TWI539172B - 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法 - Google Patents

用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI539172B
TWI539172B TW100123229A TW100123229A TWI539172B TW I539172 B TWI539172 B TW I539172B TW 100123229 A TW100123229 A TW 100123229A TW 100123229 A TW100123229 A TW 100123229A TW I539172 B TWI539172 B TW I539172B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
terminal
voltage
test
array
test method
Prior art date
Application number
TW100123229A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201224478A (en
Inventor
賈瑞 寶藍得
基斯 費佛
馬克 詹母司 米格洛
Original Assignee
生命技術公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 生命技術公司 filed Critical 生命技術公司
Publication of TW201224478A publication Critical patent/TW201224478A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI539172B publication Critical patent/TWI539172B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2621—Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2829—Testing of circuits in sensor or actuator systems
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

用於測試離子感測場效電晶體(ISFET)陣列之裝置及方法
本申請案主張2010年6月30日申請之美國臨時申請案第61/360,493號及2010年7月1日申請之美國臨時申請案第61/360,495號的優先權，其內容係以全文引用方式併入本文中。
依據目前的研究發現，電子裝置及元件在化學及生物學(通常稱為生命科學)上可以有許多種應用，特別是應用於偵測及測量各種生化反應及檢驗，以及偵測及測量各種化合物，其中之一是熟知的離子感測場效電晶體(ion-sensitive field effect transistor,ISFET，或稱pHFET)，其通常被大專院校及研究單位使用於測量溶液中的氫離子濃度(即pH值)。
一般而言，離子感測場效電晶體是一種阻抗轉換裝置，其操作方式與金氧半場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)相似，且其通常係用以選擇性測量溶液中的離子活性，例如可以將溶液中的氫離子視為分析物，有關於離子感測場效電晶體之操作的詳細理論可以參照博夫德發表的論文(「Thirty years of ISFETOLOGY: what happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years,」P. Bergveld,Sens. Actuators,88(2003),pp. 1-20)，其係以全文納入本說明書之範圍。
另外，羅斯伯格等人在美國專利公開第2010/0301398號、第2010/0282617號及第2009/0026082號，亦揭露關於利用習知的互補式金氧半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)之製程來製造離子感測場效電晶體，其係以全文納入本說明書之範圍。除上述互補式金氧半導體之製程外，還可以使用雙載子金氧半導體(bipolar and CMOS,biCMOS)之製程，此製程會在一P型金氧半場效電晶體陣列的周圍形成雙載子結構。此外，當然可以應用其他科技，只要可以形成具有三端子裝置之感測元件即可，例如為鎵砷及奈米碳管技術，其中，被感測之離子可以導致一信號，以便控制三個端子其中之一。
以互補式金氧半導體為例，一種p型離子感測場效電晶體的製程可以於一p型矽基板上進行，其中，一n型井係形成於p型矽基板，以形成電晶體之基體，並且在n型井中形成高度p型(p+)摻雜區域S及D，以分別構成離子感測場效電晶體之源極與汲極，另外，在n型井中形成一高度n型(n+)摻雜區域B，以形成與n型井連接之導電基體(或基極)。然後，在源極、汲極與基極連接區域分別形成一氧化層，藉以形成一開口以便提供電性連接(經由電導體)至該些區域。另外，在氧化層上相對於n型井的位置係形成有一多晶矽閘極，其係介於源極與汲極之間，由於此氧化層係設置於多晶矽閘極與電晶體基體(如n型井)之間，所以其通常可以作為一閘極氧化層。
與金氧半場效電晶體的操作相似，離子感測場效電晶體的操作是基於由一金氧半導體電容所形成之電荷濃度調變(及通道傳導性)，此電容是由一多晶矽閘極、一閘極氧化層及介於源極與汲極之間的一井區域(如n型井)所構成；當施加一負電壓於閘極區域與源極區域之間時，可以消耗此區域中的電子以便在此區域與閘極氧化層之介面形成通道，以一n型井為例，所形成之通道為一p型通道，反之亦然。另外，在n型井中，所形成之p型通道係延伸於源極與汲極之間，因此當施加於閘極與源極之間的負電位差夠大時，可以吸引源極的電洞進入通道，藉以形成電流，此時，使得通道開始產生電流時的閘極與源極電位差係為電晶體之臨限電壓VTH(當閘極與源極電位差VGS的絕對值大於臨限電壓VTH時，電晶體會導電)，由於源極係作為通過通道之電荷載體(p型通道之電洞)的來源，所以被稱為源極，相同地，汲極係為電荷載體離開通道處。
依據羅斯伯格所述，離子感測場效電晶體可以具有一浮動閘極結構，其係利用連接多晶矽閘極與複數個金屬層而得，其中該等金屬層係設置於一個以上之設置在閘極氧化層之上的氧化層中；由於浮動閘極結構係與離子感測場效電晶體中的其他導體電性隔離，所以被稱為浮動閘極結構，另外，其係夾設於閘極氧化層與一鈍化保護層之間，其中，鈍化保護層係設置於浮動閘極之一金屬層(如上金屬層)上方。
另外，如羅斯伯格所揭露，離子感測場效電晶體之鈍化保護層可形成一離子感測膜，其係能夠提高裝置的離子靈敏度；若分析物與鈍化保護層接觸時，位於浮動閘極結構上方之一感測區域通常能夠改變離子感測場效電晶體之電性特性，因此可以調變通過離子感測場效電晶體之源極與汲極間之通道的電流，其中，分析物例如為分析物溶液中的離子，如一溶液中含有相關之分析物(含離子)，或一待測試溶液以測試是否存在相關之分析物。其中，鈍化保護層可包括任一種能夠對特定離子提高靈敏度之不同物質，例如鈍化保護層可包括氮化矽或氮氧化矽，或金屬氧化物如矽、鋁、或鉭氧化物，其通常能夠提高對分析物溶液中氫離子濃度(pH值)的靈敏度；相同地，若鈍化保護層中包括聚氯乙烯，其含有纈氨黴素，能夠提高對分析物溶液中鉀離子濃度的靈敏度。目前已知可以利用其他適當之物質來形成鈍化保護層，藉以提高對其他離子的靈敏度，如鈉離子、銀離子、鐵離子、溴離子、碘離子、鈣離子、及硝酸鹽離子等，當然，鈍化保護層以可以包含其他物質，如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物等。針對分析物溶液與鈍化保護層之介面所產生的化學反應而言，在離子感測場效電晶體之鈍化保護層中所加入之物質的表面可以具有化學基團，其可以用來提供質子給分析物溶液或接受分析物溶液所提供之質子，其可以在與分析物溶液相鄰之鈍化保護層的表面上，於任意時間提供負電荷、正電荷、或中性位置。
以離子靈敏度而言，在鈍化保護層與分析物溶液之間的固體/液體介面上會產生一電位差(通常稱為表面電位)，其係能夠利用其化學反應提供感測離子濃度之功能，其通常包含氧化物表面基團受到在感測區域附近之分析物溶液中的離子所影響而產生解離。此表面電位可依序影響離子感測場效電晶體之臨限電壓，因此，離子感測場效電晶體之臨限電壓會依據位在感測區域附近之分析物溶液中的離子變化而變動；如羅斯伯格所述，由於離子感測場效電晶體之臨限電壓VTH對離子濃度敏感，所以其源極電壓VS可以提供一信號，其係直接反應位在離子感測場效電晶體之感測區域附近之分析物溶液中的離子濃度。
化學感測場效電晶體(chemFET)陣列，或特別是離子感測場效電晶體陣列，可以用來監控反應，例如為核酸(如DNA)定序反應，其係利用監控在反應過程中分析物的出現、生成或消耗而達成；一般而言，此陣列(包括大陣列之化學感測場效電晶體)可以在各種化學及/或生物學製程(如生化反應、細胞或組織培養或監控、神經活性、核酸定序等)中，偵測並測量各種分析物之靜態及/或動態數量或濃度(如氫離子、其他離子、非離子分子或化合物等)，其可以依據分析物的各種測量結果而得到有價值的資訊。上述之化學感測場效電晶體陣列可以藉由化學感測場效電晶體表面之電荷變化而應用於各種分析物之偵測方法及/或生化製程之監控方法，其中，化學感測場效電晶體(或離子感測場效電晶體)陣列之應用可包括偵測溶液中之分析物，及/或偵測附著於化學感測場效電晶體表面(如離子感測場效電晶體之鈍化保護層)之電荷變化。
有關於製造離子感測場效電晶體陣列之研究係如米爾古羅與庫敏所揭露之內容(「A large transistor-based sensor array chip for direct extracellular imaging,」M. J. Milgrew,M. O. Riehle,and D. R. S. Cumming,Sensors and Actuators,B: Chemical,111-112,(2005),pp. 347-353)及米爾古羅、哈蒙德與庫敏所揭露之內容(「The development of scalable sensor arrays using standard CMOS technology,」M. J. Milgrew,P. A. Hammond,and D. R. S. Cumming,Sensors and Actuators,B: Chemical,103,(2004),pp. 37-42)，其係以全文納入本說明書之範圍，其中，化學感測場效電晶體陣列或離子感測場效電晶體陣列之製造與在化學偵測之應用(包含DNA定序相關之離子監測)的敘述係如羅斯伯格所述，詳言之，羅斯伯格係揭露利用化學感測場效電晶體陣列(特別是離子感測場效電晶體陣列)來定序一核酸，其包括在一反應腔室中將已知的核甘酸與複數核酸混合後接觸或連接至化學感測場效電晶體，其中，核酸係在反應腔室中連成一串；然後測量化學感測場效電晶體之一信號，其中，測量此信號表示將已知的三磷核甘酸形成合成核酸時，所釋出之一個以上之氫離子。
在習知技術中，測試化學感測場效電晶體陣列(如離子感測場效電晶體陣列)的方法包括一濕測試方法，其中，離子感測場效電晶體陣列對一流體中的化學成分變化較敏感，因此，離子感測場效電晶體陣列通常藉由將一種以上之液體流經此陣列以進行測試，其中，各流體分別具有不同之酸鹼值，進一步可以讀出陣列中各離子感測場效電晶體元件之反應，並判斷各元件是否正常運作。雖然，濕測試方法具有能夠在較佳之操作條件下測試離子感測場效電晶體之優點，但是濕測試方法在許多環境條件下並不適用。
舉例而言，濕測試方法在大量生產時是麻煩且不實用的，而且，濕測試方法必須將裝置暴露在流體中，此舉可能導致裝置的腐蝕，且可能在正常操作之前仍無法完全乾燥；再者，將裝置暴露於液體中可能導致裝置產生缺陷或污染，因此，一旦裝置暴露於流體中，製造者通常無法接受此裝置。
因此，提供一種化學感測場效電晶體之裝置的乾測試方式，正是當前的重要課題之一。
本發明之實施例揭露一種測試一化學偵測裝置之方法，其中化學偵測裝置包括一畫素元件陣列，各畫素元件包括一化學感測場效電晶體，其具有一源極端子、一汲極端子、及一浮動閘極端子，本方法包括下列步驟：共同連接一群組之化學感測場效電晶體之源極端子；施加第一測試電壓於該群組之源極端子；測量依據該等第一測試電壓而在該等汲極端子對應產生之第一電流；以及依據該等第一測試電壓及第一電流計算電阻值。此外，本發明可以更包括施加第二測試電壓於該群組之源極端子，以操作該群組於不同操作模式，其中，第二測試電壓係至少部分依據該等電阻值而定；以及測量依據該等第二測試電壓而在該等汲極端子對應產生之第二電流。依據上述之第二測試電壓及第二電流，以及化學感測場效電晶體之操作特性，計算該群組中各化學感測場效電晶體之浮動閘極電壓。
本發明之實施例係揭露一種乾測試方法，其係用以測試一化學感測電晶體陣列，各化學感測電晶體分別具有一源極、一汲極以及一浮動閘極；本方法包括下列步驟：施加第一測試電壓於一共同源極，其係連接於一群組之化學感測電晶體；依據該等第一測試電壓及藉由該等第一測試電壓所產生之電流，計算一電阻值；施加第二測試電壓，其中，該等第二測試電壓驅動該等化學感測電晶體而轉變於複數個操作模式之間，且第二測試電壓係至少部分依據該等計算得到之電阻值而定；計算被驅動之各化學感測電晶體之浮動閘極電壓；以及判斷各浮動閘極電壓是否皆在一預設臨限值之內。
本發明之實施例係揭露一種裝置，包括一化學偵測元件陣列及一測試電路，各化學偵測元件分別包括一化學感測場效電晶體，其具有一半導體基極端子、一源極端子、一汲極端子、及一浮動閘極端子，測試電路可包括複數個驅動電壓端子及一電流源，該等驅動電壓端子係分別設置於該陣列之周邊，且係耦接於複數個源極端子及複數個基極端子，電流源係耦接於陣列中至少一化學偵測元件之汲極端子，藉以測量一汲極電流，並將汲極電流轉變為對應之測量電壓。
本發明之實施例係揭露一種測試方法，其係用以測試一電晶體，其具有一浮動閘極以及介於此浮動閘極與至少一第一端子與一第二端子其中之一之間的一重疊電容，本方法包括下列步驟：施加一測試電壓於電晶體之第一端子；偏壓電晶體之第二端子；測量第二端子之一輸出電壓；以及判斷輸出電壓是否在一預設範圍之內；其中，通過重疊電容之測試電壓可以使得電晶體進入一主動模式。
本發明之實施例係揭露一種裝置，包括一偵測元件陣列及一測試電路，各偵測元件分別包括一場效電晶體，其具有一浮動閘極、一第一端子、一第二端子以及一重疊電容，其中重疊電容係介於浮動閘極與至少第一端子與第二端子其中之一之間，測試電路包括一驅動電壓端子、一偏壓電路端子以及一輸出電壓測量端子，其中驅動電壓端子係耦接於至少一第一端子，偏壓電路端子係耦接於至少一第二端子，輸出電壓測量端子係耦接於至少一第二端子。
本發明之實施例係揭露一種系統與方法，其係用以測試離子感測裝置，如離子感測場效電晶體裝置，一般而言，離子感測場效電晶體可以感測形成於其上之微型孔洞中的化學成分之變化，此化學變化可以由設置於微型孔洞之流體中的化學反應而形成。圖1顯示一種離子感測場效電晶體100之示意圖，其中，離子感測場效電晶體100係為一NMOS裝置，然而，本發明亦可以應用於一PMOS裝置。在本實施例中，離子感測場效電晶體100係為一具有四個端子之半導體裝置，其係為一閘極端子110、一汲極端子120、一源極端子130以及一基極端子140，其中，閘極端子110可為一浮動閘極。
離子感測場效電晶體100可包括一浮動閘極，其上係設有一微型孔洞，此微型孔洞可以包含一氧化物(或其他物質)，其表面位置可以誘發與某一特定離子之結合，包含使得電荷分佈改變，以及使得表面之電位產生變化，接著，離子感測場效電晶體可以偵測到表面之電位變化，並以一讀取電路進行測量，藉以顯示微型孔洞中所含有之離子的量；藉由上述方式，可以利用陣列中的各離子感測場效電晶體(如圖2所示之離子感測場效電晶體元件陣列210)，偵測設置於陣列上之樣品液體中的離子濃度之局部變化量。
離子感測場效電晶體100之操作方式與標準之金氧半場效電晶體相似，且其可以變換於複數個操作狀態之間；當偏壓離子感測場效電晶體100時，例如VGS-Vth為正、且大於VDS時，電晶體係處於一三極體狀態，此狀態亦可稱為一線性狀態，在此三極體狀態中，通過汲極端子120之電流ID可以定義為：
其中，μn係為一電荷載體有效遷移率係數，Cox係為每單位面積之閘極氧化電容係數，W係為閘極寬度，L係為閘極長度，VGS係為閘極端子與源極端子之間的電壓，Vth係為臨限電壓，VDS係為汲極端子與源極端子之間的電壓；在此三極體狀態中，電晶體之汲極與源極之間符合歐姆定律，且汲極電流係未飽和。
當VGS-Vth為正、且小於VDS時，離子感測場效電晶體100係操作於一飽和狀態，此狀態通常稱為一主動狀態，在此主動狀態中，通過汲極端子120之電流ID可以定義為：
其中，μn係為一電荷載體有效遷移率係數，Cox係為每單位面積之閘極氧化電容係數，W係為閘極寬度，L係為閘極長度，VGS係為閘極端子與源極端子之間的電壓，Vth係為臨限電壓，VDS係為汲極端子與源極端子之間的電壓，且λ係為通道長度調變因子。
另外，離子感測場效電晶體100亦具有一臨限電壓，其係依據基極電位而定，此基極電位係為基極端子140之電壓，且其可以作為一第二閘極此基極效應可以定義為：
其中，V TN 係為具有基板偏壓時的臨限電壓，V TO 係為零偏壓臨限電壓，V SB 係為介於源極端子與基極端子之間的電壓，γ係為一基極效應參數，且2Φ係為一表面電位參數。
承上所述，離子感測場效電晶體100可以設置在一畫素元件上，且畫素元件可以是一陣列之一部分；圖2顯示一種裝置200，其具有一離子感測場效電晶體元件陣列210，陣列210中的各元件可包括一離子感測場效電晶體(如圖1所示)，當然亦可包括其他電晶體及電子元件。陣列210可以具有複數列以及複數欄，且其四邊可以分別具有離子感測場效電晶體端子連接，其中，其基極連接可以設有一偏壓電壓，例如陣列210之各邊可分別具有離子感測場效電晶體之源極連接，詳述如下。
陣列210通常很大，所以沿著陣列之源極電阻通常依據電晶體之井電阻與源極之連接而變化，在本發明一實施例中，離子感測場效電晶體陣列210可以藉由取代設置在陣列周圍之不同位置的基極連接與源極連接通道而測試，其中，源極連接之電阻可以被校正，藉以判斷所需之浮動閘極電壓之實際值。
圖3顯示一種本發明較佳實施例之方法300之流程圖，其係用以測試一離子感測場效電晶體陣列，且不需要將陣列與流體接觸或鄰設。首先，使裝置進入一測試模式，此時，裝置電路係同時與所有離子感測場效電晶體之源極連接(步驟310)，例如，所有離子感測場效電晶體之源極皆互相連接；在另一實施例中，陣列電路可以跳列或跳欄方式連接源極，例如所有奇數列之源極係互相連接，且所有偶數列之源極係互相連接，在此，利用跳列或跳欄連接之設置可以是一結構陣列測試技術，其係用以測試陣列之所有列與欄之整體性，例如，若具有欄缺陷(例如，因製程缺陷而導致二欄之間互相短路)，其測試方式可以利用驅動奇數欄(非偶數欄)至高位準(可施加一電壓)，然後測量偶數欄，以觀察偶數欄是否維持在低位準，若偶數欄為高位準，則判斷具有缺陷欄存在；另外，在測試列時，可以先驅動某一列，且測量此列之另一端，藉以確保信號是否通過此陣列，因此，此結構陣列測試方法可以測試陣列中各列與各欄之連接性。除上述之陣列中的離子感測場效電晶體之源極的連接方式之外，離子感測場效電晶體之汲極亦可以利用其他或相似方式建立其連接。
在建立源極連接之後，接著進行一第一測試(步驟320)，其中，一第一測試電壓係施加於此陣列，第一測試電壓可以從裝置之複數個不同側邊輸入，例如為陣列之欄之一端或陣列之列之一側；舉例而言，第一測試電壓可以依序輸入各邊。此外，第一測試電壓亦可以輸入互相連接之離子感測場效電晶體之基極端子與源極端子，其中，第一測試電壓可以包括一起始電壓，其係用以判斷測試畫素陣列之適當的操作電壓(或偏壓)。
接著，測量得到對應第一測試之第一測量結果(步驟330)，其中，第一測試電壓可以透過連接之各離子感測場效電晶體而產生對應之電流，然後測量此電流，本發明之實施例係提供不同電壓及電流測量結果之範圍，例如，當設定基極至一偏壓電壓(類比式供應電壓或類比式接地電壓，其係依據離子感測場效電晶體是PMOS裝置或NMOS裝置而定)時，施加源極與汲極電壓，所得到之汲極電流可以利用測量電流源而得，其係將所測量之電流轉換為對應電壓值。在另一實施例中，理論上離子感測場效電晶體之所有基極可以設定至介於類比式供應電壓或類比式接地電壓之間，而且，陣列中的所有離子感測場效電晶體之基極端子可以設定至具有相同電壓，因此，陣列中的所有離子感測場效電晶體可以具有相同偏壓。在另一種測試方法中，整個陣列中的臨限電壓可以不互相匹配。
依據第一測試電壓值與對應之測量電流，可以計算出源極連接之電阻值(步驟340)，例如，可以計算出源極連接之電阻梯度，其可以顯示出各種測試電壓、所測量之電流與電阻之間的關係。
在計算出源極連接之電阻值後，接著可以建立相對於裝置某一邊(如各欄之一端)之基極與源極連接，然後進行一第二測試(步驟350)，在第二測試中，第二測試電壓與電流係提供或施加於陣列，其中第二測試電壓可以是一電壓，其係掃過不同之操作(或偏壓)電壓點，因此，可以設定基極連接(偏壓電壓)。在本實施例中，第二測試電壓與電流係掃過一定範圍之電壓，以便操作離子感測場效電晶體於上述之不同操作模式，如三極體模式及飽和模式。再者，離子感測場效電晶體亦可以操作於基極效果模式，其係利用基極端子作為第二閘極。
接著，測量得到對應第二測試之第二測量結果(步驟360)，其中，當重複提供或輸入不同之第二測試電壓與電流時，可以在陣列上測量得到不同之電流與電壓；舉例而言，當基極電壓位在類比式供應電壓與類比式接地電壓之間時，施加源極與汲極電壓，所得到之汲極電流可以利用測量電流源而得，其係將所測量之電流轉換為對應電壓值；依據輸入與測量得到之電壓與電流，可以計算得到離子感測場效電晶體之閘極電壓(步驟370)，詳言之，可以依據輸入與測量得到之電壓與電流，並利用上述之各種模式之操作方程式來計算閘極電壓，因此，各離子感測場效電晶體元件之閘極電壓可以被計算出，並判斷離子感測場效電晶體是否正常作動。
在本實施例中，步驟350至370可以針對裝置之不同側邊重複進行，例如在各欄之另一端。在另一實施例中，可以先增加或減少輸入之電壓與電流後，如增加為兩倍或減為一半，再重複進行步驟350至370，然後依據調整後之電壓(偏壓點)計算出閘極電壓，當然，亦可以針對裝置之不同側邊重複進行此增加或減少之輸入電壓及電流；另外，亦可以重複進行多次此增加或減少之輸入電壓及電流，且每次重複步驟中，所輸入之電壓及電流係以一定微小比例變動，然後，在所有重複步驟完成後，可以將所計算得到之閘極電壓進行平均，以便得到更接近實際值之離子感測場效電晶體之閘極電壓；接著，將此平均之閘極電壓與一預期之臨限範圍進行比較，藉以判斷各離子感測場效電晶體是否正常作動。另外，將位置(如陣列中的X欄、Y列)、各離子感測場效電晶體之閘極電壓、及/或各離子感測場效電晶體之操作條件分別記錄於一暫存器。此外，還可以提供另一電流，以便編程及/或抹除各畫素元件，其係將各離子感測場效電晶體之浮動閘極電壓進行編程及/或抹除；在部分實施例中，編程及/或抹除之能力可以提供較優良之錯誤偵測範圍，然而，編程及/或抹除電路通常需要在較高電壓下進行，因此需要應用較高電壓電路之分離設計技術以便確保電路元件不受到破壞。
在另一實施例中，除了電壓與電流之外，裝置之溫度亦可以變化以調變離子感測場效電晶體元件之臨限電壓，藉由改變溫度的方式，可以得到交替之資料點、並可以用來計算離子感測場效電晶體元件之閘極電壓。
另外，個別畫素元件之電路可以具有不同之形式，圖4顯示本發明之實施態樣之一種雙電晶體(2-T)之畫素陣列400，圖中顯示4個畫素元件，其中，畫素陣列400可包括複數個畫素元件401.1至401.n，各畫素元件401可包括一離子感測場效電晶體410及另一電晶體420，在本實施例之2-T畫素中，可以藉由控制及/或測量離子感測場效電晶體之浮動閘極端子以外的所有節點之方式，以測試陣列。
圖5顯示本發明之實施態樣之一種三電晶體(3-T)之畫素元件500，其中，畫素元件500可包括一離子感測場效電晶體510及另二個電晶體520及530，在本實施例之3-T畫素中，可以藉由控制及/或測量離子感測場效電晶體之浮動閘極端子以外的所有節點之方式，以測試陣列。其中，I-Sink表示一可控制之電流源，其係提供固定電流至離子感測場效電晶體。在本實施例中，I-Sink能夠配合其他測量點，以便更精確地計算閘極電壓，當然，本發明之實施例亦可以應用其他變化之畫素電路。
本發明較佳實施例之乾測試方法係利用上述之浮動閘極電晶體之特徵，來測試浮動閘極電晶體之功能性，因此，可以利用微小，甚至是不需要電路便可以測試裝置之操作，且由於在陣列區域中不需要額外設置測試電路，所以陣列之尺寸可以被最佳化。另外，本發明較佳實施例不需要使用液體以進行陣列之完整測試，所以可以避免污染。
雖然，在本發明之實施態樣中，揭露不需要使用液體便能夠測試離子感測場效電晶體陣列，然而本發明亦可以配合使用液體以進行測試，舉例而言，可以將已知酸鹼度之液體應用於上述之乾測試技術之前、過程中及之後，因此，若有需要，本發明所述之乾測試技術可以配合濕測試技術應用。
另外，本發明其他實施例係使用離子感測場效電晶體，然而，本發明並不限於離子感測場效電晶體，其亦可以應用其他適當之浮動閘極電晶體裝置或其他適當之化學感測電晶體。
在本發明另一實施例中，耦接於浮動閘極之寄生電容亦可以用來測試浮動閘極電晶體之功能性，圖6顯示一浮動閘極電晶體600(如離子感測場效電晶體)之示意圖，其中，浮動閘極電晶體600可包括一浮動閘極612、一汲極614以及一源極616。在本實施例中，汲極614與源極616係為n型基板中的p型摻雜，藉以形成一p型通道場效電晶體裝置。然而，熟悉該項技術者皆應瞭解，浮動閘極電晶體600亦可以由n型通道場效電晶體裝置所形成，其汲極與源極係為p型半導體中的n型摻雜。
一般而言，可以利用一自對準製程以形成一離子感測場效電晶體，其中，先形成一多晶矽閘極，其係在一閘極氧化層615或其他適當之閘極絕緣層上形成浮動閘極612，然後利用數個步驟以形成源極與汲極摻雜，在形成一輕度摻雜汲極(LDD)離子植入之後，形成一氮化物間隔層，其中，輕度摻雜汲極離子植入係在閘極下方擴散小距離，藉以減少電場、並減少電晶體效能之負面影響，如熱載子。另外，輕度摻雜汲極離子植入通常伴隨著變質之摻雜離子植入，以形成汲極614與源極616，其係具有部分重疊區域607及608，設置於閘極氧化層615之相對下方位置，此重疊區域607及608係形成於其相對之離子植入中，因此一部份之離子植入會位在浮動閘極電極之下方，以便形成一寄生電容。另外，可以利用調整與重疊區域大小相關之製程參數，來控制重疊區域之大小及其電容。
圖7為一浮動閘極端子電晶體600之一等效電路圖，其顯示位於閘極與源極之間的寄生電容(CGS)以及位於閘極與汲極之間的寄生電容(CGD)。除此之外，寄生電容亦可以僅存在於閘極與汲極之間，或是僅存在於閘極與源極之間。
在本發明之一實施例中，可以利用上述之寄生電容進行浮動閘極端子電晶體之測試，而不需要利用射流偏壓來操作浮動閘極；圖8為浮動閘極電晶體中，針對一陣列之一畫素元件之測試結構，其中，如圖8所示之浮動閘極電晶體(例如為離子感測場效電晶體)係具有一源極隨耦器配置，然而，熟悉該項技術者應該瞭解，在此亦可以採用其他配置，如共同源極；另外，浮動閘極電晶體之汲極可以耦接於一電壓電源供應器VDD，其係用以驅動此電晶體，其中，電壓電源供應器VDD例如為3伏特；浮動閘極電晶體之源極可以偏壓至一電流源，其中，電流源係例如為1μA之電流源。
接著，可以測量源極之電壓(如圖8所示之VOUT)，其中，源極電壓VOUT可以表示浮動閘極之電壓，當電晶體之寄生電容使得浮動閘極進入一飽和狀態時，電晶體可以產生此源極電壓VOUT，其係使得閘極電位達到預期另外，電晶體之臨限電壓及寄生電容值可以使得浮動閘極達到適當之耦接，藉以使得電晶體達到其操作範圍。
若源極電壓VOUT在陣列中的正常分佈之預期範圍內，此測試結果係判斷浮動閘極電晶體可以產生有效且可測量之信號，所以畫素可以視為操作中；然而，若所測量之信號與正常分佈相比為過高或過低時，則表示在浮動閘極中可能存在有過多的電荷；另外，若針對所測試之陣列得到之測量數值之分佈過廣，則表示各畫素元素具有極大的不均勻性，此不均勻性會被視為不可靠，甚至導致陣列為不可使用。
在另一實施例中，浮動閘極電晶體之測試可以擴展至測量畫素之增益及/或判斷其他畫素之性質，同樣地，此測試亦可以在不需要射流偏壓來操作浮動閘極的情況下進行，因此可以維持陣列的整體性。
在一實施例中，在測量相對之源極電壓時，汲極電壓可以變化，其中，當汲極電壓變化時，源極偏壓電流可以維持恆定；在一第一步驟中，將一第一電壓(例如為3伏特)輸入至汲極，而源極則被偏壓；在一第二步驟中，當偏壓電流從第一步驟開始維持恆定時，汲極電壓係被調整至一第二電壓(例如為2.8伏特)，接著可以測量對應之源極電壓，由於重疊電容CGD的作用，汲極電壓之電壓差(例如為200 mV)可以耦接至浮動閘極，因此，最終之源極電壓可以是汲極電壓差之一部份；所測量之數值與輸入電壓之比值表示畫素增益，且其可以用來求得其他畫素性質。
以上說明係揭露本發明之數種實施例，然而，所揭露之內容應可涵蓋本發明之修飾及變化，另外，雖然部分操作、元件及電路並未詳細說明，但並非用以限制本實施例之範圍，而且雖然本說明書詳細說明特定結構及功能，但其並非用以限制本實施例之範圍。
熟悉該項技術者可以藉由上述之說明，對本發明進行各種變化，請可以單獨或合併實施上述之所有實施例，因此，雖然上述之說明僅列舉部分特定之實施例，但是本發明之實施例及/或方法並非限制於此，熟悉該項技術者可以藉由本說明書之內容、圖示及申請專利範圍而進行任意的修飾及改變。
上述之各種實施例可以藉由硬體元件、軟體元件或其組合加以實現，其中，硬體元件係例如為處理器、微處理器、電路、電路元件(如電晶體、電阻器、電容器、電感器等)、積體電路、特定應用積體電路(ASIC)、可程式邏輯裝置(PLD)、數位訊號處理器(DSP)、現場可編程閘陣列(FPGA)、邏輯閘、暫存器、半導體裝置、晶片、微晶片、晶片組等等；軟體元件係例如為程式、應用程式、電腦程式、系統程式、機械程式、作業系統程式、中介軟體、韌體、軟體模組、例行程序、子程式、功能、方法、程序、軟體介面、應用程式介面(API)、指令集、計算碼、計算機碼、程式碼片段、計算機程式碼片段、文字、數值、符號、或其組合；可以藉由數種分析因子判斷執行一實施例係採用不同之硬體元件及/或軟體元件，例如為預期之計算機速度、功率等級、熱耐受度、程序循環預算、資料輸入速度、資料輸出速度、記憶體來源、資料匯流排速度、及其他設計或效能限制。
例如，部分實施例可以藉由電腦可讀取媒體而實現，其係儲存有一指令或一組指令，以便在一機器上執行時，可以使得此機器實現本實施例之方法及/或操作，此機器可例如包括任一種適用之處理平台、計算平台、計算裝置、處理裝置、計算系統、處理系統、計算機、處理器等等，且其亦可以藉由硬體及/或軟體之任一種適用之組合而實現，其中，電腦可讀取媒體包括任一種適當形式之記憶單元、記憶裝置、記憶物品、記憶媒體、儲存裝置、儲存物品、儲存媒體及/或儲存單元例如為記憶體、可移動式或不可移動式媒體、可抹除式或不可抹除式媒體、可寫入式或可複寫式媒體、數位或類比式媒體、硬碟、軟碟、唯讀記憶光碟、寫入式光碟、可複寫式光碟、光碟、磁式媒體、磁光媒體、卸除式記憶卡或記憶碟、各種數位多功能光碟(DVD)、磁帶、卡帶等等，另外，指令可包括任一種適用之程式碼，如原始碼、編譯碼、直譯碼、可執行碼、靜態程式碼、動態程式碼、加密程式碼等等，其可以利用任一種適用之高階、低階、物件導向、虛擬、編譯及/或直譯之程式語言而實現。
100．．．離子感測場效電晶體
110．．．閘極端子
120．．．汲極端子
130．．．源極端子
140．．．基極端子
200．．．裝置
210．．．陣列
300．．．方法
310~370．．．步驟
400．．．畫素陣列
401．．．畫素元件
410．．．離子感測場效電晶體
420．．．電晶體
500．．．畫素元件
510．．．離子感測場效電晶體
520．．．電晶體
530．．．電晶體
600．．．電晶體
607．．．重疊區域
608．．．重疊區域
612．．．浮動閘極
614．．．汲極
615．．．閘極氧化層
616．．．源極
圖1為一離子感測場效電晶體之剖面圖；
圖2為一單元陣列之方塊圖；
圖3為測試一單元陣列之簡化流程圖；
圖4顯示一2-T畫素陣列之範例；
圖5顯示一3-T畫素陣列之範例；
圖6為一浮動閘極端子電晶體之一剖面圖；
圖7為一浮動閘極端子電晶體之一等效電路圖；以及
圖8為在測試狀態時浮動閘極端子電晶體之一等效電路圖。
300．．．方法
310．．．步驟
320．．．步驟
330．．．步驟
340．．．步驟
350．．．步驟
360．．．步驟
370．．．步驟

Claims (32)

  1. 一種測試方法，其係用以測試一化學偵測裝置，該化學偵測裝置包括一陣列之畫素元件，各該畫素元件包括一化學感測電晶體，該化學感測電晶體具有一源極端子、一汲極端子、及一浮動閘極端子，該測試方法包括下列步驟：共同連接一群組之該等化學感測電晶體之該等源極端子；施加第一測試電壓於該群組之該等源極端子；測量依據該等第一測試電壓而在該等汲極端子對應產生之第一電流；依據該等第一測試電壓及該等第一電流計算電阻值；施加第二測試電壓於該群組之該等源極端子，以操作該群組於不同操作模式，其中，該等第二測試電壓係至少部分依據該等電阻值而定；測量依據該等第二測試電壓而在該等汲極端子對應產生之第二電流；以及依據該等第二測試電壓及該等第二電流，以及該等化學感測電晶體之操作特性，計算該群組中各該化學感測電晶體之一浮動閘極電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中各該化學感測電晶體係為一離子感測場效電晶體(Ion Sensitive Field Effect Transistor,ISFET)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該群組包含該陣列中的所有該等化學感測電晶體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該群組包含該陣列中之跳列。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該群組包含該陣列中之跳欄。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該等第一測試電壓係依序輸入該陣列之不同側邊。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，更包括下列步驟：與該等第二測試電壓同時輸入測試電流。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該等第二測試電壓係依序輸入該陣列之不同側邊，且該浮動閘極電壓係依據該陣列之各該側邊分別計算而得。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之測試方法，其中針對所有該等側邊計算得到之該等浮動閘極電壓係加以平均。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之測試方法，其中該陣列之任一該浮動閘極端子係不與液體樣品接觸或鄰設。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該等化學感測電晶體之不同操作模式包括三極體模式與飽和模式其中之一。
  12. 一種乾測試方法，其係用以測試一陣列之化學感測電晶體，各該化學感測電晶體分別具有一源極、一汲極以及一浮動閘極；該乾測試方法包括下列步驟：施加第一測試電壓於一共同源極，其中該共同源極係連接於一群組之該等化學感測電晶體；依據該等第一測試電壓及藉由該等第一測試電壓所產生之電流，計算一電阻值；施加第二測試電壓，其中，該等第二測試電壓驅動該等化學感測電晶體轉變於複數個操作模式之間，且該等第二測試電壓係至少部分依據計算得到之該等電阻值而定；計算被驅動之各該化學感測電晶體之一浮動閘極電壓；以及判斷各該浮動閘極電壓是否皆在一預設臨限值之內。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之乾測試方法，其中，該化學感測電晶體係為一離子感測場效電晶體。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之乾測試方法，其中該共同源極所連接之該群組係包含整個該陣列。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之乾測試方法，其中該共同源極所連接之該群組係包含該陣列之跳列。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之乾測試方法，其中該共同源極所連接之該群組係包含該陣列之跳欄。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之乾測試方法，其中該等操作模式包括一三極體模式以及一飽和模式。
  18. 一種裝置，包含：一陣列之化學偵測元件，其中各該化學偵測元件分別包括：一化學感測場效電晶體，其具有一半導體基極端子、一源極端子、一汲極端子、及一浮動閘極端子；以及一測試電路，包括：複數個驅動電壓端子，分別設置於該陣列之周邊，其中該複數個驅動電壓端子係耦接於複數個源極端子及複數個基極端子；一電流源，其係耦接於該陣列中至少一該化學偵測元件之該汲極端子，藉由將一汲極電流轉變為對應之測量電壓之方式以測量該汲極電流。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中該化學感測電晶體係為一離子感測場效電晶體。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中該測試電路係用以驅動該化學感測場效電晶體而操作於不同模式。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中該等不同模式包括一三極體模式及一飽和模式。
  22. 一種測試方法，其係用以測試一電晶體，該電晶體具有一浮動閘極以及介於該浮動閘極與至少一第一端子與一第二端子其中之一之間的一重疊電容，該方法包括下列步驟：施加一測試電壓於該電晶體之該第一端子；偏壓該電晶體之該第二端子；測量該第二端子之一輸出電壓；以及判斷該輸出電壓是否在一預設範圍之內；其中，通過該重疊電容之該測試電壓使得該電晶體進入一主動模式。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之測試方法，其中該電晶體係為一離子感測場效電晶體。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之測試方法，其中該第一端子係為一汲極端子，且該第二端子係為一源極端子。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之測試方法，更包含下列步驟：調整該測試電壓至另一測試電壓；輸入調整後之該測試電壓至該第一端子；測量該第二端子之一第二輸出電壓；以及依據該等輸出電壓判斷一電晶體特性。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之測試方法，其中該電晶體特性係為一電晶體增益。
  27. 如申請專利範圍第22項所述之測試方法，其中該重疊電容係由一閘極氧化層部分重疊於該電晶體之一端子離子植入而構成。
  28. 如申請專利範圍第23項所述之測試方法，其中該浮動閘極端子係不與液體樣品接觸或鄰設。
  29. 一種裝置，包含：一陣列之偵測元件，其中各該偵測元件分別包括：一場效電晶體，其具有一浮動閘極、一第一端子、一第二端子以及一重疊電容，其中該重疊電容係介於該浮動閘極與至少該第一端子與該第二端子其中之一之間；以及一測試電路，包括：一驅動電壓端子，其係耦接於至少一該第一端子；一偏壓電路端子，其係耦接於至少一該第二端子；以及一輸出電壓測量端子，其係耦接於至少一該第二端子。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之裝置，其中各該場效電晶體係為一離子感測場效電晶體。
  31. 如申請專利範圍第29項所述之裝置，其中各該場效電晶體之該第一端子係為一汲極端子，且該第二端子係為一源極端子。
  32. 如申請專利範圍第29項所述之裝置，其中該重疊電容係由一閘極氧化層部分重疊於該電晶體之一端子離子植入而構成。
TW100123229A 2010-06-30 2011-06-30 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法 TWI539172B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US36049310P 2010-06-30 2010-06-30
US36049510P 2010-07-01 2010-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201224478A TW201224478A (en) 2012-06-16
TWI539172B true TWI539172B (zh) 2016-06-21

Family

ID=45399230

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105139587A TW201716791A (zh) 2010-06-30 2011-06-30 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法
TW105110158A TWI569025B (zh) 2010-06-30 2011-06-30 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法
TW100123229A TWI539172B (zh) 2010-06-30 2011-06-30 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105139587A TW201716791A (zh) 2010-06-30 2011-06-30 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法
TW105110158A TWI569025B (zh) 2010-06-30 2011-06-30 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US20120001646A1 (zh)
EP (1) EP2588850B1 (zh)
JP (2) JP5952813B2 (zh)
CN (2) CN103080739B (zh)
TW (3) TW201716791A (zh)
WO (1) WO2012003359A1 (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8349167B2 (en) 2006-12-14 2013-01-08 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays
EP2677308B1 (en) 2006-12-14 2017-04-26 Life Technologies Corporation Method for fabricating large scale FET arrays
US11339430B2 (en) 2007-07-10 2022-05-24 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US8262900B2 (en) 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
WO2010008480A2 (en) 2008-06-25 2010-01-21 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US20120261274A1 (en) 2009-05-29 2012-10-18 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8673627B2 (en) 2009-05-29 2014-03-18 Life Technologies Corporation Apparatus and methods for performing electrochemical reactions
CN103080739B (zh) 2010-06-30 2016-12-21 生命科技公司 用于测试isfet阵列的方法和装置
TWI580955B (zh) 2010-06-30 2017-05-01 生命技術公司 離子感測電荷累積電路及方法
US8432149B2 (en) 2010-06-30 2013-04-30 Life Technologies Corporation Array column integrator
US11307166B2 (en) 2010-07-01 2022-04-19 Life Technologies Corporation Column ADC
JP5876044B2 (ja) 2010-07-03 2016-03-02 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 低濃度ドープドレインを有する化学的感応性センサ
WO2012036679A1 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
EP2619564B1 (en) 2010-09-24 2016-03-16 Life Technologies Corporation Matched pair transistor circuits
US9459234B2 (en) 2011-10-31 2016-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., (“TSMC”) CMOS compatible BioFET
US9689835B2 (en) 2011-10-31 2017-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Amplified dual-gate bio field effect transistor
US9970984B2 (en) 2011-12-01 2018-05-15 Life Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array
US8821798B2 (en) 2012-01-19 2014-09-02 Life Technologies Corporation Titanium nitride as sensing layer for microwell structure
US8747748B2 (en) 2012-01-19 2014-06-10 Life Technologies Corporation Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface
US9070652B2 (en) * 2012-04-13 2015-06-30 United Microelectronics Corp. Test structure for semiconductor process and method for monitoring semiconductor process
TWI601260B (zh) * 2012-04-13 2017-10-01 聯華電子股份有限公司 半導體製程之測試結構及其偵測方法
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
DE102012213533A1 (de) * 2012-08-01 2014-02-06 Robert Bosch Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zum Bestimmen eines Zustands eines Halbleitermaterials des Halbleiterbauelements
DE102012213530A1 (de) * 2012-08-01 2014-02-06 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Messgerät zum Bestimmen eines Zustands eines Halbleitermaterials eines von einem Hersteller getesteten und ausgelieferten chemosensitiven Feldeffekttransistors
US9599586B2 (en) * 2012-08-27 2017-03-21 Infineon Technologies Ag Ion sensor
US9080968B2 (en) 2013-01-04 2015-07-14 Life Technologies Corporation Methods and systems for point of use removal of sacrificial material
US9841398B2 (en) 2013-01-08 2017-12-12 Life Technologies Corporation Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors
US8962366B2 (en) 2013-01-28 2015-02-24 Life Technologies Corporation Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US8841217B1 (en) 2013-03-13 2014-09-23 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
US9389199B2 (en) 2013-03-14 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside sensing bioFET with enhanced performance
US20140264468A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Biofet with increased sensing area
US9116117B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall sensor surface
CN105051525B (zh) 2013-03-15 2019-07-26 生命科技公司 具有薄导电元件的化学设备
CN105264366B (zh) 2013-03-15 2019-04-16 生命科技公司 具有一致传感器表面区域的化学传感器
EP2972279B1 (en) 2013-03-15 2021-10-06 Life Technologies Corporation Chemical sensors with consistent sensor surface areas
US9835585B2 (en) 2013-03-15 2017-12-05 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
US20140336063A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Life Technologies Corporation Windowed Sequencing
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
US10379079B2 (en) 2014-12-18 2019-08-13 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
TWI832669B (zh) 2014-12-18 2024-02-11 美商生命技術公司 具有傳輸器組態的高資料速率積體電路
US10077472B2 (en) 2014-12-18 2018-09-18 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with power management
BR112017024043B1 (pt) * 2015-05-08 2022-05-24 The Climate Corporation Aparelho portátil de concentração de íons e aparelho de monitoramento em solo
JP6239665B2 (ja) * 2016-03-16 2017-11-29 株式会社東芝 半導体装置
CN112969918A (zh) 2018-09-21 2021-06-15 特拉利蒂克股份有限公司 可扩展的多模态传感器融合平台，用于远程近场感测
US11327045B2 (en) * 2018-10-18 2022-05-10 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Sensor device for detecting a pH change in a solution and a method for forming the sensor device
US11483686B2 (en) * 2018-11-19 2022-10-25 ENGEO Incorporated System and methods for remote interaction with portable field measurement equipment
CN111341799A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 群创光电股份有限公司 电子装置及其制作流程
TWI694447B (zh) * 2019-08-23 2020-05-21 卡比科技有限公司 非揮發式記憶體
CN115184436A (zh) * 2022-07-29 2022-10-14 上海天马微电子有限公司 一种检测装置及其检测方法

Family Cites Families (450)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5530312B2 (zh) 1975-01-16 1980-08-09
JPS57136158A (en) 1981-02-17 1982-08-23 Sumitomo Electric Ind Ltd Ph electrode
GB2096824A (en) 1981-04-09 1982-10-20 Sibbald Alastair Chemically sensitive field effect transistor
DE3269784D1 (en) 1981-05-15 1986-04-17 Licentia Gmbh Method for measuring ionic concentrations
FR2510260A1 (fr) 1981-07-24 1983-01-28 Suisse Fond Rech Microtech Dispositif semiconducteur sensible aux ions
US4438354A (en) 1981-08-14 1984-03-20 American Microsystems, Incorporated Monolithic programmable gain-integrator stage
US4411741A (en) 1982-01-12 1983-10-25 University Of Utah Apparatus and method for measuring the concentration of components in fluids
NL8302964A (nl) 1983-08-24 1985-03-18 Cordis Europ Inrichting voor het bepalen van de aktiviteit van een ion (pion) in een vloeistof.
JPS60128345A (ja) 1983-12-15 1985-07-09 Olympus Optical Co Ltd イオン濃度測定装置
US4660063A (en) 1985-03-18 1987-04-21 General Electric Company Immersion type ISFET
DE3513168A1 (de) 1985-04-12 1986-10-16 Thomas 8000 München Dandekar Biosensor bestehend aus einem halbleiter auf silizium oder kohlenstoffbasis (elektronischer teil) und nukleinbasen (od. anderen biol. monomeren)
US4743954A (en) 1985-06-07 1988-05-10 University Of Utah Integrated circuit for a chemical-selective sensor with voltage output
US4863849A (en) 1985-07-18 1989-09-05 New York Medical College Automatable process for sequencing nucleotide
EP0213825A3 (en) 1985-08-22 1989-04-26 Molecular Devices Corporation Multiple chemically modulated capacitance
GB8522785D0 (en) 1985-09-14 1985-10-16 Emi Plc Thorn Chemical-sensitive semiconductor device
US5140393A (en) 1985-10-08 1992-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Sensor device
US4822566A (en) 1985-11-19 1989-04-18 The Johns Hopkins University Optimized capacitive sensor for chemical analysis and measurement
JPS62237349A (ja) 1986-04-08 1987-10-17 Nec Corp 水素イオン濃度分布測定装置
US4864229A (en) 1986-05-03 1989-09-05 Integrated Ionics, Inc. Method and apparatus for testing chemical and ionic sensors
US4722830A (en) 1986-05-05 1988-02-02 General Electric Company Automated multiple stream analysis system
US4927736A (en) 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
US4971903A (en) 1988-03-25 1990-11-20 Edward Hyman Pyrophosphate-based method and apparatus for sequencing nucleic acids
US4874499A (en) 1988-05-23 1989-10-17 Massachusetts Institute Of Technology Electrochemical microsensors and method of making such sensors
US5200051A (en) 1988-11-14 1993-04-06 I-Stat Corporation Wholly microfabricated biosensors and process for the manufacture and use thereof
US4893088A (en) 1988-11-16 1990-01-09 Harris Corporation Transimpedance focal plane processor
US4990974A (en) 1989-03-02 1991-02-05 Thunderbird Technologies, Inc. Fermi threshold field effect transistor
JPH02250331A (ja) 1989-03-24 1990-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
DE68925897T2 (de) 1989-04-28 1996-10-02 Ibm Gate-Array-Zelle, bestehend aus FET's von verschiedener und optimierter Grösse
JP2789109B2 (ja) 1989-05-25 1998-08-20 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5143854A (en) 1989-06-07 1992-09-01 Affymax Technologies N.V. Large scale photolithographic solid phase synthesis of polypeptides and receptor binding screening thereof
US6919211B1 (en) 1989-06-07 2005-07-19 Affymetrix, Inc. Polypeptide arrays
JP3001104B2 (ja) 1989-10-04 2000-01-24 オリンパス光学工業株式会社 センサー構造体及びその製造法
IT1238117B (it) 1989-10-16 1993-07-07 Marelli Autronica Circuito a condensatori commutati, integrabile in tecnologia mos, con funzione di raddrizzatore a doppia semionda e di integratore
US5110441A (en) 1989-12-14 1992-05-05 Monsanto Company Solid state ph sensor
JP3120237B2 (ja) 1990-01-10 2000-12-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 イメージセンサ
US5126759A (en) 1990-06-26 1992-06-30 Eastman Kodak Company Non-impact printer with token bit control of data and current regulation signals
US5202576A (en) 1990-08-29 1993-04-13 Texas Instruments Incorporated Asymmetrical non-volatile memory cell, arrays and methods for fabricating same
US5317407A (en) 1991-03-11 1994-05-31 General Electric Company Fixed-pattern noise correction circuitry for solid-state imager
KR940010562B1 (ko) 1991-09-06 1994-10-24 손병기 Ta_2O_5수소이온 감지막을 갖는 감이온 전계효과 트랜지스터의 제조방법
JPH0580115A (ja) * 1991-09-19 1993-04-02 Fujitsu Ltd 不揮発性ランダムアクセスメモリ装置及び不揮発性ランダムアクセスメモリ装置における浮遊ゲート電圧レベルの検出方法
WO1993008464A1 (en) 1991-10-21 1993-04-29 Holm Kennedy James W Method and device for biochemical sensing
US5846708A (en) 1991-11-19 1998-12-08 Massachusetts Institiute Of Technology Optical and electrical methods and apparatus for molecule detection
US5637469A (en) 1992-05-01 1997-06-10 Trustees Of The University Of Pennsylvania Methods and apparatus for the detection of an analyte utilizing mesoscale flow systems
JPH0645875A (ja) 1992-07-24 1994-02-18 Nec Corp スイッチトキャパシタ回路
DE4232532A1 (de) 1992-09-29 1994-04-28 Ct Fuer Intelligente Sensorik Anordnung und Verfahren zur Erhöhung der Zuverlässigkeit von ionensensitiven Feldeffekttransistoren
US5284566A (en) 1993-01-04 1994-02-08 Bacharach, Inc. Electrochemical gas sensor with wraparound reference electrode
US5436149A (en) 1993-02-19 1995-07-25 Barnes; Wayne M. Thermostable DNA polymerase with enhanced thermostability and enhanced length and efficiency of primer extension
DE69333722T2 (de) 1993-05-31 2005-12-08 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren zur Verbesserung der Haftung zwischen Dielektrikschichten, an ihrer Grenzfläche, in der Herstellung von Halbleiterbauelementen
JP3413664B2 (ja) * 1993-08-12 2003-06-03 ソニー株式会社 電荷転送装置
US5965452A (en) 1996-07-09 1999-10-12 Nanogen, Inc. Multiplexed active biologic array
US5414284A (en) 1994-01-19 1995-05-09 Baxter; Ronald D. ESD Protection of ISFET sensors
US6021172A (en) 1994-01-28 2000-02-01 California Institute Of Technology Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter
JP3351088B2 (ja) 1994-03-28 2002-11-25 松下電工株式会社 電源装置
US5439839A (en) 1994-07-13 1995-08-08 Winbond Electronics Corporation Self-aligned source/drain MOS process
DE4430811C1 (de) 1994-08-30 1995-09-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines integrierten ionensensitiven Feldeffekttransistors in CMOS-Silizium-Planartechnologie
US6654505B2 (en) 1994-10-13 2003-11-25 Lynx Therapeutics, Inc. System and apparatus for sequential processing of analytes
US5631704A (en) 1994-10-14 1997-05-20 Lucent Technologies, Inc. Active pixel sensor and imaging system having differential mode
US5490971A (en) 1994-10-25 1996-02-13 Sippican, Inc. Chemical detector
US5585069A (en) 1994-11-10 1996-12-17 David Sarnoff Research Center, Inc. Partitioned microelectronic and fluidic device array for clinical diagnostics and chemical synthesis
DE19512117A1 (de) 1995-04-04 1996-10-10 Itt Ind Gmbh Deutsche Meßeinrichtung
US5856174A (en) 1995-06-29 1999-01-05 Affymetrix, Inc. Integrated nucleic acid diagnostic device
FR2736205B1 (fr) 1995-06-30 1997-09-19 Motorola Semiconducteurs Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation
US5646558A (en) 1995-09-27 1997-07-08 Intel Corporation Plurality of distinct multiplexers that operate as a single multiplexer
US5702964A (en) 1995-10-17 1997-12-30 Lg Semicon, Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device having a floating gate
US6825047B1 (en) 1996-04-03 2004-11-30 Applera Corporation Device and method for multiple analyte detection
CA2263851A1 (en) 1996-08-21 1998-02-26 Damien Dunnington Rapid process for arraying and synthesizing bead-based combinatorial libraries
GB9620209D0 (en) 1996-09-27 1996-11-13 Cemu Bioteknik Ab Method of sequencing DNA
US5894284A (en) 1996-12-02 1999-04-13 Motorola, Inc. Common-mode output sensing circuit
US5958703A (en) 1996-12-03 1999-09-28 Glaxo Group Limited Use of modified tethers in screening compound libraries
US6458547B1 (en) 1996-12-12 2002-10-01 Prolume, Ltd. Apparatus and method for detecting and identifying infectious agents
US20030215857A1 (en) 1996-12-20 2003-11-20 Roche Diagnostics Gmbh Method for the direct, exponential amplification and sequencing of DNA molecules and its application
US6605428B2 (en) 1996-12-20 2003-08-12 Roche Diagnostics Gmbh Method for the direct, exponential amplification and sequencing of DNA molecules and its application
DE19653439A1 (de) 1996-12-20 1998-07-02 Svante Dr Paeaebo Verfahren zur direkten, exponentiellen Amplifikation und Sequenzierung von DNA Molekülen und dessen Anwendung
US5912560A (en) 1997-02-25 1999-06-15 Waferscale Integration Inc. Charge pump circuit for voltage boosting in integrated semiconductor circuits
US5793230A (en) 1997-02-26 1998-08-11 Sandia Corporation Sensor readout detector circuit
US6197557B1 (en) 1997-03-05 2001-03-06 The Regents Of The University Of Michigan Compositions and methods for analysis of nucleic acids
US7622294B2 (en) 1997-03-14 2009-11-24 Trustees Of Tufts College Methods for detecting target analytes and enzymatic reactions
US6327410B1 (en) 1997-03-14 2001-12-04 The Trustees Of Tufts College Target analyte sensors utilizing Microspheres
US6391622B1 (en) 1997-04-04 2002-05-21 Caliper Technologies Corp. Closed-loop biochemical analyzers
US6872527B2 (en) 1997-04-16 2005-03-29 Xtrana, Inc. Nucleic acid archiving
US5944970A (en) 1997-04-29 1999-08-31 Honeywell Inc. Solid state electrochemical sensors
US5911873A (en) 1997-05-02 1999-06-15 Rosemount Analytical Inc. Apparatus and method for operating an ISFET at multiple drain currents and gate-source voltages allowing for diagnostics and control of isopotential points
US7220550B2 (en) 1997-05-14 2007-05-22 Keensense, Inc. Molecular wire injection sensors
US6969488B2 (en) 1998-05-22 2005-11-29 Solexa, Inc. System and apparatus for sequential processing of analytes
CA2291180A1 (en) 1997-05-23 1998-11-26 Lynx Therapeutics, Inc. System and apparatus for sequential processing of analytes
JP4231560B2 (ja) 1997-05-29 2009-03-04 株式会社堀場製作所 化学量の分布の電気化学的測定方法および装置
FR2764702B1 (fr) 1997-06-11 1999-09-03 Lyon Ecole Centrale Procede d'identification et/ou de dosage de substances biologiques, presentes dans un liquide conducteur, dispositif et capteur d'affinite utiles pour la mise en oeuvre de ce procede
US5923421A (en) 1997-07-24 1999-07-13 Lockheed Martin Energy Research Corporation Chemical detection using calorimetric spectroscopy
US6465178B2 (en) 1997-09-30 2002-10-15 Surmodics, Inc. Target molecule attachment to surfaces
WO1999019341A1 (en) 1997-10-10 1999-04-22 President & Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
US6485944B1 (en) 1997-10-10 2002-11-26 President And Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
US6511803B1 (en) 1997-10-10 2003-01-28 President And Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
US6369737B1 (en) 1997-10-30 2002-04-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and apparatus for converting a low dynamic range analog signal to a large dynamic range floating-point digital representation
EP0928101A3 (en) 1997-12-31 2001-05-02 Texas Instruments Incorporated CMOS area array sensors
JP4183789B2 (ja) 1998-01-14 2008-11-19 株式会社堀場製作所 物理現象および／または化学現象の検出装置
US7090975B2 (en) 1998-03-13 2006-08-15 Promega Corporation Pyrophosphorolysis and incorporation of nucleotide method for nucleic acid detection
JP4482228B2 (ja) * 1998-04-09 2010-06-16 カリフォルニア・インスティテュート・オブ・テクノロジー アナライト検出のための電子技術
US6780591B2 (en) 1998-05-01 2004-08-24 Arizona Board Of Regents Method of determining the nucleotide sequence of oligonucleotides and DNA molecules
JP3813818B2 (ja) 1998-05-01 2006-08-23 アリゾナ ボード オブ リージェンツ オリゴヌクレオチドおよびｄｎａ分子のヌクレオチド配列の決定方法
US7875440B2 (en) 1998-05-01 2011-01-25 Arizona Board Of Regents Method of determining the nucleotide sequence of oligonucleotides and DNA molecules
EP2360271A1 (en) 1998-06-24 2011-08-24 Illumina, Inc. Decoding of array sensors with microspheres
US6195585B1 (en) 1998-06-26 2001-02-27 Advanced Bionics Corporation Remote monitoring of implantable cochlear stimulator
JP4137239B2 (ja) 1998-08-03 2008-08-20 株式会社堀場製作所 Ｉｓｆｅｔアレイ
US6191444B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Mini flash process and circuit
KR100324914B1 (ko) 1998-09-25 2002-02-28 니시무로 타이죠 기판의 검사방법
WO2000028337A2 (en) 1998-11-06 2000-05-18 Onguard Systems, Inc. Electronic circuit with a non-continuous discharge path
JP2002532717A (ja) 1998-12-11 2002-10-02 サイミックス テクノロジーズ、インク 迅速な物質特性評価のためのセンサ配列に基づくシステム及びその方法
AU772281B2 (en) 1998-12-14 2004-04-22 Li-Cor Inc. A system and methods for nucleic acid sequencing of single molecules by polymerase synthesis
DE19857953C2 (de) 1998-12-16 2001-02-15 Conducta Endress & Hauser Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit
US6429027B1 (en) 1998-12-28 2002-08-06 Illumina, Inc. Composite arrays utilizing microspheres
US6361671B1 (en) 1999-01-11 2002-03-26 The Regents Of The University Of California Microfabricated capillary electrophoresis chip and method for simultaneously detecting multiple redox labels
GB9901475D0 (en) 1999-01-22 1999-03-17 Pyrosequencing Ab A method of DNA sequencing
US20020150909A1 (en) 1999-02-09 2002-10-17 Stuelpnagel John R. Automated information processing in randomly ordered arrays
WO2000051191A1 (en) 1999-02-22 2000-08-31 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem A hybrid electrical device with biological components
EP1163369B1 (en) 1999-02-23 2011-05-04 Caliper Life Sciences, Inc. Sequencing by incorporation
US20050191698A1 (en) 1999-04-20 2005-09-01 Illumina, Inc. Nucleic acid sequencing using microsphere arrays
US20030108867A1 (en) 1999-04-20 2003-06-12 Chee Mark S Nucleic acid sequencing using microsphere arrays
US6355431B1 (en) 1999-04-20 2002-03-12 Illumina, Inc. Detection of nucleic acid amplification reactions using bead arrays
US7097973B1 (en) 1999-06-14 2006-08-29 Alpha Mos Method for monitoring molecular species within a medium
US6818395B1 (en) 1999-06-28 2004-11-16 California Institute Of Technology Methods and apparatus for analyzing polynucleotide sequences
US6589779B1 (en) 1999-07-16 2003-07-08 Board Of Regents, The University Of Texas System General signaling protocol for chemical receptors in immobilized matrices
US6459398B1 (en) 1999-07-20 2002-10-01 D.S.P.C. Technologies Ltd. Pulse modulated digital to analog converter (DAC)
US6977145B2 (en) 1999-07-28 2005-12-20 Serono Genetics Institute S.A. Method for carrying out a biochemical protocol in continuous flow in a microreactor
US6423536B1 (en) 1999-08-02 2002-07-23 Molecular Dynamics, Inc. Low volume chemical and biochemical reaction system
US7211390B2 (en) 1999-09-16 2007-05-01 454 Life Sciences Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US6274320B1 (en) 1999-09-16 2001-08-14 Curagen Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US7244559B2 (en) 1999-09-16 2007-07-17 454 Life Sciences Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US6671341B1 (en) 1999-09-17 2003-12-30 Agere Systems, Inc. Glitch-free phase switching synthesizer
US6878255B1 (en) 1999-11-05 2005-04-12 Arrowhead Center, Inc. Microfluidic devices with thick-film electrochemical detection
US6518024B2 (en) 1999-12-13 2003-02-11 Motorola, Inc. Electrochemical detection of single base extension
JP2001175340A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電位発生回路
US6372291B1 (en) 1999-12-23 2002-04-16 Applied Materials, Inc. In situ deposition and integration of silicon nitride in a high density plasma reactor
CA2388738A1 (en) 2000-02-15 2001-08-23 Lynx Therapeutics, Inc. Data analysis and display system for ligation-based dna sequencing
EP1967595A3 (en) 2000-02-16 2008-12-03 Illumina, Inc. Parallel genotyping of multiple patient samples
US6649416B1 (en) 2000-02-18 2003-11-18 Trustees Of Tufts College Intelligent electro-optical sensor array and method for analyte detection
FR2805826B1 (fr) 2000-03-01 2002-09-20 Nucleica Nouvelles puces a adn
ES2420279T3 (es) 2000-03-02 2013-08-23 Microchips, Inc. Dispositivos microfabricados y métodos para almacenamiento y exposición selectiva de productos químicos
JP3442338B2 (ja) 2000-03-17 2003-09-02 株式会社日立製作所 Ｄｎａ分析装置、ｄｎａ塩基配列決定装置、ｄｎａ塩基配列決定方法、および反応モジュール
US6856161B2 (en) * 2000-03-30 2005-02-15 Infineon Technologies Ag Sensor array and method for detecting the condition of a transistor in a sensor array
US20040002470A1 (en) 2000-04-13 2004-01-01 Tim Keith Novel human gene relating to respiratory diseases, obesity, and inflammatory bowel disease
US8232582B2 (en) 2000-04-24 2012-07-31 Life Technologies Corporation Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US7001792B2 (en) 2000-04-24 2006-02-21 Eagle Research & Development, Llc Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US6413792B1 (en) 2000-04-24 2002-07-02 Eagle Research Development, Llc Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US7682837B2 (en) 2000-05-05 2010-03-23 Board Of Trustees Of Leland Stanford Junior University Devices and methods to form a randomly ordered array of magnetic beads and uses thereof
US8133698B2 (en) 2000-05-15 2012-03-13 Silver James H Sensors for detecting substances indicative of stroke, ischemia, infection or inflammation
US20020042388A1 (en) 2001-05-01 2002-04-11 Cooper Mark J. Lyophilizable and enhanced compacted nucleic acids
US20020168678A1 (en) 2000-06-07 2002-11-14 Li-Cor, Inc. Flowcell system for nucleic acid sequencing
US6482639B2 (en) 2000-06-23 2002-11-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microelectronic device and method for label-free detection and quantification of biological and chemical molecules
AU2001282881B2 (en) 2000-07-07 2007-06-14 Visigen Biotechnologies, Inc. Real-time sequence determination
US6611037B1 (en) 2000-08-28 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Multi-trench region for accumulation of photo-generated charge in a CMOS imager
US6939451B2 (en) 2000-09-19 2005-09-06 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic chip having integrated electrodes
CA2425476C (en) 2000-10-10 2011-02-01 Biotrove, Inc. Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
US6537881B1 (en) 2000-10-16 2003-03-25 Advanced Micro Devices, Inc. Process for fabricating a non-volatile memory device
US6558626B1 (en) 2000-10-17 2003-05-06 Nomadics, Inc. Vapor sensing instrument for ultra trace chemical detection
US20020155476A1 (en) 2000-10-20 2002-10-24 Nader Pourmand Transient electrical signal based methods and devices for characterizing molecular interaction and/or motion in a sample
US6770472B2 (en) 2000-11-17 2004-08-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Direct DNA sequencing with a transcription protein and a nanometer scale electrometer
KR20090049095A (ko) 2000-12-11 2009-05-15 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 나노센서
GB2370410A (en) * 2000-12-22 2002-06-26 Seiko Epson Corp Thin film transistor sensor
DE10065013B4 (de) 2000-12-23 2009-12-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements
KR20020055785A (ko) 2000-12-29 2002-07-10 구본준, 론 위라하디락사 횡전계 방식의 액정표시장치
WO2002079514A1 (en) 2001-01-10 2002-10-10 The Trustees Of Boston College Dna-bridged carbon nanotube arrays
JP2002221510A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Japan Science & Technology Corp 蓄積型化学・物理現象検出装置
JP4809983B2 (ja) 2001-02-14 2011-11-09 明彦 谷岡 生体高分子とリガンドとの相互作用を検出する装置及びその方法
EP1236804A1 (en) 2001-03-02 2002-09-04 Boehringer Mannheim Gmbh A method for determination of a nucleic acid using a control
GB0105831D0 (en) 2001-03-09 2001-04-25 Toumaz Technology Ltd Method for dna sequencing utilising enzyme linked field effect transistors
DE10111458B4 (de) 2001-03-09 2008-09-11 Siemens Ag Analyseeinrichtung
US8114591B2 (en) 2001-03-09 2012-02-14 Dna Electronics Ltd. Sensing apparatus and method
CA2440754A1 (en) 2001-03-12 2002-09-19 Stephen Quake Methods and apparatus for analyzing polynucleotide sequences by asynchronous base extension
US7027932B2 (en) 2001-03-21 2006-04-11 Olympus Optical Co., Ltd. Biochemical examination method
JP2002272463A (ja) 2001-03-22 2002-09-24 Olympus Optical Co Ltd 一塩基多型の型を判定する方法
US20040146849A1 (en) 2002-01-24 2004-07-29 Mingxian Huang Biochips including ion transport detecting structures and methods of use
US20050058990A1 (en) 2001-03-24 2005-03-17 Antonio Guia Biochip devices for ion transport measurement, methods of manufacture, and methods of use
US6418968B1 (en) 2001-04-20 2002-07-16 Nanostream, Inc. Porous microfluidic valves
EP1392860B1 (en) 2001-04-23 2008-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for fabricating a molecular detection chip
US6571189B2 (en) 2001-05-14 2003-05-27 Hewlett-Packard Company System and method for scanner calibration
US20040023253A1 (en) 2001-06-11 2004-02-05 Sandeep Kunwar Device structure for closely spaced electrodes
US20030096268A1 (en) 2001-07-06 2003-05-22 Michael Weiner Method for isolation of independent, parallel chemical micro-reactions using a porous filter
US7668697B2 (en) 2006-02-06 2010-02-23 Andrei Volkov Method for analyzing dynamic detectable events at the single molecule level
DE10133363A1 (de) 2001-07-10 2003-01-30 Infineon Technologies Ag Messzelle und Messfeld mit solchen Messzellen sowie Verwendung einer Messzelle und Verwendung eines Messfeldes
US7485443B2 (en) 2001-07-17 2009-02-03 Northwestern University Solid-phase reactions
JP2003032908A (ja) 2001-07-19 2003-01-31 Nisshinbo Ind Inc キャパシタ組電池、その制御方法、その制御装置及び自動車用蓄電システム
ATE471369T1 (de) 2001-07-30 2010-07-15 Meso Scale Technologies Llc Assay-elektroden mit schichten aus immobilisiertem lipid/protein sowie verfahren zu deren herstellung und verwendung
US6490220B1 (en) 2001-08-13 2002-12-03 Micron Technology, Inc. Method for reliably shutting off oscillator pulses to a charge-pump
JP4623887B2 (ja) 2001-08-27 2011-02-02 オー・エイチ・ティー株式会社 検査装置用センサ及び検査装置
US6929944B2 (en) 2001-08-31 2005-08-16 Beckman Coulter, Inc. Analysis using a distributed sample
GB0121602D0 (en) 2001-09-06 2001-10-24 Randox Lab Ltd Molecular array
US20030054396A1 (en) 2001-09-07 2003-03-20 Weiner Michael P. Enzymatic light amplification
DE10151020A1 (de) 2001-10-16 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Schaltkreis-Anordnung, Sensor-Array und Biosensor-Array
US6795117B2 (en) 2001-11-06 2004-09-21 Candela Microsystems, Inc. CMOS image sensor with noise cancellation
US20030124599A1 (en) 2001-11-14 2003-07-03 Shiping Chen Biochemical analysis system with combinatorial chemistry applications
JP4195859B2 (ja) 2001-11-16 2008-12-17 株式会社バイオエックス Ｆｅｔ型センサと、そのセンサを用いたイオン濃度検出方法及び塩基配列検出方法
WO2003052097A1 (en) 2001-12-19 2003-06-26 Hitachi High-Technologies Corporation Potentiometric dna microarray, process for producing the same and method of analyzing nucleic acid
US20050106587A1 (en) 2001-12-21 2005-05-19 Micronas Gmbh Method for determining of nucleic acid analytes
US6518146B1 (en) 2002-01-09 2003-02-11 Motorola, Inc. Semiconductor device structure and method for forming
FR2835058B1 (fr) * 2002-01-21 2004-03-12 Centre Nat Rech Scient Procede de detection d'au moins un parametre caracteristique de molecules sondes fixees sur au moins une zone active d'un capteur
US7772383B2 (en) 2002-01-25 2010-08-10 The Trustees Of Princeton University Chemical PCR: Compositions for enhancing polynucleotide amplification reactions
KR100403637B1 (ko) 2002-01-26 2003-10-30 삼성전자주식회사 출력 일그러짐을 최소화하는 파워 앰프 클리핑 회로
US6614301B2 (en) 2002-01-31 2003-09-02 Intel Corporation Differential amplifier offset adjustment
US7276749B2 (en) 2002-02-05 2007-10-02 E-Phocus, Inc. Image sensor with microcrystalline germanium photodiode layer
US6926865B2 (en) 2002-02-11 2005-08-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for detecting DNA hybridization
JP2003258128A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Nec Electronics Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法ならびにその動作方法
US7223371B2 (en) 2002-03-14 2007-05-29 Micronics, Inc. Microfluidic channel network device
US6953958B2 (en) 2002-03-19 2005-10-11 Cornell Research Foundation, Inc. Electronic gain cell based charge sensor
JP2003279532A (ja) 2002-03-22 2003-10-02 Horiba Ltd 化学濃度センサおよび化学濃度センサの製造方法
JP3856380B2 (ja) 2002-04-26 2006-12-13 テイカ株式会社 コンポジット圧電振動子およびその製造方法
JP2003322633A (ja) * 2002-05-01 2003-11-14 Seiko Epson Corp センサセル、バイオセンサ及びこれらの製造方法
US20030215791A1 (en) 2002-05-20 2003-11-20 Applied Spectral Imaging Ltd. Method of and system for multiplexed analysis by spectral imaging
US6828685B2 (en) 2002-06-14 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device having a semiconducting polymer film
US6894930B2 (en) 2002-06-19 2005-05-17 Sandisk Corporation Deep wordline trench to shield cross coupling between adjacent cells for scaled NAND
US20040136866A1 (en) 2002-06-27 2004-07-15 Nanosys, Inc. Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same
US7092757B2 (en) 2002-07-12 2006-08-15 Cardiac Pacemakers, Inc. Minute ventilation sensor with dynamically adjusted excitation current
US6885827B2 (en) 2002-07-30 2005-04-26 Amplification Technologies, Inc. High sensitivity, high resolution detection of signals
WO2004017423A2 (de) 2002-07-31 2004-02-26 Infineon Technologies Ag Sensor-anordnung
US7842377B2 (en) 2003-08-08 2010-11-30 Boston Scientific Scimed, Inc. Porous polymeric particle comprising polyvinyl alcohol and having interior to surface porosity-gradient
JP3980030B2 (ja) 2002-08-12 2007-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ Ｄｎａマイクロアレイを用いた核酸検出方法及び核酸検出装置
US7267751B2 (en) 2002-08-20 2007-09-11 Nanogen, Inc. Programmable multiplexed active biologic array
GB0219541D0 (en) 2002-08-22 2002-10-02 Secr Defence Method and apparatus for stand-off chemical detection
JP4092990B2 (ja) 2002-09-06 2008-05-28 株式会社日立製作所 生体および化学試料検査装置
US8449824B2 (en) 2002-09-09 2013-05-28 Yizhong Sun Sensor instrument system including method for detecting analytes in fluids
US7595883B1 (en) 2002-09-16 2009-09-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Biological analysis arrangement and approach therefor
SE0202867D0 (sv) 2002-09-27 2002-09-27 Pyrosequencing Ab New sequencing method
CN1500887A (zh) 2002-10-01 2004-06-02 松下电器产业株式会社 引物伸长反应检测方法、碱基种类判别方法及其装置
AU2003282548A1 (en) 2002-10-10 2004-05-04 Nanosys, Inc. Nano-chem-fet based biosensors
DE10247889A1 (de) 2002-10-14 2004-04-22 Infineon Technologies Ag Sensor-Anordnung und Verfahren zum Betreiben einer Sensor-Anordnung
US20040079636A1 (en) 2002-10-25 2004-04-29 Chin Hsia Biomedical ion sensitive semiconductor sensor and sensor array
US7053439B2 (en) 2002-10-29 2006-05-30 Edwin Kan Chemoreceptive semiconductor structure
US6700814B1 (en) 2002-10-30 2004-03-02 Motorola, Inc. Sense amplifier bias circuit for a memory having at least two distinct resistance states
JP4608317B2 (ja) 2002-11-01 2011-01-12 ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション 犠牲組成物、その使用方法、及びその分解方法
DE10251757B4 (de) 2002-11-05 2006-03-09 Micronas Holding Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration von in einer zu untersuchenden Probe enthaltenen Liganden
US7022288B1 (en) 2002-11-13 2006-04-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Chemical detection sensor system
US20040130377A1 (en) 2002-11-26 2004-07-08 Akira Takeda Switched capacitor amplifier circuit and electronic device
DE10255755B4 (de) 2002-11-28 2006-07-13 Schneider, Christian, Dr. Integrierte elektronische Schaltung mit Feldeffekt-Sensoren zum Nachweis von Biomolekülen
JPWO2004051231A1 (ja) 2002-11-29 2006-04-06 日本電気株式会社 分離装置および分離方法
US7163659B2 (en) 2002-12-03 2007-01-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid
WO2004052540A2 (en) 2002-12-05 2004-06-24 Protasis Corporation Configurable microfluidic substrate assembly
US20040197803A1 (en) 2002-12-06 2004-10-07 Hidenobu Yaku Method, primer and kit for determining base type
WO2005003375A2 (en) 2003-01-29 2005-01-13 454 Corporation Methods of amplifying and sequencing nucleic acids
US7575865B2 (en) 2003-01-29 2009-08-18 454 Life Sciences Corporation Methods of amplifying and sequencing nucleic acids
US20050006234A1 (en) 2003-02-13 2005-01-13 Arjang Hassibi Semiconductor electrochemical bio-sensor array
US7317484B2 (en) 2003-02-26 2008-01-08 Digital Imaging Systems Gmbh CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output
US20070262363A1 (en) 2003-02-28 2007-11-15 Board Of Regents, University Of Texas System Low temperature fabrication of discrete silicon-containing substrates and devices
KR100700126B1 (ko) 2003-03-10 2007-03-28 가시오게산키 가부시키가이샤 Ｄｎａ 분석 장치, ｄｎａ 센서, 그리고 분석 방법
TW586228B (en) 2003-03-19 2004-05-01 Univ Chung Yuan Christian Method for fabricating a titanium nitride sensing membrane on an EGFET
TWI235236B (en) 2003-05-09 2005-07-01 Univ Chung Yuan Christian Ion-sensitive circuit
US7045849B2 (en) * 2003-05-21 2006-05-16 Sandisk Corporation Use of voids between elements in semiconductor structures for isolation
JP3760411B2 (ja) 2003-05-21 2006-03-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション アクティブマトリックスパネルの検査装置、検査方法、およびアクティブマトリックスｏｌｅｄパネルの製造方法
US7291496B2 (en) 2003-05-22 2007-11-06 University Of Hawaii Ultrasensitive biochemical sensor
WO2004109282A1 (en) 2003-06-10 2004-12-16 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Electronic device for communication with living cells
US7250115B2 (en) 2003-06-12 2007-07-31 Agilent Technologies, Inc Nanopore with resonant tunneling electrodes
US6795006B1 (en) 2003-07-18 2004-09-21 Zarlink Semiconductor Ab Integrator reset mechanism
WO2005015156A2 (en) 2003-08-04 2005-02-17 Idaho Research Foundation, Inc. Molecular detector
JP2005077210A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 National Institute For Materials Science 生体分子検出素子及びそれを用いた核酸解析方法
GB0322010D0 (en) 2003-09-19 2003-10-22 Univ Cambridge Tech Detection of molecular interactions using field effect transistors
JP2005124126A (ja) 2003-09-24 2005-05-12 Seiko Epson Corp インピーダンス回路網、これを用いたフィルタ回路、増幅回路、半導体集積回路、電子機器及び無線通信装置
US7008550B2 (en) 2003-09-25 2006-03-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for forming a read transducer by ion milling and chemical mechanical polishing to eliminate nonuniformity near the MR sensor
GB0323224D0 (en) 2003-10-03 2003-11-05 Rolls Royce Plc A module for a fuel cell stack
US20070087401A1 (en) 2003-10-17 2007-04-19 Andy Neilson Analysis of metabolic activity in cells using extracellular flux rate measurements
WO2005043160A2 (en) 2003-10-31 2005-05-12 University Of Hawaii Ultrasensitive biochemical sensing platform
US7067886B2 (en) 2003-11-04 2006-06-27 International Business Machines Corporation Method of assessing potential for charging damage in SOI designs and structures for eliminating potential for damage
US7981362B2 (en) * 2003-11-04 2011-07-19 Meso Scale Technologies, Llc Modular assay plates, reader systems and methods for test measurements
DE10352917A1 (de) 2003-11-11 2005-06-16 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Sensoranordnung mit mehreren potentiometrischen Sensoren
US7169560B2 (en) 2003-11-12 2007-01-30 Helicos Biosciences Corporation Short cycle methods for sequencing polynucleotides
WO2005054431A2 (en) 2003-12-01 2005-06-16 454 Corporation Method for isolation of independent, parallel chemical micro-reactions using a porous filter
US7279588B2 (en) 2003-12-02 2007-10-09 Seoul National University Foundation Dinuclear metal complex and pyrophosphate assay using the same
EP1697749B1 (en) 2003-12-22 2013-04-17 Imec The use of microelectronic structures for patterned deposition of molecules onto surfaces
US6998666B2 (en) 2004-01-09 2006-02-14 International Business Machines Corporation Nitrided STI liner oxide for reduced corner device impact on vertical device performance
US7462512B2 (en) * 2004-01-12 2008-12-09 Polytechnic University Floating gate field effect transistors for chemical and/or biological sensing
US20050156584A1 (en) 2004-01-21 2005-07-21 Rosemount Analytical Inc. Ion sensitive field effect transistor (ISFET) sensor with improved gate configuration
JP4065855B2 (ja) 2004-01-21 2008-03-26 株式会社日立製作所 生体および化学試料検査装置
WO2005073410A2 (en) 2004-01-28 2005-08-11 454 Corporation Nucleic acid amplification with continuous flow emulsion
JP3903183B2 (ja) 2004-02-03 2007-04-11 独立行政法人物質・材料研究機構 遺伝子検出電界効果デバイスおよびこれを用いた遺伝子多型解析方法
US7129883B2 (en) 2004-02-23 2006-10-31 Sony Corporation Method and apparatus for AD conversion, semiconductor device for detecting distribution of physical quantity, and electronic apparatus
JP2005242001A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Agilent Technol Inc Ｔｆｔアレイ試験方法
EP1718769A4 (en) 2004-02-27 2008-05-14 Harvard College SEQUENCING IN SITU IN FLUORESCENCE OF BALLS BY POLONY TECHNOLOGY
US7622279B2 (en) 2004-03-03 2009-11-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Photocleavable fluorescent nucleotides for DNA sequencing on chip constructed by site-specific coupling chemistry
US20060057604A1 (en) 2004-03-15 2006-03-16 Thinkfar Nanotechnology Corporation Method for electrically detecting oligo-nucleotides with nano-particles
JP4127679B2 (ja) 2004-03-18 2008-07-30 株式会社東芝 核酸検出カセット及び核酸検出装置
DE102004014537A1 (de) 2004-03-23 2005-10-13 Fujitsu Ltd., Kawasaki Chipintegrierter Detektor zum Analysieren von Flüssigkeiten
WO2005090961A1 (ja) 2004-03-24 2005-09-29 Japan Science And Technology Agency 生体分子に関する形態及び情報をis−fetを利用して検出する測定法およびシステム
US8138496B2 (en) 2004-04-01 2012-03-20 Nanyang Technological University Addressable transistor chip for conducting assays
US7117605B2 (en) 2004-04-13 2006-10-10 Gyrodata, Incorporated System and method for using microgyros to measure the orientation of a survey tool within a borehole
US7544979B2 (en) 2004-04-16 2009-06-09 Technion Research & Development Foundation Ltd. Ion concentration transistor and dual-mode sensors
US7462452B2 (en) 2004-04-30 2008-12-09 Pacific Biosciences Of California, Inc. Field-switch sequencing
ITTO20040386A1 (it) 2004-06-09 2004-09-09 Infm Istituto Naz Per La Fisi Dispositivo ad effetto di campo per la rilevazione di piccole quantita' di carica elettrica, come quelle generate in processi biomolecolari, immobilizzate nelle vicinanze della superficie.
US7264934B2 (en) 2004-06-10 2007-09-04 Ge Healthcare Bio-Sciences Corp. Rapid parallel nucleic acid analysis
US7361946B2 (en) 2004-06-28 2008-04-22 Nitronex Corporation Semiconductor device-based sensors
US20060024711A1 (en) 2004-07-02 2006-02-02 Helicos Biosciences Corporation Methods for nucleic acid amplification and sequence determination
GB2416210B (en) 2004-07-13 2008-02-20 Christofer Toumazou Ion sensitive field effect transistors
JP4455215B2 (ja) 2004-08-06 2010-04-21 キヤノン株式会社 撮像装置
US7276453B2 (en) 2004-08-10 2007-10-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same
TWI258173B (en) 2004-10-08 2006-07-11 Ind Tech Res Inst Polysilicon thin-film ion sensitive FET device and fabrication method thereof
JP2006053439A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Agilent Technol Inc Ｔｆｔアレイ試験方法および試験装置
US7190026B2 (en) 2004-08-23 2007-03-13 Enpirion, Inc. Integrated circuit employable with a power converter
JP4608697B2 (ja) 2004-08-27 2011-01-12 独立行政法人物質・材料研究機構 電界効果デバイスを用いたｄｎａ塩基配列解析方法及び塩基配列解析装置
US20070212681A1 (en) 2004-08-30 2007-09-13 Benjamin Shapiro Cell canaries for biochemical pathogen detection
JP4775262B2 (ja) 2004-09-03 2011-09-21 三菱化学株式会社 センサユニット及び反応場セルユニット並びに分析装置
DE102004044299A1 (de) 2004-09-10 2006-03-30 Forschungszentrum Jülich GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Nachweis von geladenen Makromolekülen
US7609303B1 (en) 2004-10-12 2009-10-27 Melexis Tessenderlo Nv Low noise active pixel image sensor using a modified reset value
JP2006138846A (ja) 2004-10-14 2006-06-01 Toshiba Corp 核酸検出センサ、核酸検出チップ及び核酸検出装置
US7534097B2 (en) 2004-10-15 2009-05-19 Nanyang Technological University Method and apparatus for controlling multi-fluid flow in a micro channel
US8340914B2 (en) 2004-11-08 2012-12-25 Gatewood Joe M Methods and systems for compressing and comparing genomic data
US7785785B2 (en) 2004-11-12 2010-08-31 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Charge perturbation detection system for DNA and other molecules
US7359058B2 (en) 2004-11-18 2008-04-15 Morgan Research Corporation Miniature fourier transform spectrophotometer
US20060205061A1 (en) 2004-11-24 2006-09-14 California Institute Of Technology Biosensors based upon actuated desorption
EP1815238B1 (de) 2004-11-26 2008-07-16 Micronas GmbH Elektrisches Bauelement
JP4678676B2 (ja) * 2004-12-10 2011-04-27 株式会社堀場製作所 物理現象または化学現象の測定方法または測定装置
US7499513B1 (en) 2004-12-23 2009-03-03 Xilinx, Inc. Method and apparatus for providing frequency synthesis and phase alignment in an integrated circuit
KR100623177B1 (ko) 2005-01-25 2006-09-13 삼성전자주식회사 높은 유전율을 갖는 유전체 구조물, 이의 제조 방법, 이를포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
WO2006083751A2 (en) 2005-01-31 2006-08-10 Pacific Biosciences Of California, Inc. Use of reversible extension terminator in nucleic acid sequencing
US20060199493A1 (en) 2005-02-04 2006-09-07 Hartmann Richard Jr Vent assembly
US20060182664A1 (en) 2005-02-14 2006-08-17 Peck Bill J Flow cell devices, systems and methods of using the same
US9040237B2 (en) 2005-03-04 2015-05-26 Intel Corporation Sensor arrays and nucleic acid sequencing applications
JP4171820B2 (ja) 2005-03-11 2008-10-29 国立大学法人豊橋技術科学大学 累積型化学・物理現象検出装置
JP2006284225A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Horiba Ltd ポテンシャルの測定方法および測定装置
CA2603576A1 (en) 2005-04-05 2006-10-19 Protein Discovery, Inc. Improved methods and devices for concentration and fractionation of analytes for chemical analysis including matrix-assisted laser desorption/ionization (maldi) mass spectrometry (ms)
US20060228721A1 (en) 2005-04-12 2006-10-12 Leamon John H Methods for determining sequence variants using ultra-deep sequencing
TWI287041B (en) 2005-04-27 2007-09-21 Jung-Tang Huang An ultra-rapid DNA sequencing method with nano-transistors array based devices
GB0509275D0 (en) 2005-05-06 2005-06-15 Univ Cranfield Synthetic receptor
US20060269927A1 (en) 2005-05-25 2006-11-30 Lieber Charles M Nanoscale sensors
DE102005027245A1 (de) 2005-06-13 2006-12-21 Siemens Ag Schaltkreisanordnung
CN1881457A (zh) 2005-06-14 2006-12-20 松下电器产业株式会社 致动器控制方法和使用该方法的盘装置
US8445194B2 (en) 2005-06-15 2013-05-21 Callida Genomics, Inc. Single molecule arrays for genetic and chemical analysis
WO2007002204A2 (en) 2005-06-21 2007-01-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Pyrosequencing methods and related compostions
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
JP2007035726A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Rohm Co Ltd 半導体装置、モジュールおよび電子機器
JP2009505045A (ja) 2005-08-08 2009-02-05 ミクロガン ゲーエムベーハー 半導体センサ
SG130066A1 (en) 2005-08-26 2007-03-20 Micron Technology Inc Microelectronic device packages, stacked microelectronic device packages, and methods for manufacturing microelectronic devices
JP4353958B2 (ja) 2005-09-15 2009-10-28 株式会社日立製作所 Ｄｎａ計測装置、及びｄｎａ計測方法
ATE548112T1 (de) 2005-09-29 2012-03-15 Siemens Medical Solutions Mikrofluidikchip, der zur synthese von radioaktiv markierten molekülen in einem für die bilderzeugung am menschen mittels positronenemissionstopographie geeigneten massstab befähigt ist
US7466258B1 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Cornell Research Foundation, Inc. Asynchronous analog-to-digital converter and method
US7335526B2 (en) 2005-10-31 2008-02-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensing system
US20070096164A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 Peters Kevin F Sensing system
US7239188B1 (en) 2005-11-01 2007-07-03 Integrated Device Technology, Inc. Locked-loop integrated circuits having speed tracking circuits therein
TWI295729B (en) 2005-11-01 2008-04-11 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Preparation of a ph sensor, the prepared ph sensor, systems comprising the same, and measurement using the systems
EP1948810A4 (en) 2005-11-04 2010-06-30 Biosyntech Canada Inc COMPOSITION AND METHOD USING CHITOSAN FOR THE EFFICIENT ADMINISTRATION OF NUCLEIC ACIDS TO CELLS
US7538827B2 (en) 2005-11-17 2009-05-26 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel structure
US7576037B2 (en) 2005-11-18 2009-08-18 Mei Technologies, Inc. Process and apparatus for combinatorial synthesis
US7566913B2 (en) 2005-12-02 2009-07-28 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including conductive regions and methods associated with the same
GB2436619B (en) 2005-12-19 2010-10-06 Toumaz Technology Ltd Sensor circuits
KR100718144B1 (ko) 2006-01-09 2007-05-14 삼성전자주식회사 이온 물질 검출용 ｆｅｔ 기반 센서, 그를 포함하는 이온물질 검출 장치 및 그를 이용한 이온 물질 검출 방법
JP2007243003A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
EP2570490B1 (en) * 2006-03-17 2017-06-28 The Government of the United States of America, as represented by The Department of Health and Human Services Apparatus for microarray binding sensors having biological probe materials using carbon nanotube transistors
US20070233477A1 (en) 2006-03-30 2007-10-04 Infima Ltd. Lossless Data Compression Using Adaptive Context Modeling
US7923240B2 (en) 2006-03-31 2011-04-12 Intel Corporation Photo-activated field effect transistor for bioanalyte detection
WO2007123908A2 (en) 2006-04-18 2007-11-01 Advanced Liquid Logic, Inc. Droplet-based multiwell operations
KR100723426B1 (ko) 2006-04-26 2007-05-30 삼성전자주식회사 이온 물질 검출용 전계 효과 트랜지스터 및 그를 이용한이온 물질 검출 방법
EP2481815B1 (en) 2006-05-11 2016-01-27 Raindance Technologies, Inc. Microfluidic devices
CN101454892B (zh) 2006-05-26 2011-12-14 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP4211805B2 (ja) 2006-06-01 2009-01-21 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4404074B2 (ja) 2006-06-30 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置及びデータ伝送方法並びに撮像装置
JP4883812B2 (ja) 2006-07-13 2012-02-22 国立大学法人名古屋大学 物質検出装置
KR100799577B1 (ko) 2006-08-31 2008-01-30 한국전자통신연구원 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를포함하는 집적회로 및 그 제조 방법
US7960776B2 (en) 2006-09-27 2011-06-14 Cornell Research Foundation, Inc. Transistor with floating gate and electret
US20080085219A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Beebe David J Microfluidic platform and method
DE102006052863B4 (de) 2006-11-09 2018-03-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schutzstruktur für Halbleitersensoren und deren Verwendung
US20090111705A1 (en) 2006-11-09 2009-04-30 Complete Genomics, Inc. Selection of dna adaptor orientation by hybrid capture
US20080136933A1 (en) 2006-12-11 2008-06-12 Digital Imaging Systems Gmbh Apparatus for controlling operation of a multiple photosensor pixel image sensor
US8349167B2 (en) 2006-12-14 2013-01-08 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays
US8262900B2 (en) 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
EP2677308B1 (en) * 2006-12-14 2017-04-26 Life Technologies Corporation Method for fabricating large scale FET arrays
US7972828B2 (en) 2006-12-19 2011-07-05 Sigma-Aldrich Co. Stabilized compositions of thermostable DNA polymerase and anionic or zwitterionic detergent
US7932034B2 (en) 2006-12-20 2011-04-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Heat and pH measurement for sequencing of DNA
US7486145B2 (en) 2007-01-10 2009-02-03 International Business Machines Corporation Circuits and methods for implementing sub-integer-N frequency dividers using phase rotators
JP4325684B2 (ja) 2007-02-20 2009-09-02 株式会社デンソー センサ制御装置、及び印加電圧特性の調整方法
US8031809B2 (en) 2007-02-28 2011-10-04 Seiko Epson Corporation Template pulse generating circuit, communication device, and communication method
DE602007008953D1 (de) 2007-03-02 2010-10-14 Dna Electronics Ltd Qpcr unter verwendung eines ionen-sensitiven feldeffekt-transistors zur ph-messung
JP2008215974A (ja) 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Holdings Co Ltd 電界効果トランジスタ型イオンセンサ
EP1975246A1 (de) 2007-03-29 2008-10-01 Micronas Holding GmbH Markierungsfreie Sequenzierung auf einer Festphase mittels Feldeffekttransistoren
EP2173467B1 (en) 2007-07-13 2016-05-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and apparatus using electric field for improved biological assays
JPWO2009011164A1 (ja) 2007-07-19 2010-09-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
US7609093B2 (en) 2007-08-03 2009-10-27 Tower Semiconductor Ltd. Comparator with low supply current spike and input offset cancellation
TWI345065B (en) * 2007-09-27 2011-07-11 Chimei Innolux Corp A flat panel display device, an electronic system and a testing method of the flat panel display device
US20100285601A1 (en) 2007-09-28 2010-11-11 Agency For Science, Technology And Research Method of electrically detecting a nucleic acid molecule
US7936042B2 (en) 2007-11-13 2011-05-03 International Business Machines Corporation Field effect transistor containing a wide band gap semiconductor material in a drain
KR100940415B1 (ko) * 2007-12-03 2010-02-02 주식회사 동부하이텍 배면 드레인 구조 웨이퍼의 온저항 측정방법
US8124936B1 (en) 2007-12-13 2012-02-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Stand-off chemical detector
EP2222878A1 (en) * 2007-12-13 2010-09-01 Nxp B.V. A biosensor device and a method of sequencing biological particles
KR101491532B1 (ko) 2007-12-20 2015-02-09 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 도요하시 기쥬쯔 가가꾸 다이가꾸 복합검출장치
US20090194416A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Chung Yuan Christian University Potentiometric biosensor for detection of creatinine and forming method thereof
DE102008012899A1 (de) 2008-03-06 2009-09-10 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Gassensors
US8067731B2 (en) 2008-03-08 2011-11-29 Scott Technologies, Inc. Chemical detection method and system
US7885490B2 (en) 2008-03-10 2011-02-08 Octrolix Bv Optical chemical detector and method
JP5259219B2 (ja) 2008-03-19 2013-08-07 株式会社三社電機製作所 電源装置
US7667501B2 (en) 2008-03-19 2010-02-23 Texas Instruments Incorporated Correlated double sampling technique
US20090273386A1 (en) 2008-05-01 2009-11-05 Custom One Design, Inc Apparatus for current-to-voltage integration for current-to-digital converter
TWI377342B (en) 2008-05-08 2012-11-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Method for forming an extended gate field effect transistor (egfet) based sensor and the sensor formed thereby
US7821806B2 (en) 2008-06-18 2010-10-26 Nscore Inc. Nonvolatile semiconductor memory circuit utilizing a MIS transistor as a memory cell
WO2010008480A2 (en) 2008-06-25 2010-01-21 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
US7893718B2 (en) 2008-08-13 2011-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. High-speed multiplexer and semiconductor device including the same
JP5260193B2 (ja) 2008-09-03 2013-08-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路及びそのスイッチングノイズ平準化方法
KR101026468B1 (ko) 2008-09-10 2011-04-01 한국전자통신연구원 생분자 검출 장치 및 검출 방법
CN101676714A (zh) 2008-09-16 2010-03-24 中研应用感测科技股份有限公司 整合式离子感测器
US8945912B2 (en) 2008-09-29 2015-02-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois DNA sequencing and amplification systems using nanoscale field effect sensor arrays
JP2012506557A (ja) 2008-10-22 2012-03-15 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 生物学的および化学的分析のための集積センサアレイ
US8546128B2 (en) 2008-10-22 2013-10-01 Life Technologies Corporation Fluidics system for sequential delivery of reagents
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US8248356B2 (en) 2008-10-24 2012-08-21 Au Optronics Corp. Driving circuit for detecting line short defects
EP2364439A1 (en) * 2008-10-27 2011-09-14 Smart Frequencies B.V. Capacitance electrode and sensor-system capable of sensing contaminants and method therefor
US8634817B2 (en) 2008-10-28 2014-01-21 Qualcomm Incorporated Location information for control of mode/technology
US7898277B2 (en) * 2008-12-24 2011-03-01 Agere Systems Inc. Hot-electronic injection testing of transistors on a wafer
US8101479B2 (en) 2009-03-27 2012-01-24 National Semiconductor Corporation Fabrication of asymmetric field-effect transistors using L-shaped spacers
US9309557B2 (en) 2010-12-17 2016-04-12 Life Technologies Corporation Nucleic acid amplification
US9334531B2 (en) 2010-12-17 2016-05-10 Life Technologies Corporation Nucleic acid amplification
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8673627B2 (en) 2009-05-29 2014-03-18 Life Technologies Corporation Apparatus and methods for performing electrochemical reactions
US20120261274A1 (en) 2009-05-29 2012-10-18 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
AT508322B1 (de) 2009-06-05 2012-04-15 Boehler Schmiedetechnik Gmbh & Co Kg Verfahren zur warmformgebung eines werkstückes
US20110037121A1 (en) 2009-08-16 2011-02-17 Tung-Hsing Lee Input/output electrostatic discharge device with reduced junction breakdown voltage
JP2011041205A (ja) 2009-08-18 2011-02-24 Panasonic Corp 電圧発生回路、デジタルアナログ変換器、ランプ波発生回路、アナログデジタル変換器、イメージセンサシステム及び電圧発生方法
SG169949A1 (en) 2009-09-11 2011-04-29 Agency Science Tech & Res Method of determining a sensitivity of a biosensor arrangement, and biosensor sensitivity determining system
US9018684B2 (en) 2009-11-23 2015-04-28 California Institute Of Technology Chemical sensing and/or measuring devices and methods
US8545248B2 (en) 2010-01-07 2013-10-01 Life Technologies Corporation System to control fluid flow based on a leak detected by a sensor
TWI422818B (zh) 2010-01-11 2014-01-11 Nat Chip Implementation Ct Nat Applied Res Lab 氫離子感測場效電晶體及其製造方法
EP2539471B1 (en) 2010-02-26 2014-08-06 Life Technologies Corporation Method for sequencing using a modified polymerase
US8878257B2 (en) * 2010-06-04 2014-11-04 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for an ISFET
CN103080739B (zh) 2010-06-30 2016-12-21 生命科技公司 用于测试isfet阵列的方法和装置
TWI580955B (zh) 2010-06-30 2017-05-01 生命技術公司 離子感測電荷累積電路及方法
US8432149B2 (en) 2010-06-30 2013-04-30 Life Technologies Corporation Array column integrator
JP5876044B2 (ja) 2010-07-03 2016-03-02 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 低濃度ドープドレインを有する化学的感応性センサ
US8227877B2 (en) 2010-07-14 2012-07-24 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor bio-sensors and methods of manufacturing the same
JP5959516B2 (ja) 2010-08-18 2016-08-02 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 電気化学的検出装置のためのマイクロウェルの化学コーティング法
US8453494B2 (en) 2010-09-13 2013-06-04 National Semiconductor Corporation Gas detector that utilizes an electric field to assist in the collection and removal of gas molecules
WO2012036679A1 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
EP2619564B1 (en) 2010-09-24 2016-03-16 Life Technologies Corporation Matched pair transistor circuits
GB201017023D0 (en) 2010-10-08 2010-11-24 Dna Electronics Ltd ISFET switch
JP5735268B2 (ja) 2010-12-20 2015-06-17 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 高周波半導体スイッチ
WO2012092515A2 (en) 2010-12-30 2012-07-05 Life Technologies Corporation Methods, systems, and computer readable media for nucleic acid sequencing
JP5613605B2 (ja) 2011-03-28 2014-10-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 クロック生成回路、それを用いたプロセッサシステム、及びクロック周波数制御方法
WO2012152308A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Ion sensitive field effect transistor
US9518953B2 (en) 2011-09-07 2016-12-13 Technion Research And Development Foundation Ltd. Ion sensitive detector
US9617590B2 (en) 2011-09-30 2017-04-11 Stc.Unm DNA sample preparation and sequencing
US9459234B2 (en) 2011-10-31 2016-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., (“TSMC”) CMOS compatible BioFET
US8547151B2 (en) 2011-11-30 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase-locked loops that share a loop filter
US8821798B2 (en) 2012-01-19 2014-09-02 Life Technologies Corporation Titanium nitride as sensing layer for microwell structure
US8747748B2 (en) 2012-01-19 2014-06-10 Life Technologies Corporation Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface
US8847637B1 (en) 2012-05-24 2014-09-30 Massachusetts Institute Of Technology Time-interleaved multi-modulus frequency divider
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
EP2677307B1 (en) 2012-06-21 2016-05-11 Nxp B.V. Integrated circuit with sensors and manufacturing method
US8728844B1 (en) 2012-12-05 2014-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside CMOS compatible bioFET with no plasma induced damage
US8962366B2 (en) 2013-01-28 2015-02-24 Life Technologies Corporation Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors
US8841217B1 (en) 2013-03-13 2014-09-23 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US9389199B2 (en) 2013-03-14 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside sensing bioFET with enhanced performance
US9228974B2 (en) * 2013-04-10 2016-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Biosensing well array by self-alignment and selective etching
US20140367748A1 (en) 2013-06-14 2014-12-18 International Business Machines Corporation EXTENDED GATE SENSOR FOR pH SENSING
US9023674B2 (en) 2013-09-20 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Biosensing well array with protective layer
US20150097214A1 (en) 2013-10-09 2015-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Structures, apparatuses and methods for fabricating sensors in multi-layer structures
US9488615B2 (en) 2014-12-17 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Biosensor with a sensing surface on an interlayer dielectric

Also Published As

Publication number Publication date
TW201224478A (en) 2012-06-16
TW201716791A (zh) 2017-05-16
CN106932456A (zh) 2017-07-07
TWI569025B (zh) 2017-02-01
JP5952813B2 (ja) 2016-07-13
US20220082607A1 (en) 2022-03-17
US20120001646A1 (en) 2012-01-05
JP6357502B2 (ja) 2018-07-11
CN103080739B (zh) 2016-12-21
US20190033363A1 (en) 2019-01-31
TW201627682A (zh) 2016-08-01
CN106932456B (zh) 2020-02-21
CN103080739A (zh) 2013-05-01
US11231451B2 (en) 2022-01-25
JP2013533976A (ja) 2013-08-29
EP2588850A4 (en) 2013-08-14
EP2588850B1 (en) 2016-12-28
WO2012003359A1 (en) 2012-01-05
JP2016188867A (ja) 2016-11-04
EP2588850A1 (en) 2013-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI539172B (zh) 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法
JP6649428B2 (ja) イオン感応性電荷蓄積回路および方法
TWI527245B (zh) 具有微摻雜汲極之化學感測器
TWI584650B (zh) 配對電晶體電路
US7884398B2 (en) Floating gate field effect transistors for chemical and/or biological sensing
Poghossian et al. Detecting both physical and (bio‐) chemical parameters by means of ISFET devices
US8143908B2 (en) Biosensor and a method of measuring a concentration of an analyte within a medium