JP4149443B2 - 発光装置 - Google Patents
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Classifications
-
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Landscapes
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Description
dとの関係を示す曲線である。例えば、−Vdが−17Vであった時、カソード側の電圧が−17VであるのでOLEDに印加される電圧は、0Vである。従って、OLEDに印加される電流値もゼロとなる。また、Id−Vd曲線とOLEDの負荷曲線との交点での電流値が輝度に相当する。図12において、gdが小さい場合、−Vdが−7Vであった時に交点があり、その時にOLEDに印加される電流値は1×10-6[A]であり、この電流値に応じた輝度の発光が得られる。gdが小さい場合、OLEDの負荷曲線が左側または右側にシフトしても、電流値はほとんど変化しないため、均一な輝度が得られる。また、個々のOLED自体がばらついていれば、OLEDの負荷曲線は右側または左側にシフトする。また、OLEDが劣化すると、OLEDの負荷曲線は左側にシフトする。gdが大きい場合、劣化によりOLEDの負荷曲線が左側にシフトして点線で示した曲線となると、OLEDの負荷曲線との交点が変化して劣化前後で電流値が異なってしまう。一方、gdが小さい場合、劣化によりOLEDの負荷曲線が左側にシフトしても、電流値はほとんど変化しないため、輝度のバラツキが低減され、均一な輝度が得られる。
陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を有する発光装置であって、前記発光素子に接続されるTFTのチャネル長Lが100μm以上、好ましくは100μm〜500μmであることを特徴とする発光装置である。
線とが一部重なるように配置されている。このゲート電極100と電源供給線106との間で形成される容量は、全てEL素子の保持容量として利用することができる。従って、このゲート電極100と電源供給線106との間で形成される容量で必要とされる保持容量をある程度確保することができる。
で非晶質構造を有する半導体膜(ここではアモルファスシリコン膜)を54nmの厚さ(好ましくは25〜80nm)で形成した。
てもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。
1021/cm3の濃度範囲でp型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第4の不純物領域318、319、332、333には先の工程でリン(P)が添加された領域(n--領域)であるが、p型を付与する不純物元素の濃度がその1.5〜3倍添加されていて導電型はp型となっている。ここでは、第4の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をp+領域とも呼ぶ。
Claims (6)
- 陽極と陰極と前記陽極及び前記陰極の間に設けられた有機化合物を含む層とを有する発光素子と、
前記発光素子に電気的に接続されるTFTと、
ソース配線と、前記ソース配線に直交するゲート配線と、前記ソース配線と平行で、前記TFTと電気的に接続される電源供給線とを有する発光装置であって、
前記TFTは、チャネルを有する半導体層とゲート電極とを有し、
前記ソース配線と隣合うソース配線との間には、前記陽極或いは前記陰極として機能する画素電極と前記電源供給線とを有し、
前記画素電極と隣合う画素電極との間には、前記チャネルと前記ゲート電極とを有し、
前記チャネルと前記ゲート電極と前記電源供給線とは重なり、
前記TFTのチャネル長Lが100μm以上であり、
前記チャネルは、蛇行させた形状を有し、
前記TFTのチャネル長Lに対するチャネル幅Wの比が0.1〜0.01であることを特徴とする発光装置。 - 陽極と陰極と前記陽極及び前記陰極の間に設けられた有機化合物を含む層とを有する発光素子と、
前記発光素子に電気的に接続されるTFTと、
ソース配線と、前記ソース配線に直交するゲート配線と、前記ソース配線と平行で、前記TFTと電気的に接続される電源供給線とを有する発光装置であって、
前記TFTは、チャネルを有する半導体層とゲート電極とを有し、
前記ソース配線と隣合うソース配線との間には、前記陽極或いは前記陰極として機能する画素電極と前記電源供給線とを有し、
前記画素電極と隣合う画素電極との間には、前記チャネルと前記ゲート電極とを有し、
前記チャネルと前記ゲート電極と前記電源供給線とは重なり、
前記TFTのチャネル長Lが100μm以上であり、
前記チャネルは、前記ゲート配線方向に蛇行させた形状を有し、
前記TFTのチャネル長Lに対するチャネル幅Wの比が0.1〜0.01であることを特徴とする発光装置。 - 陽極と陰極と前記陽極及び前記陰極の間に設けられた有機化合物を含む層とを有する発光素子と、
前記発光素子に電気的に接続されるTFTと、
ソース配線と、前記ソース配線に直交するゲート配線と、前記ソース配線と平行で、前記TFTと電気的に接続される電源供給線とを有する発光装置であって、
前記TFTは、チャネルを有する半導体層とゲート電極とを有し、
前記ソース配線と隣合うソース配線との間には、前記陽極或いは前記陰極として機能する画素電極と前記電源供給線とを有し、
前記画素電極と隣合う画素電極との間には、前記チャネルと前記ゲート電極とを有し、
前記チャネルと前記ゲート電極と前記電源供給線とは重なり、
前記TFTのチャネル長Lが100μm以上であり、
前記チャネルは、前記ソース配線方向に蛇行させた形状を有し、
前記TFTのチャネル長Lに対するチャネル幅Wの比が0.1〜0.01であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、前記TFTは、ソースドレイン間電圧Vdとしきい値電圧Vthとの和がゲート電圧Vgより大きい範囲でチャネルコンダクタンスgdが0〜1×10-8Sであることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記TFTは、pチャネル型TFTまたはnチャネル型TFTであることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記チャネルと前記ゲート電極と前記隣合うソース配線とは重なることを特徴とする発光装置。
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