JP2002064271A - 複合配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の多層基板では厚みが厚いため屈曲性を
有しておらず、基板の自由な配置ができない。また、リ
ジッド配線基板どうしを屈曲配線基板で電気的に接続す
る場合、コネクター等を用いるのが一般的であり、近年
の高密度実装の要求から、このコネクター等実装面積の
占める割合が無視できなくなる傾向にある。 【解決手段】 リジッド配線基板部の配線と屈曲配線基
板部の配線をフィルム基材の貫通孔に充填された導電体
で電気的に接続する。フィルム基材はリジッド配線基板
どうしの間で屈曲性を持たせることができ、また、コネ
クター等を用いずに電気的接続を実現できるので高密度
実装が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線の高密度化が可
能なリジッド部と屈曲部を備えた複合配線基板に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄型化、高機
能化が進展する中で電子機器を構成する各種電子部品の
小型化や薄型化等とともに、これら電子部品が実装され
るプリント配線基板も高密度実装を可能とする様々な技
術開発が盛んとなっている。

【０００３】特に最近は急速な実装技術の進展ととも
に、ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装できる高速
回路にも対応できるプリント配線基板の安価な供給が強
く要望されてきている。このような要望に応えたものと
して従来から次のような多層配線基板が用いられてい
る。すなわち、この多層配線基板は、絶縁基板と配線と
を交互に積層配置してなる積層体と、絶縁基板それぞれ
にその厚さ方向に設けられた貫通孔に充填されることで
配線どうしを電気的に接続する導電体とを有して構成さ
れている。

【０００４】このような多層配線基板においては、絶縁
基板として、被圧縮性の絶縁基板を用いる。すなわち、
絶縁基板の加熱加圧による硬化成形の際に、絶縁基板が
厚み方向に大きく収縮する。この収縮によって、絶縁基
板の貫通孔に充填された導電体を圧縮し、導電体を緻密
化している。この作用によって導電体と配線の密着が確
保され、十分な電気的導通性が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、通信端末装
置やその他の電子機器で使用するプリント配線基板では
電子機器内のスペースの制約からプリント配線基板の一
部または全体に屈曲性（フレキシブル性）を持たせ、プ
リント配線基板を屈曲状態にして電子機器内に内蔵する
ことが要望されている。しかしながら、絶縁基板を多層
してなる従来の多層基板では、厚みが厚いためにほとん
ど屈曲性を有しておらず、そのために、このような要望
に応えることができないという課題があった。

【０００６】また、このようなリジッド配線基板と屈曲
性を有する屈曲配線基板とを電気的に接続する場合、コ
ネクター等を用いるのが一般的であり、このコネクター
等が高密度実装の課題となる。つまり、近年の実装高密
度化においてコネクター等の実装面積が無視できなくな
り、コネクター等を用いずにリジッド配線基板を接続す
ることが求められている。

【０００７】本発明は上記課題を解決するものであり、
多層配線基板において、フレキシブル性を確保しつつ実
装密度を高めることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、リジッド配線基板部の配線と屈曲配線基板
部の配線をフィルム基材の貫通孔に充填された導電体で
電気的に接続することを特徴とする。フィルム基材はリ
ジッド配線基板どうしの間で屈曲性を持たせることがで
き、また、コネクター等を用いずにリジッド配線基板ど
うしの電気的接続を実現できるので高密度実装が可能と
なる。

【０００９】本願の第１の発明は、少なくとも２つのリ
ジッド配線基板部と少なくとも１つの屈曲配線基板部と
を備え、前記リジッド配線基板部は前記屈曲配線基板部
に間隔を隔て設けられており、前記リジッド配線基板部
の配線と前記屈曲配線基板部の配線とがフィルム基材に
設けられた貫通孔に充填された導電体を介して電気的に
接続されていることを特徴とする複合配線基板、複数の
リジッド配線基板間の屈曲性を確保しつつ電気的に接続
し、実装密度を高めることが可能となる。

【００１０】また、本願の第２の発明は、ひとつのリジ
ッド配線基板部と、少なくとも１つ以上の屈曲配線基板
部とを備え、前記リジッド配線基板部の配線と前記屈曲
配線基板部の配線とがフィルム基材に設けられた貫通孔
に充填された導電体を介して電気的に接続され、前記屈
曲配線基板部には前記リジッド配線基板部と重ならない
部分が存在することを特徴とする複合配線基板である。

【００１１】また、前記複合配線基板において、リジッ
ド配線基板部と重なる前記屈曲配線基板部の面積が前記
リジッド配線基板部の面積に比べて小さいことを特徴と
するものである。

【００１２】また、前記複合配線基板において、リジッ
ド配線基板部が前記屈曲配線基板部の両面に形成される
ことを特徴とするものである。

【００１３】また、前記複合配線基板において、リジッ
ド配線基板部が前記屈曲配線基板部の片面に形成される
ことを特徴とするものである。

【００１４】また、前記複合配線基板において、リジッ
ド配線基板部を挟んで複数の屈曲配線基板部が配置され
ることを特徴とするものである。

【００１５】また、前記複合配線基板において、複合配
線基板の両側の表層に屈曲配線基板が配置されることを
特徴とするものである。

【００１６】また、前記複合配線基板において、屈曲配
線基板部に複数の配線層が形成されていることを特徴と
するものである。

【００１７】また、前記複合配線基板において、屈曲配
線基板部の複数の配線層がフィルム基材に設けられた貫
通孔に導電体を充填して、前記導電体を介して電気的に
接続されることを特徴とするものである。

【００１８】また、前記複合配線基板において、屈曲配
線基板部の配線幅がリジッド基板部の配線幅より細いこ
とを特徴とするものである。

【００１９】また、前記複合配線基板において、屈曲部
に配置された配線が前記フィルム基材によって覆われて
いることを特徴とするものである。

【００２０】また、前記複合配線基板において、フィル
ム基材がコアフィルムの両面に接着剤層が形成された３
層構造であることを特徴とするものである。

【００２１】また、前記複合配線基板において、フィル
ム基材が屈曲配線基板部を兼ねていることを特徴とする
ものである。

【００２２】また、本願の別の発明は、フィルム基材に
貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填す
る工程と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド
配線基板と屈曲配線基板を積層接着する工程と、複合配
線基板を個片化する工程とを有し、前記積層接着工程で
は、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を
確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法であ
る。

【００２３】また、本願の別の発明は、貫通部を備えた
リジッド配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、
前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通
孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と屈曲
配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化
する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を
圧縮することによって、電気的接続を確保することを特
徴とする複合配線基板の製造方法である。

【００２４】また、本願の別の発明は、前記積層接着工
程前に、前記リジッド配線基板に設けられた貫通部を覆
うように形成された前記フィルム基材部分を除去する工
程を含むことを特徴とするものである。

【００２５】また、本願の別の発明は、リジッド配線基
板上にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基
材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充
填する工程と、前記リジッド配線基板と前記フィルム基
材を貫通する貫通部を形成する工程と、前記フィルム基
材と屈曲配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板
を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記
導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保する
ことを特徴とする複合配線基板の製造方法である。

【００２６】また、本願の別の発明は、屈曲配線基板上
にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に
貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填す
る工程と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド
配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化
する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を
圧縮することによって、電気的接続を確保することを特
徴とする複合配線基板の製造方法である。

【００２７】また、本願の別の発明は、支持基材上に屈
曲配線基板を形成する工程と、屈曲配線基板上にフィル
ム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を
形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程
と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド配線基
板を積層接着する工程と、前記支持基材を除去する工程
と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接
着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気
的接続を確保することを特徴とするものである。

【００２８】また、本願の別の発明は、複合配線基板に
電子部品を実装した後に、複合配線基板を個片化する工
程を有することを特徴とするものである。

【００２９】また、本願の別の発明は、フィルム基材に
貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填す
る工程と、前記フィルム基材とリジッド配線基板と屈曲
配線基板を積層接着する工程と、屈曲部のリジッド配線
基板を除去する工程とを有し、前記積層接着工程では、
前記導電体を圧縮することによって電気的接続を確保す
ることを特徴とする複合配線基板の製造方法である。

【００３０】また、本願の別の発明は、フィルム基材に
貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填す
る工程と、前記フィルム基材と間隔を隔てた複数のリジ
ッド配線基板と屈曲配線基板を積層接着する工程とを有
し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮すること
によって、電気的接続を確保することを特徴とする複合
配線基板の製造方法である。

【００３１】また、本願の別の発明は、複数のリジッド
配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、フィルム
基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を
充填する工程と、前記複数のリジッド配線基板上に形成
されたフィルム基材と屈曲配線基板を積層接着する工程
とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮す
ることによって電気的接続を確保することを特徴とする
複合配線基板の製造方法である。

【００３２】また、本願の別の発明は、前記複数のリジ
ッド配線基板は、異なる構造のリジッド配線基板が混在
していることを特徴とするものである。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００３４】（実施の形態１）本発明の実施の形態１の
複合配線基板について、図を用いて説明する。図１に示
すように、本実施の形態にかかる複合配線基板は、リジ
ッド配線基板部１０１、１０２が屈曲配線基板部１０３
上に間隔を隔て形成されている。ここで、リジッド配線
基板部は単独で基板としての剛性を有し、一般的な多層
プリント配線基板と同様の実装工程で電子部品の実装が
可能である。図１に示すようにリジッド配線基板部１０
１、１０２として、全層ＩＶＨ構造樹脂多層基板を用い
ればリジッド配線基板部での配線収容性を高め高密度な
複合配線基板を実現できる。

【００３５】図１に示した屈曲配線基板部１０３は単独
で屈曲性を有する配線基板であり、その屈曲部での配線
は繰り返しの曲げに耐えるために、圧延銅箔等の延性の
ある金属材料を用いたり、配線の両側に保護層を設ける
等の工夫がなされている。図１の複合配線基板の例で
は、屈曲部分の配線は屈曲配線基板部１０３の絶縁性基
材とフィルム基材１０４に保護された構成になってい
る。また、図１に示すように屈曲配線基板部１０３とし
て貫通孔が導電体によって埋められ、貫通孔の直上に電
子部品実装用のランドが形成できる基板を用いること
で、更に複合配線基板の配線収容性を高めている。

【００３６】リジッド配線基板部１０１、１０２の配線
と屈曲配線基板部１０３の配線はフィルム基材１０４に
設けられた導電体１０５によって電気的に接続されてい
る。導電体１０５はフィルム基材１０４に設けられた貫
通孔１０６に導電性ペーストを充填することにより形成
することができる。また、フィルム基材１０４の厚みを
薄くすることによって、導電体１０５を小径化すること
が可能となり、ファインな導電体ピッチでリジッド配線
基板部と屈曲配線基板部を接続することができるのであ
る。これにより、高密度配線・高密度ビアを備えた屈曲
配線基板部を用いることが可能となり、複合配線基板の
片側の面に複数層の微細配線を形成することができる。

【００３７】近年、半導体パッケージ等の電子部品の接
続ピッチが微細化しており、配線の微細化と配線収容性
が重要な課題となっている。本実施の形態にかかる複合
配線基板はこの課題を克服するものである。また、リジ
ッド配線基板部どうしをコネクター等を用いることなく
接続するため、コネクター等の実装面積を削減し複合配
線基板表面の電子部品実装面積を十分に確保することが
できる。また、コネクター等を用いないことで、電子機
器組立て時のコネクター等の接続工程を省略することが
でき、電子機器の組立てコストを削減することが可能と
なる。

【００３８】図１に示すように、本実施の形態にかかる
複合配線基板は、リジッド配線基板部どうしの間に屈曲
部が形成されるため、複合配線基板を折りたたみコンパ
クトに収容したり、リジッド配線基板部を自由度の高い
配置で電子機器に装着することができるのである。

【００３９】ここで、本プリント配線基板の製造工程に
ついて、図２（ａ）〜（ｆ）を用いながら説明する。

【００４０】図２（ａ）に示すように、フィルム基材２
０１の両面にカバーフィルム２０２を形成する。カバー
フィルムはラミネートによってフィルム基材２０１に貼
り付けるのが、簡便で生産性のよい製造方法である。カ
バーフィルムとしては、後の貫通孔加工工程でレーザー
加工を行う場合には、レーザー光の吸収がある材料が用
いられPET、PEN等が一般的であるがこれに限ったもので
はない。カバーフィルムとフィルム基材の密着は後に容
易に剥離できる程度の強度が適当である。

【００４１】次に図２（ｂ）に示すようにカバーフィル
ム、フィルム基材に対して貫通孔２０３を形成する。貫
通孔の形成はパンチ加工、ドリル加工、レーザー加工に
よって行われるが、炭酸ガスレーザーやＹＡＧレーザー
を用いれば、小径の貫通孔を短時間で形成することがで
き生産性に優れた加工を実現できる。レーザー加工を行
った場合の貫通孔の径としては、３０μm〜５０μmが実
現できるが、後の貫通孔への導電体充填工程での充填性
の点で貫通孔のアスペクト比は１以下であることが望ま
しく、貫通孔径を小さくする場合はそれにしたがってフ
ィルム基材の厚みを薄くすることがより好ましい。

【００４２】その後、図２（ｃ）に示すように貫通孔２
０３に対して導電体２０４を充填する。導電体２０４と
して導電性ペーストを用いれば、印刷工法により大面積
に対して一括で導電性ペーストを充填することが可能で
あり生産性が高い。導電性ペーストは、銅、銀、等の金
属導電粒子と樹脂成分から構成される。このときカバー
フィルム２０２は導電性ペーストがフィルム基材２０１
の表面に付着するのを防ぐ保護の役割と、導電性ペース
トの充填量を確保する役割を果たす。

【００４３】次にカバーフィルム２０２を剥離すること
で、図２（ｄ）に示す状態を得る。導電体２０４はカバ
ーフィルムによって充填量を確保している。つまり、導
電体はカバーフィルムの厚み程度の高さ分だけ、フィル
ム基材２０１の表面から突出した状態となっている。

【００４４】引き続き、図２（ｅ）に示すように、フィ
ルム基材２０１にリジッド配線基板２０５、屈曲配線基
板２０６を積層配置する。この時、貫通孔に対応するリ
ジッド配線基板、屈曲配線基板上のランド径は積層位置
合わせ精度の余裕を考慮し、貫通孔の径の約２〜３倍程
度に設定するのが一般的である。このリジッド配線基板
として図３（ａ）に示すように、リジッド配線基板３０
１の一部に貫通部が設けられたものを用いれば、積層の
際に大判でリジッド配線基板を扱うことができる。

【００４５】ここで、図３のリジッド配線基板３０１の
A-A断面が図２（ｅ）に示したリジッド配線基板２０５
に相当し、リジッド配線基板３０１の貫通部が複合配線
基板の屈曲部に相当することになる。

【００４６】図２（ｅ）ではリジッド配線基板として、
4層配線基板を示しているが剛性が確保できれば、本願
発明においては配線層数、基板厚み、基板の種類は問わ
ない。基板の種類としては、例えば、セラミック基板、
ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ビルドアップ
基板、全層IVH構造樹脂多層基板、フィラー入り樹脂基
板等を用いることが出来る。図に示すような全層ＩＶＨ
構造樹脂多層基板を用いれば、リジッド配線基板部での
配線収容性に優れた複合配線基板を実現できる。また、
図２（ｅ）に示した屈曲配線基板２０６はフィルム基材
等を用いた、いわゆるフレキシブル基板であり、単独で
屈曲性を有する基板である。 また、屈曲配線基板は、
フレキシブル基板として屈曲性が確保できれば、配線層
数、基板厚み、基板の種類を問わないことは言うまでも
ない。

【００４７】次に、加熱加圧を加えフィルム基材２０１
とリジッド配線基板２０５と屈曲配線基板２０６を接着
すると共に、リジッド配線基板２０５上の配線と屈曲配
線基板２０６上の配線でフィルム基材に設けられた導電
体２０４を圧縮し、電気的接続を確保すると図２（ｆ）
に示す状態が得られる。

【００４８】フィルム基材２０１としては熱可塑性樹脂
フィルムや熱硬化性樹脂の未硬化樹脂フィルム、フィラ
ー入り樹脂フィルム、樹脂と繊維の複合基材、多孔質樹
脂フィルム等を用いることができる。また、フィルム基
材を図４に示すような断面構造にすることが望ましい。
コアフィルム４０１はフッ素系樹脂、ポリイミド樹脂、
エポキシ樹脂等から構成され、加熱加圧工程で材料が軟
化することなく、貫通孔４０４の壁面の形状が維持され
るのが望ましい。なお、フィルム基材が屈曲部にも形成
される場合は、フィルム基材にも屈曲性が付与されてい
ることが必要であるが、フィルム基材が屈曲部には形成
されない場合にはフィルム基材に屈曲性が付与される必
要がないことはいうまでもない。

【００４９】コアフィルム４０１の表面層には接着剤層
４０２が形成されており、リジッド配線基板、屈曲配線
基板との接着を行うと共にこれらの基板表層の配線を埋
め込む役割を果たす。接着剤層の材料としては、熱硬化
性のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の未硬化状態のも
のが用いられる。接着剤層として、熱可塑性の樹脂を用
いる場合は、耐熱フィルム４０１より軟化温度の低い材
料を用いるのが望ましい。加熱加圧工程の際、導電体４
０３には圧縮力が加わることになるが、貫通孔４０４の
壁面が導電体４０３をフィルム基材面方向に保持するこ
とになり、導電体４０３にかかる圧縮力が逃げることな
く効率的に圧縮されることになる。

【００５０】この様に図２（ｆ）に示す導電体２０４に
高い圧縮力が加わることによって、導電体内の導電粒子
が密に接触し導電体２０４内の電気的接続が確保され
る。また、リジッド配線基板２０５、屈曲配線基板２０
６の表層配線と導電体２０４の間にも高い圧縮力が加わ
り強固な接続が実現され、信頼性の高い電気的接続を得
ることができるのである。

【００５１】リジッド配線基板２０５として、図３
（ａ）に示した形状のリジッド配線基板を用いた場合
は、図３（ｂ）に示した積層接着後の複合配線基板３０
２に対して、リジッド配線基板部３０４を屈曲部３０３
のみで接続するようにＢ部で外形切断を行えば、大判の
状態で複合配線基板を形成することができ、一度に複数
の複合配線基板を一括生産することができる。

【００５２】また、上記した例では、電子部品実装前に
複合配線基板を個片化しているが、複合配線基板を個片
化する前に大判状態で電子部品を実装し、後に個片化す
るのが好ましい。この結果、複合配線基板のハンドリン
グ性が良くなり効率的に電子部品の実装を行うことがで
きるのである。

【００５３】また、リジッド配線基板として個片化され
た基板を用いても構わない。リジッド配線基板として個
片化したものを用いる場合は、リジッド配線基板として
同種の基板を用いる必要はなく、基板構造、基板層数の
異なる基板が混在する複合配線基板を形成することがで
きる。図１２（ａ）、（ｂ）にリジッド配線基板として
異種の基板が混在する場合の製造工程の一部を示してい
る。

【００５４】図１２（ａ）、（ｂ）は、先に述べた製造
工程の図２（ｅ）、（ｆ）に対応している。図１２
（ａ）に示すようにガラスエポキシ基板１２０１と全層
IVH構造樹脂多層基板１２０２を個片化した状態でそれ
ぞれを、導電体１２０５を備えたフィルム基材１２０３
を介し積層配置する。

【００５５】次に導電体１２０５を備えたフィルム基材
１２０３を介し、ガラスエポキシ基板１２０１、全層Ｉ
ＶＨ構造樹脂多層基板１２０２、フィルム基材１２０
３、屈曲配線基板１２０４を加熱加圧によって接着する
と共に、導電体１２０５を圧縮し電気的接続を確保する
と、図１２（ｂ）に示す複合配線基板が形成できる。こ
の加熱加圧工程の際に個片化したリジッド配線基板の厚
みが異なる場合は、圧力が均一に加わるように、基板段
差に応じたプレス金型を用いたり、変形性の高いクッシ
ョンシートを用いることが好ましい。

【００５６】また、フィルム基材１２０３としてプレス
時の厚み方向の圧縮率が大きい材料を用いると、個片化
したリジッド配線基板の厚みが異なる場合でも、フィル
ム基材に設けられた導電体を十分に圧縮することが可能
となる。

【００５７】この場合、薄いリジッド配線基板と接続す
るフィルム基材部は厚いリジッド配線基板と接続するフ
ィルム基材部に比べて圧縮の具合が小さくなるので、薄
いリジッド配線基板と接続するフィルム基材部での導電
体の圧縮が十分確保できる材料の設計をする必要があ
る。

【００５８】フィルム基材として厚み方向に収縮する被
圧縮性の材料、例えば樹脂を発泡させた多孔質の材料を
用いればプレス時の厚み方向の圧縮率が大きく確保で
き、個片化したリジッド配線基板の厚みが異なっても、
容易に導電体を圧縮することが可能となるのでさらに好
ましい。

【００５９】上記の製造方法によれば、基板構造、基板
層数の異なるリジッド基板が混在した複合配線基板を実
現でき、回路設計に応じたリジッド配線基板の組み合わ
せで複合配線基板が形成できる。結果として、無駄のな
い配線収容が実現され、材料コストの面からも有利な複
合配線基板を形成することができる。

【００６０】また、個片化したリジッド配線基板を用い
る場合は図１３（ａ）〜（ｆ）に示す製造方法によって
上記複合配線基板を形成することもできる。

【００６１】まず、図１３（ａ）に示すように個片化し
たリジッド配線基板１３０１、１３０２のそれぞれにフ
ィルム基材１３０３、１３０８とカバーフィルム１３０
４、１３０９を形成する。ここで、フィルム基材をラミ
ネート、プレス等によってリジッド配線基板に固定する
場合には、接着剤の硬化等に注意し、フィルム基材の接
着性が損なわれない条件で固定しなければならない。

【００６２】次に、図１３（ｂ）に示すようにカバーフ
ィルム１３０４、１３０９とフィルム基材１３０３、１
３０８を貫通する様に貫通孔１３０５、１３１０を形成
する。このとき、リジッド配線基板１３０１、１３０２
の配線が貫通孔１３０５、１３１０の穴底に露出した状
態となっている。引き続き図１３（ｃ）に示すように貫
通孔１３０５、１３１０に導電体１３０６、１３１１を
充填し、カバーフィルム１３０４、１３０９を剥離する
と図１３（ｄ）に示すように導電体１３０６、１３１１
がフィルム基材１３０３、１３０８表面から突出した状
態が得られる。

【００６３】次に図１３（ｅ）に示すようにリジッド配
線基板１３０１、１３０２を屈曲配線基板１３０７に積
層配置し、加熱加圧によってフィルム基材１３０３、１
３０８を介し屈曲配線基板１３０７と接着し、導電体１
３０６、１３１１を圧縮することで電気的接続を確保す
ると図１３（ｆ）に示す複合配線基板を形成することが
できる。図１３（ｆ）の複合配線基板の場合、屈曲部分
で配線が露出した状態であるが、配線を覆うようにソル
ダーレジスト、保護層を形成すれば、配線の繰り返し曲
げ性を向上させることができる。また、屈曲配線基板と
して基板内層に配線層を有する構造のものを用い、屈曲
部において配線が露出しないようにすれば、配線の繰り
返し曲げ性がさらに向上する。

【００６４】なお、上記した例の場合には、フィルム基
材が屈曲部に形成されないので、必ずしもフィルム基材
として屈曲性が付与される必要がないことは言うまでも
無い。

【００６５】ここで、図１３（ａ）に示した個片化した
リジッド配線基板１３０１、１３０２へのフィルム基材
１３０３、１３０８とカバーフィルム１３０４、１３０
９の形成は、それぞれのリジッド配線基板が大判の状態
で一括形成を行った後に個片化するのが生産性に優れた
方法である。

【００６６】また、大判の状態でリジッド配線基板にフ
ィルム基材を形成し、貫通孔を加工し、導電体を充填し
た後に個片化しても構わない。上記したフィルム基材の
大判状態での一括形成は、図２９（ａ）〜（ｅ）示した
製造方法によって実現することができる。

【００６７】まず、図２９（ａ）に示すように、リジッ
ド配線基板２９０１にフィルム基材２９０２とカバーフ
ィルム２９０３を形成する。このフィルム基材２９０２
とカバーフィルム２９０３の形成は先の述べた例と同様
に、ラミネート、プレス等によってリジッド配線基板上
に固定される。

【００６８】次に、図２９（ｂ）に示すようにカバーフ
ィルム２９０３とフィルム基材２９０２を貫通する様に
貫通孔２９０４を形成する。このとき、リジッド配線基
板２９０１の配線が貫通孔２９０４の穴底に露出した状
態になっている。この貫通孔の形成は、レーザー加工等
によって行われるのが生産性に優れた方法である。引き
続き、図２９（ｃ）に示すように、貫通孔２９０４に導
電体２９０５を充填し、カバーフィルム２９０３を剥離
すると図２９（ｄ）に示した状態が得られる。貫通孔２
９０４への導電体２９０５の充填はスキージを用いた印
刷によって行われるのが生産性に優れた方法である。こ
の状態でリジッド配線基板の個片化を行うと、図２９
（ｅ）に示した状態になる。

【００６９】なお、リジッド配線基板の個片化はレーザ
ー加工や打ち抜き加工等によって行うのが好ましい。こ
こでの個片化は完全に個片化しても構わないし、一部で
個片同士がつながっていても構わない。一部で個片同士
をつなげた状態の場合は大判状で扱うことができ、ハン
ドリング性に優れる。この場合、複合配線基板製造の最
終工程でこの個片同士を一部でつなげている部分を打ち
抜き加工、レーザー加工等によって切り離す必要がある
ことは、先に説明した一例と同様である。

【００７０】上記した製造方法では、貫通孔２９０４へ
の導電体２９０５の充填の際に、フィルム基材２９０２
と一体化したリジッド配線基板２９０１表面に凹凸形状
がなく、スキージの印刷による充填が安定して実現でき
る。

【００７１】この個片化したリジッド配線基板の状態は
すなわち、図１３（ｄ）で示したリジッド配線基板に対
応し、図１３（ｅ）〜（ｆ）の工程を経て同様に本発明
にかかる複合配線基板を製造することができる。

【００７２】また、フィルム基材の大判状態での一括形
成は、図３０（ａ）〜（ｅ）示した製造方法によっても
実現することができる。

【００７３】まず、図３０（ａ）に示すように、リジッ
ド配線基板３００１にフィルム基材３００２とカバーフ
ィルム３００３を形成する。このリジッド配線基板３０
０１は図１３（ａ）に示したように、完全に個片化され
ていても構わないし、一部で個片同士がつながっていて
も構わない。一部で個片同士がつながったリジッド配線
基板３００１を用いた場合は、最終工程でこの個片同士
を一部でつなげている部分を打ち抜き加工、レーザー加
工等によって切り離す必要がある。

【００７４】このフィルム基材３００２とカバーフィル
ム３００３の形成は先に述べた例と同様に、ラミネー
ト、プレス等によってリジッド配線基板上に固定され
る。

【００７５】次に、図３０（ｂ）に示すようにカバーフ
ィルム３００３とフィルム基材３００２を貫通する様に
貫通孔３００４を形成する。このとき、リジッド配線基
板３００１の配線が貫通孔３００４の穴底に露出した状
態になっている。この貫通孔の形成は、レーザー加工等
によって行われるのが生産性に優れた方法である。引き
続き、図３０（ｃ）に示すように、貫通孔３００４に導
電体３００５を充填し、カバーフィルム３００３を剥離
すると図３０（ｄ）に示した状態が得られる。貫通孔３
００４への導電体３００５の充填はスキージを用いた印
刷によって行われるのが生産性に優れた方法である。こ
の状態で個片状のリジッド配線基板をつなぐフィルム基
材を切断すると、図３０（ｅ）に示した状態になる。こ
こでの、フィルム基材の切断は貫通孔３００４の形成に
用いたレーザー加工と設備を共用することができ、生産
性に優れる。

【００７６】上記した製造方法では、貫通孔３００４へ
の導電体３００５の充填の際に、フィルム基材３００２
と一体化したリジッド配線基板３００１表面に凹凸形状
がなく、スキージの印刷による充填が安定して実現でき
るのは先に述べた例と同様である。

【００７７】この個片化したリジッド配線基板の状態は
すなわち、図１３（ｄ）で示したリジッド配線基板に対
応し、図１３（ｅ）〜（ｆ）の工程を経て同様に本発明
にかかる複合配線基板を製造することができる。

【００７８】また、フィルム基材１３０３、１３０８の
厚みをリジッド配線基板１３０１、１３０２の厚みに応
じて変化させ、リジッド配線基板１３０１、１３０２に
フィルム基材１３０３、１３０４が積層された状態の厚
みをそろえると、加熱加圧工程の際に容易に圧力の均一
化がはかられ、プレス金型等を用いることなく一括処理
することができる。この結果として、簡便な方法で本実
施の形態にかかる複合配線基板を製造することができる
のである。

【００７９】なお、上記に示した製造方法では異種のリ
ジッド配線基板を全て個片化して積層しているが、一種
類のリジッド配線基板については大判状で積層すること
が可能である。大判状で扱うリジッド配線基板は貫通部
を設けるため、材料の捨てるところが多くなる。そこ
で、異種のリジッド配線基板のなかで基板コストの小さ
いものを大判状で扱うことがコスト的に有利な選択であ
る。

【００８０】なお、言うまでもなく上記した製造方法
で、同種のリジッド配線基板を個片化して積層し、図２
８に示すような複合配線基板の構造を実現してもよい。
個片化して積層する製造方法は小規模な設備で製造でき
るため、少数ロットで複合配線基板を製造する場合に適
した製造方法である。

【００８１】なお、図２ではリジッド配線基板として全
層ＩＶＨ構造樹脂多層基板の例を示したが、リジッド配
線基板での配線収容性が高くない場合は、リジッド配線
基板としてガラスエポキシ多層基板等の安価な基板を用
いれば、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、同様の製造
方法によって低コストで本実施の形態にかかる複合配線
基板を形成することができる。なお、リジッド配線基板
の材料としては前述した通りに全層ＩＶＨ構造樹脂多層
基板やガラスエポキシ配線基板に限定されるものではな
い。

【００８２】図５（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２
（ｅ）、（ｆ）に相当する。図５（ａ）に示すように、
ガラスエポキシ基板５０１と屈曲配線基板５０２が導電
体５０４を備えたフィルム基材５０３を挟んで積層配置
される。次に、加熱加圧を加えガラスエポキシ基板５０
１、フィルム基材５０３、屈曲配線基板５０２を接着
し、導電体５０４を圧縮することで電気的接続を確保す
れば、図５（ｂ）に示す複合配線基板が得られる。ま
た、図５（ａ）に示したガラスエポキシ基板の構造はこ
れに限るものではなく、ＩＶＨ基板で合っても構わない
し、貫通スルーホールが樹脂埋めされた構造であっても
構わない。

【００８３】なお、図２では屈曲配線基板として、貫通
孔が導電体によって埋められ、貫通孔の直上に部品実装
用のランドが形成できる基板を用いた例を示したが、図
６（ａ）、（ｂ）に示すように屈曲配線基板として、貫
通孔壁面にめっきによって導電体を形成し層間の接続を
行ったフレキシブル配線基板を用いれば、同様の製造方
法によって本実施の形態にかかる複合配線基板をより安
価に形成することができる。図６（ａ）、（ｂ）はそれ
ぞれ図２（ｅ）、（ｆ）に相当する。図６（ａ）に示す
ようにリジッド配線基板６０１とフレキシブル配線基板
６０２が導電体６０４を備えたフィルム基材６０３を挟
んで積層配置される。次に、加熱加圧を加えリジッド配
線基板６０１、フィルム基材６０３、屈曲配線基板６０
２を接着し、導電体６０４を圧縮することで電気的接続
を確保すれば、図６（ｂ）に示す複合配線基板が得られ
る。

【００８４】また、本実施の形態にかかる複合配線基板
は図７（ａ）〜（n）に示す製造方法によっても形成す
ることができる。ここで、先に述べた例と重複する部分
については説明を簡略化して述べることにする。図７
（ａ）に示したのは転写基材７０３であり、配線７０２
と支持基材７０１より構成され、配線７０２は支持基材
７０１上に保持されている。配線７０２は支持基材７０
１上の全面に形成された配線材料をパターンエッチング
して形成してもよいし、支持基材７０１上にパターンめ
っきによって形成してもよい。配線材料としては、銅を
用い表面が粗化された状態であるのが一般的である。配
線表面の粗化は配線の密着性を確保するのに有効であ
る。配線７０２として微細なパターンを用いる場合はめ
っきによる配線形成の方が適している。

【００８５】支持基材７０１は配線７０２を保持する役
割を持たせたもので、ハンドリングするのに十分な剛性
があれば、材料は金属箔であっても樹脂フィルムであっ
ても構わない。支持基材が金属箔の場合、薬液を選べば
配線を侵さずに容易に除去が可能である。また、支持基
材が樹脂フィルムの場合は配線転写後、機械的に剥離し
除去することが可能である。

【００８６】次に、図７（ｂ）に示すように転写基材７
０３の配線側に絶縁層７０４とカバーフィルム７０５を
積層する。この積層の際、絶縁層７０４の固定は後の工
程での接着力を損なわない程度の熱および圧力を加え行
われる必要がある。次に絶縁層７０４とカバーフィルム
７０５を貫通する貫通孔７０６を形成すると図７（ｃ）
に示した状態が得られる。絶縁層７０４としてはエポキ
シ等の熱硬化性樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂等
の熱可塑性のフィルム基材、両面接着剤つきのフィルム
基材等屈曲性を有するものが用いられる。

【００８７】この貫通孔７０６は穴底に配線７０２が露
出した状態になっている。この貫通孔の加工として炭酸
ガスレーザー・ＹＡＧレーザー・エキシマレーザー等の
レーザー加工を用いれば、貫通孔底の配線を露出させて
貫通孔加工を実現することができる。これは、有機材料
と金属のレーザー加工レートの違いから実現されるもの
であるが、適当なレーザー加工の条件を選択することで
露出した配線にダメージを与えることなく貫通孔の形成
を行うことができる。また、貫通孔底に樹脂成分が残存
した場合には、デスミア処理等によって除去しておくこ
とが好ましい。

【００８８】次に図７（ｄ）に示すように貫通孔７０６
に導電体７０７を充填する。導電体７０７としては、導
電性ペーストを用いるのが一般的である。印刷工法によ
れば、大面積に対して一括で導電性ペーストを充填する
ことが可能であり生産性が高い。

【００８９】導電性ペーストは、銅、銀、等の金属導電
粒子と樹脂成分から構成される。このときカバーフィル
ム７０５は導電性ペーストが絶縁層７０４の表面に付着
するのを防ぐ保護の役割と、導電性ペーストの充填量を
確保する役割を果たす。

【００９０】次にカバーフィルム７０６を剥離すること
で、図７（ｅ）に示す状態を得る。導電体７０７はカバ
ーフィルムによって充填量を確保している。つまり、導
電体はカバーフィルムの厚み程度の高さ分だけ、絶縁層
７０４の表面から突出した状態となっている。

【００９１】次に図７（ｆ）に示すように配線材料７０
８を積層し加熱加圧によって絶縁層７０４に接着する。
この配線材料７０８は銅箔等の金属箔を用いるのが一般
的である。このときに導電体７０７が圧縮され電気的接
続が確保されるのは先に述べた例と同様である。この配
線材料７０８をエッチングによってパターニングし配線
７１４を形成すると図７（ｇ）の状態が得られ、支持基
材７０１上に２層の配線を有する屈曲配線基板７０９が
形成されている。

【００９２】ここで、支持基材７０１として導電材料を
用い、導電体７０７を電気めっきによって形成しても良
い。導電体７０７は電気めっきで銅を形成するのが一般
的である。引き続き、配線７１４をパターンめっきによ
って形成することによって図７（ｇ）の状態が得られ
る。パターンめっきで配線７１４を形成すると、よりフ
ァインな配線７１４を形成することができる。この場
合、絶縁層７０４に用いる樹脂はめっき工程で薬液に侵
されないような材料を用いるのが好ましい。絶縁層７０
４が未硬化の樹脂の場合は硬化させておくのが良い。

【００９３】引き続き、図７（ｈ）に示すように屈曲配
線基板７０９上にフィルム基材７１０とカバーフィルム
７１１を形成する。ここではあらかじめフィルム基材７
１０の片面にカバーフィルム７１１が形成された状態で
屈曲配線基板上にラミネートによって貼り付けるのが簡
便な方法である。このフィルム基材ラミネート工程は後
のフィルム基材接着工程より低い温度で行い、フィルム
基材の密着力を損ねないよう注意する必要がある。

【００９４】次に図７（ｉ）に示すように、フィルム基
材７１０とカバーフィルム７１１を貫通する貫通孔７１
２を形成する。この貫通孔は絶縁層７０４への貫通孔加
工同様、レーザー加工によって形成することができる。

【００９５】次に図７（ｊ）に示すように貫通孔７１２
に導電体７１３を充填する。導電体としては、導電性ペ
ーストを用いるのが簡便である。次にカバーフィルム７
１１を剥離すると図７（ｋ）の状態が得られる。ここで
導電体７１３がフィルム基材７１０から突出した形状で
あるのは言うまでもない。

【００９６】引き続き、図７（ｌ）に示すようにリジッ
ド配線基板７１５を積層配置し、加熱加圧によってフィ
ルム基材７１０と接着を行い、導電体７１３を圧縮する
ことによって電気的接続を確保すると図７（ｍ）の状態
が得られる。次に支持基材７０１を除去すれば、図７
（ｎ）に示す複合配線基板が得られる。なお、屈曲部に
おける絶縁層７０４とフィルム基材７１０はあらかじめ
接着しているので、リジッド配線基板７１５とフィルム
基材７１０との加熱加圧による接着工程の際に、デラミ
ネーションが発生しにくくなっている。また、加熱加圧
工程の際に樹脂、金属箔等のプレスシートをあらかじめ
複合配線基板の形状にそって覆うように真空ラミネート
等で貼り付けると、加熱加圧時の屈曲部分でのうねりを
抑制することができるのである。

【００９７】上記、製造方法によれば、屈曲配線基板の
形成に続いて連続してリジッド配線基板との接続用のフ
ィルム基材を形成することができ簡便な製造方法を実現
できる。また、屈曲配線基板は屈曲性をもたせるために
薄く形成されることが多く、ハンドリングが困難であっ
たが、上記に示した製造方法によれば屈曲配線基板が支
持基材上に保持されているためハンドリング性が良く扱
いやすい利点がある。

【００９８】また、絶縁層７０４に設けられた導電体７
０７とフィルム基材７１０に設けられた導電体７１３は
それぞれの貫通孔の径や深さに応じて最適な粘度、粒度
分布等をもつ導電性ペーストを用いることが、電気的接
続をより安定確保する上で好ましい。

【００９９】一方、絶縁層７０４とフィルム基材７１０
を同じ材料として、絶縁層７０４に設けられた導電体７
０７とフィルム基材７１０に設けられた導電体７１３を
同じ材料にすれば、製造工程を共通化することができ、
生産性に優れた製造工程を実現できる。

【０１００】また、上記製造方法では、支持基材７０１
上に２層の配線を有する屈曲配線基板７０９を形成し、
リジッド配線基板７１５と接続する例を示しているが、
屈曲配線基板の配線層数はこれに限ったものではない。
同様の製造工程を繰り返すことで、容易に多層の屈曲配
線基板を形成することが可能であり、屈曲配線基板での
配線収容性を向上させることができる。その結果として
配線収容性に優れた複合配線基板を実現できる。

【０１０１】また、本実施の形態にかかる複合配線基板
は図１０（ａ）〜（ｇ）に示す製造方法によっても形成
することができる。ここで、先に述べた例と重複する部
分については説明を簡略化して述べることにする。

【０１０２】図１０（ａ）に示したのは屈曲配線基板１
００１である。図では、２層の配線層を有する屈曲配線
板で、層間の電気的接続が導電体１００２によってなさ
れる構造のものを示しているが、配線層数、屈曲配線基
板の構造はこれに限ったものではない。

【０１０３】屈曲配線基板１００１上にフィルム基材１
００３、カバーフィルム１００４を積層すると図１０
（ｂ）に示す状態が得られる。このときのフィルム基材
１００３の形成は、後の積層接着工程でのフィルム基材
１００３の接着力を損なわないような、温度・圧力条件
で行う必要がある。次に、図１０（ｃ）に示すようにカ
バーフィルム１００４、フィルム基材１００３を貫通す
る貫通孔１００５を形成する。このとき、貫通孔１００
５の穴底に屈曲配線基板の配線が露出した状態となって
いる。

【０１０４】次に図１０（ｄ）に示すように、貫通孔１
００５に導電体１００６を充填し、カバーフィルム１０
０４を剥離すると図１０（ｅ）の状態になる。引き続
き、図１０（ｆ）に示すようにリジッド配線基板１００
７を積層配置し、図１０（ｇ）に示すように加熱加圧に
よってリジッド配線基板１００７とフィルム基材１００
３との接着を行い、導電体１００６を圧縮することによ
って電気的接続が確保され、複合配線基板が形成され
る。一般的に、リジッド配線基板１００７の表面配線に
比べて屈曲配線基板１００１の表面配線の方がファイン
であることが多い。

【０１０５】上記製造方法によると、貫通孔１００５を
形成する際に、屈曲配線基板１００１上の配線パターン
を認識しながら高精度な位置合わせによって貫通孔１０
０５を加工することが可能となり、貫通孔１００５の位
置精度が向上し、貫通孔１００５をファインピッチに加
工できる。結果として、屈曲配線基板とリジッド配線基
板をファインピッチな導電体で電気的に接続することが
でき、高密度配線を有する複合配線基板を形成すること
ができる。

【０１０６】また、本実施の形態にかかる複合配線基板
は図１１（ａ）〜（ｆ）に示す製造方法によっても形成
することができる。ここで、先に述べた例と重複する部
分については説明を簡略化して述べることにする。

【０１０７】まず、図１１（ａ）に示すようにリジッド
配線基板１１０１にフィルム基材１１０２とカバーフィ
ルム１１０３を形成する。このときのフィルム基材１１
０２の形成は、後の積層接着工程でのフィルム基材１１
０２の接着力を損なわないような、温度・圧力条件で行
う必要がある。次に図１１（ｂ）に示すようにカバーフ
ィルム１１０３とフィルム基材１１０２を貫通する貫通
孔１１０４を形成する。このとき、リジッド配線基板１
１０１上の配線が貫通孔１１０４の穴底に露出した状態
になっている。

【０１０８】引き続き、図１１（ｃ）に示すように貫通
孔１１０４に導電体１１０５を充填し、カバーフィルム
１１０３を剥離すると図１１（ｄ）の状態が得られる。
次に、図１１（ｅ）に示すように屈曲配線基板１１０６
を積層配置し加熱加圧によってフィルム基材１１０２と
の接着を行い、導電体１１０５を圧縮することで電気的
接続を確保すると、図１１（ｆ）に示す複合配線基板が
形成できる。

【０１０９】ここで、リジッド配線基板１１０１、屈曲
配線基板１１０６の構造は図に示した構造に限らないの
は言うまでもない。

【０１１０】上記製造方法によれば、リジッド配線基板
１１０１側にフィルム基板１１０２を先に貼り付けるの
で、搬送、加工等のハンドリングが煩雑であるフィルム
基板１１０２をリジッド配線基板１１０１と一体化して
扱えるので製造工程が簡便化する。

【０１１１】また、屈曲配線基板での高い配線収容性を
求められない場合には、図８（ａ）〜（ｈ）に示すよう
な製造方法によって、リジッド配線基板との接着用のフ
ィルム基材が、屈曲配線基板を兼ねる形で複合配線基板
を形成することができる。図８（ａ）に示したのは配線
８０７と支持基材８０８からなる転写基材８０１であ
る。次に転写基材８０１に対してフィルム基材８０３と
カバーフィルム８０２を形成すると図８（ｂ）に示した
状態が得られる。ここで、フィルム基材８０３は屈曲配
線基板の絶縁層を兼ねている。

【０１１２】次に図８（ｃ）に示すようにカバーフィル
ム８０２とフィルム基材８０３を貫通する貫通孔８０４
を形成する。この貫通孔８０４に導電体８０５を充填す
れば、図８（ｄ）の状態が得られ、さらに表面のカバー
フィルム８０２を剥離すると図８（ｅ）の状態が得られ
る。次に、図８（ｆ）に示すようにリジッド配線基板８
０６を積層配置し、加熱加圧を加え転写基材８０１との
接着を行うと、図８（ｇ）の状態が得られる。ここで、
導電体８０５が圧縮され電気的接続が確保されている。

【０１１３】引き続き、支持基材８０８を除去すると図
８（ｈ）に示す複合配線基板が得られる。図８（ｈ）の
状態では屈曲部分において配線８０７が露出した状態に
なっているが、実際は電子部品のはんだ実装の際にソル
ダーレジストを基板表面に形成することが一般的であ
り、屈曲部分配線８０９はソルダーレジストに覆われる
ことになる。このソルダーレジストによる屈曲部分配線
８０７の保護で配線の耐屈曲性が不十分な場合は、図９
に示すように屈曲部分配線９０１を覆う保護層９０２を
形成すればよい。保護層９０２は樹脂を表面コートして
形成してもよいし、フィルム状の保護層をラミネート等
により貼り付けても良い。

【０１１４】なお、図９では屈曲部分配線９０１を覆う
用に保護層９０２を形成した例を示しているが、この保
護層９０２は複合配線基板の全面を覆うように設けても
構わない。また、屈曲部分配線は１層のフィルムで構成
されているが、これに限ることなく多層のフィルムで構
成しても良い。その場合は、内層部分に配線を設けるよ
うにすればさらに良い。

【０１１５】また、本実施の形態にかかる複合配線基板
は図１４（ａ）〜（ｄ）に示す製造方法によっても形成
することができる。ここで、先に述べた例と重複する部
分については説明を簡略化して述べることにする。

【０１１６】図１４（ａ）に示す様に、導電体１４０２
を備えたフィルム基材１４０１の両面にリジッド配線基
板１４０３、屈曲配線基板１４０４が積層配置される。
ここで示した導電体１４０２を備えたフィルム基材１４
０１は、図２（ａ）〜（ｄ）に示したのと同じ製造方法
で形成される。また、リジッド配線基板１４０３は大判
状態で形成されている。ここで、屈曲部１４０５領域に
相当するフィルム基材部１４０７、屈曲部１４０５領域
に相当するリジッド配線基板部１４０８の少なくとも一
方にリケイ処理を施す。リケイ処理としては、シリコー
ン系の樹脂をコートするのが良い。

【０１１７】また、屈曲部１４０５領域に相当するフィ
ルム基材部１４０７表面の未硬化樹脂を熱硬化・ＵＶ硬
化等で局所的に硬化させても良い。また、フィルム基材
１４０１として表層に接着剤層が形成されている場合
は、部分的に接着剤を薬液等で除去しても同様の効果が
得られる。

【０１１８】次に、加熱加圧によってリジッド配線基板
１４０３、フィルム基材１４０１、屈曲配線基板１４０
４を接着し、導電体１４０２を圧縮し電気的接続を確保
すると、図１４（ｂ）に示す状態が得られる。引き続
き、図１４（ｃ）に示すように、屈曲部１４０５の領域
周囲に切り込み１４０６を形成しする。この切り込み加
工はＶ溝加工によってハーフカットに加工深さを調整し
ながら行うのが良い。次に、屈曲部１４０５部分に相当
するリジッド配線基板部を剥離除去すれば、図１４
（ｄ）に示す複合配線板が形成できる。ここで、屈曲部
１４０５においてフィルム基材１４０１とリジッド配線
基板１４０３はリケイ処理によって接着力を弱めている
ため、容易に屈曲部のリジッド配線基板を機械的剥離等
によって除去することができるのである。

【０１１９】上記製造方法によれば、リジッド配線基
板、フィルム基材、屈曲配線基板が切り抜き等の段差が
無いシート状であるので、容易に面内で均一圧力を加え
ることができる。結果として、容易にフィルム基材と屈
曲配線基板を気泡無く貼り付けることがでることとな
る。そのため、フィルム基材と屈曲配線基板上の配線の
密着力を高め、屈曲部分での繰り返し曲げに対する配線
劣化特性に優れた複合配線基板を提供できるのである。

【０１２０】尚、上記の製造方法で示した屈曲配線基
板、リジッド配線基板の構造・配線層数は例に示したも
のに限定されるものではなく、様々な形態の屈曲配線基
板・リジッド配線基板を用いても同様にして、本実施の
形態にかかる複合配線基板を実現できる。

【０１２１】なお、上記した複合配線基板はリジッド配
線基板表面を屈曲配線基板が完全に覆った例を示してい
るが、屈曲配線基板が必ずしもリジッド配線基板表面を
完全に覆っている必要はない。屈曲配線基板として高価
なフレキシブル配線基板を用いる場合には、屈曲配線基
板での配線収容に問題がなければ、必要な部分にのみ屈
曲配線基板を配置するのがコスト的に有利である。

【０１２２】この様な複合配線基板の断面構造の一例を
図２４、図２５、図２６に示した。これらはそれぞれ既
に述べた図２（ｆ）、図８（ｈ）、図１２（ｂ）の構造
において、部分的にリジッド配線基板を露出させた構造
に対応する。

【０１２３】（実施の形態２）実施の形態２の複合配線
基板について、図を用いて説明する。図１５に示すよう
に、本実施の形態にかかる複合配線基板は、屈曲配線基
板部１５０５の両側にリジッド配線基板部１５０１、１
５０２、１５０８、１５０９が形成されている。

【０１２４】リジッド配線基板部１５０１、１５０２、
１５０８、１５０９の配線と屈曲配線基板部１５０５の
配線はフィルム基材１５０３、１５０４に設けられた導
電体１５０７、１５１１によって電気的に接続されてい
る。導電体１５０７、１５１１はフィルム基材１５０
３、１５０４に設けられた貫通孔１５０６、１５１０に
導電性ペーストを充填することにより形成することがで
きる。

【０１２５】このような構成をとれば、リジッド配線基
板部を屈曲配線基板部の片面に配置する場合に比べてリ
ジッド配線基板部の占有する面積を小さくすることがで
きる。このような構成は、比較的部品点数の少ないリジ
ッド配線基板部を狭い占有面積で屈曲配線基板部に接続
する場合に有利である。また、屈曲配線基板部を挟んで
対向するリジッド配線基板部どうしは必ずしも電気的に
接続されている必要がなく、独立した回路構成であって
もかまわない。

【０１２６】図１５では、リジッド配線基板として全層
ＩＶＨ構造樹脂多層基板を用いた例を示している。この
例によればリジッド配線基板部での配線収容性を高め高
密度な複合配線基板を実現できる。また、リジッド配線
基板部としてガラスエポキシ基板等の安価な基板を用い
れば、低コストで本実施の形態にかかる複合配線基板を
形成できる。また、屈曲配線基板部の両側に異なる構造
のリジッド配線基板部を積層しても構わない。

【０１２７】また、図１５では屈曲配線基板部として、
貫通孔が導電体によって埋められ、貫通孔の直上に部品
実装用のランドが形成できる基板を用いた例を示した
が、屈曲配線基板部がこの構造に限定されるものではな
い。

【０１２８】次に本実施の形態にかかる複合配線基板の
製造方法について図１６（ａ）、（ｂ）を用いて説明す
る。尚、既に述べた実施の形態と重複する部分について
は説明を簡略化して述べる。

【０１２９】図１６（ａ）に示すように屈曲配線基板１
６０５の両側にリジッド配線基板１６０１、１６０２
が、導電体１６０６、１６０８が形成されたフィルム基
材１６０３、１６０４を挟んで積層配置されている。こ
れらのフィルム基材は図２（ａ）〜（ｄ）に示したのと
同様の製造方法で形成され、フィルム基材１６０３、１
６０４に設けられた貫通孔１６０７、１６０９に導電体
１６０６、１６０８が充填された状態となっている。

【０１３０】また、フィルム基材１６０３、１６０４に
ついては同じ構成である必要がなく、それぞれのフィル
ム基材に設けられた導電体の圧縮率、貫通孔径によって
最適に変化させればよい。

【０１３１】また、導電体１６０６、１６０８について
も、同じ材料である必要がなく、貫通孔径によって導電
性ペーストの粒度分布、樹脂成分、導電性粒子量等を最
適化すればよい。

【０１３２】また、フィルム基材１６０３、１６０４、
導電体１６０６、１６０８として、それぞれが共通材料
構成を用いることができるように複合配線基板の構成設
計を行えば、製造工程を共通化でき簡便な製造方法が実
現できるのは言うまでもない。

【０１３３】次に、加熱加圧によってフィルム基材１６
０３、１６０４を介してリジッド配線基板１６０１、１
６０２と屈曲配線基板１６０５を接着する。このとき、
フィルム基材１６０３、１６０４に設けられた導電体１
６０６、１６０８が圧縮され電気的接続が確保され、図
１６（ｂ）に示すような複合配線基板が形成できる。

【０１３４】上記製造方法では、フィルム基材１６０
３、１６０４と屈曲配線基板１６０５の接着とフィルム
基材１６０３、１６０４とリジッド配線基板１６０１、
１６０２の接着を一括して行う工法を示したが、図１７
（ａ）〜（ｅ）に示した製造方法の様に、先に屈曲配線
基板側にフィルム基材を形成しても良い。

【０１３５】図１７（ａ）に示したのは屈曲配線基板１
７０１であり、この屈曲配線基板１７０１の両側にフィ
ルム基材１７０２、１７０３とカバーフィルム１７０
４、１７０５を形成すると図１７（ｂ）の状態が得られ
る。

【０１３６】次に、フィルム基材１７０２、１７０３と
カバーフィルム１７０４、１７０５を貫通する貫通孔１
７０８、１７０９を形成すると図１７（ｃ）に示す状態
が得られる。ここで、貫通孔１７０８、１７０９の穴底
には、屈曲配線基板１７０１の配線が露出されている。
引き続き図１７（ｄ）に示すように貫通孔１７０８、１
７０９に導電体１７０６、１７０７を充填する。次にカ
バーフィルム１７０４、１７０５を剥離すると図１７
（ｅ）に示す状態が得られる。

【０１３７】図１７（ｅ）に示した状態で両側からリジ
ッド配線基板を積層配置し加熱加圧により接着すること
で導電体１７０６、１７０７が圧縮され電気的接続が確
保されると図１６（ｂ）と同様の複合配線基板を形成す
ることができる。

【０１３８】上記製造方法によれば、貫通孔１７０８、
１７０９を形成する際に、屈曲配線基板１７０１の配線
を認識しながら加工することができ貫通孔の加工位置精
度を向上させることができる。結果として導電体１７０
６、１７０７をファインピッチに形成することができ、
複合配線基板の配線収容性を高めることができるのであ
る。

【０１３９】また、屈曲配線基板１７０１にシート状の
フィルム基材１７０２、１７０３をラミネート等によっ
て貼り付け図１７（ｂ）の状態にする際に、屈曲配線基
板１７０１とフィルム基材１７０２、１７０３の間の気
泡を充分に取ることが容易であり、結果としてフィルム
基材１７０２、１７０３と屈曲配線基板１７０１の密着
力を向上させることができる。

【０１４０】また、図１８に示すような製造方法でも同
様の複合配線基板を形成できる。図１８（ａ）に示すよ
うに、先の実施の形態１にかかる複合配線基板１８０１
を形成しておき、屈曲配線基板１８０２の他方の面に実
施の形態１で述べた各種の製造方法によって、導電体１
８０３が形成されたフィルム基材１８０４を介してリジ
ッド配線基板１８０５と積層接着すれば、図１８（ｂ）
に示す複合配線基板を得ることができる。

【０１４１】なお、リジッド配線基板として個片化した
ものを用いる場合、図１２、図１３で既に述べた製造方
法を用いると、リジッド配線基板として構造・配線層数
の異なるものを自由に屈曲配線基板の両側に配置するこ
とができることとなる。

【０１４２】なお、屈曲配線基板の両面に配置するリジ
ッド配線基板は図１８で示した例の様に、基板面積が同
一である必要はなく、配線収容に必要な大きさのリジッ
ド配線基板をそれぞれ対向配置しても構わない。

【０１４３】また、屈曲配線基板で高い配線収容性が求
められない場合には、屈曲配線基板とリジッド配線基板
との接続用のフィルム基材を兼ねる形で本実施の形態に
かかる複合配線基板を形成することができる。図１９
（ａ）に示した複合配線基板１９０１は図８に示した製
造方法によって形成される複合配線基板であり、接続用
のフィルム基板が屈曲配線基板を兼ねている。次に図１
９（ｂ）に示すように、この複合配線基板１９０１の他
方の面に実施の形態１で述べた各種の製造方法によって
導電体１９０３が形成されたフィルム基材１９０２を形
成する。

【０１４４】引き続き、図１９（ｃ）に示すようにリジ
ッド配線基板１９０４を積層配置し、加熱加圧によって
フィルム基材１９０２との接着を行い、導電体１９０３
を圧縮し電気的接続を確保すれば、図１９（ｄ）に示す
複合配線基板を得ることができる。このような構成をと
れば、屈曲部１９０５でリジッド配線基板どうしを接続
する配線数が少ない場合、必要以上に屈曲部１９０５形
成のための屈曲配線基板層数を増やす必要がなくなり、
低コストで本実施の形態にかかる複合配線基板を得るこ
とができる。

【０１４５】（実施の形態３）実施の形態３の複合配線
基板について、図を用いて説明する。図２０に示すよう
に、本実施の形態にかかる複合配線基板は、屈曲部２０
０１において屈曲配線基板部が複数層設けられた構成を
している。図２０に示すように、リジッド配線基板部２
００２の両側に屈曲配線基板部２００３が形成されてい
る。この両側の屈曲配線基板部２００３は互いに完全に
対向している必要はなく、図２１に示すように上側の屈
曲配線部２１０２と下側の屈曲配線部２１０３が複合配
線基板２１０１の厚み方向でずれた位置に配置されてい
ても構わない。

【０１４６】このような構成をとれば、リジッド配線基
板どうしのねじり方向への屈曲自由度が増し、さらに複
合配線基板の配置の選択幅が広がることとなる。

【０１４７】なお、リジッド配線基板部の構造・層数、
屈曲配線基板部の構造・層数は図２０で示したものに限
られないことは言うまでも無い。

【０１４８】また、図２０では屈曲配線基板部がリジッ
ド配線基板２００２の表裏層に設けられている例を示し
ているが、リジッド配線基板部を複数積層し屈曲配線基
板部を内層に配置しても構わない。

【０１４９】一般的に、電子部品が実装されるのは基板
表面であり表面層の配線で電子部品どうしを接続するの
が簡便である。図２０に示したように表裏面に屈曲配線
部が形成されている場合、複合配線基板の表裏両面にお
いて屈曲部に設けられた配線を介して自由に電子部品の
配線接続を行うことができ設計の自由度が高くなる。そ
の上、表層の屈曲配線基板によってファイン配線を形成
することが可能であり、さらに高密度な電子部品の実装
が実現できる。

【０１５０】また、３つ以上のリジッド配線基板部を屈
曲配線基板部によって電気的に接続する場合は、図２２
に示すようにリジッド配線基板部２２０１どうしの間
で、電気的に接続しない屈曲部２２０２での屈曲配線基
板部を削除した構成をとれば、より屈曲部での屈曲の自
由度を高めることができる。

【０１５１】次に本実施の形態にかかる複合配線基板の
製造方法について、図２３（ａ）〜（ｃ）を用いて説明
する。尚、既に述べた実施の形態と重複する部分につい
ては説明を簡略化して述べる。

【０１５２】図２３（ａ）の中間体２３０６は、支持基
材２３０１上に配線２３０２が形成された転写基材２３
０３の上に、導電体２３０５が設けられたフィルム基材
２３０４を形成したものであり、図８（ａ）〜（ｅ）に
既に示した製造方法によって形成されるものと同様のも
のである。次に図２３（ｂ）に示すように中間体２３０
６をリジッド配線基板２３０７の両側から積層配置す
る。引き続き加熱加圧によって中間体２３０６とフィル
ム基材２３０４との接着を行い、導電体２３０５を圧縮
することで電気的接続を確保すると、図２３（ｃ）に示
す状態になる。次に両側の支持基材２３０１を除去する
と図２３（ｄ）に示す複合配線基板が得られる。

【０１５３】また、上記製造方法ではフィルム基材が屈
曲配線基板を兼ねている例を示しているが、図７（ａ）
〜（ｋ）に示すような形で支持基材上に屈曲配線基板と
フィルム基材を形成した中間体を用いれば複合配線基板
の表層に配線が露出していない構造を実現することがで
きる。

【０１５４】また、リジッド配線基板の表裏両面に屈曲
配線基板をフィルム基材を介して積層する製造方法につ
いては、支持基材を用いた上記方法に限ったものではな
く実施の形態１ですでに述べた各種の製造方法を用いて
同様に実現することができる。

【０１５５】なお、前記各実施の形態においては複数の
リジッド配線基板が屈曲配線基板を介し電気的に接続
し、複合配線基板として一体化している例を示している
が、一個のリジッド配線基板と屈曲配線基板が一体化し
た構造でも構わない。

【０１５６】実際、２つのリジッド配線基板を屈曲配線
基板によって電気的に接続する場合、すべてのリジッド
配線基板表層に高密度な配線収容が求められるとは限ら
ない。高密度配線が必要なリジッド配線基板部において
屈曲配線基板との一体化構造を採用し、他方のリジッド
配線基板との電気的接続はコネクター、はんだ、ＡＣ
Ｆ、導電性バンプ接続等によって行うことで、所望の配
線収容を実現できる場合がある。

【０１５７】また、図２７に示すように、１つのリジッ
ド配線基板に対して屈曲配線基板部を１つ以上設けて、
屈曲配線基板部にはリジッド配線基板部と重ならない部
分が存在するようにしても良い。屈曲配線基板部２７０
１に半導体パッケージ２７０２もしくは半導体素子２７
０３等の電子部品を実装し、リジッド配線基板部２７０
４に折りたたむことで高密度な実装体を実現することが
できるのである。本発明にかかる複合配線基板では、屈
曲配線基板とリジッド配線基板間を自由な経路で電気的
に接続できるために設計自由度が高く、５０μｍ以下の
微細な貫通孔にて電気的に接続するために、リジッド配
線基板と屈曲配線基板の多数の配線を高密度に接続する
ことが可能となる。このような、複合配線基板は高機能
でＩ／Ｏ端子数の多い半導体パッケージもしくは半導体
素子を実装するのに適した構造を実現できる。

【０１５８】なお、前記各実施の形態において、リジッ
ド配線基板は、配線層数、基板厚み、基板の種類は問わ
ない。基板の種類としては、例えば、セラミック基板、
ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ビルドアップ
基板、全層IVH構造樹脂多層基板、フィラー入り樹脂基
板等を用いることが出来る。

【０１５９】また、前記各実施の形態において、屈曲配
線基板は２層配線基板の一例を示したが、フレキシブル
基板として屈曲性が確保できれば、配線層数、基板厚
み、基板の種類を問わないことは言うまでもない。

【０１６０】また、前記各実施の形態において、導電体
としては導電性ペーストに限られるものではなく、例え
ば金属粉末を充填したもの等を用いても良い。

【０１６１】また、前記各実施の形態において、屈曲配
線基板の配線密度がリジッド配線基板部分の配線密度よ
りも小さい場合や、屈曲配線基板部の配線幅がリジッド
基板部の配線幅より細い場合は、さらなる高密度化が可
能となる。

【０１６２】

【発明の効果】本発明によれば、リジッド配線基板部の
配線と屈曲配線基板部の配線を導電体を備えたフィルム
基材で電気的に接続することによって、複数のリジッド
配線基板どうしを屈曲性を持たせて電気的に接続するこ
とができる。また、コネクター等を用いずに電気的接続
を実現できるので高密度実装が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１にかかる複合配線基板の構成を示
す断面図

【図２】（ａ）〜（ｆ）実施の形態１にかかる複合配線
基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図

【図３】（ａ）大判状態でのリジッド配線基板を示す図 （ｂ）大判状態での複合配線基板を示す図

【図４】フィルム基材の構造を示す断面図

【図５】（ａ）、（ｂ）本発明の実施の形態における他
の構成のリジッド配線基板を用いた製造方法を主要な製
造工程毎に示す断面図

【図６】（ａ）、（ｂ）本発明の実施の形態における他
の構成の屈曲配線基板を用いた製造方法を主要な製造工
程毎に示す断面図

【図７】（ａ）〜（ｎ）実施の形態１にかかる複合配線
基板の製造方法を主要な工程ごとに示す断面図

【図８】（ａ）〜（ｈ）実施の形態１にかかる複合配線
基板の製造方法を、主要な工程ごとに示す断面図

【図９】実施の形態１にかかる複合配線基板において、
保護層を有する構成を示す断面図

【図１０】（ａ）〜（ｇ）実施の形態１にかかる複合配
線基板の製造方法を、主要な工程ごとに示す断面図

【図１１】（ａ）〜（ｆ）実施の形態１にかかる複合配
線基板の製造方法を、主要な工程ごとに示す断面図

【図１２】（ａ）、（ｂ）実施の形態１にかかる複合配
線基板において、基板構造、基板層数の異なるリジッド
配線基板が混在する複合配線基板を形成する場合の製造
方法を主要な工程ごとに示す断面図

【図１３】（ａ）〜（ｆ）実施の形態１にかかる複合配
線基板において、基板構造、基板層数の異なるリジッド
配線基板が混在する複合配線基板を形成する場合の製造
方法を主要な工程ごとに示す断面図

【図１４】（ａ）〜（ｄ）実施の形態１にかかる複合配
線基板の製造方法を主要な工程ごとに示す断面図

【図１５】実施の形態２にかかる複合配線基板の構成を
示す断面図

【図１６】（ａ）、（ｂ）実施の形態２にかかる複合配
線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図

【図１７】（ａ）〜（ｅ）実施の形態２にかかる複合配
線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図

【図１８】（ａ）、（ｂ）実施の形態２にかかる複合配
線基板の製造工程の一部を主要な工程毎に示す断面図

【図１９】（ａ）〜（ｄ）実施の形態２にかかる複合配
線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図

【図２０】実施の形態３にかかる複合配線基板の構成を
示す断面図

【図２１】実施の形態３にかかる複合配線基板におい
て、屈曲部の配置状態を示す図

【図２２】実施の形態３にかかる複合配線基板におい
て、リジッド配線基板部を３箇所有する場合の構成例を
示す断面図

【図２３】（ａ）〜（ｄ）実施の形態３にかかる複合配
線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図

【図２４】本発明にかかる複合配線基板の構造を示す断
面図

【図２５】本発明にかかる複合配線基板の構造を示す断
面図

【図２６】本発明にかかる複合配線基板の構造を示す断
面図

【図２７】本発明にかかる複合配線基板を用いた電子部
品の実装体を示す図

【図２８】本発明にかかる複合配線基板の構造を示す断
面図

【図２９】実施の形態１にかかる複合配線基板の製造方
法の一部を主要な工程毎に示す断面図

【図３０】実施の形態１にかかる複合配線基板の製造方
法の一部を主要な工程毎に示す断面図

【符号の説明】

１０１，１０２，２０５，３０１，３０４，６０１，２
００２，２２０１ リジッド配線基板部 １０３，２０６，５０２，２００３ 屈曲配線基板部 １０４，２０１，８０３，１００３，１１０２，１２０
３，１３０３，１３０８，１４０１，１５０３，１５０
４，１６０３，１６０４，１７０２，１７０３，１８０
４，１９０２，２３０４，２９０２，３００２ フィル
ム基材 １０５，２０４，４０３，５０４，６０４，７０７，７
１３，８０５，１００２，１００６，１１０５，１２０
５，１３０６，１３１１，１４０２，１５０７，１５１
１，１６０６，１６０８，１７０６，１７０７，１８０
３，１９０３，２３０５，２９０５，３００５ 導電体 １０６，２０３，４０４，７０６，７１２，８０４，１
００５，１１０４，１３０５，１３１０，１５０６，１
５１０，１６０７，１６０９，１７０８，１７０９，２
９０４，３００４ 貫通孔 ２０２，７０５，７１１，８０２，１００４，１１０
３，１３０４，１３０９，１７０４，１７０５，２９０
３，３００３ カバーフィルム ３０２，２１０１，１８０１，１９０１ 複合配線基板 ３０３，１４０５，１９０５，２００１ 屈曲部 ４０１ コアフィルム ４０２ 接着剤層 ５０１ ガラスエポキシ基板 ５０３，６０３，７１０ フィルム基材 ６０１，７１５，８０６，１００７，１１０１，１３０
１，１３０２，１４０３，１５０１，１５０２，１５０
８，１５０９，１６０１，１６０２，１８０５，１９０
４，２３０７，２９０１，３００１ リジッド配線基板 ６０２ フレキシブル配線基板 ７０１，８０８，２３０１ 支持基材 ７０２，７１４，８０７，２３０２ 配線 ７０３，８０１，２３０３ 転写基材 ７０４ 絶縁層 ７０８ 配線材料 ７０９，１００１，１１０６，１２０４，１３０７，１
４０４，１５０５，１６０５，１７０１，１８０２ 屈
曲配線基板 ８０９，９０１ 屈曲部配線 ９０２ 保護層 １２０１ ガラスエポキシ基板 １２０２ 全層ＩＶＨ構造樹脂多層基板 １４０６ 切り込み １４０７ 屈曲部領域に相当するフィルム基材部 １４０８ 屈曲部領域に相当するリジッド配線基板部 ２１０２ 上側の屈曲部配部 ２１０３ 下側の屈曲配線部 ２２０２ 電気的に接続しない屈曲部 ２３０６ 中間体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｎ 3/40 3/40 Ｋ (72)発明者 中村 禎志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 越後 文雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 CC22 CC25 CD32 GG14 5E338 AA03 AA11 AA12 AA15 BB02 BB13 BB25 BB51 BB63 BB75 CC01 CD14 CD40 EE22 5E346 AA04 AA12 AA15 AA22 AA43 BB01 BB15 CC02 CC08 CC31 DD02 DD11 EE02 EE06 EE07 EE08 EE44 FF18 FF35 GG15 GG28 HH22 HH24

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも２つのリジッド配線基板部と
   少なくとも１つの屈曲配線基板部とを備え、前記リジッ
   ド配線基板部は前記屈曲配線基板部に間隔を隔て設けら
   れており、前記リジッド配線基板部の配線と前記屈曲配
   線基板部の配線とがフィルム基材に設けられた貫通孔に
   充填された導電体を介して電気的に接続されていること
   を特徴とする複合配線基板。
2. 【請求項２】 ひとつのリジッド配線基板部と、少なく
   とも１つ以上の屈曲配線基板部とを備え、前記リジッド
   配線基板部の配線と前記屈曲配線基板部の配線とがフィ
   ルム基材に設けられた貫通孔に充填された導電体を介し
   て電気的に接続され、前記屈曲配線基板部には前記リジ
   ッド配線基板部と重ならない部分が存在することを特徴
   とする複合配線基板。
3. 【請求項３】 リジッド配線基板部と重なる前記屈曲配
   線基板部の面積が前記リジッド配線基板部の面積に比べ
   て小さいことを特徴とする請求項１に記載の複合配線基
   板。
4. 【請求項４】 リジッド配線基板部が前記屈曲配線基板
   部の両面に形成されることを特徴とする請求項１に記載
   の複合配線基板。
5. 【請求項５】 リジッド配線基板部が前記屈曲配線基板
   部の片面に形成されることを特徴とする請求項１に記載
   の複合配線基板。
6. 【請求項６】 リジッド配線基板部を挟んで複数の屈曲
   配線基板部が配置されることを特徴とする請求項１に記
   載の複合配線基板。
7. 【請求項７】 複合配線基板の両側の表層に屈曲配線基
   板が配置されることを特徴とする請求項６に記載の複合
   配線基板
8. 【請求項８】 屈曲配線基板部に複数の配線層が形成さ
   れていることを特徴とする請求項１に記載の複合配線基
   板。
9. 【請求項９】 屈曲配線基板部の複数の配線層がフィル
   ム基材に設けられた貫通孔に導電体を充填して、前記導
   電体を介して電気的に接続されることを特徴とする請求
   項８に記載の複合配線基板。
10. 【請求項１０】 屈曲配線基板部の配線幅がリジッド基
    板部の配線幅より細いことを特徴とする請求項１に記載
    の複合配線基板。
11. 【請求項１１】 屈曲部に配置された配線が前記フィル
    ム基材によって覆われていることを特徴とする請求項１
    に記載の複合配線基板。
12. 【請求項１２】 フィルム基材がコアフィルムの両面に
    接着剤層が形成された３層構造であることを特徴とする
    請求項１〜１１のいずれかに記載の複合配線基板。
13. 【請求項１３】 フィルム基材が屈曲配線基板部を兼ね
    ていることを特徴とする請求項１に記載の複合配線基
    板。
14. 【請求項１４】 フィルム基材に貫通孔を形成する工程
    と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィル
    ム基材と貫通部を備えたリジッド配線基板と屈曲配線基
    板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工
    程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮
    することによって、電気的接続を確保することを特徴と
    する複合配線基板の製造方法。
15. 【請求項１５】 貫通部を備えたリジッド配線基板上に
    フィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫
    通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する
    工程と、前記フィルム基材と屈曲配線基板を積層接着す
    る工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記
    積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによっ
    て、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基
    板の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記積層接着工程前に、前記リジッド
    配線基板に設けられた貫通部を覆うように形成された前
    記フィルム基材部分を除去する工程を含むことを特徴と
    する請求項１５に記載の複合配線基板の製造方法。
17. 【請求項１７】 リジッド配線基板上にフィルム基材を
    形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する
    工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記リ
    ジッド配線基板と前記フィルム基材を貫通する貫通部を
    形成する工程と、前記フィルム基材と屈曲配線基板を積
    層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有
    し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮すること
    によって、電気的接続を確保することを特徴とする複合
    配線基板の製造方法。
18. 【請求項１８】 屈曲配線基板上にフィルム基材を形成
    する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程
    と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィル
    ム基材と貫通部を備えたリジッド配線基板を積層接着す
    る工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記
    積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによっ
    て、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基
    板の製造方法。
19. 【請求項１９】 支持基材上に屈曲配線基板を形成する
    工程と、屈曲配線基板上にフィルム基材を形成する工程
    と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記
    貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と
    貫通部を備えたリジッド配線基板を積層接着する工程
    と、前記支持基材を除去する工程と、複合配線基板を個
    片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電
    体を圧縮することによって、電気的接続を確保すること
    を特徴とする複合配線基板の製造方法。
20. 【請求項２０】 複合配線基板に電子部品を実装した後
    に、複合配線基板を個片化する工程を有することを特徴
    とする請求項１４〜１９のいずれかに記載の複合配線基
    板の製造方法。
21. 【請求項２１】 フィルム基材に貫通孔を形成する工程
    と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィル
    ム基材とリジッド配線基板と屈曲配線基板を積層接着す
    る工程と、屈曲部のリジッド配線基板を除去する工程と
    を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮する
    ことによって電気的接続を確保することを特徴とする複
    合配線基板の製造方法。
22. 【請求項２２】 フィルム基材に貫通孔を形成する工程
    と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィル
    ム基材と間隔を隔てた複数のリジッド配線基板と屈曲配
    線基板を積層接着する工程とを有し、前記積層接着工程
    では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続
    を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法。
23. 【請求項２３】 複数のリジッド配線基板上にフィルム
    基材を形成する工程と、フィルム基材に貫通孔を形成す
    る工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記
    複数のリジッド配線基板上に形成されたフィルム基材と
    屈曲配線基板を積層接着する工程とを有し、前記積層接
    着工程では、前記導電体を圧縮することによって電気的
    接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方
    法。
24. 【請求項２４】 前記複数のリジッド配線基板は、異な
    る構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴と
    する請求項２２または２３に記載の複合配線基板の製造
    方法。