JP2001345539A - 埋設型配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ビアホールと埋設配線パターンとを高精度に合
致できるようにしてこの配線基板の製造上の歩留まりを
向上すること。 【解決手段】絶縁基材１０の片面に第１配線材料４ａを
仮接着する工程と、絶縁基材の他面に離型フィルム３を
接着する工程と、絶縁基材の片面側からビアホール５を
形成する工程と、ビアホールに導電性ペースト６を充填
する工程と、離型フィルムを剥離する工程と、離型フィ
ルムを剥離して露出した絶縁基材の他面に第２配線材料
４ｂを仮接着する仮接着工程と、第２配線材料でもって
ビアホールに対応した位置で配線パターン７を形成する
工程と、配線パターンと絶縁基材と導電性ペーストとを
加熱加圧して配線パターンを絶縁基材表面に埋設する工
程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基材に配線パ
ターンを埋設する埋設型配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年における高密度多層配線基板では絶
縁基材両面の配線パターンの微細化に伴い両配線パター
ンを電気的に接続するためのビアホールの間隔も微細化
されている一方、配線の密着性改善のために絶縁基材へ
の配線パターン埋設が促進されている。このような状況
下においてビアホールの間隔と埋設型配線パターンの間
隔との合致精度はこのような多層配線基板の性能を左右
しその製造上の歩留まり向上においては重要な要素とな
る。

【０００３】図３を参照してこのような配線基板におけ
る製造方法について説明する。

【０００４】フィルム基材５１ａの両面に熱硬化性接着
剤５１ｂを塗布して絶縁基材５１を形成するとともに、
絶縁基材５１の両面にプラスチックシート５２を貼着す
る（図３ａ参照）。その後、ビアホール５３を所要の間
隔ｘ１でもって位置決めして形成する（図３ｂ参照）。
こうして形成したビアホール５３内に導電性ペースト５
４を充填する（図３ｃ参照）。この充填の後、絶縁基材
５１の両面からプラスチックシート５２を剥離する（図
３ｄ参照）。

【０００５】一方、絶縁基材５１上面に対し金属基板５
５を重ねるとともに、絶縁基材５１下面に対し所要の間
隔ｘ２で配線パターン５７を位置決め形成してある転写
基板５６を重ねる（図３ｅ参照）。

【０００６】転写基板５６を絶縁基材５１に重ねるにあ
たってはアライメント装置で転写基板５６の配線パター
ン５７とビアホール５３とを対応したアライメント関係
にする。

【０００７】こうして、絶縁基材５１両面に転写基板５
６と金属基板５５とを重ねた状態で加熱加圧してのち転
写基板５６を除去すると、転写基板５６上の配線パター
ン５７が絶縁基材５１表面の熱硬化性接着剤層５１ｂ中
に埋設された状態となる（図３ｆ参照）。

【０００８】そして、金属基板５５をフォトエッチング
してビアホール５３の間隔ｘ１に対応した間隔ｘ１で配
線パターン５８を形成することで所望の埋設型配線基板
が得られる（図３ｇ参照）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで上述の埋設型
配線基板におけるビアホール５３と配線パターン５７と
の合致精度は配線基板の製造上の歩留まり向上に対しき
わめて重要な要素となり、そのためには、ビアホール５
３と配線パターン５７それぞれの間隔ｘ１，ｘ２は高精
度にｘ１＝ｘ２の関係で合致していることが要求され
る。

【００１０】しかしながら、ビアホール５３間隔を高精
度となるようにビアホール５３を形成してもビアホール
５３形成後の工程において、例えば導電性ペースト５４
をスキージングによりビアホール５３に埋設するときの
スキージ力や、プラスチックシート５２を剥離したとき
のテンションなどにより絶縁基材５１そのものの寸法が
変化さらせれ、この結果、ビアホール５３の相互間隔ｘ
１が微妙に変化してくる。

【００１１】例えばこの間隔ｘ１を２００μｍとしたと
き、前記微妙な変化で±５０μｍ程度バラツクことがあ
る。そうすると、ビアホール５３間隔ｘ１は最悪、２５
０μｍとなったり、１５０μｍとなる。そうすると、ビ
アホール５３間隔ｘ１に対し転写基板５６の配線パター
ン５７を高精度のアライメント装置でもってアライメン
トしても、ビアホール５３と転写基板５６の配線パター
ン５７とを合致させることができない。

【００１２】したがって、本発明は、埋設型配線基板の
製造方法において、ビアホールと埋設配線パターンとを
高精度に合致できるようにしてこの配線基板の製造上の
歩留まりを向上させることを課題としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明第１の埋設型配線
基板の製造方法は、絶縁基材に配線材料を仮接着する仮
接着工程と、この配線材料で所望の配線パターンを形成
する配線パターン形成工程と、前記絶縁基材と前記配線
パターンとを加熱加圧して当該配線パターンを前記熱硬
化性接着剤層中に埋設する加熱加圧工程とを含む。

【００１４】本発明第１によると、例えばビアホールの
ある絶縁基材に対し配線材料を仮接着してからこの配線
材料を所望の配線パターンに形成するから、そのビアホ
ールに導電性ペーストを充填したときのスキージ力が加
わるなどしてビアホール間隔が微妙に変化しても、その
微妙に変化したビアホール間隔に合わせて配線材料も変
化するから、その配線材料から配線パターンを形成する
に際し、ビアホールと配線パターンとを高精度に合致さ
せられ、この配線基板の製造上の歩留まりを大幅に向上
させることが可能となる。

【００１５】本発明第２の埋設型配線基板の製造方法
は、絶縁基材の片面に第１配線材料を仮接着する仮接着
工程と、前記絶縁基材の片面側からブラインドのビアホ
ールを形成するビアホール形成工程と、前記ビアホール
に導電性ペーストを充填する充填工程と、前記絶縁基材
の他面に第２配線材料を仮接着する仮接着工程と、前記
第２配線材料でもって前記ビアホールに対応した位置で
配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、前記
配線パターンと絶縁基材と導電性ペーストとを加熱加圧
して当該配線パターンを絶縁基材表面に埋設する加熱加
圧工程とを含む。

【００１６】本発明第２によると、例えばビアホールの
ある絶縁基材に対し配線材料を仮接着してからこの配線
材料を所望の配線パターンに形成するから、そのビアホ
ールに導電性ペーストを充填したときのスキージ力が加
わるなどしてビアホール間隔が微妙に変化しても、その
微妙に変化したビアホール間隔に合わせて配線材料も変
化するから、その配線材料から配線パターンを形成する
に際し、ビアホールと配線パターンとを高精度に合致さ
せられ、この配線基板の製造上の歩留まりを大幅に向上
させることが可能となる。

【００１７】本発明第３の埋設型配線基板の製造方法
は、絶縁基材の片面に第１配線材料を仮接着する仮接着
工程と、前記絶縁基材の他面に離型フィルムを接着する
工程と、前記離型フィルムを介して前記絶縁基材の片面
側からブラインドのビアホールを形成するビアホール形
成工程と、前記ビアホールに導電性ペーストを充填する
充填工程と、前記離型フィルムを剥離する工程と、前記
離型フィルムを剥離して露出した絶縁基材の他面に第２
配線材料を仮接着する仮接着工程と、前記第２配線材料
でもって前記ビアホールに対応した位置で配線パターン
を形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターン
と絶縁基材と導電性ペーストとを加熱加圧して当該配線
パターンを絶縁基材表面に埋設する加熱加圧工程とを含
む。

【００１８】本発明第３によると、例えばビアホールの
ある絶縁基材に対し配線材料を仮接着してからこの配線
材料を所望の配線パターンに形成するから、そのビアホ
ールに導電性ペーストを充填したときのスキージ力が加
わるなどしてビアホール間隔が微妙に変化しても、その
微妙に変化したビアホール間隔に合わせて配線パターン
を形成できる結果、ビアホールと配線パターンとを高精
度に合致させられ、この配線基板の製造上の歩留まりを
大幅に向上させることが可能となる。

【００１９】さらに本発明第３によると、絶縁基材の他
面に離型フィルムを接着する工程と、前記離型フィルム
を介して前記絶縁基材の片面側からブラインドのビアホ
ールを形成するビアホール形成工程と、前記ビアホール
に導電性ペーストを充填する充填工程と、前記離型フィ
ルムを剥離する工程とを含むから、導電性ペーストが離
型フィルムの剥離で絶縁基材表面から突出した状態とな
っている。そして、その後の離型フィルムを剥離して露
出した絶縁基材の他面に第２配線材料を仮接着する仮接
着工程では、第２配線材料により導電性ペーストを押し
込めるために第２配線材料と導電性ペーストとの電気的
接続を良好にすることができ、さらに、その後の前記第
２配線材料でもって前記ビアホールに対応した位置で配
線パターンを形成する配線パターン形成工程と、前記配
線パターンと絶縁基材と導電性ペーストとを加熱加圧し
て当該配線パターンを絶縁基材表面に埋設する加熱加圧
工程とにおいては、さらに第１配線材料と第２配線材料
による配線パターンとの電気的接続の良好状態を一層促
進できて好ましい。

【００２０】好ましくは、前記加熱加圧工程が、配線パ
ターンにより前記ビアホールに充填した導電性ペースト
を覆いかつ圧縮した状態とすることにより配線パターン
と導電性ペーストとの間の電気的接続抵抗値を下げた状
態として、配線パターンと導電性ペーストとの電気的接
続をより良好としてもよい。

【００２１】好ましくは、前記ビアホール形成工程が、
紫外光レーザーでビアホールを形成する。紫外光レーザ
ーは熱加工でないことにより絶縁基材や離型フィルムが
溶融されずにビアホールの形成が可能となるからデスミ
ア除去工程が不要となって好ましい。

【００２２】好ましくは、前記加熱加圧工程が、配線パ
ターン上にカバーシートを配置した状態で加熱加圧し、
この加熱加圧の後、そのカバーシートを除去する。こう
した場合、配線パターンを絶縁基材の表面の平坦度を保
持した状態で容易かつ適確に埋設できる。

【００２３】好ましくは、前記絶縁基材が、耐熱性基板
層の少なくとも片面に熱硬化性接着剤層を有したもので
ある。

【００２４】好ましくは、前記絶縁基材は、半硬化状態
の有機材料を有し、前記半硬化状態の有機材料中に熱可
塑性の有機材料を含む。

【００２５】好ましくは、前記絶縁基材における半硬化
状態の有機材料が、加熱で軟化して流動性を発生し、所
定の時間で硬化する熱硬化性の有機材料も同時に含有し
ている。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の詳細を図１を参照して説
明する。図１ａ〜図１ｈは、本発明の実施の形態に係る
埋設型配線基板の製造方法において各工程の説明に供す
る断面図である。以下、説明する。

【００２７】（ａ）下側配線材料仮接着工程・離型フィ
ルム接着（図１ａ参照） 耐熱性材料例えばポリイミドからなる耐熱基材（フィル
ムと称してもよいが、その厚さは任意である）層１の上
下両面にポリイミド系熱硬化性接着剤層２ａ，２ｂを塗
布して電気的絶縁基材１０を構成するとともに、この絶
縁基材１０における上側熱硬化性接着剤層２ｂ上に、片
面に離型剤を塗布した例えばポリエチレンテレフタレー
トなどのプラスチックからなる離型フィルム３を接着す
る一方、この絶縁基材１０における下側熱硬化性接着剤
層２ａ上に銅箔からなる下側配線材料４ａを加熱加圧し
ながらラミネートに仮接着する。

【００２８】仮接着する理由は、下側配線材料４ａを加
熱加圧プレスで完全に接着すると、この下側配線材料４
ａをパターニングして配線パターンを得て、この配線パ
ターンを下側熱硬化性接着剤層２ａ中に埋設するときに
埋設できなくなるのを防止するうえで下側熱硬化性接着
剤層２ａが完全に硬化する前で粘着性を有する時点で下
側配線材料４ａを保持可能とするためである。このラミ
ネートは８０℃で３ｋｇ／ｃｍ²で行う。

【００２９】なお、この明細書で仮接着とは、加温した
ときに樹脂が一旦軟化して粘着性（タック性）を発生し
たときの状態において、被接着物を接着する工程のこと
である。

【００３０】本発明の絶縁基材１０は、上述に限定され
ず、半硬化状態の有機材料を有し、この半硬化状態の有
機材料中に熱可塑性の有機材料を含むものであってもよ
い。また、前記半硬化状態の有機材料は、加熱で軟化し
て流動性を発生し、所定の時間で硬化する熱硬化性の有
機材料を同時に含有しているとよい。

【００３１】（ｂ）ビアホール形成工程（図１ｂ参照） 次にレーザー加工技術により、穴径約５０μｍのブライ
ンドのビアホール５を形成する。ここで使用するレーザ
ーは例えばＹＡＧレーザーのような紫外光レーザーが好
ましい。紫外光レーザーは、熱加工でないため、絶縁基
材１０や離型フィルム３を溶融することなく穴加工が可
能であるためデスミアと称される有機物質の加工残渣を
除去する工程が不要となって好ましい。

【００３２】（ｃ）導電性ペースト充填工程（図１ｃ参
照） 続いて、ビアホール５に導電性ペースト６を充填する。
導電性ペースト６としては、例えば銅ペースト、銀ペー
スト、その他の金属ペースト、あるいは銀や銅などの合
金ペーストを用いる。導電性ペースト６の充填方法とし
ては、例えば遠心力を利用して充填する方法、真空減圧
を利用して充填する方法などがある。

【００３３】ここで、離型フィルム３は、レーザー加工
においてのマスクの機能と絶縁基材１０表面の汚染防止
機能とがある。

【００３４】（ｄ）離型フィルム剥離工程（図１ｄ参
照） この後、離型フィルム３を上側熱硬化性接着剤層２ｂ上
から剥離する。

【００３５】（ｅ）上側配線材料仮接着工程（図１ｅ参
照） この剥離により表面側に露出した上側熱硬化性接着剤層
２ｂ上に銅箔からなる配線材料４ｂを加熱加圧してラミ
ネートし仮接着する。

【００３６】（ｆ）配線パターン形成工程（図１ｆ参
照） 次いで、配線材料４ｂを導電性ペースト６が充填された
ビアホール５の形成位置と合致させて所定の配線パター
ン７に形成する。

【００３７】配線パターンの形成方法としては例えば公
知の分割投影露光方式を用いるとよい。この露光方式
は、銅箔全体を複数の小面積エリアに分割し、各分割エ
リアで個々にアライメントを実施することにより高精度
にブラインドビアホールの形成位置に対してアライメン
トされた配線パターンを得ることができる。ここでいう
配線パターンとは、ランド、配線、電極などを含む広い
概念である。

【００３８】さらに高精度なアライメントが要求される
場合、各分割エリアにおいて、マスク投影画像を若干伸
縮させることによりビアホール５と配線パターン７との
高精度アライメントが可能となる。そして、配線材料４
ｂをフォトエッチング処理して所望の配線パターン７を
得る。

【００３９】この場合、配線パターン７の形成は、配線
パターン７をその直下のビアホール５の位置に合わせて
パターン面の拡大縮小を伴いながら位置合わせをして形
成する。

【００４０】（ｇ）加熱加圧工程（図１ｇ参照） 次に、フォトエッチング処理して得た配線パターン７上
にカバーシート８を配置し、真空中で加熱加圧すること
により配線パターン７を上側熱硬化性接着剤層２ｂに一
体化して埋設する。ここで、カバーシート８は例えば厚
さ１０〜４０μｍ程度のアルミニウムの金属箔やシリコ
ン離型処理したテフロンフィルムなどを使用し、真空中
の加熱加圧は、２００℃、１６０ｋｇ／ｃｍ²で行う。

【００４１】この加熱加圧工程においては、配線パター
ン７によりビアホール５に充填した導電性ペースト６を
覆いかつ圧縮した状態とされており、これにより配線パ
ターン７と導電性ペースト６との間の電気的接続抵抗値
が下がり配線パターン７と導電性ペースト６との電気的
接続がより良好となる。

【００４２】（ｈ）カバーシート除去工程（図１ｈ参
照） 続けて、カバーシート８を除去する。カバーシート８の
材料は、剥離除去性に優れた材料が好ましい。例えば、
配線パターン７の材料が銅箔の場合、これと異なる金属
箔例えばアルミニウム箔としてエッチング液で選択的に
除去可能としてもよいし、また剥離性に優れた樹脂シー
ト例えばテフロンシートとして剥離除去性を高めたもの
でもよい。カバーシート８は、さらに、上側熱硬化性接
着剤層２ｂと接する面を鏡面処理してその剥離性を高め
てもよい。この場合、この鏡面処理された表面に離型処
理を施してもよい。カバーシート８はまた、少なくとも
金属箔、耐熱性の有機フィルム材料の中から選択すると
よい。

【００４３】以上の各工程によれば、図１ａにおけるビ
アホール５の間隔が当初はｘ１であり、その後の導電性
ペースト６の充填や、離型フィルム３の剥離などで図１
ｅで示すようにｘ１からｘ１’に変化しても、それに対
応して配線材料４ｂも変化する。そのため、この配線材
料４ｂから形成した配線パターン７もその間隔ｘ２を図
１ｆで示すように間隔ｘ１’（＝ｘ２）となるように形
成できるから、この配線パターン７の間隔とビアホール
５の間隔とが合致したものとなる。

【００４４】したがって、この実施の形態では、配線パ
ターン７とビアホール５とを高精度に合致させてこの埋
設型配線基板の製造上の歩留まりを向上させることが可
能となる。

【００４５】以上の各工程を実施することにより埋設型
配線基板が得られる。そして、この埋設型配線基板に対
して上述した各工程を繰り返すことで図２で示すように
多層配線基板を製造することができる。すなわち、図２
において、２０は上述の実施の形態で説明した埋設型配
線基板（第１の埋設型配線基板）である。そして、図２
ａ〜図２ｈそれぞれの３０ａ〜３０ｈの構造部分は、図
１ａ〜図１ｈの各工程の断面構造にそれぞれ対応してお
り、構造部分３０ａ〜３０ｈそれぞれの製造工程は上述
と同様であるからその説明を省略する。

【００４６】そして、図２ｈにおいては第１の埋設型配
線基板２０上に第２の埋設型配線基板３０ｈが作製され
ている。また、図面に示していないが、この第２の埋設
型配線基板３０ｈの上に、図２と同様にして、第３の埋
設型配線基板を作製し、また、第３の埋設型配線基板の
上に第４の埋設型配線基板を作製し、というようにして
多層配線基板を製造することができる。

【００４７】なお、第２の埋設型配線基板などは、例え
ばガラスエポキシ配線基板であっても、ＡＬＩＶＥ基板
でもフィルム基板でもよいことは勿論である。

【００４８】なお、上記においては、例えば、絶縁基材
１０の熱硬化性接着剤層２ａ，２ｂには熱可塑性のポリ
イミド系接着成分も含有されており、加熱加圧工程
（ｇ）において、接着剤２ａ，２ｂは熱硬化反応が進展
する温度領域（８０℃以上）で徐々に軟化していって流
動性を発生する。このとき配線パターン形成工程（ｆ）
で形成された配線パターン７は、加圧力によって接着剤
層中に埋設されると同時にビアホール５に充填された導
電性ペースト６を圧縮する。

【００４９】ここで、接着剤の流動性が長時間持続する
と、導電性ペースト６は圧縮されずに接着剤と共に基板
外周方向に流されてしまい、電気的接続抵抗値が高くな
る。したがって、流動性が所定の時間で終了する（通
常、３０〜１８０秒の範囲で条件の最適化を実施する）
ように硬化反応の進む硬化剤を含有している方がよい。
また、熱硬化性接着剤が一旦硬化してしまうと、次の層
を積層する際に加熱加圧しても接着剤層は軟化しないた
め、層間接着を強固にすることが困難である。

【００５０】そこで、熱可塑成分を含有させることによ
り次の層を積層する加熱加圧工程において、一旦硬化し
た接着剤層を再び若干軟化させることが可能となり、層
間接着を強固に形成することができる。このとき、導電
性ペースト６が流動しない程度の軟化に留める必要があ
り、熱可塑成分の含有量を調整することにより最適な状
態を作り出すことができる。

【００５１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、例えばビ
アホールのある絶縁基材に対し配線材料を仮接着してか
らこの配線材料を所望の配線パターンに形成するから、
そのビアホールに導電性ペーストを充填したときのスキ
ージ力が加わるなどしてビアホール間隔が微妙に変化し
ても、その微妙に変化したビアホール間隔に合わせて配
線パターンを形成できる結果、ビアホールと配線パター
ンとを高精度に合致させられ、この配線基板の製造上の
歩留まりを大幅に向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る埋設型配線基板の製
造方法における各工程図

【図２】本発明の他の実施の形態に係る埋設型配線基板
の製造方法における各工程図

【図３】従来に係る埋設型配線基板の製造方法における
各工程図

【符号の説明】

１ 耐熱性基板層 ２ａ，２ｂ 熱硬化性接着剤層 ３ 離型フィルム ４ａ，４ｂ 配線材料 ５ ビアホール ６ 導電性ペースト ７ 配線パターン ８ カバーシート １０ 絶縁基材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ (72)発明者 須川 俊夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 東谷 秀樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB03 BB12 CC22 CC25 CD21 CD32 GG16 5E343 AA02 AA12 BB02 BB24 BB25 BB67 BB72 DD02 DD52 DD55 ER50 ER55 FF02 FF07 GG11 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB16 CC04 CC09 CC32 DD02 DD12 DD32 EE06 EE12 EE13 EE15 EE18 EE31 EE38 FF05 FF07 FF18 GG15 GG19 GG22 GG23 GG28 HH33

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基材に配線材料を仮接着する仮接着工
   程と、 この配線材料で所望の配線パターンを形成する配線パタ
   ーン形成工程と、 前記絶縁基材と前記配線パターンとを加熱加圧して当該
   配線パターンを前記熱硬化性接着剤層中に埋設する加熱
   加圧工程と、 を含む、ことを特徴とする埋設型配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】絶縁基材の片面に第１配線材料を仮接着す
   る仮接着工程と、 前記絶縁基材の片面側からブラインドのビアホールを形
   成するビアホール形成工程と、 前記ビアホールに導電性ペーストを充填する充填工程
   と、 前記絶縁基材の他面に第２配線材料を仮接着する仮接着
   工程と、 前記第２配線材料でもって前記ビアホールに対応した位
   置で配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、 前記配線パターンと絶縁基材と導電性ペーストとを加熱
   加圧して当該配線パターンを絶縁基材表面に埋設する加
   熱加圧工程と、 を含む、ことを特徴とする埋設型配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】絶縁基材の片面に第１配線材料を仮接着す
   る仮接着工程と、 前記絶縁基材の他面に離型フィルムを接着する工程と、 前記離型フィルムを介して前記絶縁基材の片面側からブ
   ラインドのビアホールを形成するビアホール形成工程
   と、 前記ビアホールに導電性ペーストを充填する充填工程
   と、 前記離型フィルムを剥離する剥離工程と、 前記離型フィルムを剥離して露出した絶縁基材の他面に
   第２配線材料を仮接着する仮接着工程と、 前記第２配線材料でもって前記ビアホールに対応した位
   置で配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、 前記配線パターンと絶縁基材と導電性ペーストとを加熱
   加圧して当該配線パターンを絶縁基材表面に埋設する加
   熱加圧工程と、 を含む、ことを特徴とする埋設型配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】請求項３において、 前記加熱加圧工程が、配線パターンにより前記ビアホー
   ルに充填した導電性ペーストを覆いかつ圧縮した状態と
   することにより配線パターンと導電性ペーストとの間の
   電気的接続抵抗値を下げた状態とする、ことを特徴とす
   る埋設型配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】請求項３または４において、 前記ブラインドビアホール形成工程が、紫外光レーザー
   でブラインドビアホールを形成するものである、ことを
   特徴とする埋設型配線基板の製造方法。
6. 【請求項６】請求項１ないし５いずれかにおいて、 前記加熱加圧工程が、配線パターン上にカバーシートを
   配置した状態で加熱加圧し、この加熱加圧の後、そのカ
   バーシートを除去する、ことを特徴とする埋設型配線基
   板の製造方法。
7. 【請求項７】請求項１ないし６いずれかにおいて、 前記絶縁基材が、耐熱性基板層の少なくとも片面に熱硬
   化性接着剤層を有したものである、ことを特徴とする埋
   設型配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】請求項１ないし６いずれかにおいて、 前記絶縁基材が、半硬化状態の有機材料を有し、前記半
   硬化状態の有機材料中に熱可塑性の有機材料を含む、こ
   とを特徴とする埋設型配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】請求項８において、 前記絶縁基材における半硬化状態の有機材料が、加熱で
   軟化して流動性を発生し、所定の時間で硬化する熱硬化
   性の有機材料も同時に含有している、ことを特徴とする
   埋設型配線基板の製造方法。