KR20100045094A - 이미지 센서의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
이미지 센서의 제조 방법은 화소 영역 및 로직 영역이 정의되고, 상기 화소 영역 및 상기 로직 영역 각각에 게이트를 포함하는 트랜지스터가 형성된 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 전면에 상기 게이트를 덮는 제1 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 화소 영역에 형성된 제1 층간 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 화소 영역의 기판의 일 영역 및 게이트의 일부를 노출시키는 제1 콘택 홀들을 형성하는단계, 상기 제1 콘택 홀들에 금속 물질을 매립하여 제1 콘택들을 형성하는 단계, 상기 제1 층간 절연막 전면에 제2 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 화소 영역의 제2 층간 절연막을 관통하여 상기 제1 콘택들을 노출시키는 제2 콘택 홀들, 및 상기 로직 영역의 제2 층간 절연막과 제1 층간 절연막을 관통하여 상기 로직 영역의 게이트의 일부 및 기판의 일부를 노출시키는 제3 콘택 홀들을 동시에 형성하는 단계, 및 상기 제2 콘택 홀들 및 상기 제3 콘택 홀들에 금속 물질을 매립하여 제2 콘택들을 형성하는 단계를 포함한다.
이미지 센서, 콘택.
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자를 말하며, 그 종류에는 CCD(Charge Coupled Device) 방식의 소자 및 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Silicon) 방식의 소자가 있다.
이미지 센서는 빛을 감지하는 포토 다이오드(Photo diode)를 포함하는 화소 영역(pixel region)과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화 하는 로직 영역(logic region)으로 구성된다. 즉 이미지 센서는 화소 영역에 입사된 빛을 각각의 픽셀 단위의 포토 다이오드와 하나 이상의 트랜지스터로 화상을 촬상하는 소자라고 할 수 있다.
도 1은 일반적인 4-TR 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소의 레이 아웃(100)을 나타낸다. 도 1을 참조하면, 상기 단위 화소의 레이 아웃(100)은 포토 다이오드 영역(photodiode region, 110)과 전송 트랜지스터(Transfer transistor, Tx; 115), 플로팅 확산 영역(floating diffusion region, 120), 리셋 트랜지스터(Reset transistor, 125), 구동 트랜지스터(Drive transistor, 130), 선택 트랜지스터(Select transistor, 140), 및 다수의 금속 컨택들(126, 127, 128, 132, 142, 150)을 포함한다. 이때 상기 다수의 금속 콘택들은 액티브 영역 또는 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되도록 형성된다.
이미지 센서의 제조 공정 중 하나인 금속 컨택 식각 공정은 화소 영역과 로직 영역에 공통으로 동시에 수행된다. 이러한 금속 컨택 식각 공정에 의하여 포토다이오드에 식각 손상을 줄이면서 콘택을 형성하는 것이 중요하다.
도 2는 일반적인 이미지 센서에 형성된 콘택의 단면도를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 상기 이미지 센서의 기판(210) 상에 구현되며, 상기 기판(210)은 픽셀 영역(A)과 로직 영역(B)으로 구분된다. 상기 픽셀 영역(A) 및 로직 영역(B) 각각에 적어도 하나의 트랜지스터가 형성된다. 도 2에서는 트랜지스터의 게이트(gate, 215,220)만을 도시한다. 트랜지스터가 형성된 기판(210) 상에 층간 절연막(230)이 증착된다.
상기 픽셀 영역(A) 및 상기 로직 영역(B) 상부에 형성된 층간 절연막(230)을 동시에 식각하여 콘택 홀들(미도시)이 형성되고, 금속 물질을 상기 콘택 홀들에 매립하여 콘택들(242,244,246,248)이 형성된다. 상기 콘택들(242,244,246,248) 상부에 금속 배선들(252,254,256,258)이 형성된다.
이때 컨택 홀 형성을 위한 식각 공정으로 인하여 다크 전류(dark current) 특성에 민감한 이미지 센서의 화소 영역의 실리콘 표면에 손상을 주지 않아야 한 다. 로직 영역의 콘택 홀 형성을 위한 식각 마진을 확보하기 위하여 식각량을 증가시키면 화소 영역의 콘택 홀에 대한 식각량이 증가하여 포토다이오드, 특히 플로팅 확산 영역이 손상을 받게 되어 누설전류가 증가하게 되어 다크 특성이 열화된다.
반면에 화소 영역에 대한 식각 손상을 방지하기 위하여 로직 영역의 콘택 홀에 대한 식각 마진을 줄이는 경우 수많은 회로로 구성된 로직 영역의 콘택들이 제대로 형성되지 않는 문제점이 발생된다. 특히 구동 트랜지스터(130)의 게이트와 플로팅 확산 영역(120)을 직접 연결하는 버팅(butting) 구조에서는 콘택 면적이 넓어 식각 마진을 확보하는데 취약하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 콘택 홀 형성을 위한 식각 공정에 의하여 화소 영역이 손상받는 것을 방지하여 다크 특성 개선 및 수율을 확보할 수 있는 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 화소 영역 및 로직 영역이 정의되고, 상기 화소 영역 및 상기 로직 영역 각각에 게이트를 포함하는 트랜지스터가 형성된 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 전면에 상기 게이트를 덮는 제1 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 화소 영역에 형성된 제1 층간 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 화소 영역의 기판의 일 영역 및 게이트의 일부를 노출시키는 제1 콘택 홀들을 형성하는단계, 상기 제1 콘택 홀들에 금속 물질을 매립하여 제1 콘택들을 형성하는 단계, 상기 제1 층간 절연막 전면에 제2 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 화소 영역의 제2 층간 절연막을 관통하여 상기 제1 콘택들을 노출시키는 제2 콘택 홀들, 및 상기 로직 영역의 제2 층간 절연막과 제1 층간 절연막을 관통하여 상기 로직 영역의 게이트의 일부 및 기판의 일부를 노출시키는 제3 콘택 홀들을 동시에 형성하는 단계, 및 상기 제2 콘택 홀들 및 상기 제3 콘택 홀들에 금속 물질을 매립하여 제2 콘택들을 형성하는 단계를 포함한다.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 화소 영역 및 로직 영역이 정의되고, 상기 화소 영역 및 상기 로직 영역 각각에 게이트를 포함하는 트랜지스터가 형성된 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 전면에 상기 화소 영역의 게이트의 상부를 노출시키도록 제1 절연막을 형성하는 단계, 상기 화소 영역의 제1 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 화소 영역의 기판일 영역을 노출시키는 제1 콘택 홀을 형성하는 단계, 상기 제1 콘택 홀에 금속 물질을 매립하여 제1 콘택을 형성하는 단계, 상기 제1 절연막 전면에 제2 절연막을 형성하는 단계, 상기 제2 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 제1 콘택과 상기 화소 영역의 게이트의 일부, 및 상기 로직 영역의 게이트 일부와 기판 일부를 노출시키는 제2 콘택 홀을 동시에 형성하는 단계, 및 상기 제2 콘택 홀들에 금속 물질을 매립하여 제2 콘택들을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 화소 영역과 로직 영 역의 콘택 홀 형성을 따로 진행함으로써 식각 공정에 의하여 화소 영역이 손상받는 것을 방지하여 다크 특성 개선 및 수율을 확보할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸다.
먼저 도 3a에 도시된 바와 같이, 화소 영역(C) 및 로직 영역(D)이 정의되는 기판(310, 예컨대, 실리콘 기판)을 준비한다. 상기 화소 영역(C)의 기판에는 빛을 감지하기 위한 단위 화소들이 형성되며, 상기 로직 영역(D)에는 상기 화소 영역(C)에서 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하기 위한 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 로직 회로가 형성된다.
상기 화소 영역(C) 및 로직 영역(D) 각각의 기판 상에 적어도 하나의 트랜지스터를 형성한다. 도 3a에는 상기 적어도 하나의 트랜지스터의 게이트(315, 317)만을 도시한다.
다음으로 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트(315, 317)가 형성된 화소 영역(C) 및 로직 영역(D)의 기판(310) 전면에 층간 절연막(320)을 형성한다. 상기 제1 층간 절연막(320)은 BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass) 또는 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)일 수 있다. 상기 제1 층간 절연막(320)은 적어도 상기 게이 트(315, 317)를 덮을 수 있을 정도의 두께로 증착될 수 있다.
다음으로 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 화소 영역(C)에 형성된 제1 층간 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 기판(310)의 일 영역 및 상기 게이트(315)의 일부를 노출시키는 콘택 홀들(332, 334)을 형성한다. 이때 상기 기판(310)의 일 영역을 노출시키는 콘택 홀을 제1 콘택 홀(332)이라 하고, 상기 게이트(315)의 일 영역을 노출시키는 콘택 홀을 제2 콘택 홀(334)이라 한다.
예컨대, 상기 제1 층간 절연막 상에 포토리쏘그라피(photolithography) 공정을 수행하여 제1 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴은 상기 로직 영역(D)에 형성된 제1 층간 절연막은 덮고, 상기 기판(310)의 일 영역 및 상기 게이트(315)의 일부에 대응하는 제1 층간 절연막은 노출시킨다.
이어서 상기 제1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제1 층간 절연막(320)을 식각하여 상기 콘택 홀들(332,334)을 형성할 수 있다. 상기 콘택 홀들(332,334)을 형성한 후 상기 제1 포토레지스트 패턴은 제거된다.
다음으로 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 콘택 홀들(332,334) 내에 금속 물질을 매립하여 상기 화소 영역(C)에 금속 콘택들(342, 344)을 형성한다. 예컨대, 상기 콘택 홀들(332,334)이 형성된 제1 층간 절연막(320) 전면에 상기 콘택 홀들(332,334)을 채우도록 금속 물질을 증착한 후 CMP(Chemical mechanical polishing) 공정을 수행하여 상기 금속 콘택들(342, 344)을 형성할 수 있다. 이때 상기 금속 물질은 텅스텐, 구리, 또는 알루미늄일 수 있다. 상기 제1 콘택 홀(332) 내에 형성되는 콘택을 제1 콘택(342)이라 하고, 상기 제2 콘택 홀(334) 내에 형성 되는 콘택을 제2 콘택(344)이라 한다.
다음으로 도 3e에 도시된 바와 같이, 금속 콘택들(342, 344)이 형성된 제1 층간 절연막(320), 즉 화소 영역(C) 및 로직 영역(D)의 제1 층간 절연막(320) 전면에 제2 층간 절연막(350)을 형성한다. 상기 제2 층간 절연막(350)은 BPSG 또는 TEOS일 수 있다.
이어서 상기 화소 영역(C)의 제2 층간 절연막(350)을 관통하여 상기 콘택들(342, 344)을 노출시키는 콘택 홀들(352, 354) 및 상기 로직 영역(D)의 제2 층간 절연막(350) 및 제1 층간 절연막(320)을 관통하여 상기 게이트(317)의 일부 및 기판의 일부를 노출시키는 콘택 홀들(356, 358)을 동시에 형성한다.
예컨대, 상기 제2 층간 절연막(350) 상에 포토리쏘그라피 공정을 수행하여 제2 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴은 상기 화소 영역(C)에 형성된 콘택들(342,344)에 대응하는 제2 층간 절연막의 일 영역 및 상기 로직 영역(D)의 게이트(317)의 일부와 기판(310)의 일부에 대응하는 제2 층간 절연막의 다른 영역을 노출시킨다.
이어서 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 화소 영역(C) 및 상기 로직 영역(D)의 제2 층간 절연막(350) 및 제1 층간 절연막(320)을 동시에 식각한다.
화소 영역(C)에서는 일반적으로 한 층의 두꺼운 층간 절연막 내에 하나의 콘택 홀들이 형성되는 때보다 얇은 여러 층의 층간 절연막들 각각의 내부에 콘택 홀들을 형성하기 때문에 식각량이 작아도 되므로 식각에 의한 화소 영역(C)의 손상이 감소될 수 있다.
또한 화소 영역(C)에 형성된 콘택들(342, 344)이 상기 로직 영역(D)의 콘택 홀 형성을 위한 식각 공정시 블로킹 역할을 하기 때문에 화소 영역(C)의 실리콘(예컨대, 포토다이오드 영역 등)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
예컨대, 상기 제2 층간 절연막이(350)이 식각에 의하여 관통된 후 로직 영역(D)의 제1 층간 절연막(320)은 계속 식각되나 화소 영역(C)에서는 식각에 대한 선택비가 커서 거의 식각이 되지 않는다.
따라서 로직 영역(D)의 제1 층간 절연막(320)이 충분히 식각되더라도 화소 영역(C)은 상기 콘택들(342,344)에 의한 블로킹에 의하여 식각에 의한 손상이 방지될 수 있다.
다음으로 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 화소 영역(C) 및 상기 로직 영역(D) 각각에 형성된 콘택 홀들(352,354,356,358)에 금속 물질을 매립하여 제2 콘택들(362,364,366,368)을 형성한다. 상기 금속 물질은 텅스텐,구리,알루미늄일 수 있다.
예컨대, 상기 화소 영역(C) 및 상기 로직 영역(D) 전면에 상기 콘택 홀들(352,354,356,358)을 채우도록 금속 물질을 증착한 후 CMP 공정을 수행하여 평탄화하여 상기 제2 콘택들(362,364,366,368)을 형성할 수 있다.
그리고 상기 제2 콘택들(362,364,366,368) 상부에 금속 배선(372,374,376,378)을 형성한다.
도 4a 내지 도 4e은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방 법을 나타낸다.
먼저 도 4a에 도시된 바와 같이, 화소 영역(C) 및 로직 영역(D)이 정의되는 기판(310) 상에 적어도 하나의 트랜지스터를 형성한다. 도 4a에는 상기 적어도 하나의 트랜지스터의 게이트(315, 317)만을 도시한다.
다음으로 상기 게이트(315, 317)가 형성된 화소 영역(C) 및 로직 영역(D)의 기판(310) 전면에 상기 화소 영역의 게이트(315, 317) 상부를 노출시키는 제1 절연막(410)을 형성한다. 상기 제1 절연막(410)은 BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass) 또는 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)일 수 있다.
예컨대, 상기 게이트(315, 317)가 형성된 화소 영역(C) 및 로직 영역(D)의 기판(310) 전면에 BPSG 또는 TEOS를 증착한 후 상기 적어도 하나의 게이트(315,317)가 노출될 때까지 CMP 공정을 수행한다.
다음으로 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 화소 영역(C)에 형성된 제1 절연막(410)을 선택적으로 식각하여 상기 기판(310)의 일 영역을 노출시키는 콘택 홀(412)을 형성한다.
다음으로 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 콘택 홀(412)에 텅스텐, 구리, 또는 알루미늄의 금속 물질을 매립하여 금속 콘택(420)을 형성한다.
다음으로 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 금속 콘택(420)이 형성된 제1 절연막(410) 전면에 제2 절연막(430)을 형성한다. 이어서 상기 제2 절연막(430)을 선택적으로 식각하여 상기 화소 영역(C)의 콘택(420)과 게이트(315)의 일부, 및 상기 로직 영역(C)의 게이트(317) 일부와 기판(310) 일부를 노출시키는 콘택 홀 들(442,444,446,448)을 동시에 형성한다.
상술한 바와 같이, 또한 화소 영역(C)에 형성된 콘택(420)이 상기 로직 영역(D)의 콘택 홀 형성을 위한 식각 공정시 블로킹 역할을 하기 때문에 화소 영역(C)의 실리콘(예컨대, 포토다이오드 영역 등)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
예컨대, 상기 제2 절연막이(430)이 식각에 의하여 관통된 후 로직 영역(D)의 제1 절연막(410)은 계속 식각되나 화소 영역(C)에서는 상기 콘택(410)과 게이트(315)가 식각에 대한 선택비가 커서 거의 식각이 되지 않는다.
따라서 로직 영역(D)의 제1 절연막(410)이 충분히 식각되더라도 화소 영역(C)은 상기 콘택(410) 및 상기 게이트(315)의 블로킹에 의하여 식각에 의한 손상이 방지될 수 있다
다음으로 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 콘택 홀들(442,444,446,448)에 금속 물질을 매립하여 콘택들(452,454,456,458)을 형성한다. 이어서 제2 절연막 상에 상기 콘택들(452,454,456,458)과 연결되도록 금속 배선(462,464,466,468)을 형성한다.
도 5는 본원 발명의 실시 예에 따른 방법에 의해 형성된 단위 화소의 콘택들을 나타낸다. 도 5를 참조하면, 화소 영역의 콘택들(510,520,530,540,550,560)은 모두 도 3f에 도시된 콘택들(342과 362, 또는 344와 364)이 적층된 구조이거나, 도 4e에 도시된 콘택들(420과 452 또는 454)이 적층된 구조일 수 있다.
그러나 본원 발명의 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니며, 화소 영역의 콘택들(510,520,530,540,550,560) 중 적어도 하나가 도 3f 및 도 4e에 도시된 콘택들 과 같은 구조일 수 있다. 또한 도 5에 도시된 구동 트랜지스터(130)의 게이트와 플로팅 확산 영역(120)이 직접 연결되는 버팅(butting) 구조일 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 일반적인 4-TR 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소의 레이 아웃을 나타낸다.
도 2는 일반적인 이미지 센서에 형성된 콘택의 단면도를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸다.
도 4a 내지 도 4e은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸다.
도 5는 본원 발명의 실시 예에 따른 방법에 의해 형성된 단위 화소의 콘택들을 나타낸다.
Claims (9)
- 화소 영역 및 로직 영역이 정의되고, 상기 화소 영역 및 상기 로직 영역 각각에 게이트를 포함하는 트랜지스터가 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 전면에 상기 게이트를 덮는 제1 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 화소 영역에 형성된 제1 층간 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 화소 영역의 기판의 일 영역 및 게이트의 일부를 노출시키는 제1 콘택 홀들을 형성하는단계;상기 제1 콘택 홀들에 금속 물질을 매립하여 제1 콘택들을 형성하는 단계;상기 제1 층간 절연막 전면에 제2 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 화소 영역의 제2 층간 절연막을 관통하여 상기 제1 콘택들을 노출시키는 제2 콘택 홀들, 및 상기 로직 영역의 제2 층간 절연막과 제1 층간 절연막을 관통하여 상기 로직 영역의 게이트의 일부 및 기판의 일부를 노출시키는 제3 콘택 홀들을 동시에 형성하는 단계; 및상기 제2 콘택 홀들 및 상기 제3 콘택 홀들에 금속 물질을 매립하여 제2 콘택들을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 콘택 홀들을 형성하는 단계는,상기 제1 층간 절연막 상에 포토리쏘그라피(photolithography) 공정을 수행하여 상기 로직 영역에 형성된 제1 층간 절연막은 덮고, 상기 화소 영역의 기판의 일 영역 및 화소 영역의 게이트의 일부에 대응하는 제1 층간 절연막을 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제1 층간 절연막을 식각하여 상기 제1 콘택 홀들을 형성하고 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 층간 절연막은 BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass) 또는 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 콘택 홀들 및 상기 제3 콘택 홀들을 동시에 형성하는 단계는,상기 제2 층간 절연막 상에 포토리쏘그라피 공정을 수행하여 상기 제1 콘택들에 대응하는 제2 층간 절연막의 일 영역, 및 상기 로직 영역의 게이트의 일부와 상기 로직 영역의 기판의 일부 각각에 대응하는 제2 층간 절연막을 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 화소 영역 및 상기 로직 영역의 제2 층간 절연막 및 제1 층간 절연막을 동시에 식각하는 단계; 및상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2 층간 절연막은 BPSG 또는 TEOS인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 화소 영역 및 로직 영역이 정의되고, 상기 화소 영역 및 상기 로직 영역 각각에 게이트를 포함하는 트랜지스터가 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 전면에 상기 화소 영역의 게이트의 상부를 노출시키도록 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 화소 영역의 제1 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 화소 영역의 기판일 영역을 노출시키는 제1 콘택 홀을 형성하는 단계;상기 제1 콘택 홀에 금속 물질을 매립하여 제1 콘택을 형성하는 단계;상기 제1 절연막 전면에 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 제1 콘택과 상기 화소 영역의 게이트의 일부, 및 상기 로직 영역의 게이트 일부와 기판 일부를 노출시키는 제2 콘택 홀을 동시에 형성하는 단계; 및상기 제2 콘택 홀들에 금속 물질을 매립하여 제2 콘택들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 절연막을 형성하는 단계는,상기 게이트가 형성된 화소 영역 및 로직 영역의 기판 전면에 절연 물질을 증착하는 단계; 및상기 화소 영역의 게이트가 노출될 때까지 상기 절연 물질에 대해 평탄화 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막은 BPSG 및 TEOS 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 금속 물질은 텅스텐,구리, 및 알루미늄 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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