TWI814636B - 主動元件基板 - Google Patents
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Abstract
一種主動元件基板，包括基板、緩衝層、第一金屬氧化物圖案、第一閘絕緣結構、第二半導體層、第二閘絕緣結構、第一閘極、第二閘極、第一源極、第一汲極、第二源極以及第二汲極。第一金屬氧化物圖案位於緩衝層上，且包括第一半導體層以及第一阻氧層。第一閘絕緣結構位於第一金屬氧化物圖案上。第二半導體層位於第一閘絕緣結構上。第一阻氧層至少部分重疊於第二半導體層。第二閘絕緣結構位於第二半導體層以及第一閘絕緣結構上。第一閘極以及第二閘極位於第二閘絕緣結構之上，且分別重疊於第一半導體層以及第二半導體層。
Description
本發明是有關於一種主動元件基板。
一般而言，一個電子裝置中通常包含了許多不同用途的主動元件或被動元件。舉例來說，在一些顯示裝置中，可能會包括各種形式的薄膜電晶體，以因應不同的需求。為了製造不同特性的薄膜電晶體，往往需要執行多次的沉積製程與多次的摻雜製程，這導致顯示裝置的生產成本高，且生產時間長。此外，在製造薄膜電晶體時，必須要嚴格控制半導體通道層的電阻率，以提升顯示裝置的效能。
本發明提供一種主動元件基板，能較佳的控制半導體層的電阻率。
本發明的至少一實施例提供一種主動元件基板。主動元件基板包括基板、緩衝層、第一金屬氧化物圖案、第一閘絕緣結構、第二半導體層、第二閘絕緣結構、第一閘極、第二閘極、第一源極、第一汲極、第二源極以及第二汲極。緩衝層位於基板之上。第一金屬氧化物圖案位於緩衝層上，且包括第一半導體層以及第一阻氧層。第一閘絕緣結構位於第一金屬氧化物圖案以及緩衝層上。第二半導體層位於第一閘絕緣結構上。第一阻氧層至少部分重疊於第二半導體層。第二閘絕緣結構位於第二半導體層以及第一閘絕緣結構上。第一閘極以及第二閘極位於第二閘絕緣結構之上，且分別重疊於第一半導體層以及第二半導體層。第一源極以及第一汲極電性連接至第一半導體層。第二源極以及第二汲極電性連接至第二半導體層。
圖1是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板10的剖面示意圖。請參考圖1，主動元件基板10包括基板100、緩衝層120、第一金屬氧化物圖案MOP、第一閘絕緣結構130、第二半導體層OS2、第二閘絕緣結構140、第一閘極G1、第二閘極G2、第一源極S1、第一汲極D1、第二源極S2以及第二汲極D2。在本實施例中，主動元件基板10還包括阻隔層110以及層間介電層150。
基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料）或是其他可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在基板100上覆蓋一層絕緣層（未繪示），以避免短路問題。在一些實施例中，基板100為軟性基板，且基板100的材料例如為聚乙烯對苯二甲酸酯（polyethylene terephthalate, PET）、聚二甲酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate, PEN）、聚酯（polyester, PES）、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate, PMMA）、聚碳酸酯（polycarbonate, PC）、聚醯亞胺(polyimide, PI）或金屬軟板（Metal Foil）或其他可撓性材質。
阻隔層110以及緩衝層120位於基板100之上。在一些實施例中，阻隔層110毯覆於基板100上，而緩衝層120位於阻隔層110上。
在一些實施例中，阻隔層110中含有氫元素。舉例來說，阻隔層110的材料包括含氫的氮化矽（或氫化氮化矽）或其他合適的材料。在一些實施例中，阻隔層110可以用於阻隔基板100中的離子，避免基板100中的離子往上擴散。在一些實施例中，緩衝層120中含有氧元素。舉例來說，緩衝層120包括氧化物或氮氧化物等含氧絕緣材料，例如氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿或其他合適的材料。在一些實施例中，阻隔層110的厚度為100埃至3000埃，且緩衝層120的厚度為100埃至3000埃。
第一薄膜電晶體T1以及第二薄膜電晶體T2位於基板100之上。在一些實施例中，第一薄膜電晶體T1以及第二薄膜電晶體T2位於緩衝層120上。第一薄膜電晶體T1包括第一半導體層OS1、第一閘極G1、第一源極S1以及第一汲極D1。第二薄膜電晶體T2包括第二半導體層OS2、第二閘極G2、第二源極S2以及第二汲極D2。關於第一薄膜電晶體T1以及第二薄膜電晶體T2的具體結構，請見後面的描述。
第一金屬氧化物圖案MOP位於緩衝層120上，且緩衝層120位於第一金屬氧化物圖案MOP與基板100之間。第一金屬氧化物圖案MOP包括第一半導體層OS1以及第一阻氧層OB1，且接觸緩衝層120的頂面。第一半導體層OS1以及第一阻氧層OB1包括相同的材料。第一半導體層OS1包括第一源極區sr1、第一汲極區dr1以及位於第一源極區sr1與第一汲極區dr1之間的第一通道區ch1。在一些實施例中，第一通道區ch1的電阻率以及第一阻氧層OB1的電阻率大於第一源極區sr1的電阻率與第一汲極區dr1的電阻率。
第一閘絕緣結構130位於第一金屬氧化物圖案MOP以及緩衝層120上。第一閘絕緣結構130包括第一閘介電層133以及第二閘介電層135。第一閘介電層133位於第一金屬氧化物圖案MOP上。第二閘介電層135位於第一閘介電層133上。在本實施例中，第一半導體層OS1以及第一阻氧層OB1皆位於第一閘介電層133與緩衝層120之間。
第二半導體層OS2位於第一閘絕緣結構130上。在一些實施例中，第二金屬氧化物圖案位於第一閘絕緣結構130上，且第二金屬氧化物圖案包括第二半導體層OS2。第二半導體層OS2包括第二源極區sr2、第二汲極區dr2以及位於第二源極區sr2與第二汲極區dr2之間的第二通道區ch2。在一些實施例中，第二通道區ch2的電阻率的電阻率大於第二源極區sr2的電阻率與第二汲極區dr2的電阻率。
第一阻氧層OB1在基板100的表面的法線方向ND上至少部分重疊於第二半導體層OS2。在本實施例中，第一阻氧層OB1從第二汲極區dr2的下方連續地延伸至第二源極區sr2的下方，且整個第二通道區ch2都重疊於第一阻氧層OB1。
在一些實施例中，第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2的材料包括銦鎵錫鋅氧化物（IGTZO）或氧化銦鎵鋅（IGZO）、氧化銦錫鋅（ITZO）、氧化鋁鋅錫（AZTO）、氧化銦鎢鋅（IWZO）等四元金屬化合物或包含鎵（Ga）、鋅（Zn）、銦（In）、錫（Sn）、鋁（Al）、鎢（W）中之任三者的三元金屬構成的氧化物或鑭系稀土摻雜金屬氧化物（例如Ln-IZO）。在一些實施例中，第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2包括相同的材料。在其他實施例中，第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2包括不同的材料。在一些實施例中，第一半導體層OS1之第一通道區ch1的載子遷移率不同於（大於或小於）第二半導體層OS2之第二通道區ch2的載子遷移率。
第二閘絕緣結構140位於第二半導體層OS2以及第一閘絕緣結構130上。第二閘絕緣結構140包括第三閘介電層143以及第四閘介電層145。第三閘介電層143位於第二半導體層OS2上。第四閘介電層145位於第三閘介電層143上。在本實施例中，第二半導體層OS2位於第二閘介電層135與第三閘介電層143之間。
在一些實施例中，緩衝層120、第一閘介電層133、第二閘介電層135及第三閘介電層143中含有氧元素。舉例來說，緩衝層120、第一閘介電層133、第二閘介電層135及第三閘介電層143包括氧化物或氮氧化物等含氧絕緣材料，例如氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿或其他合適的材料。在一些實施例中，第四閘介電層145的材料包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿或其他合適的材料。
在一些實施例中，緩衝層120及/或第一閘絕緣結構130會對第一半導體層OS1以及第一阻氧層OB1進行補氧，使第一半導體層OS1以及第一阻氧層OB1的電阻率上升。在一些實施例中，第一閘絕緣結構130及/或第二閘絕緣結構140會對第二半導體層OS2進行補氧，使第二半導體層OS2的電阻率上升。
在一些實施例中，金屬氧化物（包含第一半導體層OS1、第一阻氧層OB1以及第二半導體層OS2）下方之含氧絕緣層的厚度越厚，則會有越多的氧原子擴散至金屬氧化物中。在本實施例中，第二半導體層OS2下方的含氧絕緣層除了第一閘絕緣結構130之外，還包含緩衝層120。因此，為了避免過多的氧原子進入第二半導體層OS2，於第二半導體層OS2下方設置第一阻氧層OB1，以降低緩衝層120中的氧原子擴散至第二半導體層OS2的機率，藉此可以避免第二半導體層OS2的第二汲極區dr2以及第二源極區sr2電阻率太高的問題，並提升第二薄膜電晶體T2的效能。
第一閘極G1以及第二閘極G2位於第二閘絕緣結構140之上，且分別重疊於第一半導體層OS1的第一通道區ch1與第二半導體層OS2的第二通道區ch2。第一閘絕緣結構130以及第二閘絕緣結構140位於第一閘極G1與第一半導體層OS1之間。第二閘絕緣結構140位於第二閘極G2與第二半導體層OS2之間。在一些實施例中，第一閘極G1以及第二閘極G2屬於相同膜層，藉此減少製程所需的成本。在一些實施例中，第一閘極G1與第一半導體層OS1之間的絕緣材料的厚度大於第二閘極G2與第二半導體層OS2之間的絕緣材料的厚度，藉此使第一薄膜電晶體T1以及第二薄膜電晶體T2具有不同的特性。
層間介電層150位於第二閘絕緣結構140上，且覆蓋第一閘極G1以及第二閘極G2。在一些實施例中，層間介電層150的材料包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鉿、氧化鋁或其他絕緣材料。
第一接觸孔V1以及第二接觸孔V2穿過層間介電層150、第一閘絕緣結構130以及第二閘絕緣結構140。第一汲極D1以及第一源極S1位於層間介電層150上，且分別填入第一接觸孔V1以及第二接觸孔V2，以電性連接第一半導體層OS1。第一汲極D1以及第一源極S1分別連接第一半導體層OS1的第一汲極區dr1以及第一源極區sr1。
第三接觸孔V3以及第四接觸孔V4穿過層間介電層150以及第二閘絕緣結構140。第二汲極D2以及第二源極S2位於層間介電層150上，且分別填入第三接觸孔V3以及第四接觸孔V4，以電性連接第二半導體層OS2。第二汲極D2以及第二源極S2分別連接第二半導體層OS2的第二汲極區dr2以及第二源極區sr2。
圖2A至圖2D是圖1的主動元件基板10的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖2A，形成第一金屬氧化物圖案MOP’於緩衝層120之上。在本實施例中，第一金屬氧化物圖案MOP’包括第一半導體層OS1’以及第一阻氧層OB1。在一些實施例中，形成第一金屬氧化物圖案MOP’時的製程溫度為室溫（例如攝氏25度）至攝氏400度。
請參考圖2B，形成第一閘絕緣結構130於第一金屬氧化物圖案MOP’之上。在一些實施例中，形成第一閘絕緣結構130的方法包括連續地沉積第一閘介電層133以及第二閘介電層135。
形成第二半導體層OS2’於第二閘介電層135之上。在一些實施例中，形成第二半導體層OS2’時的製程溫度為室溫至攝氏300度。在一些實施例中，第二半導體層OS2’與第一半導體層OS1’包括不同的材料，且第二半導體層OS2’的載子遷移率高於第一半導體層OS1’的載子遷移率。
請參考圖2C，形成第二閘絕緣結構140於第一閘絕緣結構130以及第二半導體層OS2’之上。在一些實施例中，形成第二閘絕緣結構140的方法包括連續地沉積第三閘介電層143以及第四閘介電層145。
形成第一閘極G1以及第二閘極G2於第二閘絕緣結構140之上。接著，以第一閘極G1以及第二閘極G2為遮罩，對第一半導體層OS1’以及第二半導體層OS2’執行摻雜製程P，以形成包括第一源極區sr1、第一汲極區dr1以及第一通道區ch1的第一半導體層OS1以及包括第二源極區sr2、第二汲極區dr2以及第二通道區ch2的第二半導體層OS2。在一些實施例中，摻雜製程P例如為氫電漿製程或其他合適的製程。在摻雜製程P後，第一源極區sr1的電阻率、第一汲極區dr1的電阻率、第二源極區sr2的電阻率以及第二汲極區dr2的電阻率小於第一通道區ch1的電阻率以及第二通道區ch2的電阻率
在本實施例中，由於第一阻氧層OB1在摻雜製程P中被第二半導體層OS2’遮蔽，因此，第一阻氧層OB1不會於摻雜製程P中被摻雜。因此，在摻雜製程P後，第一阻氧層OB1的電阻率大於第一源極區sr1的電阻率、第一汲極區dr1的電阻率、第二源極區sr2的電阻率以及第二汲極區dr2的電阻率。
緩衝層120、第一閘絕緣結構130以及第二閘絕緣結構140會於製程中提供氧元素，並提升第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2的電阻率。在本實施例中，第一阻氧層OB1可以減少緩衝層120中的氧原子進入第二源極區sr2以及第二汲極區dr2的機率，藉此避免第二源極區sr2以及第二汲極區dr2電阻率過高的問題。
在本實施例中，第一閘極G1與第二閘極G2屬於同一圖案化層，且第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2可以經由同一次的摻雜製程P進行摻雜，因此可以節省製程的成本。
請參考圖2D，形成層間介電層150於第四閘介電層145上。接著，執行蝕刻製程以形成第一接觸孔V1、第二接觸孔V2、第三接觸孔V3以及第四接觸孔V4。
最後，請回到圖1，形成第一汲極D1、第一源極S1、第二汲極D2以及第二源極S2於層間介電層150上，且分別填入第一接觸孔V1、第二接觸孔V2、第三接觸孔V3以及第四接觸孔V4中。至此，主動元件基板10大致完成。
在本實施例中，第一閘絕緣結構130覆蓋第一半導體層OS1的整個上表面，且第二閘絕緣結構140覆蓋第二半導體層OS2的整個上表面，但本發明不以此為限。在其他實施例中，以第一閘極G1與第二閘極G2為遮罩蝕刻第一閘絕緣結構130以及第二閘絕緣結構140，使第一閘絕緣結構130以及第二閘絕緣結構140暴露出第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2。在這種情況下，後續所形成的層間介電層150可以直接接觸第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2，因此，可以透過層間介電層150中的氫元素而對第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2進行摻雜製程。在一些實施例中，當利用層間介電層150中的氫元素對第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2進行摻雜製程時，可以省略氫電漿製程，且層間介電層150直接接觸第一源極區sr1、第一汲極區dr1、第二源極區sr2與第二汲極區dr2。
圖3是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板20的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1至圖2D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖3的主動元件基板20與圖1的主動元件基板10的主要差異在於：主動元件基板20的第一金屬氧化物圖案MOP除了第一半導體層OS1以及第一阻氧層OB1之外，更包括第二阻氧層OB2。
請參考圖3，第一阻氧層OB1與第二阻氧層OB2彼此分離，且第一阻氧層OB1與第二阻氧層OB2在基板100的表面的法線方向ND上分別重疊於第二半導體層OS2的第二汲極區dr2以及第二源極區sr2。第二半導體層OS2的至少部分第二通道區ch2在法線方向ND上不重疊於第一金屬氧化物圖案MOP。在本實施例中，第一阻氧層OB1自第二汲極區dr2的下方連續地延伸至第二通道區ch2的下方，且第二阻氧層OB2自第二源極區sr2的下方連續地延伸至第二通道區ch2的下方。換句話說，部分第一阻氧層OB1以及部分第二阻氧層OB2在法線方向ND上重疊於第二通道區ch2，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一阻氧層OB1以及第二阻氧層OB2在法線方向ND上完全不重疊於第二通道區ch2。
在一些實施例中，第一阻氧層OB1與第二阻氧層OB2之間的間隙GP小於第二閘極G2的長度L。在一些實施例中，第一阻氧層OB1與第二阻氧層OB2之間的間隙GP大於0.5微米
在本實施例中，藉由第一阻氧層OB1以及第二阻氧層OB2的設置，可以減少緩衝層120中的氧原子進入第二源極區sr2以及第二汲極區dr2的機率，藉此提升第二薄膜電晶體T2的效能。
圖4是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板30的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4的主動元件基板30與圖3的主動元件基板20的主要差異在於：在主動元件基板30中，第二半導體層OS2具有階梯結構。
請參考圖4，第一閘絕緣結構130共形地形成於第一阻氧層OB1與第二阻氧層OB2上，因此，第一閘絕緣結構130具有對應於第一阻氧層OB1與第二阻氧層OB2之間的間隙GP的階梯結構。類似地，第二半導體層OS2共形地形成於第一閘絕緣結構130上，因此，第二半導體層OS2也會具有對應於第一阻氧層OB1與第二阻氧層OB2之間的間隙GP的階梯結構。
在本實施例中，第二半導體層OS2的第二通道區包括第一上部區ch2a1、下部區ch2b以及第二上部區ch2a2。下部區ch2b位於第一上部區ch2a1以及第二上部區ch2a2之間。以基板100為基準，下部區ch2b所在的高度位置低於第一上部區ch2a1以及第二上部區ch2a2所在的高度位置，使第一上部區ch2a1、下部區ch2b以及第二上部區ch2a2構成階梯結構。在本實施例中，部分的第二通道區沿著垂直方向（法線方向ND）延伸，可減少第二半導體層OS2在靠近第二汲極D2處因橫向電場而產生的熱載子效應。
圖5是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板40的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖5的主動元件基板40與圖4的主動元件基板30的主要差異在於：在主動元件基板50中，第一金屬氧化物圖案MOP不包括第二阻氧層OB2。
請參考圖5，第一阻氧層OB1在基板100的表面的法線方向ND上重疊於第二源極區sr2與第二汲極區dr2中的其中一者，且第一阻氧層OB1自第二源極區sr2與第二汲極區dr2中的至少一者的下方連續地延伸至第二通道區ch2的下方。第二源極區sr2與第二汲極區dr2中的其中另一者於基板100的表面的法線方向ND上不重疊於第一金屬氧化物圖案MOP。
在本實施例中，第一阻氧層OB1重疊於第二汲極區dr2，且第一阻氧層OB1自第二汲極區dr2的下方連續地延伸至第二通道區ch2的下方。第二源極區sr2不重疊於第一金屬氧化物圖案MOP。
第一閘絕緣結構130共形地形成於第一阻氧層OB1上，因此，第一閘絕緣結構130具有對應於第一阻氧層OB1的階梯結構。類似地，第二半導體層OS2共形地形成於第一閘絕緣結構130上，因此，第二半導體層OS2也會具有對應於第一阻氧層OB1的階梯結構。
在本實施例中，第二半導體層OS2的第二通道區包括彼此連接的第一上部區ch2a1以及下部區ch2b。以基板100為基準，下部區ch2b所在的高度位置低於第一上部區ch2a1所在的高度位置，使第一上部區ch2a1以及下部區ch2b構成階梯結構。在本實施例中，部分的第二通道區沿著垂直方向（法線方向ND）延伸，可減少第二半導體層OS2在靠近第二汲極D2處因橫向電場而產生的熱載子效應。
圖6是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板50的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖1至圖2D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖6的主動元件基板50與圖1的主動元件基板10的主要差異在於：在主動元件基板50中，第一源極S1、第一汲極D1、第一閘極G1、第二源極S2、第二汲極D2以及第二閘極G2屬於相同膜層，藉此可以減少製程的成本。
在一些實施例中，在形成第一源極S1、第一汲極D1、第一閘極G1、第二源極S2、第二汲極D2以及第二閘極G2之前，額外形成其他光阻圖案，並以其他光阻圖案為遮罩執行第一半導體層OS1以及第二半導體層OS2的摻雜製程。接著，移除前述光阻圖案。最後才形成第一源極S1、第一汲極D1、第一閘極G1、第二源極S2、第二汲極D2以及第二閘極G2。
綜上所述，透過阻氧層的設置，能較佳的控制半導體層的電阻率，藉此提升薄膜電晶體的效能。
10, 20, 30, 40, 50:主動元件基板
100:基板
110:阻隔層
120:緩衝層
130:第一閘絕緣結構
133:第一閘介電層
135:第二閘介電層
140:第二閘絕緣結構
143:第三閘介電層
145:第四閘介電層
150:層間介電層
ch1:第一通道區
ch2:第二通道區
ch2a1:第一上部區
ch2a2:第二上部區
ch2b:下部區
D1:第一汲極
D2:第二汲極
dr1:第一汲極區
dr2:第二汲極區
G1:第一閘極
G2:第二閘極
GP:間隙
L:長度
MOP, MOP’:第一金屬氧化物圖案
ND:法線方向
OB1:第一阻氧層
OB2:第二阻氧層
OS1, OS1’:第一半導體層
OS2, OS2’:第二半導體層
P:摻雜製程
S1:第一源極
S2:第二源極
sr1:第一源極區
sr2:第二源極區
T1:第一薄膜電晶體
T2:第二薄膜電晶體
V1:第一接觸孔
V2:第二接觸孔
V3:第三接觸孔
V4:第四接觸孔
圖1是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。
圖2A至圖2D是圖1的主動元件基板的製造方法的剖面示意圖。
圖3是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。
圖5是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。
圖6是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。
10:主動元件基板
100:基板
110:阻隔層
120:緩衝層
130:第一閘絕緣結構
133:第一閘介電層
135:第二閘介電層
140:第二閘絕緣結構
143:第三閘介電層
145:第四閘介電層
150:層間介電層
ch1:第一通道區
ch2:第二通道區
D1:第一汲極
D2:第二汲極
dr1:第一汲極區
dr2:第二汲極區
G1:第一閘極
G2:第二閘極
MOP:第一金屬氧化物圖案
ND:法線方向
OB1:第一阻氧層
OS1:第一半導體層
OS2:第二半導體層
S1:第一源極
S2:第二源極
sr1:第一源極區
sr2:第二源極區
T1:第一薄膜電晶體
T2:第二薄膜電晶體
V1:第一接觸孔
V2:第二接觸孔
V3:第三接觸孔
V4:第四接觸孔
Claims (12)
- 一種主動元件基板，包括：一基板；一緩衝層，位於該基板之上；一第一金屬氧化物圖案，位於該緩衝層上，且包括一第一半導體層以及一第一阻氧層；一第一閘絕緣結構，位於該第一金屬氧化物圖案以及該緩衝層上；一第二半導體層，位於該第一閘絕緣結構上，其中該第一阻氧層至少部分重疊於該第二半導體層；一第二閘絕緣結構，位於該第二半導體層以及該第一閘絕緣結構上一第一閘極以及一第二閘極，位於該第二閘絕緣結構之上，且分別重疊於該第一半導體層以及該第二半導體層；一第一源極以及一第一汲極，電性連接至該第一半導體層；以及一第二源極以及一第二汲極，電性連接至該第二半導體層。
- 如請求項1所述的主動元件基板，其中該第一閘極以及該第二閘極屬於相同膜層。
- 如請求項2所述的主動元件基板，其中該第一源極、該第一汲極、該第一閘極、該第二源極、該第二汲極以及該第二閘極屬於相同膜層。
- 如請求項1所述的主動元件基板，其中該第一半導體層包括一第一源極區、一第一汲極區以及位於該第一源極區與該第一汲極區之間的一第一通道區，且該第二半導體層包括一第二源極區、一第二汲極區以及位於該第二源極區與該第二汲極區之間的一第二通道區，其中該第一阻氧層從該第二源極區與該第二汲極區中的至少一者的下方連續地延伸至該第二通道區的下方。
- 如請求項4所述的主動元件基板，其中該第一金屬氧化物圖案更包括一第二阻氧層，該第一阻氧層與該第二阻氧層彼此分離，且該第一阻氧層與該第二阻氧層在該基板的表面的一法線方向上分別重疊於該第二汲極區以及該第二源極區。
- 如請求項5所述的主動元件基板，其中該第一阻氧層與該第二阻氧層之間的間隙小於該第二閘極的長度。
- 如請求項5所述的主動元件基板，其中該第一阻氧層與該第二阻氧層之間的間隙大於0.5微米。
- 如請求項4所述的主動元件基板，其中該第一阻氧層的電阻率大於該第一源極區的電阻率與該第一汲極區的電阻率。
- 如請求項1所述的主動元件基板，其中該第二半導體層包括階梯結構。
- 如請求項1所述的主動元件基板，其中該第一閘絕緣結構包括一第一閘介電層以及一第二閘介電層，該第二閘絕緣結構包括一第三閘介電層以及一第四閘介電層。
- 如請求項1所述的主動元件基板，其中該第一半導體層包括一第一源極區、一第一汲極區以及位於該第一源極區與該第一汲極區之間的一第一通道區，且該第二半導體層包括一第二源極區、一第二汲極區以及位於該第二源極區與該第二汲極區之間的一第二通道區，其中該第一阻氧層從該第二汲極區的下方連續地延伸至該第二源極區的下方。
- 如請求項1所述的主動元件基板，其中該第一半導體層包括一第一源極區、一第一汲極區以及位於該第一源極區與該第一汲極區之間的一第一通道區，且該第二半導體層包括一第二源極區、一第二汲極區以及位於該第二源極區與該第二汲極區之間的一第二通道區，其中該第二源極區與該第二汲極區中的其中一者於該基板的表面的法線方向上不重疊於該第一金屬氧化物圖案。
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