TWI626870B - 垂直連接介面結構、具該結構的電路板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種垂直連接介面結構、具該結構的電路板及其製造方法，藉由垂直連接介面結構連接至少一層電路板，以解決電路板的高縱橫比之加工問題，並且解決該多層電路板之間訊號傳輸路徑較長的問題，同時具有改善電路板的堆疊式結構以及腳位間距轉換之功能。

Description

垂直連接介面結構、具該結構的電路板及其製造方法

本發明係關於一種電路板，特別是關於一種垂直連接介面結構、具該結構的電路板及其製造方法，電路板例如是印刷電路板，但不限於此。

隨著電子產品朝向精密化與多功能化發展，在電子產品內的積體電路之晶片結構趨於複雜，而且該晶片結構的操作頻率也大幅提高，以用於更高頻率波段的電子產品領域。由於受測晶片的尺寸日益縮減，其腳位的間距也一起縮小，故測試該晶片電氣特性所使用的電路板之貫孔間距(pitch)將會減小，即貫孔的鑽孔孔徑也必須縮小。但是該電路板由於多個材質層以一次壓合方式而形成的多層電路板，造成了較高的縱橫比結構，導致鑽孔加工困難。如圖1所示習知技術之電路板連接介面的示意圖。在多層電路板10中，貫通孔12連接上表面14a與下表面14b的導電圖案16，貫通孔12的縱向高度H遠大於兩個導電圖案16之間的橫向間距P，即形成較高的縱橫比之結構，不易對貫通孔12進行鑽孔加工。

為解決上述問題，習知技術提出一種多壓或是增層結構，如圖2所示之另一種電路板連接介面的多壓結構11，第一貫通孔12a連接上表 面14a的第一導電圖案16a，第二貫通孔12b連接下表面14b的第一導電圖案16a與上表面14a的第二導電圖案16b，並且第一貫通孔12a的另一端部連接第二貫通孔12b中間區域，形成一延伸區段18以及一多餘區段(stub)20，雖然此種方式可縮減縱橫比，即圖2的H與P之比值小於圖1的H與P之比值，但是當訊號在第一貫通孔12a的上表面14a之第一導電圖案16a與第二貫通孔12b的下表面14b之第二導電圖案16b之間進行傳輸時，該延伸區段18形成訊號傳輸路徑較長，訊號傳輸的損失較為嚴重，且多餘區段(stub)20會因該貫通孔的深淺，而影響不同頻率的訊號傳輸，綜合以上問題導致訊號的傳輸品質變差。因此需要提出一種新式的介面結構，以解決上述之問題。

本發明之一目的在於提供一種垂直連接介面結構、具該結構的電路板及其製造方法，藉由垂直連接介面結構連接至少一層電路板，以解決電路板的高縱橫比之加工問題。

本發明之另一目的在於提供一種垂直連接介面結構、具該結構的電路板及其製造方法，藉由垂直連接介面結構連接至少一層電路板，以解決該多層電路板之間訊號傳輸路徑較長的問題。

本發明之又一目的在於提供一種垂直連接介面結構、具該結構的電路板及其製造方法，藉由垂直連接介面結構連接至少一層電路板，例如一層的軟性電路板以及至少一層的硬性電路板，以改善電路板的堆疊式結構以及腳位間距轉換之問題。

為達成上述目的，本發明之一實施例中垂直連接介面結構的製造方法，用於電路板，包括下列步驟：在一基材上形成一導電層；在該 導電層上形成一光阻層；進行微影製程，以該光阻層定義一接觸墊圖案，並且曝露一部分的導電層；以該接觸墊圖案作為蝕刻罩幕，蝕刻曝露的該導電層，以形成複數導電接觸墊，其中每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；去除該光阻層，以暴露該些導電接觸墊；在該些導電接觸墊上以及該基材上形成一介電絕緣層，以覆蓋該些導電接觸墊；在該基材中以及該介電絕緣層中相對於該些導電接觸墊的位置分別形成複數開孔，並且在該基材以及該介電絕緣層的該些開孔曝露出該導電接觸墊；以及在每一該些開孔中形成填入導電材料以形成一導電凸塊組，以使每一該些導電接觸墊的兩側表面分別電性連接該導電凸塊組。

在一實施例中，該基材係為介電絕緣材質。

在一實施例中，在該些導電接觸墊上以及該基材上形成一介電絕緣層以覆蓋該些導電接觸墊的步驟中，包括在該些導電接觸墊上以及該基材上貼合一介電絕緣層。

在一實施例中，該導電凸塊組係為導電膏或是導電膠的材質。

在一實施例中，在每一該些開孔中形成填入導電材料以形成該導電凸塊組，使每一該些導電接觸墊的兩側表面分別電性連接該導電凸塊組之步驟中，包括形成該導電凸塊組的複數第一導電凸塊以及複數第二導電凸塊，該些第一導電凸塊設置於該基材之中，該些第二導電凸塊設置於該介電絕緣層之中，其中每一該些導電接觸墊的兩側表面分別相對應電性連接每一該些第一導電凸塊與每一該些第二導電凸塊之間。

本發明之一實施例中垂直連接介面結構的製造方法，用於電 路板，包括下列步驟：在一基材上形成一導電層；在該導電層上形成一光阻層；進行微影製程，以該光阻層定義一接觸墊圖案，並且曝露一部分的導電層；以該接觸墊圖案作為蝕刻罩幕，蝕刻曝露的該導電層，以形成複數導電接觸墊，每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；在該基材上相對於該些導電接觸墊的位置形成複數開孔，並且在該基材的該些開孔曝露出該導電接觸墊；在該些開孔中填入導電材料以形成複數第一導電凸塊，以使每一該些導電接觸墊的一側表面相對應電性連接每一該些第一導電凸塊；以及去除該光阻層。

在一實施例中，該基材係為介電絕緣材質。

在一實施例中，該第一導電凸塊係為導電膏或是導電膠材質。

在一實施例中，該去除光阻層之步驟係於形成該些第一導電凸塊步驟之前進行或是形成該些第一導電凸塊步驟之後進行。

本發明之一實施例中具有垂直連接介面結構的電路板，包括：一第一多層電路板，設有第一多層板以及貫通該第一多層板的複數第一通孔結構；一第二多層電路板，設有第二多層板以及貫通該第二多層板的複數第二通孔結構；以及一垂直連接介面結構，設置於該第一多層電路板與該第二多層電路板之間，用以電性連接該第一多層電路板以及該第二多層電路板，該垂直連接介面結構包括：一基材；複數導電接觸墊，設置於該基材上，每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；一介電絕緣層，設置於該些導電接觸墊上以及該基材上，以覆蓋該些導電接觸墊；及一導電凸塊組，設置於該基材與該介電絕緣層之中，該導電凸塊組分別電性連接每一 該些導電接觸墊至該第一通孔結構與該第二通孔結構。

在一實施例中，該導電凸塊組包括複數第一導電凸塊以及複數第二導電凸塊，該些第一導電凸塊設置於該基材之中，該些第二導電凸塊設置於該介電絕緣層之中，每一該些導電接觸墊的兩側表面分別相對應電性連接於每一該些第一導電凸塊與每一該些第二導電凸塊之間，並且該些第一導電凸塊電性連接該第一多層電路板的該第一通孔結構，該些第二導電凸塊電性連接該第二多層電路板的該第二通孔結構。

在一實施例中，每一該些導電接觸墊分別與每一該些第一導電凸塊以及每一該些第二導電凸塊沿著一共線傳輸路徑成電性連接。

在一實施例中，每一該些導電接觸墊分別與每一該些第一導電凸塊、每一該些第二導電凸塊、該第一通孔結構以及該第二通孔結構沿著一共線傳輸路徑成電性連接。

在一實施例中，該共線傳輸路徑係為垂直傳輸路徑。

在一實施例中，該導電凸塊組係以加溫壓合方式分別電性連接每一該些導電接觸墊至該第一通孔結構與該第二通孔結構。

本發明之一實施例中具有垂直連接介面結構的電路板，包括：一單層電路板，設有單層板以及貫通該單層板的複數第一通孔結構；以及一垂直連接介面結構，設置於該單層電路板上，用以電性連接該單層電路板，該垂直連接介面結構包括：一基材；複數導電接觸墊，設置於該基材上，每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；及複數第一導電凸塊，設置於該基材之中，每一該些第一導電凸塊相對應電性連接每一該些導電接觸墊至每一該些第一通孔結構。

在一實施例中，該單層電路板係為軟性電路板。

在一實施例中，每一該些導電接觸墊分別與每一該些第一導電凸塊以及該第一通孔結構沿著一共線傳輸路徑成電性連接。

在一實施例中，該共線傳輸路徑係為垂直傳輸路徑。

在一實施例中，每一該些第一導電凸塊係以加溫壓合方式相對應電性連接每一該些導電接觸墊至每一該些第一通孔結構。

本發明之一實施例中具有垂直連接介面結構的電路板，包括：一單層電路板，設有一單層板以及貫通該單層板的複數第一通孔結構；以及兩組垂直連接介面結構，分別設置於該單層電路板的兩側表面上，用以電性連接每一該些第一通孔結構的兩端部，每一組垂直連接介面結構包括：一基材；複數導電接觸墊，設置於該基材上，每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；及複數第一導電凸塊，設置於該基材之中，每一該些第一導電凸塊相對應電性連接每一該些導電接觸墊至該第一通孔結構。

在一實施例中，該單層電路板係為硬性電路板。

在一實施例中，該兩組垂直連接介面結構的每一該些導電接觸墊以及每一該些第一導電凸塊分別與該第一通孔結構沿著一共線傳輸路徑成電性連接。

在一實施例中，該共線傳輸路徑係為垂直傳輸路徑。

在一實施例中，每一該些第一導電凸塊係以加溫壓合方式相對應電性連接每一該些導電接觸墊至該第一通孔結構。

10‧‧‧多層電路板

11‧‧‧多壓結構

12‧‧‧貫通孔

12a‧‧‧第一貫通孔

12b‧‧‧第二貫通孔

14a‧‧‧上表面

14b‧‧‧下表面

16‧‧‧導電圖案

16a‧‧‧第一導電圖案

16b‧‧‧第二導電圖案

18‧‧‧延伸區段

20‧‧‧多餘區段

100‧‧‧基材

102‧‧‧導電層

104‧‧‧光阻層

106‧‧‧接觸墊圖案

106a‧‧‧導電接觸墊

106b‧‧‧側表面

108‧‧‧介電絕緣層

110‧‧‧開孔

112‧‧‧導電凸塊組

112a‧‧‧第一導電凸塊

112b‧‧‧第二導電凸塊

114‧‧‧第一多層電路板

114a‧‧‧第一多層板

114b‧‧‧單層電路板

114c‧‧‧單層板

115‧‧‧接觸點

116‧‧‧第二多層電路板

116a‧‧‧第二多層板

117‧‧‧保護層

118a‧‧‧第一通孔結構

118b‧‧‧第二通孔結構

H‧‧‧縱向高度

P‧‧‧橫向間距

TP‧‧‧共線傳輸路徑

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹：圖1繪示習知技術之電路板連接介面的示意圖。

圖2繪示習知技術之另一種電路板連接介面的示意圖。

圖3A-3D繪示本發明第一實施例中垂直連接介面結構之製造流程的結構示意圖。

圖4A-4C繪示本發明第二實施例中垂直連接介面結構之製造流程的結構示意圖。

圖5繪示本發明第一實施例中具有垂直連接介面結構的電路板之示意圖。

圖6繪示本發明第二實施例中具有垂直連接介面結構的電路板之示意圖。

圖7繪示本發明第三實施例中具有垂直連接介面結構的電路板之示意圖。

請參照圖式，其中相同的元件符號代表相同的元件或是相似的元件，本發明的原理是以實施在適當的運算環境中來舉例說明。以下的說明是基於所例示的本發明具體實施例，其不應被視為限制本發明未在此詳述的其它具體實施例。

參考圖3A-3D，其繪示本發明第一實施例中垂直連接介面結構之製造流程的結構示意圖。在圖3A中，在一基材100上形成一導電層102。例如是壓合、轉印、沉積方法形成導電層102。在一實施例中，該基材100 係為介電絕緣材質，該導電層102的材質例如是金屬，如銅、鋁以及金，但是不限於此。在圖3A中，在該導電層102上形成光阻層104，例如是基材100上表面塗佈形成光阻以及/或是下表面塗佈形成光阻。

在圖3A以及圖3B中，進行微影製程，以該光阻層104定義一接觸墊圖案106，並且曝露一部分的導電層102。

在圖3B中，以該接觸墊圖案106作為蝕刻罩幕(etching mask)，蝕刻曝露的該導電層102，以形成複數導電接觸墊106a，其中每一該些導電接觸墊106互相電性絕緣，或是每一該些導電接觸墊106a互相分離。在圖3B中，去除該光阻層104，以暴露該些導電接觸墊106a。例如是以剝除或是灰化方式移除該光阻層104。

在圖3C中，在該些導電接觸墊106a上以及該基材100上形成一介電絕緣層108，以覆蓋該些導電接觸墊106a。例如以貼合方式形成該介電絕緣層108於該些導電接觸墊106a上以及該基材100上。

在圖3D中，在該基材100中以及該介電絕緣層108中相對於該些導電接觸墊106a的位置分別形成複數開孔110，並且在該基材100以及該介電絕緣層108的該些開孔110曝露出該導電接觸墊106a。在一實施例中，例如是以雷射熱反應方法形成該些開孔110。在圖3D中，在每一該些開孔110中形成填入導電材料以形成一導電凸塊組112，以使每一該些導電接觸墊106a的兩側表面106b分別電性連接該導電凸塊組112，該導電凸塊組112包括複數第一導電凸塊112a以及複數第二導電凸塊112b。在一實施例中，依據不同的導電凸塊組112之材質，例如是以轉印、填入或是沉積方法形成導電凸塊組112。在一實施例中，該導電凸塊組112係為導電膏或是導電膠的 材質。在一實施例中，該些第一導電凸塊112a設置於該基材100之中，第二導電凸塊112b設置於該介電絕緣層108之中，其中每一導電接觸墊106a的兩側表面106b分別相對應電性連接於每一該些第一導電凸塊112a與每一第二導電凸塊112b之間。

參考圖4A-4C，其繪示本發明第二實施例中垂直連接介面結構之製造流程的結構示意圖。在圖4A中，在一基材100上形成一導電層102。例如是壓合、轉印、沉積方法形成導電層102。在一實施例中，該基材100係為介電絕緣材質，該導電層102的材質例如是金屬，如銅、鋁以及金，但是不限於此。在圖4A中，在該導電層102上形成光阻層104，例如是基材100上表面塗佈形成光阻以及/或是下表面塗佈形成光阻，此處為基材100上、下表面塗佈形成光阻。

在圖4A以及圖4B中，進行微影製程，以該光阻層104定義一接觸墊圖案106，並且曝露一部分的導電層102。

在圖4B中，以該接觸墊圖案106作為蝕刻罩幕(etching mask)，蝕刻曝露的該導電層102，以形成複數導電接觸墊106a，其中每一該些導電接觸墊106互相電性絕緣，或是每一該些導電接觸墊106a互相分離。

在圖4C中，在該基材100中相對於該些導電接觸墊106a的位置形成複數開孔110，並且在該基材100的該些開孔110曝露出該導電接觸墊106a。在一實施例中，例如是以雷射熱反應方法形成該些開孔110。在圖4C中，在每一該些開孔110中形成填入導電材料以形成複數第一導電凸塊112a，以使每一該些導電接觸墊106a的兩側表面106b分別電性連接該些第一導電凸塊112a。在一實施例中，依據不同的第一導電凸塊112a之材質，例如 是以轉印、填入或是沉積方法形成第一導電凸塊112a。在一實施例中，第一導電凸塊112a係為導電膏或是導電膠的材質。在一實施例中，該些第一導電凸塊112a設置於該基材100之中，其中每一導電接觸墊106a的一側表面106b相對應電性連接於每一第一導電凸塊112a的底部。在圖4C中，去除光阻層104，例如是以剝除或是灰化方式移除該光阻層104。在不同實施例中，在形成第一導電凸塊112a的步驟之前或是之後移除光阻層104，如圖4C所示，形成第一導電凸塊112a之後移除光阻層104，藉由除光阻層104以避免第一導電凸塊112a朝向兩側外溢，使相鄰的第一導電凸塊112a有效地電性隔離或是互相分離。

參考圖5，其繪示本發明第一實施例中具有垂直連接介面結構的電路板之示意圖。具有垂直連接介面結構的電路板包括第一多層電路板114、第二多層電路板116以及垂直連接介面結構，該垂直連接介面結構如圖3D所示。在一實施例中，該垂直連接介面結構例如是以垂直方式電性連接該第一多層電路板114以及該第二多層電路板116。如圖5所示，第一多層電路板114設有第一多層板114a以及貫通該第一多層板114a的複數第一通孔結構118a。第二多層電路板116設有第二多層板116a以及貫通該第二多層板116a的複數第二通孔結構118b。

如圖5所示，該垂直連接介面結構設置於該第一多層電路板114與該第二多層電路板116之間，用以電性連接該第一多層電路板114以及該第二多層電路板116，該垂直連接介面結構包括一基材100、複數導電接觸墊106a、介電絕緣層108以及導電凸塊組112。複數導電接觸墊106a設置於該基材100上，每一該些導電接觸墊106a互相電性絕緣或是互相分離。介電 絕緣層108設置於該些導電接觸墊106a上以及該基材100上，以覆蓋該些導電接觸墊106a。導電凸塊組112設置於該基材100與該介電絕緣層108之中，該導電凸塊組112分別電性連接每一該些導電接觸墊106a至該第一通孔結構118a與該第二通孔結構118b。

在圖5所示之實施例中，該導電凸塊組112包括複數第一導電凸塊112a以及複數第二導電凸塊112b，該些第一導電凸塊112a設置於該基材100之中，該些第二導電凸塊112b設置於該介電絕緣層108之中，每一該些導電接觸墊106a的兩側表面106b分別相對應電性連接於每一該些第一導電凸塊112a與每一該些第二導電凸塊112b之間，並且該些第一導電凸塊112a電性連接該第一多層電路板114的該第一通孔結構118a，該些第二導電凸塊112b電性連接該第二多層電路板116的該第二通孔結構118b。在一實施例中，垂直連接介面結構的第一導電凸塊112a係以加溫壓合方式貼合於第一通孔結構118a，例如第一導電凸塊112a的熔點溫度等於或是小於一壓合溫度，其中該壓合溫度係指垂直連接介面結構的基材100與該第一多層電路板114以及/或是該介電絕緣層108與該第二多層電路板116形成結合狀態的溫度，依據該壓合溫度，以使該第一導電凸塊112a的表面熔化並且與第一通孔結構118a的接觸墊形成電性連接。同樣地，垂直連接介面結構的第二導電凸塊112b係以加溫壓合方式貼合於第二通孔結構118b，例如第二導電凸塊112b的熔點溫度等於或是小於該壓合溫度，依據該壓合溫度以使第二導電凸塊112b的表面熔化並且與第二通孔結構118b的接觸墊形成電性連接。在一實施例中，依據基材100、介電絕緣層108、第一導電凸塊112a以及第二導電凸塊112b的材質不同而定，壓合溫度例如是在攝氏100至250度之 間，但不限於此，例如小於100度或是大於250度。

如圖5所示，在一實施例中，每一該些導電接觸墊106a分別與每一該些第一導電凸塊112a以及每一該些第二導電凸塊112b沿著一共線傳輸路徑TP形成電性連接。在一較佳實施例中，每一該些導電接觸墊106a分別與每一該些第一導電凸塊112a、每一該些第二導電凸塊112b、該第一通孔結構118a以及該第二通孔結構118b沿著該共線傳輸路徑TP形成電性連接，該共線傳輸路徑TP係為垂直傳輸路徑，解決該多層電路板之間訊號傳輸路徑較長的問題。進一步地，圖5的H與P之比值小於習知技術中圖1的縱向高度H與橫向間距P之比值，解決電路板的高縱橫比之加工問題。

參考圖6，其繪示本發明第二實施例中具有垂直連接介面結構的電路板之示意圖。具有垂直連接介面結構的電路板包括第一多層電路板114以及垂直連接介面結構，該垂直連接介面結構如圖4C所示。在一實施例中，該垂直連接介面結構例如是以垂直方式電性連接該單層電路板114b，單層電路板114b設有單層板114c以及貫通該單層板114c的複數第一通孔結構118a。

如圖6所示，該垂直連接介面結構設置於該單層電路板114b上，用以電性連接該單層電路板114b，該垂直連接介面結構包括基材100、複數導電接觸墊106a以及複數第一導電凸塊112a，複數導電接觸墊106a設置於該基材100上，每一該些導電接觸墊106a互相電性絕緣。複數第一導電凸塊112a設置於該基材100之中，每一該些第一導電凸塊112a相對應電性連接每一該些導電接觸墊106a至每一該些第一通孔結構118a。在一實施例中，該單層電路板114b係為軟性電路板。在一實施例中，每一該些導電接觸墊106a 分別與每一該些第一導電凸塊112a以及該第一通孔結構118a沿著一共線傳輸路徑TP形成電性連接。該共線傳輸路徑TP係為垂直傳輸路徑。在圖6之實施例中，在單層電路板114b的單層板114c上、下表面還包括保護層117，以保護第一通孔結構118a或是只曝露一部分的接觸點115。在圖6所示之實施例中，具有垂直連接介面結構的電路板可用於腳位間距，例如利用垂直連接介面結構可將第一導電凸塊112a上方之電路(未圖示)的較小腳位間距轉換成單層電路板114b較大的腳位間距(例如延伸的接觸點115)。

在一實施例中，垂直連接介面結構的第一導電凸塊112a係以加溫壓合方式貼合於第一通孔結構118a，例如第一導電凸塊112a的熔點溫度等於或是小於一壓合溫度，其中該壓合溫度係指垂直連接介面結構的該基材100與該單層電路板114b形成結合狀態的溫度，依據該壓合溫度，以使該第一導電凸塊112a的表面熔化並且與第一通孔結構118a的接觸墊形成電性連接。在一實施例中，依據基材100以及第一導電凸塊112a的材質不同而定，壓合溫度例如是在攝氏100至250度之間，但不限於此，例如小於100度或是大於250度。

參考圖7，其繪示本發明第三實施例中具有垂直連接介面結構的電路板之示意圖。具有垂直連接介面結構的電路板包括單層電路板114b以及兩組垂直連接介面結構，單層電路板114b設有一單層板114c以及貫通該單層板114c的複數第一通孔結構118a。

如圖7所示，兩組垂直連接介面結構分別設置於該單層電路板114b的兩側表面上，用以電性連接每一該些第一通孔結構118a的兩端部，每一組垂直連接介面結構包括基材100、複數導電接觸墊106a以及複數第一 導電凸塊112a。複數導電接觸墊106a設置於該基材100上，每一該些導電接觸墊106a互相電性絕緣。複數第一導電凸塊112a設置於該基材100之中，每一該些第一導電凸塊112a相對應電性連接每一該些導電接觸墊106a至該第一通孔結構118a。

如圖7所示，在一實施例中，該單層電路板114b係為硬性電路板。該兩組垂直連接介面結構的每一該些導電接觸墊106a以及每一該些第一導電凸塊112a分別與該第一通孔結構118a沿著一共線傳輸路徑TP形成電性連接。該共線傳輸路徑TP係為垂直傳輸路徑。在圖7所示之實施例中，具有垂直連接介面結構的電路板可用於堆疊多層的硬性電路板，以增加多層電路板的堆疊層數以及強度，應注意的是，圖7僅以一層單層電路板114b為例，但不限於此。在一實施例中，垂直連接介面結構的第一導電凸塊112a係以加溫壓合方式貼合於第一通孔結構118a，例如第一導電凸塊112a的熔點溫度等於或是小於一壓合溫度，其中該壓合溫度係指垂直連接介面結構的該基材100與該單層電路板114b形成結合狀態的溫度，依據該壓合溫度，以使第一導電凸塊112a的表面熔化並且與第一通孔結構118a的接觸墊形成電性連接。在一實施例中，依據第一導電凸塊112a的材質不同而定，該壓合溫度例如是在攝氏100至250度之間，但不限於此，例如小於100度或是大於250度。

綜上所述，本發明之垂直連接介面結構、具該結構的電路板及其製造方法，藉由垂直連接介面結構連接至少一層電路板，以解決電路板的高縱橫比之加工問題。藉由垂直連接介面結構連接至少一層電路板，以解決該多層電路板之間訊號傳輸路徑較長的問題。並且藉由垂直連接介 面結構連接至少一層電路板，例如一層的軟性電路板以及至少一層的硬性電路板，以改善電路板的堆疊式結構以及腳位間距轉換之問題。

雖然本發明已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (25)

1. 一種垂直連接介面結構的製造方法，用於電路板，包括下列步驟：在一基材上形成一導電層；在該導電層上形成一光阻層；進行微影製程，以該光阻層定義一接觸墊圖案，並且曝露一部分的導電層；以該接觸墊圖案作為蝕刻罩幕，蝕刻曝露的該導電層，以形成複數導電接觸墊，其中每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；去除該光阻層，以暴露該些導電接觸墊；在該些導電接觸墊上以及該基材上形成一介電絕緣層，以覆蓋該些導電接觸墊；在該基材中以及該介電絕緣層中相對於該些導電接觸墊的位置分別形成複數開孔，並且在該基材以及該介電絕緣層的該些開孔曝露出該導電接觸墊；以及在每一該些開孔中形成填入導電材料以形成一導電凸塊組，以使每一該些導電接觸墊的兩側表面分別電性連接該導電凸塊組。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之垂直連接介面結構的製造方法，其中該基材係為介電絕緣材質。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之垂直連接介面結構的製造方法，其中在該些導電接觸墊上以及該基材上形成一介電絕緣層以覆蓋該些導電接觸墊的步驟中，包括在該些導電接觸墊上以及該基材上貼合一介電絕緣層。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之垂直連接介面結構的製造方法，其中該導電凸塊組係為導電膏或是導電膠的材質。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之垂直連接介面結構的製造方法，其中在每一該些開孔中形成填入導電材料以形成該導電凸塊組，使每一該些導電接觸墊的兩側表面分別電性連接該導電凸塊組之步驟中，包括形成該導電凸塊組的複數第一導電凸塊以及複數第二導電凸塊，該些第一導電凸塊設置於該基材之中，該些第二導電凸塊設置於該介電絕緣層之中，其中每一該些導電接觸墊的兩側表面分別相對應電性連接每一該些第一導電凸塊與每一該些第二導電凸塊之間。
6. 一種垂直連接介面結構的製造方法，用於電路板，包括下列步驟：在一基材上形成一導電層；在該導電層上形成一光阻層；進行微影製程，以該光阻層定義一接觸墊圖案，並且曝露一部分的導電層；以該接觸墊圖案作為蝕刻罩幕，蝕刻曝露的該導電層，以形成複數導電接觸墊，每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；在該基材上相對於該些導電接觸墊的位置形成複數開孔，並且在該基材的該些開孔曝露出該導電接觸墊；在該些開孔中填入導電材料以形成複數第一導電凸塊，以使每一該些導電接觸墊的一側表面相對應電性連接每一該些第一導電凸塊；以及去除該光阻層。
7. 如申請專利範圍第6項所述之電路板之垂直連接介面結構的製造方法，其中該基材係為介電絕緣材質。
8. 如申請專利範圍第6項所述之電路板之垂直連接介面結構的製造方法，其中該第一導電凸塊係為導電膏或是導電膠材質。
9. 如申請專利範圍第6項所述之電路板之垂直連接介面結構的製造方法，其中該去除光阻層之步驟係於形成該些第一導電凸塊步驟之前進行或是形成該些第一導電凸塊步驟之後進行。
10. 一種具有垂直連接介面結構的電路板，包括：一第一多層電路板，設有第一多層板以及貫通該第一多層板的複數第一通孔結構；一第二多層電路板，設有第二多層板以及貫通該第二多層板的複數第二通孔結構；以及一垂直連接介面結構，設置於該第一多層電路板與該第二多層電路板之間，用以電性連接該第一多層電路板以及該第二多層電路板，該垂直連接介面結構包括：一基材；複數導電接觸墊，設置於該基材上，每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；一介電絕緣層，設置於該些導電接觸墊上以及該基材上，以覆蓋該些導電接觸墊；及一導電凸塊組，設置於該基材與該介電絕緣層之中，該導電凸塊組分別電性連接每一該些導電接觸墊至該第一通孔結構與該第二通孔結構。
11. 如申請專利範圍第10項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中該導電凸塊組包括複數第一導電凸塊以及複數第二導電凸塊，該些第一導電凸塊設置於該基材之中，該些第二導電凸塊設置於該介電絕緣層之中，每一該些導電接觸墊的兩側表面分別相對應電性連接於每一該些第一導電凸塊與每一該些第二導電凸塊之間，並且該些第一導電凸塊電性連接該第一多層電路板的該第一通孔結構，該些第二導電凸塊電性連接該第二多層電路板的該第二通孔結構。
12. 如申請專利範圍第11項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中每一該些導電接觸墊分別與每一該些第一導電凸塊以及每一該些第二導電凸塊沿著一共線傳輸路徑成電性連接。
13. 如申請專利範圍第12項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中每一該些導電接觸墊分別與每一該些第一導電凸塊、每一該些第二導電凸塊、該第一通孔結構以及該第二通孔結構沿著一共線傳輸路徑成電性連接。
14. 如申請專利範圍第12或是13項中任意一項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中該共線傳輸路徑係為垂直傳輸路徑。
15. 如申請專利範圍第10項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中該導電凸塊組係以加溫壓合方式分別電性連接每一該些導電接觸墊至該第一通孔結構與該第二通孔結構。
16. 一種具有垂直連接介面結構的電路板，包括：一單層電路板，設有單層板以及貫通該單層板的複數第一通孔結構；以及一垂直連接介面結構，設置於該單層電路板上，用以電性連接該單層電路板，該垂直連接介面結構包括：一基材；複數導電接觸墊，設置於該基材上，每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；及複數第一導電凸塊，設置於該基材之中，每一該些第一導電凸塊相對應電性連接每一該些導電接觸墊至每一該些第一通孔結構。
17. 如申請專利範圍第16項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中該單層電路板係為軟性電路板。
18. 如申請專利範圍第16項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中每一該些導電接觸墊分別與每一該些第一導電凸塊以及該第一通孔結構沿著一共線傳輸路徑成電性連接。
19. 如申請專利範圍第18項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中該共線傳輸路徑係為垂直傳輸路徑。
20. 如申請專利範圍第16項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中每一該些第一導電凸塊係以加溫壓合方式相對應電性連接每一該些導電接觸墊至每一該些第一通孔結構。
21. 一種具有垂直連接介面結構的電路板，包括：一單層電路板，設有一單層板以及貫通該單層板的複數第一通孔結構；以及兩組垂直連接介面結構，分別設置於該單層電路板的兩側表面上，用以電性連接每一該些第一通孔結構的兩端部，每一組垂直連接介面結構包括：一基材；複數導電接觸墊，設置於該基材上，每一該些導電接觸墊互相電性絕緣；及複數第一導電凸塊，設置於該基材之中，每一該些第一導電凸塊相對應電性連接每一該些導電接觸墊至該第一通孔結構。
22. 如申請專利範圍第21項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中該單層電路板係為硬性電路板。
23. 如申請專利範圍第21項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中該兩組垂直連接介面結構的每一該些導電接觸墊以及每一該些第一導電凸塊分別與該第一通孔結構沿著一共線傳輸路徑成電性連接。
24. 如申請專利範圍第23項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中該共線傳輸路徑係為垂直傳輸路徑。
25. 如申請專利範圍第21項所述之電路板之垂直連接介面結構，其中每一該些第一導電凸塊係以加溫壓合方式相對應電性連接每一該些導電接觸墊至該第一通孔結構。