に
示すような配線膜間接続用部材２２を得る方法を示す。
具体的には、図３（Ａ）に示す状態（図１（Ｃ）に示す
状態と同じ）にし、その後、第２の樹脂フィルム１８に
弾力性のあるシート、例えばポリエチレン、ポリプロピ
レン、紙、ポリ塩化ビニデンあるいはゴムのシート７０
を配置し、全面をプレスして図３（Ｂ）に示す状態に
し、その後、そのシート７０及び第１樹脂フィルム１３
を除去して図３（Ｃ）に示す状態にする。すると、図１
（Ｆ’）に示す配線膜間接続用部材２２を得ることがで
きる。

【００３３】また、樹脂フィルム１８として、予めドリ
ルあるいはパンチングあるいはレーザ光で、穴をあける
方法により、所定位置に穴あけしたものを用いて図１
（Ｆ’）に示す配線膜間接続用部材２２を得るようにし
ても良い。図４（Ａ）〜（Ｃ）はそのような配線膜間接
続用部材２２を得る方法を示すものである。即ち、図１
（Ｄ）に示す工程、図２に示す工程では第２の樹脂フィ
ルム１８として孔のないものを用意するが、本方法で
は、図４（Ａ）に示すように、各バンプ１４に対応する
位置に、そのバンプ１４の少なくとも基部（裾野部分）
の径よりも小さい径の孔７１を形成したものを第２の樹
脂フィルム１８として用意する。

【００３４】その後、その第２の樹脂フィルム１８をバ
ンプ１４が形成された第１の樹脂フィルム１３上に、そ
の各孔７１と各バンプ１４を対応するように位置合わせ
して常温下による圧着、或いは熱圧着により、一体化す
る。図４（Ｂ）はその一体化後の状態を示す。しかる
後、図４（Ｃ）に示すように、第１の樹脂フィルム１３
を剥離する。このような方法によっても図１（Ｆ’）に
示すような配線膜間接続用部材２２を得ることができ
る。

【００３５】次に、図１（Ｆ）に示す工程の次の工程
（Ｇ）から説明を続ける。 （Ｇ）２枚の配線膜形成用銅箔２３を配線膜間接続用部
材２２の両側から当接する（図１（Ｇ））。 （Ｈ）次に、これら配線膜形成用銅箔２３及び配線膜間
接続用部材２２を、例えば液晶ポリマーの場合３００゜
Ｃ以上の高温でプレスする（図１（Ｈ））。これによ
り、各配線膜形成用銅箔２３と同じ銅からなるバンプ１
４とは、同種金属同士ということで堅固に接合し（Ｃｕ
−Ｃｕ接合）、良好な導通状態が実現される。

【００３６】（変形例）図５（Ａ）〜（Ｃ）は第１の実
施の形態例の変形例を示すもので、配線基板の製造方法
の工程を順に示す断面図である。 （Ａ）先ず、図５（Ａ）に示すように、三層構造の樹脂
フィルム１８ａを用意する。該樹脂フィルム１８ａは、
芯材を成すポリイミドフィルム１８₁の両面に熱可塑性
ポリイミド或いはエポキシ変性熱硬化接着材等熱圧着の
できるポリイミドフィルム１８₂、１８₂を接着してなる
ものである。本変形例は、層間絶縁膜となる第２の樹脂
フィルム１８に代えて三層構造の樹脂フィルム１８ａを
用いることが図１に示す第１の実施の形態例の製造方法
との違いの一つである。

【００３７】（Ｂ）次に、図５（Ｂ）に示すように、配
線膜形成用銅箔２３の一方の主面にバンプ１４、１４、
・・・を形成した部材１７ａを、そのバンプ１４、１
４、・・で上記三層構造の樹脂フィルム１８ａを貫通す
るように該樹脂フィルム１８ａの一方の主面に積層して
熱圧着する。尚、上記部材１７ａは、例えば、樹脂フィ
ルム上にバンプ形成用の銅箔を積層し、該銅箔を選択的
にエッチングし、その後、配線膜形成用銅箔を上記樹脂
フィルムと反対側の面に加圧して積層し、しかる後、該
樹脂フィルムを除去するというような方法でつくること
ができる。

【００３８】（Ｃ）次に、図５（Ｃ）に示すように、樹
脂フィルム１８ａの上記配線膜形成用銅箔２３が積層さ
れた側と反対側の面に、別の配線膜形成用銅箔２３を積
層し熱圧着する。すると、変形例の配線基板１１’がで
きる。このように、図１に示す配線基板１１には図５
（Ｃ）に示すような変形例１１’がある。

【００３９】なお、配線膜形成用銅箔２３及び配線膜間
接続用部材２２等に対するプレスは、例えば図６に示す
ように二つの高温ローラ２４の間を通す形で実行しても
良い。こうするとプレスが連続的に実行され、生産効率
を高めることが可能になる。このあと、従来の場合と同
様に配線膜形成用銅箔２３をエッチングし、所要の配線
パターンを形成する（不図示。図２６（Ｇ）に示す従来
の多層配線基板のようになる。）。なお、図１（Ｇ）、
（Ｈ）に示す工程において図１（Ｆ）に示す配線膜間接
続用部材２２に代えて、図１（Ｆ’）に示す配線膜間接
続用部材２２を用いるようにしても良いことはいうまで
もない。また、図５に示す変形例或いはそれより後で述
べる各種積層についても図６に示すローラを用いること
ができる。

【００４０】（２．第２の実施の形態例）図７（Ａ）〜
（Ｅ）は本発明の第２の実施の形態例を示すもので、配
線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。 （Ａ）図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す方法によって図１
（Ｃ）に示す第１の部材１７をつくる。１３は第１の樹
脂フィルム、１４は該第１の樹脂フィルム１３に突設さ
れた略コニーデ状のバンプである。

【００４１】ここで、簡単に、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示
す方法を説明する。バンプ形成用金属層たる銅箔１２に
キャリヤ層たる第１の樹脂フィルム１３を積層（接着）
し、銅箔１２の二面のうち前記第１の樹脂フィルム１３
が積層された面ではない方の面に、バンプ形成のための
エッチングレジストパターン１６を形成し、その後、こ
のエッチングレジストパターン１６をマスクとして、銅
箔１２をエッチングする。すると、図７（Ａ）［図１
（Ｃ）］に示す第１の部材１７が出来上がる。

【００４２】（Ｂ）次に、配線板の絶縁膜に相当する絶
縁膜たる第２の樹脂フィルム１８を第１の部材１７のバ
ンプ１４が突設されている側から当接し、バンプ１４の
頂部が露出するように、この第２の樹脂フィルム１８に
第１の部材１７を積層して第２の部材１９を形成する。
図７（Ｂ）はその第２の部材１９形成後の状態を示す。
この場合、第２の樹脂フィルム１８を第１の樹脂フィル
ム１３に密着するように積層する。それは、例えば、前
述の図４（Ａ）、（Ｂ）に示す方法により、容易に為し
得る。

【００４３】（Ｃ）次に、配線膜形成用銅箔２３ａを、
第２の部材１９の第１の樹脂フィルム１３が形成された
側と反対側にあてがい、該樹脂フィルム１３にプレスす
ることにより積層する。図７（Ｃ）はその積層後の状態
を示す。 （Ｄ）次に、図７（Ｄ）に示すように、第１の樹脂フィ
ルム１３を剥離する。 （Ｅ）その後、その樹脂フィルム１３を剥離した面に配
線膜形成用銅箔２３ｂをあてがい、その状態で第２の部
材１９にプレスにより積層する。すると、図７（Ｅ）に
示すように、第２の実施の形態例の多層配線基板１１ａ
が出来上がる。

【００４４】このように、第２の部材１９に対して樹脂
フィルム１３を除去することなく、該フィルム１３の反
対側のみに配線膜形成用銅箔２３ａをプレスし、その
後、樹脂フィルム１３を除去し、しかる後、その除去し
た面に２枚目の配線膜形成用銅箔２３ｂをプレスするの
は、図１に示す第１の実施の形態例のように部材に対し
て両方の面側から配線膜形成用銅箔２３、２３をプレス
により積層する場合に比較して、バンプ１４、１４の形
成位置のバラツキを少なくすることができるからであ
る。

【００４５】即ち、図１に示す実施例のように、一度に
２枚の銅箔２３、２３を両側からプレスして部材と一体
化すると、プレス時におけるバンプ１４、１４、・・・
相互の位置関係が第２の樹脂フィルム１８のみによって
保持されているに過ぎないので、プレス時に加わる衝撃
的加圧力により僅かながらずれが生じ、バンプ１４、１
４、・・・の形成位置に僅かながらバラツキが生じる。
従って、バンプ１４、１４、・・・の位置精度が相当に
高いことが要求される場合には、その要求に応えること
が難しい場合がある。

【００４６】しかし、図７に示す実施例のように、２枚
の銅箔２３ａ、２３ｂを２回に分けて別々のプレスによ
り積層すると、１回目の積層の際には第１の樹脂フィル
ム１３と第２の樹脂フィルム２８の２枚の樹脂フィルム
によりバンプ１４、１４、・・・相互の位置関係を規定
することができ、バンプ１４、１４、・・・相互間の位
置関係のずれを極めて小さくすることができる。そし
て、そのバンプ１４、１４、・・・相互の位置関係が銅
箔２３ａにより規定された状態で銅箔２３ｂのプレスに
よる積層を行うので、その位置関係についての高い精度
を維持しながら配線基板１１ａの形成ができるのであ
る。従って、工程数が増えるも、バンプ１４、１４、・
・・相互間の位置精度が極めて高いことを要求される場
合には、図７に示す製造方法により製造すれば良く、位
置精度はそこそこの高さで良く、製造工程を減らして製
造コストの低減に対する要求が強い場合には、図１に示
す製造方法により製造すればよい。

【００４７】（３．第３の実施の形態例）図８（Ａ）〜
（Ｄ）は本発明の第３の実施の形態例を示すもので、配
線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。 （Ａ）図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すのと同じ方法により、
図８（Ａ）に示す、第１の部材１７をつくる。１３は樹
脂フィルム、１４、１４、・・・は銅からなるバンプで
ある。尚、該樹脂フィルム１３は当初はバンプ１４、１
４、・・・の形成にあたっての台としての役割を果たす
が、後で層間絶縁膜としての役割を果たし、除去されな
い。

【００４８】（Ｂ）次に、樹脂フィルム１３の下側に図
示しないクッション材を置き、加圧することにより，バ
ンプ１４、１４、・・・をその樹脂フィルム１３を貫通
させる。図８（Ｂ）はその貫通した状態を示す。これに
よりその樹脂フィルム１３を層間絶縁膜として使用する
ことが可能となる。尚、上記クッション材としては発泡
剤、例えば発泡ポリプロピレン、発泡ウレタン、厚手の
紙、ゴムシート等が好適である。 （Ｃ）次に、図８（Ｃ）に示すように、２枚の配線膜形
成用銅箔２３を配線膜間接続用部材２２の両側から当接
する。

【００４９】（Ｄ）その後、これら配線膜形成用銅箔２
３及び配線膜間接続用部材２２を高温でプレスする。こ
れにより図８（Ｄ）に示すような配線基板１１ｂができ
る。本配線基板１１ｂの前述の配線基板１１及び１１ａ
との違いは、バンプ１４、１４、・・・の形成の際に台
として用いた樹脂フィルム１３を、バンプ１４、１４、
・・・形成後も除去することなく層間絶縁膜として用い
ることにあり、それ故、樹脂フィルム１３を無駄に使う
ことを回避することができ、延いては材料費の節減を図
ることができる。

【００５０】（４．第４の実施の形態例）図９（Ａ）〜
（Ｅ）は本発明の第４の実施の形態例を示すもので、配
線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。 （Ａ）配線膜形成用銅箔２３上に層間絶縁膜となる樹脂
フィルム（例えばポリイミド或いはＬＣＰからなる）１
８を積層した片面銅張り積層板を用意し、該積層板の層
間絶縁膜となる樹脂フィルム１８の銅箔２３を積層した
側と反対側の面に保護フィルム１３を貼る。図９（Ａ）
はその保護フィルム１３を貼った後の状態を示す。ここ
で、保護フィルム１３は後で行うデスミア処理によるア
タックや表面汚れを防止するために貼られるものであ
る。尚、配線膜形成用銅箔２３上の樹脂１８としてポリ
イミド樹脂を用い、更に、該樹脂１８として熱可塑性ポ
リイミド或いはエポキシ変性の熱硬化性接着剤など熱圧
着のできるポリイミドを用いるようにしても良い。この
例では、熱圧着により保護フィルム１３を形成するので
ある。

【００５１】（Ｂ）次に、上記保護フィルム１３及び樹
脂フィルム１８にレーザビームによる選択的にバンプ対
応孔を形成する。１８ｈはそのバンプ対応孔であり、後
でバンプが嵌挿される。その後、デスミア処理を施す。
具体的には、レーザビームによる孔開け後、そのバンプ
対応孔１８ｈの内底面に露出する銅箔２３表面上に残存
する有機物を、例えば過マンガン酸カリ溶液等で除去す
るものである。また、オゾン、プラズマ、サンドブラス
ト、液体ホーミング等によりドライデスミアをするよう
にしても良い。図９（Ｂ）はその孔開け及びデスミア処
理を施した後の状態を示す。尚、レーザビームによる孔
開けを行うのではなく、樹脂フィルム１８として感光性
を付与した樹脂フィルムを用い、露光、現像により選択
的に孔開けを行うことによりバンプ対応孔１８ｈを形成
するようにしても良い。

【００５２】（Ｃ）次に、図９（Ｃ）に示すように、保
護フィルム１３を除去する。 （Ｄ）次に、配線膜形成用銅箔２３の一方の主面にバン
プ１４、１４、・・・を形成した部材１７ａを用意し、
該部材１７ａを、その各バンプ１４、１４、・・・が上
記積層体（銅箔２３に樹脂フィルム１８を積層してなる
積層体）のバンプ対応孔１８ｈ、１８ｈ、・・・と対応
するように位置合わせして積層体の孔形成面に臨ませ
る。図９（Ｄ）はその部材１７を積層体に臨ませた状態
を示す。

【００５３】（Ｅ）その後、上記部材１７ａと上記積層
体をプレスにより積層すると、上記樹脂フィルム１８を
層間絶縁膜とし、その各バンプ対応孔１８ｈ、１８ｈ、
・・・にバンプ１４、１４、・・・が位置した配線基板
１１ｃが出来上がる。図９（Ｅ）はその配線基板１１ｃ
を示す。

【００５４】このような方法によっても配線基板を得る
ことができる。このような方法によれば、樹脂フィルム
１８にバンプ１４、１４、・・・と対応してそれが通バ
ンプ対応孔１８ｈ、１８ｈ、・・・を形成したので、バ
ンプ１４、１４、・・・を樹脂フィルム１８中に押し込
んで嵌挿する際に生じる樹脂フィルム１８によるゴミ、
カスによる汚染を軽減することができる。

【００５５】尚、上位部材１７ａは、図１（Ａ）〜
（Ｃ）に示す方法で形成した部材１７を用意し、その各
バンプ１４、１４、・・・を対応するバンプ対応孔１８
ｈ、１８ｈ、・・・に嵌合した状態にし、その後、樹脂
フィルム１３［図１（Ａ）〜（Ｃ）における第１の樹脂
フィルム１３参照］のプレス前にその樹脂フィルム１３
を剥がし、更に、配線膜形成用銅箔２３を重ね、その
後、プレスすることによって得ることができる。

【００５６】また、図９（Ａ）における保護フィルム１
３としてフォトレジストからなるものを用い、これを感
光及び現像することによりパターニングし、そのパター
ニングされた保護フィルム１３をマスクとして樹脂フィ
ルム１８をエッチングすることによりバンプ対応孔１８
ｈ、１８ｈ、・・・を形成するようにしても良い。ま
た、本実施の形態例において、樹脂フィルム１８として
多孔質ポリイミド樹脂（例えば日東電工製）を用いるよ
うにしても良い。というのは、多孔質であることからバ
ンプ１４、１４、・・・による貫通性が良好であり、汚
染等が生じないからである。即ち、上述したように、多
孔性でない通常の樹脂だと、バンプ１４、１４、・・・
で貫通されるとき、貫通されにくく、樹脂が歪み、ゴ
ミ、カスが生じそれが汚染源になるからであり、そのた
め、前述のように、クリーニング処理が必要となる。し
かるに、貫通性が良好だと汚染が少なく、クリーニング
処理が簡単で済む、ないしは、不要となる。ところで、
多孔質ポリイミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気泡タイ
プと連続気泡タイプがあり、独立気泡タイプの方が貫通
性がより良好で、汚染等が生じにくいという傾向があ
る。

【００５７】（５．第５の実施の形態例）図１０（Ａ）
〜（Ｇ）は本発明の第５の実施の形態例を示すもので、
配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、図１０（Ａ）に示すように、層間絶縁膜と
なる樹脂フィルム１８上に、上型８０を積層したものを
用意する。該上型８０は、金属（例えばＳＵＳ等）或い
は樹脂からなり、後述するバンプ（１４、１４、・・
・）と対応したバンプ対応孔８２、８２、・・・を有す
る。尚、該バンプ対応孔８２、８２、・・・は、例え
ば、樹脂フィルム１８上に接着された上型８０上にフォ
トレジストを塗布し、該フォトレジストを露光及び現像
することによりパターニングしてマスク膜とし、このフ
ォトレジストからなるマスク膜をマスクとして上型８０
をエッチングすることにより形成することができる。尤
も、上型８０のバンプ対応孔８２、８２、・・・の形成
は、上型８０を樹脂フィルム１８上に接着しない段階で
行うようにしても良い。

【００５８】（Ｂ）次に、図１０（Ｂ）に示すように、
金属（例えばＳＵＳ等）或いは樹脂からなる下型８４上
にバンプ１４、１４、・・・を形成した部材１７ｂを用
意し、その部材１７ｂのバンプ１４、１４、・・・形成
面の上方に、上記上型８０を樹脂フィルム１８が下側を
向く向きで、且つ各バンプ対応孔８２、８２、・・・が
対応するバンプ１４、１４、・・・と位置が整合するよ
うに位置合わせして臨ませる。 （Ｃ）次に、図１０（Ｃ）に示すように、上記上型８０
を上記下型８４側に加圧して、上記樹脂フィルム１８が
バンプ１４、１４、・・・により貫通された状態にす
る。

【００５９】（Ｄ）次に、図１０（Ｄ）に示すように、
上型８０を取り去る。尚、ここで、この貫通により樹脂
のゴミ、カス等が生じ、それにより樹脂フィルム１８表
面が汚染されるので、この加圧工程の終了後、クリーニ
ングすることが好ましい。 （Ｅ）次に、図１０（Ｅ）に示すように、下型８４を取
り去る。 （Ｆ）次に、図１０（Ｆ）に示すように、バンプ１４、
１４、・・・により貫通された樹脂フィルム１８の両面
に配線膜形成用銅箔２３、２３を臨ませる。 （Ｇ）その後、該配線膜形成用銅箔２３、２３をその樹
脂フィルム１８に加圧して積層する。すると、配線基板
１１ｄができ上がる。

【００６０】尚、本実施の形態例においても、上記第４
の実施の形態例におけると同様に、樹脂フィルム１８と
して多孔質ポリイミド樹脂（例えば日東電工製）を用い
るようにしても良い。

【００６１】（変形例）図１１（Ａ）〜（Ｅ）は上記図
１０に示す製造方法の変形例の要部を工程順に示す断面
図である。 （Ａ）先ず、図１１（Ａ）に示すように、層間絶縁膜と
なる樹脂フィルム１８上に上型８０ａを形成したものを
用意する。この上型８０ａは材料は金属（例えばＳＵ
Ｓ）或いは樹脂からなる点で、図１０に示す製造方法の
場合と同じであるが、その場合よりも厚さの薄いものを
用いる。具体的には、バンプ１４の高さから樹脂フィル
ム１８の厚さを減じた程度の厚さしか有しないものを用
いる。

【００６２】（Ｂ）次に、図１１（Ｂ）に示すように、
上型８０ａにバンプ１４、１４、・・・と対応するバン
プ対応孔８２ａ、８２ａ、・・・を形成する。バンプ対
応孔８２ａ、８２ａ、・・・の形成方法は図１０に示す
製造方法と同じでよい。 （Ｃ）次に、上記上型８０ａ上に、接着剤付きフィルム
８６を接着する。８８はフィルム８６の本体、９０は接
着剤である。この接着剤付きフィルム８６は後の工程で
樹脂フィルム１８をバンプ１４、１４、・・・で貫通す
ることにより樹脂によるゴミ、カスで汚染されることを
軽減するためのものである。

【００６３】そして、その接着剤付きフィルム８６、そ
れに接着された上型８０ａ及び樹脂フィルム１８を，部
材１７ｂ［下型８４の一方の主面にバンプ１４、１４、
・・・が形成されたもの：図１０（Ｂ）参照］のバンプ
１４、１４、・・・形成面上に、バンプ対応孔８２ａ、
８２ａ、・・・がバンプ１４、１４、・・・と位置が整
合するよう位置合わせして臨ませる。図１１（Ｃ）はそ
の臨ませた状態を示す。 （Ｄ）次に、上記上型８０を上記下型８４に加圧して、
上記樹脂フィルム１８がバンプ１４、１４、・・・によ
り貫通された状態にする。図１１（Ｄ）はその状態を示
す。尚、この貫通により樹脂のゴミ、カス等が生じると
一応はいえる。

【００６４】（Ｅ）次に、上記接着剤付きフィルム８６
を、接着剤９０により該フィルム８６に接着された上型
８０ａもろとも除去する。すると、上記貫通により生じ
た樹脂のゴミ、カス等が接着剤付きフィルム８６及び上
型８０ａと共に除かれ、樹脂によるゴミ、カス等による
配線基板の汚染がほとんどなくなる。図１１（Ｅ）はそ
の接着剤付きフィルム８６及び上型８０ａの除去後の状
態を示す。その後、図１０（Ｅ）〜（Ｇ）に示したと同
じ方法で、配線基板１１ｄを得る。このような製造方法
によれば、上述したように、樹脂によるゴミ、カス等に
よる配線基板の汚染がほとんどなくなるので、その点で
図１０に示す方法よりも優れていると言える。

【００６５】尚、本変形例においても、より汚染を軽減
するために、層間絶縁膜を成す樹脂フィルム１８とし
て、多孔質ポリイミド樹脂（例えば日東電工製）を用い
るようにしても良い。

【００６６】（６．第６の実施の形態例）図１２（Ａ）
〜（Ｅ）は本発明の第６の実施の形態例を示すもので、
配線基板のの製造方法の工程を順に示す断面図である。
本実施の形態例は、図１０、図１１に示す実施の形態例
のものよりもバンプ高さを例えば２倍以上と高くしたも
のである。 （Ａ）先ず、図１２（Ａ）に示すように、得ようとする
バンプ高さ（例えば１００μｍ）より適宜厚い（例えば
１５０μｍ）バンプ形成用銅箔１１０を用意する。

【００６７】（Ｂ）次に、図１２（Ｂ）に示すように、
上記バンプ形成用銅箔１１０の一方の主面から選択的に
ハーフエッチング（例えば７５μｍのエッチング）する
ことによりハーフバンプ１４ａ、１４ａ、・・・を形成
する。 （Ｃ）次に、上記バンプ形成用銅箔１１０のハーフバン
プ１４ａ、１４ａ、・・・の形成面に、層間絶縁膜を成
す樹脂フィルム１１２を、該ハーフバンプ１４ａ、１４
ａ、・・・によって貫通されるように積層し、更に、配
線膜形成用銅箔１１４をその樹脂フィルム１１２及びハ
ーフバンプ１４ａ、１４ａ、・・・側の面にプレスして
一体化する。図１２（Ｃ）はそのプレスによる一体化後
の状態を示す。

【００６８】（Ｄ）次に、上記バンプ形成用銅箔１１０
を他方の面（ハーフバンプ１４ａ形成面と反対側の面）
から選択的にハーフエッチング（約７５μｍのエッチン
グ）することにより上記ハーフバンプ１４ａ、１４ａ、
・・・と一体化してバンプ１４、１４、・・・を成すハ
ーフバンプ１４ｂ、１４ｂ、・・・を形成する。図１２
（Ｄ）は該ハーフバンプ１４ｂ形成後の状態を示す。 （Ｅ）上記バンプ形成用銅箔１１０のハーフバンプ１４
ｂ、１４ｂ、・・・の形成面に、層間絶縁膜を成す樹脂
フィルム１１２を、該ハーフバンプ１４ｂ、１４ｂ、・
・・によって貫通されるように積層し、更に、配線膜形
成用銅箔１１４をその樹脂フィルム１１２及びハーフバ
ンプ１４ｂ、１４ｂ、・・・側の面にプレスして一体化
する。図１２（Ｅ）はそのプレスによる一体化後の状態
を示す。

【００６９】このような配線基板１１ｈは、バンプ１４
を、その配置密度を高めることを徒に制約することな
く、高くすることができる。即ち、バンプ１４の高さが
５０μｍ程度の低い配線基板が要求される場合もあれ
ば、それより高い例えば１００μｍ程度のバンプの配線
基板が要求される場合もある。高いバンプの配線基板
は、厚い銅箔をベースとしてそれを選択的にエッチング
することにより形成することができるが、通常、選択的
エッチングにはサイドエッチングが伴い、サイドエッチ
ング量は概ねエッチング深さに比例する。従って、バン
プの高いものを得ようとする程サイドエッチング量が大
きくなり、延いては集積密度が低くなる。しかし、厚い
バンプ形成用銅箔１１０の両面からのハーフエッチング
（異時又は同時のハーフエッチング）によりハーフバン
プ（１４ａ、１４ｂ）を形成し、二つのハーフバンプ
（１４ａ、１４ｂ）の組み合わせにより一つのバンプ１
４を形成することとすれば、少ないサイドエッチング量
で高いバンプ１４、１４、・・・を形成することができ
る。従って、バンプ１４を、その配置密度を高めること
を徒に制約することなく、高くした配線基板１１を得る
ことができる。

【００７０】（７．第７の実施の形態例）図１３（Ａ）
〜（Ｃ）は本発明の第７の実施の形態例を示すもので、
配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。こ
の実施の形態例は、バンプ１４のピッチについての限界
を、複数回の部材の積層で打破しようとするものであ
る。 （Ａ）先ず、第１の実施の形態例の工程の一部、即ち、
図１の（Ａ）〜（Ｆ）までを実行し、一つの配線膜間接
続用部材２２を形成する（図１３（Ａ））。

【００７１】次に、同じく第１の実施の形態例の工程の
一部、即ち、図１の（Ａ）〜（Ｃ）までを実行し、別の
第１の部材３２を形成する（図１３（Ａ））。なお、こ
こで「別の」と断わったのは、上記一つの配線膜間接続
用部材２２を形成する途中でも第１の部材１７が形成さ
れるため（上記図１の（Ａ）〜（Ｆ）の途中の
（Ｃ））、これとは別に形成する第１の部材であるとい
うことを明確にするためである（以下同じ。）。

【００７２】（Ｂ）次に、この両者を図１３（Ａ）に示
すような位置関係で重ね、別の第１の部材３２のバンプ
１４の頂部が一つの配線膜間接続用部材２２の第２の樹
脂フィルム１８から露出するように、この別の第１の部
材３２と一つの配線膜間接続用部材２２とを積層する。
これで別の第２の部材３３が形成される（図１３
（Ｂ））。 （４）次に、この別の第２の部材３３から別の第１の樹
脂フィルム３４を除去する。これで、略コニーデ状のバ
ンプ１４が第２の樹脂フィルム１８に埋設配置された新
たな配線膜間接続用部材３１が形成される（図１３
（Ｃ））。

【００７３】この新たな配線膜間接続用部材３１のバン
プ１４のＰ（：ピッチ）は例えば０．２ｍｍＰであり、
元になった一つの配線膜間接続用部材２２及び別の第１
の部材３２の各バンプ１４のピッチ、例えば０．４ｍｍ
Ｐの半分となる。なお、積層の向きであるが、例えば図
１４に示す配線膜間接続用部材３６のように、バンプ１
４の向きが隣同士反対になるように積層しても良い。ま
た、積層の回数も、上記第２の実施の形態例の配線膜間
接続用部材３１のように１回に限られるものではなく、
２回、３回と行なっても良い。また、別の第１の部材３
２と一つの配線膜間接続用部材２２とでバンプ１４の直
径が異なっていても良い。

【００７４】（８．第８の実施の形態例）図１５
（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第８の実施の形態例を示すも
ので、配線基板の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。この実施の形態例は一括プレスで多層配線基板４１
を形成するというものである。 （Ａ）先ず、例えば４枚の各両面配線基板４２〜４５の
間に、３枚の各配線膜間接続用部材４６〜４８を配置す
る（図１５（Ａ））。

【００７５】（Ｂ）次に、これらを高温で一括プレスす
る。これにより、多層配線基板４１が完成する（図１５
（Ｂ））。この場合、４枚の各両面配線基板４２〜４５
は第１の実施の形態例の工程の全部を実行し更に配線膜
形成用銅箔２３へのパターニングをすることで形成さ
れ、３枚の各配線膜間接続用部材４６〜４８は、第１の
実施の形態例の工程の一部（図１（Ａ）〜（Ｆ））を実
行することで形成される。

【００７６】（９．第９の実施の形態例）図１６（Ａ）
〜（Ｅ）は本発明の第９の実施の形態例を示すもので、
配線基板のの製造方法の工程を順に示す断面図である。 （Ａ）図１６（Ａ）に示すように、三層構造の金属積層
体９０を用意する。該三層構造の金属積層体９０は、例
えば１００μｍ程度の厚さのバンプ形成用の銅箔９２の
表面に、例えば厚さ０．１程度のニッケルからなるエッ
チングバリア層９２を介して配線膜形成用の厚さ例えば
１８μｍ程度の銅箔９４を積層してなるものである。

【００７７】（Ｂ）上記銅箔９４に対する選択的エッチ
ング（フォトレジストを塗布し、該フォトレジストを露
光、現像することによりパターニングし、そのパターニ
ングしたフォトレジストをマスクとするエッチング）に
よりパターニングし、更に、そのパターニングされた銅
箔９４をマスクとしてエッチングバリア層９２をエッチ
ングし、しかる後、樹脂フィルム９８を、三層構造の金
属積層体９０の銅箔９４及びエッチングバリア層９２側
の表面に接着する。図１６（Ｂ）はその接着後の状態を
示す。該樹脂フィルム９８として熱や紫外線によって接
着力が消失し、且つ、樹脂が他のフィルムに転写しない
という性質を有するもの（例えば熱により、粘着性が消
失するシートとして、日東電工製、品名：リバアルフ
ァ）を使用する。

【００７８】（Ｃ）次に、図１６（Ｃ）に示すように、
上記バンプ形成用銅箔９２をその裏面（下面）側から選
択的にエッチングすることによりバンプ１４、１４、・
・・を形成する。 （Ｄ）次に、図１６（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜と
なる樹脂フィルム１８を、上記バンプ１４、１４、・・
・に貫通されるようにして上記樹脂フィルム９８に積層
した状態にする。

【００７９】（Ｅ）次に、上記樹脂フィルム９８に対し
て例えば紫外線を照射してその接着力を奪い、除去す
る。図１６（Ｅ）はその樹脂フィルム９８が除去されて
できた配線基板１１ｅを示す。この配線基板１１ｅは、
配線基板１１、１１ａ〜１１ｄとは配線膜が一方の主面
にのみ形成されるという点で大きく異なっている。

【００８０】図１７（Ａ）、（Ｂ）はそのような配線基
板１１ｄを多数積層して高集積度の多層配線基板を得る
製造方法の一例を示す。（Ａ）先ず、図１７（Ａ）に示
すように、所定枚数の配線基板１１ｄ、１１ｄ、・・・
を用意し、所定の位置関係で重ね合わせる。

【００８１】（Ｂ）次に、図１７（Ｂ）に示すように、
上記重ね合わされた所定枚数の配線基板１１ｄ、１１
ｄ、・・・をプレスにより加圧して一体化する。このよ
うに、一方の主面のみに配線膜が形成された配線基板１
１ｄを多数枚積層して一体化することによっても高集積
度多層配線基板を得ることができる。

【００８２】（１０．第１０の実施の形態例）図１８
（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第１０の実施の形態例を示す
もので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図で
ある。 （Ａ）先ず、図１８（Ａ）に示すように、配線膜形成用
銅箔２３を接着シート１００の一方の主面に接着したも
のを用意する。 （Ｂ）次に、図１８（Ｂ）に示すように、上記配線膜形
成用銅箔２３を例えばフォトエッチングによりパターニ
ングすることにより配線膜を形成する。

【００８３】（Ｃ）次に、図１８（Ｃ）に示すように、
上記各配線膜２３、２３、・・・上に導電ペース膜から
なるバンプ１４ａ、１４ａ、・・・を形成する。導電ペ
ーストは、銀或いは銅等の金属粉とバインダと溶剤を混
合してペースト化したものである。 （Ｄ）次に、図１８（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜と
なる樹脂フィルム１８を、上記バンプ１４ａ、１４ａ、
・・・に貫通されるようにして上記接着シート１００に
接着した状態にする。

【００８４】（Ｅ）その後、上記接着シート１００を除
去する。それにより、図１８（Ｅ）はその接着シート１
００が除去されてできた配線基板１１ｆを示す。この配
線基板１１ｆは、配線基板１１、１１ａ〜１１ｄとは配
線膜が一方の主面にのみ形成されるという点で大きく異
なっており、また、バンプ１４ａが導電ペーストから形
成されるという点で、配線基板１１、１１ａ〜１１ｅの
何れとも異なる。

【００８５】図１９（Ａ）、（Ｂ）はそのような配線基
板１１ｆを多数積層して高集積度の多層配線基板を得る
製造方法の一例を示す。 （Ａ）先ず、図１９（Ａ）に示すように、所定枚数の配
線基板１１ｆ、１１ｆ、・・・を用意し、所定の位置関
係で重ね合わせる。

【００８６】（Ｂ）次に、図１９（Ｂ）に示すように、
上記重ね合わされた所定枚数の配線基板１１ｆ、１１
ｆ、・・・をプレスにより加圧して一体化する。このよ
うに、一方の主面のみに配線膜が形成され、バンプ１４
ａが導電ペーストからなる配線基板１１ｆを多数枚積層
して一体化することによっても高集積度多層配線基板を
得ることができる。

【００８７】（１１．第１１の実施の形態例）図２０
（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１１の実施の形態例を示す
もので、多層配線基板を形成する方法の工程を順に示す
断面図であり、この実施の形態例は、配線膜間接続用部
材２２の両面にセミアディティブ法で配線パターンを形
成するものである。 （Ａ）先ずアルミニウムキャリヤ５２に担持されている
厚さ３μｍの銅箔５３を配線膜間接続用部材２２の両面
に積層プレスし、一体化する（図２０（Ａ））。

【００８８】（Ｂ）次にエッチングでアルミニウムキャ
リヤ５２を剥離し、配線膜間接続用部材２２の両面に積
層された銅箔５３を露出させる（図２０（Ｂ））。 （Ｃ）次に、所要のパターンの逆のメッキレジストを形
成し（図示せず）、これら銅箔５３を導電膜として、夫
々の銅箔５３の表面にメッキにより配線パターン５４を
形成し、メッキレジストを剥離する（図２０（Ｃ））。

【００８９】（４）次に、クイックエッチングで前記３
μｍの銅箔５３をエッチング除去する。この際、パター
ン５４は同時にエッチングを受けるが若干量であり、パ
ターンとしては支障はない。これにより、両面に配線パ
ターン５４を備えた多層配線基板５１が完成する（図２
０（Ｄ））。

【００９０】尚、樹脂フィルム１８として多孔質ポリイ
ミド樹脂（例えば日東電工製）を用いると良い。という
のは、多孔質であることからバンプ１４、１４、・・・
による貫通性が良好であり、汚染等が生じないからであ
る。即ち、多孔性でない通常の樹脂だと、バンプ１４、
１４、・・・で貫通されるとき、貫通されにくく、樹脂
が歪み、ゴミ、カスが生じそれが汚染源となる。しかる
に、多孔質の樹脂フィルムを用いると、貫通性がよいの
で、そのような汚染が少ないのである。尚、多孔質ポリ
イミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気泡タイプと連続気
泡タイプがあり、独立気泡タイプの方が貫通性がより良
好で、汚染等が生じにくいという傾向がある。

【００９１】（１２．第１２の実施の形態例）図２１
（Ａ）、（Ｂ）は第１２の実施の形態例を示すもので、
多層配線基板の形成方法の工程を順に示す断面図であ
り、この実施の形態例はバンプ１４を２段重ねにするも
のである。 （Ａ）先ず、配線膜間接続用部材２２を２枚重ねて配置
すると共に配線膜となる銅箔２３をその上下に配置する
（図２１（Ａ））。

【００９２】（Ｂ）次に、これらを一括して高温でプレ
スする。これでバンプ１４が２段重ねにされた多層配線
基板６１が完成する（図２１（Ｂ））。元来、バンプを
高くしたい場合には、バンプ形成用金属層１２の厚みを
単に増加させると、バンプの頂部の直径が同じであって
もバンプが高い分、裾の直径は大きくなり、結果とし
て、バンプのピッチが大きくならざるを得ない。しか
し、この第５の実施の形態例のようにバンプ１４を重ね
るという手法を用いると、個々のバンプ１４の高さが無
い分、夫々のバンプ１４の裾の部分の直径は細い侭に維
持され、結果として、バンプ１４のピッチを小さい侭に
維持できる。なお、上記実施の形態例においては、２段
に重ねるようにしていたが、さらに多段に重ねることも
可能である。

【００９３】（１３．第１３の実施の形態例）図２２
（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１３の実施の形態例を示す
もので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図で
ある。 （Ａ）先ず、図２２（Ａ）に示すように、三層構造の金
属積層体９０を用意する。該三層構造の金属積層体９０
は、例えば１００μｍ程度の厚さのバンプ形成用の銅箔
９２の表面に、例えば厚さ０．１μｍ程度のニッケルか
らなるエッチングバリア層９４を介して配線膜形成用の
厚さ例えば９μｍ程度の銅箔９６を積層してなるもので
ある。

【００９４】（Ｂ）次に、上記金属積層体９０のバンプ
形成用の銅箔９２に対して選択的エッチング処理を施す
ことにより図２２（Ｂ）に示すように、バンプ１４、１
４、・・・を形成する。この場合、上記エッチングバリ
ア層９４が配線膜形成用銅箔９６のエッチングを阻む。
その後、バンプ１４、１４、・・・間が該エッチングバ
リア層９４を介して電気的に接続された状態を回避する
ために、該バンプ１４、１４、・・・をマスクとして該
エッチングバリア層９４を選択的に除去する。

【００９５】（Ｃ）次に、層間絶縁膜となる、例えばポ
リイミド樹脂膜或いは熱硬化樹脂等の樹脂膜９８を、バ
ンプ１４、１４、・・・に貫通されるようにして上記積
層体９０のバンプ形成面に積層する。図２２（Ｃ）はそ
の積層された状態を示す。 （Ｄ）その後、上記配線膜形成用銅箔９６に対する選択
的エッチング処理を施すことにより、図２２（Ｄ）に示
すように配線膜９６を形成して配線基板１１ｈを形成す
る。

【００９６】上記配線基板１１ｈは、例えばベアチップ
あるいはウェハバーンインテスト用のコンタクタとして
最適である。図２３は該配線基板１１ｈをウェハバーン
イン用コンタクタとして使用している状態を示す断面図
であり、同図において、１００は半導体ウェハ、１０
２、１０２、・・・はそのＩ／Ｏ電極、１０４はテスト
回路側のコネクタ、１６、１０６、・・・はその端子
で、該端子１０６、１０６、・・・とウェハ１００の電
極１０２、１０２、・・・との間にコンタクタとして配
線基板１１ｈが介在し、その間の電気的接続状態をバー
ンインテストの間維持する。

【００９７】尚、上記ポリイミド樹脂として多孔質ポリ
イミド樹脂（例えば日東電工製）を用いても良い。とい
うのは、多孔質であることからバンプ１４、１４、・・
・による貫通性が良好であり、汚染等が生じないからで
ある。多孔質ポリイミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気
泡タイプと連続気泡タイプがあり、独立気泡タイプの方
が貫通性がより良好で、汚染等が生じにくいという傾向
がある。

【００９８】（１４．第１４の実施の形態例）図２４
（Ａ）〜（Ｄ）は第１４の実施の形態例を示すもので、
多層配線基板の形成方法の工程を順に示すものである。
本実施の形態例は、配線膜間接続用部材２２として、各
バンプ１４の上下両端部が第２の樹脂フィルム１８上下
両面から突出したものを用い、その部材２２の上下両面
に絶縁性樹脂フィルム７２の一方の表面に配線膜７３を
形成したものを２枚積層して両面に配線膜７３を有する
多層配線基板を得る方法ある。 （Ａ）図２４（Ａ）に示すように、シート（絶縁性であ
っても金属であっても良い）７２に配線膜となる例えば
銅等の金属箔７３を積層したものを用意する。

【００９９】（Ｂ）次に、上記金属箔７３を選択的にエ
ッチングすることによりパターニングして配線膜７３を
形成する（図２４（Ｂ）。これにより片面のみに配線膜
７３が形成された片面配線板７４を得る。 （Ｃ）次に、図２４（Ｃ）に示すように、配線膜間接続
用部材として、各バンプ１４の上下両端部が第２の樹脂
フィルム１８上下両面から突出したもの２２と、図２４
（Ａ）、（Ｂ）に示すようにして得た片面配線板７４を
２枚用意し、その配線膜間接続用部材２２の両面に、上
記片面配線板７４、７４を、その配線膜７３を部材２２
側を向く向きにして臨ませ、位置合わせ（バンプ１４
と、各片面配線板７４及び７４の配線膜７３及び７３と
の間の位置関係を所定通りにする位置合わせ）して臨ま
せる。

【０１００】（Ｄ）次に、常温下或いは熱圧着により上
記配線膜間接続用部材２２及び片面配線板７４、７４を
一体化する。すると、各片面配線板７４の配線膜７３の
表面と第２の樹脂フィルム１８の表面とが同一平面上に
位置するように一体化した、即ち、配線膜７３をその表
面が樹脂フィルム１８の表面と同一平面上に位置するよ
うに埋め込んだ両面に配線膜４３を有する多層配線基板
を得る。その後、上記上下両面のシート７２、７２の剥
離して除去する。図２４（Ｄ）はその剥離後の状態を示
す。

【０１０１】図２４（Ｄ）に示す両面配線を有する多層
配線基板は、配線膜７３のある両面に凹凸がないので、
即ち、平坦なので、反りがでにくく、ソルダーレジスト
膜の形成が容易になり、ソルダーレジスト膜の欠陥も生
じにくく、良好なソルダーレジスト膜の形成が可能にな
る。また、このような多層配線基板に他の一又は複数の
配線基板を積層してより層数の覆い多層配線基板を得る
ような場合に、その多層配線基板として両面が平坦なも
のを用いることはその積層を容易にし、信頼性、品質を
高める要因になる。

【０１０２】（１５．第１５の実施の形態例）図２５
（Ａ）〜（Ｃ）は第１５の実施の形態例を示すもので、
多層配線基板の形成方法の工程を順に示すものである。
本実施の形態例は、コアとなる配線基板としてスルーホ
ールを有する多層配線基板を用意し、その両面に、バン
プを有する配線間接続部材を積層し、その表面の金属箔
を選択的にエッチングして配線膜を形成するというもの
である。 （Ａ）図２５（Ａ）に示すように、コアとなる多層配線
基板としてスルーホールを有するもの７５と、図１
（Ｇ）に示す配線膜間接続用部材２２を２枚と、配線膜
となる金属箔２３を２枚用意し、コアとなる多層配線基
板７５の両面に配線膜間接続用部材２２、２２を位置合
わせして臨ませ、更に、その配線膜間接続用部材２２、
２２の外側に金属箔２３、２３を臨ませる。

【０１０３】ここで、上記コアとなる配線基板７５につ
いて説明する。７７は絶縁板、７８は該絶縁板７７に形
成された貫通孔、７９は該貫通孔７７の表面に形成され
た、上下配線間接続用配線膜で、例えばメッキ膜からな
り、所謂スルーホール、ビアホール形成技術として公知
の技術により形成することができる。 （Ｂ）次に、上記コアとなるスルーホールを有する多層
配線基板７５と、配線膜間接続用部材２２を２枚と、配
線膜となる金属箔２３を２枚を、常温下における圧着或
いは加熱による圧着により、図２５（Ｂ）に示すように
一体化する。

【０１０４】（Ｃ）次に、図２５（Ｃ）に示すように、
上下両面の金属箔２３、２３をフォトエッチングするこ
とにより配線膜とする。これにより、４層の配線基板が
出来上がる。このような、実施の形態によれば、コアと
して従来の一般的な方法により製造された機械的強度を
充分に確保できる多層配線基板７５を用い、それに上記
配線膜間接続用部材２２、２２を利用した多層配線化技
術を適用して、厚くて強度の強い多層配線基板を得るこ
とができる。

【０１０５】

【発明の効果】請求項１の配線膜間接続用部材によれ
ば、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として
多層配線基板を製造することができるので、その分コス
トが低く抑えられ、バンプを形成するためのエッチング
も１回で足りるのでその分工程の簡素化及びエッチング
液の種類の削減等が図られ、一度に所要の層数を重ねて
一括してプレスすることができるので工程が簡素化され
るという効果がある。

【０１０６】請求項２の配線膜間接続用部材によれば、
層間絶縁用の絶縁膜が芯材となる樹脂の両面に熱圧着性
樹脂を形成した三層構造の樹脂層からなるので、配線膜
形成用金属箔と絶縁膜との密着性を確保し、信頼性を高
くすることができる。

【０１０７】請求項３の配線基板の製造方法によれば、
バンプ形成用金属層にキャリヤ層を積層し、該バンプ形
成用金属層のキャリヤ層が積層された面とは反対の面に
レジストパターンを形成し、これをマスクとして前記バ
ンプ形成用金属層をエッチングして、前記キャリヤ層に
略コニーデ状の複数のバンプが突設された第１の部材を
形成し、該第１の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バン
プの頂部が露出するように積層して第２の部材を形成
し、該第２の部材から前記キャリヤ層を除去し略コニー
デ状のバンプが絶縁膜に少なくとも一端が突出するよう
に埋設配置された配線膜間接続用部材を形成するので、
請求項１或いは請求項２の部材を用いての配線基板の製
造ができる。従って、両面に配線膜を有する配線基板
を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として
製造することができる。従って、その分コストが低く抑
えられる。

【０１０８】請求項４の多層配線基板の製造方法は、絶
縁膜に少なくとも一端が突出するように埋設配置された
略コニーデ状の複数のバンプを有する配線膜間接続部材
の上下に配線膜となる銅箔を配置し、熱プレスにより、
上記絶縁膜及び銅箔を一体化するので、両面に配線膜を
有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔
等を素材として製造することができる。従って、その分
コストが低く抑えられる。

【０１０９】請求項５の多層配線基板の製造方法は、層
間絶縁用の絶縁膜とバンプを有する配線膜間接続部材の
上下に予めキャリアに金属箔を張り合わせ所要のパター
ンを形成したものを配置し、熱プレスにより、上記絶縁
膜、上記バンプ、上記キャリア及び上記金属箔を一体化
するので、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品と
して安価である通常の銅箔等を素材として製造すること
ができる。従って、その分コストが低く抑えられる。

【０１１０】請求項６の多層配線基板の製造方法は、絶
縁膜に少なくとも一端が突出するように埋設配置された
略コニーデ状の複数のバンプで両面配線板ないし多層配
線基板の配線膜と他の両面配線板ないし多層配線基板の
配線膜とを接続するので、両面に配線膜を有する配線基
板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材とし
て製造することができる。従って、その分コストが低く
抑えられる。

【０１１１】請求項７の多層配線基板の製造方法によれ
ば、一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成し
たキャリアの一方の主面に形成した層間絶縁用の絶縁膜
を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層
した後、上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に配線
膜形成用金属箔を積層し、上記キャリアを除去し、その
除去面に別の配線膜形成用金属箔を積層して上記バン
プ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ので、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として
安価である通常の銅箔等を素材として製造することがで
きる。従って、その分コストが低く抑えられる。

【０１１２】そして、２つの配線膜形成用金属箔銅箔を
２回に分けて別々のプレスにより積層するので、１回目
の積層の際には層間絶縁用絶縁膜とキャリアとの二つの
部材によりバンプ相互の位置関係を規定してその配線膜
形成用金属箔に一体化することができ、バンプ相互間の
位置関係のずれを極めて小さくすることができる。そし
て、そのバンプ相互の位置関係が上記配線膜形成用金属
箔により規定された状態で別の配線膜形成用金属箔のプ
レスによる積層を行うので、その位置関係についての高
い精度を維持しながら配線基板の形成ができるのであ
る。

【０１１３】請求項８の多層配線基板の製造方法によれ
ば、一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成し
た層間絶縁膜となるキャリアを用意し、更に該バンプが
上記キャリアを貫通する状態にし、上記キャリアの両面
に配線膜形成用金属箔を積層して一体化するので、両面
に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である
通常の銅箔等を素材として製造することができる。従っ
て、その分コストが低く抑えられる。そして、キャリア
をそのまま層間絶縁膜として用いるので、キャリアを無
駄にしなくて済み、延いては、材料費の節減を図ること
ができる。

【０１１４】請求項９の多層配線基板の製造方法によれ
ば、単に、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品と
して安価である通常の銅箔等を素材として製造すること
ができるのみならず、配線膜形成用金属箔にバンプを形
成した部材に積層する層間絶縁用の絶縁膜に予め上記バ
ンプと対応するバンプ対応孔を形成しておくので、該絶
縁膜を積層する際に、該絶縁膜がバンプにスムーズに貫
通され、その際に生じる絶縁膜形成材料によるゴミ、カ
スによる汚染をより少なくすることができる。

【０１１５】請求項１０の多層配線基板の製造方法によ
れば、単に、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品
として安価である通常の銅箔等を素材として製造するこ
とができるのみならず、層間絶縁用絶縁膜を、バンプ対
応孔を形成した型を介して、バンプのある配線膜形成用
金属箔に上記バンプ対応孔と上記バンプとを位置整合し
た状態でプレスして積層するので、該絶縁膜を積層する
際に、該絶縁膜がバンプ対応孔を有する型とバンプとに
より鋭く貫通され、その際に生じる絶縁膜形成材料によ
り生じるゴミ、カスを低減することができ、汚染をより
少なくすることができる。

【０１１６】請求項１１の多層配線基板の製造方法によ
れば、請求項１０記載の多層配線基板の製造方法におい
て、バンプ対応孔を形成した型として、該型の上記絶縁
膜と反対側の面に接着剤付きの樹脂フィルムを該接着剤
にて接着したものを使用し、該樹脂フィルムを剥がすこ
とによりバンプ対応孔を有する方の型を上記接着剤を介
して取り去るようにするので、樹脂フィルムを取り去る
ことにより型を貫通に際して生じたゴミもろとも取り去
ることができる。従って、よりゴミ、カスを低減するこ
とができ、汚染をより少なくすることができる。

【０１１７】請求項１２の多層配線基板の製造方法によ
れば、バンプをその配置密度を高めることを徒に制約す
ることなく、高くすることができる。即ち、通常、選択
的エッチングにはサイドエッチングが伴い、サイドエッ
チング量は概ねエッチング深さに比例する。従って、バ
ンプの高いものを得ようとする程サイドエッチング量が
大きくなり、延いては集積密度が低くなる。しかし、本
多層配線基板の製造方法によれば、厚いバンプ形成用銅
箔の両面からのハーフエッチング（異時又は同時のハー
フエッチング）によりハーフバンプを形成し、二つのハ
ーフバンプの組み合わせにより一つのバンプを形成する
こととするので、少ないサイドエッチング量で高いバン
プを形成することができるのである。

【０１１８】請求項１３の多層配線板の製造方法によれ
ば、一体化プレスにより配線膜の表面とその下地となる
絶縁膜の表面とを同一平面上に位置するようにすること
ができ、反り等の変形が生じにくくなり、信頼性が高く
なり、多層配線基板を更に多層化するための積層もやり
やすくなり、より一層の多層化がやりやすくなる。

【０１１９】請求項１４の配線膜間接続用部材の製造方
法によれば、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品
として安価である通常の銅箔等を素材として製造するこ
とができ、その分コストが低く抑えられるのみならず、
エッチングレジストパターンのピッチの限界を越えて更
に小さなピッチでバンプを配置することができるという
効果がある。

【０１２０】請求項１５の多層配線基板の製造方法によ
れば、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として
安価である通常の銅箔等を素材として製造することがで
き、その分コストが低く抑えられるのみならず、絶縁膜
の両側にセミアディティブ法の特徴である微細パターン
を形成することができるという効果がある。

【０１２１】請求項１６の配線膜間接続用部材にうよれ
ば、バンプを高くしてもファインピッチを維持すること
ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）〜（Ｈ）は第１の実施の形態例を示すも
ので、多層配線基板の形成方法を工程順に示す断面図も
のであり、（Ｆ’）は（Ｆ）の変形例を示す。

【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は上記第１の実施の形態例の絶
縁膜たる第２の樹脂フィルムと第１の部材とを積層する
方法の一例を工程順に示す断面図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は図１（Ｆ’）に示す配線膜間
接続用部材の製造方法の一つの例を工程順に示す断面図
である。

【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は図１（Ｆ’）に示す配線膜間
接続用部材の製造方法の別の例を工程順に示す断面図で
ある。

【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は第１の実施の形態例の変形例
を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断
面図である。

【図６】配線膜間接続用部材に配線膜形成用銅箔を積層
する工程の一例を示す断面図である。

【図７】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第２の実施の形態例
を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断
面図である。

【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第３の実施の形態例
を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断
面図である。

【図９】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第４の実施の形態例
を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断
面図である。

【図１０】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の第５の実施の形態
例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す
断面図である。

【図１１】（Ａ）〜（Ｅ）は上記図１０に示す製造方法
の変形例の要部を工程順に示す断面図である。

【図１２】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第６の実施の形態
例を示すもので、配線基板のの製造方法の工程を順に示
す断面図である。

【図１３】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第７の実施の形態
例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す
断面図である。

【図１４】図１３に示す実施の形態例の変形例であると
ころの、バンプの向きが隣同士反対になるように交互に
積層された配線膜間接続用部材の一例を示す断面図であ
る。

【図１５】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第８の実施の形態
例を示すもので、配線基板の製造方法を工程順に示す断
面図である。

【図１６】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第９の実施の形態
例を示すもので、配線基板のの製造方法の工程を順に示
す断面図である。

【図１７】（Ａ）、（Ｂ）は図１６に示す方法で製造さ
れた配線基板を多数積層して高集積度の多層配線基板を
得る製造方法の一例を示す。

【図１８】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第１０の実施の形
態例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示
す断面図である。

【図１９】（Ａ）、（Ｂ）は図１６に示す方法で製造さ
れた配線基板を多数積層して高集積度の多層配線基板を
得る製造方法の一例を示す。

【図２０】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１１の実施の形
態例を示すもので、多層配線基板を形成する方法の工程
を順に示す断面図である。

【図２１】（Ａ）、（Ｂ）は第１２の実施の形態例を示
すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示す断
面図であ

【図２２】（Ａ）、（Ｂ）は第１２の実施の形態例を示
すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示す断
面図である。

【図２３】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１３の実施の形
態例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示
す断面図である。

【図２４】（Ａ）〜（Ｄ）は第１４の実施の形態例を示
すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示すも
のである。

【図２５】（Ａ）〜（Ｃ）は第１５の実施の形態例を示
すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示すも
のである。

【図２６】（Ａ）〜（Ｇ）は従来の多層配線基板の形成
方法の工程を順に示す断面図である。

【図２７】バンプのピッチの限界の例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１１…多層配線基板、１２…銅箔、１３…第１の樹脂フ
ィルム、１４…バンプ、 １６…エッチングレジストパ
ターン、１７…第１の部材、１８…第２の樹脂フィルム
（層間絶縁用絶縁膜）、１９…第２の部材、２１…砥
石、２２…配線膜間接続用部材、２３…配線膜形成用金
属（銅）箔、２４…高温ローラ、３１…配線膜間接続用
部材、３２…別の第１の部材、３３…別の第２の部材、
３４…別の第１の樹脂フィルム、３６…配線膜間接続用
部材、４１…多層配線基板、４２〜４５…両面配線基
板、４６〜４８…配線膜間接続用部材、５１…多層配線
基板、５２…アルミニウムキャリヤ、５３…銅箔、５４
…配線パターン、６１…多層配線基板、７２…キャリ
ア、７３…銅箔、７５…スルーホールを有する配線板。
８０…型（上型）、８２…バンプ対応孔、８４…型（下
型）、８６…接着剤付き樹脂、１１０…バンプ形成用金
属箔、１１２…層間絶縁用絶縁膜、１１４…配線膜形成
用金属箔。

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Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多層配線基板の配線膜間を接続する略コ
   ニーデ状の銅あるいは銅合金からなる複数のバンプが絶
   縁膜に少なくとも一端が突出するように埋設配置されて
   いることを特徴とする配線膜間接続用部材。
2. 【請求項２】 上記絶縁膜が芯材となる樹脂の両面に熱
   圧着性樹脂を形成した三層構造の樹脂層からなることを
   特徴とする請求項１記載の配線膜間接続用部材
3. 【請求項３】 バンプ形成用金属層にキャリヤ層を積層
   する工程と、 前記バンプ形成用金属層の前記キャリヤ層が積層された
   面とは反対の面にレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記バンプ形成用
   金属層をエッチングし前記キャリヤ層に略コニーデ状の
   複数のバンプが突設された第１の部材を形成する工程
   と、 該第１の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バンプの頂部
   が露出するように積層して第２の部材を形成する工程
   と、 該第２の部材から前記キャリヤ層を除去し略コニーデ状
   のバンプが絶縁膜に少なくとも一端が突出するように埋
   設配置された配線膜間接続用部材を形成する工程と、 を有することを特徴とする配線膜間接続用部材の製造方
   法。
4. 【請求項４】 絶縁膜に少なくとも一端が突出するよう
   に埋設配置された略コニーデ状の複数のバンプを有する
   配線膜間接続部材の上下に配線膜となる銅箔を配置し、 熱プレスにより、上記絶縁膜及び銅箔を一体化する工程
   を有する、 ことを特徴とする両面に配線膜を有する多層配線基板の
   製造方法。
5. 【請求項５】 絶縁膜に少なくとも一端が突出するよう
   に埋設配置された略コニーデ状の複数のバンプを有する
   配線膜間接続部材の上下に予めキャリアに金属箔を張り
   合わせ所要のパターンを形成したものを配置し、 熱プレスにより、上記絶縁膜、上記バンプ、上記キャリ
   ア及び上記金属箔を一体化する工程を有することを特徴
   とする両面に配線膜を有する多層配線基板の製造方法。
6. 【請求項６】 絶縁膜に少なくとも一端が突出するよう
   に埋設配置された略コニーデ状の複数のバンプで両面配
   線板ないし多層配線基板の配線膜と他の両面配線板ない
   し多層配線基板の配線膜とを接続することを特徴とする
   多層配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】 キャリアの一方の主面に略コニーデ状の
   複数のバンプを形成したものを用意し、 上記キャリアの上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜
   を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層
   し、 上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に配線膜形成用
   金属箔を積層し、 上記キャリアを除去し、 上記絶縁膜の上記キャリアを除去した面に上記配線膜形
   成用金属箔とは別の配線膜形成用金属箔を積層して上記
   バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化
   することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】 層間絶縁膜となるキャリアの一方の主面
   に略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意
   し、 上記バンプが上記キャリアを貫通する状態にし、 上記キャリアの両面に配線膜形成用金属箔を積層して、
   該キャリア、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔
   を一体化することを特徴とする多層配線基板の製造方
   法。
9. 【請求項９】 一つの配線膜形成用金属箔の一方の主面
   に複数のバンプを形成した部材と、別の配線膜形成用金
   属箔の一方の主面に、層間絶縁用の絶縁膜を積層し、該
   絶縁膜に上記複数のバンプと対応する複数のバンプ対応
   孔を形成した部材とを用意し、 上記二つの部材を、上記一方の部材の各バンプが他方の
   部材のそれと対応する各バンプ対応孔に位置整合するよ
   うに位置合わせして積層して上記バンプ、絶縁膜及び二
   つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする
   多層配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 一つの型の一方の主面に複数のバンプ
    を形成した部材と、層間絶縁用の絶縁膜の一方の主面に
    別の型を積層し、該型に上記バンプと対応するバンプ対
    応孔を形成した部材を用意し、 上記バンプを形成した部材のそのバンプを形成した側
    に、それと別の部材の上記絶縁膜を、上記バンプ対応孔
    と上記バンプとの対応するもの同士が位置整合するよう
    にあてがい、 上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプ
    に貫通されるようにし、 上記二つの型を取り去った後、上記絶縁膜の両面に配線
    膜形成用金属箔を積層して、該絶縁膜、上記バンプ及び
    二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とす
    る多層配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 上記バンプ対応孔を形成した上記型と
    して、該型の上記絶縁膜と反対側の面に接着剤付きの樹
    脂フィルムを該接着剤にて接着したものを使用し、 上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプ
    に貫通されるようにした後、上記二つの型の取り去りの
    際、上記樹脂フィルムを剥がすことによりバンプ対応孔
    を有する方の型を上記接着剤を介して取り去ることを特
    徴とする請求項１０記載の多層配線基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 バンプ形成用金属箔の一方の主面側か
    らハーフエッチングすることにより複数のハーフバンプ
    を形成する工程と、 上記バンプ形成用金属箔の上記一方の主面に層間絶縁用
    の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積
    層する工程と、 上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線
    膜形成用金属箔を積層する工程と、 上記バンプ形成用金属箔の他方の主面側からハーフエッ
    チングすることにより上記ハーフバンプと一体化してバ
    ンプを成す複数のハーフバンプを形成する工程と、 上記バンプ形成用金属箔の上記他方の主面に層間絶縁用
    の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積
    層する工程と、 上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線
    膜形成用金属箔を積層する工程と、 を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 両面配線板ないし多層配線板からなる
    配線板の上下に、絶縁膜に少なくとも一端が突出して埋
    設配置された略コニーデ状のバンプからなる配線膜間接
    続用部材を配置し、 更に上記上側の配線膜間接続用部材の上側と下側の配線
    膜間接続用部材の下側にそれぞれ銅箔を配置し、一体化
    プレスすることにより、上記両面配線板ないし多層配線
    板からなる配線板の配線膜と上記銅箔とを接続すること
    を特徴とする多層配線板の製造方法
14. 【請求項１４】 バンプ形成用金属層にキャリヤ層を積
    層する工程と、 前記バンプ形成用金属層の前記キャリヤ層が積層された
    面とは反対の面にレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記バンプ形成用
    金属層をエッチングし前記キャリヤ層に略コニーデ状の
    バンプが突設された第１の部材を形成する工程と、 該第１の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バンプの頂部
    が露出するように積層し第２の部材を形成する工程と、 該第２の部材から前記キャリヤ層を除去し一つの配線膜
    間接続用部材を形成する工程と、 前記バンプ形成用金属層とは別のバンプ形成用金属層に
    前記キャリヤ層とは別のキャリヤ層を積層する工程と、 前記別のバンプ形成用金属層の前記別のキャリヤ層が積
    層された面とは反対の面に前記レジストパターンとは別
    のレジストパターンを形成する工程と、 前記別のレジストパターンをマスクとして前記別のバン
    プ形成用金属層をエッチングし前記別のキャリヤ層に略
    コニーデ状のバンプが突設された別の第１の部材を形成
    する工程と、 該別の第１の部材のバンプの頂部が前記一つの配線膜間
    接続用部材の絶縁膜から露出するように該別の第１の部
    材と前記一つの配線膜間接続用部材とを積層し前記第２
    の部材とは別の第２の部材を形成する工程と、 該第２の部材から前記別のキャリヤ層を除去し略コニー
    デ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された新たな配線膜間
    接続用部材を形成する工程と、 を有することを特徴とする配線膜間接続用部材の製造方
    法。
15. 【請求項１５】 略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設
    配置された配線膜間接続用部材に導電膜を形成する工程
    と、該導電膜の上にメッキにより配線パターンを形成す
    る工程と、クイックエッチングにより前記導電膜を除去
    する工程と、 を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設
    配置された部材が複数枚、夫々のバンプが重なるように
    積層されていることを特徴とする配線膜間接続用部材。