CN101728424A - 氧化物半导体、薄膜晶体管和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

Description

氧化物半导体、薄膜晶体管和显示装置
技术领域
本发明涉及氧化物半导体、使用所述氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用所述薄膜晶体管的显示装置。
背景技术
薄膜晶体管最常用的材料是氢化非晶硅(a-Si:H)。氢化非晶硅可以在300℃或更低的温度下在衬底之上被沉积为薄膜。然而，a-Si:H的缺点是它的迁移率(在薄膜晶体管情况下为场效应迁移率)只有约1cm2/V·sec。
已知一种透明薄膜场效应晶体管，其中，作为能够像a-Si:H那样形成薄膜的氧化物半导体材料，同系化合物InMO3(ZnO)m(M为In、Fe、Ga、或Al，且m为大于或等于1且小于50的整数)被用作有源层(见专利文献1)。
另外，已知一种薄膜晶体管，其中，电子载流子浓度小于1018/cm3的非晶氧化物被用于沟道层，并且其为包含In、Ga、和Zn的氧化物，其中In原子对Ga和Zn原子的比例为1∶1∶m(m＜6)(见专利文献2)。
[专利文献1]
日本特开2004-103957
[专利文献2]
PCT国际公开WO2005/088726
发明内容
然而，迄今为止，用传统的使用氧化物半导体的薄膜晶体管只得到了约103的通断比(on-off ratio)。换句话说，即使获得了具有预定的导通电流的薄膜晶体管，也不能被考虑作为常断型(normally-offtype)，因为截止电流太大。因此，薄膜晶体管还没有达到实际应用的水平。这样的约103的通断比处于使用传统的使用非晶硅的薄膜晶体管能够容易地达到的水平。
本发明的目的是提高使用金属氧化物的薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来得到充分的通断比。
根据用作示例的实施方式，氧化物半导体包含In、Ga、和Zn作为成分，并且具有其中Zn的浓度低于In和Ga的浓度的组成。氧化物半导体优选地具有非晶结构。
根据用作示例的实施方式，氧化物半导体由InMO3(ZnO)m(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m为大于或等于1且小于50的非整数)表示，并具有其中Zn的浓度低于In和M(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素)的浓度的组成。氧化物半导体优选地具有非晶结构。
此处，m优选地为大于或等于1且小于50的非整数，更优选地为小于10。虽然m可以为大于或等于50的非整数，但是m数值上的增加使得难以维持非晶态。
根据用作示例的实施方式，在薄膜晶体管中，根据上述实施方式的任意的氧化物半导体的层被用作沟道形成区。氧化物绝缘层优选地被配置成与氧化物半导体层相接触。更优选的是，氧化物绝缘层被配置于氧化物半导体层的上方和下方。氮化物绝缘层优选地被配置于氧化物半导体层的外部。
根据用作示例的实施方式，在显示装置中，对于至少一个像素，配置根据上述实施方式的任意的薄膜晶体管。
根据用作示例的实施方式，在显示装置中，对于至少一个像素和用于控制要传输到配置于像素中的薄膜晶体管的信号的驱动电路，配置根据任意的上述实施方式的薄膜晶体管。
关于被包含作为氧化物半导体的成分的In、Ga、和Zn，Zn的浓度被设定为低于In和Ga的浓度，由此可以降低载流子浓度，并且，氧化物半导体可以具有非晶结构。
此类氧化物半导体层被用作沟道形成区，由此可以降低薄膜晶体管的截止电流并且可以提高其通断比。
附图说明
图1A为具有氧化物半导体层的TFT的结构的俯视图，图1B为上述结构的截面图。
图2A为具有氧化物半导体层的TFT的结构的俯视图，图2B为上述结构的截面图。
图3A为具有氧化物半导体层的TFT的结构的俯视图，图3B为上述结构的截面图。
图4A和4B为具有氧化物半导体层的TFT的结构的截面图。
图5为包括具有氧化物半导体层的TFT的显示装置的一种方式的框图。
图6为包括具有氧化物半导体层的TFT的选择器电路的结构的电路图。
图7为选择器电路的工作示例的时序图。
图8为包括具有氧化物半导体层的TFT的移位寄存器的框图。
图9为包括具有氧化物半导体层的TFT的触发器电路的电路图。
图10为包括具有氧化物半导体层的TFT和发光元件的像素的等效电路图。
图11为包括具有氧化物半导体层的TFT的发光装置的像素结构的俯视图。
图12A和12B为包括具有氧化物半导体层的TFT的发光装置的像素结构的截面图。
图13A到13C为包括具有氧化物半导体层的TFT的发光装置的输入端子部分的框图。
图14为包括具有氧化物半导体层的TFT的显影介质(contrastmedium)显示装置(电子纸)的结构的截面图。
图15为包括具有氧化物半导体层的TFT的液晶显示装置的像素结构的俯视图。
图16为包括具有氧化物半导体层的TFT的液晶显示装置的像素结构的截面图。
图17为氧化物半导体层(在沉积之后、在350℃下的热处理之后、和在500℃下的热处理之后)的X光衍射图案。
图18为薄膜晶体管的栅极电压(Vg)-漏极电流(Id)特性。
具体实施方式
下文中，结合附图说明本发明的实施方式。注意，本领域技术人员容易理解的是，本发明可以以很多不同方式实施，且在不偏离本发明的精神和范围的前提下可以以各种方式对此处所公开的方式和细节进行修改。因此，本发明不应被理解成受到实施方式的下列说明的限制。
(氧化物半导体材料)
本实施方式的氧化物半导体材料作为成分包含In、Ga、和Zn，并且具有其中Zn的浓度低于In和Ga的浓度的组成。例如，本实施方式的氧化物半导体材料是由InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体材料，并且具有其中Zn的浓度低于In和M(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素)的浓度的组成。另外，在所述氧化物半导体中，在有些情况下，除了金属元素M以外，作为杂质元素还包含诸如Fe或Ni的过渡金属元素或者过渡金属的氧化物。
在上述由InMO3(ZnO)m(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m为大于或等于1且小于50的非整数)表示的氧化物半导体中，m表示大于或等于1且小于50的非整数。已知由InGaO3(ZnO)m表示在晶态下的组成的氧化物半导体，其中m为大于或等于1且小于50的整数。然而，从制造过程中的控制方面考虑，优选其中m为非整数的InMO3(ZnO)m的组成，在此情况下易于进行控制。另外，m优选地为非整数，使得氧化物半导体材料的非晶结构维持稳定。
此处，m优选地为大于或等于1且小于50的非整数，更优选地为小于10。虽然m可以为大于或等于50的非整数，但是在m数值上的增加使得难以维持非晶态。
在由InMO3(ZnO)m(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m为大于或等于1且小于50的非整数)表示的氧化物半导体中，下列组成是优选的：当In、M、Zn、和O的浓度的总和被定义为100％时，含In的浓度小于20原子％，含M(例如Ga)的浓度小于20原子％，而含Zn的浓度小于10原子％。包含In、作为M的Ga、以及Zn的氧化物半导体材料的更优选的组成如下：所含的In和Ga中的每个的浓度都大于或等于15.0原子％且小于或等于20.0原子％，且所含的Zn的浓度大于或等于5.0原子％且小于或等于10.0原子％。
氧化物半导体具有非晶结构，并且即使通过在氮气氛下在500℃下的热处理也不被晶化。当热处理温度增加到700℃时，在有的情况下在非晶结构中产生了纳米晶体。在这两种情况下，氧化物半导体都是非单晶半导体。
使Zn的浓度低于In和Ga的浓度使得氧化物半导体具有非晶结构。在氧化物半导体中，Zn的浓度优选地小于或等于In和Ga的每个的浓度的一半。在氧化物半导体中Zn或ZnO的比例高的情况中，由溅射法形成的薄膜是晶化膜。另外，在氧化物半导体中Zn或ZnO的比例高的情况中，即使氧化物半导体的初始态为非晶的，它也易于通过几百摄氏度下的热处理被晶化。另一方面，当使Zn的浓度低于In和Ga的浓度时，可以扩大用于在氧化物半导体中得到非晶结构的组成的范围。
(用于形成氧化物半导体膜的方法)
氧化物半导体膜优选地通过物理气相沉积(PVD)法形成。虽然溅射法、电阻加热蒸镀(resistance heating evaporation)法、电子束蒸镀法、或离子束沉积法等方法可以如PVD法一样被用于形成氧化物半导体膜，但是优选地使用溅射法从而易于在大衬底上方沉积氧化物半导体膜。
作为优选的沉积法，可以采用反应溅射法，其中由In、M(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素)、和Zn等制成的金属靶材被使用并且与氧气反应以将氧化物半导体膜沉积于衬底上方。作为另一种沉积法，可以采用溅射法，其中使用通过烧结In、M(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素)和Zn的氧化物制成的靶材。此外，作为又一种沉积法，可以采用反应溅射法，其中使用通过烧结In、M(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素)和Zn的氧化物制成的靶材并使靶材发生反应以将氧化物半导体膜沉积于衬底上方。
作为溅射法中所用的靶材的示例，可以使用In2O3、Ga2O3、和ZnO的烧结体。此类靶材的元素比例优选地被设定如下：In2O3、Ga2O3、和ZnO的比例被设定为相同值，或者ZnO的比例小于In2O3和Ga2O3的比例。虽然沉积于衬底上方的氧化物半导体膜的组成是根据靶材材料对溅射气体的溅射速率而改变的，但是至少使用上述靶材的组成能够得到作为成分包含In、Ga、和Zn，且Zn的浓度低于In和Ga的浓度的氧化物半导体膜。
溅射按如下方式进行：在上述靶材上施加DC电源以在沉积室中产生等离子体。优选地使用脉冲DC电源，这样以减少灰尘并且能使膜厚度分布均匀化。
关于作为氧化物半导体的成分而被包含的In、Ga、和Zn，Zn的浓度被设定得低于In和Ga的浓度，由此可以降低载流子浓度，且氧化物半导体可以具有非晶结构。
(薄膜晶体管)
作为用于制造对于沟道形成区使用了氧化物半导体膜的薄膜晶体管的衬底，可以使用玻璃衬底、塑料衬底、或塑料膜等。作为玻璃衬底，可以使用钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、或铝硅酸盐玻璃等玻璃衬底。例如，优选地使用所含的氧化钡(BaO)的成分比高于氧化硼(B2O3)的成分比且具有730℃或更高的应变点的玻璃衬底。氧化物半导体膜可以通过溅射法在200℃或更低温度下形成，并且可以使用由以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、或聚酰亚胺为代表的塑料材料、由上述塑料材料制成的厚度为200μm或更小的塑料膜制成的衬底。
图1A和1B为在衬底101表面上方制造的薄膜晶体管的示例。图1A为薄膜晶体管的俯视图，而图1B为沿A1-B1线截取的截面图。
图1A和1B所示的薄膜晶体管具有底栅结构，其中栅电极102和栅绝缘层103被顺序地形成于衬底101上方且氧化物半导体层106被形成于栅绝缘层103上方。源电极104和漏电极105被配置于栅绝缘层103和氧化物半导体层106之间。换句话说，氧化物半导体层106被配置成与栅电极102重叠并且与栅绝缘层103的上部的一部分以及源电极104和漏电极105的上部和侧部的一部分相接触。源电极104和漏电极105在氧化物半导体层106之前被配置于栅绝缘层103上方的结构其优点在于，可以在底面上形成氧化物半导体层106之前利用等离子体处理来清洁底面。
栅电极102优选地由难熔金属诸如Ti、Mo、Cr、Ta、或W形成。替代地，栅电极102可以具有在Al膜的上方或者在添加了Si、Ti、Nd、Sc、或Cu等的Al膜的上方设置以Mo、Cr、或Ti为代表的难熔金属的层的结构。
栅绝缘层103优选地由硅的氧化物或氮化物诸如氧化硅、氮化硅、或氧氮化硅形成。具体地，当栅绝缘层103由氧化硅形成时，源电极和栅电极之间的以及漏电极和栅电极之间的泄漏电流可以为10-10A或更低。这些绝缘层可以通过等离子体CVD法、或溅射法等形成。
例如，作为栅绝缘层103，可以通过使用有机硅烷气体的CVD法形成氧化硅层。作为有机硅烷气体，可以使用含硅的化合物，诸如四乙氧基硅烷(TEOS)(化学式：Si(OC2H5)4)、四甲基硅烷(TMS)(化学式：Si(CH3)4)、四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(SiH(OC2H5)3)、或者三(二甲基氨基)硅烷(SiH(N(CH3)2)3)。
源电极104和漏电极105优选地使用难熔金属诸如Ti、Mo、Cr、Ta、或W形成。具体地，优选地使用对氧具有高亲合力(affinity foroxygen)的金属材料，典型地是Ti。这是因为这种金属材料易于产生与氧化物半导体层106的欧姆接触。除了Ti，也可以使用Mo以得到类似效果。源电极104和漏电极105优选地被蚀刻加工以具有锥形端部(tapered end)形状。以此方式，可以增大它们与氧化物半导体层106的接触面积。在源电极和漏电极104和105与氧化物半导体膜之间，可以配置具有氧缺乏缺陷(oxygen-deficient defect)的氧化物半导体膜(电阻比沟道形成区的氧化物半导体膜的电阻低的氧化物半导体膜)。
作为源电极104和漏电极105的另一个方式，电极可以具有这样的结构，其中以Mo、Cr、或Ti为代表的难熔金属的层被形成于Al膜上方和/或下方、或者被形成于添加了Si、Ti、Nd、Sc、或Cu等的Al膜的上方和/或下方。该结构在与用于形成源电极104和漏电极105的层同时并且用相同的层形成用于传输信号的布线时是优选的。优选地以与Al膜相接触的方式配置难熔金属层，以防止在Al膜上形成小丘(hillock)或晶须(whisker)。注意术语“小丘”是指这样的现象：当Al的晶体生长在进行时，生长成分相互碰撞(impinge)而形成隆起。术语“晶须”是指Al由于异常生长而生长成针状的现象。
利用以溅射法为代表的PVD法形成氧化物半导体层106。作为金属靶材，可以优选地使用上述的In、M(M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素)和Zn的氧化物的烧结体。例如氧化物半导体膜可以使用In2O3、Ga2O3、和ZnO的烧结体作为靶材，通过溅射法形成。
作为溅射气体，使用以氩气为代表的稀有气体。为了控制氧化物半导体膜的氧缺乏缺陷，可以在稀有气体中加入预定量的氧气。通过增加溅射气体中氧气对稀有气体之比，可以减少氧化物半导体中的氧缺乏缺陷。控制氧化物半导体中的氧缺乏缺陷使得能够控制薄膜晶体管的阈值电压。
在形成氧化物半导体层106之前，优选地通过将氩气导入溅射装置的沉积室中并产生等离子体来进行处理以清洁沉积表面。替代氩气氛，可以使用氮、或氦等。替代地，上述处理可以在通过向氩气氛中加入氧、或N2O等而得到的气氛中进行。作为另一个选择，处理可以在通过向氩气氛中加入Cl2、或CF4等而得到的气氛中进行。
在形成氧化物半导体层106之后，在空气或氮气氛中，在200℃到600℃下、优选在300℃到400℃下进行热处理。经过该热处理，可以提高薄膜晶体管的场效应迁移率。具有本实施方式所述的氧化物半导体的薄膜晶体管的场效应迁移率可以为5cm2/V·sec或更高。
当在上述的薄膜晶体管的源电极和漏电极之间施加约5V的电压、并且不对栅电极施加电压时，源电极和漏电极之间流动的电流可以为1×10-11A或更低。即使在对栅电极施加-10V的电压的状态下，源电极和漏电极之间流过的电流也为1×10-11A或更低。
图2A和2B表示了在衬底101的表面上方制造的薄膜晶体管的示例。图2A为薄膜晶体管的俯视图，而图2B为沿A2-B2线截取的截面图。
图2A和2B所示的薄膜晶体管具有底栅结构，其中栅电极102和栅绝缘层103被顺序地形成于衬底101上方且氧化物半导体层106被形成于栅绝缘层103上方。在该结构中，源电极104和漏电极105与氧化物半导体层106的侧表面和上表面相接触。
在具有这种结构的薄膜晶体管中，可以连续地形成栅绝缘层103、氧化物半导体层106、和用于形成源电极104和漏电极105的导电层。换句话说，这些层可以被层叠而不将栅绝缘层103和氧化物半导体层106之间的界面以及氧化物半导体层106和导电层之间的界面暴露于空气；因而，可以防止每个界面被污染。
另外，可以通过执行蚀刻以去除氧化物半导体层106的暴露于源电极104和漏电极106之间的浅表(superficial)部分来减小截止电流。此外，通过在氧化物半导体层106的暴露部分或者在通过蚀刻去除所获得的表面上执行氧等离子体处理，可以提高暴露于等离子体的浅表部分的电阻。这是因为氧化物半导体中的氧缺乏缺陷被氧化，从而减小了载流子浓度(电子浓度)。通过该氧等离子体处理，可以降低薄膜晶体管的截止电流。
图3A和3B表示了在衬底101表面上方制造的薄膜晶体管的示例。图3A为薄膜晶体管的俯视图，而图3B为沿A3-B3线截取的截面图。
图3A和3B所示的薄膜晶体管具有顶栅结构，其中源电极104和漏电极105、氧化物半导体层106、栅绝缘层103、和栅电极102被顺序地形成于衬底101之上。在如下情况下，可以降低薄膜晶体管的截止电流并提高其通断比，即、前述薄膜晶体管的氧化物半导体层106用由InMO3(ZnO)m(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al的一种或多种元素，且m为大于或等于1且小于50的非整数)表示的氧化物半导体材料形成并且具有下列组成：当In、M、Zn、和O的浓度总和被定义为100％时，含In的浓度小于20原子％，含M(例如Ga)的浓度小于20原子％，且含Zn的浓度小于10原子％。
图4A表示了这样的示例，其中氧化物绝缘层107被配置于氧化物半导体层106上方，其与栅绝缘层103相对置(在背沟道(backchannel)一侧)。对于氧化物绝缘层107，可以使用氧化铝、氧氮化铝、氧化钇、或氧化铪，以及上述的氧化硅中的任何一种。利用图4A所示的氧化物半导体层106被夹在包含氧化硅的栅绝缘层103与氧化物绝缘层107之间的结构，可以防止由于从氧化物半导体层106中释放的氧而形成的氧缺乏缺陷。
图4B表示了这样的结构，其中氮化物绝缘层108被配置于氧化物绝缘层107上方。对于氮化物绝缘层108，可以使用氮化硅、或氮化铝等。利用氮化物绝缘层108，可以防止来自外部环境的水蒸汽、有机物、和离子金属(ionic metal)造成的污染。注意，在图4B的结构中，具有氮化硅层和氧化硅层的双层结构的栅绝缘层103也是有效的。在该情况中，氧化物半导体层106被夹在上方的氧化物和氮化物绝缘层与下方的氧化物和氮化物绝缘层之间；因而，可以进一步增强上述效果。
(包括薄膜晶体管的装置)
具有本实施方式所述的氧化物半导体的薄膜晶体管因为其高场效应迁移率和高通断比而可以被用于各多种应用。下面以显示装置的方式为例进行说明。
图5表示了显示装置109，其中像素部分110、扫描线驱动电路111、和信号线一侧的选择器电路112被配置于衬底101上方。被配置于像素部分110、扫描线驱动电路111、和信号线一侧的选择器电路112中的开关元件包括每个的沟道形成区都被形成于氧化物半导体层中的薄膜晶体管。使用沟道形成区被形成于氧化物半导体层中且场效应迁移率为5cm2/V·sec到20cm2/V·sec的薄膜晶体管，可以形成扫描线驱动电路111和信号线一侧的选择器电路112。选择器电路112是在预定定时选择信号线116并将从驱动IC 114传输的视频信号分配给预定信号线116的电路。在本例中，薄膜晶体管是n沟道型的，因而扫描线驱动电路111和信号线一侧的选择器112包括n沟道薄膜晶体管。
在包括多个扫描线115和与扫描线115相交的多个信号线116的像素部分110中，配置有像素晶体管117。像素晶体管117被排列成矩阵。对于像素晶体管117，扫描信号经由扫描线115输入而视频信号经由信号线116输入。视频信号从驱动IC 114被输入到输入端子113。驱动IC 114被形成于单晶衬底上并通过带式自动接合(TAB)法或玻璃上芯片接合(COG)法安装。
图6表示了包括n沟道薄膜晶体管的选择器电路112的结构的示例。选择器电路112包括多个被排列的开关电路119。在每个开关电路119中，配置一个视频信号输入线120，而多个信号线116(S1到S3)延伸到像素部分110。开关电路119配置有数量与信号线116的数量相对应的开关元件121。当这些开关元件121包括每个的沟道形成区都被形成于氧化物半导体层中的薄膜晶体管时，开关电路119可以与视频信号的频率一致地高速工作。图6表示了开关电路119的示例，其中信号线116(S1)、信号线116(S2)、和信号线116(S3)分别配置有开关元件121a、开关元件121b、和开关元件121c。关于是导通还是关断开关元件121的判断是利用经由与视频信号输入线120不同路径的同步信号输入线122所输入的信号控制的。
下面结合图7所示的时序图说明图6所示的选择器电路112的操作。作为示例，图7的时序图表示了第i行扫描线被选中并且给定列的视频信号输入线120被连接到选择器电路112的情况。第i行扫描线的选择期间被划分成第一子选择期间T1、第二子选择期间T2、和第三子选择期间T3。该时序图还表示了开关元件121a、开关元件121b、和开关元件121c导通或关断的定时和被输入到视频信号输入线120的信号。
如图7所示，在第一子选择期间T1，开关元件121a导通而开关元件121b和开关元件121c关断。此时，输入到视频信号输入线120的视频信号VD(1)经由开关元件121a输出到信号线116(S1)。在第二子选择期间T2，开关元件121b导通而开关元件121a和开关元件121c关断，视频信号VD(2)经由开关元件121b输出到信号线116(S2)。在第三子选择期间T3，开关元件121c导通而开关元件121a和开关元件121b关断，视频信号VD(3)经由开关元件121c输出到信号线116(S3)。
通过将栅选择期间如上所述一分为三，图6的选择器电路112可以在一个栅选择期间经由一根视频信号输入线120将视频信号输入到三根信号线116(S1到S3)。这样，当选择器电路112和像素晶体管117一起被配置于衬底101上方时，被输入驱动IC信号的输入端子113的数量可以被减少到不配置选择器电路112的情况时的数量的1/3。因此，可以降低驱动IC和输入端子113之间发生接触缺陷的概率。
扫描线驱动电路111还可以利用每个沟道形成区都被配置于氧化物半导体层中的薄膜晶体管来形成。扫描线驱动电路111包括移位寄存器作为部件。当时钟信号(CLK)和启动脉冲信号(SP)被输入到移位寄存器中时，生成选择信号。所生成的选择信号被缓冲器缓冲和放大，且所得的信号被提供给相应的扫描线115。一行的像素晶体管117的栅电极被连接到每根扫描线115。在此处，将结合图8和图9说明扫描线驱动电路111的一部分中所包括的移位寄存器123的模式。
图8表示了移位寄存器123的结构。移位寄存器123包括被连接起来的多级触发器电路124。触发器电路124的示例如图9所示。图9所示的触发器电路124包括多个薄膜晶体管(在以下关于图9的说明中称为“TFT”)。图9所示的触发器电路124包括n沟道TFT，即TFT(1)125、TFT(2)126、TFT(3)127、TFT(4)128、TFT(5)129、TFT(6)130、TFT(7)131、和TFT(8)132。n沟道TFT在栅-源电压(Vgs)超过阈值电压(Vth)时导通。
注意，虽然此处在图9所示的触发器电路124中所包括的所有TFT都为增强型n沟道晶体管，但是，例如，如果将耗尽型n沟道晶体管用作TFT(3)127，驱动电路也可以被驱动。
TFT(1)125的第一电极(源电极和漏电极中的一个)被连接到布线(4)136，TFT(1)125的第二电极(源电极和漏电极中的另一个)被连接到布线(3)135。
TFT(2)126的第一电极被连接到布线(6)138，TFT(2)126的第二电极被连接到布线(3)135。
TFT(3)127的第一电极被连接到布线(5)137；TFT(3)127的第二电极被连接到TFT(2)126的栅电极；而TFT(3)127的栅电极被连接到布线(5)137。
TFT(4)128的第一电极被连接到布线(6)138；TFT(4)128的第二电极被连接到TFT(2)126的栅电极；而TFT(4)128的栅电极被连接到TFT(1)125的栅电极。
TFT(5)129的第一电极被连接到布线(5)137；TFT(5)129的第二电极被连接到TFT(1)125的栅电极；而TFT(5)129的栅电极被连接到布线(1)133。
TFT(6)130的第一电极被连接到布线(6)138；TFT(6)130的第二电极被连接到TFT(1)125的栅电极；而TFT(6)130的栅电极被连接到TFT(2)126的栅电极。
TFT(7)131的第一电极被连接到布线(6)138；TFT(7)131的第二电极被连接到TFT(1)125的栅电极；而TFT(7)131的栅电极被连接到布线(2)134。TFT(8)132的第一电极被连接到布线(6)138；TFT(8)132的第二电极被连接到TFT(2)126的栅电极；而TFT(8)132的栅电极被连接到布线(1)133。
沟道形成区被配置于氧化物半导体层中的薄膜晶体管具有高场效应迁移率，因而其工作频率可以被设得高。另外，因为薄膜晶体管的频率特性高，所以扫描线驱动电路111可以高速工作，且显示装置可以以高帧频工作。
在图5中，像素部分110的结构随显示介质118的不同而变化。当显示介质118是在电极之间夹着液晶材料的液晶元件时，显示介质118可以如图5所示由像素晶体管117控制。在一对电极之间夹着显影介质(电子墨水或者电泳材料)的显示介质118的情况同样适用。可以通过与上述驱动电路组合来操作包括这些显示介质118的像素部分110。
当被用作显示介质118时，使用电致发光材料形成的发光元件比液晶元件更适合于时间灰度法，因为其响应速度高于液晶元件等的响应速度。例如在利用时间灰度法进行显示的情况中，一个帧期间被划分成多个子帧期间。然后，根据视频信号，发光元件在每个子帧期间中被设定为发光态或非发光态。通过将一个帧期间划分成多个子帧期间，可以用视频信号控制像素在一个帧期间中实际发光的时间的总长度，从而可以显示灰度。
在像素部分110包括发光元件的情况下的像素的示例如图10所示。图10表示了可以采用数字时间灰度驱动法的像素结构。此处所述为这样的示例，其中，每个的沟道形成区都使用氧化物半导体层而形成的两个n沟道薄膜晶体管被包括在一个像素中。
像素139包括开关TFT 140、驱动TFT 141、发光元件142、和电容145。开关TFT 140的栅极被连接到扫描线115；开关TFT 140的第一电极(源电极和漏电极中的一个)被连接到信号线116；且开关TFT 140的第二电极(源电极和漏电极中的另一个)被连接到驱动TFT 141的栅极。驱动TFT 141的栅极经由电容145被连接到电源线146；驱动TFT 141的第一电极被连接到电源线146；且驱动TFT 141的第二电极被连接到发光元件142的第一电极(像素电极)143。发光元件142的第二电极(对置电极)144被连接到公共电位线147。
发光元件142的第二电极(对置电极)144被设为低电源电位。注意，低电源电位是指基于对电源线146所设的高电源电位满足以下方程的电位：(低电源电位)＜(高电源电位)。作为低电源电位，例如可以采用GND、或0V等。为了通过将高电源电位和低电源电位之间的电位差施加到发光元件142从而将电流供给到发光元件142而使发光元件142发光，每个电位都被设定使得高电源电位和低电源电位之间的电位差等于或高于发光元件142的正向阈值电压。
在电压输入电压驱动法(voltage-input voltage driving method)的情况中，视频信号被输入到驱动TFT 141的栅极使得驱动TFT 141处于被充分地导通和关断这两个状态中的某一个状态。即，驱动TFT141工作在线性区。比电源线146电压更高的电压被施加到驱动TFT141的栅极使得驱动TFT 141工作在线性区。注意，比由方程(电源线的电压)+(驱动TFT 141的阈值电压)所表示的电压更高或相等的电压被施加到信号线116。
替代数字时间灰度驱动法，模拟灰度驱动法也可以被应用于图10所示的像素结构。在进行模拟灰度驱动的情况中，比由方程(发光元件142的正向电压)+(驱动TFT 141的阈值电压)所表示的电压更高或相等的电压被施加到驱动TFT 141的栅极。发光元件142的正向电压是指要获得所需照明所需的电压，并且至少包括正向阈值电压。注意，当输入使驱动TFT 141工作在饱和区的视频信号时，电流可以被供给到发光元件142。电源线146的电位被设定得高于驱动TFT 141的栅电位，使驱动TFT 141工作在饱和区。当视频信号为模拟信号时，能够将符合视频信号的电流供给到发光元件142并进行模拟灰度驱动。
虽然图10表示了对发光元件142的驱动进行控制的驱动TFT141被电连接到发光元件的示例，但是可以采用在驱动TFT 141和发光元件142之间连接电流控制TFT的结构。
虽然图5表示了配置有用于选择信号线116的选择器电路112的显示装置109的示例，但是当薄膜晶体管具有10cm/V·sec或更高的场效应迁移率时，可以利用使用了用于沟道形成区的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管来实现驱动IC 114的功能。即，可以利用每个都使用用于沟道形成区的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管，在衬底101上方形成扫描线驱动电路和信号线驱动电路。
(发光装置)
下面结合图11以及图12A和12B说明作为显示装置的一种方式的发光装置的像素结构。图11是像素的俯视图的示例；图12A为沿C1-D1线截取的截面图；而图12B为沿C2-D2线截取的截面图。在下列说明中，参考图11以及图12A和12B。注意，图11所示像素的等效电路与图10所示类似。
开关TFT 140的沟道形成区被形成于氧化物半导体层153中。氧化物半导体层153类似于本实施方式所述的氧化物半导体层。开关TFT 140具有用与扫描线115相同的层形成的栅电极148，且氧化物半导体层153被配置于栅绝缘层152上方。氧化物半导体层153与利用与信号线116相同的层形成于栅绝缘层152上方的源/漏电极155和源/漏电极156相接触。源/漏电极156经由配置于栅绝缘层152中的接触孔159而被连接到驱动TFT 141的栅电极149。
注意，术语“源/漏电极”是指被配置在包括源极、漏极、和栅极作为主要部件的薄膜晶体管中的用作源极或漏极的部分处的电极。
信号线116、源/漏电极155、和源/漏电极156优选地用Al膜或者添加有Si、Ti、Nd、Sc、或Cu等的Al膜形成，从而可以降低布线或电极的电阻。以Mo、Cr、或Ti为代表的难熔金属的层被优选地配置于Al膜的上方和/或下方，从而防止在Al膜上产生小丘或晶须。
栅电极149还起着电容145的电容电极150的作用。通过层叠电容电极150、栅绝缘层152、和由与电源线146相同的层形成的电容电极151来形成电容145。
驱动TFT 141的栅电极149用与扫描线115相同的层形成，且氧化物半导体层154被配置于栅绝缘层152上方。氧化物半导体层154与利用与电源线146相同的层形成于栅绝缘层152上方的源/漏电极157和源/漏电极158相接触。
氧化物绝缘层107被配置于氧化物半导体层153和氧化物半导体层154上方。第一电极(像素电极)143被配置于氧化物绝缘层107上方。第一电极(像素电极)143和源/漏电极158经由配置于氧化物绝缘层107中的接触孔160而被相互连接。利用无机绝缘材料或有机绝缘材料形成具有到第一电极(像素电极)143的开口的分隔层(partition layer)161。形成分隔层161使得其在开口处的端部具有平缓曲面。
发光元件142具有这样的结构，其中EL层162被配置于第一电极(像素电极)143和第二电极(对置电极)144之间。第一电极(像素电极)143和第二电极(对置电极)144中的一个为空穴注入电极；而另一个为电子注入电极。空穴注入电极优选地利用功函数为4eV或更高的材料以及诸如含氧化钨的氧化铟、含氧化钨的氧化铟锌、含氧化钛的氧化铟、含氧化钛的氧化铟锡、氧化铟锡、氧化铟锌、或添加了氧化硅的氧化铟锡等材料来形成。电子注入电极优选地利用功函数低于4eV的材料形成，优选的是钙(Ca)、铝(Al)、氟化钙(CaF)、镁-银(MgAg)、或铝-锂(AlLi)等。EL层162是用于通过电致发光获得发光的层，是通过适当地组合载流子(空穴或电子)传输层和发光层而形成的。
图13A到13C表示了发光装置的输入端子113的结构。图13A为输入端子113的俯视图。输入端子113被配置于衬底101的端部。沿图13A中G-H线截取的截面图如图13B或图13C所示。
图13B表示了用与扫描线115相同的层形成输入端子层170的示例。在输入端子层170上方层叠栅绝缘层152和氧化物绝缘层107，并在这些绝缘层中配置开口173从而经由绝缘层中的开口173暴露输入端子层170。用与输入端子层170相接触的透明导电膜172覆盖开口173。配置透明导电膜172以避免当柔性印刷布线(flexible printedwiring)和输入端子113被连接起来时的高接触电阻。由金属形成的输入端子层170的表面的氧化导致接触电阻的增加；在配置有由氧化物导电材料形成的透明导电膜172的情况下，可以防止接触电阻的增加。
图13C表示了利用与信号线116相同的层形成输入端子层171的示例。在输入终端层171上方配置氧化物绝缘层107，并在该绝缘层中配置开口173从而经由绝缘层中的开口173暴露输入端子层171。出于与上述相同的原因，配置透明导电薄膜172。
(显影介质显示装置)
图14表示了包括显影介质163的显示装置的一个方式(这种显示装置也被称为“电子纸”)。显影介质163与填充物164一起夹在第一电极(像素电极)143和第二电极(对置电极)144之间，并在电位差被施加于电极之间时改变对比度。第二电极(对置电极)144配置于对置衬底165上。
例如，有一种被称为扭转球显示法的显示方法，其中在第一电极(像素电极)143和第二电极(对置电极)144之间放置每个都被着色成黑色和白色的球形颗粒，并且球形颗粒的取向受在电极之间所产生的电位差所控制。
替代扭转球，也可以使用电泳元件。使用直径为约10μm到200μm的微囊，其中密封了透明填充物164、带正电的白色微粒、和带负电的黑色微粒。微囊被夹在第一电极(像素电极)143和第二电极(对置电极)144之间，而带正电的白色微粒和带负电的黑色微粒利用电极之间的电位差而分别在不同方向上移动。使用该原理的显示元件为电泳显示元件并且通常被称为电子纸。电泳显示元件的反射率高于液晶显示装置，因而不需要辅助光(auxiliary light)且功耗低，并且在暗处也可以识别显示部分。另外，即使不向显示部分供电，已经被显示过一次的图像也能被保持。因此，即使具有显示功能的半导体器件(其可以被简称为显示装置或配置有显示装置的半导体器件)远离电波源，所显示的图像也可以被存储。
(液晶显示装置)
下面结合图15以及图16说明作为显示装置的一种方式的液晶显示装置的像素结构。图15为像素的俯视图，而图16为沿E1-F1线截取的截面图。在下列说明中参考图15和图16。
图15和图16所示的液晶显示装置的像素包括被连接到扫描线115和信号线116的开关TFT 140。开关TFT 140的源/漏电极155被连接到信号线116，而其源/漏电极156经由配置于氧化物绝缘层107中的接触孔167被连接到第一电极(像素电极)143。电容145是通过层叠利用与栅电极148相同的层形成的电容线166、栅绝缘层152、和源/漏电极156而形成的。开关TFT 140控制对第一电极(像素电极)143的信号的输入。开关TFT 140的结构类似于图12A所示的结构。
液晶层169被配置于第一电极(像素电极)143和第二电极(对置电极)144之间。第一电极(像素电极)143被配置于氧化物绝缘层107上方。取向膜168被配置于第一电极(像素电极)143和第二电极(对置电极)144上。
如上所述，可以利用沟道形成区被形成于如本实施方式所述的氧化物半导体层中的薄膜晶体管来实现具有优良的工作特性的显示装置。
[实施例1]
(氧化物半导体层的组成)
氧化物半导体层通过溅射法在下列条件下被形成于玻璃衬底之上。
(条件1)
靶材组成：In2O3∶Ga2O3∶ZnO＝1∶1∶1
(In∶Ga∶Zn＝1∶1∶0.5)
氩气流速：40sccm
压力：0.4Pa
电功率(DC)：500W
衬底温度：室温
(条件2)
靶材组成：In2O3∶Ga2O3∶ZnO＝1∶1∶1
(In∶Ga∶Zn＝1∶1∶0.5)
氩气流速：10sccm
氧气流速：5sccm
压力：0.4Pa
电功率(DC)：500W
衬底温度：室温
在条件1和2下形成的氧化物半导体层通过感应耦合等离子体质谱法(ICP-MS)来评价。表1表示了测量的典型示例。在条件1下得到的氧化物半导体层具有由下列化学式表示的组成：InGa0.95Zn0.41O3.33。在条件2下得到的氧化物半导体层具有由下列化学式表示的组成：InGa0.94Zn0.40O3.31。
[表1]
Figure G2009102070224D0000241
如上所述，ICP-MS的测量确认了在InMO3(ZnO)m中m为非整数。另外，成分的比例证明Zn的浓度低于In和Ga的浓度。
(氧化物半导体层的结构)
利用X光衍射来评价在上述条件2下在玻璃衬底上方所形成的厚度400nm的氧化物半导体层的结构。
图17表示了在条件2下所形成的样品(刚被沉积后)的X光衍射图、在沉积之后在氮气氛中经受了一小时的350℃下的热处理的样品的X光衍射图、和在沉积之后在氮气氛中经受了一小时的500℃下的热处理的样品的X光衍射图。在所有样品中都观察到了光晕图案(halo pattern)，这确认了样品具有非晶结构。
注意，当也用X光衍射评价用In2O3对Ga2O3和ZnO的组成比为1∶1∶2的靶材所形成的样品时，得到了类似的评价结果，这确认了本实施例中所形成的氧化物半导体层具有非晶结构。
(薄膜晶体管的特性)
图18表示了薄膜晶体管的栅极电压(Vg)-漏极电流(Id)特性。薄膜晶体管具有如图2A和2B所示的底栅结构，且沟道长度为100μm，沟道宽度为100μm。氧化物半导体层在上述条件2下形成。可以获得大于或等于15cm2/V·sec的场效应迁移率、小于或等于1×10-11A的截止电流、和大于或等于108的导通电流对截止电流之比(通断比)。如上所述，可以得到具有无法用传统薄膜晶体管得到的高通断比的薄膜晶体管。
本申请是基于2008年10月24日向日本专利局提交的第2008-274564号日本专利申请，其整体内容通过引用被并入本文中。

Claims (24)

1.一种氧化物半导体材料，其包括氧(O)、铟(In)、镓(Ga)、和锌(Zn)，
其中，所含的Zn的浓度在5原子％和10原子％之间，并且
所含的In和Ga每个的浓度都在15原子％和20原子％之间。
2.一种氧化物半导体，其由化学式：
InMO3(ZnO)m表示，
其中，M为选自镓(Ga)、铁(Fe)、镍(Ni)、锰(Mn)、钴(Co)、和铝(Al)中的一种或多种元素，且m为大于或等于1且小于50的非整数，并且
Zn的浓度低于In和M的浓度。
3.根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，所述氧化物半导体具有非晶结构。
4.根据权利要求2所述的氧化物半导体，其中，所述氧化物半导体具有非晶结构。
5.一种薄膜晶体管，其包含氧化物半导体层作为沟道形成区，
其中，氧化物半导体层包含O、In、Ga、和Zn，
所含的Zn的浓度在5原子％和10原子％之间，并且
所含的In和Ga的每个的浓度都在15原子％和20原子％之间。
6.一种薄膜晶体管，其包含氧化物半导体层作为沟道形成区，
其中，氧化物半导体层由方程：
InMO3(ZnO)m表示，
其中M为选自镓(Ga)、铁(Fe)、镍(Ni)、锰(Mn)、钴(Co)、和铝(Al)中的一种或多种元素，且m为大于或等于1且小于50的非整数，并且
Zn的浓度低于In和M的浓度。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层具有非晶结构。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层具有非晶结构。
9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，还包含与所述氧化物半导体层相接触的氧化物绝缘层。
10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，还包含与所述氧化物半导体层相接触的氧化物绝缘层。
11.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，还包含与所述氧化物半导体层的上侧相接触的氧化物绝缘层。
12.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，还包含与所述氧化物半导体层的下侧相接触的氧化物绝缘层。
13.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，还包含与所述氧化物半导体层的上侧相接触的氧化物绝缘层。
14.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，还包含与所述氧化物半导体层的下侧相接触的氧化物绝缘层。
15.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，还包含位于所述氧化物半导体层的上方的氮化物绝缘层。
16.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，还包含位于所述氧化物半导体层的下方的氮化物绝缘层。
17.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，还包含位于所述氧化物半导体层的上方的氮化物绝缘层。
18.根据权利要求14所述的薄膜晶体管，还包含位于所述氧化物半导体层的下方的氮化物绝缘层。
19.一种显示装置，其在至少一个像素中包含根据权利要求5所述的薄膜晶体管。
20.一种显示装置，其在至少一个像素中包含根据权利要求6所述的薄膜晶体管。
21.一种显示装置，包括：
在至少一个像素中的根据权利要求5所述的薄膜晶体管；以及
在用于控制被传输到配置在所述像素中的所述薄膜晶体管的信号的驱动电路中的根据权利要求5所述的薄膜晶体管。
22.一种显示装置，包括：
在至少一个像素中的根据权利要求6所述的薄膜晶体管；以及
在用于控制被传输到配置在所述像素中的所述薄膜晶体管的信号的驱动电路中的根据权利要求6所述的薄膜晶体管。
23.一种显示装置，包括：
在至少一个像素中的根据权利要求5所述的薄膜晶体管；以及
在用于控制被传输到配置在所述像素中的所述薄膜晶体管的信号的选择器电路中的根据权利要求5所述的薄膜晶体管。
24.一种显示装置，包括：
在至少一个像素中的根据权利要求6所述的薄膜晶体管；以及
在用于控制被传输到配置在所述像素中的所述薄膜晶体管的信号的选择器电路中的根据权利要求6所述的薄膜晶体管。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012097563A1 (zh) * 2011-01-18 2012-07-26 北京大学深圳研究生院 一种薄膜晶体管的制作方法
CN103050542A (zh) * 2012-12-28 2013-04-17 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种薄膜晶体管
CN104253215A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 海洋王照明科技股份有限公司 太阳能电池器件及其制备方法
CN106414366A (zh) * 2014-06-26 2017-02-15 住友金属矿山株式会社 氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜
US9793801B2 (en) 2010-05-21 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
CN111226307A (zh) * 2017-11-29 2020-06-02 株式会社神户制钢所 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶
CN112018168A (zh) * 2019-05-30 2020-12-01 株式会社神户制钢所 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材
CN112542545A (zh) * 2020-04-21 2021-03-23 友达光电股份有限公司 主动元件
CN116525577A (zh) * 2023-07-03 2023-08-01 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体结构及其制作方法

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8222667B2 (en) * 2008-03-06 2012-07-17 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd Semiconductor light-emitting element, method for manufacturing the semiconductor light-emitting element and lamp that uses the semiconductor light-emitting element
EP2256814B1 (en) * 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
CN104992984B (zh) 2009-07-31 2019-08-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、显示模块及电子装置
KR102386147B1 (ko) 2009-07-31 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
CN112242173A (zh) 2009-10-09 2021-01-19 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101402294B1 (ko) * 2009-10-21 2014-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
EP2497115A4 (en) * 2009-11-06 2015-09-02 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2011089844A1 (en) * 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR20230155614A (ko) 2010-02-26 2023-11-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR101278353B1 (ko) * 2010-05-11 2013-06-25 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 기판 및 표시패널
KR101872927B1 (ko) * 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101903341B1 (ko) 2010-05-21 2018-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치
WO2011145468A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR101872188B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
WO2011155295A1 (en) * 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
KR20120000499A (ko) * 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
JP2012064201A (ja) * 2010-08-19 2012-03-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 入出力装置及び入出力装置の駆動方法
JP5674594B2 (ja) * 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
TWI405335B (zh) * 2010-09-13 2013-08-11 Au Optronics Corp 半導體結構及其製造方法
US8792260B2 (en) * 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
KR102110496B1 (ko) * 2010-12-03 2020-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
US9202822B2 (en) * 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8921948B2 (en) * 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9167234B2 (en) * 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2012117695A1 (ja) * 2011-02-28 2012-09-07 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法並びに表示装置
JP5490314B2 (ja) * 2011-04-18 2014-05-14 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ、表示パネル及び薄膜トランジスタの製造方法
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
JP5564026B2 (ja) * 2011-10-18 2014-07-30 株式会社フジクラ 光ファイバテープ心線及びその光ファイバテープ心線を収納した光ファイバケーブル
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6076038B2 (ja) * 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8796682B2 (en) * 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
TWI669760B (zh) * 2011-11-30 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
KR20230003262A (ko) 2012-07-20 2023-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR102354212B1 (ko) 2012-08-03 2022-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102013216824A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
TWI611511B (zh) 2012-08-31 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR20240001283A (ko) 2012-09-13 2024-01-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102021028B1 (ko) * 2012-12-04 2019-09-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
KR102370069B1 (ko) 2012-12-25 2022-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20140125181A (ko) * 2013-04-18 2014-10-28 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치용 백플레인 및 그의 제조방법
KR101812085B1 (ko) * 2013-05-02 2017-12-27 후지필름 가부시키가이샤 에칭액 및 에칭액의 키트, 이를 이용한 에칭 방법 및 반도체 기판 제품의 제조 방법
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI809474B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101636146B1 (ko) * 2014-09-16 2016-07-07 한양대학교 산학협력단 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
CN105355604B (zh) * 2015-10-12 2018-04-20 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板
US10332446B2 (en) * 2015-12-03 2019-06-25 Innolux Corporation Driving circuit of active-matrix organic light-emitting diode with hybrid transistors
WO2017199128A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or display device including the same
TWI778959B (zh) 2017-03-03 2022-10-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6844845B2 (ja) * 2017-05-31 2021-03-17 三国電子有限会社 表示装置
JP7246681B2 (ja) 2018-09-26 2023-03-28 三国電子有限会社 トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置
KR20210085942A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치
KR20210117389A (ko) 2020-03-18 2021-09-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210118330A (ko) 2020-03-20 2021-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210138826A (ko) 2020-05-12 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112530978B (zh) * 2020-12-01 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板

Family Cites Families (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS587537A (ja) 1981-07-06 1983-01-17 Hitachi Zosen Corp 内燃機関の吸排気弁の作動検出装置
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
EP0445535B1 (en) 1990-02-06 1995-02-01 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming an oxide film
JP2585118B2 (ja) 1990-02-06 1997-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 2004-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
EP0820644B1 (en) 1995-08-03 2005-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
US5847410A (en) 1995-11-24 1998-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co. Semiconductor electro-optical device
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2921510B2 (ja) 1996-10-07 1999-07-19 日本電気株式会社 ブートストラップ回路
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
US6555420B1 (en) * 1998-08-31 2003-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and process for producing semiconductor device
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
US6909114B1 (en) 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP2001109014A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR100726132B1 (ko) * 2000-10-31 2007-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) * 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
KR100456373B1 (ko) 2001-12-31 2004-11-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 또는 구리/티타늄 식각액
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
WO2005016643A1 (en) 2002-04-30 2005-02-24 Aerospace Composite Structures, Llc Method of thermoforming frtp sandwich panels, thermoformed articles, modular container
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
TWI354261B (en) 2002-09-30 2011-12-11 Nanosys Inc Integrated displays using nanowire transistors
WO2004032193A2 (en) 2002-09-30 2004-04-15 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7067867B2 (en) 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7135728B2 (en) 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7619562B2 (en) 2002-09-30 2009-11-17 Nanosys, Inc. Phased array systems
AU2003277033A1 (en) 2002-09-30 2004-04-23 Nanosys, Inc. Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP2004214434A (ja) 2003-01-06 2004-07-29 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子ならびに製造方法
JP2004228401A (ja) 2003-01-24 2004-08-12 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子およびその製造方法
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4141309B2 (ja) 2003-04-15 2008-08-27 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
TW200511589A (en) * 2003-07-25 2005-03-16 Hewlett Packard Development Co Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US20050017244A1 (en) 2003-07-25 2005-01-27 Randy Hoffman Semiconductor device
US8247965B2 (en) * 2003-11-14 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device and method for manufacturing the same
KR100611152B1 (ko) * 2003-11-27 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
US20050170643A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Forming method of contact hole, and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device
KR100708644B1 (ko) 2004-02-26 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 표시장치, 박막트랜지스터의 제조방법, 평판 표시장치의 제조방법, 및도너 시트의 제조방법
US7381579B2 (en) 2004-02-26 2008-06-03 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing TFT using the donor sheet, and method of manufacturing flat panel display device using the donor sheet
KR101078483B1 (ko) 2004-03-12 2011-10-31 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 Lcd 또는 유기 el 디스플레이의 스위칭 소자
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7491590B2 (en) * 2004-05-28 2009-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor in display device
KR101057891B1 (ko) 2004-05-31 2011-08-19 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
JP5118812B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
KR100939998B1 (ko) 2004-11-10 2010-02-03 캐논 가부시끼가이샤 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
CA2585063C (en) 2004-11-10 2013-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
KR20060064264A (ko) 2004-12-08 2006-06-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101110133B1 (ko) 2004-12-28 2012-02-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 게이트 구동용 쉬프트레지스터
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI390735B (zh) 2005-01-28 2013-03-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
JP4777078B2 (ja) 2005-01-28 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
KR100647690B1 (ko) * 2005-04-22 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
US7732330B2 (en) 2005-06-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same
JP2007043113A (ja) 2005-06-30 2007-02-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、半導体装置の作製方法
US7655566B2 (en) 2005-07-27 2010-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5036241B2 (ja) 2005-07-27 2012-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
TWI485681B (zh) * 2005-08-12 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4870403B2 (ja) 2005-09-02 2012-02-08 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタの製法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4880951B2 (ja) 2005-09-06 2012-02-22 キヤノン株式会社 半導体素子、薄膜トランジスタ、及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4560502B2 (ja) 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5006598B2 (ja) 2005-09-16 2012-08-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
EP1770788A3 (en) 2005-09-29 2011-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP4907942B2 (ja) 2005-09-29 2012-04-04 シャープ株式会社 トランジスタおよび電子デバイス
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
EP1933293A4 (en) * 2005-10-05 2009-12-23 Idemitsu Kosan Co TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A TFT SUBSTRATE
JP5142507B2 (ja) 2005-10-18 2013-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び当該半導体装置を具備する表示装置並びに電子機器
EP1777689B1 (en) 2005-10-18 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577293B (zh) 2005-11-15 2012-09-19 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US7615495B2 (en) 2005-11-17 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP2007272203A (ja) * 2006-03-06 2007-10-18 Nec Corp 表示装置
JP4930704B2 (ja) 2006-03-14 2012-05-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7435633B2 (en) 2006-03-14 2008-10-14 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP5110803B2 (ja) 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
CN101060139A (zh) 2006-04-17 2007-10-24 三星电子株式会社 非晶氧化锌薄膜晶体管及其制造方法
KR100763912B1 (ko) * 2006-04-17 2007-10-05 삼성전자주식회사 비정질 실리콘 박막트랜지스터 및 이를 구비하는 유기 발광디스플레이
KR100785038B1 (ko) 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5135709B2 (ja) * 2006-04-28 2013-02-06 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP5124976B2 (ja) 2006-04-28 2013-01-23 凸版印刷株式会社 表示装置およびその製造方法
JP5250944B2 (ja) * 2006-04-28 2013-07-31 凸版印刷株式会社 構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法
JP4277874B2 (ja) 2006-05-23 2009-06-10 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置の製造方法
CN101356652B (zh) 2006-06-02 2012-04-18 日本财团法人高知县产业振兴中心 包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法
US8330492B2 (en) 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
KR101243809B1 (ko) * 2006-06-30 2013-03-18 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 ｔｆｔ 어레이기판의 제조방법
JP5062558B2 (ja) 2006-07-25 2012-10-31 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4952425B2 (ja) 2006-08-21 2012-06-13 ソニー株式会社 液晶装置および電子機器
JP5127183B2 (ja) 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP4946286B2 (ja) 2006-09-11 2012-06-06 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、それを用いた画像表示装置およびその駆動方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP4932415B2 (ja) 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI514347B (zh) 2006-09-29 2015-12-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和電子裝置
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
JP2008134625A (ja) 2006-10-26 2008-06-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置及び電子機器
TWI442368B (zh) 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP5305630B2 (ja) 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
US8143115B2 (en) 2006-12-05 2012-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
WO2008069255A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
KR101363555B1 (ko) 2006-12-14 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR101312259B1 (ko) 2007-02-09 2013-09-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
TWI478347B (zh) * 2007-02-09 2015-03-21 Idemitsu Kosan Co A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device
JP2008235871A (ja) 2007-02-20 2008-10-02 Canon Inc 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置
WO2008105347A1 (en) 2007-02-20 2008-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Thin-film transistor fabrication process and display device
US8436349B2 (en) 2007-02-20 2013-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Thin-film transistor fabrication process and display device
JP5196870B2 (ja) 2007-05-23 2013-05-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法
KR100858088B1 (ko) 2007-02-28 2008-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP4910779B2 (ja) 2007-03-02 2012-04-04 凸版印刷株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP5244331B2 (ja) 2007-03-26 2013-07-24 出光興産株式会社 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101392276B1 (ko) 2007-10-31 2014-05-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
US7732265B2 (en) * 2008-06-03 2010-06-08 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same and film formation apparatus
JP5368014B2 (ja) * 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR100963027B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
TWI622175B (zh) 2008-07-31 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI500159B (zh) 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI711182B (zh) 2008-07-31 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR101774212B1 (ko) 2008-09-19 2017-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5515281B2 (ja) * 2008-12-03 2014-06-11 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器および薄膜トランジスタの製造方法
KR101402294B1 (ko) 2009-10-21 2014-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793801B2 (en) 2010-05-21 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2012097563A1 (zh) * 2011-01-18 2012-07-26 北京大学深圳研究生院 一种薄膜晶体管的制作方法
CN103050542A (zh) * 2012-12-28 2013-04-17 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种薄膜晶体管
CN104253215A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 海洋王照明科技股份有限公司 太阳能电池器件及其制备方法
CN106414366A (zh) * 2014-06-26 2017-02-15 住友金属矿山株式会社 氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜
CN111226307A (zh) * 2017-11-29 2020-06-02 株式会社神户制钢所 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶
CN111226307B (zh) * 2017-11-29 2021-02-09 株式会社神户制钢所 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶
CN112018168A (zh) * 2019-05-30 2020-12-01 株式会社神户制钢所 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材
CN112542545A (zh) * 2020-04-21 2021-03-23 友达光电股份有限公司 主动元件
CN112542545B (zh) * 2020-04-21 2023-06-09 友达光电股份有限公司 主动元件
CN116525577A (zh) * 2023-07-03 2023-08-01 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体结构及其制作方法
CN116525577B (zh) * 2023-07-03 2023-11-28 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体结构及其制作方法

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