CN111341799A - 电子装置及其制作流程 - Google Patents

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CN111341799A CN201910790037.1A CN201910790037A CN111341799A CN 111341799 A CN111341799 A CN 111341799A CN 201910790037 A CN201910790037 A CN 201910790037A CN 111341799 A CN111341799 A CN 111341799A
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高克毅
丁景隆
陈良禄
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Abstract

一种电子装置，该电子装置包括一第一子像素以及一测试组件。该第一子像素包括一第一晶体管以及一第一电子单元。该第一电子单元电性连接于该第一晶体管。该测试组件具有一第一阻抗，该第一电子单元具有一第二阻抗，并且该第一阻抗大于该第二阻抗。

Description

电子装置及其制作流程
技术领域
本发明是关于一种电子装置及其制作流程，特别是有关于一种有源式矩阵(active matrix)发光二极管(LED)的电子装置及其制作流程。
背景技术
在现有的市场中，有源式矩阵驱动是在每个像素上都有相对应的薄膜晶体管(thin film transistor：TFT)以驱动每个像素的发光组件，因此可以产生高亮度和高清楚影像及具有较宽广的视觉角度。然而，在现有的有源式矩阵发光二极管的制作流程中，并没有方式可以在发光二极管执行表面贴焊技术(surface mount technology：SMT)程序前，就先测试每一像素中所对应薄膜晶体管的功能是否正常，而是必须在发光二极管执行SMT程序后，才可执行对应每一像素的照明检查(light-on inspection)。因此，若在发光二极管打件后的照明检查中，才发现对应该像素的该薄膜晶体管有问题，则会浪费该发光二极管的电子组件，因而增加制程成本或制程时间。
发明内容
为解决上述浪费发光二极管的电子组件，增加制程成本或制程时间的问题，本发明提供一种电子装置及其制作流程。
依据本发明一实施例的电子装置，该电子装置包括一第一子像素以及一测试组件，该第一子像素包括一第一晶体管，以及一第一电子单元。该第一电子单元电性连接于该第一晶体管。该测试组件电性连接于该第一晶体管。该测试组件具有一第一组抗，该电子单元具有一第二阻抗，并且该第一阻抗大于该第二阻抗。
在本发明的一实施例中，该第一阻抗与该第二阻抗的比值介于10至107范围之间。
在本发明的一实施例中，该测试组件邻近于该第一晶体管，并且该测试组件与该第一子像素于俯视该电子装置的方向上至少部分重叠。
在本发明的一实施例中，该测试组件并联于该第一电子单元。
在本发明的一实施例中，该测试组件包括一电阻、一虚设薄膜晶体管或一高阻抗线路。
在本发明的一实施例中，该电子装置更包括一控制开关，电性连接于该第一晶体管与该测试组件之间。
在本发明的一实施例中，该控制开关包括一晶体管。
在本发明的一实施例中，该电子装置更包括一第二子像素，该第二子像素包括一第二晶体管以及一第二电子单元。该第二电子单元电性连接于该第二晶体管。其中，该测试组件电性连接该第二晶体管。
在本发明的一实施例中，该测试组件的一端电性连接该第一晶体管，并且该测试组件的另一端电性连接一负电位或一地电位。
依据本发明一实施例的电子装置的制作流程，该电子装置的制作流程包括：提供一基板；设置一第一晶体管及一测试组件于一基板上，并且该第一晶体管电性连接该测试组件；对该第一晶体管执行一关闭动作；于该第一晶体管及该测试组件之间施加电位能；透过该该测试组件执行一判定步骤，并获得一判定结果；以及依据该判定结果，决定是否设置一第一电子单元于该基板上。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1为本发明一实施例的电子装置示意图；
图2为本发明实施例的测试组件示意图；
图3为本发明另一实施例的电子装置示意图；
图4为本发明另一实施例的电子装置示意图；
图5为本发明另一实施例的电子装置示意图；
图6为本发明实施例的电子装置的制作流程图；
图7为本发明另一实施例的电子装置的制作流程图。
符号说明：
100、440、540～电子装置
102、450、550～像素
104、304、406、506、507、508～测试组件
106、110～晶体管
108、420、422、424、522、524、526～电子单元
112～温度检测器
114、400、402、404、500、502、504～子像素
Vdd～正电位
Vss～负电位
Vg～栅极电压
SN、SN1、SN2～扫描线
DA、DA1、DA2～数据线
I、I2、I3～漏电流
Cst、C1、C2、C3、C4、C5、C6～电容
300、302、426、428、430～控制开关
408、410、412、414、416、418～晶体管
432、528～地电位
510、512、514、516、518、520～晶体管
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本发明中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，「具有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「包括但不限定为…」之意。
术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」通常代表落在给定数值或范围的20％范围内，或代表落在给定数值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。
在本文中，相同或相似的组件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用，且依本说明书或权利要求书所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求书中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名分立(discrete)的组件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制组件数量上的上限或下限，也并非用以限定组件的制造顺序或设置顺序。
本发明的电子装置可包括显示设备、天线装置、感测装置、发光装置、或拼接装置，但不以此为限。
图1为本发明一实施例的电子装置100的示意图。下文将以电子装置100说明本发明的内容，但本发明不以此为限。在本实施例中。
如图1所示，电子装置100的显示区域内包括多个像素(例如像素102)，其中一像素(以像素102为例)至少包括一个子像素(例如子像素114)。在一实施例中(如图1)，电子装置100为有源式矩阵驱动发光二极管的显示设备，子像素114例如由相邻2条的扫描线SN及相邻2条的数据线DA交错而成(未绘示)，但不限于此。在一实施例中，电子装置100可例如为可弯折或可挠式的电子装置，但不限于此。
在一些实施例中(如图1)，子像素114例如包括一晶体管106(例如为驱动晶体管)，一晶体管110(例如为开关晶体管)、一电子单元108及/或一电容Cst。在一些实施例中，电容Cst例如跨接于晶体管106的栅极与源极之间，用以维持晶体管106的栅极与源级之间的跨压(Vgs)，但不限于此。须注意的是，子像素可根据需求增加其它晶体管(例如重置晶体管，但不限于此)、其它电容或其它合适的组件。另外，上述晶体管、电容、电子单元的数量或(电性)连接关系不限制如本发明的图示，可根据需求做合适调整。
上述晶体管的材料可包括非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(polysilicon)(例如低温多晶硅(low-temp polysilicon：LTPS))、氧化物半导体(例如氧化铟镓锡(IGZO))、其它合适的材料或上述组合，但本发明不限于此。在一些实施例中，电子装置100可包括上述不同材料的晶体管，举例来说，有些晶体管可包括低温多晶硅材料，有些晶体管可包括氧化铟镓锡材料，但不限于此。
本发明的晶体管可以视需求选择上栅极晶体管(Top-gate thin filmtransistor)、下栅极晶体管(Bottom-gate thin film transistor)、双栅极晶体管(Dual-gate thin film transistor或double-gate thin film transistor)，但不限于此。
在一些实施例中，电子单元108包括无机发光二极管(light-emitting diode，LED)，例如微型发光二极管(包括micro-LED、mini LED)、量子点发光二极管(Quantum Dotlight-emitting diode，QD-LED、QLED)、或是其它合适的发光二极管，但不限于此。在某些实施例中，电子单元108上可设置光转换材料(未绘示)，光转换材料例如包括量子点(quantum dot,QD)材料、荧光(fluorescence)材料、彩色滤光(Color filter,CF)材料、磷光(phosphor)材料、其它合适的光转换材料或上述的组合，但不限于此。
在一些实施例中(如图1)，电子装置100包括至少一测试组件104电性连接于一晶体管106(例如为驱动晶体管)。在一些实施例中(如图1)，测试组件104例如邻近于晶体管106设置。在一些实施例中(如图1)，测试组件104例如与子像素114于俯视电子装置100的方向上至少部分重叠。在一些实施例中(未绘示)，测试组件104例如横跨于两相邻的子像素114之间，或测试组件104例如与两相邻的子像素114于俯视电子装置100的方向上至少部分重叠。在一些实施例中，测试组件104的一端例如电性连接至所须测试的晶体管，而测试组件104的另一端例如电性连接至一电位，例如一负电位(例如图1的Vss)、地电位(GND)或正电位(未绘示，此正电位的电压例如小于图1正电位Vdd的电压)。在一些实施例中(如图1)，电子单元108例如并联于测试组件104，但不限于此。
在一些实施例中，测试组件104的阻抗是大于电子单元108的阻抗。
在一些实施例中，在将电子单元108设置于电子装置100的基板(未绘示)上之前，可例如透过测试组件104来测试、判定电路是否有缺陷，例如可透过测试组件来测试晶体管(例如晶体管106及/或晶体管110)是否有缺陷。举例来说，在将电子单元108设置于电子装置100的基板(未绘示)上之前，如图1的连接电子单元108处的路径例如为断路，此时可对晶体管106执行一关闭动作，并对晶体管106执行一判定步骤，判定步骤例如透过一温度检测器112来判断，详细判定步骤的方法会于后续再详细说明。当晶体管106有缺陷时，于测试或判定过程中，晶体管106可能无法根据上述执行需求将晶体管106正常关闭(即产生短路)。详细而言，如上述的有缺陷的晶体管106可例如视作为一电阻，当于晶体管106与测试组件104之间提供一电位差(电位差＝正电位Vdd-负电位Vss(或地电位))时，因晶体管106无法正常关闭，故可能产生一漏电流I，此漏电流I可能会流经测试组件104而产生热能。
在一些实施例中，可根据需求将测试组件104的阻抗增加，或是将正电位Vdd与负电位Vss(或地电位或小于正电位Vdd的正电位)之间的电位差增加，当晶体管106有缺陷时，测试组件104所产生的热能可提高，更易判断出晶体管(例如晶体管106)是否有缺陷。上述晶体管的缺陷例如由制程上金属材料或导电材料不适当的残留于晶体管的层叠中所造成晶体管的短路，或者其它可能原因使晶体管无法正常执行关闭动作而产生缺陷，但不限于此。另外，若晶体管106没有缺陷，当对晶体管106执行一关闭动作时，晶体管106因可正常执行关闭动作，故不会有漏电流I经由晶体管106流至测试组件104，此时测试组件104不会产生异常的热能。关于异常的热能的定义，举例来说，假设测试前的测试组件104的温度T为摄氏25度，依据过去测试经验，只要测试时测试组件104的温度超过T+ΔT时，例如ΔT为摄氏10度，亦即测试组件104的温度超过35度时，则判定测试组件104可能产生异常的热能，故推测晶体管106例如有缺陷。若在测试时测试组件104的温度小于T+ΔT时，则判定测试组件104无产生异常的热能，故推测晶体管106没有缺陷，但不限于此。需注意的是，上述ΔT值仅为举例，ΔT值可能因不同的电子装置所包含的配件(例如散热器、外框件、基板，不限于此)的材料、厚度、层叠结构不同而有所差异，而电子装置的尺寸(或分辨率)、制程变异等也可能影响ΔT值，故ΔT值的评估标准例如需考虑以上可能的原因。
在本案实施例中，当测试晶体管106没有缺陷时，后续可将电子单元108设置于基板(阵列基板或电路板)上，并与晶体管106电性连接。在一些实施例(如图1)，由于测试组件104并联于电子单元108，为了降低测试组件104影响电子单元108的运作，可透过将测试组件104的阻抗设计大于电子单元108的阻抗，而测试组件104的阻抗与电子单元108的阻抗之间的比值可在10至107的范围之间(10≦比值≦107)，但不限于此。举例来说，以在电子单元108(例如发光二极管)于运作而导通的情况下(即发光二极管发光)，透过上述阻抗比值的设计可降低电子单元108的导通电流被分流至测试组件104中而影响电子单元108的运作。在一些实施例，电子单元108导通时的阻抗为5k奥姆(kΩ)，测试组件104的阻抗可为50k奥姆(kΩ)至500G奥姆(GΩ)的范围之间(50kΩ≦阻抗≦500GΩ)，但不限于此。上述电阻例如透过三用电表或其它合适仪器所测量。在某些实施例中，在电子单元108尚未设置时，可透过阻值测量仪器(例如三用电表)来测量测试组件104的阻值，而阻值测量仪器的探针可例如分别电性连接于测试组件104的两端，但不限于此。或是，将测试组件104的两端所电性连接的线路上分别焊上不同的导电线，阻值测量仪器的探针可例如分别电性连接于上述两不同的导电线，但不限于此。
另外，依据关系式T∝P2R，其中温度T可比对为测试组件104的温度，功率P可比对为测试组件104所耗的功率，漏电流I可比为流至测试组件104的漏电流，阻抗R可比对为测试组件104的阻抗。换句话说，当流至测试组件104的漏电流I增加，则功率P增加，或温度T增加(即测试组件104所产生的热能增加)。另外，本发明可利用图1的一温度检测器112，用以探测测试组件104所产生的温度来判定子像素114的电路(例如晶体管)是否有缺陷。另外，依据温度检测器112所检测的发热源所在的一位置，测试人员可更容易筛选出对应该位置的晶体管106，后续可根据需求再进一步对晶体管106进行解析。
另外，当晶体管106有缺陷的情况下，可透过将正电位Vdd及负电位Vss之间的电位差(即电压差)增加，用以增加流至测试组件104的漏电流I，增加测试组件104所产生的热能(即增加测试组件104的温度)，使温度检测器112更易检测到该发热源的位置，但不限于此。值得注意的是，于将晶体管106在正电位Vdd及负电位Vss(或地电位)之间的电位差增加的过程中，例如仍将晶体管106控制于关闭的状况。此外，将正电位Vdd及负电位Vss之间的电位差(或地电位)增加的过程中，例如将正电位Vdd的电压控制在低于晶体管106的额定电压(rated voltage)，以减少对晶体管106的损害(例如烧毁晶体管106)。
图2为本发明实施例的测试组件104示意图。在一些实施例中，如图2(a)所示，测试组件104可包括一电阻，且测试组件104可例如透过表面贴焊技术(surface mounttechnology：SMT)设置于基板上，但不限于此。在一些实施例中，如图2(b)所示，测试组件104可包括一虚设薄膜晶体管(pseudo TFT)，且测试组件104例如设置于基板(未绘示)上，或测试组件104可与晶体管106及/或晶体管110于相同制程所形成，但不限于此。图2(b)中的虚设薄膜晶体管个数(例如3个)仅为例示，但不限于此，可根据需求调制虚设薄膜晶体管的个数。在一些实施例中，如图2(c)图所示，测试组件104可包括一高阻抗线路，且测试组件104例如设置于基板(未绘示)上。在一些实施例中，高阻抗线路可例如透过选用高阻抗的半导体材料，例如不同掺杂物的硅(Si)或砷化镓(GaAs)、氧化铟镓锌(IGZO)、高氧含量制程条件的透明导电材(例如铟锡氧化物(ITO))、复晶硅(poly-Si)、其它合适的材料或上述组合，但不限于此。在一些实施例中，根据公式阻抗R＝[(长度(L)/截面积(A)]*电阻系数(ρ)，高阻抗线路可例如透过如上公式调整线路的长度(L)、线路的截面积(A)或电阻系数(ρ)来形成，但不限于此。
图3为本发明另一实施例的电子装置100示意图。图3的测试组件104与晶体管106之间可更设有一控制开关300，用以控制测试组件104与晶体管106的电性连接关系。在某些实施例中，控制开关300可包括晶体管或其它合适的开关组件。另外，图3的电子装置100可更包括一测试组件304及一控制开关302，而控制开关302设置于测试组件304与晶体管110之间，用以控制测试组件304与晶体管110的电性连接关系，测试组件304的另一端例如电性连接至负电位Vss(或地电位或比正电位Vdd小的正电位)，但不限于此。
在某些实施例中(如图3)，当要测试晶体管110是否有缺陷时，可将控制开关302导通，使晶体管110与测试组件304电性连接。相似的，于测试晶体管110是否有缺陷的过程中，例如对晶体管110执行关闭动作，若晶体管110有缺陷时，晶体管110因无法正常关闭而形成短路，此缺陷的晶体管110可视为一电阻，故漏电流I1会流至测试组件304而产生热能。相似的，在完成测试确认晶体管110没有缺陷后，可以再进一步测试晶体管106是否有缺陷，此时例如先将控制开关302关闭，使晶体管110与测试组件304电性绝缘，后续将控制开关300导通，使晶体管106与测试组件104电性连接，而测试晶体管106是否有缺陷的测试方式相似于前述的测试方式，在此不再叙述。
须注意的是，测试晶体管110及测试晶体管106的顺序不限于上述，可视需求做调制。
在一些实施例中，测试组件304与测试组件104可为相同的组件或不同的组件。在一些实施例中，测试组件304的阻抗与测试组件104的阻抗可为相同或不同。
图4为本发明另一实施例的电子装置示意图。如图4所示，电子装置440的显示区域内包括多个像素，其中一像素450可包括一子像素400、一子像素402及一子像素404。在一些实施例中，像素中的子像素数量可根据需求调制。子像素400可包括一晶体管408、一电子单元420、一晶体管414及一电容C1。子像素402可包括一晶体管410、一电子单元422，一晶体管416及一电容C2。子像素404可包括一晶体管412、一电子单元424、一晶体管418及一电容C3。另外，电子装置(图4)可包括多条数据线(DA、DA1及DA2)及多条扫描线(SN、SN1及SN2)可分别与子像素400、子像素402及子像素404中的晶体管(414、416及418)电性连接，子像素400、子像素402及子像素404中的组件连接方式相似于图1，故不再赘述。
需注意的是，图4所示的子像素400、子像素402及子像素404中的晶体管(408、410及412)可例如共享一个测试组件406来测试。举例来说，在一些实施例中(如图4)，一控制开关426可例如电性连接于测试组件406与晶体管408之间，测试组件406与晶体管408之间的关系(例如电性连接或电性绝缘)可透过控制开关426来控制。相似的，一控制开关428可例如电性连接于测试组件406与晶体管410之间，测试组件406与晶体管410之间的关系(例如电性连接或电性绝缘)可透过控制开关428来控制。相似的，一控制开关430可例如电性连接于测试组件406与晶体管412之间，测试组件406与晶体管412之间的关系(例如电性连接或电性绝缘)可透过控制开关430来控制。在一些实施例中(如图4)，测试组件406的另一端可电性连接至地电位432(或负电位Vss或低于正电位Vdd的正电位)。
另外，如图4所示，当要测试子像素400内的晶体管408是否有缺陷时，可透过将控制开关426导通使测试组件406电性连接于晶体管408，而控制开关428及控制开关430则关闭，使测试组件406电性绝缘于晶体管410及晶体管412。同样的，当将要测试的晶体管408与测试组件406电性连接之后，测试晶体管是否有缺陷的测试方式可参考之前所述的测试方式，故不再赘述。
如上述，当晶体管408有缺陷时，于测试过程中，漏电流I2可流至测试组件406，使测试组件406产生热能。同理，若要测试其它子像素(例如子像素402或子像素404)内的晶体管(例如晶体管410或晶体管412)是否有缺陷时，透过将所对应的控制开关(例如428或430)导通，使测试组件406电性连接于所要测试的晶体管，而与测试组件406连接的其它控制开关则关闭，使测试组件406电性绝缘于未需测试的晶体管。而测试缺陷方法如上述，故不再赘述。
在一些实施例(未绘示)，子像素400、子像素402及子像素404中的另一个晶体管(414、416及418)亦可例如共享一个测试组件来测试，即此些晶体管(414、416及418)与测试组件之间可分别设有一控制开关来控制。
图5为本发明另一实施例的电子装置示意图。电子装置540的显示区域内包括多个像素，其中一像素550包括一子像素500、一子像素502及一子像素504。子像素500包括一晶体管510、一电子单元522、一晶体管516及一电容C4。子像素502包括一晶体管512、一电子单元524、一晶体管518及一电容C5。子像素504包括一晶体管514、一电子单元526、一晶体管520及一电容C6。图5的子像素500、子像素502及子像素504中的组件连接方式相似于图4的子像素400、子像素402及子像素404中的组件连接方式，故不再赘述。相较于图4，图5主要的差异为子像素500、子像素502及子像素504中的晶体管(510、512及514)分别电性连接至不同的测试组件(506、507及508)，而此些测试组件(506、507及508)可例如皆连接至地电位528，但不限于此。
如图5所示，当要测试子像素502内的晶体管512是否有缺陷时，可将晶体管512执行一关闭动作，若晶体管512有缺陷时，因晶体管512无法正常关闭(即短路)，使漏电流I3流至测试组件507而产生热能。同理，子像素500的晶体管510或是子像素504的晶体管514的测试方式相似于如上测试晶体管512，故不再赘述。
在一些实施例，测试组件506的阻抗与电子单元522的阻抗比值、测试组件507的阻抗与电子单元524的阻抗比值及/或测试组件508的阻抗与电子单元526的阻抗比值可介于10至107的范围之间(10≦阻抗比值≦107)，但不限于此。若透过上述方式确认子像素中的组件(例如晶体管)无缺陷时，后续可例如将所对应的子像素的电子单元设置于子像素中。另外，当导通电子单元时，透过上述的测试组件与电子单元的阻抗比值的设计，依据分压定理，大部分的电流可能会流至电子单元，只有微小电流可能会流至所对应的测试组件，故可降低测试组件对电子单元的运作的影响。另外，假若有控制开关电性连接于晶体管(例如驱动晶体管)与测试组件之间，当需导通电子单元时，可将此控制开关关闭，降低电流至测试组件的可能性。
图6为本发明实施例的电子装置的制作流程图。如图6所示，于步骤S600中，设置一第一晶体管(例如图1中的晶体管106或图3中的晶体管106)及一测试组件(例如图1中的测试组件104或图3中的晶体管104)于一基板(例如阵列基板)上，且该第一晶体管电性连接于该测试组件。在另一实施例中，更设置一控制开关(例如图3中的控制开关300)在该基板上，且该控制开关(例如控制开关300)连接于该第一晶体管(例如图3中的晶体管106)与该测试组件(例如图3中的测试组件104)之间，且将该控制开关开启，使该第一晶体管电性连接该测试组件。于步骤S602中，对该第一晶体管(例如晶体管106)执行一关闭动作。在一实施例中(如图1)，于步骤S602之后可进行步骤S604，步骤S604例如为于该第一晶体管及该测试组件之间提供一电位差(例如电位差＝正电位Vdd-负电位Vss)，但不限于此。在一实施例中(如图4)，可于该第一晶体管及该测试组件之间提供一电位差(电位差＝正电位Vdd-地电位)。
接着，于步骤S606中，透过该测试组件执行一判定步骤，并获得一判定结果。其中，判定步骤例如用以判定该第一晶体管是否有缺陷。在本发明实施例中，判定步骤中可例如包括使用一温度检测器(例如图1中的温度检测器112)测量该测试组件是否产生异常的温度上升，异常的温度可参考上述说明。于步骤S608，依据该判定结果，决定是否设置一第一电子单元(例如图1或图3中的电子单元108)于该基板上。举例来说，当该测试组件发生异常的温度上升时，则判定结果例如为该第一晶体管有缺陷。另外，当第一晶体管有缺陷时，可根据该第一晶体管的缺陷状况选择忽略或修复。当该测试组件没有发生异常的温度上升时，则判定该第一晶体管无缺陷，后续可设置一第一电子单元，且将该第一电子单元电性连接于该第一晶体管(例如图1或图3中的晶体管106)。
图7为本发明另一实施例(如图4)的电子装置的制作流程图。如图7所示，于步骤S700中，设置一第一晶体管(例如晶体管408)、一第二晶体管(例如晶体管410)、一第一控制开关(例如控制开关426)、一第二控制开关(例如控制开关428)及一测试组件(例如试组件406)于一基板上，该第一控制开关(例如控制开关426)电性连接于该第一晶体管(例如晶体管408)与该测试组件(例如测试组件406)之间，且该第二控制开关(例如控制开关428)电性连接于该第二晶体管(例如晶体管410)与该测试组件(例如测试组件406)之间。于步骤S700之后，可选择性进行步骤S702及/或步骤S710，但需注意的是，步骤S702及步骤S710需分开进行。举例来说，可于步骤S700之后例如先进行步骤S702。于步骤S702中，将该第一控制开关(例如控制开关426)开启，而该第二控制开关(例如控制开关428)关闭，使该第一晶体管(例如晶体管408)电性连接该测试组件(例如测试组件406)。于步骤S704中，于该第一晶体管及该测试组件之间提供一电位差(例如电位差＝正电位Vdd-负电位Vss，或电位差＝正电位Vdd-地电位)，但不限于此。后续，于步骤S706中，执行一判定步骤，并获得一判定结果。其中，判定步骤例如用以判定该第一晶体管是否有缺陷。如上，判定步骤包括使用一温度检测器测量该测试组件的区域是否发生异常的温度上升。接着，于步骤S708中，依据该判定结果，决定是否设置一第一电子单元(例如图4电子单元420)于该基板上。在本发明实施例中，当该测试组件发生异常的温度上升时，则判定该第一晶体管有缺陷，并根据该第一晶体管的实际状况选择忽略或修复。当该测试组件没有发生异常的温度上升时，则判定该第一晶体管无缺陷，后续例如设置该第一电子单元，且将第一电子单元电性连接于该第一晶体管(例如晶体管408)。
相似的，于步骤S700之后亦可例如先进行步骤S710，于步骤S710中，将该第一控制开关(例如控制开关426)关闭，而该第二控制开关(例如控制开关428)开启，使该第二晶体管(例如晶体管410)电性连接该测试组件(例如测试组件406)。于步骤S712中，于该第二晶体管及该测试组件之间提供一电位差(例如电位差＝正电位Vdd-负电位Vss或电位差＝正电位Vdd-地电位)，但不限于此。后续，于步骤S714中，执行一判定步骤，并获得一判定结果。判定方式如上述。接着，于步骤S716中，依据判定结果，决定是否设置一第二电子单元(例如图4中的电子单元422)于该基板上。在本发明实施例中，当该测试组件产生异常的温度上升时，则判定该第二晶体管有缺陷，并根据该第二晶体管的实际状况选择忽略或修复。当该测试组件没有发生异常的温度上升时，则判定该第二晶体管无缺陷，后续例如设置该第二电子单元，且将该第二电子单元电性连接于该第二晶体管(例如晶体管410)。
本发明的测试方式可适用于面板中的电路测试或背光模块的电路板的测试。
本发明内容所述的电路架构、各元件之间的连接方式仅为例示，本发明不限于此。各实施例间特征只要不违背发明精神或冲突，均可任意混合搭配使用。而测试组件的架构设计或材料选择仅为例示，本发明不限于此。
虽然本发明的实施例如上述所描述，我们应该明白上述所呈现的只是范例，而不是限制，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。依据本实施例上述示范实施例的许多改变是可以在没有违反发明精神及范围下被执行。因此，本发明的广度及范围不该被上述所描述的实施例所限制。更确切地说，本发明的范围应该要以所附的权利要求书及其相等物来定义。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一第一子像素，包括：
一第一晶体管；以及
一第一电子单元，电性连接于该第一晶体管；以及
一测试组件，电性连接于该第一晶体管；
其中，该测试组件具有一第一阻抗，该第一电子单元具有一第二阻抗，并且该第一阻抗大于该第二阻抗。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一阻抗与该第二阻抗的比值介于10至107范围之间。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该测试组件邻近于该第一晶体管，并且该测试组件与该第一子像素于俯视该电子装置的方向上至少部分重叠。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该测试组件并联于该第一电子单元。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该测试组件包括一电阻、一虚设薄膜晶体管或一高阻抗线路。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于更包括一控制开关，电性连接于该第一晶体管与该测试组件之间。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该控制开关包括一晶体管。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于更包括一第二子像素，该第二子像素包括：
一第二晶体管；以及
一第二电子单元，电性连接于该第二晶体管；
其中，该测试组件电性连接该第二晶体管。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该测试组件的一端电性连接该第一晶体管，并且该测试组件的另一端电性连接一负电位或一地电位。
10.一种电子装置的制作流程，其特征在于，包括：
设置一第一晶体管及一测试组件于一基板上，且该第一晶体管电性连接该测试组件；
对该第一晶体管执行一关闭动作；
于该第一晶体管及该测试组件之间施加电位能；
透过该测试组件执行一判定步骤，并获得一判定结果；以及
依据该判定结果，决定是否设置一第一电子单元于该基板上。
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