JP2001053076A - 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法Info
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Abstract
破壊耐性(信頼性)を向上する。 【解決手段】 シリコン酸化膜39の配線溝40に埋め
込むCu配線46a〜46eをCMPを用いた研磨で形
成し、CMP後の洗浄工程を経た後に、シリコン酸化膜
39およびCu配線46a〜46eの表面を還元性プラ
ズマ(アンモニアプラズマ)で処理する。その後、真空
破壊することなく、連続的にキャップ膜(シリコン窒化
膜)を形成する
Description
置および半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に、
銅を主導電層とする配線を、絶縁膜への溝形成、溝を埋
め込む銅膜の形成およびCMP(Chemical Mechanical
Polishing )法を用いた研磨により形成する、いわゆる
ダマシン法に適用して有効な技術に関するものである。
の微細化に伴い、配線抵抗の増大、配線遅延の増加、こ
れらに起因する半導体集積回路装置の性能が低下が問題
になっている。特に高性能なロジックLSIにおいて
は、その性能阻害要因として大きな問題を生じている。
このため、たとえば1993 VMIC(VLSI Multile
vel Interconnection Conference)予稿集、p15〜p
21に記載されているように、絶縁膜に形成した配線溝
に銅(Cu)を主導体層とする配線用金属を埋め込んだ
後、配線溝外部の余分な金属を化学機械研磨法(CMP
法)を用いて除去することにより配線溝内に配線パター
ンを形成する方法が検討されている。
は、半導体基板上のシリコン酸化膜に配線溝を形成後、
スパッタ法を用いて窒化チタン膜および銅膜を堆積し、
リフローにより溝内に銅を充填し、その後CMP法によ
り溝以外の銅膜を除去し、さらに水素雰囲気中で熱処理
を施す技術が記載されている。これにより銅配線中の欠
陥を低減できるとしている。
は、半導体基板上に形成された窒化チタン膜およびタン
グステン膜を有する被研磨材料をCMP法により研磨し
た後、その研磨された表面にハロゲン系混合ガスを用い
たプラズマ処理を施す技術が記載されている。これによ
り、CMP法に由来するマイクロスクラッチが形成され
ても配線ショートを生じないとしている。
は、配線を形成したい下地上に感光性SOG膜を形成
し、このSOG膜に配線溝を形成し、窒化チタン膜、銅
膜および銅チタン合金膜を形成し、CMP法による研磨
により配線溝内にのみ前記被膜を残し、さらにアンモニ
ア雰囲気で加熱処理して銅チタン合金膜の表層部に窒化
チタン膜を形成する技術が記載されている。
後にこれを埋め込む金属膜(たとえば銅膜)を形成し、
配線溝以外の銅膜をCMP法により除去する配線形成
法、いわゆるダマシン法による配線形成技術において、
本発明者らは、以下に説明するような問題を認識した。
用を考慮した場合、配線抵抗の低減は重要な技術検討課
題の一つである。そこで、発明者らは、配線を構成する
金属として銅を検討している。銅は、その物性として他
の金属(たとえばアルミニウム、タングステン)と比較
して絶縁膜であるシリコン酸化膜中を拡散しやすいとい
う性質を有する。よって、配線を覆うバリア膜の検討が
重要である。配線溝内のバリア膜としては窒化チタン膜
が検討されている。一方、配線上部を覆う被膜(キャッ
プ膜)としてシリコン窒化膜が検討されている。これら
配線溝に沿う窒化チタン膜と配線の上部をキャップする
シリコン窒化膜とで銅を覆い、層間絶縁膜(シリコン酸
化膜)への銅の拡散をブロックし、配線の信頼性を高め
ることが検討されている。
DDB(Time Dependence on Dielectric Breakdown )
寿命が、他の金属材料(たとえばアルミニウム、タング
ステン)の場合と比較して著しく短いという問題が存在
する。なお、TDDB試験とは、配線間の絶縁破壊強度
を評価する加速試験方法の一種であり、通常使用環境よ
り高い所定の温度での高電界下における絶縁破壊時間か
ら、通常使用状態における絶縁破壊時間(寿命)を推定
する試験方法である。TDDB寿命はこのTDDB試験
から推定される寿命である。TDDB寿命については後
に詳述する。
ングステン配線のTDDB特性を測定したデータを示す
グラフである。縦軸にTDDB寿命を横軸に電界強度を
割り当てている。アルミニウム配線の特性(データA)
およびタングステン配線の特性(データB)を外挿する
と、電界強度が0.2MV/cm(通常使用状態)にお
けるTDDB寿命は、本発明者らの開発目標である3×
108 sec(10年)を優に越える。一方、銅配線の
特性(データC)を外挿すると、10年の開発目標に対
してほとんどマージンのない状態であることがわかる。
アルミニウム配線は被膜の堆積とフォトリソグラフィを
用いたパターニングにより形成しているが、タングステ
ン配線は銅配線と同様にダマシン法を用いて形成してい
る。すなわち、銅配線とタングステン配線の相違は材料
のみであり、構造上の相違はない。それにもかかわらず
TDDB特性の顕著な相違があることは、配線材料の相
違に起因することが示唆される。なお、ここでのTDD
B特性は140℃の温度下で行ったデータを示してい
る。
線材料に適用された銅が周辺に拡散し、これが配線間の
絶縁耐圧を低下させることによると一般には考えられる
が、本発明者らの検討によれば、その銅は原子状の銅よ
りも、酸化銅あるいは銅シリサイドから供給されるイオ
ン化銅が配線間の電位でドリフトし拡散する要因が支配
的であると考えられる。また、銅の拡散経路は銅配線が
形成された絶縁膜とキャップ膜との界面が支配的である
と考えられる。すなわち、銅配線の表面に酸化銅あるい
は銅シリサイドが形成され、これら銅の化合物から銅イ
オンが形成され、イオン化された銅が配線形成用絶縁膜
とキャップ膜との界面に沿って配線間電界によりドリフ
トして拡散し、この拡散した銅原子がリーク電流を増加
させる原因になると考えられる。そしてリーク電流の増
加は熱ストレスを増加させ、最終的にリークパスで絶縁
破壊が生じてTDDB寿命に至ると考えられる。なお、
この点のメカニズムは後に詳述する。
層に形成した場合、上層配線の形成工程であるCMP工
程において、下層配線とその上層に形成された絶縁膜
(キャップ膜)との間に剥離が生ずる問題もある。
コン窒化膜を用いると、銅とシリコン窒化膜との界面に
シリサイド物が形成され、銅配線の抵抗が増加するとい
う問題もある。
された銅配線の絶縁破壊耐性(信頼性)を向上すること
にある。
膜との剥離の発生を抑制することにある。
リコン窒化膜を用いた場合の銅配線の抵抗値の増加を防
止することにある。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
線上にキャップ膜(たとえばシリコン窒化膜)を形成す
る前に、配線およびそれが埋め込まれた層間絶縁膜(た
とえばシリコン酸化膜)の表面を還元性プラズマで処理
するものである。
ップ絶縁膜との間の界面を連続的に形成でき、界面にお
ける密着性を改善してTDDB寿命を著しく向上するこ
とができる。
第1絶縁膜(たとえばシリコン酸化膜)を形成し、第1
絶縁膜に溝(配線溝)を形成する。その後第1導電膜
(銅の拡散を防止するブロッキング膜、たとえば窒化チ
タン膜)、溝を埋め込む第2導電膜(銅膜)を順次形成
し、第2導電膜および第1導電膜を研磨して溝内に配線
を形成する。その後、第1絶縁膜および配線の表面を還
元性雰囲気のプラズマにより処理する。さらに、第1絶
縁膜および配線上に第2絶縁膜(キャップ絶縁膜、たと
えばシリコン窒化膜)を堆積する。
モニア(NH3 )プラズマあるいは水素(H2 )プラズ
マとすることができる。また、アンモニア(NH3 )と
希釈ガス(水素(H2 )、窒素(N2 )、アルゴン(A
r)、ヘリウム(He)から選択された単一または複数
のガス)との混合ガスプラズマ、あるいは、水素
(H2 )と希釈ガス(アンモニア(NH3 )、窒素(N
2 )、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)から選択さ
れた単一または複数のガス)との混合ガスプラズマとす
ることができる。なお、混合ガスに対するアンモニアあ
るいは水素の濃度は5%以上である。
第2導電膜は銅、第2絶縁膜はシリコン窒化膜とするこ
とができる。なお、言うまでもないことであるが、銅は
配線としての特性を損なわない範囲で合金要素や添加
物、不純物を含むことを許容する。実施の形態で用いる
高純度の銅は一般に4Nすなわち99.99%以上のも
のが用いられる。
1絶縁膜および配線の表面を酸洗浄することができる。
酸洗浄には、フッ化水素(HF)またはクエン酸(C
(CH2 COOH)2 (OH)(COOH))の水溶液
を用いることができる。
械研磨法を用いることができる。研磨は、砥粒フリー化
学機械研磨を行う第1研磨、有砥粒化学機械研磨を行う
第2研磨、および、第2導電膜に対して第1導電膜の選
択比が5以上である化学機械研磨を行う第3研磨の3段
階の化学機械研磨で行うことができる。
第1絶縁膜を形成し、第1絶縁膜に溝を形成し、第1導
電膜、溝を埋め込む第2導電膜を形成し、第2導電膜お
よび第1導電膜を研磨して溝内に配線を形成し、第1絶
縁膜および配線の表面にプラズマを用いて還元処理およ
び窒化処理をし、第1絶縁膜および配線上に第2絶縁膜
を堆積するものである。
3 )またはアンモニアおよび水素(H2 )と、窒素(N
2 )、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)から選択さ
れた単一または複数のガスとの混合ガスのプラズマであ
る。
シベーション膜)に含まれるシリコン酸化膜よりも誘電
率の低い第1絶縁膜を形成し、第1絶縁膜に溝または孔
を形成し、第1絶縁膜の露出面を還元性雰囲気のプラズ
マにより処理し、溝または孔の内壁を含む表面を覆う第
1導電膜を堆積し、溝または孔を埋め込む第2導電膜を
形成し、溝または孔以外の第2導電膜および第1導電膜
を研磨により除去し、溝または孔内に導電部材を形成す
るものである。この場合の還元性雰囲気のプラズマも前
記同様である。なお、第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成
しても良い。
膜と、第1絶縁膜の溝内に埋め込んで形成された配線
と、第1絶縁膜および配線上に形成された第2絶縁膜と
をし、第1絶縁膜および配線と第2絶縁膜との界面には
窒化膜が形成されているものである。この場合、第1絶
縁膜はシリコン酸化膜であり、配線は銅であり、第2絶
縁膜はシリコン窒化膜である。また、窒化膜は、その膜
中の窒素濃度が、第1絶縁膜および配線側から第2絶縁
膜側に進むに従って高くなるものである。
の上層に第1絶縁膜を形成し、第1絶縁膜に溝を形成
し、第1絶縁膜上に第1導電膜を堆積し、溝を埋め込む
第2導電膜を形成し、第2導電膜および第1導電膜を研
磨して溝内に配線を形成し、第1絶縁膜および配線の表
面を還元性雰囲気のプラズマにより処理し、さらに、半
導体基板を大気雰囲気に曝すことなく減圧または不活性
状態を維持し、連続的に第1絶縁膜および配線上に第2
絶縁膜を堆積するものである。
的意味について説明する。
140℃)の測定条件下で電極間に比較的高い電圧を加
え、電圧印加から絶縁破壊までの時間を印加電界に対し
てプロットしたグラフを作成し、このグラフから実際の
使用電界強度(たとえば0.2MV/cm)に外挿して
求めた時間(寿命)をいう。図56は、本願のTDDB
寿命測定に使用した試料を示し、(a)は平面図、
(b)および(c)は(a)におけるB−B’線断面お
よびC−C’線断面を各々示す。この試料は実際にはウ
ェハのTEG(Test Equipment Group)領域に形成でき
る。図示するように一対の櫛形配線Lを第2配線層M2
に形成し、最上層のパットP1,P2に各々接続する。
この櫛形配線L間に電界が印加され電流が測定される。
パットP1,P2は測定端子である。櫛形配線Lの配線
幅、配線間隔、配線厚さは何れも0.5μmである。ま
た配線対向長は1.58×105 μmとした。図57
は、測定の概要を示した概念図である。試料は測定ステ
ージSに保持され、パッドP1,P2間に電流電圧測定
器(I/V測定器)を接続する。試料ステージSはヒー
タHで加熱され試料温度が140℃に調整される。図5
8は電流電圧測定結果の一例である。試料温度140
℃、電界強度5MV/cmの場合を例示した。TDDB
寿命測定には定電圧ストレス法と低電流ストレス法とが
あるが、本願では絶縁膜に印加される平均電界が一定と
なる定電圧ストレス法を用いている。電圧印加の後、時
間の経過とともに電流密度は減少し、その後急激な電流
増加(絶縁破壊)が観測される。ここでは、リーク電流
密度が1μA/cm2 に達した時間をTDDB寿命(5
MV/cmにおけるTDDB寿命)とした。なお、本願
において、TDDB寿命とは、特に言及しない限り0.
2MV/cmにおける破壊時間(寿命)をいうが、広義
には所定の電界強度に言及したうえで破壊までの時間と
してTDDB寿命の語を用いる場合もある。また、特に
言及しない限り、TDDB寿命は、試料温度140℃の
場合をいう。なお、TDDB寿命は前記の櫛形配線Lで
測定した場合をいうが、実際の配線間の破壊寿命を反映
することはいうまでもない。
境に基板表面、あるいは、基板上に絶縁膜、金属膜等の
部材が形成されている時にはその部材表面を暴露し、プ
ラズマの化学的、機械的(ボンバードメント)作用を表
面に与えて処理することをいう。一般にプラズマは特定
のガス(処理ガス)に置換した反応室内に必要に応じて
処理ガスを補充しつつ、高周波電界等の作用によりガス
を電離させて生成するが、現実には完全に処理ガスで置
換することはできない。よって、本願では、たとえばア
ンモニアプラズマと称しても、完全なアンモニアプラズ
マを意図するものではなく、そのプラズマ内に含まれる
不純物ガス(窒素、酸素、二酸化炭素、水蒸気等)の存
在を排除するものではない。同様に、言うまでもないこ
とであるが、プラズマ中に他の希釈ガスや添加ガスを含
むことを排除するものではない。
なわち酸素を引き抜く作用を有するラジカル、イオン、
原子、分子等の反応種が支配的に存在するプラズマ環境
をいい、ラジカル、イオンには原子あるいは分子状のラ
ジカルあるいはイオンが含まれる。また、環境内には単
一の反応種のみならず、複数種の反応種が含まれていて
も良い。たとえば水素ラジカルとNH2 ラジカルとが同
時に存在する環境でもよい。
合、主成分として銅が用いられていることを意図する。
すなわち、一般に高純度な銅であっても不純物が含まれ
ることは当然であり、添加物や不純物も銅からなる部材
に含まれることを排除するものではない。本願において
高純度の銅からなると表現した場合には、一般的な高純
度材料(たとえば4N(99.99%))程度の銅で構
成されることを意図し、0.01%程度の任意の不純物
が含まれることを前提にする。これは銅に限らず、その
他の金属(窒化チタン等)でも同様である。
量における流量比を言うものとする。すなわち、ガスA
とガスBとの混合ガスにおいて、ガスAの濃度が5%と
いう時には、ガスAの質量流量をFa、ガスBの質量流
量をFbとして、Fa/(Fa+Fb)=0.05のこ
とをいう。
ング薬剤に研磨砥粒を混合した懸濁液をいい、本願にお
いては発明の性質上、研磨砥粒が混合されていないもの
を含むものとする。
含まれるアルミナ、シリカなどの粉末をいう。
磨面を相対的に軟らかい布様のシート材料などからなる
研磨パッドに接触させた状態で、スラリを供給しながら
面方向に相対移動させて研磨を行うことをいい、本願に
おいてはその他、被研磨面を硬質の砥石面に対して相対
移動させることによって研磨を行うCML(ChemicalMec
hanical Lapping) なども含むものとする。
の重量濃度が0.5%未満のスラリを用いた化学機械研
磨をいい、有砥粒化学機械研磨とは、砥粒の重量濃度が
0.5%以上のスラリを用いた化学機械研磨をいう。し
かし、これらは相対的なものであり、第1ステップの研
磨が砥粒フリー化学機械研磨で、それに続く第2ステッ
プの研磨が有砥粒化学機械研磨である場合、第1ステッ
プの研磨濃度が第2ステップの研磨濃度よりも1桁以
上、望ましくは2桁以上小さい場合などには、この第1
ステップの研磨を砥粒フリー化学機械研磨という場合も
ある。
/または疎水性の保護膜を形成することによって、CM
Pによる研磨の進行を阻止または抑制する薬剤をいい、
一般にベンゾトリアゾール(BTA)などが使用される
(詳しくは特開平8−64594号公報参照)。
材料を構成する原子やイオンが輸送(拡散などを含む)
されて下層の素子などに悪影響を及ぼすのを防ぐための
もので、電気伝導性が絶縁膜に比べて比較的高いTiな
どの金属、TiNなどの金属窒化物、導電性酸化物、導
電性窒化物その他の拡散阻止性を有する導電材料からな
る層をいう。
グ、選択的化学機械研磨というときは、いずれも選択比
が5以上のものをいう。
ン(single damascene)やデュアルダマシン(dual damasc
ene)などのように、絶縁膜に形成された溝などの内部に
導電膜を埋め込んだ後、絶縁膜上の不要な導電膜を除去
する配線形成技術によって形成された配線をいう。
たは「Bに対するAの」)選択比がXというときは、研
磨レートを例にとった場合、Bに対する研磨レートを基
準にしてAに対する研磨レートを計算したときにXにな
ることをいう。
外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さ
ない。
必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態
に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それ
らは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部ま
たは全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
の数等(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する
場合、特に明示したときおよび原理的に明らかに特定の
数に限定されるときを除き、その特定の数に限定される
ものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さら
に、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ス
テップ等を含む)は、特に明示した場合および原理的に
明らかに必須であると考えられる場合を除き、必ずしも
必須のものではないことはいうまでもない。
要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に
明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考え
られる場合を除き、実質的にその形状などに近似または
類似するものなどを含むものとする。このことは、上記
数値および範囲についても同様である。
いうときは、特に単結晶シリコン基板上に作られるもの
だけでなく、特にそうでない旨が明示された場合を除
き、SOI(Silicon On Insulator)基板やTFT(Thin
Film Transistor)液晶製造用基板などといった他の基板
上に作られるものを含むものとする。また、ウエハとは
半導体集積回路装置の製造に用いる単結晶シリコン基板
(一般にほぼ円盤形)、SOS基板、ガラス基板その他
の絶縁、半絶縁または半導体基板などやそれらを複合し
た基板をいう。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
あるCMOS−LSIの製造方法を図1〜図19を用い
て工程順に説明する。
Ωcm程度の比抵抗を有するp型の単結晶シリコンからな
る半導体基板(以下、基板という)1に深さ350nm程
度の素子分離溝2をフォトリソグラフィとドライエッチ
ングを用いて形成した後、溝の内部を含む基板1上にC
VD法でシリコン酸化膜3を堆積する。続いて溝の上部
のシリコン酸化膜3を化学機械研磨(CMP)によって
その表面を平坦化する。その後、基板1にp型不純物
(ホウ素)およびn型不純物(例えばリン)をイオン打
ち込みすることによって、p型ウエル4およびn型ウエ
ル5を形成した後、基板1をスチーム酸化することによ
って、p型ウエル4およびn型ウエル5の表面に膜厚6
nm程度のゲート酸化膜6を形成する。
の上部に、低抵抗多結晶シリコン膜、WN(窒化タング
ステン)膜およびW(タングステン)膜からなるゲート
電極7を形成する。多結晶シリコン膜はCVD法によ
り、WN膜およびW膜はスパッタ法により形成できる。
ゲート電極7は、これら堆積膜のパターニングにより形
成する。ゲート電極7は、低抵抗多結晶シリコン膜とW
シリサイド膜との積層膜などを使って形成してもよい。
その後、イオン打ち込みすることによって、p型ウエル
4に低不純物濃度のn- 型半導体領域11を、n型ウエ
ル5に低不純物濃度のp- 型半導体領域12を形成す
る。
ン窒化膜をCVD法で堆積し、これを異方的にエッチン
グすることによって、ゲート電極7の側壁にサイドウォ
ールスペーサ13を形成する。この後、イオン打ち込み
することによって、p型ウエル4に高不純物濃度のn+
型半導体領域14(ソース、ドレイン)を形成し、n型
ウエル5に高不純物濃度のp+ 型半導体領域15(ソー
ス、ドレイン)を形成する。なお、n型不純物にはリン
またはヒ素を、p型不純物にはボロンを例示できる。そ
の後、チタン、コバルト等の金属膜を堆積し、熱処理の
後に未反応の金属膜を除去するいわゆるサリサイド法を
用いて、n+ 型半導体領域14(ソース、ドレイン)の
表面およびp+ 型半導体領域15(ソース、ドレイン)
の表面にシリサイド層9を形成する。ここまでの工程
で、nチャネル型MISFETQnおよびpチャネル型
MISFETQpが完成する。
D法でシリコン酸化膜18を堆積し、続いてフォトレジ
スト膜をマスクにしてシリコン酸化膜18をドライエッ
チングすることにより、n+ 型半導体領域14(ソー
ス、ドレイン)の上部にコンタクトホール20を形成
し、p+ 型半導体領域15(ソース、ドレイン)の上部
にコンタクトホール21を形成する。またこのとき、ゲ
ート電極7の上部にもコンタクトホール22を形成す
る。
の狭いスペースを埋め込むことのできるリフロー性の高
い膜、例えばBPSG(Boron-doped Phospho Silicate
Glass)膜で構成する。また、スピン塗布法によって形成
されるSOG(Spin On Glass) 膜で構成してもよい。
の内部にプラグ23を形成する。プラグ23を形成する
には、例えばコンタクトホール20、21、22の内部
を含むシリコン酸化膜18の上部にCVD法でTiN膜
およびW膜を堆積した後、シリコン酸化膜18の上部の
不要なTiN膜およびW膜を化学機械研磨(CMP)法
またはエッチバック法によって除去し、コンタクトホー
ル20、21、22の内部のみにこれらの膜を残す。
18の上部に第1層目の配線となるW配線24〜30を
形成する。W配線24〜30を形成するには、例えばシ
リコン酸化膜18の上部にスパッタリング法でW膜を堆
積した後、フォトレジスト膜をマスクにしてこのW膜を
ドライエッチングする。第1層目のW配線24〜30
は、コンタクトホール20、21、22を通じてnチャ
ネル型MISFETQnのソース、ドレイン(n+ 型半
導体領域)、pチャネル型MISFETQpのソース、
ドレイン(p+ 型半導体領域)あるいはゲート電極7と
電気的に接続される。
第1層目のW配線24〜30の上部にシリコン酸化膜3
1を堆積し、続いてフォトレジスト膜をマスクにしたド
ライエッチングでシリコン酸化膜31にスルーホール3
2〜36を形成した後、スルーホール32〜36の内部
にプラグ37を形成する。
たは酸素)とテトラエトキシシラン(TEOS)とをソ
ースガスに用いたプラズマCVD法で堆積する。また、
プラグ37は、例えばW膜で構成し、前記コンタクトホ
ール20、21、22の内部にプラグ23を形成した方
法と同じ方法で形成する。
シリコン酸化膜31の上部にプラズマCVD法で膜厚5
0nm程度の薄いシリコン窒化膜38を堆積し、続いてシ
リコン窒化膜38の上部にプラズマCVD法で膜厚45
0nm程度のシリコン酸化膜39を堆積する。その後、フ
ォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングでスル
ーホール32〜36の上部のシリコン酸化膜39および
シリコン窒化膜38を除去し、配線溝40〜44を形成
する。
リコン窒化膜38をエッチングストッパにしてシリコン
酸化膜39を選択的にエッチングし、その後、シリコン
窒化膜38をエッチングする。このように、配線溝40
〜44が形成されるシリコン酸化膜39の下層に薄いシ
リコン窒化膜38を形成しておき、このシリコン窒化膜
38の表面でエッチングを一旦停止した後、シリコン窒
化膜38をエッチングすることにより、配線溝40〜4
4の深さを精度良く制御することができる。
のような方法で第2層目の配線となる埋め込みCu配線
を形成する。
4の内部を含むシリコン酸化膜39の上部にスパッタリ
ング法で膜厚50nm程度の薄いTiN(窒化チタン)膜
45を堆積した後、TiN膜45の上部に配線溝40〜
44の深さよりも十分に厚い膜厚(例えば800nm程
度)のCu膜46をスパッタリング法で堆積する。続い
て、475℃程度の非酸化性雰囲気(例えば水素雰囲
気)中で基板1を熱処理することによってCu膜46を
リフローさせ、配線溝40〜44の内部に隙間なくCu
膜46を埋め込む。
46とその後のリフローによる埋め込みを説明したが、
薄いCu膜をスパッタ法により形成し、その後メッキ法
でCu膜46に相当するCu膜を形成しても良い。
う性質があるために、配線溝40〜44の内部にCu配
線を形成した場合、シリコン酸化膜39中にCuが拡散
し、配線間の短絡や、シリコン酸化膜39の誘電率上昇
による配線間寄生容量の増加を引き起こす。また、Cu
は酸化シリコンなどの絶縁材料に対する密着性が乏しい
という性質があるために、シリコン酸化膜39との界面
で剥離を引き起こし易い。
線を形成する場合は、シリコン酸化膜39とCu膜46
との間にCuの拡散を抑制し、かつ絶縁材料に対する密
着性が高いバリア層を設ける必要がある。さらに、上記
のようなリフロー・スパッタリング法で配線溝40〜4
4の内部にCu膜46を埋め込む場合には、リフロー時
にCu膜46の濡れ性を向上させる性質もバリア層に要
求される。
N、TaN(窒化タンタル)などの高融点金属窒化物
は、このようなバリア層として好適な材料である。ま
た、高融点金属窒化物にSi(シリコン)を添加した材
料や、Cuと反応し難いTa、Ti、W、TiW合金な
どの高融点金属もバリア層として用いることができる。
は、高純度のCu膜を使ってCu配線を形成する場合の
みならず、Cuを主成分とする合金膜を使ってCu配線
を形成する場合にも適用することができる。
葉式のCMP装置100を示す概略図である。このCM
P装置100は、表面にCu膜46が形成された基板1
を複数枚収容するローダ120、Cu膜46を研磨、平
坦化する研磨処理部130、研磨が終了した基板1の表
面に防蝕処理を施す防蝕処理部140、防蝕処理が終了
した基板1を後洗浄するまでの間、その表面が乾燥しな
いように維持しておく浸漬処理部150、防蝕処理が終
了した基板1を後洗浄する後洗浄処理部160および後
洗浄が終了した基板1を複数枚収容するアンローダ17
0を備えている。
研磨処理部130は、上部が開口された筐体101を有
しており、この筐体101に取り付けられた回転軸10
2の上端部には、モータ103によって回転駆動される
研磨盤(プラテン)104が取り付けられている。この
研磨盤104の表面には、多数の気孔を有する合成樹脂
を均一に貼り付けて形成した研磨パッド105が取り付
けられている。
保持するためのウエハキャリア106を備えている。ウ
エハキャリア106を取り付けた駆動軸107は、ウエ
ハキャリア106と一体となってモータ(図示せず)に
より回転駆動され、かつ研磨盤104の上方で上下動さ
れるようになっている。
れた真空吸着機構(図示せず)により、その主面すなわ
ち被研磨面を下向きとしてウエハキャリア106に保持
される。ウエハキャリア106の下端部には、基板1が
収容される凹部106aが形成されており、この凹部1
06a内に基板1を収容すると、その被研磨面がウエハ
キャリア106の下端面とほぼ同一か僅かに突出した状
態となる。
5の表面と基板1の被研磨面との間に研磨スラリ(S)
を供給するためのスラリ供給管108が設けられてお
り、その下端から供給される研磨スラリ(S)によって
基板1の被研磨面が化学的および機械的に研磨される。
研磨スラリ(S)としては、例えばアルミナなどの砥粒
と過酸化水素水または硝酸第二鉄水溶液などの酸化剤と
を主成分とし、これらを水に分散または溶解させたもの
が使用される。
ド105の表面を整形(ドレッシング)するための工具
であるドレッサ109を備えている。このドレッサ10
9は、研磨盤104の上方で上下動する駆動軸110の
下端部に取り付けられ、モータ(図示せず)により回転
駆動されるようになっている。
0において、その表面に防蝕処理が施される。防蝕処理
部140は、上記した研磨処理部130の構成と類似し
た構成になっており、ここでは、まず研磨盤(プラテ
ン)の表面に取り付けた研磨パッドに基板1の主面が押
し付けられて研磨スラリが機械的に除去された後、例え
ばベンゾトリアゾール(BTA)などの防蝕剤を含んだ
薬液が基板1の主面に供給されることによって、基板1
の主面に形成されたCu配線の表面部分に疎水性保護膜
が形成される。
えば図11に示すように、水平面内で回転させた基板1
の両面をPVA(ポリビニルアルコール)のような合成
樹脂の多孔質体からなる円筒状のブラシ121A、12
1Bで挟み、ブラシ121A、121Bを基板1の面に
対して垂直な面内で回転しながら基板1の両面を同時に
洗浄する。また、前洗浄後の防蝕処理に際しては、必要
に応じて純水スクラブ洗浄、純水超音波洗浄、純水流水
洗浄または純水スピン洗浄などを防蝕処理に先行または
並行して行うことにより、研磨処理部130で基板1の
主面に付着した研磨スラリ中の酸化剤を十分に除去し、
酸化剤が実質的に作用しない条件下で疎水性の保護膜を
形成するようにする。
乾燥を防ぐために、浸漬処理部150に一時的に保管さ
れる。浸漬処理部150は、防蝕処理が終了した基板1
を後洗浄するまでの間、その表面が乾燥しないように維
持するためのもので、例えば純水をオーバーフローさせ
た浸漬槽(ストッカ)の中に所定枚数の基板1を浸漬さ
せて保管する構造になっている。このとき、Cu配線2
8〜30の電気化学的腐蝕反応が実質的に進行しない程
度の低温に冷却した純水を浸漬槽に供給することによ
り、Cu配線28〜30の腐蝕をより一層確実に防止す
ることができる。
の供給など、少なくとも基板1の表面を湿潤状態に保持
することのできる方法であれば、上記した浸漬槽中での
保管以外の方法で行ってもよい。
は、その表面の湿潤状態が保たれた状態で直ちに後洗浄
に付される。ここでは、酸化剤を中和するためにNH4
OHを含む洗浄液などの弱アルカリ薬液を供給しなが
ら、基板1の表面をスクラブ洗浄(またはブラシ洗浄)
した後、フッ酸水溶液を基板1の表面に供給してエッチ
ングによる異物粒子(パーティクル)の除去を行う。ま
た、上記のスクラブ洗浄に先行または並行して、基板1
の表面を純水スクラブ洗浄、純水超音波洗浄、純水流水
洗浄または純水スピン洗浄したり、基板1の裏面を純水
スクラブ洗浄したりしてもよい。
リンスおよびスピンドライの後、乾燥した状態でアンロ
ーダ170に収容され、複数枚単位で一括して次工程へ
搬送される。
了した基板1の表面乾燥を防ぐための浸漬処理部(ウエ
ハ保管部)150を遮光構造にし、保管中の基板1の表
面に照明光などが照射されないようにすることができ
る。これにより、光起電力効果による短絡電流の発生を
防ぐようにできる。浸漬処理部150を遮光構造にする
には、具体的には浸漬槽(ストッカ)の周囲を遮光シー
トなどで被覆することによって、浸漬槽(ストッカ)の
内部の照度を少なくとも500ルクス以下、好ましくは
300ルクス以下、さらに好ましくは100ルクス以下
にする。
後、すなわちその表面に残った研磨スラリ中の酸化剤に
よる電気化学的腐蝕反応が開始される前に直ちに乾燥処
理部に搬送され、研磨スラリ中の水分が強制乾燥によっ
て除去されてもよい。図13に示すCMP装置200
は、表面にCu膜が形成された基板1を複数枚収容する
ローダ220、Cu膜を研磨、平坦化して配線を形成す
る研磨処理部230、研磨が終了した基板1の表面を乾
燥させる乾燥処理部240、基板1を後洗浄する後洗浄
処理部250および後洗浄が終了した基板1を複数枚収
容するアンローダ260を備えている。このCMP装置
200を使ったCu配線形成プロセスでは、研磨処理部
230において研磨処理に付された基板1は、研磨処理
の直後、すなわちその表面に残った研磨スラリ中の酸化
剤による電気化学的腐蝕反応が開始される前に直ちに乾
燥処理部240に搬送され、研磨スラリ中の水分が強制
乾燥によって除去される。その後、基板1は、乾燥状態
が維持されたまま後洗浄処理部250に搬送され、後洗
浄処理に付された後、純水リンスおよびスピンドライを
経てアンローダ260に収容される。この場合、研磨処
理の直後から後洗浄が開始されるまでの間、基板1の表
面が乾燥状態に保たれるために、電気化学的腐蝕反応の
開始が抑制され、これにより、Cu配線の腐蝕を有効に
防止することが可能となる。
膜39上のCu膜46およびTiN膜45を除去し、図
14に示すように、配線溝40〜44内にCu配線46
a〜46eを形成する。
酸化膜39の表面にプラズマ処理を施す。図15は、プ
ラズマ処理に用いる処理装置の概要を示した断面図
(a)および平面図(b)である。
に2つの処理室302a,302bとカセットインタフ
ェイス303が取り付けられている。ロードロック室3
01内には基板1を搬送するロボット304を有する。
ロードロック室301と処理室302a,302bとの
間には、処理中にもロードロック室301内の高真空状
態が保てるようにゲートバルブ305を有する。
保持するサセプタ306、ガス流を整えるバッフル板3
07、サセプタ306を支持する支持部材308、サセ
プタ306に対向して配置されるメッシュ状の電極30
9、バッフル板307にほぼ対向して配置された絶縁板
310を有する。絶縁板310はサセプタ306と電極
309の間以外の不必要な領域での寄生放電を抑制する
作用がある。サセプタ306の裏面側には反射ユニット
311内に設置されたランプ312が配置され、ランプ
312を発した赤外線313が石英窓314を通過して
サセプタ306および基板1に照射される。これにより
基板1が加熱される。なお、基板1はサセプタ306上
にフェイスアップで設置される。
真空に排気することが可能であり、処理ガスおよび高周
波電力がガスポート315から供給される。処理ガスは
メッシュ状の電極309を通過して基板1の近傍に供給
される。処理ガスは真空マニホールド316から排出さ
れ、処理ガスの供給流量および排気速度を制御すること
により圧力が制御される。高周波電力は電極309に印
加され、サセプタ306と電極309との間でプラズマ
を生成する。高周波電力はたとえば13.56MHzの
周波数を用いる。
るアンモニアプラズマ処理が行われる。また、処理室3
02bでは、後に説明するキャップ膜(シリコン窒化
膜)の堆積が行われる。処理室302aと処理室302
bとはロードロック室301を介して接続されているた
め、アンモニアプラズマ処理の後に真空破壊することな
く基板1を処理室302bに搬送することができ、アン
モニアプラズマ処理とキャップ膜の形成を連続的に行う
ことができる。
て、基板1にアンモニアプラズマ処理を施す。カセット
インタフェイス303から基板1がロボット304によ
りロードロック室301に搬入される。ロードロック室
301を十分な減圧状態になるまで真空排気し、ロボッ
ト304を用いて処理室302aに基板1を搬送する。
処理室302aのゲートバルブ305を閉じ、処理室3
02a内が十分な真空度になるまで排気した後、処理室
302aにアンモニアガスを導入し、圧力調整を行って
所定の圧力に維持する。その後、高周波電源から電極3
09に電界を印加し、図16に示すように、基板1の表
面をプラズマ処理する。所定時間の経過後高周波電界を
停止し、プラズマを停止する。その後、処理室302a
内を真空排気し、ゲートバルブ305を開いてロボット
304により基板1をロードロック室301に搬出す
る。なお、ロードロック室301は高真空状態に維持さ
れているため、基板1の表面が大気雰囲気に曝されるこ
とがない。
サイズを8インチとした場合、処理圧力を5.0Tor
r、RF電力を600W、基板温度を400℃、アンモ
ニア流量を200sccm、処理時間を10秒とするこ
とができる。電極間距離は600milsとした。な
お、プラズマ処理条件は、これら例示した条件に限られ
ないのはもちろんである。本発明者らの検討では、圧力
が高いほどプラズマダメージが低減でき、基板温度が高
いほどTDDB寿命の基板内ばらつきの低減と長寿命化
がはかれる。また、基板温度が高く、RF電力が大き
く、処理時間が長いほどCuの表面にヒロックが発生し
やすい、という知見が得られている。これらの知見と装
置構成による条件のばらつきを考慮すると、処理圧力は
0.5〜6Torr、RF電力は300〜600W、基
板温度は350〜450℃、アンモニア流量は20〜5
00sccm、処理時間は5〜180秒、電極間距離は
300〜600milsの範囲で設定することができ
る。
リコン酸化膜39の表面にプラズマ処理を施すことによ
り、Cu配線46a〜46eおよびシリコン酸化膜39
の表面のごく薄い領域に各々の下地材料の窒化膜を形成
することができる。これにより、次に説明するキャップ
膜(シリコン窒化膜)とCu配線46a〜46eおよび
シリコン酸化膜39との密着性が向上し、TDDB寿命
を著しく向上できる。この点は、本発明者らの実験結果
の解析とともに後に詳しく説明する。
理室302bに搬送する。処理室302bのゲートバル
ブ305を閉じ、処理室302b内が十分な真空度にな
るまで排気した後、処理室302bにシラン(Si
H4 )、アンモニア、窒素の混合ガスを導入し、圧力調
整を行って所定の圧力に維持する。その後、高周波電源
から電極309に電界を印加してプラズマを発生し、図
17に示すように、Cu配線46a〜46eおよびシリ
コン酸化膜39の表面にシリコン窒化膜47(キャップ
膜)を堆積する。所定時間の経過後高周波電界を停止し
プラズマを停止する。その後、処理室302b内を真空
排気し、ゲートバルブ305を開いてロボット304に
より基板1をロードロック室301に搬出する。さら
に、ロボット304を用いてカセットインタフェイス3
03に基板1を排出する。
nmとする。その後、第3層目の配線と第2層目の配線
(Cu配線46a〜46e)とを接続するプラグを形成
するためのシリコン酸化膜を形成し、前記したと同様の
方法で、第3層目以降の埋め込みCu配線が形成され
る。図18は、上述したCu配線46a〜46eの形成
プロセスの全体フロー図である。
したCMOS−LSIの一例を示す。第1層目の配線
(M1)は、前記した通りタングステン膜からなる。第
2層配線(M2)から第5層配線(M5)までは、前記
したCu配線の形成方法で製造する。なお、第2層配線
(M2)および第3層配線(M3)は、配線幅、配線間
距離および配線高さ(厚さ)は何れも0.5μmで形成
する。第4層配線(M4)および第5層配線(M5)
は、配線幅、配線間距離および配線高さ(厚さ)は何れ
も1μmで形成する。第6層配線(M6)はタングステ
ン膜、アルミニウム膜およびタングステン膜の3層構成
とし、第7層配線(M7)はアルミニウム膜で構成す
る。第7層配線(M7)にはバンプ等が形成されるが図
示を省略している。
幅に改善される。図20は、本実施の形態の第2層配線
M2(Cu配線46a〜46e)と同層に形成されたT
EGサンプルのTDDB寿命を示すグラフであり、本実
施の形態の場合のデータをラインAに示す。比較のため
にアンモニアプラズマ処理をしない場合のTDDB寿命
データ(ラインRef)も同時に示す。図から明らかな
通り、本実施の形態では、比較データと比べて約6桁の
寿命向上が見られる。
ン酸化膜39をそれよりも緻密で強固なシリコン窒化膜
に置き換えた場合のデータ(ラインB)を示す。絶縁膜
を窒化シリコンに置き換えた場合であってもアンモニア
プラズマ処理を施さなければ絶縁膜をシリコン酸化膜と
した場合と何ら相違はない(ラインRef)。一方、シ
リコン窒化膜を絶縁膜に適用し、アンモニアプラズマ処
理を施せば、本実施の形態以上にTDDB寿命が向上す
る。しかしその向上の割合は大きくなく、アンモニアプ
ラズマ処理を行うことによる要因の方が支配的であるこ
とがわかる。これは、TDDB寿命を支配する要因は絶
縁膜のバルクよりは、その界面が支配的であることを示
している。
マ処理によりTDDB寿命が向上する機構を解析するた
めに銅とシリコン酸化膜の表面分析を行った。以下に解
析の結果を説明する。
(X-ray Photo-electron Spectroscopy )分析の結果を
示したグラフである。各図の(a)、(c)はCu2p
の分光結果を示し、(b)、(d)はN1sの分光結果
を示す。
u膜表面を分析した結果である。Cu2pのピークが観
察され、N1sのピークはノイズレベルであることか
ら、アズデポ状態のCu膜には窒素は存在しないことが
わかる。図22(c)、(d)は、Cu膜にCMPのみ
を施した直後のCu配線表面を分析した結果である。C
u2pのピークとともにN1sのピークが観察される。
前記した通りスラリにはBTAが含まれるため、Cu表
面に残留したBTA内の窒素を観察しているものと推察
できる。図23(a)、(b)は、CMP後に後洗浄ま
で行った状態のCu配線表面を分析した結果である。C
u2pピークに変化は見られないが、N1sピークが低
下している。洗浄によりBTAが除去されたと考えられ
る。図23(c)、(d)は、後洗浄後大気雰囲気に2
4時間放置した状態のCu配線表面を分析した結果であ
る。Cu2pのピークとともにCuOのピークが観察さ
れる。N1sピークには放置による変化は見られない。
放置によりCu表面が酸化され、CuOが生成している
ことがわかる。
アプラズマ処理を施した状態のCu配線表面を分析した
結果が図24(a)、(b)である。CuOのピークは
ほぼ消失している。一方、N1sピークは強く生じてい
る。Cu表面が還元されて酸素が引き抜かれているとと
もに表面が窒化されていると考えられる。比較のため、
酸化されたCu配線に350℃の水素熱処理を施した状
態のCu配線表面を分析した。結果は図24(c)、
(d)である。Cu2pピークについて、図24(c)
と図24(a)とを比較すれば、よりアズデポ状態(図
22(a))に近いことから、水素熱処理の方が還元性
は強いと考えられる。一方、N1sピークはほとんど観
察されないことから、水素熱処理ではCu表面が還元さ
れるのみである。
によりCu配線46a〜46eの表面は還元されるとと
もに窒化層が形成されてことがわかる。この窒化層は、
アンモニアプラズマ処理の後にシリコン窒化膜を堆積す
る際の原料ガスに含まれるシランと銅との反応を防止
し、銅のシリサイドの形成を抑制する働きを有すると考
えられる。シリサイド形成の防止は配線抵抗の増加を抑
制する役割があると考える。
析を行った結果を示すグラフであり、図26および図2
7は、シリコン酸化膜の質量分析(TDS−APIM
S)を行った結果を示すグラフである。シリコン酸化膜
の分析においては、CMP後洗浄まで行った状態(プロ
ファイルC)、CMP後洗浄後水素プラズマ処理を行っ
た状態(プロファイルD)、CMP後洗浄後アンモニア
プラズマ処理を行った状態(プロファイルE)、CMP
後洗浄後窒素プラズマ処理を行った状態(プロファイル
F)について分析した。なお、プロファイルCの1eV
程度の高エネルギー方向へのずれはチャージアップの影
響によるものである。
ペクトルを観察したデータであり、(a)は10nm程
度の深さを、(b)は2nm程度の深さを分析したもの
である。図25(c)、(d)、(e)は各々N1s、
O1s、C1sスペクトルを観察したデータである。
ロファイルD)の低エネルギー側(102eV付近)に
ブロードなピークが見られる。これはSi−H結合が存
在すると考えられ、水素プラズマ処理によりシリコン酸
化膜表面にSi−Hが形成されると推察される。
理(プロファイルE)と窒素プラズマ処理(プロファイ
ルF)の105eVのピークが低エネルギー側に広がっ
た非対称なピークになっている。非対称部分のピーク
(103.5eV)はSi−O−N結合と考えられる。
アンモニアプラズマ処理および窒素プラズマ処理により
シリコン酸化膜の表面が窒化されていると推察される。
また、図25(a)と(b)との比較から、窒化は表面
でより強くされていると考えられる。アンモニアプラズ
マ処理および窒素プラズマ処理による窒化は、図25
(c)でも確認できる。
ロファイルD)では炭素はほとんど検出されない。水素
プラズマ処理により表面の有機物が除去されていること
がわかる。また、CMP後(プロファイルC)の289
eVのピークはC−O結合と考えられる。CMP後では
スラリが残留していると考える。
からそれらの存在比を求め、N量を推定した値を示す。
アンモニアプラズマ処理と窒素プラズマ処理とではほぼ
同等の窒化がなされていると考える。
各々質量数41(Ar−H)、質量数27(C
2 H3 )、質量数57(C4 H9 )、質量数59(C3
H7 O)を測定したグラフである。また、図27
(a)、(b)、(c)、(d)は各々質量数28(S
i、C2 H4 )、質量数44(SiO、C3 H6 )、質
量数29(SiH、C2 H5 )、質量数31(Si
H3 )を測定したグラフである。
素の脱離量の相違はほとんどないが、水素プラズマ処理
(プロファイルD)の脱離温度が他の場合(560℃)
と比較して520℃と低いことがわかる。
ロセスとも有機物の離脱が見られる。一方、図27
(a)〜(d)から、有機物の離脱以外のピークの存在
が見られる。すなわち、300〜400℃のピークは各
々、Si、SiO、SiH、SiH3 と思われる。各図
を比較すると、水素、アンモニア、窒素の各プラズマ処
理で、SiOの離脱は見られるが、アンモニアプラズマ
処理ではSiH、SiH3の離脱はほとんど観察されな
い。すなわち、アンモニアプラズマ処理ではSi−O−
Nが形成され、比較的低いエネルギーで容易に離脱す
る。また、離脱に必要なエネルギーは窒素プラズマ処理
の場合が最も高く、水素プラズマ処理とアンモニアプラ
ズマ処理とではほぼ同じと言える。
ダングリングボンドの原因となるSi−OHやSi−O
−は、アンモニアプラズマ処理により、弱い結合のSi
−O−Nで終端されると考えられる。アンモニアプラズ
マ処理の後のシリコン窒化膜の成膜において、ごく表面
のSi−O−Nが離脱し、バルクのSi−O結合とシリ
コン窒化膜のSi−Nとが強固に結合し、連続的な界面
を形成する。これが界面の密着性を向上する機構と考え
られる。一方、アンモニアプラズマ処理を行わない場合
には、そもそもSi−OH結合の多いシリコン酸化膜の
表面とシリコン窒化膜の原料ガスであるアンモニアとが
縮合反応し、ダングリングボンドの原因であるSi−O
−結合が多数発生していると考えられる。シリコン酸化
膜とシリコン窒化膜との界面に多数のダングリングボン
ドが存在すれば、そこはリークパスを形成することとな
り配線間のリーク電流、ひいては絶縁破壊の原因となっ
ていると考えられる。
処理により、酸化されたCu配線の表面は還元されてC
u単元素に変換され、イオン化されたCuよりも電気的
に安定な状態になり、かつ、シリコン酸化膜/シリコン
窒化膜界面は連続的な強固な膜になることから、リーク
電流が減少し、TDDB寿命も大幅に向上すると考えら
れる。
た本実施の形態の場合の配線層とシリコン窒化膜(キャ
ップ膜)との界面を観察したTEM写真である。一方図
29はアンモニアプラズマ処理を行わない場合の界面の
TEM写真である。図28では、界面に薄い被膜の存在
が確認できる(矢印で示した)。この薄い被膜が前記し
た窒化層であると考えられる。一方図29では、そのよ
うな被膜は確認できない。
を低減できる。図30は、各種の処理を行った場合の配
線抵抗の測定結果である。処理無し(プラズマ処理な
し)とアンモニアプラズマ処理をした場合とでは、他の
場合(水素プラズマ処理、水素アニール、窒素プラズマ
処理)と比較して有意に低い値となっている。図31お
よび図32は、これら各処理を施した場合のCu配線と
キャップ膜(シリコン窒化膜)との界面を観察したTE
M写真である。処理無しとアンモニアプラズマ処理の場
合(図31)では界面に特異ものは見られないが、水素
アニール、窒素プラズマ処理の場合(図32)では界面
に銅のシリサイド(CuSi)層が形成されている。こ
のシリサイド層が抵抗増加の原因と思われる。このよう
なシリサイド層は、シリコン窒化膜の形成の際のシラン
ガスとの反応で形成されるが、アンモニア処理を行って
いる場合にはCu表面にごく薄い窒化膜が形成されてお
り、この窒化膜がシリサイド化のブロッキング層として
機能していると考えられる。一方、水素アニール等、単
に銅表面を還元するのみでは活性なCu表面が露出して
シリコンとの反応が促進されるため、シリサイド層が生
成されやすいと考えられる。なお、水素プラズマ処理
(図32(c)、(f))の場合には、界面に何らかの
生成物が見られる。ただし、多くの場合にはそのような
生成物が形成されない場合もあり水素プラズマ処理の場
合にはシリサイド化の程度は小さいと考えられる。な
お、図31および図32において、TEM写真(図31
(a)および(b)、図32(a)〜(c))に加え
て、各々対応するトレース図面(図31(c)および
(d)、図32(d)〜(f))を参考のために各TE
M写真の下に示した。
化機構として、以下のようなモデルが考えられる。すな
わち、本実施の形態のアンモニア処理を施さない場合に
は、Cu配線の表面部分に酸化銅(CuO)が形成さ
れ、また、キャップ膜(シリコン窒化膜47)の形成の
際に銅シリサイドが形成される。このような酸化銅ある
いは銅シリサイドは、純粋な銅と比較してイオン化され
やすく、このようなイオン化された銅は配線間の電界に
よりドリフトされ、配線間の絶縁膜に拡散される。ま
た、銅配線を埋め込んで形成する絶縁膜(シリコン酸化
膜39)とキャップ膜(シリコン窒化膜47)との界面
は、本実施の形態のアンモニア処理を施さない場合には
ダングリングボンドが多く形成され、不連続であり、密
着性にも乏しい。このようなダングリングボンドの存在
は銅イオンの拡散を助長する作用を有し、銅イオンは界
面に沿ってドリフトされ拡散する。すなわち、配線間の
前記界面にリークパスが形成される。リークパスを流れ
るリーク電流は、長時間のリーク作用と電流による熱ス
トレスも加わり、その後加速度的に電流値が増加して破
壊に至る(TDDB寿命)。
46a〜46eの表面にアンモニア処理を施すため、C
u配線46a〜46e表面の酸化層は還元されて消失
し、Cu配線46a〜46eの表面に薄い窒化層が形成
されるためシリコン窒化膜47の形成の際に銅シリサイ
ドが形成されない。このため、リークおよび絶縁破壊の
原因となる銅イオンを支配的に供給する原因物質を生じ
なくすることができる。また、本実施の形態では、シリ
コン酸化膜39の表面にアンモニア処理を施すため、シ
リコン窒化膜47との接続を連続的にし、ダングリング
ボンドの密度を低減してリークパスの形成を抑制でき
る。すなわち、TDDB寿命低下の原因となる銅イオン
の発生を抑制し、かつ、銅の拡散を抑制できるようなシ
リコン酸化膜39とシリコン窒化膜47との接合界面を
形成できる。これによりTDDB寿命を向上できるので
ある。
理でもTDDB寿命を向上できると考えられる。すなわ
ち、水素プラズマ処理により、Cu表面は還元され、S
i−O−等のダングリングボンドや、その原因となるS
i−OHがSi−Hで終端される。そして、シリコン窒
化膜の形成の際に、結合の弱い表面のSi−Hが離脱
し、Si−Nで置換される。これにより連続的なシリコ
ン酸化膜とシリコン窒化膜の界面が形成される。ただし
配線抵抗は前記の通り増加する。図33は、水素プラズ
マ処理を行った場合のTDDB寿命のデータを示したグ
ラフである。参考にラインRef(処理無し)とライン
A(アンモニアプラズマ処理)を示した。水素プラズマ
処理(ラインC)では、TDDB寿命が格段に向上する
ことがわかる。水素プラズマ処理の場合にはプラズマダ
メージが軽減されることが期待されるので、キャップ膜
としてシリコン窒化膜にかわる他の材料であってCuと
の反応生成物を生じないような材料が適用できるときに
はきわめて有効である。なお、窒素プラズマ処理(ライ
ンD)ではTDDB寿命がかえって低下する。図26,
27からもわかるように、窒素プラズマ処理によってか
えって有機物の付着が増加していることに起因すると思
われる。
a〜46eおよびシリコン酸化膜39とキャップ膜47
との接着性が向上しているため、界面の剥離強度が増
し、マージンが大きくなるという効果もある。
れず、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスとの混
合ガスプラズマで処理しても良い。すなわち、アンモニ
アと水素、窒素、アルゴンまたはヘリウムとの混合ガ
ス、あるいは、水素とアンモニア、窒素、アルゴンまた
はヘリウムとの混合ガスでも良い。さらに、これらのガ
スから選択された3元系、4元系等多元系の混合ガスで
あっても良い。このとき、水素、アンモニア、あるいは
水素とアンモニアの和は、総流量(質量流量)に対して
5%以上混合されていることが必要である。
あるCMOS−LSIの製造方法を図34〜図43を用
いて工程順に説明する。
における図1〜図8までの工程については同様である。
以下CMP工程以降の工程を説明する。
るCMP装置の全体構成の一例を示す概略図である。
処理部401とその後段に設けられた後洗浄部402と
によって構成されている。研磨処理部401には、ウエ
ハ(基板)1の研磨処理を行う2台の定盤(第1定盤4
03A、第2定盤403B)、研磨処理が終わった基板
1を予備洗浄し、その表面に防食処理を施すクリーン・
ステーション404、基板1をローダ406、第1定盤
403A、第2定盤403B、クリーン・ステーション
404、アンローダ407間に移動させる回転アーム4
05などが設置されている。
わった基板1の表面をスクラブ洗浄する後洗浄部402
が設けられている。後洗浄部402には、ローダ40
8、第1洗浄部409A、第2洗浄部409B、スピン
ドライヤ410、アンローダ411などが設置されてい
る。また、後洗浄部402は、洗浄中の基板1の表面に
光が照射するのを防ぐために、全体が遮光壁430で囲
まれ、内部が180ルックス、好ましくは100ルック
ス以下の暗室状態となっている。これは、表面に研磨液
が付着した基板1に湿潤状態で光が照射されると、シリ
コンの光起電力によってpn接合に短絡電流が流れ、p
n接合のp側(+側)に接続されたCu配線の表面から
Cuイオンが解離して配線腐食を引き起こすからであ
る。
は、その下部に設けられた駆動機構412によって水平
面内で回転駆動する。また、第1定盤403Aの上面に
は多数の気孔を有するポリウレタンなどの合成樹脂を均
一に貼り付けて形成した研磨パッド413が取り付けら
れている。第1定盤403Aの上方には、駆動機構41
4によって上下動および水平面内で回転駆動するウエハ
キャリア415が設置されている。基板1は、このウエ
ハキャリア415の下端部に設けられたウエハチャック
416およびリテーナリング417によって、その主面
(被研磨面)を下向きにして保持され、所定の荷重で研
磨パッド413に押し付けられる。研磨パッド413の
表面と基板1の被研磨面との間にはスラリ供給管418
を通じてスラリ(研磨液)Sが供給され、基板1の被研
磨面が化学的および機械的に研磨される。また、第1定
盤403Aの上方には、駆動機構419によって上下動
および水平面内で回転駆動するドレッサ420が設置さ
れている。ドレッサ420の下端部にはダイヤモンド粒
子を電着した基材が取り付けられており、研磨パッド4
13の表面は、研磨砥粒による目詰まりを防ぐために、
この基材によって定期的に切削される。なお、第2定盤
403Bは、2本のスラリ供給管418a、418bが
設けられている点を除き、第1定盤403Aとほぼ同様
の構成になっている。
形成するには、ローダ406に収容された基板1を回転
アーム405を使って研磨処理部401に搬入し、まず
図36に示すように、第1定盤403Aの上において、
砥粒を含まないスラリを使用した化学機械研磨(砥粒フ
リー化学機械研磨)(第1ステップのCMP)を行い、
前記配線溝40〜44の外部のCu膜46を除去する
(図37)。
ミナ、シリカなどの粉末からなる砥粒の含有量が0.5
%重量未満の研磨液(スラリ)を使用した化学機械研磨
を意味し、研磨液としては、特に砥粒の含有量が0.1
重量%未満のものが好ましく、0.01重量%未満のも
のはさらに好ましい。
するようにそのpHが調整されたものが使用され、さら
にTiN膜45(バリア層)に対するCu膜46の研磨
選択比が少なくとも5以上となるようにその組成が調整
されたものが使用される。このような研磨液として、酸
化剤と有機酸とを含んだスラリを例示することができ
る。酸化剤としては、過酸化水素、水酸化アンモニウ
ム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウムなどを例示す
ることができ、有機酸としては、クエン酸、マロン酸、
フマル酸、リンゴ酸、アジピン酸、安息香酸、フタル
酸、酒石酸、乳酸、コハク酸などを例示することができ
る。これらのうち、過酸化水素は金属成分を含まず、か
つ強酸ではないため、研磨液に用いて好適な酸化剤であ
る。また、クエン酸は食品添加物としても一般に使用さ
れており、毒性が低く、廃液としての害も低く、臭いも
なく、水への溶解度も高いため、研磨液に用いて好適な
有機酸である。本実施の形態では、例えば純水に5体積
%の過酸化水素と0.03重量%のクエン酸とを加え、
砥粒の含有量を0.01重量%未満にした研磨液を使用
する。
Cu表面が酸化剤によって酸化され、表面に薄い酸化層
が形成される。次に酸化物を水溶性化する物質が供給さ
れると上記酸化層が水溶液となって溶出し、上記酸化層
の厚さか減る。酸化層が薄くなった部分は再度酸化性物
質に晒されて酸化層の厚さが増し、この反応を繰り返し
て化学機械研磨が進行する。なお、このような砥粒フリ
ーの研磨液を使用した化学機械研磨については、本願発
明者などによる日本特願平9−299937号および特
願平10−317233号に詳しく記載されている。
/cm2、ウエハキャリア回転数=30rpm 、定盤回転数=
25rpm 、スラリ流量=150cc/minとし、研磨パッド
は、米国ロデール(Rodel) 社の硬質パッド(IC140
0)を使用する。研磨の終点は、Cu膜46が除去され
て下地のTiN膜45が露出した時点とし、終点の検出
は、研磨対象がCu膜46からTiN膜45になったと
きに変化する定盤またはウエハキャリアの回転トルク信
号強度を検出することによって行う。また、研磨パッド
の一部に穴を開け、ウエハ表面からの光反射スペクトル
変化に基づいて終点を検出したり、スラリの光学的スペ
クトル変化に基づいて終点を検出したりしてもよい。
学機械研磨を行うことにより、配線溝40〜44の外部
のCu膜46は殆ど除去されて下層のTiN膜45が露
出するが、図38(a)(b)に拡大して示すように、
下地段差に起因して生じたTiN膜45の窪み(矢印で
示す)などには、この研磨では除去しきれなかったCu
膜46が残存する。
45とその上面に局所的に残ったCu膜46とを除去す
るために、基板1を第1定盤403Aから第2定盤40
3Bに移し、砥粒を含む研磨液(スラリ)を使用した化
学機械研磨(有砥粒化学機械研磨)(第2ステップのC
MP)を行う。ここで有砥粒化学機械研磨とは、アルミ
ナ、シリカなどの粉末からなる砥粒の含有量が0.5重
量%以上の研磨液を使用した化学機械研磨を意味する。
本実施の形態では、研磨液として純水に5体積%の過酸
化水素、0.03重量%のクエン酸および0.5重量%
の砥粒を混合したものを使用するが、これに限定される
ものではない。この研磨液は、前記のスラリ供給管41
8aを通じて第2定盤403Bの研磨パッド413に供
給される。
は、TiN膜45の上面に局所的に残ったCu膜46の
除去に引き続いて、配線溝40〜44の外部のTiN膜
45を除去する。そこで、TiN膜45(バリア層)に
対するCu膜46の研磨選択比が前記砥粒フリー化学機
械研磨のそれよりも低い条件、例えば選択比3以下の条
件で研磨を行い、配線溝40〜44の内部のCu膜46
の表面が研磨されるのを抑制する。
/cm2、ウエハキャリア回転数=30rpm 、定盤回転数=
25rpm 、スラリ流量=150cc/minとし、研磨パッド
は、ロデール社のIC1400を使用する。研磨量はT
iN膜45の膜厚相当分とし、研磨の終点は、TiN膜
45の膜厚および研磨速度から算出した時間によって制
御する。
械研磨を行うことにより、配線溝40〜44の外部のT
iN膜45は殆ど除去されて下層のシリコン酸化膜39
が露出するが、図40(a)、(b)に拡大して示すよ
うに、下地段差に起因して生じたシリコン酸化膜39の
窪み(矢印で示す)などには、上記の研磨で除去しきれ
なかったTiN膜45が残存する。
6の研磨を可能な限り抑制しつつ、配線溝40〜44の
外部のシリコン酸化膜39上に局所的に残ったTiN膜
45(バリア層)を除去するための選択的化学機械研磨
(第3ステップのCMP)を行う。この選択的化学機械
研磨は、Cu膜46に対するTiN膜45の研磨選択比
が少なくとも5以上となる条件で行う。また、この化学
機械研磨は、Cu膜46の研磨速度に対するシリコン酸
化膜39の研磨速度の比が1よりも大きくなる条件で行
う。
に前記有砥粒化学機械研磨で使用したような0.5%重
量以上の砥粒を含有する研磨液に防食剤を添加したもの
を使用する。防食剤とは、Cu膜46の表面に耐食性の
保護膜を形成することによって研磨の進行を阻止または
抑制する薬剤をいい、ベンゾトリアゾール(BTA)、
BTAカルボン酸などのBTA誘導体、ドデシルメルカ
プタン、トリアゾール、トリルトリアゾールなどが使用
されるが、特にBTAを使用した場合に安定な保護膜を
形成することができる。
濃度はスラリの種類にもよるが、通常は0.001〜1
重量%、より好ましくは0.01〜1重量%、さらに好
ましくは0.1〜1重量%(3段階)の添加で十分な効
果が得られる。本実施の形態では、研磨液として前記第
2ステップの有砥粒化学機械研磨で使用した研磨液に防
食剤として0.1重量%のBTAを混合したものを使用
するが、これに限定されるものではない。また、防食剤
の添加による研磨速度の低下を避けるために、ポリアク
リル酸、ポリメタクリル酸、これらのアンモニウム塩ま
たはエチレンジアミン四酢酸(EDTA)などを必要に
応じて添加してもよい。なお、このような防食剤を含む
スラリを使用した化学機械研磨については、本願発明者
などによる特願平10−209857号、特願平9−2
99937号および特願平10−317233号に詳し
く記載されている。
CMP)は、前記の有砥粒化学機械研磨(第2ステップ
のCMP)が終了した後、引き続いて第2定盤403B
の上で行われる。防食剤を添加した研磨液は、前記のス
ラリ供給管418bを通じて研磨パッド413の表面に
供給される。研磨の条件は、一例として荷重=120g
/cm2、ウエハキャリア回転数=30rpm 、定盤回転数=
25rpm 、スラリ流量=190cc/minとする。
ように、上記の選択的化学機械研磨を行うことにより、
配線溝40〜44の外部のTiN膜45がすべて除去さ
れ、配線溝40〜44の内部に埋め込みCu配線46a
〜46eが形成される。
完了した上記基板1の表面には、砥粒などのパーティク
ルやCu酸化物などの金属粒子を含んだスラリ残渣が付
着している。そこでこのスラリ残渣を除去するために、
まず前記図34に示すクリーン・ステーション404に
おいてBTAを含む純水で基板1を洗浄する。このと
き、洗浄液に800kHz以上の高周波振動を加えて基
板1の表面からスラリ残渣を遊離させるメガソニック洗
浄を併用してもよい。次に、表面の乾燥を防ぐために基
板1を湿潤状態に保持した状態で研磨処理部401から
後洗浄部402に搬送し、第1洗浄部409Aにおいて
0.1重量%のNH4 OHを含む洗浄液を用いたスクラ
ブ洗浄を行い、続いて第2洗浄部409Bにおいて純水
を用いたスクラブ洗浄を行う。前記のように、後洗浄部
402は、洗浄中の基板1の表面に光が照射することに
起因してCu配線46a〜46eに腐食が発生するのを
防ぐため、全体が遮光壁430で覆われている。
板1は、スピンドライヤ410で乾燥された後、次工程
へ搬送される。
る。図43は、上述したCu配線46a〜46eの形成
プロセスの全体フロー図である。
合よりさらにTDDB寿命を向上できる。図44は本実
施の形態の場合のTDDB寿命を示したグラフである。
本実施の形態の場合のデータはラインEで示している。
参考のため、処理無し(ラインRef)と有砥粒の化学
機械研磨の場合(実施の形態1)のデータ(ラインA)
を同時に示している。なお、アンモニアプラズマ処理を
行わず、砥粒フリーの化学機械研磨のみを行っただけで
もラインFに示すようにTDDB特性が改善する。この
ように砥粒フリーの場合にTDDB寿命が向上するのは
シリコン酸化膜に与えるダメージを低減できるためと考
えられる。有砥粒の場合、スラリには2〜3μmの粒径
(2次粒径)の砥粒(アルミナ等)が含まれる。この砥
粒によりマイクロスクラッチが生じ、シリコン酸化膜3
9の表面にダメージを与える。しかし、砥粒フリーの場
合にはスラリに砥粒が含まれず、あるいは含まれていて
もごく少数であるため、ダメージを大幅に軽減できる。
このため、TDDB特性が改善されたものと考えられ
る。
(HF処理)を組み合わせると、さらにTDDB特性が
改善する(ラインG)。酸処理は、CMP後洗浄後、さ
らに酸性水溶液(たとえばHF水溶液)で基板1を処理
し、その後アンモニアプラズマ処理を行うものである。
酸処理により表面のダメージ層が除去されて界面の密着
性が向上しTDDB寿命が改善したものと考えられる。
a〜46eの形成プロセスの全体フロー図である。同図
に示すように、HFまたはクエン酸による洗浄工程を挿
入した以外は実施の形態1と同様である。
を用い、HF濃度を0.5%、洗浄時間を20秒の条件
が選択できる。
用いても良い。クエン酸洗浄は、たとえばブラシスクラ
ブ洗浄を用い、クエン酸濃度を5%、洗浄時間を45秒
の条件が選択できる。
ることにより、CMP等で生じた表面のダメージ層を除
去することができる。これによりTDDB寿命を向上で
きる。図46は、本実施の形態の場合のTDDB寿命を
示したグラフである。本実施の形態の場合のクエン酸を
適用したデータはラインH、HF洗浄を適用したデータ
はラインIで示している。参考のため、処理無し(ライ
ンRef)と実施の形態1のデータ(ラインA)を同時
に示している。なお、アンモニアプラズマ処理を行わ
ず、HF洗浄のみを行っただけでもラインJに示すよう
にTDDB特性が改善する。これは、ダメージ層の除去
により界面の特性を向上できたためと思われる。
明の実施の形態4である半導体集積回路装置の製造方法
を示した平面図および断面図である。図47〜図49に
おいては配線部のみ示している。
線形成用の絶縁膜502を形成し、この絶縁膜502に
埋め込んで銅配線503を形成する。層配線503の形
成方法は実施の形態1〜3と同様である。
のシリコン酸化膜505およびTEOSを原料ガスに用
いてプラズマCVD法により形成したシリコン酸化膜
(TEOS酸化膜)506を形成する。
ば水素シルセスキオキサン(Hydrogen Silsesquioxane)
を原料とする無機系SOG膜、テトラアルコキシシラン
(tetra alkoxy silane) +アルキルアルコキシシラン(a
lkyl alkoxy silane) を原料とする有機系SOG膜とい
った塗布型絶縁膜や、プラズマCVD法で成膜するフロ
ロカーボンポリマー膜など、比誘電率(ε)が3.0以
下の酸化シリコン系絶縁膜によって構成する。このよう
な低誘電率のシリコン酸化膜を用いることによって配線
間寄生容量を低減し、配線遅延の問題を回避できる。
で、図48(b)に示すように、接続孔507を開口す
る。接続孔507の開口にはフォトリソグラフィとエッ
チングを用いる。ところで、低誘電率のシリコン酸化膜
505は、表面が粗な膜構造を有し、Si−OH結合を
多く有する。このためその上層に形成する膜の膜質や界
面状態が良くないことは経験的に判明している。また、
次工程で説明するバリア膜(窒化チタン)をそのまま未
処理で成膜するとTDDB特性が良くないことも経験的
に判明している。そこで、次に、実施の形態1で説明し
たアンモニアプラズマ処理を接続孔507内部のシリコ
ン酸化膜505露出部に施す。これにより、表面のSi
−OH結合が改質されて、実施の形態1で説明したよう
にSi−O−N結合に転換される。
内に窒化チタンおよびタングステンからなるプラグ50
8を形成する。この窒化チタンの堆積の際、実施の形態
1と同様にSi−O−N結合が離脱し、窒化チタンと低
誘電率のシリコン酸化膜505との界面が改善され接着
性が向上する。
は、配線溝にも適用できることはもちろんである。
素プラズマ処理、窒素、アルゴン、ヘリウム等が混合さ
れたプラズマ処理であっても良い。
スト膜を除去するためのアッシング工程に置いて、接続
孔507底部の配線503の表面が酸化される場合があ
る。このような酸化層を除去する技術として、特開平1
1−16912号公報に記載の技術がある。
は、パッシベーション膜として形成される保護膜に含ま
れるシリコン酸化膜(たとえばTEOS酸化膜)の誘電
率よりも低い誘電率を有するシリコン酸化膜と定義でき
る。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
a〜46eの形成方法は、デュアルダマシン法を用いた
埋め込みCu配線の形成に適用することもできる。この
場合は、第1層目のW配線24〜30を形成した後、ま
ず図50に示すように、第1層目のW配線24〜30の
上部にプラズマCVD法で膜厚1200nm程度のシリコ
ン酸化膜31、膜厚50nm程度の薄いシリコン窒化膜3
8および膜厚350nm程度のシリコン酸化膜39を順次
堆積する。
ト膜をマスクにしたドライエッチングで第1層目のW配
線24、26、27、29、30の上部のシリコン酸化
膜39、シリコン窒化膜38およびシリコン酸化膜31
を順次除去した後、図52(a)、(b)に示すよう
に、別のフォトレジスト膜をマスクに用い、シリコン窒
化膜38をエッチングのストッパしたドライエッチング
でシリコン酸化膜39を除去することによって、スルー
ホールを兼ねた配線溝50〜54を形成する。
54の内部を含むシリコン酸化膜39の上部に膜厚50
nm程度の薄いTiN膜45を堆積した後、TiN膜45
の上部に配線溝50〜54の深さよりも十分に厚い膜厚
のCu膜46を堆積する。スルーホールを兼ねた配線溝
50〜54は、前記配線溝40〜44に比べてアスペク
ト比が大きいため、TiN膜45はCVD法で堆積す
る。また、Cu膜46はスパッタリングを2回以上繰り
返すことによって堆積する。また、CVD法、電解メッ
キ法あるいは無電解メッキ法で形成してもよい。メッキ
法でCu膜46を形成する場合には、配線溝50〜54
の下層にCuのシード層をスパッタリング法などで形成
する工程が必要となる。
フリー化学機械研磨、有砥粒化学機械研磨および選択的
化学機械研磨によって配線溝50〜54の外部のCu膜
46とTiN膜45とを除去し、配線溝50〜54の内
部に埋め込みCu配線46a〜46eを形成する。その
後の工程は、前記シングルダマシン法を用いた埋め込み
Cu配線46a〜46eの形成方法と同じである。
に適用できることはもちろん、相互に組み合わせて適用
できることは言うまでもない。たとえば実施の形態2の
技術を適用して砥粒フリーで化学機械研磨を施し、その
後実施の形態3を適用して酸処理を施し、さらに実施の
形態1を適用してアンモニアあるいは水素、その他のプ
ラズマ処理を施しても良い。
ラズマ処理後のシリコン窒化膜47の形成を真空破壊す
ることなく連続的に行ったが、アンモニアプラズマ処理
の後、一旦真空破壊をして、その後シリコン窒化膜47
を形成しても良い。真空破壊しない方が本発明の効果を
より効果的に奏することができるが、アンモニアプラズ
マ処理により薄い窒化層が形成されるため、真空破壊を
行い大気雰囲気に暴露しても酸化層の形成を抑制でき
る。よって、真空破壊した場合であっても、本実施の形
態の効果をある程度奏することは可能である。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
縁破壊耐性(信頼性)を向上できる。
できる。
の銅配線の抵抗値の増加を防止できる。
半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部
断面図である。
部断面図である。
部断面図である。
部断面図である。
部断面図である。
図、(b)は実施の形態1の製造方法を示す要部断面図
である。
図、(b)は実施の形態1の製造方法を示す要部断面図
である。
部断面図である。
全体構成の一例を示す概略図である。
の一部を示す概略図である。
る。
の全体構成の他の例を示す概略図である。
の全体構成のさらに他の例を示す概略図である。
要部断面図である。
リコン窒化膜の堆積に用いるプラズマ処理装置の概要を
示した断面図であり、(b)は同じく平面図である。
要部断面図である。
要部断面図である。
法を示すフロー図である。
示す断面図である
フである。
フである。
フである。
フである。(f)は組成比を示す表図である。
フである。
フである。
ある。
EM写真である。(b)は実施の形態1の配線部分を示
すTEM写真である。(c)および(d)は、各々
(a)および(b)をトレースした図面である。
真である。(d)、(e)および(f)は、各々
(a)、(b)および(c)をトレースした図面であ
る。
装置の製造方法に用いるCMP装置の全体構成の一例を
示す概略図である。
の一部を示す概略図である
である。
法を示す半導体基板の要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、(b)は
同じく要部断面図である。
法を示す半導体基板の要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、(b)は
同じく要部断面図である。
法を示す半導体基板の要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、(b)は
同じく要部断面図である。
法を示すフロー図である。
法を示すフロー図である。
法を示す半導体基板の要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、(b)は
同じく要部断面図である。
法を示す半導体基板の要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
装置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、(b)
は同じく要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
線のTDDB特性を測定したデータを示すグラフであ
る。
し、(a)は平面図、(b)および(c)は(a)にお
けるB−B’線断面およびC−C’線断面を各々示す。
Claims (30)
- 【請求項1】 (a)半導体基板の上層に第1絶縁膜を
形成し、前記第1絶縁膜に溝を形成する工程、 (b)前記第1絶縁膜上に第1導電膜を堆積し、前記溝
を埋め込む第2導電膜を形成する工程、 (c)前記溝以外の前記第1絶縁膜上の前記第2導電膜
および第1導電膜を研磨により除去し、前記溝内に配線
を形成する工程、 (d)前記第1絶縁膜および配線の表面を還元性雰囲気
のプラズマにより処理する工程、 (e)前記プラズマ処理工程の終了後、前記第1絶縁膜
および配線上に第2絶縁膜を堆積する工程、 を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、 前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア(NH3 )
プラズマ、または、水素(H2 )プラズマであることを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、 前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア(NH3 )
と希釈ガスとの混合ガスプラズマであり、 前記希釈ガスは、水素(H2 )、窒素(N2 )、アルゴ
ン(Ar)、ヘリウム(He)から選択された単一また
は複数のガスであることを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項4】 請求項3記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、 前記混合ガスに対するアンモニア(NH3 )の濃度は5
%以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項5】 請求項1記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、 前記還元性雰囲気のプラズマは、水素(H2 )と希釈ガ
スとの混合ガスプラズマであり、 前記希釈ガスは、アンモニア(NH3 )、窒素
(N2 )、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)から選
択された単一または複数のガスであることを特徴とする
半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項6】 請求項5記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、 前記混合ガスに対する水素(H2 )の濃度は5%以上で
あることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、 前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜であり、 前記第2導電膜は銅からなることを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。 - 【請求項8】 請求項7記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、 前記第2絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とす
る半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項9】 請求項8記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、 前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア(N
H3 )、水素(H2 )、または、これらのガスと窒素
(N2 )、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)から選
択された単一または複数のガスとの混合ガスのプラズマ
であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項10】 請求項9記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、 前記銅は、99.99%以上の高純度であることを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項11】 請求項1記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、 前記(c)工程と(d)工程との間に、前記第1絶縁膜
および配線の表面を酸洗浄する工程を有することを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項12】 請求項11記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記酸洗浄には、フッ化水素(HF)またはクエン酸
(C(CH2 COOH)2 (OH)(COOH))の水
溶液を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項13】 請求項12記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第2導電
膜は銅からなり、前記第2絶縁膜はシリコン窒化膜であ
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項14】 請求項13記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア(N
H3 )、水素(H2 )、または、これらのガスと窒素
(N2 )、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)から選
択された単一または複数のガスとの混合ガスのプラズマ
であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項15】 請求項14記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記銅は、99.99%以上の高純度であることを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項16】 請求項1記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、 前記(c)工程における研磨には、砥粒フリーの化学機
械研磨法を用いることを特徴とする半導体集積回路装置
の製造方法。 - 【請求項17】 請求項16記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記(c)工程における研磨は、砥粒フリー化学機械研
磨を行う第1研磨、有砥粒化学機械研磨を行う第2研
磨、および、前記第2導電膜に対して前記第1導電膜の
選択比が5以上である化学機械研磨を行う第3研磨の3
段階の化学機械研磨で行われることを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。 - 【請求項18】 請求項17記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第2導電
膜は銅からなり、前記第2絶縁膜はシリコン窒化膜であ
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項19】 請求項18記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア(N
H3 )、水素(H2 )、または、これらのガスと窒素
(N2 )、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)から選
択された単一または複数のガスとの混合ガスのプラズマ
であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項20】 請求項19記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記(c)工程と(d)工程との間に、前記第1絶縁膜
および配線の表面をフッ化水素(HF)またはクエン酸
(C(CH2 COOH)2 (OH)(COOH))の水
溶液を用いて酸洗浄する工程を有することを特徴とする
半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項21】 請求項20記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記銅は、99.99%以上の高純度であることを特徴
とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項22】 (a)半導体基板の上層に第1絶縁膜
を形成し、前記第1絶縁膜に溝を形成する工程、 (b)前記第1絶縁膜上に第1導電膜を堆積し、前記溝
を埋め込む第2導電膜を形成する工程、 (c)前記溝以外の前記第1絶縁膜上の前記第2導電膜
および第1導電膜を研磨により除去し、前記溝内に配線
を形成する工程、 (d)前記第1絶縁膜および配線の表面にプラズマを用
いて還元処理および窒化処理を施す工程、 (e)前記第1絶縁膜および配線上に第2絶縁膜を堆積
する工程、 を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項23】 請求項22記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記プラズマは、アンモニア(NH3 )、またはアンモ
ニアと希釈ガスとの混合ガスのプラズマであり、前記希
釈ガスは、水素(H2 )、窒素(N2 )、アルゴン(A
r)、ヘリウム(He)から選択された単一または複数
のガスであることを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項24】 半導体基板の上層に形成された第1絶
縁膜と、前記第1絶縁膜よりさらに上層に形成された不
純物の侵入を防止する保護膜と、を有する半導体集積回
路装置の製造方法であって、 (a)前記保護膜に含まれるシリコン酸化膜の誘電率よ
り低い誘電率を有する第1絶縁膜を形成する工程、 (b)前記第1絶縁膜に溝または孔を形成する工程、 (c)前記第1絶縁膜の露出面を還元性雰囲気のプラズ
マにより処理する工程、 (d)前記溝または孔の内壁を含む表面を覆う第1導電
膜を堆積し、前記溝または孔を埋め込む第2導電膜を形
成する工程、 (e)前記溝または孔以外の前記第2導電膜および第1
導電膜を研磨により除去し、前記溝または孔内に導電部
材を形成する工程、 を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項25】 請求項24記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア(N
H3 )、水素(H2 )、または、これらのガスと窒素
(N2 )、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)から選
択された単一または複数のガスとの混合ガスのプラズマ
であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項26】 請求項25記載の半導体集積回路装置
の製造方法であって、 前記第1絶縁膜の上面に第2絶縁膜を形成し、前記
(b)工程において前記第1および第2絶縁膜に溝また
は孔を形成し、前記(c)工程において前記溝または孔
の内壁に露出した前記第1絶縁膜の露出面を還元性雰囲
気のプラズマにより処理することを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。 - 【請求項27】 半導体基板の上層に形成された第1絶
縁膜と、前記第1絶縁膜の溝内に埋め込んで形成された
配線と、前記第1絶縁膜および配線上に形成された第2
絶縁膜とを有する半導体集積回路装置であって、 前記第1絶縁膜および配線と前記第2絶縁膜との界面に
は窒化膜が形成されていることを特徴とする半導体集積
回路装置。 - 【請求項28】 請求項27記載の半導体集積回路装置
であって、 前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記配線は銅
であり、前記第2絶縁膜はシリコン窒化膜であることを
特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項29】 請求項28記載の半導体集積回路装置
であって、 前記窒化膜は、その膜中の窒素濃度が、前記第1絶縁膜
および配線側から前記第2絶縁膜側に進むに従って高く
なることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項30】 請求項1記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、 前記(d)工程の終了後、前記半導体基板を大気雰囲気
に曝すことなく減圧または不活性状態を維持し、前記第
1絶縁膜および配線上に、前記(e)工程の前記第2絶
縁膜を連続的に堆積することを特徴とする半導体集積回
路装置の製造方法。
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