TWI627833B - 具有高可靠度的電源切換裝置 - Google Patents

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TWI627833B
TWI627833B TW106100948A TW106100948A TWI627833B TW I627833 B TWI627833 B TW I627833B TW 106100948 A TW106100948 A TW 106100948A TW 106100948 A TW106100948 A TW 106100948A TW I627833 B TWI627833 B TW I627833B
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蔡侑霖
黃正達
林俊宏
黃玉萍
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力旺電子股份有限公司
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Abstract

電源切換裝置包含第一位準移位電路、第一電晶體、第二電晶體、第二位準移位電路、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體及第六電晶體。第一電晶體耦接於第一位準移位電路。第二電晶體耦接於第二位準移位電路。第一電晶體耦接於第二電晶體，用以輸出一個輸出電壓。第五電晶體及第六電晶體組成電壓選擇器。第三電晶體及第四電晶體耦接於第二電晶體，用以控制電壓選擇器輸出至第一位準移位電路及第二位準移位電路的驅動電壓。電源切換裝置中，輸入至第一位準移位電路及第二位準移位電路的驅動電壓在寫入模式或是在讀取模式下都能保持穩定。

Description

具有高可靠度的電源切換裝置
本發明揭露一種電源切換裝置，尤指一種在寫入模式及讀取模式下，位準移位電路的驅動電壓都能保持穩定的電源切換裝置。
非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory，NVM)是一種在沒有電力供應至記憶體區塊的情況下，仍然能夠維持原本儲存之資料的記憶體。非揮發性記憶體可應用於許多設備，例如磁性裝置、光碟片、快閃記憶體或是其它半導體製程的記憶裝置。非揮發性記憶體可分為電子式尋址系統(Electrically Addressed Systems)的記憶體，例如唯讀記憶體(Read-Only Memory)，以及機械式尋址系統(Mechanically Addressed Systems)的記憶體，例如硬碟、光碟、磁帶等裝置。並且，非揮發性記憶體不需要將本身儲存之資料做週期性地更新。因此，非揮發性記憶體常被用來當成備份資料的裝置或是能長時間儲存資料的裝置。
一般而言，非揮發性記憶體可被執行寫入操作以及讀取操作的功能。為了驅動記憶體的寫入操作以及讀取操作，電路會使用電源切換裝置產生適當的電壓至記憶體之內部晶片中。在正常操作下，使用者(或以自動化的方式)可操作外部的控制訊號以控制電源切換裝置，進而產生對應寫入操作或讀取操作的電壓。一般電源切換裝置會利用電壓選擇器(Voltage Selector)，並結合位準移位電路(Level Shift Circuit)以控制對應的電晶體輸出正確的電壓。然而，在某些低壓驅動的情況下，電壓選擇器會無法輸出正確的驅動電壓至位準移位電路以控制電晶體，這將導致電源切換裝置失能或是輸出錯誤的電壓。
本發明一實施例提出一種電源切換裝置，包含第一位準移位電路、第一電晶體、第二電晶體、第二位準移位電路、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體及第六電晶體。第一位準移位電路用以根據驅動電壓調整第一控制電壓的位準，以產生第一閘極電壓。第一電晶體包含用以接收工作電壓的第一端、耦接於第一位準移位電路並用以接收第一閘極電壓的控制端、以及用以輸出一個輸出電壓的第二端。第二電晶體包含第一端、控制端、以及耦接於第一電晶體之第二端的第二端。第二位準移位電路耦接於第二電晶體之控制端，用以根據驅動電壓調整第二控制電壓的位準，以產生第二閘極電壓至第二電晶體之控制端。第三電晶體包含用以接收寫入電壓的第一端、用以接收第三閘極電壓的控制端、以及耦接於第二電晶體之第一端的第二端。第四電晶體包含耦接於第三電晶體之第二端的第一端、用以接收第二控制電壓的控制端、以及耦接於接地端的第二端。第五電晶體包含用以接收工作電壓的第一端、耦接於第四電晶體之第一端的控制端、以及用以輸出驅動電壓的第二端。第六電晶體包含耦接於第四電晶體之第一端的第一端、用以接收工作電壓的控制端、以及耦接於第五電晶體之第二端的第二端。
第1圖為電源切換裝置100的架構圖。電源切換裝置100包含第一位準移位電路LS1、第一電晶體T1、第二電晶體T2、第二位準移位電路LS2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5及第六電晶體T6。第一位準移位電路LS1用以根據驅動電壓VV調整第一控制電壓IN1的位準，以產生第一閘極電壓GV1。第一電晶體T1包含用以接收工作電壓VDD的第一端、耦接於第一位準移位電路LS1並用以接收第一閘極電壓GV1的控制端、以及用以輸出一個輸出電壓VPPIN的第二端。當電源切換裝置100應用在控制及驅動記憶體電路時，輸出電壓VPPIN可輸出至記憶體之內部晶片，藉以提供適當電壓以便操作。第二電晶體T2包含第一端、控制端、以及耦接於第一電晶體T1之第二端的第二端。第二位準移位電路LS2耦接於第二電晶體T2之控制端，用以根據驅動電壓VV調整第二控制電壓IN2的位準，以產生第二閘極電壓GV2至第二電晶體T2之控制端。第三電晶體T3包含用以接收寫入電壓VPP的第一端、用以接收第三閘極電壓GV3的控制端、以及耦接於第二電晶體T2之第一端的第二端。第四電晶體T4包含耦接於第三電晶體T3之第二端的第一端、用以接收第二控制電壓IN2的控制端、以及耦接於接地端的第二端。第五電晶體包含用以接收工作電壓VDD的第一端、耦接於第四電晶體T4之第一端的控制端、以及用以輸出驅動電壓VV的第二端。第六電晶體T6包含耦接於第四電晶體T4之第一端的第一端、耦接於第五電晶體T5之第一端的控制端、以及耦接於第五電晶體T5之第二端的第二端。在電源切換裝置100中，第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第五電晶體T5及第六電晶體T6可為P型金屬氧化物半導體場效電晶體。第四電晶體T4可為N型金屬氧化物半導體場效電晶體。並且，第一位準移位電路LS1以及第二位準移位電路LS2可為任何形式的位準移位電路，具有控制電壓與輸出的閘極電壓為同向的特性。並且，第五電晶體T5及第六電晶體T6可組成電壓選擇器，用以輸出驅動電壓VV。以下將說明電源切換裝置100在不同模式下的運作情況。
當電源切換裝置100在寫入模式(Program Mode)時，寫入電壓VPP會大於工作電壓VDD。並且，第一控制電壓IN1大於第二控制電壓IN2。例如，寫入電壓VPP可為高電位的電壓，工作電壓VDD可為低電位的電壓，第一控制電壓IN1可為高電位的電壓，第二控制電壓IN2可為低電位的電壓。並且，第三閘極電壓GV3可等於第二控制電壓IN2，亦為低電位。由於第三電晶體T3的控制端接收了低電位的第三閘極電壓GV3，因此第三電晶體T3為導通。由於第四電晶體T4的控制端接收了低電位的第二控制電壓IN2，因此第四電晶體T4為截止，等同於端點電壓VPP_SW之壓降路徑被關閉。第四電晶體T4之第一端的端點電壓VPP_SW會等於高電位的寫入電壓VPP。由於第五電晶體T5的控制端接收了高電位的端點電壓VPP_SW，因此第五電晶體T5為截止。由於第六電晶體T6的控制端接收了低電位的工作電壓VDD，因此第六電晶體T6為導通。由於第六電晶體T6為導通，因此第六電晶體T6的第二端將輸出與寫入電壓VPP相同電位的驅動電壓VV。因此，驅動電壓VV將可以致能第一位準移位電路LS1以及第二位準移位電路LS2的運作。例如，第一位準移位電路LS1可以根據驅動電壓VV，調整高電位的控制電壓IN1以輸出同向的第一閘極電壓GV1而使第一電晶體T1截止。類似地，第二位準移位電路LS2可以根據驅動電壓VV，調整低電位的控制電壓IN2以輸出同向的第二閘極電壓GV2而使第二電晶體T2導通。因此，在電源切換裝置100中，高電位的寫入電壓VPP會經由導通的第三電晶體T3以及第二電晶體T2傳至第二電晶體T2之第二端。換句話說，在寫入模式時，電源切換裝置100最終會輸出與高電位的寫入電壓VPP同電位的輸出電壓VPPIN。
當電源切換裝置100在讀取模式(Read Mode)時，寫入電壓VPP會小於或等於工作電壓VDD。並且，第一控制電壓IN1小於第二控制電壓IN2。例如，寫入電壓VPP可為與工作電壓VDD相近電位的電壓、寫入電壓VPP也可為接地電壓、寫入電壓VPP也可為小於工作電壓VDD之浮接狀態(Floating State)電壓。第一控制電壓IN1可為低電位的電壓，第二控制電壓IN2可為高電位的電壓。並且，第三閘極電壓GV3可等於第二控制電壓IN2，亦為高電位。由於第三電晶體T3的控制端接收了高電位的第三閘極電壓GV3，因此第三電晶體T3為截止。由於第四電晶體T4的控制端接收了高電位的第二控制電壓IN2，因此第四電晶體T4為導通，等同於端點電壓VPP_SW之壓降路徑被開啟。第四電晶體T4之第一端的端點電壓VPP_SW會等於接地電壓。由於第五電晶體T5的控制端接收了電位為接地電壓的端點電壓VPP_SW，因此第五電晶體T5為導通。由於第六電晶體T6的控制端接收了較高電位的工作電壓VDD，因此第六電晶體T6為截止。因此第五電晶體T5的第二端將輸出與工作電壓VDD相同電位的驅動電壓VV。因此，驅動電壓VV將可以致能第一位準移位電路LS1以及第二位準移位電路LS2的運作。例如，第一位準移位電路LS1可以根據驅動電壓VV，調整低電位的控制電壓IN1以輸出同向的第一閘極電壓GV1而使第一電晶體T1導通。類似地，第二位準移位電路LS2可以根據驅動電壓VV，調整高電位的控制電壓IN2以輸出同向的第二閘極電壓GV2而使第二電晶體T2截止。因此，在電源切換裝置100中，工作電壓VDD會經由第一電晶體T1傳至第一電晶體T1之第二端。換句話說，在讀取模式時，電源切換裝置100最終會輸出與工作電壓VDD同電位的輸出電壓VPPIN。並且，應當理解的是，由於第三電晶體T3為截止狀態，因此寫入電壓VPP為與工作電壓VDD相近電位的電壓、寫入電壓VPP為接地電壓、或寫入電壓為小於工作電壓VDD的浮接狀態電壓之各種不同的電壓狀態下，都不會影響電源切換裝置100最終的輸出結果。
因此，當電源切換裝置100在寫入模式時，最終會輸出與寫入電壓VPP同電位的輸出電壓VPPIN。當電源切換裝置100在讀取模式時，最終會輸出與工作電壓VDD同電位的輸出電壓VPPIN。所以，電源切換裝置可產生適當的輸出電壓VPPIN至記憶體之內部晶片中。本實施例在實際運作時，當電源切換裝置100在寫入模式時，寫入電壓VPP可為9伏特，工作電壓VDD可為1.5伏特，第一控制電壓IN1可為1.5伏特，第二控制電壓IN2可為0伏特，端點電壓VPP_SW會變成9伏特，驅動電壓VV可為9伏特，而最終輸出的輸出電壓VPPIN可為9伏特。當電源切換裝置100在讀取模式時，寫入電壓VPP可為1.5伏特、0伏特或是小於工作電壓VDD的浮接狀態，工作電壓VDD可為1.5伏特，第一控制電壓IN1可為0伏特，第二控制電壓IN2可為1.5伏特，端點電壓VPP_SW會變成0伏特，驅動電壓VV可為1.5伏特，而最終輸出的輸出電壓VPPIN可為1.5伏特。為了描述更為清楚，表A將列出上述模式的各種電壓狀態，如下(為了方便表達，表A中之伏特的代號以”V”來表示)： 表A
第2圖為電源切換裝置200的架構圖。在本發明中，任何硬體的合理變更皆屬於本發明所揭露的範疇。因此，在上述電源切換裝置100中，也可以加入額外的第三位準移位電路LS3，以達到相同的電源切換功效。換句話說，電源切換裝置200的電路架構類似於電源切換裝置100的電路架構。差別之處在於電源切換裝置200加入了第三位準移位電路LS3。第三位準移位電路LS3耦接於第三電晶體T3之控制端，用以根據寫入電壓VPP調整第二控制電壓IN2的位準，以產生第三閘極電壓GV3至第三電晶體T3之控制端。如前述提及，本發明所使用的位準移位電路可為任何形式的位準移位電路，但必須要具有控制電壓與輸出的閘極電壓為同向的特性。換句話說，當電源切換裝置200在寫入模式時，第二控制電壓IN2可為低電位的電壓，以使第三位準移位電路LS3輸出低電位的第三閘極電壓GV3至第三電晶體T3之控制端而將第三電晶體T3導通。當電源切換裝置200在讀取模式時，第二控制電壓IN2可為高電位的電壓，以使第三位準移位電路LS3輸出高電位的第三閘極電壓GV3至第三電晶體T3之控制端而將第三電晶體T3截止。由於電源切換裝置200其餘元件的電路架構以及操作模式均類似於電源切換裝置100，因此其描述於此將省略。並且，加入了第三位準移位電路LS3的電源切換裝置200由於可以將第三閘極電壓GV3調整至適當的電位，因此也可以用在當寫入電壓VPP大於工作電壓VDD之讀取模式的情況。換句話說，加入了第三位準移位電路LS3的電源切換裝置200可適用於更多電位變化的寫入電壓VPP。類似電源切換裝置100的輸出，當電源切換裝置200在寫入模式時，最終會輸出與寫入電壓VPP同電位的輸出電壓VPPIN。當電源切換裝置200在讀取模式時，最終會輸出與工作電壓VDD同電位的輸出電壓VPPIN。
第3圖為第2圖之電源切換裝置200中，第三位準移位電路LS3的架構圖。應當理解的是，本發明的第三位準移位電路LS3的架構可為任何合理的位準移位電路硬體，因此第3圖所揭露的位準移位電路並不侷限本發明的揭露範圍。在第3圖中，第三位準移位電路LS3包含第七電晶體T7、第八電晶體T8、第九電晶體T9、第十電晶體T10、以及第十一電晶體T11。第七電晶體T7包含耦接於第三電晶體T3之第一端的第一端、控制端、以及耦接於第三電晶體T3之控制端的第二端。第八電晶體T8包含耦接於第七電晶體T7之第一端的第一端、耦接於第七電晶體T7之第二端的控制端、以及耦接於第七電晶體T7之控制端的第二端。第九電晶體T9包含耦接於第七電晶體T7之第二端的第一端、用以接收第二控制電壓IN2的反向電壓IN2b的控制端、以及耦接於接地端的第二端。第十電晶體T10包含耦接於第八電晶體T8之第二端的第一端、用以接收第二控制電壓IN2的控制端、以及耦接於第九電晶體T9之第二端的第二端。第十一電晶體T11包含耦接於第八電晶體T8之第一端的第一端、耦接於第七電晶體T7之第二端的控制端、以及耦接於第八電晶體T8之第一端的第二端。其中該第十一電晶體T11係為一電晶體式電容(MOSFET capacitor)。並且，第七電晶體T7、第八電晶體T8及第十一電晶體T11可為P型金屬氧化物半導體場效電晶體。第九電晶體T9及第十電晶體T10可為N型金屬氧化物半導體場效電晶體。第三位準移位電路LS3的驅動方式於下文說明。
當電源切換裝置200在寫入模式時，第二控制電壓IN2可為低電位的電壓。因此第二控制電壓IN2的反向電壓IN2b(之後直接稱為”反向電壓IN2b”)為高電位的電壓。因此，第九電晶體T9的控制端會接收到高電位的反向電壓IN2b，導致第九電晶體T9為導通。第十電晶體T10的控制端會接收到低電位的第二控制電壓IN2，導致第十電晶體T10為截止。因此，節點A的電壓會被壓降為接地電壓。由於第八電晶體T8的控制端會接收到趨近於接地電壓之節點A的電壓，因此第八電晶體T8為導通。因此，節點B的電壓會等於寫入電壓VPP。由於第七電晶體T7的控制端會接收到趨近於寫入電壓VPP之節點B的電壓，因此第七電晶體T7為截止。寫入電壓VPP無法透過第七電晶體T7傳至節點A，因此節點A將保持低電位。並且，由於節點A保持低電位，因此第三電晶體T3的控制端將接收到低電位，導致第三電晶體T3為導通。因此，寫入電壓VPP會透過第三電晶體T3傳至第四電晶體T4的第一端，導致端點電壓VPP_SW會保持在與寫入電壓VPP相同的電位。將上述的操作統整，當電源切換裝置200在寫入模式時，第二控制電壓IN2為低電位，第三位準移位電路LS3輸出的第三閘極電壓GV3(節點A的電壓)也為低電位(同向)，且端點電壓VPP_SW會保持在與寫入電壓VPP相同的電位。因此，電源切換裝置200在寫入模式時，將可依據前述實施例的運作模式，最終輸出與寫入電壓VPP同電位的輸出電壓VPPIN。
當電源切換裝置200在讀取模式時，第二控制電壓IN2可為高電位的電壓。因此第二控制電壓IN2的反向電壓IN2b(之後直接稱為”反向電壓IN2b”)為低電位的電壓。因此，第九電晶體T9的控制端會接收到低電位的反向電壓IN2b，導致第九電晶體T9為截止。第十電晶體T10的控制端會接收到高電位的第二控制電壓IN2，導致第十電晶體T10為導通。因此，節點B的電壓會被壓降為接地電壓。由於第七電晶體T7的控制端會接收到趨近於接地電壓之節點B的電壓，因此第七電晶體T7為導通。因此，節點A的電壓會等於寫入電壓VPP。由於第八電晶體T8的控制端會接收到趨近於寫入電壓VPP之節點A的電壓，因此第八電晶體T8為截止。寫入電壓VPP無法透過第八電晶體T8傳至節點B，因此節點B將保持低電位。並且，由於節點A為寫入電壓VPP的電位，因此第三電晶體T3的控制端將接收到電壓VPP的電位，導致第三電晶體T3為截止。因此，端點電壓VPP_SW會依據第四電晶體T4的漏電路徑而壓降為接地電壓。將上述的操作統整，當電源切換裝置200在讀取模式時，第二控制電壓IN2為高電位，第三位準移位電路LS3輸出的第三閘極電壓GV3(節點A的電壓)也為與寫入電壓VPP相同的電位(例如9伏特，同向)，端點電壓VPP_SW會壓降為接地電壓。因此，電源切換裝置200在讀取模式時，將可依據前述實施例的運作模式，最終輸出與工作電壓VDD同電位的輸出電壓VPPIN。
並且，引入第3圖之第三位準移位電路LS3架構之電源切換裝置200，還具備了電壓保護的功能。舉例而言，當第九電晶體T9以及第十電晶體T10在截止的初始化狀態，且寫入電壓VPP比第二控制電壓IN2提前升壓時，因第十一電晶體T11係為一電晶體式電容，此電容將導致節點A的電壓之升壓速率較節點B的電壓為快。當節點A的電壓升壓至第八電晶體T8的電壓門檻值時，第八電晶體T8將會被截止。此時，節點B的電壓將無法繼續透過第八電晶體T8升壓，因此其電壓會維持在約莫(VPP/2)的電位。由於節點B的電壓不夠大，因此第七電晶體T7會維持導通。節點A的電壓會維持在寫入電壓VPP的電位。因此，第三電晶體T3的控制端會接收到寫入電壓VPP之電位，而導致第三電晶體T3為截止。換句話說，在寫入電壓VPP比第二控制電壓IN2提前升壓時，異常的寫入電壓VPP不會透過第三電晶體T3去改變端點電壓VPP_SW的電位。因此，電源切換裝置200不會有異常的輸出。
第4圖為電源切換裝置100及200中，第一位準移位電路LS1的架構圖。應當理解的是，本發明的第一位準移位電路LS1的架構可為任何合理的位準移位電路硬體，因此第4圖所揭露的位準移位電路並不侷限本發明的揭露範圍。第一位準移位電路LS1包含第十二電晶體T12、第十三電晶體T13、第十四電晶體T14、以及第十五電晶體T15。第十二電晶體T12包含用以接收驅動電壓VV的第一端、控制端、以及耦接於第一電晶體T1之控制端的第二端。第十三電晶體T13包含耦接於第十二電晶體T12之第一端的第一端、耦接於第十二電晶體T12之第二端的控制端、以及耦接於第十二電晶體T12之控制端的第二端。第十四電晶體T14包含耦接於第十二電晶體T12之第二端的第一端、用以接收第一控制電壓IN1的反向電壓IN1b的控制端、以及耦接於接地端的第二端。第十五電晶體T15包含耦接於第十三電晶體T13之第二端的第一端、用以接收第一控制電壓IN1的控制端、以及耦接於第十四電晶體T14之第二端的第二端。並且，第十二電晶體T12及第十三電晶體T13可為P型金屬氧化物半導體場效電晶體。第十四電晶體T14及第十五電晶體T15可為N型金屬氧化物半導體場效電晶體。第一位準移位電路LS1的驅動方式於下文說明。
如前述提及，第一位準移位電路LS1可為任何形式的位準移位電路，但控制電壓與輸出的閘極電壓必須要有同向的特性。當電源切換裝置100及200在寫入模式時，第一控制電壓IN1可為高電位的電壓。因此第一控制電壓IN1的反向電壓IN1b(之後直接稱為”反向電壓IN1b”)為低電位的電壓。因此，第十五電晶體T15的控制端會接收到高電位的第一控制電壓IN1，導致第十五電晶體T15為導通。第十四電晶體T14的控制端會接收到低電位的反向電壓IN1b，導致第十四電晶體T14為截止。因此，第十二電晶體T12之控制端的電壓會被降壓為接地電壓，導致第十二電晶體T12為導通。由於第十二電晶體T12為導通，因此第十三電晶體T13的控制端將會透過第十二電晶體T12，接收到與驅動電壓VV相同電位的電壓，而導致第十三電晶體T13為截止。因此，第十二電晶體T12之控制端的電壓會保持接地電壓，而第十三電晶體T13之控制端的電壓會保持與驅動電壓VV相同電位的電壓。換句話說，在寫入模式時，第一位準移位電路LS1將會輸出與第一控制電壓IN1同向，且電位約等於驅動電壓VV的第一閘極電壓GV1至第一電晶體T1的控制端。
當電源切換裝置100及200在讀取模式時，第一控制電壓IN1可為低電位的電壓。因此第一控制電壓IN1的反向電壓IN1b(之後直接稱為”反向電壓IN1b”)為高電位的電壓。因此，第十五電晶體T15的控制端會接收到低電位的第一控制電壓IN1，導致第十五電晶體T15為截止。第十四電晶體T14的控制端會接收到高電位的反向電壓IN1b，導致第十四電晶體T14為導通。因此，第十三電晶體T13之控制端的電壓會被降壓為接地電壓，導致第十三電晶體T13為導通。由於第十三電晶體T13為導通，因此第十二電晶體T12的控制端將會透過第十三電晶體T13，接收到與驅動電壓VV相同電位的電壓，而導致第十二電晶體T12為截止。因此，第十三電晶體T13之控制端的電壓會保持接地電壓，而第十二電晶體T12之控制端的電壓會保持與驅動電壓VV相同電位的電壓。換句話說，在讀取模式時，第一位準移位電路LS1將會輸出與第一控制電壓IN1同向，且電位約等於接地電壓的第一閘極電壓GV1至第一電晶體T1的控制端。
第5圖為電源切換裝置100及200中，第二位準移位電路LS2的架構圖。第二位準移位電路LS2的架構以及操作方式類似於第一位準移位電路LS1，也是具有控制電壓與輸出的閘極電壓同向的特性。然而，為了描述完整性，以下仍將第二位準移位電路LS2的架構以及操作方式進行說明。應當理解的是，本發明的第二位準移位電路LS2的架構可為任何合理的位準移位電路硬體，因此第5圖所揭露的位準移位電路並不侷限本發明的揭露範圍。第二位準移位電路LS2包含第十六電晶體T16、第十七電晶體T17、第十八電晶體T18、以及第十九電晶體T19。第十六電晶體T16包含用以接收驅動電壓VV的第一端、控制端、以及耦接於第二電晶體T2之控制端的第二端。第十七電晶體T17包含耦接於第十六電晶體T16之第一端的第一端、耦接於第十六電晶體T16之第二端的控制端、以及耦接於第十六電晶體T16之控制端的第二端。第十八電晶體T18包含耦接於第十六電晶體T16之第二端的第一端、用以接收第二控制電壓IN2的反向電壓IN2b的控制端、以及耦接於接地端的第二端。第十九電晶體T19包含耦接於第十七電晶體T17之第二端的第一端、用以接收第二控制電壓IN2的控制端、以及耦接於第十八電晶體T18之第二端的第二端。並且，第十六電晶體T16及第十七電晶體T17可為P型金屬氧化物半導體場效電晶體。第十八電晶體T18及第十九電晶體T19可為N型金屬氧化物半導體場效電晶體。第二位準移位電路LS2的驅動方式於下文說明。
當電源切換裝置100及200在寫入模式時，第二控制電壓IN2可為低電位的電壓。因此第二控制電壓IN2的反向電壓IN2b(之後直接稱為”反向電壓IN2b”)為高電位的電壓。因此，第十九電晶體T19的控制端會接收到低電位的第二控制電壓IN2，導致第十九電晶體T19為截止。第十八電晶體T18的控制端會接收到高電位的反向電壓IN2b，導致第十八電晶體T18為導通。因此，第十七電晶體T17之控制端的電壓會被降壓為接地電壓，導致第十七電晶體T17為導通。由於第十七電晶體T17為導通，因此第十六電晶體T16的控制端將會透過第十七電晶體T17，接收到與驅動電壓VV相同電位的電壓，而導致第十六電晶體T16為截止。因此，第十七電晶體T17之控制端的電壓會保持接地電壓，而第十六電晶體T16之控制端的電壓會保持與驅動電壓VV相同電位的電壓。換句話說，在讀取模式時，第二位準移位電路LS2將會輸出與第二控制電壓IN2同向，且電位約等於接地電壓的第二閘極電壓GV2至第二電晶體T2的控制端。
當電源切換裝置100及200在讀取模式時，第二控制電壓IN2可為高電位的電壓。因此第二控制電壓IN2的反向電壓IN2b(之後直接稱為”反向電壓IN2b”)為低電位的電壓。因此，第十九電晶體T19的控制端會接收到高電位的第二控制電壓IN2，導致第十九電晶體T19為導通。第十八電晶體T18的控制端會接收到低電位的反向電壓IN2b，導致第十八電晶體T18為截止。因此，第十六電晶體T16之控制端的電壓會被降壓為接地電壓，導致第十六電晶體T16為導通。由於第十六電晶體T16為導通，因此第十七電晶體T17的控制端將會透過第十六電晶體T16，接收到與驅動電壓VV相同電位的電壓，而導致第十七電晶體T17為截止。因此，第十六電晶體T16之控制端的電壓會保持接地電壓，而第十七電晶體T17之控制端的電壓會保持與驅動電壓VV相同電位的電壓。換句話說，在讀取模式時，第二位準移位電路LS2將會輸出與第二控制電壓IN2同向，且電位約等於驅動電壓VV的第二閘極電壓GV2至第二電晶體T2的控制端。
綜上所述，本發明揭露了一種電源切換裝置。由於電源切換裝置內的電壓選擇器(如前述之第五電晶體以及第六電晶體組成)有經過適當設計，使一邊的電晶體所接收到的端點電壓在寫入模式時恆為寫入電壓，而在讀取模式時恆為接地電壓。因此，電壓選擇器另一邊的電晶體所接收到的電壓(工作電壓)必與寫入電壓或接地電壓不同，解決了傳統電壓選擇器在寫入電壓與工作電壓接近，且兩者相差值小於電晶體門檻值時所造成的誤輸出問題。換句話說，本發明的電源切換裝置在寫入模式與讀取模式下，無論在何種電壓條件下，都可以執行正常的電壓輸出。並且，當電源切換裝置中的位準移位電路經過適當設計後，也可以防止寫入電壓提前異常升壓的情況，因此也增加了系統的可靠度。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100‧‧‧電源切換裝置
LS1至‧‧‧位準移位電路
T1至T19‧‧‧電晶體
IN1及IN2‧‧‧控制電壓
GV1至GV3‧‧‧閘極電壓
VV‧‧‧ 驅動電壓
VDD‧‧‧工作電壓
VPP‧‧‧寫入電壓
VPP_SW‧‧‧端點電壓
VPPIN‧‧‧輸出電壓
IN1b以及IN2b‧‧‧反向電壓
A及B‧‧‧節點
第1圖係為本發明之電源切換裝置之第一實施例的架構圖。 第2圖係為本發明之電源切換裝置之第二實施例的架構圖。 第3圖係為第2圖之電源切換裝置中，第三位準移位電路的架構圖。 第4圖係為第1圖及第2圖之電源切換裝置中，第一位準移位電路的架構圖。 第5圖係為第1圖及第2圖之電源切換裝置中，第二位準移位電路的架構圖。

Claims (13)

  1. 一種電源切換裝置，包含： 一第一位準移位電路(Level Shift Circuit)，用以根據一驅動電壓調整一第一控制電壓的位準，以產生一第一閘極電壓； 一第一電晶體，包含： 一第一端，用以接收一工作電壓； 一控制端，耦接於該第一位準移位電路，用以接收該第一閘極電壓；及 一第二端，用以輸出一輸出電壓； 一第二電晶體，包含： 一第一端； 一控制端；及 一第二端，耦接於該第一電晶體之該第二端； 一第二位準移位電路，耦接於該第二電晶體之該控制端，用以根據該驅動電壓調整一第二控制電壓的位準，以產生一第二閘極電壓至該第二電晶體之該控制端； 一第三電晶體，包含： 一第一端，用以接收一寫入電壓； 一控制端，用以接收一第三閘極電壓；及 一第二端，耦接於該第二電晶體之該第一端； 一第四電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第三電晶體之該第二端； 一控制端，用以接收該第二控制電壓，及 一第二端，耦接於一接地端； 一第五電晶體，包含： 一第一端，用以接收該工作電壓； 一控制端，耦接於該第四電晶體之該第一端；及 一第二端，用以輸出該驅動電壓；及 一第六電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第四電晶體之該第一端； 一控制端，耦接於該第五電晶體之該第一端；及 一第二端，耦接於該第五電晶體之該第二端。
  2. 如請求項1所述之電源切換裝置，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第五電晶體及該第六電晶體係為P型金屬氧化物半導體場效電晶體，且該第四電晶體係為N型金屬氧化物半導體場效電晶體。
  3. 如請求項1所述之電源切換裝置，其中當電源切換裝置在一寫入模式時，該寫入電壓大於該工作電壓，該第一控制電壓大於該第二控制電壓，該第三閘極電壓等於該第二控制電壓。
  4. 如請求項3所述之電源切換裝置，其中當電源切換裝置在該寫入模式時，該第四電晶體之該第一端的一電壓等於該寫入電壓，該驅動電壓等於該寫入電壓，且該輸出電壓等於該寫入電壓。
  5. 如請求項1所述之電源切換裝置，其中當電源切換裝置在一讀取模式時，該寫入電壓小於或等於該工作電壓，該第一控制電壓小於該第二控制電壓，該第三閘極電壓等於該第二控制電壓。
  6. 如請求項5所述之電源切換裝置，其中當電源切換裝置在該讀取模式時，該第四電晶體之該第一端的一電壓等於一接地電壓，該驅動電壓等於該工作電壓，且該輸出電壓等於該工作電壓。
  7. 如請求項1所述之電源切換裝置，另包含： 一第三位準移位電路，耦接於該第三電晶體之該控制端，用以根據該寫入電壓調整該第二控制電壓的位準，以產生該第三閘極電壓至該第三電晶體之該控制端。
  8. 如請求項7所述之電源切換裝置，其中該第三位準移位電路包含： 一第七電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第三電晶體之該第一端； 一控制端；及 一第二端，耦接於該第三電晶體之該控制端； 一第八電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第七電晶體之該第一端； 一控制端，耦接於該第七電晶體之該第二端；及 一第二端，耦接於該第七電晶體之該控制端； 一第九電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第七電晶體之該第二端； 一控制端，用以接收該第二控制電壓的反向電壓；及 一第二端，耦接於該接地端；及 一第十電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第八電晶體之該第二端； 一控制端，用以接收該第二控制電壓；及 一第二端，耦接於該第九電晶體之該第二端；及 一第十一電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第八電晶體之該第一端； 一控制端，耦接於該第七電晶體之該第二端；及 一第二端，耦接於該第八電晶體之該第一端。
  9. 如請求項8所述之電源切換裝置，其中該第七電晶體、該第八電晶體及該第十一電晶體係為P型金屬氧化物半導體場效電晶體，且該第九電晶體及該第十電晶體係為N型金屬氧化物半導體場效電晶體。
  10. 如請求項1所述之電源切換裝置，其中該第一位準移位電路包含： 一第十二電晶體，包含： 一第一端，用以接收該驅動電壓； 一控制端；及 一第二端，耦接於該第一電晶體之該控制端； 一第十三電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第十二電晶體之該第一端； 一控制端，耦接於該第十二電晶體之該第二端；及 一第二端，耦接於該第十二電晶體之該控制端； 一第十四電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第十二電晶體之該第二端； 一控制端，用以接收該第一控制電壓的反向電壓；及 一第二端，耦接於該接地端；及 一第十五電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第十三電晶體之該第二端； 一控制端，用以接收該第一控制電壓； 一第二端，耦接於該第十四電晶體之該第二端。
  11. 如請求項10所述之電源切換裝置，其中該第十二電晶體及該第十三電晶體係為P型金屬氧化物半導體場效電晶體，且該第十四電晶體及該第十五電晶體係為N型金屬氧化物半導體場效電晶體。
  12. 如請求項1所述之電源切換裝置，其中該第二位準移位電路包含： 一第十六電晶體，包含： 一第一端，用以接收該驅動電壓； 一控制端；及 一第二端，耦接於該第二電晶體之該控制端； 一第十七電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第十六電晶體之該第一端； 一控制端，耦接於該第十六電晶體之該第二端；及 一第二端，耦接於該第十六電晶體之該控制端； 一第十八電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第十六電晶體之該第二端； 一控制端，用以接收該第二控制電壓的反向電壓；及 一第二端，耦接於該接地端；及 一第十九電晶體，包含： 一第一端，耦接於該第十七電晶體之該第二端； 一控制端，用以接收該第二控制電壓； 一第二端，耦接於該第十八電晶體之該第二端。
  13. 如請求項12所述之電源切換裝置，其中該第十六電晶體及該第十七電晶體係為P型金屬氧化物半導體場效電晶體，且該第十八電晶體及該第十九電晶體係為N型金屬氧化物半導體場效電晶體。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10693461B1 (en) 2019-04-11 2020-06-23 Ememory Technology Inc. Power switch circuit capable of reducing leakage current

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI606448B (zh) * 2015-07-29 2017-11-21 國立交通大學 介電質熔絲型記憶電路及其操作方法
US10181357B2 (en) * 2015-08-18 2019-01-15 Ememory Technology Inc. Code generating apparatus and one time programming block
US10032521B2 (en) * 2016-01-08 2018-07-24 Synopsys, Inc. PUF value generation using an anti-fuse memory array
US10020268B2 (en) 2016-04-13 2018-07-10 Ememory Technology Inc. Random number generator device and control method thereof
US10090027B2 (en) * 2016-05-25 2018-10-02 Ememory Technology Inc. Memory system with low read power
US10469083B2 (en) 2016-07-10 2019-11-05 Imec Vzw Breakdown-based physical unclonable function
US10122538B2 (en) * 2016-10-12 2018-11-06 Ememory Technology Inc. Antifuse physically unclonable function unit and associated control method
US10395745B2 (en) 2016-10-21 2019-08-27 Synposys, Inc. One-time programmable bitcell with native anti-fuse
US10446562B1 (en) * 2017-01-10 2019-10-15 Synopsys, Inc. One-time programmable bitcell with partially native select device
JP6349008B1 (ja) * 2017-04-13 2018-06-27 力旺電子股▲ふん▼有限公司ｅＭｅｍｏｒｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． 乱数発生装置及びその制御方法
US11615859B2 (en) * 2017-04-14 2023-03-28 Attopsemi Technology Co., Ltd One-time programmable memories with ultra-low power read operation and novel sensing scheme
US10776521B2 (en) 2017-04-21 2020-09-15 Apple Inc. Security techniques based on memory timing characteristics
US10090309B1 (en) * 2017-04-27 2018-10-02 Ememory Technology Inc. Nonvolatile memory cell capable of improving program performance
US10276239B2 (en) * 2017-04-27 2019-04-30 Ememory Technology Inc. Memory cell and associated array structure
EP3407336B1 (en) * 2017-05-22 2022-08-17 Macronix International Co., Ltd. Unchangeable phyisical unclonable function in non-volatile memory
US10276253B2 (en) * 2017-08-04 2019-04-30 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods including anti-fuses and for reading and programming of same
US10623192B2 (en) * 2017-08-25 2020-04-14 Synopsys, Inc. Gate oxide breakdown in OTP memory cells for physical unclonable function (PUF) security
US10649735B2 (en) * 2017-09-12 2020-05-12 Ememory Technology Inc. Security system with entropy bits
US10915464B2 (en) 2017-09-12 2021-02-09 Ememory Technology Inc. Security system using random number bit string
CN109658963B (zh) * 2017-10-11 2020-11-17 华邦电子股份有限公司 电阻式存储器存储装置的操作方法
TWI652683B (zh) 2017-10-13 2019-03-01 力旺電子股份有限公司 用於記憶體的電壓驅動器
CN107945824A (zh) * 2017-11-21 2018-04-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于sonos存储器的复位电路及复位方法
US11063772B2 (en) 2017-11-24 2021-07-13 Ememory Technology Inc. Multi-cell per bit nonvolatile memory unit
US11050575B2 (en) 2018-01-10 2021-06-29 Ememory Technology Inc. Entanglement and recall system using physically unclonable function technology
US10505521B2 (en) * 2018-01-10 2019-12-10 Ememory Technology Inc. High voltage driver capable of preventing high voltage stress on transistors
TWI696111B (zh) * 2018-01-10 2020-06-11 力旺電子股份有限公司 隨機碼產生器
CN110018810B (zh) 2018-01-10 2021-05-18 力旺电子股份有限公司 随机码产生器
US11055065B2 (en) * 2018-04-18 2021-07-06 Ememory Technology Inc. PUF-based true random number generation system
US10714199B1 (en) * 2018-05-09 2020-07-14 Synopsys, Inc. PUF latch for OTP memory arrays and method of operation
CN110489351B (zh) * 2018-05-14 2021-03-09 英韧科技(上海)有限公司 芯片指纹管理装置及安全芯片
TWI669714B (zh) 2018-05-29 2019-08-21 力旺電子股份有限公司 電壓控制裝置及記憶體系統
US10923483B2 (en) * 2018-05-31 2021-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EFuse
US10839872B2 (en) * 2018-07-03 2020-11-17 Ememory Technology Inc. Random bit cell using an initial state of a latch to generate a random bit
CN109087679A (zh) * 2018-07-27 2018-12-25 上海华力集成电路制造有限公司 存储单元及其构成的存储阵列和otp
US11170115B2 (en) * 2018-07-30 2021-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for secure external access of the PUF information to an authorized entity
CN109062830B (zh) * 2018-08-02 2021-10-22 中国科学院微电子研究所 一种非易失性存储器的控制系统
US10685727B2 (en) * 2018-08-10 2020-06-16 Ememory Technology Inc. Level shifter
EP3680800B1 (en) * 2018-08-10 2021-10-27 Shenzhen Weitongbo Technology Co., Ltd. Physical unclonable function (puf) device
US11176969B2 (en) 2018-08-20 2021-11-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory circuit including a first program device
US11380693B2 (en) * 2018-08-20 2022-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device including anti-fuse cell structure
US10797064B2 (en) * 2018-09-19 2020-10-06 Ememory Technology Inc. Single-poly non-volatile memory cell and operating method thereof
US11416416B2 (en) * 2019-01-13 2022-08-16 Ememory Technology Inc. Random code generator with non-volatile memory
US10748591B2 (en) * 2019-01-13 2020-08-18 Ememory Technology Inc. Random code generator
US11514174B2 (en) 2019-01-23 2022-11-29 Micron Technology, Inc. Memory devices with cryptographic components
US11294640B2 (en) 2019-03-13 2022-04-05 Ememory Technology Inc. Random number generator
CN110164499B (zh) * 2019-05-24 2023-02-28 中国科学院微电子研究所 一种非易失性存储器的控制系统
US11152380B2 (en) * 2019-08-06 2021-10-19 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Memory device and a method for forming the memory device
CN115085759A (zh) 2019-10-17 2022-09-20 立积电子股份有限公司 射频装置
US11663455B2 (en) * 2020-02-12 2023-05-30 Ememory Technology Inc. Resistive random-access memory cell and associated cell array structure
US11189356B2 (en) * 2020-02-27 2021-11-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. One-time-programmable memory
US11468945B2 (en) * 2020-10-15 2022-10-11 Arm Limited 3D storage architecture with tier-specific controls
US20220199622A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Ememory Technology Inc. Resistive memory cell and associated cell array structure
US11329836B1 (en) * 2021-03-12 2022-05-10 Globalfoundries U.S. Inc. Twin cell memory-based physically unclonable function
US11594541B2 (en) * 2021-03-26 2023-02-28 Nanya Technology Corporation One-time programmable memory array and manufacturing method thereof
CN113129985B (zh) * 2021-03-29 2024-05-03 深圳市国微电子有限公司 一种物理不可克隆单元及读取电路
CN115241181A (zh) 2021-04-23 2022-10-25 联华电子股份有限公司 单次可编程存储器元件
US20230047939A1 (en) 2021-08-13 2023-02-16 Ememory Technology Inc. Fuse-type one time programming memory cell
FR3133699A1 (fr) * 2022-03-21 2023-09-22 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Mémoire morte programmable
US20240071538A1 (en) * 2022-08-24 2024-02-29 Jmem Technology Co., Ltd. Multi-state one-time programmable memory circuit
TWI828568B (zh) * 2023-03-27 2024-01-01 華邦電子股份有限公司 物理不可複製函數代碼產生裝置及物理不可複製函數代碼的產生方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4787066A (en) * 1987-08-03 1988-11-22 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Non-volatile shadow storage cell with improved level shifting circuit and reduced tunnel device count for improved reliability
US8063662B2 (en) * 2007-07-06 2011-11-22 Analog Devices, Inc. Methods and apparatus for predictable level shifter power-up state
TW201340609A (zh) * 2012-03-23 2013-10-01 Powerchip Technology Corp 位準移位電路以及利用位準移位電路之半導體裝置
US8610490B2 (en) * 2010-05-06 2013-12-17 Micron Technology, Inc. Voltage switching in a memory device

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0666115B2 (ja) * 1983-09-26 1994-08-24 株式会社東芝 半導体記憶装置
JPS62180607A (ja) 1986-02-04 1987-08-07 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
US4825410A (en) 1987-10-26 1989-04-25 International Business Machines Corporation Sense amplifier control circuit
GB8923037D0 (en) 1989-10-12 1989-11-29 Inmos Ltd Timing control for a memory
US5243226A (en) * 1991-07-31 1993-09-07 Quicklogic Corporation Programming of antifuses
US5316971A (en) 1992-09-18 1994-05-31 Actel Corporation Methods for programming antifuses having at least one metal electrode
JPH0845269A (ja) * 1994-07-27 1996-02-16 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US5528173A (en) * 1995-05-10 1996-06-18 Micron Technology, Inc. Low power, high speed level shifter
US6023431A (en) * 1996-10-03 2000-02-08 Micron Technology, Inc. Low current redundancy anti-fuse method and apparatus
JP2001351398A (ja) * 2000-06-12 2001-12-21 Nec Corp 記憶装置
EP1186924A3 (en) * 2000-09-05 2003-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical signal reading apparatus using light leaked out of light transmission path
US6584526B1 (en) * 2000-09-21 2003-06-24 Intel Corporation Inserting bus inversion scheme in bus path without increased access latency
KR100375219B1 (ko) 2000-11-09 2003-03-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 데이터 라인 프리챠지 회로
US7187228B1 (en) 2001-06-22 2007-03-06 Quicklogic Corporation Method of programming an antifuse
JP3763775B2 (ja) 2001-11-28 2006-04-05 富士通株式会社 電源立ち上がり時の動作を安定化したレベルコンバータ回路
FR2836751A1 (fr) * 2002-02-11 2003-09-05 St Microelectronics Sa Cellule memoire a programmation unique non destructrice
JP2003257180A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Nec Electronics Corp ＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）及びその動作方法
JP2004310904A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Renesas Technology Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2005276348A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置、及びプリチャージ制御方法
TWI267863B (en) * 2004-04-12 2006-12-01 Samsung Electronics Co Ltd High voltage generating circuit preserving charge pumping efficiency
US20050289435A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Mulla Dean A Fast approximate DINV calculation in parallel with coupled ECC generation or correction
US7205820B1 (en) * 2004-07-08 2007-04-17 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for translation of signal levels across voltage domains
JP4383987B2 (ja) * 2004-08-18 2009-12-16 株式会社東芝 Ｍｏｓ型電気ヒューズとそのプログラム方法
JP4709525B2 (ja) * 2004-10-14 2011-06-22 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US7190626B2 (en) * 2005-05-13 2007-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Memory system with bit-line discharging mechanism
US7253496B2 (en) * 2005-06-28 2007-08-07 Cypress Semiconductor Corporation Antifuse circuit with current regulator for controlling programming current
US7280425B2 (en) * 2005-09-30 2007-10-09 Intel Corporation Dual gate oxide one time programmable (OTP) antifuse cell
US7359265B2 (en) 2006-01-04 2008-04-15 Etron Technology, Inc. Data flow scheme for low power DRAM
JP4894854B2 (ja) * 2006-02-27 2012-03-14 富士通株式会社 データ送信装置、データ送受信システム及びデータ送受信システムの制御方法
US7952937B2 (en) * 2006-03-16 2011-05-31 Freescale Semiconductor, Inc. Wordline driver for a non-volatile memory device, a non-volatile memory device and method
KR100694972B1 (ko) * 2006-03-27 2007-03-14 주식회사 하이닉스반도체 센싱 노드용 프리차지 전압을 선택적으로 변경하는 기능을가지는 플래시 메모리 장치 및 그 독출 동작 방법
TWI344152B (en) * 2006-09-21 2011-06-21 Mediatek Inc Memory circuits and malfunction protection methods thereof
US7508694B2 (en) * 2006-09-27 2009-03-24 Novelics, Llc One-time-programmable memory
KR100825788B1 (ko) * 2006-10-31 2008-04-28 삼성전자주식회사 메모리 셀 센싱 이전에 비트라인의 프리차아지 전압 레벨을유지할 수 있는 플래쉬 메모리 장치의 센스 앰프 회로 및플래쉬 메모리 셀 센싱 방법
US20080316660A1 (en) 2007-06-20 2008-12-25 Ememory Technology Inc. Electrostatic discharge avoiding circuit
US7551497B2 (en) * 2007-09-20 2009-06-23 Mediatek Inc. Memory circuits preventing false programming
US7804327B2 (en) * 2007-10-12 2010-09-28 Mediatek Inc. Level shifters
JP5112846B2 (ja) * 2007-12-27 2013-01-09 セイコーインスツル株式会社 電源切替回路
US8255758B2 (en) * 2008-01-21 2012-08-28 Apple Inc. Decoding of error correction code using partial bit inversion
US8031506B2 (en) 2008-03-21 2011-10-04 Broadcom Corporation One-time programmable memory cell
TWI430275B (zh) 2008-04-16 2014-03-11 Magnachip Semiconductor Ltd 用於程式化非揮發性記憶體裝置之方法
US8127204B2 (en) * 2008-08-15 2012-02-28 Micron Technology, Inc. Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system
US7782116B2 (en) * 2008-09-05 2010-08-24 Fairchild Semiconductor Corporation Power supply insensitive voltage level translator
US8910009B1 (en) * 2008-09-08 2014-12-09 Marvell International Ltd. Method and apparatus for enhancing error detection in data transmission
US8395923B2 (en) * 2008-12-30 2013-03-12 Intel Corporation Antifuse programmable memory array
US8125842B2 (en) 2009-03-31 2012-02-28 Agere Systems Inc. Tracking circuit for reducing faults in a memory
CN101923896A (zh) * 2009-06-12 2010-12-22 威刚科技（苏州）有限公司 电子存储装置及其纠错方法
US9013910B2 (en) * 2009-07-30 2015-04-21 Ememory Technology Inc. Antifuse OTP memory cell with performance improvement prevention and operating method of memory
JP4937316B2 (ja) * 2009-08-21 2012-05-23 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US20110246857A1 (en) 2010-04-02 2011-10-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory system and method
US8279693B2 (en) * 2010-04-09 2012-10-02 Qualcomm Incorporated Programmable tracking circuit for tracking semiconductor memory read current
JP5343916B2 (ja) * 2010-04-16 2013-11-13 富士通セミコンダクター株式会社 半導体メモリ
KR101115623B1 (ko) * 2010-07-09 2012-02-15 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
JP5466594B2 (ja) * 2010-07-29 2014-04-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置及びアンチヒューズのプログラム方法
US9224496B2 (en) 2010-08-11 2015-12-29 Shine C. Chung Circuit and system of aggregated area anti-fuse in CMOS processes
CN102375698B (zh) * 2010-08-23 2014-06-25 群联电子股份有限公司 数据串分派与传送方法、存储器控制器与存储器储存装置
US8339831B2 (en) * 2010-10-07 2012-12-25 Ememory Technology Inc. Single polysilicon non-volatile memory
US8300450B2 (en) 2010-11-03 2012-10-30 International Business Machines Corporation Implementing physically unclonable function (PUF) utilizing EDRAM memory cell capacitance variation
JP2012109329A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその制御方法
KR101953088B1 (ko) * 2011-01-31 2019-03-04 에버스핀 테크놀러지스, 인크. 스핀 토크 자기 랜덤 액세스 메모리에 대한 기록 방법
WO2012106358A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-09 Everspin Technologies, Inc. Method of reading and writing to a spin torque magnetic random access memory with error correcting code
JP5204868B2 (ja) * 2011-04-12 2013-06-05 シャープ株式会社 半導体記憶装置
JP5269151B2 (ja) * 2011-06-09 2013-08-21 シャープ株式会社 半導体記憶装置
US8724363B2 (en) 2011-07-04 2014-05-13 Ememory Technology Inc. Anti-fuse memory ultilizing a coupling channel and operating method thereof
KR20130011058A (ko) * 2011-07-20 2013-01-30 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이의 동작방법
KR101115756B1 (ko) * 2011-09-23 2012-03-06 권의필 고집적 프로그램이 가능한 비휘발성 메모리 및 그 제조 방법
US8508971B2 (en) * 2011-11-08 2013-08-13 Wafertech, Llc Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate
KR20130092174A (ko) * 2012-02-10 2013-08-20 에스케이하이닉스 주식회사 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 데이터 센싱 방법
US8698922B2 (en) * 2012-02-14 2014-04-15 Omni Vision Technologies, Inc. Black level correction for imaging pixels
FR2990291A1 (fr) * 2012-05-03 2013-11-08 St Microelectronics Sa Procede de controle du claquage d'un antifusible
US8681528B2 (en) * 2012-08-21 2014-03-25 Ememory Technology Inc. One-bit memory cell for nonvolatile memory and associated controlling method
US9142275B2 (en) * 2012-10-31 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wordline tracking for boosted-wordline timing scheme
US8830766B2 (en) 2013-01-23 2014-09-09 Lsi Corporation Margin free PVT tolerant fast self-timed sense amplifier reset circuit
US20140293673A1 (en) 2013-03-28 2014-10-02 Ememory Technology Inc. Nonvolatile memory cell structure and method for programming and reading the same
US9281074B2 (en) 2013-05-16 2016-03-08 Ememory Technology Inc. One time programmable memory cell capable of reducing leakage current and preventing slow bit response
US20150007337A1 (en) * 2013-07-01 2015-01-01 Christian Krutzik Solid State Drive Physical Uncloneable Function Erase Verification Device and Method
JP6106043B2 (ja) * 2013-07-25 2017-03-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
KR20150019442A (ko) * 2013-08-14 2015-02-25 삼성전자주식회사 퓨즈 셀들의 프로그래밍 방법 및 메모리 복구 방법
KR101489758B1 (ko) 2013-08-26 2015-02-04 한국전자통신연구원 플래시 메모리의 동작 제어 방법 및 장치
CN104464816B (zh) * 2013-09-21 2019-03-01 上峰科技股份有限公司 单次可编程记忆体及其操作方法和编程方法以及电子系统
EP3349343B1 (en) * 2013-11-08 2019-07-17 Delta Electronics (Thailand) Public Co., Ltd. Resistorless precharging
US9628086B2 (en) * 2013-11-14 2017-04-18 Case Western Reserve University Nanoelectromechanical antifuse and related systems
US20150143130A1 (en) * 2013-11-18 2015-05-21 Vixs Systems Inc. Integrated circuit provisioning using physical unclonable function
CN103730164B (zh) * 2013-12-27 2017-01-04 深圳市国微电子有限公司 一种可编程存储单元
JP6380827B2 (ja) * 2014-01-27 2018-08-29 富士電機株式会社 遅延回路
US9501352B2 (en) * 2014-03-05 2016-11-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory device
US9823860B2 (en) * 2014-03-14 2017-11-21 Nxp B.V. One-time programming in reprogrammable memory
US9349472B2 (en) * 2014-03-25 2016-05-24 Integrated Silicon Solution, Inc. Flash memory device with sense-amplifier-bypassed trim data read
US9768957B2 (en) 2014-04-23 2017-09-19 Cryptography Research, Inc. Generation and management of multiple base keys based on a device generated key
JP6200370B2 (ja) * 2014-04-23 2017-09-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 データバス駆動回路、それを備えた半導体装置及び半導体記憶装置
US9778903B2 (en) * 2014-05-12 2017-10-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for timing domain crossing
US9431111B2 (en) * 2014-07-08 2016-08-30 Ememory Technology Inc. One time programming memory cell, array structure and operating method thereof
KR102169197B1 (ko) * 2014-09-16 2020-10-22 에스케이하이닉스 주식회사 향상된 프로그램 효율을 갖는 안티퓨즈 오티피 메모리 셀 및 셀 어레이
KR20160071054A (ko) * 2014-12-11 2016-06-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 동작 방법
US9627088B2 (en) * 2015-02-25 2017-04-18 Ememory Technology Inc. One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4787066A (en) * 1987-08-03 1988-11-22 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Non-volatile shadow storage cell with improved level shifting circuit and reduced tunnel device count for improved reliability
US8063662B2 (en) * 2007-07-06 2011-11-22 Analog Devices, Inc. Methods and apparatus for predictable level shifter power-up state
US8610490B2 (en) * 2010-05-06 2013-12-17 Micron Technology, Inc. Voltage switching in a memory device
TW201340609A (zh) * 2012-03-23 2013-10-01 Powerchip Technology Corp 位準移位電路以及利用位準移位電路之半導體裝置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10693461B1 (en) 2019-04-11 2020-06-23 Ememory Technology Inc. Power switch circuit capable of reducing leakage current

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