TWI304271B - Light emitting device - Google Patents

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Jun Koyama
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Aya Anzai
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Description

1304271 A7 B7 五、發明説明（3 ) \ 成的缺陷容易在其特性中引起耗散作用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在發光元件中，至少起開關元件作用的TFT和提供電 流給OLED的TFT通常被安排在每個像素中。當高驅動能 力（接通電流Ιπ )時在起開關元件作用的TFT中，低關斷 電流（1。〃）是需要的，防止由於熱載效應引起的損壞和提 高可靠性在提供電流給OLED的丁FT中是需要的。進而， 高驅動能力（接通電流Ιπ )，防止由於熱載效應造成損壞 和提高可靠性在資料線路驅動電路中也是需要的。 再者，像素的亮度是由TFT的接通電流（1^ )確定的 ，TFT與OLED電連接並提供電流給EL元件，而不取決於 驅動方式，這就存在一問題，如果在整個表面上顯示白色 的情況下接通電流不是恒定的，就會引起亮度的耗散（ dispersion )。例如，在藉由光發射時間和執行64灰度調節 亮度的情況下，與EL元件電連接並提供電流給OLED的 TF丁的接通電流，從基準點行動一灰度，耗散爲1.56% (=1 /64) 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，當OLED形成的時候，EL層圖案的間隙和EL層 的厚度的不均勻性擾亂基底。亮度輕微有變化。鑒於上述 問題，本發明要解決的課題是，減少每個TFT的特性變化 ，減少發光度的變化。 再者，本發明要解決的課題是，減少與TFT的特性變 化無關的OLED中的變化，和減少發光度的變化。 發明內容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 1304271 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 再者，在習知的主動矩陣型發光裝置中，當試圖提高 解析度時候，孔徑比受到像素部分中保持電容的電極和保 持電容的佈線，TFT，各種佈線等的佈局的限制的問題可能 出現。本發明的目的是提供一像素結構，它提高了像素部 分中的孔徑比。 作爲TFT特性的典型標記，V-I特性曲線是已知的。在 V-I特性曲線中升高處是最陡峭的（也稱上升點），電流値 變化最大。因此，在供給〇LED的電流受到丁F丁控制的情 況下，當上升點散開的時候，提供電流給OLED的TFT的 電流値大量散開。 上升點的電壓値稱做起始値電壓（Vth )，也是TFT的 接通電壓。此外，一般認爲，vth越接近零，越好。認爲， 當Vth變大，會引起驅動電壓增高，功率損耗增大。 在TFT的電流値中有兩種耗散。具體地講，一種是電 流値的簡單耗散3 Sigma，另一種是與在一特定數目的 TFTS總體電流値的中間値（平均値）有關的耗散（在本說 明書中，這種耗散也稱作標準化耗散）。 本發明發現有一種傾向，即後者耗散強烈地取決於閘 電壓値（Vg)。在圖3中，各種通道長度 ’ 20//m，50//m’ l〇〇//m，200/zm，和 400/zm)的 p -通 道型TFT (通道寬度W = 8 // m )中的Vgs與標準化耗散之間 的關係曲線被示出。再者，在圖4中，各種通道長度的n-通道型TFT (通道寬度W= 8// m)中的Vgs與標準化耗散的 關係曲線被示出。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 衣. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 1304271 A7 B7 五、發明説明（5 ) 現在根據TFT的經驗資料，對本發明進行詳細描述。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當提供電流給〇LED的TFT的通道長度做得較長的時 候，電流値變得較小，簡單耗散3sigma減少。丁FT的Vd設 置在- 7V，Vg設置在- 3.25V，通道寬度固定在8//m，通道 長度分別在50//m，100//m，200//m，和400"m中變化。 對於每個TFT，接通電流的耗散和標準化耗散是被測量的 。這些測量被示於圖11中。不過，如圖11中所示，僅當 通道長度做得比較長，電流値變得比較小，但是，與一特 定數目TFT的總體電流的中間値有關的耗散（標準化耗散 )不會改變。 在本發明中，爲了使耗散降低，TFT被設計有一長的 通道長度，比曾經有過的長度長10倍或更多或長幾百倍或 更多，從而TFT可以在特定高的閘電壓下進入接通狀態， 從外面輸入的閘電壓被設以驅動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Vd設定在-7V，通道寬度固定在8#m，通道長度被設 定在50// m的TFT被測量其接通電流耗散和在Vg= V時 測量其標準化耗散。接著，以類似的方式，通道長度是1〇〇 // m的TFT在Vg= -3.75V被測量，通道長度是200 // m的 TFT在Vg= -3.75V被測量，通道長度是400 /z m的TFT在 Vg= -5.75V被測量。這些測量結果示於圖2中。 如圖2所示，當通道長度做得較長，由此閘電壓（Vg )比較大的時候，不僅接通電流的簡單耗散而且標準化耗 散可以被減小。例如，爲了使Vg較大，具有較長通道長度 的TFT被使用。不過，不限於上述方法，爲了使Vg較大’ -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（6 ) 在容許設計限度內，通道寬度W可以做得較短，TFT的源 極區或汲極區可以做成高電阻性，或接觸電阻可以做得較 局。 再者，本發明提供一 TFT，它的通道長度很長，具體 地說，比現有技術的通道長度要長幾十倍到幾百倍，從而 TFT在比過去高得多的驅動閘壓下進入接通狀態，並能夠 具有低的通道電導gd。圖1示出了與圖2對應的資料，它 是一曲線圖，表示在相同條件（Vg，通道寬度，通道長度 )下各個TFT的通道電導gd，如圖2的資料。 在本發明中，當提供電流到〇LED的TF丁是在這樣一 範圍內被做成，即源極-汲極電壓Vd和起始値電壓的總 和大於閘壓Vg，即在這樣一範圍，Vg<(Vd + Vth)的時候，通 道電導從0到lx 1(T8S，最好是5x 1(T9S或更小，進一步， 最好是2x 1(T9S或更小，從而流入TFT的電流的耗散可以 被減小，一定的恒定電流可以流入OLED。 除上述情況以外，由於較小的通道電導g d，由於圖型 化或熱處理使EL層中面積縮小引起的OLED自身的耗散也 可被減小。再者，藉由使通道電導變小，即使〇leD由 於某種原因損壞，流入OLED的電流也可以維持在一恒定 値’結果維持了恒定的亮度。在圖12中，Id-Vd曲線和 OLED的負載曲線被示出。通道電導gd表示Id-Vd曲線的 斜率’隨著通道電導gd做得越小，Id-Vd曲線的斜率變得 越小’導致基本上恒定的電流値。在圖12中，OLED的負 載曲線表示輸入OLED的電流値和當Vg= -3.3V時Vd之間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1304271 A7 B7 五、發明説明（7 ) 的關係，連接到〇LED的p通道丁FT在飽和區中被驅動。 例如，當-Vd是-17V時，由於陰極側上的電壓是-17V，則 輸入到OLED上的電壓就是0V。因此，輸入到OLED上的 電流也變成零。再者OLED的Id-Vd曲線和負載曲線的交叉 點上的電流値與亮度對應。在圖12中，當gd較小時，交 叉點處的-Vd是-7V。在那時，輸入到OLED的電流値是lx 1(Τ6[Α]，對應於這個電流値的亮度發光可以被獲得。當gd 較小的時候，OLED負載曲線無論向左，向右哪邊行動，電 流値幾乎不改變，結果亮度就是均勻的。再者，當單一 〇LED自己耗散的時候，其負載曲線或向右行動或者向左行 動。再者，當〇LED損壞的時候，〇LED的負載曲線移向左 邊。在gd是較大的情況下，當由於損壞OLED的負載曲線 向左邊行動的時候，曲線變成用虛線表示的曲線，和OLED 的負載曲線的交叉點改變了，結果是，損壞前和損壞後的 電流値不同。另一方面，在gd比較小的情況下，即使當 OLED的負載曲線由於損壞而移向左邊，電流値幾乎不變， 從而亮度的分散被減小，結果産生均勻的亮度。 這裏，爲了使通道電導gd較低，通道長度做得較長， 從而TFT在一遠高於現有技術的驅動電壓下進入接通狀態 。不過，用其他方法，通道電導gd可以進一步降低。例如 ，藉由在LDD結構中形成TFT，或藉由把通道形成區分成 多個子區，通道電導gd可以被降低。 用在液晶板中的像素，大多數的η通道TFT，尺寸是 通道長度Lx通道寬度W=12//mx 4/zm，和Lx W=12#mx 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1304271 A7 B7 五、發明説明（9 ) 下的實驗結果，圖19，是閘壓Vg = -10V，Vd = -6V情況下的 實驗結果。在圖1 8和19中，接通電流的中間値（// A )也 被示出。再者，TFT尺寸和半導體層的形狀之間的關係， 和TFT的起始値（Vth )的分散（3Sigma )可以從圖20獲得 〇 從圖18和19看出一種傾向，通道長度L越長，接通 電流的耗散越小。雷射光束的耗散在鐳射掃描速度爲 0.5mm/sec時比在lmm/sec要小，通道長度L做得越長，不 同鐳射掃描速度的耗散差越小。即可以認爲，通道長度L 做得越長，鐳射的耗散減小的越多。再者，可以看到，減 少最多的耗散是Lx W=500 // mx 4// m，接通電流的耗散A 型比B型要小。 鑒於上述情況，從圖18和19中可以看出，發光裝置 的亮度的耗散可以被減小，其中提供電流到OLED的TFT 工作在直到飽和區被達到的電壓範圍內。 再者，當比較固定在一恒定値的流進TFT的電流値的 時候，通道寬度W最好比較小。圖2 1是一圖表，表示當電 流値被固定在恒定値（Id = 0.5 // A )時的耗散。從圖21可以 看到，發光裝置的亮度的耗散可以被減小，其中提供電流 到OLED的TFT工作在飽和區。再者，類似地可以看到減 少最多的耗散是在Lx W=500 // mx 4 // m中，A型接通電流 的耗散小於B型。 再有，從圖20看出一種趨向，通道長度L越長，起始 値電壓（Vih)的耗散越小。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 1304271 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 還有，由於隨著通道長度L做得較長，起始値値和接 通電流兩者的耗散，即TFT的電特性，下降，由此可以認 爲，不僅雷射光束的耗散被減小，而且由於其他過程産生 的耗散也被減少。 還有，同樣是在具有OLED的發光裝置中，可以認爲 ，提供給像素的TFT的佔有面積越小，TFT越好。因爲目 前TFT尺寸較小，單個TFT特性中的耗散就比較大，這是 顯示器顯示參差不齊的主要原因。 在流入OLED的電流由TFT控制的情況下，大致劃分 ，有兩種方法。具體地講，一種方法是控制所謂飽和區的 電壓區中的電流，另一種方法是，控制直到飽和區被達到 的電壓區中的電流。如圖9所示，當某個恒定閘壓被施加 ，同時源極·汲極電壓Vd逐漸上升，在源極和汲極之間流 動的電流値被測量時，TFT的Vd-Id曲線可以被獲得，在某 個Vd値以上電流値變成完全恒定的圖表可以被獲得。在本 說明書中，在Vd-Id曲線中，電流値變成完全恒定的範圍稱 做飽和區。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 即使提供電流給OLED的TFT工作在直到飽和區爲止 的電壓範圍內，本發明也是有效的。不過，當提供電流給 OLED的TFT工作在飽和區的時候，流入OLED的電流是保 持恒定的，減小耗散的效果是明顯的。 再者，最好使用P通道型TFT，它的耗散比n通道型 TFT減少得更多，如圖3和4所示，其中TFT提供電流給 OLED。不過，在本發明中，提供電流給〇LED的TF丁可以 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 是η通道型TFT和P通道型TFT的任何一。在提供電流給 OLED的TFT是p通道型TFT的情況下，連接形式僅如圖 10A中所示。再者，在提供電流給〇LED的丁FT是η通道型 TFT的情況下，連接僅如圖10Β所示。在圖10Α和10Β的 每一種情況下，雖然僅有提供電流給〇LED的丁 FT被示出 ，不用說，在TFT的閘極之後，由多個TFT製成的各種電 路可以被安排。即，電路結構不只一。 在本說明書中公開的本發明的一結構是具有發光元件 的發光裝置，發光元件包括： 一陰極， 一與陰極接觸的有機化合物層；以及 一與有機化合物層接觸的陽極； 其中連到發光元件的TFT的通道長度L是100// m或更 長，最好是100//m到500//m。 在結構中，TFT的通道寬度W與其通道長度L之比是 0.1 到 0.01。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 在本說明書中公開的本發明的另一結構是具有發光元 件的發光裝置，發光元件包括： 陰極； 與陰極接觸的有機化合物層；以及 與有機化合物層接觸的陽極； 其中連到發光元件的TFT的通道寬度W與其通道長度 L的比是0.1到0.01。 在各種結構中，連到發光元件的TFT，在源極-汲極電 15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（12 ) 壓Vd和起始値電壓Vth的總和大於閘壓Vg的範圍內，具有 通道電導gd從0到lx 1(T8S，最好是0到5x 1(T9S，更較佳 的是0到2x 10_9S。 在本說明書中還公開了本發明的另一種結構是具有發 光元件的發光裝置，發光元件包括： 陰極； 與陰極接觸的有機化合物層；以及 與有機化合物層接觸的陽極； 其中連到發光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始 値電壓Vth的總和大於閘壓Vg的範圍內，具有通道電導gd 從 0 到 2x 10_9S。
在各個結構中，連到發光元件的TFT是p通道型TFT 或η通道型TFT。 在本說明書中所謂通道區的區是指這樣一區域，它包 括一部分（也稱爲通道），在這個部分中載子（電子和電 洞）流動，在載子流動方向上通道區的長度叫做通道長度 ，它的寬度就是通道的寬度。 再者，在本說明書中，通道電導gd是指通道的電導， 它可以用下式表示。 [等式1 ]
gd = W(Vg-Vth) β nC〇x/L 在等式1中，L表示通道長度，W是通道寬度，Vg是 閘壓，Vth是起始値電壓，// η是遷移率，Cm是氧化膜電容 。在TFT中，當Vg等於或大於Vth時，通道電導就開始産 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1304271 A7 B7 五、發明説明（13 ) 生。 除此而外，通道長度L做得較長，氧化膜電容Cox就 較大。因此，電容可以部分地用作爲0LED的保持電容。 到現在爲止，爲了形成保持電容，對於每個像素，形成保 持電容的空間是必需的，電容線和電容電極就安排在其中 。不過，當本發明的像素結構被採用的時候，電容線和電 容電極可以被省略。再者，在保持電容和氧化膜電容Cox 一起形成的情況下，保持電容可以由閘電極和半導體（通 道區）形成，半導體（通道區）與閘極重疊，閘絕緣層作 爲電介質，安排在它們之間。因此，即使在TFT的通道長 度做得較長的情況下，如圖5所示，當TFT的半導體層1 〇2 安排在佈置在閘極和源線上層的電源線106的下面的時候 ，像素可以被設計而不減少開口面積比。即，當本像素結 構被實現的時候，即使電容線和電容電極的空間被忽略， 足夠的保持電容可以被提供，因而開口面積比可以得到進 一步提尚。 在TFT尺寸和半導體層形狀的組合中，如圖18和19 所示，氧化膜電容C〇x分別是192 ( fF)對應於Lx W = 87// m 父7//111(矩形形狀）情況，364.5“？）對於1^冒=165//11^7 //111(矩形形狀）情況，111.1(€?)對應於1^\¥=8 8//11^4 //111(矩形形狀）情況，208.3“？）對應於1^”=165//11^4 // m (矩形形狀）情況，631.3(fF)對應於Lx W=500 // mx 4 // m ( A 型）情況，631.3(fF)對應於 Lx W=500 // mx 4// m ( B型）情況。再者，當氧化膜電容Cox被獲得的時候，其 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17 - " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1304271 A7 B7 五、發明説明（14 ) 他値設定如下。即’閘絕緣膜（氧化膜）Tox的膜厚是 115nm，ε。是 8.8542x l(T12(F/m2)，ε。：是 4.1。 再者，在各結構中，連接發光元件的TFT的電容Cox 是100fF或更多，最好是在l〇〇fF到700fF的範圍內。 再者，在各個結構中，連接到發光元件的閘極和安排 在其上的佈線形成一保持電容。具體地講，如圖5所示， 由於層間絕緣膜（有機絕緣膜或無機絕緣膜）安排在閘極 100上作爲電介質，閘電極100和與閘電極重疊的電源線 106就形成一電容。在圖5中’鬧極100和電源線106重疊 (12 // mx 127 // m =約15 24 /zm2)的面積大，可是，取決於 膜的厚度和層間絕緣膜的介電常數，保持電容可以形成。 在閘極1 00和電源線106之間形成的所有電容能夠起EL元 件的保持電容的作用。因此，最適當的較佳設計是，連接 發光元件的丁FT的電容Cox和在TFT的閘極和電源線1〇6 之間形成的電容之總和可以是幾百fF。 在本說明書中，在0LED的陽極和陰極之間形成的所 有層被規定爲有機發光層。具體地講，有機發光層，包括 一發光層，電洞注入層，電子注入層，電洞輸運層，電子 輸運層。基本上，〇LED的結構是，陽極，發光層和陰極是 順序疊置的。除了這種結構，還有其他結構，其中陽極， 電洞注入層，發光層，和陰極是順序疊置的，或者是，陽 極’電洞注入層，發光層，電子輸運層，和陰極是順序疊 置的。 一 0LED包括一含有機化合物（有機光發射材料）的 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -P4· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 1304271 A7 B7 五、發明説明（15 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層（以後稱作，有機發光層），由此，當電場被加到陽極 和陰極上的時候，可獲得發光（電-發光）。在有機化合物 的發光中，有當激發的單重態弛豫到基態（螢光）時產生 的發光，有當激發的三重態弛豫到基態時産生的發光（磷 光）。在本發明的發光裝置中或者上述發光之一被使用， 或者兩種發光都被使用。 再者，在上面，頂閘型TFT已被解釋。不過，本發明 的應用不限於特定的TFT結構。本發明可以用於底閘型（ 反交錯型）TFT和前交錯型TFT。 #-· 還有，在本發明的發光裝置中，顯示幕的驅動方法不 限於特定的方法。例如，點順序驅動方法，線順序驅動方 法或平面順序驅動方法可以被使用。特別是，對於線順序 驅動方法，分劃時級驅動方法或面積分級驅動方法可以被 適當應用。再者，輸入到發光裝置的源極線路的視頻信號 可以是類比信號或數位信號，驅動電路等可以適當根據視 頻信號進行設計。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施方式 下面，實現本發明的模型將被解釋。 圖5是具有OLED的發光裝置的像素部分的局部放大頂 視圖。在圖5中，爲簡單起見，EL層未示出，僅僅一 OLED的電極（像素電極107 )被示出。 在圖5中，半導體層101是作爲開關TFT的主動層工 作，與閘極佈線1 05重疊的區是通道形成區，與源極佈線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -19- 1304271 A7 B7 五、發明説明（16 ) 104連接的區域是源極區（或汲極區），與連接電極103連 接的區域是汲極區（或源極區）。開關TFT是一雙閘結構 ，它有兩個通道形成區。 再者，半導體層102是作爲TFT的主動層工作，丁ft 提供電流給OLED，與閘電極重疊的區是通道形成區。提供 電流給〇LED的丁FT的閘電極1〇〇與連接電極1〇3連接。 還有，提供電流給OLED的TFT的源極區（或汲極區）和 電源線106連接，提供電流給〇LED的TFT的汲極區（或 源極區）和連接電極108連接，像素電極107與連接電極 108接觸。再者，在閘電極1〇〇上，電源線1〇6和相鄰像素 的源極佈線被安排成部分重疊。半導體層1 02，在與具有閘 絕緣膜插入其間的閘電極重疊的通道形成區的上方，電源 線1 06和相鄰像素的源極佈線被安排成局部重疊。在閘電 極100和電源線106之間形成的所有電容可被用作EL元件 的保持電容。因此，對於在閘電極100和電源線106之間 形成的電容，必要的保持電容可以在一定程度上得到保證 〇 再者，圖6是圖5對應的頂視圖，它是在半導體層1〇1 和102，閘極佈線1 05和閘電極1 00形成階段的視圖。半導 體層102與具有閘絕緣膜（未示出）插入其中的閘電極1〇〇 重疊的區，即，通道形成區在圖6中用虛線示出。
本發明打算提供一種對OLED提供電流的TFT，在該 TFT中，通道區的長度（通道長度L )被做得特殊地長（ L=100到500 // m，在本情況下採用500 /z m)，由此，TFT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1304271 a7 B7 五、發明説明（17 ) 能夠在比現有技術高得多的驅動閘壓上進入接通狀態’其 通道電導gd較小（gd = 0到lx 1〇·、’最好是5x l〇-9S或更 小，在本情況中是2x 10_9S或更小）。 由於採取上述結構，如圖2所示，在一組TFT被安排 的像素部分中，在提供電流給0LED的TFT中’不僅接通 電流的簡單耗散而且其標準化耗散可以被減小’結果是具 有OLED的顯示裝置的亮度耗散也減小。 再者，由於流入OLED的電流被控制在所謂飽和區的 範圍內的OLED驅動方法被採用’本發明展示出極明顯的 效果。當如圖12的結構被採用的時候，除在各個TFT之間 的耗散減少而外，OLED製造中引起的耗散（在製作佈線圖 案和熱處理中EL層的面積壓縮引起的OLED本身的耗散） 可以被減少。再者，由於採用了圖12的結構’除了在各個 TFT之間的耗散減少而外’即使OLED由於某種原因被損壞 ，流入OLED的電流可以保持恒定，結果是保持了恒定的 売度。 再者，在本發明中，作爲驅動OLED的方法，在直到 飽和區達到爲止的電壓區中控制流入OLED的電流的方法 也是有用的。 不用說，本發明不限於圖5和圖6所示的頂視圖。在 圖5和6中，發光裝置穿過在其上形成TFT的基底發光（ 圖14所示發光裝置是一典型）被解釋。因此，像素電極 107，開口面積部分是一連接電極108不能形成的區，爲了 使開口面積部分較大，通道長度L長的TFT被安排在電源 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS)A4規格（210X297公釐） .-21 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局ϋ貝工消費合作社印製 1304271 A7 B7 五、發明説明（18 ) 線106和源極佈線的下面。在通道長度L長的TFT的閘極 100和電源線106之間形成的電容可以被用作EL元件的保 持電容。再者，在圖5和6相反方向上發光的發光元件情 況下（圖15所示發光元件是一典型）開口面積部分變得與 像素電極相同的區。因此，通道長度L長的TFT可以安排 在懞^素電極的下面，具有500 # m或更長通道長度L的TFT 可以被製成。 再者，當如圖5和6所示像素結構被採用，如果沒有 形成保持電容的電容部分，氧化膜電容Cox可以部分地用 作保持電容。不過，在一像素中，保持電容和一記憶體（ SRAM，DRAM等）可以形成。還有，再一像素中，多個 TFT (兩個或多個TFT )和各種電路（電流鏡像電路等）可 以被加入。 再者，雖然上述頂部聞型TFT被解釋，本發明不考慮 TFT的結構，都可以被應用。例如本發明可以應用於底部 閘型（反交錯型）TFT和前交錯型TFT。 本發明的結構將參照下面實施例做出詳細描述。 最佳實施例 [實施例1] 這裏詳細描述，在同一基底上製造像素部分和在像素 部分的周圍提供的驅動電路的TFT ( η通道丁FT和p ^道 TFT )以便製造具有0LED的發光裝置。 對於基底絕緣膜301的下層，由作爲材料氣體@ siH4 .·· -------*---裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） 22- 1304271 A7 B7 五、發明説明（19) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，NH3和N2〇形成的矽氮氧化合物膜（成分比·· Si = 32%， 0 = 27%，N = 24%，H=17% )形成在耐熱玻璃基底上（第一基 底300 )，玻璃基底具有0.7mm的厚度’該化合物具有 5 0nm (最好是10-200nm)的厚度，是在用電漿CVD的膜澱 積溫度400°C下形成的。然後，在表面用臭氧水淸洗以後， 表面上的氧化膜用稀的氫氟酸（稀釋到1/100)除去。其次 ，對於基底絕緣膜302的上層，由5旧4和N2〇作爲材料氣 體形成的矽氫化物氮氧化合物膜（成分比：Si = 32%，0 = 59% ，N = 7%，H = 2% )形成在其上，它的厚度是100nm (最好是 50-200nm)，條件是，在用電漿CVD的膜澱積溫度40CTC 下形成，從而形成一疊層結構。進一步，如果沒有暴露大 氣，具有非晶結構（這裏是，非晶矽膜）的半導體膜被形 成爲具有54nm的厚度（最好是25-80nm)條件是，SiH4作 爲膜澱積氣體，用電漿CVD膜灑積溫度300°C下形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，基底絕緣膜104是以兩層結構的形式 示出的，但是單層絕緣膜或兩層或更多層疊壓在一起的結 構也可以被採用。進一步，在半導體膜的材料上沒有限制 。不過，半導體膜最好可以由矽或矽鍺合金（Sil.xGex (χ = 0.0001 -0·02))，用習知方法形成（濺射，LPCVD，電漿分 層CVD，等等）。再者，電漿CVD設備可以是單晶片型或 批量型。此外，基底絕緣膜和半導體膜可以在同一膜形成 小室中連續形成而不暴露大氣。 接著，在具有非晶結構的半導體膜的表面被淸潔以後 ，厚度約2nm的極薄的氧化膜由臭氧水而形成在表面上。 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，爲了控制TFT的起始値値，摻雜微量雜質元素（ 或磷）被實行。這裏，離子摻雜方法被採用，其中乙硼院 (B2H6 )被電漿激發而無質量分離，硼被加入到非晶矽膜中 ’摻雜條件是：加速電壓15KV，用氫稀釋到1%的乙硼院 的氣體流速爲30sccm ; 2x 1012/cm2的輻射劑量。 然後，含重量lOppm的鎳的鎳醋酸鹽溶液藉由旋轉器 被塗敷。代替塗敷，藉由濺射把鎳元素濺射到整個表面的 方法可以使用。 然後，熱處理進行晶化，由此形成具有結晶結構的半 導體膜。熱過程使用電爐或強光輻射以實行熱處理。在使 用電爐的熱過程中，熱過程在500°C -650°C，進行4-24小時 。這裏，在脫氫熱過程（ 500t，1小時）進行以後，晶化 熱過程（5 5 0 °C，4小時）被進行，由此獲得具有結晶結構 的矽膜。注意，雖然熱過程使用電爐進行晶化，晶化也可 以藉由燈光退火設備實行。同時注意，雖然晶化技術這裏 使用鎳作爲金屬元素以促進矽的晶化，其他已知晶化技術 也可採用，例如，固相生長方法和鐳射晶化方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，在具有結晶結構的矽膜表面上的氧化膜用稀釋 氫氟酸等淸除以後，在大氣或含氧大氣中進行第一鐳射（ XeCl :波長308nm )輻射以提高晶化速率和修復保留在晶粒 中的缺陷。波長400nm或更小的準分子雷射器鐳射，或 YAG雷射器的二次諧波或三次諧波被用作鐳射。在任何情 況下，具有近似10- 1000Hz的重複頻率的脈衝鐳射被使用， 脈衝鐳射藉由光系統聚光到100-500m：f/cm2，輻射以90-95% -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（21 ) 的重疊率被進行，由此，矽膜表面可以被掃描。這裏，第 一鐳射的輻射是以30Hz的重複頻率，470mJ/cm2的能量密 度在大氣中進行。注意，因爲輻射是在大氣中或含氧大氣 中進行，氧化膜藉由第一激光輻射就形成在表面上。雖然 使用脈衝鐳射的例子在這裏被示出，連續振盪鐳射也可以 被使用。當非晶半導體膜的晶化被進行的時候，最好是藉 由固態雷射器來運用基波的二次諧波到四次諧波，固態雷 射器能夠連續振盪以獲得大晶粒尺寸的晶體。最好是，使 用Nd:YV〇4雷射器（基波1064mm)的二次諧波（在532nm 厚度）或三次諧波（在35 5nm厚度）。具體地，由10W輸 出的連續振盪型YV〇4雷射器發射的雷射光束藉由非線性光 學元件轉化成諧波。同時，應用YV〇4的晶體和非線性光學 元件發射諧波到一共振腔。最好是藉由光學系統使雷射光 束具有矩形形狀或橢園形狀，由此輻射待處理的基底。這 時近似0.01到lOOMW/cm2 (最好是0.1到10MW/cm2)的能 量密度是需要的。半導體膜以相對於雷射光束以1 0到 2000cm/s的速度行動，從而對半導體膜進行輻射。 雖然在使用鎳作金屬元素以促進晶化的熱處理被實行 以後激光輻射技術被進行，非晶矽膜的晶化也可以使用連 續振盪雷射器（YV〇4雷射器的二次諧波）進行而不做鎳摻 雜。 這種激光輻射形成的氧化膜和用臭氧水在1 20秒內處 理表面形成的氧化層共同形成一阻擋層，它的厚度總共是 l-5nm。雖然這裏阻擋層是用臭氧水形成的，其他方法，例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T ρ. 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 1304271 A7 _B7 五、發明説明（22 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如在含氧大氣中紫外線照射或氧化物電漿處理使具有非晶 結構的半導體膜的表面氧化的方法也可被採用。此外，作 爲形成阻擋層的其他方法，藉由電漿CVD方法，濺射方法 ，蒸發方法等，可以澱積厚度約lnm到lOiim的氧化物膜。 在本說明書中，術語“阻擋層”是指這樣的一層，它具有 膜的性質或膜的厚度，在吸收步驟中它允許金屬元素藉由 ，在除去用作除氣位置的層的步驟中它起一腐蝕停止層的 作用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在阻擋層上，含氬元素的非晶矽膜形成厚度是50到 4 OOnm，在本實施例中，藉由濺射作爲除氣位置的層厚度爲 1 5 Onm。在本實施例中，使用濺射方法的膜形成條件包括， 設定膜形成壓力0.3Pa，氣體（Ar )流速50sccm，膜形成功 率爲3kW，基底溫度150°C。在上述條件下形成非晶矽膜， 它包含氧，原子濃度是lxlO19到3xl019/cm3，包含氬元素 ，原子濃度是3x 102Q到6x 102Vcm3。此後，電加熱爐用在 熱處理中，在55(TC運行4小時，除氣，以減少具有結晶結 構的半導體膜中的鎳濃度。燈光退火設備可以用來代替電 加熱爐。 接著，包含氬元素的非晶矽膜，它是除氣位置，借助 被作爲腐蝕停止層的阻擋層部分被地除去，然後，阻擋層 被稀釋氫氟酸部分地除去。注意在除氣中，鎳可能進入高 氧濃度區，因此，希望由氧化膜組成的阻擋層是在除氣以 後被除去。 然後，在薄氧化膜由臭氧水形成在已得到的具有結晶 -26· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 29*7公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（24 ) 氮化鈦膜的位置。此外，單一層結構也可以被採用。 -------Γ丨衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 一 ICP (感應耦合電漿）腐蝕方法可被較好地用於上述 第一和第二導電膜的腐蝕過程（第一和第二腐鈾過程）。 ICP腐蝕方法被使用，腐蝕條件（應用於線圈形狀電極的電 能，應用於基底側上電極的電能，基底側上電極的溫度， 等等）被適當調節，從而膜可以被腐蝕到具有所希望的圓 錐形狀。在本實施例中，在抗蝕劑掩模形成以後，功率 7 00W的RF ( 13.5 6MHz )，在作爲第一腐蝕條件的壓力IPa 下，被施加於線圈形狀的電極，CF4，SF6，NF;和〇2可用作 爲腐蝕氣體。每種氣體流速被設定在25/25/1 0 (Sccm)， 功率150 W的RF ( 13.56MHz)也被加在基底上（樣品台） 以基本上施加一負的自偏置電壓。注意，基底側上的電極 面積的尺寸是1 2.5 c m X 1 2.5 c m，線圈形電極（包括線圈的石 英盤在這裏被應用）具有25cm的直徑。在第一腐蝕條件下 ，W膜被腐蝕，使第一導電層的端部成爲圓錐形狀。然後 ，抗蝕劑掩模被除去，第二腐蝕條件被採用。CF4和Ch被 用作腐蝕氣體，氣體流速被設定在30/30secm，功率500W 的RF ( 13.56MHz)，在壓力1 Pa下，被加到線圈形狀的電 極上，以產生電漿，由此在大約30秒內實行腐蝕。功率 20W的RF ( 13.56MHz)也被加到基底側（樣品台），以基 本上施加一負的自偏置電壓。在CF4和Cl2被混合的第二腐 蝕條件下，W膜和TaN膜兩者在相同水平上被腐蝕。這裏 ，第一腐蝕條件和第二腐蝕條件被稱做第一腐蝕處理。 第二腐蝕處理被實行而不除去抗蝕劑掩模。其中，CF4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ _ 1304271 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（25) 和012被用作腐蝕氣體，氣體流速被設定在30/30sccm’功 率500W的RF ( 13·56ΜΗζ)在壓力IPa下，被加到線圈形 狀電極，以産生電漿，從而實行腐蝕約60秒。功率20W的 RF ( 13.56MHz)也加到基底側（樣品台）5以基本上施加 一負的自偏置電壓。然後，第四腐蝕處理被實行而不除去 抗蝕劑掩模，CF4，ci2和〇2被用作腐蝕氣體，氣體的流速 被設定在 20/20/20sccm，功率 500W 的 RF ( 13·56ΜΗζ)在 1 個Pa壓力下被加在線圈形電極上，以産生電漿，從而實行 約20秒鐘的腐蝕。功率20W的RF ( 13·5 6ΜΗζ)也被加到 基底側（樣品台），以基本上施加一負的自偏置電壓。這 裏，第三腐蝕條件和第四腐蝕條件被稱做第二腐蝕處理。 在這個階段上，閘電極和由作爲下層的第一導電層304a和 作爲上層的第二導電層304b構成的電極304，305到307被 形成。在這種情況下，像素的上層結構可以被形成，如圖6 所示。 在除去抗鈾劑掩模以後，第一摻雜處理被進行，用閘 極304-307作爲掩模摻雜到整個表面。第一摻雜處理使用離 子摻雜或離子注入。在離子摻雜中，劑量設定在1.5x 1〇14 原子/cm2，加速電壓設定在60到lOOKeV。一般地，磷（P )和砷（As )被用作雜質元素，它們提供η-型導電性。第 一雜質區（η…區）322到325，以自對準方式形成。 接著，新的抗鈾劑掩模被形成。形成的掩模蓋住通道 形成區或蓋住形成像素部分401的開關TFT 403的半導體層 部分。掩模保護通道形成區或形成驅動電路的P-通道406 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
、1T f 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29- 1304271 A7 B7 五、發明説明（26 ) 的半導體層部分。此外，掩模蓋住形成像素部分401的電 流控制TFT 404的半導體層的通道形成區或其周圍部分。 其次，藉由使用實行離子摻雜方法的劑掩模選擇地實 行第二摻雜處理，雜質區（ιΤ區）與閘極的一部分重疊。藉 由離子摻雜方法或離子注入方法第二摻雜過程可以被實行 。在本實施例中，實行離子摻雜方法的摻雜條件是，用氫 稀釋到5%的磷化氫的氣體流速是30sccm，劑量是1.5x 1013 原子/cm2，加速電壓是90KV。抗蝕劑掩模和第二導電膜作 爲η型摻雜雜質元素的掩模，第二雜質區311和312被形 成。濃度是，lx 1〇16到lx 10”原子/cm3的η型摻雜雜質元 素被加到雜質區311和312。在本實施例中，作爲第二雜質 區的相同濃度範圍的區稱做ιΓ區。 第三摻雜過程被實行而不除去抗蝕劑作的掩模。第三 摻雜過程可以藉由離子摻雜或離子注入的方法實行。作爲η 型摻雜雜質元素一般可以用磷（Ρ)或砷（AS)。在本實施 例中，離子摻雜法實行的條件是，用途稀釋到5 %的磷化氫 (PH3 )的氣體流動速度爲40sccm，劑量2x 1013原子/cm2， 加速電壓80KV。在這種情況下，抗鈾劑掩模，第一導電層 ，第二導電層起著η型摻雜雜質元素的掩模作用，從而雜 質區313，314和326到328被形成。濃度範圍是lx 102Q到 lx 1 021原子/cm3的η型摻雜雜質元素被加到第三雜質區313 和314中。在本實施例中，作爲第三雜質區的相同濃度範 圍的區稱爲η +區。 在抗鈾劑掩模被除去以後，由抗蝕劑製成的掩模被形 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） -30- 1304271 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（27 ) 成以實行第四摻雜處理。藉由第四摻雜處理’第四雜質區 318, 319，332 和 333，以及第 5 雜質區 316，317，330 和 331被形成，它是形成P-通道型TFT的半導體層’其中p 型摻雜雜質元素被加入。 濃度是lx 1〇2()到lx 1〇21原子/cm3的P型摻雜雜質元素 被加到第四雜質區318，319，332和333。注意，在第四雜 質區318，319，332和333中，磷（P).在前面的步驟（η… 區）中被加入，而ρ型摻雜雜質元素被加入的濃度是磷的 1.5到3倍。因此，第四雜質區318，319，332和3 3 3具有 Ρ型導電性。在本實施例中，作爲第四雜質區的相同濃度範 圍的區稱做Ρ +區。 第五雜質區316，317，330和331與第二導電層的錐形 部分重疊，加入ρ型雜質元素的濃度範圍是lx 1018到lx 102()原子/cm3。在本實施例中，作爲第五雜質區的相同濃度 範圍的區被稱做F區。 藉由上述步驟，具有η型或ρ型摻雜雜質元素的雜質 區形成在各自的半導體層中。導電層304到307成爲TFT 的閘電極。 其次，完全蓋住整個表面的絕緣膜（未示出）被形成 。在本實施例中，50nm厚的矽氧化膜藉由電漿CVD形成。 當然，絕緣膜不限於矽氧化膜，其他含矽的絕緣膜可以用 在單層或層疊結構中。 然後，啓動加入到各個半導體層中的雜質元素的步驟 被進行。在啓動步驟中，使用燈光源的快速熱退火（RTA ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 f 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 1304271 A7 B7 五、發明説明（28 ) 方法，來自YAG雷射器，或準分子雷射器從背表面發射的 _射光的方法，用加熱爐進行熱處理，或上述方法的組合 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 被使用。 再者，雖然在本實施例中，絕緣膜形成是在啓動步驟 以前，但形成絕緣膜的步驟也可以在啓動步驟進行以後進 行。 其次，第一層間絕緣膜308由氮化矽膜形成，熱處理 (300到5 50°C，1到12個小時）被進行，由此而使半導體 層氫化。這個步驟是藉由包含在第一層間絕緣膜308中的 氫而使半導體層的懸挂鍵終止的步驟。半導體層可以被氫 化，而不考慮矽氧化膜形成的絕緣膜（未示出）.的存在。 作爲氫化的其他方法，電漿氫化（使用電漿激發氫）可以 被採用。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 其次，第二層間絕緣膜309由有機絕緣材料形成在第 一層間絕緣膜3 0 8上。在本實施例中，具有厚度1.6 // m的 丙烯酸樹脂膜309a藉由塗層方法形成。進一步，厚200nm 的氮化矽膜309b藉由濺射方法形成。在本實施例中，在厚 1.6 // m的丙烯酸樹脂膜上澱積氮化矽膜的例子被示出。材 料或絕緣膜的厚度不受限制。在閘電極和在閘極上的電源 電流線之間形成電容的情況下，有機絕緣膜和無機絕緣膜 的厚度可以是0.5//m到2.0/zm。 其次，像素電極334被形成，它與包括p通道TFT的 電流控制TFT 404的汲極區接觸，以便和後來形成的連接 電極接觸和交疊。在本實施例中，像素電極起一 OLED陽 -32- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（29) 極的作用，它是透明的導電膜，透過從OLED到像素電極 的光。 接觸孔到達作爲閘電極或閘極佈線的導電層，接觸孔 到達每個雜質區。在本實施例中，多個腐蝕處理被順序進 行。在本實施例中，第三層間絕緣膜被腐蝕，是用第二層 間絕緣膜作爲腐蝕停止層，第一層間絕緣膜被腐蝕是在用 第一層間絕緣膜作爲腐蝕停止層腐蝕第二層間絕緣膜之後 進行。 此後，電極335到341藉由使用Al，Ti，Mo，W等形成 。具體地說，源極佈線，電源線，引出電極和連接電極被 形成。作爲電極和佈線的材料，有A1膜（350nm厚），包 括Ti膜（llOnm厚）和矽，和Ti膜（50nm厚）的層疊膜 被使用。製作圖案被完成。因此，源極電極，源極佈線， 連接電極，引出電極，供電線路都合適地形成。進而，與 層間絕緣膜交疊的閘極佈線接觸的引出電極被提供在閘極 佈線的邊緣部分中。其中多個電極與外電路和外電源連接 的一輸入-輸出端點部分形成在每根佈線的其他邊緣部分中 。與予先形成的像素電極334接觸和交疊的連接電極341， 與電流控制TFT404的汲極區接觸。 如上所述，具有一 η通道丁FT405，一 p通道TFT406的 驅動電路402，組合互補的η通道TFT 405和ρ通道TFT 406的CMOS電路，和在一像素中提供多個η通道TFT s403 或多個P通道TFT 404的像素部分401，被形成。 在本實施例中，連接OLED 400的ρ通道TFT 404的通 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -33- 1304271 Α7 Β7 五、發明説明（3〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 道形成區329的長度很長。例如，頂部表面結構可以形成 如圖5所示，在圖5中，通道L的長度是500//m，通道的 寬度W是4 // m。 每個電極的圖形化被完成，進行熱處理以除去抗鈾劑 。被稱作觸排（bank)的絕緣體342a，34 2b被形成，與像 素電極334的邊緣部分交疊。觸排342a和342b可以用含矽 或樹脂膜的絕緣膜製成。這裏，在觸排342a藉由對有機樹 脂膜製成的絕緣膜進行圖形化而形成以後，氮化矽膜藉由 濺射方法製成。觸排342b藉由圖形化製成。 其次，EL層343形成在像素電極334上，它的端部被 觸排蓋住，OLED的陰極344形成在其上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 EL層343 (發光層和載子行動引起發光層）具有一發 光層和一電荷傳輸層和電荷注入層的自由組合。例如，低 分子量有機EL材料或高分子量有機EL材料被用於形成EL 層。EL層可以是由光發射材料製成的薄膜，該材料藉由單 重態激發而發光（螢光）（一種單重態化合物）或是由三 重態激發而發光的光發射材料製成的薄膜（磷光）（三重 態化合物）。無機材料，例如碳化矽可以用於電荷傳輸層 和電荷注入層。已知的有機EL材料和無機材料可以被利用 〇 就是說，最好的陰極344的材料是具有小的功函數的 金屬（一般是，屬於周期表中1或2族的金屬元素）或是 這些金屬的合金。由於功函數較小，光發射效率得到提高 。因此，含Li (鋰），它是鹼性金屬之一，的合金材料， 本纸張尺度適财關家料（CNS ) A4規格（21GX297公楚） IT ------ 1304271 A7 B7 五、發明説明（31 ) 特別希望用作陰極材料。陰極也可以作爲所有像素的共用 佈線，它在藉由連接佈線的輸入端點部分中有一端點電極 〇 圖7是迄今完成的一種狀態。 其次，具有至少一陰極，一有機化合物層，和一陽極 的OLED較佳用有機樹脂、保護膜、密封基底密封，或者 密封OLED使之完全與外部隔絕，以防止外部物質滲透， 例如是濕氣或氧氣，它們會由於EL層的氧化而加速OLED 變壞。不過，在FPC必須在後來連到其上的輸入-輸出端點 部分中不需要提供保護膜等。 FPC (軟性印刷電路）藉由各向異性導電材料連到輸 入-輸出端點部分的電極上。各向異性導電材料是由樹脂和 直徑幾十到幾百// m的導電顆粒組成的，顆粒表面鍍有Au 等。 如果必要，光學薄膜，像由偏振片和相位差片組成的 因偏振片可以被提供，1C晶片可以被安裝。 根據上述步驟，連接FPC的元件型發光裝置被完成了 〇 再者，當全彩色顯示的時候，本實施例的像素部分中 的等效電路圖被示於圖8中。圖8中參考標號701對應於 圖7的開關TFT403，參考標號702對應於電流控制TFT 404。顯示紅光到電流控制TFT 404的汲極區的OLED 703R 與像素連接，陽極側電源線R706R被製造在源極區中。再 者，陰極側電源線700被製造在OLED 703R中。再者，顯 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -35- 1304271 A7 B7 五、發明説明（32) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 示綠光到電流控制TF丁的汲極區的〇LED 703G與像素連接 ，陽極側電源線G706G被製造在源極區中。再者，顯示蘭 光到電流控制TFT的汲極區的〇LED 703B與像素連接，陽 極側電源線B7 06 B被製造在源極區中。不同電壓被加到每 個像素上，像素具有根據EL材料的不同的顔色。爲了減小 通道電導gd，通道長度做得較長，使得用比習知情況高的 閘極電壓驅動到接通狀態。 在本實施例中，作爲一種顯示驅動方法，分時灰度標 驅動方法是線性連續驅動方法的一種。爲了輸入一影像信 號到源極佈線，類比信號和數位信號兩者都可被使用。驅 動電路等可以合理的根據影像信號來進行設計。 [實施例2] 本實施例示出一頂視圖（圖5和6 )，它是實施例1中 像素部分的局部放大圖，部分與圖5和6不同的頂視圖示 於圖13A和13B中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3 A是與圖6對應的頂視圖，相同的部分用相同的 符號標示。圖13A是半導體層1102的例子，它具有不同的 圖案形狀，代替了圖6中所示的半導體層1 〇2。在本實施例 中，半導體層1102是曲折的。如圖13A所示，通道長Lx 通道寬W與圖6相同，即500 //mx4//m。除了半導體層 1 102具有不同的圖案形狀外，圖13A與實施例1相同，因 此，其他解釋可以參照實施例1。 圖13B示出了另一不同的頂視圖。對應於圖6的相同 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 1304271 A7 B7 五、發明説明（33 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 部分用相同的符號標示。圖13B示出了一具有不同圖案形 狀的半導體層1202它代替圖6中所示半導體層1〇2，電極 1 200代替電極1〇〇。圖13B中通道長度是i65//m。除了半 導體層1 202和電極1200具有不同的圖案形狀外，圖13B 與實施例1相同，所以其他解釋可以參照實施例1。 本實施例可以和實施例模式或實施例1結合。 [實施例3] 藉由實施例1或2獲得的元件型發光裝置（也稱爲EL 元件）的頂視圖和截面視圖已經被解釋。 圖6A是EL元件的頂視圖，圖14B是沿圖14A的A-A， 線截取的橫截面視圖。在圖14A中，基底絕緣膜501形成 在基底500 (例如是耐熱玻璃）上，像素部分5〇2，源驅動 電路504’聞極驅動電路503形成在它上面。這些像素部分 和驅動電路可以由實施例1或2獲得。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 標號518是有機樹脂，參考標號519是保護膜，像素 部分和驅動電路用有機樹脂5 1 8蓋住，有機樹脂5 1 8被保 護膜519蓋住。此外，覆蓋材料用粘結材料可用於密封。 覆蓋材料可被粘結在剝離之前充作支撐介質。 發送信號輸入到源極驅動電路504和閘極驅動電路503 的佈線508被提供。視頻信號，時脈信號等，藉由用作外 部輸入端的軟性印刷電路（FPC )的佈線508接收。雖然只 對FPC被解釋，印刷線路板（PWB )可以固定到FPC上。 在本說明書中所述發光裝置也包括發光裝置主件和FPC， -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（34 ) 或連到主件的PWB的組合。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，在圖14B的截面視圖中所見本實施例的結構將 被描述。基底絕緣膜501被提供在基底500上，像素部分 5 02和閘極驅動電路503形成在絕緣膜501上。像素部分 502由電流控制TFT511，和一組包括連接到電流控制TFT 511的汲極的像素電極512的像素構成。閘極驅動電路503 用CMOS電路製成，它包括η通道TFT 513和p通道丁FT 5 14的組合。 在這些電路中（包括TFT 511，513和514 )的TFT可 以根據實施例1的η通道TFT和p通道TFT製造。 每個像素電極512起發光元件的陰極的作用。觸排515 形成在像素電極5 1 2的相反端。有機化合物層5 1 6和光發 射件的陽極517形成在像素電極512上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機化合物層516(發光層和載子行動引起發光層）具 有一發光層和一電荷輸運層和電荷注入層的自由組合。例 如，低分子量有機化合物材料或高分子量有機化合物材料 被用於製成有機化合物層。有機化合物層516可以是藉由 單重態激發而發光的發光材料製成的薄膜（螢光）（單重 態化合物）或是藉由三重態激發而發光的發光材料製成的 薄膜（磷光）（三重態化合物）。無機材料，例如碳化矽 可以用於電荷傳輸層和電荷注入層。已知的有機材料和無 機材料可以被採用。 陽極517也起所有像素公用連接佈線的作用。陽極517 藉由連接佈線508電連接到FPC 509。像素部分502中包含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 〇〇 · " '' 1304271 A7 B7 五、發明説明（35 ) 的所有裝置和閘極驅動電路5〇3被陽極517，有機樹脂518 和保護膜519覆蓋。 最好7H ’對於可見光具有最高透明度或半透明度的材 料用於作爲密封材料5丨8。同時，密封材料5丨8最好是能最 高效地限制水和氧氣的滲透。 最好是在密封材料518的表面（暴露的表面）上提供 由DLC膜製造的保護膜519，如圖14A和14B所示，這是 在發光裝置完全被密封材料5丨8蓋住以後進行的。保護膜 可以提供在整個表面上，包括基底的背表面。在這種情況 下’必須小心’以避免保護膜形成在外部輸入端（FPC )被 提供的區域上。爲了避免膜形成在外部輸入端區域上，掩 模可以被使用’或者端部區可以用一帶，例如是Teflon帶 (指不標記）’作爲CVD設備中的掩模帶覆蓋。爲了形成 保護膜519，氮化矽膜，DLC膜，或AINx〇y膜可以被採用 〇 發光裝置被封裝在上述具有保護膜519的結構中以便 使發光裝置與外部完全隔離，以防止藉由氧化作用損壞有 機化合物層的物質，例如水和氧氣從外部進入發光裝置。 因此，高可靠性的發光裝置可以被獲得。 其他裝置是可以想象的，其中像素電極被用作陰極， 有機化合物層和具有透射率性質的陽極聯合形成，以便在 圖14中指示的方向的相反方向中發射光。圖15是這種裝 置的一例子。這個裝置在與圖14相同的頂視圖中被解釋， 並因此將僅參考橫截面視圖予以描述。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 P. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39- 1304271 A7 B7 五、發明説明（36 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖15的橫截面視圖中所示結構將被描述。絕緣膜610 形成在膜基底600上，像素部分602和閘極側驅動電路603 形成在絕緣膜610上。像素部分602藉由一組包括一電流 控制TFT 611的像素和一電連接到電流控制TFT 611的汲極 的像素電極612形成。閘極側驅動電路603是用CMOS電路 形成，它是η通道丁FT 613和p通道丁FT 614的組合。 這些TFT ( 611，613，614等）可以用和實施例1的 η-通道TFT和P-通道TFT相同方式製造。 像素電極612起一發光元件的陽極的作用。觸排615 形成在像素電極612的相反端，有機化合物層616和發光 兀件的陰極617被形成在像素電極612上。 陰極617也起連接所有像素的公共佈線元件的作用， 它經連接佈線608與FPC 609電連接。所有包含在像素部分 602中的元件和閘極側驅動電路603都被陰極617，有機樹 脂6 1 8和保護膜6 1 9覆蓋。覆蓋件620藉由粘合劑與元件層 結合。一凹槽形成在覆蓋元件中，乾燥劑被放在裏面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖1 5所示的裝置中，當有機化合物層和陰極一起形 成的時候，像素電極被用作陽極，從而光在圖1 5的箭頭方 向中被發射出來。 當頂閘TFT藉由舉例方法被描述的時候，本發明可以 應用而不考慮TFT的結構。例如，本發明可用於底閘（反 交錯結構）TFT和交錯結構TFT。 [第四實施例] -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（37 ) 藉由實施本發明，具有OLED的各種元件的所有電子 設備就被完成（主動矩陣EL元件）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 下面給出這些電子設備：視頻照相機，數位照相機； 頭戴顯示器（護目型顯示器）；汽車導航系統，投影儀，· 汽車立體聲系統，個人電腦，可攜資訊端點（行動電腦， 行動電話或電子書等）等等。這些例子示於圖16和17中 〇 圖16A是一人電腦，它包括，一主體2001，一影像輸 入部分2002，一顯示部分2003，一鍵盤2004等。 圖1 6 B是一視頻照相機，它包括，一主體2 1 0 1，一顯 示器2102，一聲音輸入部分2103，一操作開關2104，一電 池2105和一影像接收部分2106等。 圖16C是一行動電腦，它包括：一主體2201，一相機 部分2202，一影像接收部分2203，一操作開關2204，和〜 顯示部分2205等。 圖16D是一護目型顯示器，它包括，一主體2301，〜 顯示器部分2302，一臂部分2303等等。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 圖1 6E是一使用錄有節目的記錄媒體的播放機（以後 稱作記錄媒體），它包括，一主體2401，顯示部分2402， 揚聲器部分2403，記錄媒體2404，操作開關2405等。該設 備使用用於記錄媒體的DVD (數位多用途盤），CD等，g 可以實行音樂欣賞，電影欣賞，遊戲和用於互聯網。 圖16F是數位照相機，它包括，主體2501，顯示器部 分2502，取景器2503 ;操作開關2504，影像接收部分（圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 __B7_ 五、發明説明（38 ) 中未示出）等。 圖17A是一行動電話，它包括，主體部分2901，聲音 輸出部分2902，聲音輸入部分2903，顯示的部分2904，操 作開關2905，天線2906，影像輸入部分（CCD，影像感測 器等）2907等。 圖17B是一便攜圖書（電子書），它包括，主體3001 ，顯示器部分3002和3003，記錄媒體3004，操作開關 3005，天線 3006 等。 圖17C是一顯示器，它包括，主體3004 ;操作開關 3005和開線3006等。 此外，圖1 7C中所示顯示器具有一小的和中間尺寸或 大尺寸的螢幕，例如是5到20英寸。再者，爲了按這種尺 寸製造顯不器部分’最好是用一米長的基底全套印製成批 生産。 如上所述，本發明的可應用的範圍極其廣大，本發明 可被應用於各領域的電子設備。注意，本實施例的電子裝 置，可藉由實施例1至3的結構的任意組合來達到。 根據本發明，在多個TFTS被安排的像素部分中，在提 供電流給OLED的TFTS中，不僅接通電流的簡單耗散而且 其標準化耗散可以被減少，結果使具有OLED的顯示器的 亮度的耗散減小。 再者，根據本發明，即使當在TFT製造過程中，例如 鐳射等照明條件中的耗散被引起，在TFTS之間的電特性的 耗散可以被減小。 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本買) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -42- 1304271 A7 ______B7 _ 五、發明説明（39 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 還有’根據本發明，除了在各個TFTS之間的耗散減小 以外’由於圖型化和熱處理使EL層的面積收縮引起的 OLED本身的耗散也可以被減小。 再者’根據本發明，除了在各TFTS之間的耗散減小以 外’即使當OLED由於某種原因被損壞，流過〇LED的電流 可以保持恒定，結果是保持了恒定的亮度。 再有’根據本發明，由於TFT的電容C。，的部分故意用 作保持電容’像素結構的簡化和開口面積比的提高可以獲 得。 圖式說明 圖1是TFT的通道長度和通道電導gd之間的關係圖。 圖2是電流耗散3sigma和電流標準化耗散3sigma的圖 〇 圖3是p通道型TFT的電流耗散和在一定通道長度下 的Vg之間的關係圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖4是η通道型TFT的電流耗散和在一定通道長度上 的Vg之間的關係。 圖5是像素的頂視圖。 圖6是像素的頂視圖。 圖7是主動矩陣型光發射顯示裝置的截面結構圖。 圖8是主動矩陣型光發射顯示裝置的等效電路圖。 圖9是Id-Vd曲線圖。 圖10A和10B是OLED和連接OLED的TFT之間的連 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1304271 A7 B7 五、發明説明（4〇 ) 接關係圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖11是示出電流耗散3sigma和標準化電流耗散3 sigma的視圖。 圖12是OLED的負載曲線和Id-Vd曲線圖。 圖13A和13B是像素的頂視圖（實施例2)。 圖14A和14B是元件圖（實施例3)。 圖15是元件圖（實施例3)。 圖16A到16F是電子學圖（實施例4)。 圖17A到17C是電子學圖（實施例4)。 圖18是本發明TFT尺寸和接通電流耗散（在Vg = -5V 時）之間的關係圖。 圖19是本發明的TFT尺寸和接通電流（在Vg = -10V時 )的耗散之間的關係圖。 圖20是本發明的TFT尺寸和起始値電壓耗散之間的關 係圖。 圖21是本發明的TFT尺寸和在恒定電流値（ld = 0.5 // A )下的接通電流的耗散之間的關係圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件對照表 107:像素電極 105:閘極佈線 104:源極佈線 103:連接電極 1〇2，1〇1:半導體層 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) μ規格（210X297公釐） 1304271 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（41 ) 100:閘電極 106:電源線 301:基底絕緣膜 302:基底絕緣膜 300:第一基底 303:閘絕緣層 304 to 307:閘極 322 to 325:第一雜質區 403:開關 TFT 401·.像素部份 406: p-通道 TFT 404:電流控制TFT 31 1，312:雜質區 313,314:第三雜質區 3 1 8,3 1 9,3 32,3 3 3:第四雜質區 3 1 6,3 1 7,330,331:第五雜質區 308:第一層間絕緣膜 309:第二層間絕緣膜 309a:丙烯酸樹脂膜 309b:氮化矽膜 334:像素電極 335 to 341:電極 400·.有機發光裝置 342a，342b:絕緣體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1304271
A7 B7五、發明説明（42 ) 343: EL 層 334:像素電極 344:陰極 701:開關 TFT 702:電流控制TFT 703R:有機發光裝置 706R:電源線R 700:電源線 703G:有機發光裝置 706G:電源線G 706B:電源線B (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46-

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 第09 1 1 3261 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年10月15曰修正 h—種具有發光元件的發光裝置，該發光元件包括： 陰極； 在陰極上方的有機化合物層；和 在有機化合物層上方的陽極； 其中TFT連接至發光元件且包括一複晶矽薄膜，該複 晶矽薄膜包括插入於至少一對雜質區之間的一通道形成區 其中TFT的通道長度L是100 或更長。 2·如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中TFT的通 道寬度W與其通道長度L的比是0.1到0.01。 3 ·如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中連接發光元 件的TFT是p通道型TFT或η通道型TFT。 4. 如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中連接發光元 件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之和大 於閘壓Vg的範圍內，具有通道電導gd從0到lxlO_8S。 5. 如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中連接發光元 件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之和大 於閘壓Vg的範圍內，具有通道電導gd，從0到5xl(T9S。 6. 如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中發光裝置被 組合在選自由個人電腦，視頻照相機，行動電腦，護目型 顯示器，記錄媒體，數位式照相機，行動電話和顯示器的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-1 - ---------^I — (請先閱脅背面之注事項再 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 1304271 六、申請專利範圍 組成的組中選出的電子設備中。 7.—種具有發光元件的發光裝置，發光元件包括： 陰極； 在陰極上方的有機化合物層；和 在有機化合物層上方的陽極； 其中TFT連接至發光元件且包括一複晶矽薄膜，該複 晶矽薄膜包括插入於至少一對雜質區之間的一通道形成區 y 其中，TFT的通道寬度W與其通道長度L之比是0.1 到 0.0 1。 8 .根據申請專利範圍第7項的發光裝置，其中連接發光 元件的TFT是ρ·通道型TFT或η-通道型TFT。 9. 根據申請專利範圍第7項的發光裝置，其中連接發光 元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之和 大於閘極電壓Vg的範圍內，具有通道電導gd從0到lx 10-8S。 10. 根據申請專利範圍第7項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘極電壓Vg的範圍內，具有的通道電導是從0到5 xl(T9S 〇 11. 根據申請專利範圍第7項的發光裝置，其中發光裝 置被組合在選自由個人電腦，視頻照相機，行動電腦，護 目顯示器，記錄媒體，數位照相機，行動電話和一顯示器 的組成的組中選擇的電子設備中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-2 - (請先聞·#背面之注意事項再ΙΡί本頁) 、tr
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1304271 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 12.—種具有發光元件的發光裝置，發光元件包括： 陰極； 在陰極上方的有機化合物層；和 在有機化合物層上方的陽極； 其中，與發光元件連接的TFT，在源極-汲極電壓Vd 和起始値電壓Vth之和大於閘極電壓Vg的範圍內，具有通 道電導gd從0到2xlO_9S， 其中TFT包括一複晶矽薄膜，該複晶矽薄膜包括插入 於至少一對雜質區之間的一通道形成區。 13·根據申請專利範圍第12項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT是p通道型TFT或η通道型TFT。 14·根據申請專利範圍第12項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘壓Vg的範圍內，通道電導gd是從0到lxlO_8S。 15·根據申請專利範圍第12項的發光裝置，其中與發光 元件連接的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth 之和大於閘壓Vg的範圍內，通道電導gd是0到5xlO_9S。 16·根據申請專利範圍第12項的發光裝置，其中發光裝 置被組合在選自由個人電腦，視頻照相機，行動電腦，護 目型顯示器，記錄媒體，數位照相機，行動電話和顯示器 的組成的組中選擇的電子設備中。 17.—種發光裝置，包括： 一發光元件，它具有陰極，在陰極上方的有機化合物 層，在有機化合物層上方的陽極； (請先聞讀背面之注意事項 再寒本 -裝· 頁)
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-3 - A8 B8 C8 D8 1304271 六、申請專利範圍 連接發光元件的TFT， 其中TFT包括： 一複晶矽薄膜，具有一矩形形狀的通道區和至少一對 雜質區， 一形成在矩形形狀通道區上的閘絕緣膜；和 一形成在閘絕緣膜上的閘電極， 其中，矩形形狀通道區的通道長度L是100/zm或更 長。 18. 根據申請專利範圍第17項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT是p通道型TFT或η通道型TFT。 19. 根據申請專利範圍第17項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘壓Vg的範圍內’通道電導gd是從0到。 20. 根據申請專利範圍第17項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘壓Vg的範圍內，通道電導gd是從0到5x10 —9S。 21. 根據申請專利範圍第17項的發光裝置，其中，發光 裝置組合在選自由個人電腦，視頻照相機，行動電腦，護 目型顯示器，記錄媒體，數位照相機，行動電話和顯示器 的組成的組中選擇的電子設備中。 22. —種發光裝置，包括： 一發光元件，它具有陰極，在陰極上方的有機化合物 層，在有機化合物層上方的陽極； 連接發光元件的TFT， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-4 - 請 先 閲 面 之 注
    訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1304271 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 其中TFT包括： 一複晶矽薄膜，具有一矩形形狀的通道區和至少一對 雜質區； 一形成在矩形形狀通道區上的閘絕緣膜；和 一形成在閘絕緣膜上的閘電極， 其中，矩形形狀通道區的通道寬度W與其通道長度L 之比是0.1到0.01。 23. 根據申請專利範圍第22項的發光裝置，其中連接 發光元件的TFT是p通道型TFT或η通道型TFT。 24. 根據申請專利範圍第22項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘壓Vg的範圍內，通道電導gd是從0到lxl(T8S。 2 5·根據申請專利範圍第22項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘壓Vg的範圍內，通道電導gd是從0到5xlO_9S。 26. 根據申請專利範圍第22項的發光裝置，其中，發光 裝置組合在選自由個人電腦，視頻照相機，行動電腦，護 目型顯示器，記錄媒體，數位照相機，行動電話和顯示器 的組成的組中選擇的電子設備中。 27. —種發光裝置，包括： 一發光元件，它具有陰極，在陰極上方的有機化合物 層，在有機化合物層上方的陽極； 連接發光元件的TFT， 其中TFT包括： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-5 - (請先聞·#背面之注意事項再本頁) 訂
    1304271 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 一複晶矽薄膜，具有一矩形形狀的通道區和至少一對 雜質區； 一形成在矩形形狀通道區上的閘絕緣膜；和 一形成在閘絕緣膜上的閘電極， 其中，TFT在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘極電壓Vg的範圍內，具有通道電導gd從0到2x 1(T9S。 28. 根據申請專利範圍第27項的發光裝置，其中連接 發光元件的TFT是p通道型TFT或η通道型TFT。 29. 根據申請專利範圍第27項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘壓Vg的範圍內，通道電導gd是從0到lxl(T8S。 3 0·根據申請專利範圍第27項的發光裝置，其中連接發 光元件的TFT，在源極-汲極電壓Vd和起始値電壓Vth之 和大於閘壓Vg的範圍內，通道電導gd是從〇到5xl(T9S。 3 1·根據申請專利範圍第27項的發光裝置，其中，發光 裝置組合在選自由個人電腦，視頻照相機，行動電腦，護 目型顯示器，記錄媒體，數位照相機，行動電話和顯示器 的組成的組中選擇的電子設備中。 (請先聞讀背面之注意事項再 —裝1· 頁 訂
    本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-6 -
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4618948B2 (ja) * 2001-08-24 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
CN101009322B (zh) * 2001-11-09 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4149168B2 (ja) 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP3706107B2 (ja) * 2002-01-18 2005-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
CN1432984A (zh) * 2002-01-18 2003-07-30 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP3939666B2 (ja) * 2002-01-18 2007-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US6930328B2 (en) * 2002-04-11 2005-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3986051B2 (ja) * 2002-04-30 2007-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
US7592980B2 (en) 2002-06-05 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2004027740A1 (en) 2002-09-20 2004-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7256079B2 (en) * 2002-12-16 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaluation method using a TEG, a method of manufacturing a semiconductor device having a TEG, an element substrate and a panel having the TEG, a program for controlling dosage and a computer-readable recording medium recoding the program
JP4338997B2 (ja) 2003-03-17 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP2004361424A (ja) * 2003-03-19 2004-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 素子基板、発光装置及び発光装置の駆動方法
EP1607931B1 (en) * 2003-03-26 2014-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device substrate and light-emitting device
JP4425574B2 (ja) * 2003-05-16 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 素子基板及び発光装置
US7221095B2 (en) * 2003-06-16 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating light emitting device
US7161184B2 (en) 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
US20070001954A1 (en) * 2005-07-04 2007-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US8138502B2 (en) * 2005-08-05 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
US7863612B2 (en) 2006-07-21 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US20080024309A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 International Business Machines Corporation Rfid tags suitable for affixing to rectangular corners
JP5500771B2 (ja) * 2006-12-05 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びマイクロプロセッサ
JP5111949B2 (ja) * 2007-06-18 2013-01-09 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ装置
JP2009151293A (ja) * 2007-11-30 2009-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法、並びに電子機器
GB0807767D0 (en) 2008-04-29 2008-06-04 Plastic Logic Ltd Off-set top pixel electrode configuration
KR20100045094A (ko) * 2008-10-23 2010-05-03 주식회사 동부하이텍 이미지 센서의 제조 방법
JP2010153813A (ja) 2008-11-18 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法、並びに、携帯電話機
JP5339972B2 (ja) * 2009-03-10 2013-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
EP2450869B1 (en) 2009-07-01 2018-11-28 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and organic el display device
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9270542B2 (en) 2009-07-31 2016-02-23 Ixia Apparatus and methods for forwarding data packets captured from a network
KR101600100B1 (ko) * 2009-11-27 2016-03-04 가부시키가이샤 제이올레드 발광 표시 장치
CN104157676B (zh) * 2009-11-27 2017-04-12 株式会社日本有机雷特显示器 发光显示装置
EP2561645B1 (en) 2010-04-23 2020-02-26 Keysight Technologies Singapore (Sales) Pte. Ltd. Integrated network data collection arrangement
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
JP5969216B2 (ja) * 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI567736B (zh) * 2011-04-08 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體元件及信號處理電路
US10904075B2 (en) 2012-07-02 2021-01-26 Keysight Technologies Singapore (Sales) Pte. Ltd. Preconfigured filters, dynamic updates and cloud based configurations in a network access switch
KR102446991B1 (ko) 2013-09-13 2022-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR102240894B1 (ko) * 2014-02-26 2021-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US9967150B2 (en) * 2014-04-30 2018-05-08 Keysight Technologies Singapore (Holdings) Pte. Ltd. Methods and apparatuses for implementing network visibility infrastructure
US9571296B2 (en) 2014-04-30 2017-02-14 Ixia Methods and apparatuses for abstracting filters in a network visibility infrastructure
US10186618B2 (en) 2015-03-18 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2018020332A1 (en) * 2016-07-29 2018-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN107946319B (zh) * 2017-11-27 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
US11355082B2 (en) * 2018-02-01 2022-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP7117974B2 (ja) 2018-10-30 2022-08-15 キヤノン株式会社 表示装置および電子機器
CN111091783B (zh) * 2019-12-24 2022-02-15 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
KR20220028678A (ko) * 2020-08-31 2022-03-08 주식회사 디비하이텍 Soi 기판 상에 형성된 반도체 소자
KR20220068299A (ko) 2020-11-18 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS548986A (en) 1977-06-22 1979-01-23 Nec Corp Semiconductor device
DE3028718C2 (de) 1979-07-31 1982-08-19 Sharp K.K., Osaka Dünnfilmtransistor in Verbindung mit einer Anzeigevorrichtung
JPS5626468A (en) 1979-08-09 1981-03-14 Sharp Corp Structure of membrane transistor
JPH0680828B2 (ja) 1985-10-18 1994-10-12 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタ
US5214497A (en) * 1988-05-25 1993-05-25 Hitachi, Ltd. Polycrystalline silicon resistor for use in a semiconductor integrated circuit having a memory device
JPH0258030A (ja) 1988-08-24 1990-02-27 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2645663B2 (ja) 1989-01-24 1997-08-25 日本電信電話株式会社 薄膜半導体装置とその製造方法
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US5200112A (en) * 1989-05-26 1993-04-06 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric materials and uses thereof
US20070077371A1 (en) * 1989-05-26 2007-04-05 Dimitrakopoulos Christos D Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US6967236B1 (en) * 1998-03-06 2005-11-22 International Business Machines Corporation Methods of processing and synthesizing electrically conductive polymers and precursors thereof to form electrically conductive polymers having high electrical conductivity
US5721299A (en) * 1989-05-26 1998-02-24 International Business Machines Corporation Electrically conductive and abrasion/scratch resistant polymeric materials, method of fabrication thereof and uses thereof
US5198153A (en) 1989-05-26 1993-03-30 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric
US6746770B1 (en) * 1989-05-26 2004-06-08 Internatonal Business Machines Corporation Electrically conductive and abrasion/scratch resistant polymeric materials, method of fabrication thereof and uses thereof
US5202061A (en) * 1989-05-26 1993-04-13 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric materials and uses thereof
JPH0394479A (ja) * 1989-06-30 1991-04-19 Hitachi Ltd 感光性を有する半導体装置
JP2622183B2 (ja) 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
JP2873632B2 (ja) * 1991-03-15 1999-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPH05190284A (ja) 1992-01-09 1993-07-30 Toshiba Corp 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP3197312B2 (ja) 1992-01-28 2001-08-13 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3357699B2 (ja) 1992-02-21 2002-12-16 株式会社東芝 液晶表示装置
US5373377A (en) 1992-02-21 1994-12-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal device with shorting ring and transistors for electrostatic discharge protection
JPH06125519A (ja) 1992-04-28 1994-05-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 耐摩耗性・耐スクラッチ性の導電性重合体組成物
JPH0653441A (ja) 1992-07-28 1994-02-25 Sony Corp 薄膜トランジスタを備えたセル構造、薄膜トランジスタを備えたｓｒａｍメモリーセル構造、及び薄膜トランジスタを備えたセル構造の形成方法
DE4335298C1 (de) * 1993-10-15 1995-03-23 Siemens Ag Schaltungsstruktur mit mindestens einem bipolaren Leistungsbauelement und Verfahren zu deren Betrieb
TW299897U (en) * 1993-11-05 1997-03-01 Semiconductor Energy Lab A semiconductor integrated circuit
JP3504993B2 (ja) 1995-01-20 2004-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス回路
CN1161646C (zh) 1994-06-02 2004-08-11 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器和电光元件
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
JPH0854837A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Casio Comput Co Ltd 発光デバイス及びそれを備えた表示パネル
US6278127B1 (en) * 1994-12-09 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5703382A (en) 1995-11-20 1997-12-30 Xerox Corporation Array having multiple channel structures with continuously doped interchannel regions
US5608557A (en) 1995-01-03 1997-03-04 Xerox Corporation Circuitry with gate line crossing semiconductor line at two or more channels
JP3556307B2 (ja) 1995-02-01 2004-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置
TW345654B (en) * 1995-02-15 1998-11-21 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
JP3375814B2 (ja) 1995-02-15 2003-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置
TW344901B (en) * 1995-02-15 1998-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
JP2611751B2 (ja) * 1995-04-07 1997-05-21 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタ
GB9520888D0 (en) 1995-10-12 1995-12-13 Philips Electronics Nv Electronic devices comprising thin-film circuitry
JP3522440B2 (ja) 1996-03-08 2004-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置
JP3522442B2 (ja) * 1996-03-11 2004-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置
JP3522433B2 (ja) 1995-12-04 2004-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置
US5814834A (en) * 1995-12-04 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co. Thin film semiconductor device
JP3188167B2 (ja) 1995-12-15 2001-07-16 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ
JP3468986B2 (ja) * 1996-04-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス回路および表示装置
JP3593212B2 (ja) * 1996-04-27 2004-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3296975B2 (ja) * 1996-08-22 2002-07-02 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP3520401B2 (ja) * 1996-09-17 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル用基板およびそれを用いた液晶パネル並びに投射型表示装置
KR19980032958A (ko) * 1996-10-15 1998-07-25 스코트 리트만 N형 유기 반도체 화합물을 포함한 박막트랜지스터를 구비한 장치
EP0953213A2 (en) * 1996-11-12 1999-11-03 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
JPH11133463A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置及び電子機器
US6088070A (en) * 1997-01-17 2000-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode
US6462722B1 (en) 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
KR100509240B1 (ko) 1997-02-17 2005-08-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시 장치
JPH10254410A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその駆動方法
US6210479B1 (en) * 1999-02-26 2001-04-03 International Business Machines Corporation Product and process for forming a semiconductor structure on a host substrate
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100303934B1 (ko) * 1997-03-25 2001-09-29 포만 제프리 엘 낮은작동전압을필요로하는유기반도체를갖는박막전장효과트랜지스터
US5981970A (en) * 1997-03-25 1999-11-09 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages
US5946551A (en) * 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
JPH10268360A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
KR20050084509A (ko) 1997-04-23 2005-08-26 사르노프 코포레이션 능동 매트릭스 발광 다이오드 화소 구조물 및 이를동작시키는 방법
JP3541625B2 (ja) 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
US6667494B1 (en) * 1997-08-19 2003-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor display device
KR100627091B1 (ko) 1997-08-21 2006-09-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시장치
JP4509228B2 (ja) * 1997-08-22 2010-07-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法
JPH1197705A (ja) * 1997-09-23 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体集積回路
US6218219B1 (en) * 1997-09-29 2001-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
EP1037093A1 (en) 1997-11-28 2000-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflection-type display device and image device using reflection-type display device
JP2000137246A (ja) * 1997-11-28 2000-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型表示素子及び反射型表示素子を用いた映像装置
US6307528B1 (en) * 1997-12-08 2001-10-23 Hughes Electronics Corporation Contrast organic light-emitting display
JPH11194363A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Seiko Epson Corp パターン形成方法、アクティブマトリックス基板及びその製造方法、電子機器
JPH11284443A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Kokusai Electric Co Ltd 反転増幅回路
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
JPH11326954A (ja) * 1998-05-15 1999-11-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
JP3978872B2 (ja) 1998-06-26 2007-09-19 ソニー株式会社 撮像装置
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2000150895A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Alps Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及び画像表示装置の駆動装置
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
US6909114B1 (en) * 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
US6277679B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
KR100439944B1 (ko) * 1998-12-10 2004-11-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터형광감지센서,센서박막트랜지스터와그제조방법
JP2000214800A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000223279A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000243963A (ja) 1999-02-17 2000-09-08 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及び表示装置
CN1222817C (zh) * 1999-03-08 2005-10-12 精工爱普生株式会社 液晶装置及其制造方法
KR100745495B1 (ko) * 1999-03-10 2007-08-03 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치
JP4229513B2 (ja) 1999-03-10 2009-02-25 三洋電機株式会社 アクティブ型ｅｌ表示装置
US6531713B1 (en) * 1999-03-19 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and manufacturing method thereof
JP4578609B2 (ja) 1999-03-19 2010-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置
US6233033B1 (en) * 1999-03-29 2001-05-15 National Semiconductor Corp. Pixel array for LC silicon light valve featuring pixels with overlapping edges
JP2000347624A (ja) 1999-03-31 2000-12-15 Seiko Epson Corp エレクトロルミネセンス表示装置
JP4246845B2 (ja) 1999-04-22 2009-04-02 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子の駆動装置および有機ｅｌ表示装置
US8853696B1 (en) * 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
JP3904807B2 (ja) 1999-06-04 2007-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4337171B2 (ja) * 1999-06-14 2009-09-30 ソニー株式会社 表示装置
JP4092857B2 (ja) 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4877675B2 (ja) 1999-06-28 2012-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
AU7091400A (en) 1999-08-31 2001-03-26 E-Ink Corporation Transistor for an electronically driven display
TW516244B (en) * 1999-09-17 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for manufacturing the same
JP3261115B2 (ja) 1999-09-22 2002-02-25 富士重工業株式会社 ステレオ画像処理装置
TW540251B (en) 1999-09-24 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for driving the same
US6876145B1 (en) * 1999-09-30 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
JP2001109405A (ja) 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2001111053A (ja) * 1999-10-04 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP3548063B2 (ja) 1999-10-20 2004-07-28 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
US6384427B1 (en) 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
JP2001195016A (ja) * 1999-10-29 2001-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子装置
JP2001147659A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
JP4727029B2 (ja) 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
TW525122B (en) 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP4758000B2 (ja) 1999-11-30 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4748847B2 (ja) * 1999-12-15 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置および電気器具
TW511298B (en) 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
US6573162B2 (en) 1999-12-24 2003-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method of fabricating a semiconductor device
JP2001244213A (ja) 1999-12-24 2001-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置並びに半導体装置の作製方法
US6307322B1 (en) * 1999-12-28 2001-10-23 Sarnoff Corporation Thin-film transistor circuitry with reduced sensitivity to variance in transistor threshold voltage
JP4485078B2 (ja) 2000-01-26 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6433371B1 (en) 2000-01-29 2002-08-13 Advanced Micro Devices, Inc. Controlled gate length and gate profile semiconductor device
JP5008223B2 (ja) 2000-01-31 2012-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
US6702407B2 (en) 2000-01-31 2004-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Color image display device, method of driving the same, and electronic equipment
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP3967081B2 (ja) 2000-02-03 2007-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4129108B2 (ja) * 2000-02-25 2008-08-06 三菱電機株式会社 マイクロフォン用フィルタおよびマイクロフォン装置
JP2001318627A (ja) 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2001272930A (ja) 2000-03-28 2001-10-05 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001284592A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその駆動方法
JP2001285036A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Sony Corp 遅延回路及びそれを用いた発振回路
JP4150998B2 (ja) 2000-03-30 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 表示装置
JP2001296548A (ja) * 2000-04-11 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2001296818A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4152603B2 (ja) 2000-04-27 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TW531901B (en) 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW503565B (en) * 2000-06-22 2002-09-21 Semiconductor Energy Lab Display device
US6879110B2 (en) 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
JP2002108285A (ja) 2000-07-27 2002-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の駆動方法
JP2002057339A (ja) 2000-08-10 2002-02-22 Sony Corp 薄膜半導体装置
US6611037B1 (en) * 2000-08-28 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Multi-trench region for accumulation of photo-generated charge in a CMOS imager
US20020097350A1 (en) * 2000-09-19 2002-07-25 Haven Duane A. Thin film transistors suitable for use in flat panel displays
JP5030345B2 (ja) 2000-09-29 2012-09-19 三洋電機株式会社 半導体装置
JP4925528B2 (ja) 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP3594126B2 (ja) * 2000-10-13 2004-11-24 日本電気株式会社 電流駆動回路
US6614054B1 (en) * 2000-11-27 2003-09-02 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Polysilicon thin film transistor used in a liquid crystal display and the fabricating method
JP3457278B2 (ja) * 2000-12-04 2003-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス装置およびそれを用いた電子装置
US6747290B2 (en) * 2000-12-12 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information device
JP4831874B2 (ja) * 2001-02-26 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP3612494B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-19 株式会社日立製作所 表示装置
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US20030016196A1 (en) * 2001-07-17 2003-01-23 Display Research Laboratories, Inc. Thin film transistors suitable for use in flat panel displays
JP2003109773A (ja) * 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
SG120075A1 (en) 2001-09-21 2006-03-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
JP5072157B2 (ja) * 2001-09-27 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7042024B2 (en) 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP4149168B2 (ja) 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7232714B2 (en) * 2001-11-30 2007-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2003207794A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
US7224333B2 (en) * 2002-01-18 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Display device and driving method thereof
CN1432984A (zh) * 2002-01-18 2003-07-30 株式会社半导体能源研究所 发光器件
TW544944B (en) * 2002-04-16 2003-08-01 Ind Tech Res Inst Pixel element structure of sunlight-readable display
JP3986051B2 (ja) * 2002-04-30 2007-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
US6900507B1 (en) * 2004-01-07 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Apparatus with silicide on conductive structures
US7285796B2 (en) * 2004-06-02 2007-10-23 Micron Technology, Inc. Raised photodiode sensor to increase fill factor and quantum efficiency in scaled pixels
KR100672695B1 (ko) * 2004-12-21 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US7361528B2 (en) * 2005-02-28 2008-04-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Germanium infrared sensor for CMOS imagers
US7262400B2 (en) 2005-12-02 2007-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device having an active layer overlying a substrate and an isolating region in the active layer
KR101550866B1 (ko) * 2009-02-09 2015-09-08 삼성전자주식회사 광학적 크로스토크를 개선하기 위하여, 절연막의 트렌치 상부만을 갭필하여 에어 갭을 형성하는 이미지 센서의 제조방법

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