KR20090118580A - 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 목적은 제조과정에서 정전기를 방지하는 구조가 형성되도록 하여 정전기가 박막트랜지스터에 전달되는 것을 방지하여 화소를 보호하고 점등검사가 원할히 진행되도록 하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 투명기판; 상기 투명기판 상부에 형성되며 복수의 화소를 포함하는 화소영역; 및 상기 투명기판 상에 형성되며, 복수의 화소에 점등검사신호를 전달하는 신호전달부를 포함하되, 상기 신호전달부는 상기 점등검사신호를 전달하는 복수의 트랜지스터와 상기 복수의 트랜지스터의 소스와 게이트에 연결되어 상기 복수의 트랜지스터를 보호하는 저항을 구비하는 보호부를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법를 제공하는 것이다.

Description

유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND MAKING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세히 설명하면, 제조과정에서 정전기에 의한 손상이 발생하는 것을 방지하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다.
평판표시장치 중 유기전계발광표시장치는 전류의 흐름에 대응하여 발생하는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode : OLED)를 이용하여 화상을 표시한다.
이와 같은 상기 유기전계발광표시장치는 색 재현성의 뛰어남과 얇은 두께 등 의 여러 가지 이점으로 인해 응용분야에서 휴대폰용 이외에도 PDA, MP3 플레이어 등으로 시장이 크게 확대되고 있다.
상기에 기재된 유기전계발광표시장치는 박막트랜지스터(Thin film transistor)를 이용하여 유기발광다이오드에 전달되는 전류의 흐름을 제어하여 화상이 표현되도록 한다.
이와 같은 유기전계발광표시장치는 그 제조공정 중에 정전기가 발생될 수 있는데, 정전기가 발생될 경우 정전기가 박막트랜지스터에 전달되면, 박막트랜지스터가 손상을 받게 되어 소자특성이 나빠져 유기전계발광표시장치의 화질저하가 유발된다. 또한, 유기전계발광표시장치는 화소의 동작을 테스트하는 점등검사를 실시하는데, 상기와 같은 정전기의 발생에 의해 정상적인 점등검사가 수행되지 못하는 문제가 발생될 수 있다.
본 발명은 목적은 제조과정에서 정전기가 방지되는 구조를 형성함으로써, 정전기가 박막트랜지스터에 전달되는 것을 방지하여 화소를 보호하고 점등검사가 원할히 진행되도록 하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 측면은, 투명기판; 상기 투명기판 상부에 형성되며 복수의 화소를 포함하는 화소영역; 및 상기 투명기판 상에 형성되며, 복수의 화소에 점등검사신호를 전달하는 신호전달부를 포함하되, 상기 신호전달부는 상기 점등검사신호를 전달하는 복수의 트랜지스터와 상기 복수의 트랜지스터의 소스와 게이트에 연결되어 상기 복수의 트랜지스터를 보호하는 저항을 구비하는 보호부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 2 측면은, 투명기판 상에 반도체층을 형성하고 패터닝하여 채널영역을 형성하는 단계; 상기 투명기판과 상기 채널영역 상부에 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막의 상부에 금속층을 형성하고 패터닝하여 게이트 메탈을 형성하는 단계; 상기 제 1 절연막의 상부와 상기 게이트 메탈의 상부에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 절연막의 상부에 금속층을 형성하고 패터닝하여 소스 드레인 메탈을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 소스 드레인 메탈과 상기 게이트 메탈은 일단이 연결되는 유기전계발광표시장 치 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 3 측면은, 투명기판 상에 반도체층을 형성하고 패터닝하여 제 1 채널영역과 제 2 채널영역을 형성하는 단계; 상기 투명기판과 상기 제 1 및 제 2 채널영역 상부에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1 절연막의 상부에 금속층을 형성하고 패터닝하여 상기 제 1 채널영역의 상부에 형성되는 제 1 게이트 메탈과 상기 제 2 채널영역의 상부에 형성되는 제 2 게이트 메탈을 형성하되, 상기 제 1 게이트 메탈과 상기 제 2 채널영역의 일단은 연결되도록 하는 단계; 상기 제 1 절연막의 상부와 상기 제 1 및 제 2 게이트 메탈의 상부에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 절연막의 상부에 금속층을 형성하고 패터닝하여 소스 드레인 메탈을 형성하되, 상기 소스 드레인 메탈의 일단과 상기 제 2 채널영역의 일단은 연결되는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 의하면, 제조과정에서 정전기로 인한 손상을 방지하는 보호부를 형성하여 제조과정 중에 화소 및/또는 점등신호를 전달하는 신호전달부가 정전기로 인한 손상을 받는 것을 방지한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 구조를 나타내는 구조도이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 유기전계발광표시장치는 화소부(100), 데이터구동부(200), 주사구동부(300)를 포함한다.
화소부(100)에는 복수의 화소(101)가 배열되고 각 화소(101)는 전류의 흐름에 대응하여 빛을 발광하는 유기발광다이오드(미도시)를 포함한다. 그리고, 화소부(100)는 행방향으로 형성되며 주사신호를 전달하는 n 개의 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 n개의 발광제어선(E1,E2,...En-1,En)과 열방향으로 형성되며 데이터신호를 전달하는 m 개의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)이 배열된다.
또한, 화소부(100)는 제 1 전원과 제 2 전원을 전달받아 구동한다. 따라서, 화소부(100)는 주사신호, 데이터신호, 발광제어신호, 제 1 전원 및 제 2 전원에 의해 유기발광다이오드에 전류가 흐르게 됨으로써 발광하여 영상을 표시한다.
데이터구동부(200)는 데이터신호를 생성하는 수단으로, 적색, 청색, 녹색의 성분을 갖는 영상신호(R,G,B data)를 이용하여 데이터신호를 생성한다. 그리고, 데이터구동부(200)는 화소부(100)의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 연결되어 생성된 데이터 신호를 화소부(100)에 인가한다. 데이터구동부(200)에서 출력되는 데이터신호는 데이터구동부(200)의 출력단의 수를 줄이기 위해 먹스(미도시)를 이용하는 것도 가능하다.
주사구동부(300)는 주사신호를 생성하는 수단으로, 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)에 연결되어 주사신호를 화소부(100)의 특정한 행에 전달한다. 주사신호가 전달된 화소(101)에는 데이터구동부(200)에서 출력된 데이터신호가 전달되어 데이 터신호에 대응되는 전압이 화소에 전달되게 된다.
발광제어구동부(400)는 발광제어신호를 생성하는 수단으로, 발광제어선(E1,E2,...En-1,En)에 연결되어 발광제어신호를 화소부(100)의 특정한 행에 전달된다. 발광제어신호가 전달된 화소(101)에는 데이터신호에 의해 생성된 전압에 의해 구동전류가 생성되어 유기발광다이오드로 흐르게 된다.
상기와 같은 유기전계발광표시장치는 각각의 화소가 정상적으로 동작을 하는지 판단하기 위해 점등검사를 실시한다.
상기 점등검사는 단순한 화소의 동작여부를 검사하는 것이므로 데이터구동부(200)에 의한 데이터 기입이 불필요하다. 따라서, 점등검사 시는 하기에 도시된 도 2와 같은 구조를 통해 수행된다. 즉, 상기 점등검사는 데이터구동부 IC의 실장전에 수행된다.
도 2는 점등검사 시의 유기전계발광표시장치의 구조도이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 투명기판(1000) 상에 화소부(100)와 주사구동부(300)와 발광제어구동부(400)가 형성된다. 그리고, 투명기판(1000) 상에 칩의 형태로 구현된 데이터구동부(미도시)가 위치하는 IC 영역(200a)이 형성된다. IC 영역(200a)에는 데이터구동부의 핀이 결합될 복수의 단자(220a)가 형성되어 있다. 또한, 화소부와 IC 영역(200a) 사이에는 먹스부(250)가 형성되어 3 개의 데이터선이 먹스부(250)의 하나의 먹스를 통해 IC 영역(200a)의 복수의 단자(220a) 중 하나의 단자와 연결된다.
그리고, 주사구동부(300), 발광제어구동부(400) 및 먹스부(250)를 제어하는 신호를 전달하는 복수의 배선이 투명기판(1000) 상에 형성되어 있어 복수의 배선을 통해 외부에서 전달되는 신호에 의해 주사구동부(300), 발광제어구동부(400) 및 먹스부(250)에 신호가 전달된다.
이때, IC 영역(200a)에는 아직 데이터구동부가 결합되어 있지 않아 빈 공간으로 남아 있게 된다. 이러한 빈공간을 이용하기 위해 IC 영역(200a)에 점등신호를 전달하는 신호전달부를 형성한다. 신호 전달부는 외부에서 점등검사신호를 전달받아 각 화소에 전달하는 복수의 트랜지스터(210a)와 정전기에 의해 발생되는 손상을 방지하는 보호부(210b)를 포함한다. 신호전달부는 배선을 통해 외부와 연결되어 점등검사신호를 전달받는다.
상기와 같이 유기전계발광표시장치를 구현한 후 주사구동부(300)와 발광제어구동부(400), 먹스부(250) 및 신호전달부를 구동하여 유기전계발광표시장치의 점등검사를 실시한다.
그리고, 신호전달부는 투명기판(1000) 상에 형성되며, 화소부(100)가 형성될 때 동시에 형성된다. 즉, 하나의 공정을 통해 투명기판(1000) 상에 화소부(100)와 신호전달부가 형성된다. 또한, 주사구동부(300)와 발광제어부(400)도 화소부(100) 및 신호전달부가 형성될 때 동시에 형성된다.
상기와 같이 구성된 유기전계발광표시장치는 제조하는 과정에서 정전기가 전달될 수 있는데, 이러한 정전기로 인해 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)와 화소부(100)의 트랜지스터가 손상을 받을 수 있다. 따라서, 화소부(100)에 손상이 발생하게 되면 제품 불량이 발생하게 되고 신호전달부가 손상되면 점등검사를 실시 할 수 없게 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 신호전달부에 보호부(210b)를 형성한다. 보호부(210b)는 유기전계발광표시장치의 제조과정에서 전달되는 정전기로부터 화소 및/또는 신호전달부를 보호한다.
도 3a은 도 2에 도시된 신호전달부의 제 1 실시예를 나타내는 구조도이고, 도 3b와 도 3c는 도 3a에 도시된 신호전달부의 회로도이다. 도 3a를 도 3b와 도 3c를 참조하여 설명하면, 신호전달부는 점등신호를 전달하는 복수의 트랜지스터(210a)와 신호전달부에 외부에서 전달되는 정전기로부터 복수의 트랜지스터(210a) 등을 보호해주는 보호부(210b)가 형성된다. 그리고 복수의 트랜지스터(210a)는 데이터구동부가 연결될 복수의 단자(220a)와 연결되어 화소부의 데이터선과 연결되게 된다. 보호부(210b)는 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)의 소스와 게이트가 쇼트되도록 형성된다. 즉, 도 3b와 같은 회로가 형성된다. 트랜지스터의 소스와 게이트가 쇼트가 되면 트랜지스터는 다이오드 연결이 되어 도 3c와 같이 표현될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 화소부(100)를 구성하는 각 화소의 형성과정을 설명하면, 기판(1000) 상에 폴리실리콘 등의 반도체층을 형성하고 패터닝 하여 채널영역(미도시)을 형성하고, 그 위에 제 1 절연막(미도시)을 형성한 후 금속층을 형성하고 패터닝하여 게이트 메탈(미도시)을 형성한다. 그리고, 제 2 절연막(미도시)을 그 상부에 형성한 후 금속층을 형성하고 패터닝하여 소스 드레인 메탈(미도시)을 형성한다. 이때, 제 2 절연막에는 컨텍홀(미도시)이 형성되어 있어 소스 드레 인 메탈과 채널영역이 연결되도록 한다. 그리고, 소스 드레인 메탈과 제 2 절연막의 상부에 화소정의막(미도시)를 형성하고 그 상부에 ITO 등의 투명한 금속막을 형성하고 패터닝하여 애노드 전극(미도시)을 형성한다. 그리고, 그 상부에 유기발광층(미도시)을 형성하고 전면에 캐소드 전극(미도시)을 형성하여 유기전계발광표시장치의 화소부(100)를 형성한다.
그리고, 신호전달부가 상기 화소부(100)의 생성과정에서 동일한 공정을 통해 생성되기 때문에, 상기 화소부(100)의 생성과정에 신호전달부의 복수의 트랜지스터와 보호부의 형성과정을 대입하여 설명한다. 도 3a를 참조하면, 화소부(100)의 각 화소에 형성되는 박막트랜지스터들의 채널영역이 형성될 때 신호전달부에 포함되는 트랜지스터들의 채널영역(cr)도 형성된다.
그리고, 채널영역(cr)의 상부에 제 1 절연막(미도시)이 형성되고, 제 1 절연막이 형성된 후 그 위에 게이트 메탈(gm)이 형성된다. 게이트 메탈(gm)은 트랜지스터의 게이트 전극이 된다. 그리고, 게이트 메탈(gm)에 의해 보호부(210b)가 형성되는데, 보호부(210b)가 되는 게이트 메탈(gm)은 굴곡을 갖게 형성되어 좁은 공간에서 길이가 최대한 길게 형성되도록 한다. 그리고, 제 2 절연막(미도시)이 형성된 후 화소부(100)의 트랜지스터의 소스 드레인 메탈이 형성될 때 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)의 소스 드레인 메탈(sdm)이 형성된다. 이때, 제 2 절연막에는 컨텍홀(h1)이 형성되어 있어 소스 드레인 메탈(sdm)과 보호부(210b)를 형성하는 게이트 메탈(gm)이 연결되도록 한다. 따라서, 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)는 소스와 게이트가 연결되어 다이오드 연결이 된다. 따라서, 신호전달부 의 구조와 회로는 도 3b에 도시되어 있는 것과 같이 된다.
그리고, 화소부(100)를 제조하는 공정과 동일한 공정이 수행되므로 신호전달부의 소스 드레인 메탈(sdm) 상부는 화소부(100)의 소스 드레인 메탈(sdm) 상부에 형성되는 층과 동일한 층이 형성된다. 이때, 화소부(100)의 애노드 층은 에칭을 통해 패터닝되어 형성되는데, 에칭과정을 통해 신호전달부의 보호부(210b)를 제거한다. 애노드전극을 에칭하는 방법으로는 갈바닉효과(Galvnnic effect)를 이용하여 보호부(210b)를 제거한다. 그리고, 보호부(210b)의 제거로 인해 신호전달부의 구조는 도 4a에 도시되어 있는 것과 같이 된다.
그리고, 화소부(100)를 완성한 후 점등검사가 수행되는데, 신호전달부는 보호부(210b)가 제거되면 도 4b에 도시되어 있는 것과 같이 신호전달부가 다시 트랜지스터(210a)로 연결되게 된다. 따라서, 신호가 트랜지스터의 동작에 의해 외부에서 화소부(100)로 전달될 수 있어 점등검사를 실시할 수 있게 된다.
따라서, 신호전달부의 보호부(210b)는 상기 보호부(210b)가 형성된 후 제거되는 사이에서 정전기 등으로 인해 화소부와 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)가 손상받는 것을 방지한다. 보호부(210b)에 의해 정전기에 의한 손상을 방지하는 과정을 설명하면 다음과 같다. 정전기가 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)에 전달되게 되면, 복수의 트랜지스터(210a)는 다이오드 연결이 되어 있어 정전기가 회소에 전달되지 않게 된다. 그리고, 보호부(210b)가 도전성 물질인 소스 드레인 메탈(sdm)과 게이트 메탈(gm)로 이루어져 정전기에 의한 전압이 소스 드레인 메탈(sdm)과 게이트 메탈(gm)에 전달된다. 그리고, 정전기가 고전압인 경우 소스 드레인 메탈(sdm)과 게이트 메탈(gm) 사이에 위치하는 제 2 절연막이 터지게 된다. 따라서, 정전기에 의해 보호부(210b)만 손상받게 된다. 따라서, 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)도 보호가 된다.
도 5a는 도 2에 도시된 신호전달부의 제 2 실시예를 나타내는 구조도이고, 도 5b은 도 5a에 도시된 신호전달부를 나타내는 회로도이다. 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명하면, 신호전달부는 점등검사신호를 전달하는 복수의 트랜지스터(210a)와 복수의 트랜지스터와 화소를 보호하는 보호부(210b)로 이루어진다. 보호부(210b)는 저항을 포함하며, 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)에 저항이 연결되도록 한다. 따라서, 정전기가 신호전달부에 전달될 때 정전지의 고전압이 저항에 의해 소비되게 된다. 그리고, 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a) 중 적어도 하나의 트랜지스터는 더미 트랜지스터로써, 점등신호를 전달받지 않고 정전기가 전달되었을 때 정전기에 의해 손상을 받아 다른 트랜지스터를 보호하는 역할을 수행한다.
신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)와 보호부(210b)의 형성과정을 좀더 구체적으로 기술하면, 화소부(100)의 각 화소에 형성되는 박막트랜지스터들의 채널영역이 형성될 때 신호전달부의 복수의 트랜지스터들(210a)의 채널영역(cr)과 보호부(210b)가 형성된다. 보호부(210b)는 역시 반도체층으로 형성된 채널영역으로 이루어진다.
그리고, 채널영역(cr)의 상부에 제 1 절연막(미도시)이 형성되고, 제 1 절연 막이 형성된 후 그 위에 게이트 메탈(gm)이 형성된다. 게이트 메탈(gm)은 복수의 트랜지스터(210a)의 게이트 전극이 된다. 이때, 제 1 절연막에 컨텍홀(h2)이 형성되어 보호부(210b)와 게이트 메탈(gm)이 연결되도록 한다. 또한, 보호부(210b)의 상부에도 게이트 메탈(gm)이 형성되도록 한다. 게이트 메탈(gm)이 형성된 후 이온 도핑 공정을 수행한다. 이때, 게이트 메탈(gm)의 하부의 채널 영역은 이온이 전달되지 않아 진성반도체 영역이 된다. 따라서, 보호부(210b)는 저항값이 큰 저항이 된다. 또한, 저항은 길이가 길면 저항값이 더 커지기 때문에 보호부(210b)가 되는 채널영역(cr)은 굴곡을 갖게 형성되어 좁은 공간에서 길이가 최대한 길게 형성되도록 한다. 그리고, 제 2 절연막(미도시)이 형성된 후 화소부(100)의 복수의 트랜지스터(210a)의 소스 드레인 메탈(sdm)이 형성될 때 신호전달부의 트랜지스터의 소스 드레인 메탈(sdm)이 형성된다. 이때, 제 2 절연막에는 컨텍홀이 형성되어 있어 소스 드레인 메탈(sdm)과 보호부(210b)를 형성하는 채널 영역(cr)이 연결되도록 한다. 따라서, 도 5b에 도시되어 있는 것과 같이 신호전달부의 복수의 트랜지스터(210a)에는 저항이 병렬로 연결되게 된다.
그리고, 화소부를 완성할 때 보호부(210b)는 제거되지 않아도 신호전달부는 복수의 트랜지스터(220b)가 형성되어 있기 때문에 제거할 필요는 없다.
신호전달부의 보호부(210b)에 의해 정전기에 의한 손상을 방지하는 과정을 설명하면, 정전기가 신호전달부에 전달되게 되면, 신호전달부는 복수의 트랜지스터(210a)와 연결되어 있는 저항에 정전기가 전달되게 된다. 따라서, 저항에 의해 정전기가 소비가 되어 정전기에 의한 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 단지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 구조를 나타내는 구조도이다.
도 2는 점등검사 시의 유기전계발광표시장치의 구조도이다.
도 3a은 도 2에 도시된 신호전달부의 제 1 실시예를 나타내는 구조도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 신호전달부의 회로도이다.
도 3c는 도 3a에 도시된 신호전달부의 회로도이다.
도 4a는 도 3a에 도시된 신호전달부에서 보호부가 제거된 상태를 나타내는 구조도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 신호전달부의 회로도이다.
도 5a는 도 2에 도시된 신호전달부의 제 2 실시예를 나타내는 구조도이다.
도 5b은 도 5a에 도시된 신호전달부를 나타내는 회로도이다.

Claims (16)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판 상부에 형성되며 복수의 화소를 포함하는 화소영역; 및
    상기 투명기판 상에 형성되며, 복수의 화소에 점등검사신호를 전달하는 신호전달부를 포함하되,
    상기 신호전달부는
    상기 점등검사신호를 전달하는 복수의 트랜지스터와
    상기 복수의 트랜지스터의 소스와 게이트에 연결되어 상기 복수의 트랜지스터를 보호하는 저항을 구비하는 보호부를 포함하는 유기전계발광표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 저항은 진성반도체인 유기전계발광표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 신호전달부의 복수의 트랜지스터는,
    상기 기판 상에 형성되는 반도체층을 패터닝하여 형성되는 채널영역;
    상기 채널영역 상부와 상기 기판 상에 형성되는 제 1 절연막;
    상기 제 1 절연막 상부에 형성되며 금속층을 패터닝하여 형성되며 상기 저항의 일단과 연결되는 게이트 메탈;
    상기 게이트 메탈과 상기 제 1 절연막의 상부에 형성되는 제 2 절연막;
    상기 제 2 절연막 상부에 금속층을 패터닝하여 형성되고 상기 채널영역에 연결되며, 상기 저항의 일단에 연결되는 소스 드레인 메탈을 포함하는 유기전계발광표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 저항은 상기 채널영역과 동일한 반도체층으로 형성되는 유기전계발광표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 트랜지스터 중 적어도 하나의 트랜지스터는 상기 점등검사신호가 전달되지 않는 유기전계발광표시장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 신호전달부가 위치하는 영역에 데이터구동부가 결합되는 유기전계발광 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 저항의 상부에 게이트 메탈이 형성되는 유기전계발광표시장치.
  8. 투명기판 상에 반도체층을 형성하고 패터닝하여 채널영역을 형성하는 단계;
    상기 투명기판과 상기 채널영역 상부에 제 1 절연막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 절연막의 상부에 금속층을 형성하고 패터닝하여 게이트 메탈을 형성하는 단계;
    상기 제 1 절연막의 상부와 상기 게이트 메탈의 상부에 제 2 절연막을 형성하는 단계;
    상기 제 2 절연막의 상부에 금속층을 형성하고 패터닝하여 소스 드레인 메탈을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 소스 드레인 메탈과 상기 게이트 메탈은 일단이 연결되는 유기전계발광표시장치 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 소스 드레인 메탈과 상기 게이트 메탈이 연결된 지점은 에칭으로 제거되는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 에칭은 갈바닉 효과를 이용하여 제거하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 소스 드레인 메탈과 상기 게이트 메탈의 연결은 게이트 메탈이 연장되도록 형성하고, 상기 소스 드레인 메탈을 상기 게이트 메탈이 연장된 부분의 일단에 컨텍홀을 통해 연결되는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 게이트 메탈을 형성한 후 이온도핑 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  13. 투명기판 상에 반도체층을 형성하고 패터닝하여 제 1 채널영역과 제 2 채널영역을 형성하는 단계;
    상기 투명기판과 상기 제 1 및 제 2 채널영역 상부에 제 1 절연막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 절연막의 상부에 금속층을 형성하고 패터닝하여 상기 제 1 채널영역의 상부에 형성되는 제 1 게이트 메탈과 상기 제 2 채널영역의 상부에 형성되는 제 2 게이트 메탈을 형성하되, 상기 제 1 게이트 메탈과 상기 제 2 채널영역의 일단은 연결되도록 하는 단계;
    상기 제 1 절연막의 상부와 상기 제 1 및 제 2 게이트 메탈의 상부에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 절연막의 상부에 금속층을 형성하고 패터닝하여 소스 드레인 메탈을 형성하되, 상기 소스 드레인 메탈의 일단과 상기 제 2 채널영역의 일단은 연결되는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제 2 게이트 메탈은 상기 제 2 채널영역 전체를 덮는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 게이트 메탈과 상기 제 2 게이트 메탈이 형성된 후 이온도핑공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 채널영역은 진성반도체인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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