JP3744383B2 - 複合配線基板及びその製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線の高密度化が可能なリジッド部と屈曲部を備えた複合配線基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、薄型化、高機能化が進展する中で電子機器を構成する各種電子部品の小型化や薄型化等とともに、これら電子部品が実装されるプリント配線基板も高密度実装を可能とする様々な技術開発が盛んとなっている。
【0003】
特に最近は急速な実装技術の進展とともに、LSI等の半導体チップを高密度に実装できる高速回路にも対応できるプリント配線基板の安価な供給が強く要望されてきている。このような要望に応えたものとして従来から次のような多層配線基板が用いられている。すなわち、この多層配線基板は、絶縁基板と配線とを交互に積層配置してなる積層体と、絶縁基板それぞれにその厚さ方向に設けられた貫通孔に充填されることで配線どうしを電気的に接続する導電体とを有して構成されている。
【0004】
このような多層配線基板においては、絶縁基板として、被圧縮性の絶縁基板を用いる。すなわち、絶縁基板の加熱加圧による硬化成形の際に、絶縁基板が厚み方向に大きく収縮する。この収縮によって、絶縁基板の貫通孔に充填された導電体を圧縮し、導電体を緻密化している。この作用によって導電体と配線の密着が確保され、十分な電気的導通性が得られる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、通信端末装置やその他の電子機器で使用するプリント配線基板では電子機器内のスペースの制約からプリント配線基板の一部または全体に屈曲性(フレキシブル性)を持たせ、プリント配線基板を屈曲状態にして電子機器内に内蔵することが要望されている。しかしながら、絶縁基板を多層してなる従来の多層基板では、厚みが厚いためにほとんど屈曲性を有しておらず、そのために、このような要望に応えることができないという課題があった。
【0006】
また、このようなリジッド配線基板と屈曲性を有する屈曲配線基板とを電気的に接続する場合、コネクター等を用いるのが一般的であり、このコネクター等が高密度実装の課題となる。つまり、近年の実装高密度化においてコネクター等の実装面積が無視できなくなり、コネクター等を用いずにリジッド配線基板を接続することが求められている。
【0007】
本発明は上記課題を解決するものであり、多層配線基板において、フレキシブル性を確保しつつ実装密度を高めることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、リジッド配線基板部の配線と屈曲配線基板部の配線をフィルム基材の貫通孔に充填された導電体で電気的に接続することを特徴とする。フィルム基材はリジッド配線基板どうしの間で屈曲性を持たせることができ、また、コネクター等を用いずにリジッド配線基板どうしの電気的接続を実現できるので高密度実装が可能となる。
【0009】
本願の第1の発明の複合配線基板は、少なくとも2つのリジッド配線基板部と、前記リジッド配線基板部から露出した、前記リジッド配線基板部を接続する少なくとも1つの屈曲配線基板部とを備え、前記リジッド配線基板部は前記屈曲配線基板部に間隔を隔て設けられており、前記リジッド配線基板部の配線と前記屈曲配線基板部の配線とが、被圧縮性および屈曲性を有する樹脂材料からなるフィルム基材に設けられた貫通孔に充填された導電体を介して電気的に接続されているとともに、前記フィルム基材が前記屈曲配線基板部の少なくとも一方の面を覆っていることを特徴とするものであり、複数のリジッド配線基板間の屈曲性を確保しつつ電気的に接続し、実装密度を高めることが可能となる。
【0010】
また、本願の第2の発明の複合配線基板は、複数のリジッド配線基板部と少なくとも1つの屈曲配線基板部とを備え、前記複数のリジッド配線基板は異なる構造のリジッド配線基板が混在しており、前記リジッド配線基板部は前記屈曲配線基板部に間隔を隔て設けられており、前記リジッド配線基板部の配線と前記屈曲配線基板部の配線とがフィルム基材に設けられた貫通孔に充填された導電体を介して電気的に接続されているとともに、前記フィルム基材が前記屈曲配線基板部の少なくとも一方の面を覆っていることを特徴とするものである。
【0011】
また、前記複合配線基板において、リジッド配線基板部と重なる前記屈曲配線基板部の面積が前記リジッド配線基板部の面積に比べて小さいことを特徴とするものである。
【0012】
また、前記複合配線基板において、リジッド配線基板部が前記屈曲配線基板部の両面に形成されることを特徴とするものである。
【0013】
また、前記複合配線基板において、リジッド配線基板部が前記屈曲配線基板部の片面に形成されることを特徴とするものである。
【0014】
また、前記複合配線基板において、リジッド配線基板部を挟んで複数の屈曲配線基板部が配置されることを特徴とするものである。
【0015】
また、前記複合配線基板において、複合配線基板の両側の表層に屈曲配線基板が配置されることを特徴とするものである。
【0016】
また、前記複合配線基板において、屈曲配線基板部に複数の配線層が形成されていることを特徴とするものである。
【0017】
また、前記複合配線基板において、屈曲配線基板部の複数の配線層がフィルム基材に設けられた貫通孔に導電体を充填して、前記導電体を介して電気的に接続されることを特徴とするものである。
【0018】
また、前記複合配線基板において、屈曲配線基板部の配線幅がリジッド基板部の配線幅より細いことを特徴とするものである。
【0019】
また、前記本願の第2の発明の複合配線基板において、厚みが異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とするものである。
【0020】
また、前記複合配線基板において、フィルム基材がコアフィルムの両面に接着剤層が形成された3層構造であることを特徴とするものである。
【0021】
また、前記複合配線基板において、フィルム基材が、支持基材と配線からなる屈曲配線基板部の前記支持基材を剥離することにより残された前記配線を覆い、前記フィルム基材が屈曲配線基板の絶縁層の役割を兼ねていることを特徴とするものである。
【0022】
また、本願の別の発明は、被圧縮性および屈曲性を有する樹脂材料あるいはコアフィルムの両面に接着剤層が形成された屈曲性を有する材料からなるフィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド配線基板と屈曲配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保するとともに前記フィルム基材が前記屈曲配線基板部の少なくとも一方の面を覆う工程を有することを特徴とする複合配線基板の製造方法である。
【0023】
また、本願の別の発明は、貫通部を備えたリジッド配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と屈曲配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法である。
【0024】
また、本願の別の発明は、前記積層接着工程前に、前記リジッド配線基板に設けられた貫通部を覆うように形成された前記フィルム基材部分を除去する工程を含むことを特徴とするものである。
【0025】
また、本願の別の発明は、被圧縮性および屈曲性を有する樹脂材料あるいはコアフィルムの両面に接着剤層が形成された屈曲性を有する材料からなるフィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記リジッド配線基板と前記フィルム基材を貫通する貫通部を形成する工程と、前記フィルム基材と屈曲配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法である。
【0026】
また、本願の別の発明は、屈曲配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保し、前記複数のリジッド配線基板は、異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とする複合配線基板の製造方法である。
【0027】
また、本願の別の発明は、支持基材上に屈曲配線基板を形成する工程と、屈曲配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド配線基板を積層接着する工程と、前記支持基材を除去する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保することを特徴とするものである。
【0028】
また、本願の別の発明は、複合配線基板に電子部品を実装した後に、複合配線基板を個片化する工程を有することを特徴とするものである。
【0029】
また、本願の別の発明は、フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材とリジッド配線基板と屈曲配線基板を積層接着する工程と、屈曲部のリジッド配線基板を除去する工程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法である。
【0030】
また、本願の別の発明は、フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と間隔を隔てた複数のリジッド配線基板と屈曲配線基板を積層接着する工程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法である。
【0031】
また、本願の別の発明は、複数のリジッド配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記複数のリジッド配線基板上に形成されたフィルム基材と屈曲配線基板を積層接着する工程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法である。
【0032】
また、本願の別の発明は、前記複数のリジッド配線基板は、異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とするものである。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【0034】
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1の複合配線基板について、図を用いて説明する。図1に示すように、本実施の形態にかかる複合配線基板は、リジッド配線基板部101、102が屈曲配線基板部103上に間隔を隔て形成されている。ここで、リジッド配線基板部は単独で基板としての剛性を有し、一般的な多層プリント配線基板と同様の実装工程で電子部品の実装が可能である。図1に示すようにリジッド配線基板部101、102として、全層IVH構造樹脂多層基板を用いればリジッド配線基板部での配線収容性を高め高密度な複合配線基板を実現できる。
【0035】
図1に示した屈曲配線基板部103は単独で屈曲性を有する配線基板であり、その屈曲部での配線は繰り返しの曲げに耐えるために、圧延銅箔等の延性のある金属材料を用いたり、配線の両側に保護層を設ける等の工夫がなされている。図1の複合配線基板の例では、屈曲部分の配線は屈曲配線基板部103の絶縁性基材とフィルム基材104に保護された構成になっている。また、図1に示すように屈曲配線基板部103として貫通孔が導電体によって埋められ、貫通孔の直上に電子部品実装用のランドが形成できる基板を用いることで、更に複合配線基板の配線収容性を高めている。
【0036】
リジッド配線基板部101、102の配線と屈曲配線基板部103の配線はフィルム基材104に設けられた導電体105によって電気的に接続されている。導電体105はフィルム基材104に設けられた貫通孔106に導電性ペーストを充填することにより形成することができる。また、フィルム基材104の厚みを薄くすることによって、導電体105を小径化することが可能となり、ファインな導電体ピッチでリジッド配線基板部と屈曲配線基板部を接続することができるのである。これにより、高密度配線・高密度ビアを備えた屈曲配線基板部を用いることが可能となり、複合配線基板の片側の面に複数層の微細配線を形成することができる。
【0037】
近年、半導体パッケージ等の電子部品の接続ピッチが微細化しており、配線の微細化と配線収容性が重要な課題となっている。本実施の形態にかかる複合配線基板はこの課題を克服するものである。また、リジッド配線基板部どうしをコネクター等を用いることなく接続するため、コネクター等の実装面積を削減し複合配線基板表面の電子部品実装面積を十分に確保することができる。また、コネクター等を用いないことで、電子機器組立て時のコネクター等の接続工程を省略することができ、電子機器の組立てコストを削減することが可能となる。
【0038】
図1に示すように、本実施の形態にかかる複合配線基板は、リジッド配線基板部どうしの間に屈曲部が形成されるため、複合配線基板を折りたたみコンパクトに収容したり、リジッド配線基板部を自由度の高い配置で電子機器に装着することができるのである。
【0039】
ここで、本プリント配線基板の製造工程について、図2(a)〜(f)を用いながら説明する。
【0040】
図2(a)に示すように、フィルム基材201の両面にカバーフィルム202を形成する。カバーフィルムはラミネートによってフィルム基材201に貼り付けるのが、簡便で生産性のよい製造方法である。カバーフィルムとしては、後の貫通孔加工工程でレーザー加工を行う場合には、レーザー光の吸収がある材料が用いられPET、PEN等が一般的であるがこれに限ったものではない。カバーフィルムとフィルム基材の密着は後に容易に剥離できる程度の強度が適当である。
【0041】
次に図2(b)に示すようにカバーフィルム、フィルム基材に対して貫通孔203を形成する。貫通孔の形成はパンチ加工、ドリル加工、レーザー加工によって行われるが、炭酸ガスレーザーやYAGレーザーを用いれば、小径の貫通孔を短時間で形成することができ生産性に優れた加工を実現できる。レーザー加工を行った場合の貫通孔の径としては、30μm〜50μmが実現できるが、後の貫通孔への導電体充填工程での充填性の点で貫通孔のアスペクト比は1以下であることが望ましく、貫通孔径を小さくする場合はそれにしたがってフィルム基材の厚みを薄くすることがより好ましい。
【0042】
その後、図2(c)に示すように貫通孔203に対して導電体204を充填する。導電体204として導電性ペーストを用いれば、印刷工法により大面積に対して一括で導電性ペーストを充填することが可能であり生産性が高い。導電性ペーストは、銅、銀、等の金属導電粒子と樹脂成分から構成される。このときカバーフィルム202は導電性ペーストがフィルム基材201の表面に付着するのを防ぐ保護の役割と、導電性ペーストの充填量を確保する役割を果たす。
【0043】
次にカバーフィルム202を剥離することで、図2(d)に示す状態を得る。導電体204はカバーフィルムによって充填量を確保している。つまり、導電体はカバーフィルムの厚み程度の高さ分だけ、フィルム基材201の表面から突出した状態となっている。
【0044】
引き続き、図2(e)に示すように、フィルム基材201にリジッド配線基板205、屈曲配線基板206を積層配置する。この時、貫通孔に対応するリジッド配線基板、屈曲配線基板上のランド径は積層位置合わせ精度の余裕を考慮し、貫通孔の径の約2〜3倍程度に設定するのが一般的である。このリジッド配線基板として図3(a)に示すように、リジッド配線基板301の一部に貫通部が設けられたものを用いれば、積層の際に大判でリジッド配線基板を扱うことができる。
【0045】
ここで、図3のリジッド配線基板301のA-A断面が図2(e)に示したリジッド配線基板205に相当し、リジッド配線基板301の貫通部が複合配線基板の屈曲部に相当することになる。
【0046】
図2(e)ではリジッド配線基板として、4層配線基板を示しているが剛性が確保できれば、本願発明においては配線層数、基板厚み、基板の種類は問わない。基板の種類としては、例えば、セラミック基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ビルドアップ基板、全層IVH構造樹脂多層基板、フィラー入り樹脂基板等を用いることが出来る。図に示すような全層IVH構造樹脂多層基板を用いれば、リジッド配線基板部での配線収容性に優れた複合配線基板を実現できる。また、図2(e)に示した屈曲配線基板206はフィルム基材等を用いた、いわゆるフレキシブル基板であり、単独で屈曲性を有する基板である。 また、屈曲配線基板は、フレキシブル基板として屈曲性が確保できれば、配線層数、基板厚み、基板の種類を問わないことは言うまでもない。
【0047】
次に、加熱加圧を加えフィルム基材201とリジッド配線基板205と屈曲配線基板206を接着すると共に、リジッド配線基板205上の配線と屈曲配線基板206上の配線でフィルム基材に設けられた導電体204を圧縮し、電気的接続を確保すると図2(f)に示す状態が得られる。
【0048】
フィルム基材201としては熱可塑性樹脂フィルムや熱硬化性樹脂の未硬化樹脂フィルム、フィラー入り樹脂フィルム、樹脂と繊維の複合基材、多孔質樹脂フィルム等を用いることができる。また、フィルム基材を図4に示すような断面構造にすることが望ましい。コアフィルム401はフッ素系樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等から構成され、加熱加圧工程で材料が軟化することなく、貫通孔404の壁面の形状が維持されるのが望ましい。なお、フィルム基材が屈曲部にも形成される場合は、フィルム基材にも屈曲性が付与されていることが必要であるが、フィルム基材が屈曲部には形成されない場合にはフィルム基材に屈曲性が付与される必要がないことはいうまでもない。
【0049】
コアフィルム401の表面層には接着剤層402が形成されており、リジッド配線基板、屈曲配線基板との接着を行うと共にこれらの基板表層の配線を埋め込む役割を果たす。接着剤層の材料としては、熱硬化性のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の未硬化状態のものが用いられる。接着剤層として、熱可塑性の樹脂を用いる場合は、耐熱フィルム401より軟化温度の低い材料を用いるのが望ましい。加熱加圧工程の際、導電体403には圧縮力が加わることになるが、貫通孔404の壁面が導電体403をフィルム基材面方向に保持することになり、導電体403にかかる圧縮力が逃げることなく効率的に圧縮されることになる。
【0050】
この様に図2(f)に示す導電体204に高い圧縮力が加わることによって、導電体内の導電粒子が密に接触し導電体204内の電気的接続が確保される。また、リジッド配線基板205、屈曲配線基板206の表層配線と導電体204の間にも高い圧縮力が加わり強固な接続が実現され、信頼性の高い電気的接続を得ることができるのである。
【0051】
リジッド配線基板205として、図3(a)に示した形状のリジッド配線基板を用いた場合は、図3(b)に示した積層接着後の複合配線基板302に対して、リジッド配線基板部304を屈曲部303のみで接続するようにB部で外形切断を行えば、大判の状態で複合配線基板を形成することができ、一度に複数の複合配線基板を一括生産することができる。
【0052】
また、上記した例では、電子部品実装前に複合配線基板を個片化しているが、複合配線基板を個片化する前に大判状態で電子部品を実装し、後に個片化するのが好ましい。この結果、複合配線基板のハンドリング性が良くなり効率的に電子部品の実装を行うことができるのである。
【0053】
また、リジッド配線基板として個片化された基板を用いても構わない。リジッド配線基板として個片化したものを用いる場合は、リジッド配線基板として同種の基板を用いる必要はなく、基板構造、基板層数の異なる基板が混在する複合配線基板を形成することができる。図12(a)、(b)にリジッド配線基板として異種の基板が混在する場合の製造工程の一部を示している。
【0054】
図12(a)、(b)は、先に述べた製造工程の図2(e)、(f)に対応している。図12(a)に示すようにガラスエポキシ基板1201と全層IVH構造樹脂多層基板1202を個片化した状態でそれぞれを、導電体1205を備えたフィルム基材1203を介し積層配置する。
【0055】
次に導電体1205を備えたフィルム基材1203を介し、ガラスエポキシ基板1201、全層IVH構造樹脂多層基板1202、フィルム基材1203、屈曲配線基板1204を加熱加圧によって接着すると共に、導電体1205を圧縮し電気的接続を確保すると、図12(b)に示す複合配線基板が形成できる。この加熱加圧工程の際に個片化したリジッド配線基板の厚みが異なる場合は、圧力が均一に加わるように、基板段差に応じたプレス金型を用いたり、変形性の高いクッションシートを用いることが好ましい。
【0056】
また、フィルム基材1203としてプレス時の厚み方向の圧縮率が大きい材料を用いると、個片化したリジッド配線基板の厚みが異なる場合でも、フィルム基材に設けられた導電体を十分に圧縮することが可能となる。
【0057】
この場合、薄いリジッド配線基板と接続するフィルム基材部は厚いリジッド配線基板と接続するフィルム基材部に比べて圧縮の具合が小さくなるので、薄いリジッド配線基板と接続するフィルム基材部での導電体の圧縮が十分確保できる材料の設計をする必要がある。
【0058】
フィルム基材として厚み方向に収縮する被圧縮性の材料、例えば樹脂を発泡させた多孔質の材料を用いればプレス時の厚み方向の圧縮率が大きく確保でき、個片化したリジッド配線基板の厚みが異なっても、容易に導電体を圧縮することが可能となるのでさらに好ましい。
【0059】
上記の製造方法によれば、基板構造、基板層数の異なるリジッド基板が混在した複合配線基板を実現でき、回路設計に応じたリジッド配線基板の組み合わせで複合配線基板が形成できる。結果として、無駄のない配線収容が実現され、材料コストの面からも有利な複合配線基板を形成することができる。
【0060】
また、個片化したリジッド配線基板を用いる場合は図13(a)〜(f)に示す製造方法によって上記複合配線基板を形成することもできる。
【0061】
まず、図13(a)に示すように個片化したリジッド配線基板1301、1302のそれぞれにフィルム基材1303、1308とカバーフィルム1304、1309を形成する。ここで、フィルム基材をラミネート、プレス等によってリジッド配線基板に固定する場合には、接着剤の硬化等に注意し、フィルム基材の接着性が損なわれない条件で固定しなければならない。
【0062】
次に、図13(b)に示すようにカバーフィルム1304、1309とフィルム基材1303、1308を貫通する様に貫通孔1305、1310を形成する。このとき、リジッド配線基板1301、1302の配線が貫通孔1305、1310の穴底に露出した状態となっている。引き続き図13(c)に示すように貫通孔1305、1310に導電体1306、1311を充填し、カバーフィルム1304、1309を剥離すると図13(d)に示すように導電体1306、1311がフィルム基材1303、1308表面から突出した状態が得られる。
【0063】
次に図13(e)に示すようにリジッド配線基板1301、1302を屈曲配線基板1307に積層配置し、加熱加圧によってフィルム基材1303、1308を介し屈曲配線基板1307と接着し、導電体1306、1311を圧縮することで電気的接続を確保すると図13(f)に示す複合配線基板を形成することができる。図13(f)の複合配線基板の場合、屈曲部分で配線が露出した状態であるが、配線を覆うようにソルダーレジスト、保護層を形成すれば、配線の繰り返し曲げ性を向上させることができる。また、屈曲配線基板として基板内層に配線層を有する構造のものを用い、屈曲部において配線が露出しないようにすれば、配線の繰り返し曲げ性がさらに向上する。
【0064】
なお、上記した例の場合には、フィルム基材が屈曲部に形成されないので、必ずしもフィルム基材として屈曲性が付与される必要がないことは言うまでも無い。
【0065】
ここで、図13(a)に示した個片化したリジッド配線基板1301、1302へのフィルム基材1303、1308とカバーフィルム1304、1309の形成は、それぞれのリジッド配線基板が大判の状態で一括形成を行った後に個片化するのが生産性に優れた方法である。
【0066】
また、大判の状態でリジッド配線基板にフィルム基材を形成し、貫通孔を加工し、導電体を充填した後に個片化しても構わない。上記したフィルム基材の大判状態での一括形成は、図29(a)〜(e)示した製造方法によって実現することができる。
【0067】
まず、図29(a)に示すように、リジッド配線基板2901にフィルム基材2902とカバーフィルム2903を形成する。このフィルム基材2902とカバーフィルム2903の形成は先の述べた例と同様に、ラミネート、プレス等によってリジッド配線基板上に固定される。
【0068】
次に、図29(b)に示すようにカバーフィルム2903とフィルム基材2902を貫通する様に貫通孔2904を形成する。このとき、リジッド配線基板2901の配線が貫通孔2904の穴底に露出した状態になっている。この貫通孔の形成は、レーザー加工等によって行われるのが生産性に優れた方法である。引き続き、図29(c)に示すように、貫通孔2904に導電体2905を充填し、カバーフィルム2903を剥離すると図29(d)に示した状態が得られる。貫通孔2904への導電体2905の充填はスキージを用いた印刷によって行われるのが生産性に優れた方法である。この状態でリジッド配線基板の個片化を行うと、図29(e)に示した状態になる。
【0069】
なお、リジッド配線基板の個片化はレーザー加工や打ち抜き加工等によって行うのが好ましい。ここでの個片化は完全に個片化しても構わないし、一部で個片同士がつながっていても構わない。一部で個片同士をつなげた状態の場合は大判状で扱うことができ、ハンドリング性に優れる。この場合、複合配線基板製造の最終工程でこの個片同士を一部でつなげている部分を打ち抜き加工、レーザー加工等によって切り離す必要があることは、先に説明した一例と同様である。
【0070】
上記した製造方法では、貫通孔2904への導電体2905の充填の際に、フィルム基材2902と一体化したリジッド配線基板2901表面に凹凸形状がなく、スキージの印刷による充填が安定して実現できる。
【0071】
この個片化したリジッド配線基板の状態はすなわち、図13(d)で示したリジッド配線基板に対応し、図13(e)〜(f)の工程を経て同様に本発明にかかる複合配線基板を製造することができる。
【0072】
また、フィルム基材の大判状態での一括形成は、図30(a)〜(e)示した製造方法によっても実現することができる。
【0073】
まず、図30(a)に示すように、リジッド配線基板3001にフィルム基材3002とカバーフィルム3003を形成する。このリジッド配線基板3001は図13(a)に示したように、完全に個片化されていても構わないし、一部で個片同士がつながっていても構わない。一部で個片同士がつながったリジッド配線基板3001を用いた場合は、最終工程でこの個片同士を一部でつなげている部分を打ち抜き加工、レーザー加工等によって切り離す必要がある。
【0074】
このフィルム基材3002とカバーフィルム3003の形成は先に述べた例と同様に、ラミネート、プレス等によってリジッド配線基板上に固定される。
【0075】
次に、図30(b)に示すようにカバーフィルム3003とフィルム基材3002を貫通する様に貫通孔3004を形成する。このとき、リジッド配線基板3001の配線が貫通孔3004の穴底に露出した状態になっている。この貫通孔の形成は、レーザー加工等によって行われるのが生産性に優れた方法である。引き続き、図30(c)に示すように、貫通孔3004に導電体3005を充填し、カバーフィルム3003を剥離すると図30(d)に示した状態が得られる。貫通孔3004への導電体3005の充填はスキージを用いた印刷によって行われるのが生産性に優れた方法である。この状態で個片状のリジッド配線基板をつなぐフィルム基材を切断すると、図30(e)に示した状態になる。ここでの、フィルム基材の切断は貫通孔3004の形成に用いたレーザー加工と設備を共用することができ、生産性に優れる。
【0076】
上記した製造方法では、貫通孔3004への導電体3005の充填の際に、フィルム基材3002と一体化したリジッド配線基板3001表面に凹凸形状がなく、スキージの印刷による充填が安定して実現できるのは先に述べた例と同様である。
【0077】
この個片化したリジッド配線基板の状態はすなわち、図13(d)で示したリジッド配線基板に対応し、図13(e)〜(f)の工程を経て同様に本発明にかかる複合配線基板を製造することができる。
【0078】
また、フィルム基材1303、1308の厚みをリジッド配線基板1301、1302の厚みに応じて変化させ、リジッド配線基板1301、1302にフィルム基材1303、1304が積層された状態の厚みをそろえると、加熱加圧工程の際に容易に圧力の均一化がはかられ、プレス金型等を用いることなく一括処理することができる。この結果として、簡便な方法で本実施の形態にかかる複合配線基板を製造することができるのである。
【0079】
なお、上記に示した製造方法では異種のリジッド配線基板を全て個片化して積層しているが、一種類のリジッド配線基板については大判状で積層することが可能である。大判状で扱うリジッド配線基板は貫通部を設けるため、材料の捨てるところが多くなる。そこで、異種のリジッド配線基板のなかで基板コストの小さいものを大判状で扱うことがコスト的に有利な選択である。
【0080】
なお、言うまでもなく上記した製造方法で、同種のリジッド配線基板を個片化して積層し、図28に示すような複合配線基板の構造を実現してもよい。個片化して積層する製造方法は小規模な設備で製造できるため、少数ロットで複合配線基板を製造する場合に適した製造方法である。
【0081】
なお、図2ではリジッド配線基板として全層IVH構造樹脂多層基板の例を示したが、リジッド配線基板での配線収容性が高くない場合は、リジッド配線基板としてガラスエポキシ多層基板等の安価な基板を用いれば、図5(a)、(b)に示すように、同様の製造方法によって低コストで本実施の形態にかかる複合配線基板を形成することができる。なお、リジッド配線基板の材料としては前述した通りに全層IVH構造樹脂多層基板やガラスエポキシ配線基板に限定されるものではない。
【0082】
図5(a)、(b)はそれぞれ図2(e)、(f)に相当する。図5(a)に示すように、ガラスエポキシ基板501と屈曲配線基板502が導電体504を備えたフィルム基材503を挟んで積層配置される。次に、加熱加圧を加えガラスエポキシ基板501、フィルム基材503、屈曲配線基板502を接着し、導電体504を圧縮することで電気的接続を確保すれば、図5(b)に示す複合配線基板が得られる。また、図5(a)に示したガラスエポキシ基板の構造はこれに限るものではなく、IVH基板で合っても構わないし、貫通スルーホールが樹脂埋めされた構造であっても構わない。
【0083】
なお、図2では屈曲配線基板として、貫通孔が導電体によって埋められ、貫通孔の直上に部品実装用のランドが形成できる基板を用いた例を示したが、図6(a)、(b)に示すように屈曲配線基板として、貫通孔壁面にめっきによって導電体を形成し層間の接続を行ったフレキシブル配線基板を用いれば、同様の製造方法によって本実施の形態にかかる複合配線基板をより安価に形成することができる。図6(a)、(b)はそれぞれ図2(e)、(f)に相当する。図6(a)に示すようにリジッド配線基板601とフレキシブル配線基板602が導電体604を備えたフィルム基材603を挟んで積層配置される。次に、加熱加圧を加えリジッド配線基板601、フィルム基材603、屈曲配線基板602を接着し、導電体604を圧縮することで電気的接続を確保すれば、図6(b)に示す複合配線基板が得られる。
【0084】
また、本実施の形態にかかる複合配線基板は図7(a)〜(n)に示す製造方法によっても形成することができる。ここで、先に述べた例と重複する部分については説明を簡略化して述べることにする。図7(a)に示したのは転写基材703であり、配線702と支持基材701より構成され、配線702は支持基材701上に保持されている。配線702は支持基材701上の全面に形成された配線材料をパターンエッチングして形成してもよいし、支持基材701上にパターンめっきによって形成してもよい。配線材料としては、銅を用い表面が粗化された状態であるのが一般的である。配線表面の粗化は配線の密着性を確保するのに有効である。配線702として微細なパターンを用いる場合はめっきによる配線形成の方が適している。
【0085】
支持基材701は配線702を保持する役割を持たせたもので、ハンドリングするのに十分な剛性があれば、材料は金属箔であっても樹脂フィルムであっても構わない。支持基材が金属箔の場合、薬液を選べば配線を侵さずに容易に除去が可能である。また、支持基材が樹脂フィルムの場合は配線転写後、機械的に剥離し除去することが可能である。
【0086】
次に、図7(b)に示すように転写基材703の配線側に絶縁層704とカバーフィルム705を積層する。この積層の際、絶縁層704の固定は後の工程での接着力を損なわない程度の熱および圧力を加え行われる必要がある。次に絶縁層704とカバーフィルム705を貫通する貫通孔706を形成すると図7(c)に示した状態が得られる。絶縁層704としてはエポキシ等の熱硬化性樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂等の熱可塑性のフィルム基材、両面接着剤つきのフィルム基材等屈曲性を有するものが用いられる。
【0087】
この貫通孔706は穴底に配線702が露出した状態になっている。この貫通孔の加工として炭酸ガスレーザー・YAGレーザー・エキシマレーザー等のレーザー加工を用いれば、貫通孔底の配線を露出させて貫通孔加工を実現することができる。これは、有機材料と金属のレーザー加工レートの違いから実現されるものであるが、適当なレーザー加工の条件を選択することで露出した配線にダメージを与えることなく貫通孔の形成を行うことができる。また、貫通孔底に樹脂成分が残存した場合には、デスミア処理等によって除去しておくことが好ましい。
【0088】
次に図7(d)に示すように貫通孔706に導電体707を充填する。導電体707としては、導電性ペーストを用いるのが一般的である。印刷工法によれば、大面積に対して一括で導電性ペーストを充填することが可能であり生産性が高い。
【0089】
導電性ペーストは、銅、銀、等の金属導電粒子と樹脂成分から構成される。このときカバーフィルム705は導電性ペーストが絶縁層704の表面に付着するのを防ぐ保護の役割と、導電性ペーストの充填量を確保する役割を果たす。
【0090】
次にカバーフィルム706を剥離することで、図7(e)に示す状態を得る。導電体707はカバーフィルムによって充填量を確保している。つまり、導電体はカバーフィルムの厚み程度の高さ分だけ、絶縁層704の表面から突出した状態となっている。
【0091】
次に図7(f)に示すように配線材料708を積層し加熱加圧によって絶縁層704に接着する。この配線材料708は銅箔等の金属箔を用いるのが一般的である。このときに導電体707が圧縮され電気的接続が確保されるのは先に述べた例と同様である。この配線材料708をエッチングによってパターニングし配線714を形成すると図7(g)の状態が得られ、支持基材701上に2層の配線を有する屈曲配線基板709が形成されている。
【0092】
ここで、支持基材701として導電材料を用い、導電体707を電気めっきによって形成しても良い。導電体707は電気めっきで銅を形成するのが一般的である。引き続き、配線714をパターンめっきによって形成することによって図7(g)の状態が得られる。パターンめっきで配線714を形成すると、よりファインな配線714を形成することができる。この場合、絶縁層704に用いる樹脂はめっき工程で薬液に侵されないような材料を用いるのが好ましい。絶縁層704が未硬化の樹脂の場合は硬化させておくのが良い。
【0093】
引き続き、図7(h)に示すように屈曲配線基板709上にフィルム基材710とカバーフィルム711を形成する。ここではあらかじめフィルム基材710の片面にカバーフィルム711が形成された状態で屈曲配線基板上にラミネートによって貼り付けるのが簡便な方法である。このフィルム基材ラミネート工程は後のフィルム基材接着工程より低い温度で行い、フィルム基材の密着力を損ねないよう注意する必要がある。
【0094】
次に図7(i)に示すように、フィルム基材710とカバーフィルム711を貫通する貫通孔712を形成する。この貫通孔は絶縁層704への貫通孔加工同様、レーザー加工によって形成することができる。
【0095】
次に図7(j)に示すように貫通孔712に導電体713を充填する。導電体としては、導電性ペーストを用いるのが簡便である。次にカバーフィルム711を剥離すると図7(k)の状態が得られる。ここで導電体713がフィルム基材710から突出した形状であるのは言うまでもない。
【0096】
引き続き、図7(l)に示すようにリジッド配線基板715を積層配置し、加熱加圧によってフィルム基材710と接着を行い、導電体713を圧縮することによって電気的接続を確保すると図7(m)の状態が得られる。次に支持基材701を除去すれば、図7(n)に示す複合配線基板が得られる。なお、屈曲部における絶縁層704とフィルム基材710はあらかじめ接着しているので、リジッド配線基板715とフィルム基材710との加熱加圧による接着工程の際に、デラミネーションが発生しにくくなっている。また、加熱加圧工程の際に樹脂、金属箔等のプレスシートをあらかじめ複合配線基板の形状にそって覆うように真空ラミネート等で貼り付けると、加熱加圧時の屈曲部分でのうねりを抑制することができるのである。
【0097】
上記、製造方法によれば、屈曲配線基板の形成に続いて連続してリジッド配線基板との接続用のフィルム基材を形成することができ簡便な製造方法を実現できる。また、屈曲配線基板は屈曲性をもたせるために薄く形成されることが多く、ハンドリングが困難であったが、上記に示した製造方法によれば屈曲配線基板が支持基材上に保持されているためハンドリング性が良く扱いやすい利点がある。
【0098】
また、絶縁層704に設けられた導電体707とフィルム基材710に設けられた導電体713はそれぞれの貫通孔の径や深さに応じて最適な粘度、粒度分布等をもつ導電性ペーストを用いることが、電気的接続をより安定確保する上で好ましい。
【0099】
一方、絶縁層704とフィルム基材710を同じ材料として、絶縁層704に設けられた導電体707とフィルム基材710に設けられた導電体713を同じ材料にすれば、製造工程を共通化することができ、生産性に優れた製造工程を実現できる。
【0100】
また、上記製造方法では、支持基材701上に2層の配線を有する屈曲配線基板709を形成し、リジッド配線基板715と接続する例を示しているが、屈曲配線基板の配線層数はこれに限ったものではない。同様の製造工程を繰り返すことで、容易に多層の屈曲配線基板を形成することが可能であり、屈曲配線基板での配線収容性を向上させることができる。その結果として配線収容性に優れた複合配線基板を実現できる。
【0101】
また、本実施の形態にかかる複合配線基板は図10(a)〜(g)に示す製造方法によっても形成することができる。ここで、先に述べた例と重複する部分については説明を簡略化して述べることにする。
【0102】
図10(a)に示したのは屈曲配線基板1001である。図では、2層の配線層を有する屈曲配線板で、層間の電気的接続が導電体1002によってなされる構造のものを示しているが、配線層数、屈曲配線基板の構造はこれに限ったものではない。
【0103】
屈曲配線基板1001上にフィルム基材1003、カバーフィルム1004を積層すると図10(b)に示す状態が得られる。このときのフィルム基材1003の形成は、後の積層接着工程でのフィルム基材1003の接着力を損なわないような、温度・圧力条件で行う必要がある。次に、図10(c)に示すようにカバーフィルム1004、フィルム基材1003を貫通する貫通孔1005を形成する。このとき、貫通孔1005の穴底に屈曲配線基板の配線が露出した状態となっている。
【0104】
次に図10(d)に示すように、貫通孔1005に導電体1006を充填し、カバーフィルム1004を剥離すると図10(e)の状態になる。引き続き、図10(f)に示すようにリジッド配線基板1007を積層配置し、図10(g)に示すように加熱加圧によってリジッド配線基板1007とフィルム基材1003との接着を行い、導電体1006を圧縮することによって電気的接続が確保され、複合配線基板が形成される。一般的に、リジッド配線基板1007の表面配線に比べて屈曲配線基板1001の表面配線の方がファインであることが多い。
【0105】
上記製造方法によると、貫通孔1005を形成する際に、屈曲配線基板1001上の配線パターンを認識しながら高精度な位置合わせによって貫通孔1005を加工することが可能となり、貫通孔1005の位置精度が向上し、貫通孔1005をファインピッチに加工できる。結果として、屈曲配線基板とリジッド配線基板をファインピッチな導電体で電気的に接続することができ、高密度配線を有する複合配線基板を形成することができる。
【0106】
また、本実施の形態にかかる複合配線基板は図11(a)〜(f)に示す製造方法によっても形成することができる。ここで、先に述べた例と重複する部分については説明を簡略化して述べることにする。
【0107】
まず、図11(a)に示すようにリジッド配線基板1101にフィルム基材1102とカバーフィルム1103を形成する。このときのフィルム基材1102の形成は、後の積層接着工程でのフィルム基材1102の接着力を損なわないような、温度・圧力条件で行う必要がある。次に図11(b)に示すようにカバーフィルム1103とフィルム基材1102を貫通する貫通孔1104を形成する。このとき、リジッド配線基板1101上の配線が貫通孔1104の穴底に露出した状態になっている。
【0108】
引き続き、図11(c)に示すように貫通孔1104に導電体1105を充填し、カバーフィルム1103を剥離すると図11(d)の状態が得られる。次に、図11(e)に示すように屈曲配線基板1106を積層配置し加熱加圧によってフィルム基材1102との接着を行い、導電体1105を圧縮することで電気的接続を確保すると、図11(f)に示す複合配線基板が形成できる。
【0109】
ここで、リジッド配線基板1101、屈曲配線基板1106の構造は図に示した構造に限らないのは言うまでもない。
【0110】
上記製造方法によれば、リジッド配線基板1101側にフィルム基板1102を先に貼り付けるので、搬送、加工等のハンドリングが煩雑であるフィルム基板1102をリジッド配線基板1101と一体化して扱えるので製造工程が簡便化する。
【0111】
また、屈曲配線基板での高い配線収容性を求められない場合には、図8(a)〜(h)に示すような製造方法によって、リジッド配線基板との接着用のフィルム基材が、屈曲配線基板を兼ねる形で複合配線基板を形成することができる。図8(a)に示したのは配線807と支持基材808からなる転写基材801である。次に転写基材801に対してフィルム基材803とカバーフィルム802を形成すると図8(b)に示した状態が得られる。ここで、フィルム基材803は屈曲配線基板の絶縁層を兼ねている。
【0112】
次に図8(c)に示すようにカバーフィルム802とフィルム基材803を貫通する貫通孔804を形成する。この貫通孔804に導電体805を充填すれば、図8(d)の状態が得られ、さらに表面のカバーフィルム802を剥離すると図8(e)の状態が得られる。次に、図8(f)に示すようにリジッド配線基板806を積層配置し、加熱加圧を加え転写基材801との接着を行うと、図8(g)の状態が得られる。ここで、導電体805が圧縮され電気的接続が確保されている。
【0113】
引き続き、支持基材808を除去すると図8(h)に示す複合配線基板が得られる。図8(h)の状態では屈曲部分において配線807が露出した状態になっているが、実際は電子部品のはんだ実装の際にソルダーレジストを基板表面に形成することが一般的であり、屈曲部分配線809はソルダーレジストに覆われることになる。このソルダーレジストによる屈曲部分配線807の保護で配線の耐屈曲性が不十分な場合は、図9に示すように屈曲部分配線901を覆う保護層902を形成すればよい。保護層902は樹脂を表面コートして形成してもよいし、フィルム状の保護層をラミネート等により貼り付けても良い。
【0114】
なお、図9では屈曲部分配線901を覆う用に保護層902を形成した例を示しているが、この保護層902は複合配線基板の全面を覆うように設けても構わない。また、屈曲部分配線は1層のフィルムで構成されているが、これに限ることなく多層のフィルムで構成しても良い。その場合は、内層部分に配線を設けるようにすればさらに良い。
【0115】
また、本実施の形態にかかる複合配線基板は図14(a)〜(d)に示す製造方法によっても形成することができる。ここで、先に述べた例と重複する部分については説明を簡略化して述べることにする。
【0116】
図14(a)に示す様に、導電体1402を備えたフィルム基材1401の両面にリジッド配線基板1403、屈曲配線基板1404が積層配置される。ここで示した導電体1402を備えたフィルム基材1401は、図2(a)〜(d)に示したのと同じ製造方法で形成される。また、リジッド配線基板1403は大判状態で形成されている。ここで、屈曲部1405領域に相当するフィルム基材部1407、屈曲部1405領域に相当するリジッド配線基板部1408の少なくとも一方にリケイ処理を施す。リケイ処理としては、シリコーン系の樹脂をコートするのが良い。
【0117】
また、屈曲部1405領域に相当するフィルム基材部1407表面の未硬化樹脂を熱硬化・UV硬化等で局所的に硬化させても良い。また、フィルム基材1401として表層に接着剤層が形成されている場合は、部分的に接着剤を薬液等で除去しても同様の効果が得られる。
【0118】
次に、加熱加圧によってリジッド配線基板1403、フィルム基材1401、屈曲配線基板1404を接着し、導電体1402を圧縮し電気的接続を確保すると、図14(b)に示す状態が得られる。引き続き、図14(c)に示すように、屈曲部1405の領域周囲に切り込み1406を形成しする。この切り込み加工はV溝加工によってハーフカットに加工深さを調整しながら行うのが良い。次に、屈曲部1405部分に相当するリジッド配線基板部を剥離除去すれば、図14(d)に示す複合配線板が形成できる。ここで、屈曲部1405においてフィルム基材1401とリジッド配線基板1403はリケイ処理によって接着力を弱めているため、容易に屈曲部のリジッド配線基板を機械的剥離等によって除去することができるのである。
【0119】
上記製造方法によれば、リジッド配線基板、フィルム基材、屈曲配線基板が切り抜き等の段差が無いシート状であるので、容易に面内で均一圧力を加えることができる。結果として、容易にフィルム基材と屈曲配線基板を気泡無く貼り付けることがでることとなる。そのため、フィルム基材と屈曲配線基板上の配線の密着力を高め、屈曲部分での繰り返し曲げに対する配線劣化特性に優れた複合配線基板を提供できるのである。
【0120】
尚、上記の製造方法で示した屈曲配線基板、リジッド配線基板の構造・配線層数は例に示したものに限定されるものではなく、様々な形態の屈曲配線基板・リジッド配線基板を用いても同様にして、本実施の形態にかかる複合配線基板を実現できる。
【0121】
なお、上記した複合配線基板はリジッド配線基板表面を屈曲配線基板が完全に覆った例を示しているが、屈曲配線基板が必ずしもリジッド配線基板表面を完全に覆っている必要はない。屈曲配線基板として高価なフレキシブル配線基板を用いる場合には、屈曲配線基板での配線収容に問題がなければ、必要な部分にのみ屈曲配線基板を配置するのがコスト的に有利である。
【0122】
この様な複合配線基板の断面構造の一例を図24、図25、図26に示した。これらはそれぞれ既に述べた図2(f)、図8(h)、図12(b)の構造において、部分的にリジッド配線基板を露出させた構造に対応する。
【0123】
(実施の形態2)
実施の形態2の複合配線基板について、図を用いて説明する。図15に示すように、本実施の形態にかかる複合配線基板は、屈曲配線基板部1505の両側にリジッド配線基板部1501、1502、1508、1509が形成されている。
【0124】
リジッド配線基板部1501、1502、1508、1509の配線と屈曲配線基板部1505の配線はフィルム基材1503、1504に設けられた導電体1507、1511によって電気的に接続されている。導電体1507、1511はフィルム基材1503、1504に設けられた貫通孔1506、1510に導電性ペーストを充填することにより形成することができる。
【0125】
このような構成をとれば、リジッド配線基板部を屈曲配線基板部の片面に配置する場合に比べてリジッド配線基板部の占有する面積を小さくすることができる。このような構成は、比較的部品点数の少ないリジッド配線基板部を狭い占有面積で屈曲配線基板部に接続する場合に有利である。また、屈曲配線基板部を挟んで対向するリジッド配線基板部どうしは必ずしも電気的に接続されている必要がなく、独立した回路構成であってもかまわない。
【0126】
図15では、リジッド配線基板として全層IVH構造樹脂多層基板を用いた例を示している。この例によればリジッド配線基板部での配線収容性を高め高密度な複合配線基板を実現できる。また、リジッド配線基板部としてガラスエポキシ基板等の安価な基板を用いれば、低コストで本実施の形態にかかる複合配線基板を形成できる。また、屈曲配線基板部の両側に異なる構造のリジッド配線基板部を積層しても構わない。
【0127】
また、図15では屈曲配線基板部として、貫通孔が導電体によって埋められ、貫通孔の直上に部品実装用のランドが形成できる基板を用いた例を示したが、屈曲配線基板部がこの構造に限定されるものではない。
【0128】
次に本実施の形態にかかる複合配線基板の製造方法について図16(a)、(b)を用いて説明する。尚、既に述べた実施の形態と重複する部分については説明を簡略化して述べる。
【0129】
図16(a)に示すように屈曲配線基板1605の両側にリジッド配線基板1601、1602が、導電体1606、1608が形成されたフィルム基材1603、1604を挟んで積層配置されている。これらのフィルム基材は図2(a)〜(d)に示したのと同様の製造方法で形成され、フィルム基材1603、1604に設けられた貫通孔1607、1609に導電体1606、1608が充填された状態となっている。
【0130】
また、フィルム基材1603、1604については同じ構成である必要がなく、それぞれのフィルム基材に設けられた導電体の圧縮率、貫通孔径によって最適に変化させればよい。
【0131】
また、導電体1606、1608についても、同じ材料である必要がなく、貫通孔径によって導電性ペーストの粒度分布、樹脂成分、導電性粒子量等を最適化すればよい。
【0132】
また、フィルム基材1603、1604、導電体1606、1608として、それぞれが共通材料構成を用いることができるように複合配線基板の構成設計を行えば、製造工程を共通化でき簡便な製造方法が実現できるのは言うまでもない。
【0133】
次に、加熱加圧によってフィルム基材1603、1604を介してリジッド配線基板1601、1602と屈曲配線基板1605を接着する。このとき、フィルム基材1603、1604に設けられた導電体1606、1608が圧縮され電気的接続が確保され、図16(b)に示すような複合配線基板が形成できる。
【0134】
上記製造方法では、フィルム基材1603、1604と屈曲配線基板1605の接着とフィルム基材1603、1604とリジッド配線基板1601、1602の接着を一括して行う工法を示したが、図17(a)〜(e)に示した製造方法の様に、先に屈曲配線基板側にフィルム基材を形成しても良い。
【0135】
図17(a)に示したのは屈曲配線基板1701であり、この屈曲配線基板1701の両側にフィルム基材1702、1703とカバーフィルム1704、1705を形成すると図17(b)の状態が得られる。
【0136】
次に、フィルム基材1702、1703とカバーフィルム1704、1705を貫通する貫通孔1708、1709を形成すると図17(c)に示す状態が得られる。ここで、貫通孔1708、1709の穴底には、屈曲配線基板1701の配線が露出されている。引き続き図17(d)に示すように貫通孔1708、1709に導電体1706、1707を充填する。次にカバーフィルム1704、1705を剥離すると図17(e)に示す状態が得られる。
【0137】
図17(e)に示した状態で両側からリジッド配線基板を積層配置し加熱加圧により接着することで導電体1706、1707が圧縮され電気的接続が確保されると図16(b)と同様の複合配線基板を形成することができる。
【0138】
上記製造方法によれば、貫通孔1708、1709を形成する際に、屈曲配線基板1701の配線を認識しながら加工することができ貫通孔の加工位置精度を向上させることができる。結果として導電体1706、1707をファインピッチに形成することができ、複合配線基板の配線収容性を高めることができるのである。
【0139】
また、屈曲配線基板1701にシート状のフィルム基材1702、1703をラミネート等によって貼り付け図17(b)の状態にする際に、屈曲配線基板1701とフィルム基材1702、1703の間の気泡を充分に取ることが容易であり、結果としてフィルム基材1702、1703と屈曲配線基板1701の密着力を向上させることができる。
【0140】
また、図18に示すような製造方法でも同様の複合配線基板を形成できる。図18(a)に示すように、先の実施の形態1にかかる複合配線基板1801を形成しておき、屈曲配線基板1802の他方の面に実施の形態1で述べた各種の製造方法によって、導電体1803が形成されたフィルム基材1804を介してリジッド配線基板1805と積層接着すれば、図18(b)に示す複合配線基板を得ることができる。
【0141】
なお、リジッド配線基板として個片化したものを用いる場合、図12、図13で既に述べた製造方法を用いると、リジッド配線基板として構造・配線層数の異なるものを自由に屈曲配線基板の両側に配置することができることとなる。
【0142】
なお、屈曲配線基板の両面に配置するリジッド配線基板は図18で示した例の様に、基板面積が同一である必要はなく、配線収容に必要な大きさのリジッド配線基板をそれぞれ対向配置しても構わない。
【0143】
また、屈曲配線基板で高い配線収容性が求められない場合には、屈曲配線基板とリジッド配線基板との接続用のフィルム基材を兼ねる形で本実施の形態にかかる複合配線基板を形成することができる。図19(a)に示した複合配線基板1901は図8に示した製造方法によって形成される複合配線基板であり、接続用のフィルム基板が屈曲配線基板を兼ねている。次に図19(b)に示すように、この複合配線基板1901の他方の面に実施の形態1で述べた各種の製造方法によって導電体1903が形成されたフィルム基材1902を形成する。
【0144】
引き続き、図19(c)に示すようにリジッド配線基板1904を積層配置し、加熱加圧によってフィルム基材1902との接着を行い、導電体1903を圧縮し電気的接続を確保すれば、図19(d)に示す複合配線基板を得ることができる。このような構成をとれば、屈曲部1905でリジッド配線基板どうしを接続する配線数が少ない場合、必要以上に屈曲部1905形成のための屈曲配線基板層数を増やす必要がなくなり、低コストで本実施の形態にかかる複合配線基板を得ることができる。
【0145】
(実施の形態3)
実施の形態3の複合配線基板について、図を用いて説明する。図20に示すように、本実施の形態にかかる複合配線基板は、屈曲部2001において屈曲配線基板部が複数層設けられた構成をしている。図20に示すように、リジッド配線基板部2002の両側に屈曲配線基板部2003が形成されている。この両側の屈曲配線基板部2003は互いに完全に対向している必要はなく、図21に示すように上側の屈曲配線部2102と下側の屈曲配線部2103が複合配線基板2101の厚み方向でずれた位置に配置されていても構わない。
【0146】
このような構成をとれば、リジッド配線基板どうしのねじり方向への屈曲自由度が増し、さらに複合配線基板の配置の選択幅が広がることとなる。
【0147】
なお、リジッド配線基板部の構造・層数、屈曲配線基板部の構造・層数は図20で示したものに限られないことは言うまでも無い。
【0148】
また、図20では屈曲配線基板部がリジッド配線基板2002の表裏層に設けられている例を示しているが、リジッド配線基板部を複数積層し屈曲配線基板部を内層に配置しても構わない。
【0149】
一般的に、電子部品が実装されるのは基板表面であり表面層の配線で電子部品どうしを接続するのが簡便である。図20に示したように表裏面に屈曲配線部が形成されている場合、複合配線基板の表裏両面において屈曲部に設けられた配線を介して自由に電子部品の配線接続を行うことができ設計の自由度が高くなる。その上、表層の屈曲配線基板によってファイン配線を形成することが可能であり、さらに高密度な電子部品の実装が実現できる。
【0150】
また、3つ以上のリジッド配線基板部を屈曲配線基板部によって電気的に接続する場合は、図22に示すようにリジッド配線基板部2201どうしの間で、電気的に接続しない屈曲部2202での屈曲配線基板部を削除した構成をとれば、より屈曲部での屈曲の自由度を高めることができる。
【0151】
次に本実施の形態にかかる複合配線基板の製造方法について、図23(a)〜(c)を用いて説明する。尚、既に述べた実施の形態と重複する部分については説明を簡略化して述べる。
【0152】
図23(a)の中間体2306は、支持基材2301上に配線2302が形成された転写基材2303の上に、導電体2305が設けられたフィルム基材2304を形成したものであり、図8(a)〜(e)に既に示した製造方法によって形成されるものと同様のものである。次に図23(b)に示すように中間体2306をリジッド配線基板2307の両側から積層配置する。引き続き加熱加圧によって中間体2306とフィルム基材2304との接着を行い、導電体2305を圧縮することで電気的接続を確保すると、図23(c)に示す状態になる。次に両側の支持基材2301を除去すると図23(d)に示す複合配線基板が得られる。
【0153】
また、上記製造方法ではフィルム基材が屈曲配線基板を兼ねている例を示しているが、図7(a)〜(k)に示すような形で支持基材上に屈曲配線基板とフィルム基材を形成した中間体を用いれば複合配線基板の表層に配線が露出していない構造を実現することができる。
【0154】
また、リジッド配線基板の表裏両面に屈曲配線基板をフィルム基材を介して積層する製造方法については、支持基材を用いた上記方法に限ったものではなく実施の形態1ですでに述べた各種の製造方法を用いて同様に実現することができる。
【0155】
なお、前記各実施の形態においては複数のリジッド配線基板が屈曲配線基板を介し電気的に接続し、複合配線基板として一体化している例を示しているが、一個のリジッド配線基板と屈曲配線基板が一体化した構造でも構わない。
【0156】
実際、2つのリジッド配線基板を屈曲配線基板によって電気的に接続する場合、すべてのリジッド配線基板表層に高密度な配線収容が求められるとは限らない。高密度配線が必要なリジッド配線基板部において屈曲配線基板との一体化構造を採用し、他方のリジッド配線基板との電気的接続はコネクター、はんだ、ACF、導電性バンプ接続等によって行うことで、所望の配線収容を実現できる場合がある。
【0157】
また、図27に示すように、1つのリジッド配線基板に対して屈曲配線基板部を1つ以上設けて、屈曲配線基板部にはリジッド配線基板部と重ならない部分が存在するようにしても良い。屈曲配線基板部2701に半導体パッケージ2702もしくは半導体素子2703等の電子部品を実装し、リジッド配線基板部2704に折りたたむことで高密度な実装体を実現することができるのである。本発明にかかる複合配線基板では、屈曲配線基板とリジッド配線基板間を自由な経路で電気的に接続できるために設計自由度が高く、50μm以下の微細な貫通孔にて電気的に接続するために、リジッド配線基板と屈曲配線基板の多数の配線を高密度に接続することが可能となる。このような、複合配線基板は高機能でI/O端子数の多い半導体パッケージもしくは半導体素子を実装するのに適した構造を実現できる。
【0158】
なお、前記各実施の形態において、リジッド配線基板は、配線層数、基板厚み、基板の種類は問わない。基板の種類としては、例えば、セラミック基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ビルドアップ基板、全層IVH構造樹脂多層基板、フィラー入り樹脂基板等を用いることが出来る。
【0159】
また、前記各実施の形態において、屈曲配線基板は2層配線基板の一例を示したが、フレキシブル基板として屈曲性が確保できれば、配線層数、基板厚み、基板の種類を問わないことは言うまでもない。
【0160】
また、前記各実施の形態において、導電体としては導電性ペーストに限られるものではなく、例えば金属粉末を充填したもの等を用いても良い。
【0161】
また、前記各実施の形態において、屈曲配線基板の配線密度がリジッド配線基板部分の配線密度よりも小さい場合や、屈曲配線基板部の配線幅がリジッド基板部の配線幅より細い場合は、さらなる高密度化が可能となる。
【0162】
【発明の効果】
本発明によれば、リジッド配線基板部の配線と屈曲配線基板部の配線を導電体を備えたフィルム基材で電気的に接続することによって、複数のリジッド配線基板どうしを屈曲性を持たせて電気的に接続することができる。また、コネクター等を用いずに電気的接続を実現できるので高密度実装が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1にかかる複合配線基板の構成を示す断面図
【図2】(a)〜(f)実施の形態1にかかる複合配線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図
【図3】(a)大判状態でのリジッド配線基板を示す図
(b)大判状態での複合配線基板を示す図
【図4】フィルム基材の構造を示す断面図
【図5】(a)、(b)本発明の実施の形態における他の構成のリジッド配線基板を用いた製造方法を主要な製造工程毎に示す断面図
【図6】(a)、(b)本発明の実施の形態における他の構成の屈曲配線基板を用いた製造方法を主要な製造工程毎に示す断面図
【図7】(a)〜(n)実施の形態1にかかる複合配線基板の製造方法を主要な工程ごとに示す断面図
【図8】(a)〜(h)実施の形態1にかかる複合配線基板の製造方法を、主要な工程ごとに示す断面図
【図9】実施の形態1にかかる複合配線基板において、保護層を有する構成を示す断面図
【図10】(a)〜(g)実施の形態1にかかる複合配線基板の製造方法を、主要な工程ごとに示す断面図
【図11】(a)〜(f)実施の形態1にかかる複合配線基板の製造方法を、主要な工程ごとに示す断面図
【図12】(a)、(b)実施の形態1にかかる複合配線基板において、基板構造、基板層数の異なるリジッド配線基板が混在する複合配線基板を形成する場合の製造方法を主要な工程ごとに示す断面図
【図13】(a)〜(f)実施の形態1にかかる複合配線基板において、基板構造、基板層数の異なるリジッド配線基板が混在する複合配線基板を形成する場合の製造方法を主要な工程ごとに示す断面図
【図14】(a)〜(d)実施の形態1にかかる複合配線基板の製造方法を主要な工程ごとに示す断面図
【図15】実施の形態2にかかる複合配線基板の構成を示す断面図
【図16】(a)、(b)実施の形態2にかかる複合配線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図
【図17】(a)〜(e)実施の形態2にかかる複合配線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図
【図18】(a)、(b)実施の形態2にかかる複合配線基板の製造工程の一部を主要な工程毎に示す断面図
【図19】(a)〜(d)実施の形態2にかかる複合配線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図
【図20】実施の形態3にかかる複合配線基板の構成を示す断面図
【図21】実施の形態3にかかる複合配線基板において、屈曲部の配置状態を示す図
【図22】実施の形態3にかかる複合配線基板において、リジッド配線基板部を3箇所有する場合の構成例を示す断面図
【図23】(a)〜(d)実施の形態3にかかる複合配線基板の製造方法を主要な工程毎に示す断面図
【図24】本発明にかかる複合配線基板の構造を示す断面図
【図25】本発明にかかる複合配線基板の構造を示す断面図
【図26】本発明にかかる複合配線基板の構造を示す断面図
【図27】本発明にかかる複合配線基板を用いた電子部品の実装体を示す図
【図28】本発明にかかる複合配線基板の構造を示す断面図
【図29】実施の形態1にかかる複合配線基板の製造方法の一部を主要な工程毎に示す断面図
【図30】実施の形態1にかかる複合配線基板の製造方法の一部を主要な工程毎に示す断面図
【符号の説明】
101,102,205,301,304,601,2002,2201 リジッド配線基板部
103,206,502,2003 屈曲配線基板部
104,201,803,1003,1102,1203,1303,1308,1401,1503,1504,1603,1604,1702,1703,1804,1902,2304,2902,3002 フィルム基材
105,204,403,504,604,707,713,805,1002,1006,1105,1205,1306,1311,1402,1507,1511,1606,1608,1706,1707,1803,1903,2305,2905,3005 導電体
106,203,404,706,712,804,1005,1104,1305,1310,1506,1510,1607,1609,1708,1709,2904,3004 貫通孔
202,705,711,802,1004,1103,1304,1309,1704,1705,2903,3003 カバーフィルム
302,2101,1801,1901 複合配線基板
303,1405,1905,2001 屈曲部
401 コアフィルム
402 接着剤層
501 ガラスエポキシ基板
503,603,710 フィルム基材
601,715,806,1007,1101,1301,1302,1403,1501,1502,1508,1509,1601,1602,1805,1904,2307,2901,3001 リジッド配線基板
602 フレキシブル配線基板
701,808,2301 支持基材
702,714,807,2302 配線
703,801,2303 転写基材
704 絶縁層
708 配線材料
709,1001,1106,1204,1307,1404,1505,1605,1701,1802 屈曲配線基板
809,901 屈曲部配線
902 保護層
1201 ガラスエポキシ基板
1202 全層IVH構造樹脂多層基板
1406 切り込み
1407 屈曲部領域に相当するフィルム基材部
1408 屈曲部領域に相当するリジッド配線基板部
2102 上側の屈曲部配部
2103 下側の屈曲配線部
2202 電気的に接続しない屈曲部
2306 中間体

Claims (28)

  1. 少なくとも2つのリジッド配線基板部と、前記リジッド配線基板部から露出した、前記リジッド配線基板部を接続する少なくとも1つの屈曲配線基板部とを備え、前記リジッド配線基板部は前記屈曲配線基板部に間隔を隔て設けられており、前記リジッド配線基板部の配線と前記屈曲配線基板部の配線とが、被圧縮性および屈曲性を有する樹脂材料からなるフィルム基材に設けられた貫通孔に充填された導電体を介して電気的に接続されているとともに、前記フィルム基材が前記屈曲配線基板部の少なくとも一方の面を覆っていることを特徴とする複合配線基板。
  2. 複数のリジッド配線基板部と少なくとも1つの屈曲配線基板部とを備え、前記複数のリジッド配線基板は異なる構造のリジッド配線基板が混在しており、前記リジッド配線基板部は前記屈曲配線基板部に間隔を隔て設けられており、前記リジッド配線基板部の配線と前記屈曲配線基板部の配線とが被圧縮性および屈曲性を有する樹脂材料からなるフィルム基材に設けられた貫通孔に充填された導電体を介して電気的に接続されているとともに、前記フィルム基材が前記屈曲配線基板部の少なくとも一方の面を覆っていることを特徴とする複合配線基板。
  3. リジッド配線基板部と重なる前記屈曲配線基板部の面積が前記リジッド配線基板部の面積に比べて小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の複合配線基板。
  4. リジッド配線基板部が前記屈曲配線基板部の両面に形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の複合配線基板。
  5. リジッド配線基板部が前記屈曲配線基板部の片面に形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の複合配線基板。
  6. リジッド配線基板部を挟んで複数の屈曲配線基板部が配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の複合配線基板。
  7. 複合配線基板の両側の表層に屈曲配線基板が配置されることを特徴とする請求項6に記載の複合配線基板。
  8. 屈曲配線基板部に複数の配線層が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の複合配線基板。
  9. 屈曲配線基板部の複数の配線層がフィルム基材に設けられた貫通孔に導電体を充填して、前記導電体を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項8に記載の複合配線基板。
  10. 屈曲配線基板部の配線幅がリジッド基板部の配線幅より細いことを特徴とする請求項1または2に記載の複合配線基板。
  11. 厚みが異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とする請求項2記載の複合配線基板。
  12. 少なくとも2つのリジッド配線基板部と、前記リジッド配線基板部から露出した、前記リジッド配線基板部を接続する少なくとも1つの屈曲配線基板部とを備え、前記リジッド配線基板部は前記屈曲配線基板部に間隔を隔て設けられており、前記リジッド配線基板部の配線と前記屈曲配線基板部の配線とが、コアフィルムの両面に接着剤層が形成された3層構造であり、屈曲性を有するフィルム基材に設けられた貫通孔に充填された導電体を介して電気的に接続されているとともに、前記フィルム基材が前記屈曲配線基板部の少なくとも一方の面を覆っていることを特徴とする複合配線基板。
  13. フィルム基材が、支持基材と配線からなる屈曲配線基板部の前記支持基材を剥離することにより残された前記配線を覆い、前記フィルム基材が屈曲配線基板の絶縁層の役割を兼ねていることを特徴とする請求項1に記載の複合配線基板。
  14. 被圧縮性および屈曲性を有する樹脂材料、あるいはコアフィルムの両面に接着剤層が形成された屈曲性を有する材料からなるフィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド配線基板と屈曲配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保するとともに前記フィルム基材が前記屈曲配線基板部の少なくとも一方の面を覆う工程を有することを特徴とする複合配線基板の製造方法。
  15. 貫通部を備えたリジッド配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と屈曲配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法。
  16. 前記積層接着工程前に、前記リジッド配線基板に設けられた貫通部を覆うように形成された前記フィルム基材部分を除去する工程を含むことを特徴とする請求項15に記載の複合配線基板の製造方法。
  17. リジッド配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記リジッド配線基板と前記フィルム基材を貫通する貫通部を形成する工程と、前記フィルム基材と屈曲配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法。
  18. 屈曲配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド配線基板を積層接着する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法。
  19. 支持基材上に屈曲配線基板を形成する工程と、屈曲配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、前記フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と貫通部を備えたリジッド配線基板を積層接着する工程と、前記支持基材を除去する工程と、複合配線基板を個片化する工程を有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法。
  20. 複合配線基板に電子部品を実装した後に、複合配線基板を個片化する工程を有することを特徴とする請求項14〜19のいずれかに記載の複合配線基板の製造方法。
  21. 被圧縮性および屈曲性を有する樹脂材料、あるいはコアフィルムの両面に接着剤層が形成された屈曲性を有する材料からなるフィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材とリジッド配線基板と屈曲配線基板を積層接着する工程と、屈曲部のリジッド配線基板を除去する工程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法。
  22. フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記フィルム基材と間隔を隔てた複数のリジッド配線基板と屈曲配線基板を積層接着する工程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって、電気的接続を確保し、前記複数のリジッド配線基板は、異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とする複合配線基板の製造方法。
  23. 複数のリジッド配線基板上にフィルム基材を形成する工程と、フィルム基材に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電体を充填する工程と、前記複数のリジッド配線基板上に形成されたフィルム基材と屈曲配線基板を積層接着する工程とを有し、前記積層接着工程では、前記導電体を圧縮することによって電気的接続を確保することを特徴とする複合配線基板の製造方法。
  24. 前記複数のリジッド配線基板は、異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とする請求項23に記載の複合配線基板の製造方法。
  25. 厚みが異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とする請求項22〜24のいずれかに記載の複合配線基板の製造方法。
  26. セラミック基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ビルドアップ基板、全層IVH構造樹脂多層基板から選ばれる、異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とする請求項2記載の複合配線基板。
  27. セラミック基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ビルドアップ基板、全層IVH構造樹脂多層基板から選ばれる、異なる構造のリジッド配線基板が混在していることを特徴とする請求項22〜24のいずれかに記載の複合配線基板の製造方法。
  28. 前記支持基材上に屈曲配線基板を形成する工程が、前記支持基材上に配線を形成して転写形成材を形成する工程であり、前記支持基材を除去する工程により、前記フィルム基材に前記配線が転写されて前記フィルム基材が前記屈曲配線基板の絶縁層の役割を兼ねている構成を得ることを特徴とする請求項19に記載の複合配線基板の製造方法。
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