JP2011119774A

JP2011119774A - ビルドアップ型多層フレキシブル回路基板の製造方法

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Publication number: JP2011119774A
Application number: JP2011055693A
Authority: JP
Inventors: Fumihiko Matsuda; 田文彦松
Original assignee: Nippon Mektron KK
Current assignee: Nippon Mektron KK
Priority date: 2011-03-14
Filing date: 2011-03-14
Publication date: 2011-06-16
Anticipated expiration: 2025-05-31
Also published as: JP5512578B2

Abstract

【課題】生産性の高い多層フレキシブル回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】内層コア基板１９における少なくとも一方の外層に、導電性突起２５を用いた層間接続により両面ケーブルとして形成された外層ケーブル部３７を積層する、１段目および２段目を少なくとも含むビルドアップ部をそなえた多層フレキシブル回路基板の製造方法において、前記ビルドアップ部の前記１段目に外層回路パターン１８を形成し、前記ビルドアップ部の前記２段目に層間接続に用いる導電性突起２５を形成し、前記ビルドアップ部の前記１段目の上に前記ビルドアップ部の前記２段目を積層し、前記ビルドアップ部の前記２段目の積層時に、前記外層回路パターンの周囲を可撓性層間絶縁樹脂７６で充填して前記外層ケーブル部の可撓性ベース絶縁材２８とし、かつ前記外層ケーブル部のカバーとすることを特徴とする多層フレキシブル回路基板の製造方法。
【選択図】図６

Description

本発明は、ビルドアップ型多層回路基板の製造方法に係わり、特に、可撓性ケーブル部を有するビルドアップ型多層フレキシブル回路基板の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化および高機能化は益々促進されてきており、そのために回路基板に対する高密度化の要求が高まっている。そこで、回路基板を片面から両面や三層以上の多層回路基板とすることにより、高密度化を図っている。

図１５は、従来の外層と内層にケーブル部を有するビルドアップ型多層フレキシブル回路基板の製造方法を示す断面工程図であって、先ず、図１５（１）に示すように、ポリイミド等の可撓性絶縁ベース材９１の両面に銅箔等の導電層９２，９３を有する、両面銅張積層板９４を用意する。

次いで、図１５（２）に示すように、この両面型銅張積層板９４の銅箔層９２、９３に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ケーブル等の回路パターン９５を形成し、内層回路９６とする。続いて、図１５（３）に示すように、ケーブル等の回路パターン９５に接着材９８を介してポリイミドフィルム９７を張り合わせることでカバー９９を形成し、ケーブル部１００を形成する。

この後、図１５（４）に示すように、絶縁ベース材１０１の片面に銅箔等の導電層１０２を有する、片面銅張積層板１０３およびこれを金型等により所望の形状に打ち抜き加工した図１５（３）のケーブル部１００に張り合わせるための接着材１０４を用意する。このときの導電層１０２の厚みは５０μｍ以下がよく、特に３５μｍ以下が好ましい。次に、図１５（５）に示すように、片面銅張積層板１０３と接着材１０４を張り合わせ、これを金型等により所望の形状に打ち抜き加工する。

次いで、図１６（６）に示すように、図１５（３）のケーブル部１００に接着材１０４を介して、図１５（５）の打ち抜き加工した片面銅張積層板105を積層する。続いて、図１６（７）に示すように、ＮＣドリル等で導通用孔１０６を形成する。必要に応じて、導通用孔内１０６に発生したスミアを除去するためのデスミア処理を行う。

この後、図１７（８）に示すように、導通用孔１０６に無電解めっきあるいは導電化処理等を施した後、電気めっきでスルーホール１０７を形成する。このときのスルーホール１０７のめっき厚みは、３０〜５０μｍ程度が信頼性を確保する上では好ましい、とされる。

そして、図１７（９）に示すように、上記スルーホール面に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、回路パターン１０８を形成し、２段ビルドアップ型多層フレキシブル回路基板のケーブル部を有する内層コア基板１０９を得る。

次に、図１８（１０）に示すように、特許文献１，２に記載されている銅箔１１０（例えば厚さ１００μｍ）／ニッケル箔１１１（例えば厚さ１μｍ）／銅箔１１２（例えば厚さ１０μｍ）の３層構造を有する金属基材１１３を用意する。このときのニッケル箔１１１は、銅エッチングの際のエッチングストッパーであり、ニッケル箔に限定するものではない。

次いで、図１８（１１）に示すように、この金属基材１１３の両面の銅箔層１１０および１１２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、コニーデ状（截頭円錐台形）の導電性突起を形成するためのレジスト層１１４を形成する。

続いて、図１８（１２）に示すように、レジスト層１１４を用いて、金属基材１１３の両面の銅箔層１１０および１１２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、コニーデ状の導電性突起１１５を形成する。このときのエッチング液としては、選択性を有するエッチング液を用いる。

この後、図１８（１３）に示すように、レジスト層１１４を剥離し、ニッケル箔１１１を特許文献２に記載の選択性を有するエッチング液を用いて除去する。銅箔層１１２上に、コニーデ状の導電性突起１１５を有する金属基材１１６を得る。

次に、図１８（１４）に示すように、ポリイミドフィルム等の可撓性を有するベースフィルム１１７の両面に、熱可塑性ポリイミド等の可撓性および接着性を有する接着層１１８を有する可撓性ベース絶縁材１１９を用意する。

次いで、図１９（１５）に示すように、金属基材１１６に対し可撓性ベース絶縁材１１９をラミネートにより接着性を発現しない温度で熱圧着した。その他の可撓性ベース絶縁材１１９の形成手法としてはキャスト、コーティング等も適用可能で、絶縁樹脂の種類、形態（ワニス、フィルム）によって最適な手法を選択する。続いて、図１９（１６）に示すように、金属基材１１６上の導電性突起１１５の頂部１２０をＣＭＰ、機械研磨等により露出させ、回路基材１２１を得る。この後、図１９（１７）に示すように、回路基材１２１を図１７（９）までの工程で得た回路基材１０９に積層する。

次に、図２０（１８）に示すように、積層した回路基材１２１の銅箔１１２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ケーブル等の回路パターン１２２を形成する。このときのエッチング液としては、選択性を有するエッチング液を用いる。

この場合、中空構造となった回路基材１２１に対してレジスト層の形成や露光を行わなければならず、レジスト形成時のデラミ等が懸念される他、露光時のレジストとフォトマスクとのクリアランスを一定に保つことが困難であるため、歩留まりよく微細な回路を形成することは困難である。

次いで、図２０（１９）に示すように、ケーブル等の回路パターン１２２にポリイミドフィルム１２３を、接着材１２４を介し張り合わせることでカバー１２５を形成し、ケーブル部１２６を形成する。また、その他の部品実装部分には、カバーフィルムまたはフォトソルダーレジスト１２７を形成する。

ここで、中空構造となったケーブルへのカバー１２５の張り合わせは困難で、図２０（１９）に示すように、デラミ等の張り合わせ不良が生じ易い。この後、必要に応じて基板表面に半田めっき、ニッケルめっき、金めっき等の表面処理を施し、外形加工を行うことで外層と内層にケーブル部を有するビルドアップ型多層フレキシブル回路基板１２８を得る。
特開２００２−１４１６２９号公報特開２００３−１２９２５９号公報

本発明では、カバーフィルムの張り合わせ不良を起こすことなく、生産性の高い多層フレキシブル回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的達成のため、本発明は次のような特徴を有する。

本発明によれば、
内層コア基板における少なくとも一方の外層に、導電性突起を用いた層間接続により両面ケーブルとして形成された外層ケーブル部を積層する、１段目および２段目を少なくとも含むビルドアップ部をそなえた多層フレキシブル回路基板の製造方法において、
前記ビルドアップ部の前記１段目に外層回路パターンを形成し、
前記ビルドアップ部の前記１段目に層間接続に用いる導電性突起を形成し、
前記ビルドアップ部の前記１段目の上に前記ビルドアップ部の前記２段目を積層し、
前記ビルドアップ部の前記２段目の積層時に、前記外層回路パターンの周囲を可撓性層間絶縁樹脂で充填して前記外層ケーブル部の可撓性ベース絶縁材とし、かつ前記外層ケーブル部のカバーとする
ことを特徴とする。

これらの特徴により、本発明は次のような効果を奏する。

本願発明によれば、煩雑な工程を用いることなく、外層のケーブル部に微細な回路パターンを形成でき、カバーのデラミ等の張り合わせ不良の恐れもなく、内層コア基板にもケーブルを配置可能である。

また第２の発明によれば、予め作製した良品の２段ビルドアップ部を良品の内層コア基板を選択して積層可能であるうえ、ビルドアップ部と内層コア基板とを別工程で製造できる。

以上の効果により、外層にケーブル部を有する多層フレキシブル回路基板を生産性よく安価にかつ安定的に提供することができる。

以下、図１ないし図１４を参照しながら本発明の実施形態を説明する。

実施形態１

図１ないし図６は、本発明の実施形態１における、内層にケーブル部を有するビルドアップ型多層フレキシブル回路基板の製造方法を示す断面工程図である。この方法では、まず、図１（１）に示すように、ポリイミド等の可撓性絶縁ベース材１の両面に銅箔等の導電層２，３を有する、所謂、両面銅張積層板４を用意する。

次に、図１（２）に示すように、この両面型銅張積層板４の銅箔層２，３に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ケーブル等の回路パターン５を形成し、内層回路６とする。次いで、図１（３）に示すように、ケーブル等の回路パターン５に接着材８を介しポリイミドフィルム７を張り合わせることでカバー９を形成し、ケーブル部１０を形成する。

続いて、図１（４）に示すように、絶縁ベース材１１の片面に銅箔等の導電層１２を有する、所謂、片面銅張積層板１３およびこれを金型等により所望の形状に打ち抜き加工した同図（３）のケーブル部１０に張り合わせるための接着材１４を用意する。このときの導電層１２の厚みは５０μｍ以下がよく、特に３５μｍ以下が好ましい。

この後、図１（５）に示すように、片面銅張積層板１３と接着材１４を張り合わせ、これを金型等により所望の形状に打ち抜き加工する。

次に、図２（６）に示すように、図２（３）のケーブル部１０に接着材１４を介して図２（５）の打ち抜き加工した片面銅張積層板１５を積層する。次いで、図２（７）に示すように、ＮＣドリル等で導通用孔１６を形成する。必要に応じて導通用孔内１６に発生したスミアを除去するためのデスミア処理を行う。

続いて、図３（８）に示すように、導通用孔１６に無電解めっきまたは導電化処理等を施した後、電気めっきでスルーホール１７を形成する。このときのスルーホール１７のめっき厚みは、３０〜５０μｍ程度が信頼性を確保する上で好ましい、とされる。

この後、図３（９）に示すように、上記スルーホール面に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、回路パターン１８を形成し、２段ビルドアップ型多層フレキシブル回路基板のケーブル部を有する内層コア基板１９を得る。

次に、図４（１０）に示すように、銅箔２０（例えば厚さ１００μｍ）／ニッケル箔２１（例えば厚さ１μｍ）／銅箔２２（例えば厚さ１０μｍ）の３層構造を有する金属基材２３を用意する。このときのニッケル箔２１は、銅エッチングの際のエッチングストッパーであり、ニッケル箔に限定するものではない。

次いで、図４（１１）に示すように、この金属基材２３の両面の銅箔層２０および２２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、コニーデ状の導電性突起を形成するためのレジスト層２４を形成する。

続いて、図４（１２）に示すように、レジスト層２４を用いて、金属基材２３の両面の銅箔層２０および２２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、コニーデ状の導電性突起２５を形成する。このときのエッチング液としては、例えば酸性エッチング液である塩化第二鉄またはアルカリ性エッチング液である水酸化アンモニウム溶液を用いる。

この後、図４（１３）に示すように、レジスト層２４を剥離し、ニッケル箔２１を、選択性を有するエッチング液、例えば酸性エッチング液である塩化第二鉄またはアルカリ性エッチング液である水酸化アンモニウム溶液を用いて除去する。銅箔層２２上に、コニーデ状（截頭円錐台形）の導電性突起２５を有する金属基材２６を得る。次に、図４（１４）に示すように、ポリイミドフィルム等の可撓性を有するベースフィルム２７の両面に熱可塑性ポリイミド等の可撓性と接着性を有する接着層２８を有する可撓性ベース絶縁材２９を用意する。

次いで、図５（１５）に示すように、金属基材２６に対し可撓性ベース絶縁材２９をラミネートにより接着性を発現しない温度で熱圧着した。その他の可撓性ベース絶縁材２９の形成手法としてはキャスト、コーティング等も適用可能で、絶縁樹脂の種類、形態（ワニス、フィルム）によって最適な手法を選択する。

続いて、図５（１６）に示すように、基材２６の銅箔層２２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ケーブル等の回路パターンを形成するためのレジスト層３０を形成する。この際、銅箔層２２の対になる面のエッチング液からの保護は図５（１５）で金属基材２６上に形成した可撓性ベース絶縁材２９によって行う。この形態であれば、片面銅張積層板に回路パターンを形成する手法がほぼそのまま適用可能であるため、微細な回路形成も歩留まりよく行うことができる。

この後、図５（１７）に示すように、レジスト層３０を用い、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ケーブル等の回路パターン３１を形成し、レジスト層３０を剥離し、回路基材３２を得る。

次に、図５（１８）に示すように、回路基材３２のケーブル等の回路パターン３１に、接着材３４を介しポリイミドフィルム３３を張り合わせることで、カバー３５を形成する。この場合も、片面回路基板を製造するときと同様に、容易にカバー形成を行うことができる。次いで、図５（１９）に示すように、金属基材２６上の導電性突起２５の頂部３６をＣＭＰ、機械研磨等により露出させ、ケーブル部を有する回路基材３７を得る。

続いて、図６（２０）に示すように、ケーブル部を有する回路基材３７と、同図（９）までの工程で得たケーブル部を有する内層コア基板１９とを用意する。

この後、図６（２１）に示すように、型抜きした回路基材３７を図３（９）までの工程で得たケーブル部を有する内層コア基板１９に積層する。その他の部品実装部分にはカバーフィルムまたはフォトソルダーレジスト３８を形成する。この後、必要に応じて基板表面に半田めっき、ニッケルめっき、金めっき等の表面処理を施し、外形加工を行うことで外層と内層にケーブル部を有するビルドアップ型多層フレキシブル回路基板３９を得る。

実施形態２

図７ないし図１４は、本発明の実施形態２の製造方法を示す断面工程図である。この方法では、先ず、図７（１）に示すように、絶縁ベース材４１の両面に銅箔等の導電層４２，４３を有する、両面銅張積層板４４を用意する。

次に、図７（２）に示すように、この両面型銅張積層板４４の銅箔層４２，４３に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、回路パターン４５を形成し、内層回路４６とする。

次いで、図７（３）に示すように、Ｂステージ状態のガラスエポキシ・プリプレグ等の接着性を有する接着性層間絶縁樹脂４７の片面に銅箔等の導電層４８を有する、所謂、片面銅張積層板４９を用意する。

続いて、図７（４）に示すように、同図（２）の内層回路４６の両面に同図（３）の片面銅張積層板４９を、ガラスエポキシ・プリプレグ等の接着性を有する接着性層間絶縁樹脂４７を介して張り合わせ、接着する。

この後、図８（５）に示すように、図７（４）で内層回路４６の両面に片面銅張積層板４９を張り合わせた基材を金型等により所望の形状に打ち抜き加工する。次に、図８（６）に示すように、図８（５）で打ち抜き加工された基材にＮＣドリル等で導通用孔５１を形成する。なお、図８（５）の打ち抜き加工の前に、導通用孔５１を形成しても構わない。

次いで、図８（７）に示すように、導通用孔５１に無電解めっき、または導電化処理等を施した後、電気めっきでスルーホール５２を形成する。

続いて、図９（８）に示すように、上記スルーホール面に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、回路パターン５３を形成し、ビルドアップ型多層フレキシブル回路基板の内層コア基板５４を得る。

この後、図１０（９）に示すように、銅箔５５（例えば厚さ１００μｍ）／ニッケル箔５６（例えば厚さ１μｍ）／銅箔５７（例えば厚さ１０μｍ）の３層構造を有する金属基材５８を用意する。このときのニッケル箔５６は、銅エッチングの際のエッチングストッパーであり、ニッケル箔に限定するものではない。また、繰り返し屈曲等が要求される場合には、ケーブル部となる銅箔５７に屈曲性に優れた、特殊電解箔や圧延銅箔を用いるとよい。

次に、図１０（１０）に示すように、この金属基材５８の銅箔層５７に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、回路パターンを形成するためのレジスト層５９を形成する。

次いで、図１０（１１）に示すように、フォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ケーブル部を含む回路パターン６０を形成する。このときのエッチング液としては選択性を有するエッチング液として酸性エッチング液である塩化第二鉄またはアルカリ性エッチング液である水酸化アンモニウム溶液を用いる。続いて、図１０（１２）に示すように、レジスト層５９を剥離し、回路パターン６０を有する基材６１を得る。

この後、図１０（１３）に示すように、銅箔６２（例えば厚さ１００μｍ）／ニッケル箔６３（例えば厚さ１μｍ）／銅箔６４（例えば厚さ１０μｍ）の３層構造を有する金属基材６５を用意する。このときのニッケル箔６３は銅エッチングの際のエッチングストッパーであり、ニッケル箔に限定するものではない。また、繰り返し屈曲等が要求される場合には、ケーブル部となる銅箔６４にも屈曲性に優れた、特殊電解箔や圧延銅箔を用いるとよい。また、銅箔厚みも銅箔５７と揃えることが好ましい。

次に、図１１（１４）に示すように、金属基材６５の銅箔層６２に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、コニーデ状の導電性突起を形成するためのレジスト層６６を形成する。

次いで、図１１（１５）に示すように、レジスト層６６を用い、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、コニーデ状の導電性突起６７を形成する。このときのエッチング液としては、選択性を有するエッチング液として酸性エッチング液である塩化第二鉄またはアルカリ性エッチング液である水酸化アンモニウム溶液を用いる。レジスト層６６を剥離し、ここまでの工程で、導電性突起が立設する基材６８を得る。

続いて、図１１（１６）に示すように、導電性突起が立設する基材６８に対し、可撓性および接着性を有する液晶ポリマーやポリイミド等の接着性絶縁樹脂層６９を、ラミネートにより接着性絶縁樹脂層６９が接着性を発現しない温度で熱圧着した。その他の接着性絶縁樹脂層６９の形成手法としてはキャスト、コーティング等も適用可能で、絶縁樹脂の種類、形態（ワニス、フィルム）によって最適な手法を選択する。さらに、導電性突起が立設する基材６８上の導電性突起６７の頂部７０をＣＭＰ、機械研磨等により露出させ、回路基材７１を得る。

この後、図１１（１７）に示すように、図１０（１２）で形成した回路パターン６０を有する基材６１に図１１（１６）で形成した回路基材７１を熱圧着し、完全に接着させ、ケーブル部となる回路基材７２を得る。このときに、回路パターン６０は接着性絶縁樹脂６９によって完全に充填される。この接着性絶縁樹脂６９が、ケーブル部の可撓性ベース材となる。また、このときに、図１１（１６）で形成した回路基材７１の導電性突起６７が、図１０（１２）で形成した基材６１の回路パターン６０と電気的に接続される。回路基材７２の銅箔５５が平滑であるため、導電性突起６７を十分に変形させることができるだけでなく、ケーブルを含む回路パターン６０に対しても十分な密着を得ることが可能である。

次に、図１１（１８）に示すように、回路基材７２の銅箔層５５に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、コニーデ状の導電性突起および層間絶縁樹脂のケーブル部等への流れ出しを防ぐ壁状の導電性突起を形成するためのレジスト層７３を形成する。

次いで、図１２（１９）に示すように、レジスト層７３を用い、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、コニーデ状の導電性突起７４を形成する。このときのエッチング液としては、選択性を有するエッチング液として酸性エッチング液である塩化第二鉄またはアルカリ性エッチング液である水酸化アンモニウム溶液を用いる。導電性突起の密度を向上させるために、必要に応じて導電性突起６７と導電性突起７４を同軸上に形成することが可能である。続いて、図１２（２０）に示すように、レジスト層７３を剥離する。

この後、図１２（２１）に示すように、ニッケル箔５６を特許文献２に記載の選択性を有するエッチング液を用いて除去する。ここまでの工程で、導電性突起７４が立設する基材７５を得る。

次に、図１２（２２）に示すように、ケーブル部のカバーとなる可撓性および接着性を有するポリイミド等の接着性絶縁樹脂層７６と、Ｂステージ状態のプリプレグ等の接着性絶縁樹脂７７を型抜きしたものとを用意する。

次いで、図１２（２３）に示すように、導電性突起が立設する基材７５に対し接着性絶縁樹脂層７６をラミネートによりポリイミド等の接着性絶縁樹脂層７６が接着性を発現し、Ｂステージ状態のプリプレグ等の接着性絶縁樹脂７７が接着性を発現しない温度で熱圧着した。この工程により、基材７５に対し可撓性ベース絶縁材７８（接着性絶縁樹脂層７６＋接着性絶縁樹脂７７）を形成した。

続いて、図１３（２４）に示すように、基材７５の銅箔層６４に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ケーブル等の回路パターンを形成するためのレジスト層７９を形成する。この際、銅箔層６４の対になる面のエッチング液からの保護は、図１２（２３）で基材７５上に形成した可撓性ベース絶縁材７８によって行う。この形態であれば、片面銅張積層板に回路パターンを形成する手法がほぼそのまま適用可能であるため、微細な回路形成も歩留まりよく行うことができる。

この後、図１３（２５）に示すように、レジスト層７９を用い、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ケーブル等の回路パターン８０を形成し、レジスト層７９を剥離し、回路基材８１を得る。

次に、図１３（２６）に示すように、回路基材８１のケーブル等の回路パターン８０にポリイミドフィルム８２を、接着材８３を介し張り合わせることでカバー８４を形成する。この場合も、片面回路基板を製造するときと同様に、容易にカバー形成を行うことができる。次いで、図１３（２７）に示すように、基材７５上の導電性突起７４の頂部８５をＣＭＰ、機械研磨等により露出させ、ケーブル部を有する回路基材８６を得る。

続いて、図１４（２８）に示すように、型抜きした回路基材８７を同図（８）までの工程で得た内層コア基板５４に積層する。

この後、図１４（２９）に示すように、積層後、その他の部品実装部分にはカバーフィルムまたはフォトソルダーレジスト８８を形成する。この後、必要に応じて基板表面に半田めっき、ニッケルめっき、金めっき等の表面処理を施し、外形加工を行うことで外層に両面ケーブル部を有するビルドアップ型多層フレキシブル回路配線基板８９を得る。

本発明の実施形態１による製造方法の工程（１）ないし（５）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態１による製造方法の工程（６）ないし（７）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態１による製造方法の工程（８）ないし（９）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態１による製造方法の工程（１０）ないし（１４）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態１による製造方法の工程（１５）ないし（１９）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態１による製造方法の工程（２０）ないし（２１）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態２による製造方法の工程（１）ないし（４）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態２による製造方法の工程（５）ないし（６）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態２による製造方法の工程（７）ないし（８）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態２による製造方法の工程（９）ないし（１３）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態２による製造方法の工程（１４）ないし（１８）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態２による製造方法の工程（１９）ないし（２３）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態２による製造方法の工程（２４）ないし（２７）を示す、概念的断面構成図。本発明の実施形態２による製造方法の工程（２８）ないし（２９）を示す、概念的断面構成図。従来のフレキシブル回路基板の製造方法の工程（１）ないし（５）を示す、概念的断面構成図。従来のフレキシブル回路基板の製造方法の工程（１）ないし（５）を示す、概念的断面構成図。従来のフレキシブル回路基板の製造方法の工程（６）ないし（７）を示す、概念的断面構成図。従来のフレキシブル回路基板の製造方法の工程（８）ないし（９）を示す、概念的断面構成図。従来のフレキシブル回路基板の製造方法の工程（１０）ないし（１４）を示す、概念的断面構成図。従来のフレキシブル回路基板の製造方法の工程（１５）ないし（１７）を示す、概念的断面構成図。

１可撓性絶縁ベース材
２銅箔層
３銅箔層
４両面銅張積層板
５回路パターン
６内層回路
７ポリイミドフィルム
８接着剤
９カバー
１０ケーブル部
１１可撓性絶縁ベース材
１２銅箔層
１３片面銅張積層板
１４接着剤
１５型抜きされた片面銅張積層板
１６導通用孔
１７スルーホール
１８回路パターン
１９内層コア基板
２０銅箔
２１ニッケル箔
２２銅箔
２３金属基材
２４レジスト層
２５導電性突起
２６導電性突起が形成された基材
２７可撓性ベースフィルム
２８熱可塑性ポリイミド
２９可撓性ベース絶縁材
３０レジスト層
３１回路パターン
３２回路基材
３３ポリイミドフィルム
３４接着材
３５カバー
３６導電性突起の頂部
３７回路基材
３８フォトソルダーレジスト
３９本発明による外層と内層にケーブル部を有するビルドアップ型多層フレキシブル回路基板
４１可撓性絶縁ベース材
４２銅箔層
４３銅箔層
４４両面銅張積層板
４５回路パターン
４６内層回路
４７接着性層間絶縁樹脂
４８導電層
４９片面銅張積層板
５０打ち抜き加工された基材
５１導通用孔
５２スルーホール
５３回路パターン
５４内層コア基板
５５銅箔
５６ニッケル箔
５７銅箔
５８金属基材
５９レジスト層
６０回路パターン
６１回路パターンを有する基材
６２銅箔
６３ニッケル箔
６４銅箔
６５金属基材
６６レジスト層
６７コニーデ状の導電性突起
６８導電性突起が立設する基材
６９接着性絶縁樹脂
７０導電性突起の頂部
７１回路基材
７２ケーブル部となる回路基材
７３レジスト層
７４コニーデ状の導電性突起
７５回路基材
７６ポリイミド等の可撓性絶縁樹脂層
７７プリプレグ等の型抜きされた接着性絶縁樹脂層
７８可撓性ベース絶縁材
７９レジスト層
８０回路パターン
８１回路基材
８２ポリイミドフィルム
８３接着材
８４カバー
８５導電性突起の頂部
８６ケーブル部を有する回路基材
８７型抜きした回路基材
８８フォトソルダーレジスト
８９外層にケーブル部を有するビルドアップ型多層フレキシブル回路基板
９１可撓性絶縁ベース材
９２銅箔層
９３銅箔層
９４両面銅張積層板
９５回路パターン
９６内層回路
９７ポリイミドフィルム
９８接着剤
９９カバー
１００ケーブル部
１０１可撓性絶縁ベース材
１０２銅箔層
１０３片面銅張積層板
１０４接着剤
１０５型抜きされた片面銅張積層板
１０６導通用孔
１０７スルーホール
１０８回路パターン
１０９内層コア基板
１１０銅箔
１１１ニッケル箔
１１２銅箔
１１３金属基材
１１４レジスト層
１１５コニーデ状の導電性突起
１１６金属基材
１１７可撓性ベースフィルム
１１８熱可塑性ポリイミド
１１９可撓性ベース絶縁材
１２０導電性突起の頂部
１２１回路基材
１２２回路パターン
１２３ポリイミドフィルム
１２４接着材
１２５カバー
１２６回路基材
１２７フォトソルダーレジスト
１２８従来工法によるビルドアップ型多層フレキシブル回路基板

Claims

内層コア基板における少なくとも一方の外層に、導電性突起を用いた層間接続により両面ケーブルとして形成された外層ケーブル部を積層する、１段目および２段目を少なくとも含むビルドアップ部をそなえた多層フレキシブル回路基板の製造方法において、
前記ビルドアップ部の前記１段目に外層回路パターンを形成し、
前記ビルドアップ部の前記２段目に層間接続に用いる導電性突起を形成し、
前記ビルドアップ部の前記１段目の上に前記ビルドアップ部の前記２段目を積層し、
前記ビルドアップ部の前記２段目の積層時に、前記外層回路パターンの周囲を可撓性層間絶縁樹脂で充填して前記外層ケーブル部の可撓性ベース絶縁材とし、かつ前記外層ケーブル部のカバーとする
ことを特徴とする多層フレキシブル回路基板の製造方法。
請求項１記載の多層フレキシブル回路基板の製造方法において、
前記可撓性層間絶縁樹脂として、熱可塑型もしくは熱硬化型のポリイミド、または液晶ポリマーを単層で、またはその他の接着性樹脂と組み合わせた複層として用いることを特徴とする多層フレキシブル回路基板の製造方法。
請求項１記載の多層フレキシブル回路基板の製造方法において、
前記外層ケーブル部となる前記導電性突起が形成された金属箔において、前記導電性突起および前記導電性突起が形成された金属箔の少なくとも一方が圧延銅箔により構成されたことを特徴とする多層フレキシブル回路基板の製造方法。