TWI258626B

TWI258626B - Active matrix substrate, method of manufacturing the same, and image sensor incorporating the same

Info

Publication number: TWI258626B
Application number: TW089104264A
Authority: TW
Inventors: Hisashi Nagata; Yoshihiro Izumi; Takayuki Shimada
Original assignee: Sharp Kk
Priority date: 1999-03-11
Filing date: 2000-03-09
Publication date: 2006-07-21
Also published as: EP1037095B1; EP1037095A2; US20040169991A1; KR100403932B1; JP2000323698A; EP2192441A2; EP2192441A3; JP3683463B2; EP1037095A3; DE60044443D1; US6784949B1; US7250991B2; KR20000076822A

Description

1258626 五、發明說明（發明之領域本發明係關於_嫱Μ1 „ 、種例如使用於液晶顯示裝置或平面板型影像感測器等的主私杰 ^ 動矩陣基材及其製造方法，更關於一種採'用咸主動矩陳其Jj_L ' ^ Ρ平基材I影像感測器。發明之背景使用於液日曰顯不裝置等中的主動矩陣基材，係由畫素電極及開關S件等所構成，而畫素電極係在由電極配線、信號線及掃描線所包圍的每-畫素上獨立而設者，而電極配線係由配置成柵狀的複數個信號線與複數個掃描線所構成。上述開關元件，若爲^等至皇則分別連接在信號線（或掃描線）及晝素電極上，若爲三端子型則分別連接在信號線、#描線及畫素電極上。然後，當預定之電壓信號輸入至掃描線上時開關元件就會導通，且輸入至信號線上的畫像信號（電位）會寫入於畫素電極上。用以選擇驅動畫素電極的開關元件，'/一般係以三端子型之T F T (薄膜電晶體）元件、二端子型之MIM (金屬-絕緣膜-金屬）元件等爲人所週知。如圖9呈圖1 i所示，使用τ f T元件（以下，簡稱爲T F T ) 以作爲開關元件而形成之液晶顯示裝置之一部分的主動矩陣基材之一畫素，係由配置成柵狀之信號線1 〇 1 · i 〇 1和掃描線1 0 2 · 1 〇 2所組成之電極配線、設於由上述信號線 101 · 101和掃描線1〇2 · 102所包圍之畫素區域上的畫素電極103、及TFT 104等所構成。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(cns)A4規格（210 X 297公釐） -----------衣--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 A7 五、發明說明（2 另外，圖1 0係圖9之F - F ’線的截面圖，圖i i係圖9之G _ G ’線的截面圖。又’ TFT 104 ’係具有連接掃描線丨〇 2的閘極丨〇 6、連接仏號線1 0 1的源極電極1 〇 7、及連接畫素電極i 〇 3和以下所述之畫素電容（儲存電容）1〇5a之一方端子（透明電極層 1 1 2 )的汲極電極丨〇 8。然後，當掃描信號輸入至上述掃描線1 02時TFT 104就會被驅動，而輸入至信號線i 〇 i之畫像化號（視頻信號），會介以源極電極丨〇 7 ·汲極電極 ios而窝入於畫素電極103中。上述之主動矩陣基材中，用以保持寫入於畫素電極1〇3 中之畫素信號的晝素電容1〇5a，係如圖1 1所示，由閘極絕緣膜1 1 0、介以閘極絕緣膜i i 0而相對配置的畫素電容電極（儲存電容電極）1〇5及透明電極層112所構成。畫素 %谷電極1 0 5，係兼做用以連接與掃描線1 0 2平行之複數個畫素電容l〇5a的畫素電容共用配線（儲存電容共用配線）’且於形成液晶單元之構成時與相對基材（未圖示）上的相對電極相連接。上述主動矩陣基材之製程，亦如圖12(a)〜(h)及圖 l3(a)〜(h) >斤示，係在絕緣性之透明基材丨〇 9上形成閘極 1 0 6及畫素電容電極丨〇 5，接著，依閘極絕緣膜丨丨〇、半導體層1 1 1、n'Si層（相當於源極電極丨〇 7及汲極電極 108)、透明導電層112、金屬層113、保護膜114、層間絕緣膜1 1 5、構成畫素電極1 0 3的透明導電層之順序而層合•圖案化所成。另外，設成連接TFT 1〇4之源極電極 -5- 本...氏狀度顧’國家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· ϋ n ϋ ϋ t— ϋ n 一、 —Bi n ϋ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626

五、發明說明（3 ο 7的透明導電層i i 2及金屬層u 3係構成信號線i 〇 1。上述王動矩陣基材中，畫素電極i 〇 3係介以貫穿層間絕緣膜1 1 5之接觸孔！丨6而與TFT 1〇4之汲極電極i 〇 8相連接。另一方面，畫素電極丨〇 3、與信號線i 〇 1及掃描線 1〇2(參照圖9)，由於係利用層間絕緣膜丨15而互相隔開所以相對於信號線i i及掃描線丨〇 2可使畫素電極i 〇 3重疊（參照圖9及圖1〇)。眾所週知者，當依據此種的構造時，就有提高開口率，且抑制藉由遮蔽起因於信號線丄〇 i 及掃描線1 02之電場所造成的液晶之排列方向不良 (discrimination)的效果。更簡單的型態，一般係採用省略層間絕緣膜1 1 5及其上層之畫素龟極103的形成步驟’形成透明導電層112以作爲畫素電極，且在層合於透明導電層112上的保護膜114 上將畫素開口取大的方法。此構造中，與上述構造相較雖然開口率較差，但是由於可以更短的步驟來形成主動矩陣基材，所以在製造成本方面很有利。然而，如此所形成的主動矩陣基材，不僅可應用於液晶顯示裝置中亦可應用於各種的用途上。例如具體而言，可列舉在/晝素電極1()3上更形成取得piN接面或蕭特基接面的半導體層合元件，以使之當作光二極體功能的光感測器。此係在該二極體之另一端子上事先施加預定的直流電壓（D C電壓），只有照到光的部分才會增加二極體之導通性’且儲存於各畫素之畫素電容（儲存電容）内以作爲電位資料者。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) II--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626

五、發明說明（又，亦可考慮形成將光或乂射線等直接轉換成電荷的轉換層，且依強電壓將在此所發生的電荷儲存在畫素兩容购内’且依序讀出此資料之型式的感測器以取：光：極體。此係採用例如日本國公開特許公報「特開平4 咒號公報（公開曰1 992年8月4曰）」所記載的形態者，在轉換層中所產生的電荷係儲存在4素電容1〇5&内，且按昭目標物之形態而在各自之畫素中料作爲電荷的資雨' 位資料）。此例如與液晶顯示裝置之情況㈣，係藉由: 序掃描掃描線i 02，使依掃描線1〇2而被選擇的晝素所保有之資料介以主動元件（相當於TFT 1〇4)讀出至資—料線（相當於信號線1〇1)上。在該資料線之另一端上，設有用以將該等資料當作信號而讀出之運算放大器等的電路，而被反映至感測器上的物體可當作晝素資料被取出。有關上述例示之感測器之形成光二極體或光電轉換層之前的階段之主動矩陣基材部分，係以目前狀態展開上述液晶顯示裝置之生產過程，由於只要使晝素電容1〇“之大小或主動元件之時間常數等最適於感測器用即可實現，所以在生產時就不需要投資新的設備等，即可廉價生產。例如，當作電腦之顯示元件（監視器）來使用的液晶顯示装置，近年來越來越多要求作爲其處理的資訊量，而爲了滿足該要求而顯示元件之大型化（顯示部之大型化）就成爲必須的要件。又，不僅作爲電腦之監視器的用途，即使是當作A V (Audio Visual)機器或產業機器等的監視器此大型液曰9顯示裝置之需求亦日漸增大。更且，即使在中小型之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 華經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 A7 ^__B7 五、發明說明（5 ) 顯示元件中高精細化之需求亦越來越變大起來，且設計之現實面亦日漸困難。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) V 當根據圖9至圖11具體説明時，由於顯示元件越大型化，信號線1 0 1或掃描線1 0 2就越變長，所以該配線中之信號延遲就變得無法忽視，而且即使在中小型之顯示元件中，窄間距之中若要確保較高的開口率自然就不得不使配線寬度變細，結果，因配線（信號線1 〇 1、掃描線丨〇 2 )變成高電阻，則仍然會發生信號延遲。因此’爲了解消上述信號延遲，而考慮一種減低決定該配線之信號延遲性之另一因素之配線間之靜電電容的方法以作爲有效對策。然而，隔開信號線1〇1與掃描線1〇2的閘極絕緣膜1 1 0，由於係扮演著同時決定TFT 1〇4之特性’或形成畫素電容105a的角色，所以減薄該閘極絕緣 1 1 〇之膜厚且縮小每一單位面積之靜電電容的方法就無法容易採用。 •丨緩濟部智慧財產局員工消費合作社印製感測器用之主動矩陣型基材’有必要滿足比液晶顯示裝置之主動矩陣基材還更嚴格的要求水準。亦即，除了上述説明之信號延遲性的問題之外，亦不可輕視雜訊的問題。當根據圖Θ至圖11而具體説明時，會發生從畫素中讀出信號時對應鄰接畫素（共有畫素電容電極1 〇 5的晝素）之信號的雜訊會重疊在畫素電容電極105上，且藉由此因與讀出中之畫素電極1 03之間的靜電電容而使信號在晝素間互相干涉而使解像度降低，或畫素電容電極1 〇 5與信號線工〇 i 之間的靜電電容，會以進入信號線1 0 1的雜訊方式出現，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^258626 A7 -----2Z_— ___ 五、發明說明（6 ) 更曰藉由k號檢測用之放大器而放大以致無法獲得正確資料的問題。又，一般而言，爲了要精度佳地取出信號，雖然可進行無須過於提高畫素電位而儲存更大的電荷資料，但是爲了此而將畫素電容値取大是很有效的。然而，因取大畫素電容値而會使畫素電容共用配線之阻抗變大，則上述之問題就會更加顯著。更加詳細説明必須將畫素電容共用配線之阻抗抑制很小的理由。在平行配置掃描線與畫素電容共用配線時，在選擇某特定線之掃描線的瞬間，與該特定線中之畫素電容共用配線電容耦合的全畫素之負載，就會施加在該一條的晝素電容共用配線上。亦即，即使在對畫素寫入電荷或讀出電荷時’在選擇特定線之掃描線的瞬間，由於對應該掃描線及晝素電容共用配線之各畫素的電位會一齊變化，所以各畫素與形成靜電電容之畫素電容共用配線的電位，相對於本來應維持的電位會大幅晃動。如此，畫素電容共用配線所晃動的電位，由於會與畫素之資料（即畫素之電位）互相干涉’而造成發生串擾（cr〇ss-talk)的主要原因。又’當晝素電容共用配線與多數條信號線交叉，且電容轉合時’畫素電容共用配線所晃動的電位，亦會給通過信號線的仏號線帶來不良影響。尤其是，如液晶顯示裝置，在多數條信號線以高頻作交流驅動時，通過信號線的信號’就會因接受畫素電容共用配線所晃動的電位之影響而變大。因而’在不給畫素之電位或通過信號線的信號帶來不良 -9-

本紙張尺度顧帽Θ豕標+ 規格（21〇 X 297公tT (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 A7 B7 五、發明說明（7 ) 影響下，爲了使畫素電容共用配線可保持穩定的狀態，就有必要藉由以電阻値小的材料來形成晝素電容共用配線等，以將畫素電容共用配線之阻抗抑制在極小値。因此，不僅可考慮如一般地將畫素電容共用配線與掃描線配置成平行，而且亦可配置成與信號線平行的構造。例如，SID 98 DIGEST : pp 371-374中所揭示之X射線感測器用之主動矩陣基材的構成，係如圖1 4及圖1 5所示，由設置成柵狀的信號線2 〇 1及掃描線2 〇 2所包圍而形成畫素，更由介以閘極絕緣膜2i〇b使畫素電極2〇3與畫素電容電極2 0 5相對之構造所構成的畫素電極2〇5& · 2〇5&形成於每一畫素上。又，晝素電容共用配線2〇5b係配設成與信號線 201平行。若依據上述之構成，則由於信號線2 〇丨與畫素電容共用配線205b不具有交叉部，所以可減低施加在信號線2〇1上的靜電電容（負載電容），且可減低晝素電容共用配線2〇5b 之阻抗。結果，可大幅改善信號線2 〇丨中之信號延遲性的問題，同時可防止在顯示裝置中經常造成問題的串擾之發生。又，在當作感測器用之主動矩陣基材來使用時，可防止因鄰接畫素之資料所造成的雜訊而使解像度降低的現象。更具體而言’利用掃描線2 0 2選擇某條線（即，與輸入使TFT 204導通之掃描信號的掃描線2 〇 2平行的畫素之行）時’在晝素電容共用配線205b中所產生的雜訊，即使傳播至與信號線2 02平行的方向上，由於不會傳播至相同的掃描線2 0 2上之畫素方向上，所以不會對通過同時被選 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

1258626 五、發明說明（8 ) 擇之畫素而讀出的資料產生不良影響。然而，爲了製造上述構成之主動矩陣基材，而與圖 12(a)〜(h)及圖13(a)〜(h)所示之主動矩陣基材之製程相比較’在形成畫素電容共用配線2〇5b之前，掃描線2 〇 2之形成步驟（相當於圖12(a)、圖13(a)之步驟）與閘極絕緣膜 210b之形成步驟（相當於圖12(b)、圖13(b)之步驟）之間，需要多餘的步驟。具體而言，需要a)夾住閘極絕緣膜 21〇b，設置成與畫素電極2 0 3相對之作爲畫素電容電極 205之透明電極膜的形成步驟（成膜、光微影、蝕刻步驟），b)形成上述畫素電容電極2〇5之前的下層閘極絕緣膜210a之形成，以及c)用以設置由金屬配線所構成之晝素電容共用配線205b與畫素電容電極205之接觸部分2〇5c之閘極絕緣膜210b之成膜•光微影•蚀刻步驟。再者，對於上述閘極絕緣膜21〇b之圖案化由於有必要在每一晝素上進行所以也要求較高的圖案精度，且有需要較高價的光罩與緻密的曝光條件或蝕刻條件之管理。又’雖然未形成用以保護TFT 204之保護膜（例如，相當於圖1 0中之保護膜i i 4者），但是爲了提高元件（X射線感測器等）之信賴性，通常較爲人所期望者係在由有機膜所構成的層間絕緣膜2 1 5與TFT 204之間配置無機之保護膜’實際上，在習知之元件中所採用的主動矩陣基材，係配置有象化矽等的無機膜。因而，閘極絕緣膜2i〇b之形成完後的步驟數，可以説係與圖9所示之習知者大致相同。因而’就會因造成畫素電容電極2〇5之透明電極膜的成 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·— # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 A7 ------B7 五、發明說明（9 ) 膜•圖案化步驟、及閘極絕緣膜210b之成膜•圖案化（钱刻）步驟之增加，以及閘極絕緣膜21 〇b之圖案化的精度而招來成本提咼的問題。又，從其與量產性之保持均衡來看，在中小型之設計規格比較簡單的主動矩陣基材之製造中，並沒有採用隨著此種步驟增加之製程的優點，雖然是在相同的生產線上但是依主動矩陣基材之尺寸而必須改變過程來生產而會發生降低生產線之生產性的新問題。又，如圖10及圖11所示之構成，在畫素電容電極1〇5 形成於閘極絕緣膜1 1 〇之下層時，如前述般，可省略層間絕緣膜115及其上層之畫素電極103的形成步驟，且可採用形成透明導電層1 1 2以作爲畫素電極之簡便的方法，相對於此，如圖14及圖15所示之構成，在將畫素電容共用配線205b形成於閘極絕緣膜21〇b之上層時，無法採用如上述之簡便的方法。再者，如圖14及圖15所示之主動矩陣基材，係在由 m以上之厚度所形成的層間絕緣膜2 1 5 (聚合物）上，形成輔助電容於形成時所必要的大小之貫穿孔。將此種的主動矩陣基材應用於液晶顯示裝置中時，由於設在對於畫素顯示很重要的部分（透過型液晶顯示裝置之情況係爲光透過部分）上的該貫穿孔，會造成使液晶之排列方向混亂的結果，所以恐有引起對比降低之顯示品質上的重大問題之虞。另一方面，在美國專利公報No. 5，182,62〇 (對應日本國公開特許公報：特開平3-288824號公報（公開日1991年i 2 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） --------^-----I--I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · · 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------------B7_______ —__ 五、發明說明（1〇 ) 月1 9日））上，揭示有_種將頂部閘極構造（正交錯構造 (TFT當作開關元件的主動矩陣基材中，將畫素電極配置在層間絕緣膜之上層，以謀求高開口率化，同時將輔助電客配線配£成與信號線平行的構成。又，由多晶硬薄膜之圖案化等形成TFT之半導體層及電容用下部電極，而閘極匯流排配線、閘極及電容用上部電極亦係由多晶矽薄膜之圖案化等而形成，輔助電容，係介以絕緣膜使電容用下部電極與電容用上部電極相對而形成。然而，此種的構成，無法應用於具備有非晶矽型τρτ之主動矩陣基材中。爲何如此，此係因當藉由將多晶矽薄膜置換成非晶矽薄膜，並以非晶矽形成電容用下部電極與電容用上部電極之至少一方時，無法獲得穩定的電容特性所致。更具體而言，係因非晶矽之導電率低於多晶矽，而且電容易因電壓而變動之故。 =，在具備有非晶矽型TFT之主動矩陣基材上係以採用逆交錯構造而非正交錯構造，較容易抑制因照射在主動矩陣基材上的光而引起T F T之洩漏電流的發生。發明之概述本發明'爲了解決上述問題點而成者，其目的係在於提供一種不會隨著步驟數ϋ力〗，:且可防止信號線中之信號傳遞延遲及畫素間之土擾之發生的主動矩陣基材，及其製造方法。更提供一種採用該主動矩陣基材之影像感測器。本發明之主動矩陣基材，爲了達成上述目的，其係具備有：畫素電極，設於由配置成栅狀之複數個掃描線及信號 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -n 1 ϋ i-i -I 1 I · ϋ ϋ n n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · - ♦ 1258626

線所形成的每-畫素上；開關元件，位於上述掃描線與作號線之交又部附近且連接在掃描線、信號線及晝素電極^ 各個j ’儲存電容電極，爲了在與上述晝素電極之間形成儲存弘奋而没；以及儲存電容共用配線，配置成與信號線平仃，而上述信號線、儲存電容電極及儲存電容共用配線，係藉由使相同的電極層圖案化而形成。，—依據上述之構成，則由於在形成信號線時，可同時形成儲存電容電極與儲存電容共用配線，所以可提供一種不會招來步驟數之增加（甚至於主動矩陣基材之製造成本之增加），A具有與信號線平行之儲纟電容共用酉己線的主矩陣基材。更具體而言，例如不變更製程而使用習知之液晶顯示裝置（㈣線與儲存電容共用配線正交者）的生產線，由於可製造高性能之液晶顯示裝置或感測器用等主動矩陣基材，所以除了不需要投資新設備之外，亦無須擔心會使之生產性降低的問題。 Ά 經濟部智慧財產局員工消費又，若使用上述構成之主動矩陣基材，例如構成液晶顧 :裝置或感測器等元件的話，則信號線所交叉的線可只有掃描，·泉（亦即’由於儲存電容共用配線與信號線不交叉）， f可有效防止雜訊或信號傳遞之延遲等。藉此，就可更加 W地進行畫素之充電。更且’由於在共有-條之儲存電容共用配線的複數個畫素上立即使開關元件同時導通，所以可防止串擾等現象。不即’可提供一種無須#隨步驟數之增加，即可防止信 1258626 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（12) 號線中之信號傳遞延遲及畫素間之_擾發生的主動矩陣基材。如上所述，其可防止信號線中之信號線傳遞延遲者，乃與習知不同，此係因信號線與儲存電容共用配線不交叉，可使^號線與其他配線之間的靜電電容變小，結果，可將信號線之時間常數抑制得很小所致。然而，爲了亦可在習知之液晶顯示裝置中經常進行，且可將施加在信號線上的信號振幅抑制得很小，而有時會在相對配置於畫f電極上的才目對電極及儲# t容共用配線上，以相反於信號線的相位供給一定振幅的信號。此情況，儲存電容共用配線中之信號延遲亦會造成問題。但是，由於在掃描線之截止電位上，亦進行以與供給至儲存電容共用配線之信號相同的相位重叠相同振幅的信號，所謂浮動閘驅動，所以在本發明之情況，互相交叉的掃描線與儲存電容共用配線之電壓差會經常保持一定。亦即，從儲存電容共用配線之觀點來看，使時間常數增加的電容成分，由於只有浮動電容而已，户斤以亦可獲得^ 存電容共用配線中之信號延遲，幾乎爲零的效果。另外，锆存電容電極與儲存電容共用配線，亦可形成相 =的電極層的圖案，並當作用以連接相鄰畫素之儲存電容 :::此之間的配線，以形成儲存電容共用配線，且可在〃一素上獨乂形成的儲存電容電極上，層合形成與複數個里素共用的儲存電容共用配線。在則者〈情況中，若將信號線形成單層構造的話，則可 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·11111 -15- 本紙張尺度咖巾關 X 297公釐） 1258626

五、發明說明（13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製藉由使相同的電極層圖案化而形成及儲存電容共用配線。又，在徬去、在予％谷私極^ ^ , ^ 在後者又丨目況中，若將信號線厝^一層所構成的層合構造的話，則藉由使 ^ ^ 上層與儲存電容電極，且藉由使相同的電極層圖案化而形成信號線之下層與儲存電容：：配線，由於即可同時進行形成错 ’、 y战保存電谷電極及儲存電用配線，所以可同樣地獲得本發明之上述效果。 ’、 mr主動矩陣基材，其係具備有：畫素電極，汉於由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一 =區域上1關元件’連接在上述掃描線、信號線及書素⑤極之各個上；儲存電容電極，爲了在與上述書素電極之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，連接在 :儲存電容電極上’且配置成與信號線平行，而上述信號線與儲存電容電極，亦可菸忐# π α上 T j猎由使相同的電極層圖案化而形成。如上述般，儲存電容電極與儲存電容共用配線，亦可形成相同的電極層的圖案，並當作用以連接相鄰書素之儲存電容電極彼此之間的配線，以形成儲存電容共用配線，且可在每一晝素上獨立形成的儲存電容電極上，層合形成盥複數個畫素共用的儲存電容共用配線。典:疋哪一種，只要成爲藉由使相同的電極層圖案化而形成信號線與至少儲存電容電極的構成，以目前之狀態利用習知之製程，仍可獲得與前述相同的作用效果。本發明之另_主動矩陣基材，其係具備有：畫素電極， • 16 - 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4_規格（21G x挪公餐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ n I n^OJfl I I n ϋ I n I I 11258626 A7 五、發明說明（14 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製設於由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成的—一 3域上1關元件’連接在上述掃描線、信號線：：素包極心各個上；儲存電容電極，供於儲存電容之形用；以及儲存電容共用配線，連接於該儲存電容電極上，且配置成與信號線平行，而上述儲存電容，係形::上述畫素電極與儲存電容電極之間，且上述掃描線與儲存電容電極’係藉由使相同的電極層圖案化而形成。若依據上述之構成，則可獲得與其特徵爲藉由使相同的電極層圖案化而形成信號線、與儲存電容電極及儲存電容共用配線的主動矩陣基材相同的優點。亦即，由於減少信號線之靜電電容，所以S/N(噪訊比）會提高，同時信號線中之信號延遲會變小。又，由於除了可介以儲存電容共用配線防止因信號之串擾所造成的解像度之降低之外，可顯著減少施加在儲存電容共用配線上的負載，且可提高信號之精度，所以欲減少儲存電容共用配線之阻抗亦可在設計上以極少的負擔來完成。如此之外，由於只要將習知之液晶顯示裝置用的主動矩陣基材之製造裝置進行小規模的圖案設計變更，即可以前的狀態來使用，所以對於成本而言極爲有利。又，以相同的層來形成用以形成畫素電極與儲存電容儲存電容電極與掃描線之型式的主動矩陣基材，係有利將儲存電容電極形成大面積，且構成畫素電容値較大的像感測器者。爲何如此，此係由於在形成掃描線及儲存容電極之後，介以絕緣膜形成畫素電極以作爲上層，而藉目的於影電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- -17- 1258626

五、發明說明（15 容線二=:=!ί轉換成所形成的畫素電極之開口面致。 §子私谷％極具有遮光性，亦不會受到影響所_ 畫素電容值較大的影像感騎，係可對轉換成照射X射線所產生的電荷，且可防止荷從開關元件㈣，或„元件:身二二：可將在與上述儲存電容電極之間形成儲存電容的 =?、，: 儲存電容電極與絕緣層(例如，問極絕、、万、，置換成與畫素電極不同設計的導電體層。 =即’亦可將本發明之主動矩陣基材，形成「曰矩陣基材，其係具備有♦· 王動所=極，：：由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成的母一畫素區域上；個1關元件，連接在上述掃描線、信號線及畫素電極之各儲存電容電極，供於錯存電容之形成用；以及儲存電共用配線連接於該儲存電容電極上，且配置成：

平行，， μ U 其具備有夹住上述儲存電容電極與絕緣層而設的導㊉層，而上述儲存電容，係形成於上述畫素電極與儲存；電極〈間’且上述掃描線與*存電容電極，係藉由使相的電極層圖案化而形成」的構成。又，本發明之主動矩陣基材的構成，係較適於採用底層 -18 --------^---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製體容本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 1258626

五、發明說明（16 閘極構造的開關元件之情況。再者’本發明之主動矩陣基材的構成，係較適於採用非晶矽型薄膜電晶體（a-si型TFT)以作爲開關元件的情況。本發明之更另一主動矩陣基材，爲了達成上述之目的，其係包含有：畫素電極，設於由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一畫素區域上；開關元件，連接在上述掃描線、信號線及晝素電極之各個上；儲存電容電極，爲了在與上述畫素電極之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，連接於該儲存電容電極上，且配置成與信號線平行，而上述掃描線與畫素電極，亦可係藉=使相同的電極層圖案化而形成。 9 —即使依此種的構成，亦可獲得與其特徵爲藉由使相同的私極層圖案化而形成信號線、與儲存電容電極及儲存電容共用配線的主動矩陣基材相同的優點。思除此之外，可在掃描線及畫素電極之層上成膜開極絕緣膜，且形成開關元件、信號線、儲存電容電極及錯存電容共用配線以將賴膜予以成膜之後，使用相同的料同時使保護膜與閘極絕緣膜圖案化，以形成畫素電極口 4(5 〇因而，如上述般，若爲藉由使相同的電極層圖案化而形成掃描線與畫素電極的構成之情況，則藉由使用相同的光罩由於即可獲得成本刪減效果、及藉由在*同的步驟不使保4膜與閘極絕緣膜圖案化即可完成而達成本删減效果，所以可大幅刪減製造成本。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n ϋ n ϋ n 一-口 V I ϋ ϋ ϋ ϋ φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（17) 而且，在到達保護膜之圖案化步驟爲止，由於可事先利用閘極絕緣膜來保護畫素電極，所以畫素電極之表面就不易受到污染。結果，在上述構成之主動矩陣基材上層合轉換層以構成影像感測器時，由於可穩定將轉換層成膜於書素電極之開口邵上，所以可獲得高性能且製造良率佳的影像感測器。本發明之更另一主動矩陣基材，爲了達成上述之目的，其係具備有：第一畫素電極，設於由配置成栅狀之複數個掃描線及仏號線所形成的每一晝素區域上；開關元件，連接在上述掃描線、信號線及第一畫素電極之各個上；第二畫素電極，連接在上述第一畫素電極上；儲存電容電極，爲了在與上述第二晝素電極之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，連接於該儲存電容電極上，且配置成與信號線平行，而上述掃描線與第二畫素電極，係藉由使相同的電極層圖案化而形成。即使依此種的構成，亦可獲得與其特徵爲藉由使相同的電極層圖案化而形成信號線、與儲存電容電極及儲存電容共用配線的主動矩陣基材相同的優點。又’在儲存電容很小即可完成的情況，由於可將第二佥素電極之面積設定得很小，所以即使以與掃描線相同之金屬等的非透光性材料來形成第二畫素電極，亦可將遮光區域之面積抑制在最小限。再者，第一晝素電極，由於只要以如I T 0 (氧化銦錫）的透光性材料來形成即可，所以可與得適於將開口部取大的透過型之液晶顯示裝置的主動麵2 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·' 4 1258626 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（18 ) 基材。再者，由於可以如j T 〇之穩定的物質來形成第一畫素電極’所以在將上述構成之主動矩陣基材應用於影像感測器中時，可在第一畫素電極上穩定地層合轉換層。又，即使轉換層需要光照射之復新（refresh)動作時，如上述般，由於遮光區域之面積可抑制在最小限，所以從轉換層所期望之方向來看可提供足夠的光量。本發明之主動矩陣基材之製造方法，爲了達成上述之目的，一種具有上述構成的主動矩陣基材之製造方法，其特徵在於包含有藉由使相同的電極層圖案化而形成上述信號線、儲存電容電極及儲存電容共用配線的步驟。若依據上述之方法，則在形成信號線時，由於可同時形成儲存電容電極與儲存電容共用配線，所以不會招來步驟數之增加，而可提供一種具有與信號線平行之儲存電容共用配線的主動矩陣基材。更具體而言，由於不用變更製程而使用習知之液晶顯示裝置（信號線與儲存電容共用配線正交者）之生產線，即可製造高性能之液晶顯示裝置或感測器等主動矩陣基材，所以除了不需要投資新的設備: 外，亦無·須擔心會使生產線之生產性降低。本發明之主動矩陣基材之另一製造方法，爲了達成上述之目的，其係具備有，設於由配置成栅狀之複數個掃描：及信號線所形成I每一畫素區域上的畫素電極；連接在上述掃描線、信號線及畫素電極之各個上的開關元件 ^ 在與上述畫素電極之間形成儲存電容而設的儲存電容極；以及連接在該儲存電容電極上且配置成與信號線平了行 C請先閲讀背面之法意事項存填寫本買) 爭 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 1258626 A7 - 五、發明說明（19 ) 的儲存電容共用配線者，其特徵在於·包含有， ⑴將電極層成膜於基材上且藉由該電極層之圖案化而形成掃描線與畫素電極的步驟； (2 )層合閘極絕緣膜的步驟； (3 )、在形成上述信號線、開關元件、儲存電容電極、儲存電谷共用配線之後，將保護膜予以成膜的步驟；以及 (4)同時使上述閘極絕緣膜及保護膜同時圖案化，以形成畫素電極之開口部的步驟。若依據上述之構成，則在形成信號線時，可同時形成畫素電極，同時在其他的步驟中，亦可以目前的狀態應用習知之主動矩陣基材之製程。因而，由於不用變更製程而使用習知之液晶顯示裝置（信號線與儲存電容共用配線正交者）之生產線，即可製造高性能之液晶顯示裝置或感測器等主動矩陣基材，所以除了不需要投資新的設備之外，亦無須擔心會使生產線之生產性降低。而且’由於可在將閘極絕緣膜成膜於掃描線及畫素電極之層上’且形成開關元件、信號線、儲存電容電極及儲存電容共用配線以將保護膜予以成膜之後，使用相同的光罩同時使保護膜與閘極絕緣膜圖案化，以形成畫素電極之開口部，所以藉由使用相同的光罩即可獲得成本刪減效果、及藉由在不同的步驟不使保護膜與閘極絕緣膜圖案化即可完成而達到成本刪減效果，並可大幅刪減製造成本。再者，在到達保護膜之圖案化步驟爲止，由於可事先利用閘極絕緣膜來保護畫素電極，所以畫素電極之表面就不 -22· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— ♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626

五、發明說明（2〇 ::::染。結果，在畫素電極之開口部上層合轉換層以嬅、疋將轉換層予以成膜，所以獲仵馬性能且製造良率佳的影像感測器。本：明之影像感測器，爲了達成上述之目的，其特徵在二=:有’具有上述之構成的主動矩陣基材·將已入射該，荷之儲存電容的偏向電壓施加機構。成已错存右依據上迷〈構成，則人射於影像感測器内的電磁輕射 '，在轉換部中會轉換成電荷，接著該電荷以靜電電容 (儲存％谷）被儲存著。一般而言，影像感測器，雖炊對於儲存電容或雜訊之要求水準很高，但是在具備上述主動矩 =基材之影像感測器中，可將該等抑制在不會對以靜電電被儲存的信號之讀出特性帶來影響的程度。又，在製造影像感測器之主動矩陣基材時，無須追加新的步驟，且典須變更製程即可使用習知之液晶顯示裝置（信號線與儲 :電=用配線正交者)之生產線。因而，不會招來新的口又備技貝、生產線之生產性之降低的問題，即可提供該影像感測器。 ’…不' 又，若使用儲存電容電極由透明電極膜所構成之主動矩陣基材的話，則由於可減少該影像感測器之透明基材與轉換層I間的遮光區域，所以依在影像感測器全體上照射光的方法即可效率佳地進行轉換層之復新。又’若使用儲存電容共用配線亦由透明電極膜所構成之主動矩陣基材的話，則由於可減少遮光區域，所以可增大 -23- 本紙張尺度適用中_家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- ♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626

五、發明說明（21 上述之效果。再者，若介以用以覆蓋開關元件之上層的絕緣膜，使用具有相對配置畫素電極與儲存電容電極之構成的主動矩陣基材的話’則無須追加新的步驟即可製造影像感測器，且以孩構成爲前提，若使用在上述晝素電極與絕緣膜之間具有層間絕緣膜，且在設於該層間絕緣膜上的接觸孔中相對配置有上述晝素電極與儲存電容電極之構成的主動矩陣基材的冶’則可提供一種可減低畫素電極與電極線（指配置於掃描線、信號線、連接電極等之畫素電極之下層的電極配線）I間的影響’且可精確地控制儲存電容値的影像感測器。本發明之更進一步的其他目的、特徵及優點，從如下所圮載之内容中即可充分明白。又，本發明之優點，參照附圖及如下之説明即可明白。圖式之簡單説明圖1係顯示本發明之實施形態之主動矩陣基材之構成的概略平面圖。圖2係圖1所示之主動矩陣基材之a - A "線箭視截面圖。圖3(a)至圖3(h)係顯示圖1所示之主動矩陣基材之製程的Α-Απ線箭視截面圖。圖4係顯示本發明之另一實施形態之主動矩陣基材的截面圖。圖5係顯示構成本發明之更另一實施形態之X射線感測器之主要部分之主動矩陣基材的概略平面圖。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 A7 B7___ 五、發明說明（22 ) 圖6係圖5所示之X射線感測器之B-B，線箭視截面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7係顯示構成本發明之更另一實施形態之X射線感測器之主要部分之主動矩陣基材的概略平面圖。圖8係圖7所示之X射線感測器之D-D’線箭視截面圖。圖9係顯示習知之主動矩陣基材之構成的概略平面圖。圖1 〇係圖9所示之習知主動矩陣基材之F_F，線箭視截面圖。圖1 1係圖9所示之習知主動矩陣基材之G _ G，線箭視截面圖。圖12(a)至圖12(h)係顯示圖9所示之習知主動矩陣基材之製程的F-F’線箭視截面圖。圖13 (a)至圖13 (h)係顯示圖9所示之習知主動矩陣基材之製程的G-Gf線箭視截面圖。圖1 4係顯示使用於習知之X射線感測器中之主動矩陣基材之構成的概略平面圖。圖15係圖14所示之習知主動矩陣基材之H_ H，線箭視截面圖。圖1 6係顯示本發明之更另一實施形態之主動矩陣基材之構成的/概略平面圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖17係圖16所示之主動矩陣基材之^〗，線箭視截面圖。圖18(a)至圖18(g)係顯示圖1 6所示之主動矩陣基材之製程的Ι-Γ線箭視截面圖。圖1 9係顯示本發明之更另一實施形態之主動矩陣基材之構成的概略平面圖。 -25- 本紙張尺度適用中國國豕仏準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） .—__ 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（23) 圖2 0係圖1 9所示之主動矩陣基材之j _ j ’線箭視截面圖。圖2 1係顯示本發明之更另一實施形態之主動矩陣基材之構成的概略平面圖。圖2 2係顯示圖2 1所示之主動矩陣基材之變形例的概略平面圖。圖2 3係圖2 2所示之主動矩陣基材之κ _ κ，線箭視截面圖。圖2 4係顯示本發明之更另一實施形態之主動矩陣基材之構成的概略平面圖。圖25係圖24所示之主動矩陣基材之L_L，線箭視截面圖2 6係顯示本發明之更另一實施形態之主動矩陣基材之構成的概略平面圖。圖27係圖26所示之主動矩陣基材之M-M，線箭視截面圖。圖2 8係顯示圖2 6所示之主動矩陣基材之接觸孔附近之變形例的概略平面圖。圖2 9係/圖2 8所示之主動矩陣基材之N _ N，線箭視截面圖。圖3 0係顯示本發明之更另一實施形態之主動矩陣基材之構成的概略平面圖。圖3 1係圖3 0所示之主動矩陣基材之〇_〇，線箭視截面圖0 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

n fn i I ϋ ϋ n 一：0JI ·ϋ ϋ n ϋ n II ϋ I I 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ——_____B7_ 五、發明說明（24 ) 具體例之説明 [實施形態1 ] 就本發明所實施之一形態，根據圖1至圖3加以説明。另外’本實施形悲之主動矩陣基材，係以可援用如圖 12(a)〜(h)及圖13(a)〜(h)所示之主動矩陣基材之製造過程爲其特徵之一，且邊適當參照同圖而邊就特別不同之點加以説明者。又’構成本實施形態之主動矩陣基材之各層的材料或加工方法等，由於可援用習知公知者，所以有關該等的詳細説明則省略之。如圖1及圖2所示，本實施形態之主動矩陣基材，係由配設成柵狀的信號信1 1 · i i及掃描線1 2 · 1 2所包圍而形成各畫素（畫素區域），且在該信號線掃描線之交叉邵附近形成有作爲開關元件的Τρτ 13。配置成與k號線1 1 · 1 1平行的畫素電容配線（儲存電容共用配線）1 4，係用以連接在並排於該信號線i 1之延伸方向的各畫素上所形成之複數個畫素電容（儲存電容）14a 的畫素電容共用配線，例如，在使用於液晶顯示裝置中時，係連接在相對基材的共用電極（未圖示）上。又，畫素電容配線1 4係在接觸孔1 5中介以保護膜（絕緣膜）2 7與畫素％極16相對以形成上述畫素電容14a。亦即，畫素電容配線1 4 ’不僅可作爲上述共用配線之功能，而且還可具有構成晝素電容14a之電極之一方（畫素電容電極）的功能。再者，如觸及以下製程之記載所示，由金屬配線26c及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-27-

1258626

五、發明說明（25) 透明電極2 5 c所構成的畫素電容配線i 4，係在形成用以構成該信號線1 1之金屬配線2 6 a及透明電極2 5 a時，可同時形成圖案。亦即，構成畫素電容配線14之金屬配線26c與構成#號線1 1之金屬配線2 6 a係來自相同的層，而且構成晝素電容配線1 4之透明電極2 5 c與構成信號線i 1之透明 %極2 5 a係來自相同的層。其次’根據圖3(a)〜(h)，具體説明本實施形態之主動矩陣基材之製程。如圖3 ( a)所示，在玻璃等絕緣性之透明基材2 〇上成膜金屬膜之後’利用光微影術、及乾式蚀刻術或濕式蚀刻術，形成TFT Π之閘極2 1及掃描線i 2 (參照圖丄）。在此，習知之主動矩陣基材（以下稱爲習知物），雖然由金屬膜所構成的畫素電容配線1 〇 5亦是同時形成（參照圖^2(a) 及圖13 (a))，但是在本實施形態中，並不在此階段形成畫素電容配線。其次，在連續層合閘極絕緣膜22、半導體層23(非晶矽層）及n+-Si層2 4(n+-非晶矽層）之後，會圖案化成如圖3(b) 所π。另外，n+-Si層2 4，在後面係成爲TFT 13之源極電極24a及汲極電極24b。該等層的層合•圖案化之方法及形成圖案只要與習知物同樣即可。具體而言，有關被層合之膜（層）之中的半導體層23及 n -Si層2 4，只要按照半導體層2 3所應殘留的形狀同時圖案化即可，而成爲TFT 13之通道部的部分之^_^層24之間隙則尚未形成。接著，雖可進行閘極絕緣膜2 2之圖案 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T---------♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626

五、發明說明（26) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製化，但疋咸圖案化，係用以設置端子附近之掃描線U (―參照圖1)與外部之接觸部分，4用以供給信號至畫素電容配線1 4 (參照圖i及圖2)所必要之接觸部分（例如，與相對基材之共用電極的接觸部分）的步驟，且未圖示於圖 3中。其/人，在連續層合透明電極層（電極層）25及金屬層（相當於電極層，僅圖示圖案化後之形狀）之後，首先將金屬層圖案化。然後，如圖3 ( c )所示，利用該金屬層之圖案化即可形成金屬配線26a · 26b · 26c。接著，進行透明 %極層25之圖案化，如圖3(d)所示，可形成透明電極 25 a · 25b · 25c。透明電極25 a及金屬配線26a係相當於信號線11，透明電極25b及金屬配線261)係相當於介以後述之接觸孔1 8連接TFT 13與畫素電極16的連接電極，而透明電極2 5 c及金屬配線2 6 c係相當於畫素電容配線1 4。另外’將上述之配線或圖案形成二層之層合構造者，其目的係爲了對層合時因灰塵等而造成的斷線形成冗餘的效果，或防止將上層之金屬層圖案化時對透明電極層25帶來損傷等，且亦可依情況以單層構造來形成。在形成單層構造的情Ί兄，亦可將透明電極層2 5當作上層來形成，將金屬層當作下層來形成。本實施形態中，藉由使畫素電容配線1 4成爲二層構造，相較於以透明電極膜單層所形成的情況，亦可將該配線之電阻値抑制得很低。又，用以連接TFT 13與畫素電極1 6的接觸部，之所以要由透明電極25b來形成者，乃係因形成接觸孔18之步驟 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

裝---- 1T---------^9, 1258626 A7 B7 五、發明說明（27 ) (將於後述）中之膜的損傷係以透明電極層方面比金屬層少’且可取得更佳的接觸特性所致。接著，如圖3 (e)所示，在後面成爲TFT 13的電晶體部中，係將金屬配線26a· 26b及透明電極25a· 25b當作光罩並進行Si層24之蚀刻，以形成TFT13之通道。其次’如圖3(f)所示，層合用以保護已露出之半導體層 2 3的保護膜2 7，並利用蝕刻術去除與畫素電極1 6之接觸部中的保護膜2 7。另外，如該TFT 13所示，在閘極2 1之上層介以半導體層2 3配置有源極電極2 4 a及汲極電極2 4 b的構造，此係被稱爲逆交錯構造（或底部閘極構造）。再者’如圖3 ( g)所示，將層間絕緣膜2 8予以成膜，且進行接觸部（相當於接觸孔1 5 · 1 8 )中之層間絕緣膜2 8的圖案化。另外，在習知物之製程中，如圖1 2 ( g)所示，設於層間絕緣膜1 1 5上的接觸部，雖只是設置用以連接TFT 104與畫素電極1 〇 3的接觸孔1 1 6，但是在本實施形態中’係同時没置成爲後述之畫素電容1 4 a之形成部位的接觸孔1 5。_ 接著，如圖3 ( h )所示，在層間絕緣膜2 8之上層形成成爲畫素電極16的透明電極層，藉由圖案化即可製造本實施形態之主動矩陣基材。畫素電極1 6，係介以貫穿保護膜2 7及層間絕緣膜2 8的接觸孔1 8而與TFT 13之没極電極 2 4 b相連接。又，設於層間絕緣膜2 8上的接觸孔1 5中，畫素電容配 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-n ϋ ί ·ϋ «I ·ϋ n ϊ 、 ·ϋ n ·ϋ n ·ϋ -H I 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7

1258626 五、發明說明（28 ) 泉1、里素電極1 6係夾住保護膜2 7而相對配置，且可依構成畫素電容配線14的金屬配線26e、畫素電極以及保護：27::儲存電容，而此成爲各畫素之畫素電容14a。旦、素私各之大小，係依設於層間絕緣膜2 8上的接觸孔 1，大小（亦即，在畫素電容l4a中，接觸保護膜27的畫素弘極16之面積）而決定。上述層間絕緣膜28之圖案化方法雖依咸絕緣膜2 8之材質等而有所不同，但是一般而固可依a)由聚醯亞胺系樹脂所組成的情況，係利用蝕刻術進行，而b )由丙烯酸系樹脂所組成的情況，係依光微影製程進行，惟即便利用其中之一方法，亦可獲得十分咼的圖案精度，並可既容易且精確地進行晝素電容値之控制。上述構造之主動矩陣基材中，由於可在信號線丨i •掃描線12與畫素電極16之間形成層間絕緣膜28，所以可對信號線1 1 ·掃描線1 2重疊畫素電極1 6，且有提高開口率’抑制因遮蔽信號線11所引起之電場而造成液晶之排列方向不良等的效果。又，保護膜2 7之膜厚•材質亦可與閘極絕緣膜2 2大致相同，而在形成畫素電容14a之方面，則無須在保護膜27 之形成步驟中有特別的變更。然而，由於習知並未在電極線（信號線、掃描線、畫素電谷配線等）之上層’只介以保護膜形成導電膜（具體而言係指畫素電極）’所以並未注意到各電極線之邊緣部分的保護膜之裂缝（crack)。因此電極線若以工作時間（task -31 - 本紙張度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) "' "" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _________B7 _____五、發明說明（29 ) time)重視度來看則常有呈錐形（taper)急速變化之情形，當上層之導電膜形成施加在電極線之邊緣上的截面構成時，發生洩漏不良的可能性就會很高。然而，本實施形態中’如圖2所示、，畫素電極1 6夾住保護膜2 7而與電極線接觸者，由於只有接觸孔1 5之部分，所以不用擔心會在邊緣部分發生裂缝而造成洩漏缺陷。又，在接觸孔1 5之錐形部上由於液晶層之層厚會變化，所以雖會容易發生液晶分子之排列方向混亂，但是依此所造成的漏光，由於可利用配置於下層的畫素電容配線1 4 (正確的話，是金屬配線2 6〇來遮光，所以不會發生顯示上不良的情形。如上述説明般’在與習知物之製程完全相同的過程中，只要變更一郅分的圖案，即可實現具有與信號線1 1平行之畫素電谷配線14的主動矩陣基材。亦即，可提供一種不會招來步驟數之增加（甚至於主動矩陣基材之製造成本的增加），且可防止雜訊或信號延遲性之發生的主動矩陣基材。又，由於無須變更過程而使用習知之液晶顯示裝置之生產線，即可製造高性能之液晶顯示裝置或感測器用主動矩陣基材，所以除了不需要投資新的設備之外，亦無須擔心生產線之生產性降低的情形。上述構造之主動矩陣基材中，如上述般，由於畫素電容配線所交叉的線係只有掃描線1 2而已所以畫素電容配線 1 4之時間常數會變得極爲小，且可顯著地減少雜訊或信唬傳遞之延遲等。結果，將本發明之主動矩陣基材應用於影像感測器中時，即可大幅提高影像感測器之$ / n比。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

L衣--------訂---- 秦·

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X -32- 1258626 A7 五、發明說明（3〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製時亦1 ’―當將畫素電容配線14配置成與信號線"平行條畫素電容配線14作電容镇合的驅動中之畫之掃描：成馬：有一個位於該畫素電容配線14與被選擇被選擇二以交又部上的畫素。結果，在某個掃描線12 的瞬間，畫素電容配線"之電位的晃動，由於只微小T又到—個畫素之電位的變化影響，所以此晃動會極作^ If素電容配線14 ’由於與非選擇之掃描線12等 ::::合，所以被選擇的畫素之電荷，亦會以再分配 =j夕動於由非選擇之掃描線12與晝素電容配線14所 ::另-靜電電容中。藉此，畫素電容配線14之電位晃動π會變得很小’而且可立即恢復収常的電壓狀態再者，畫素電容配線14由於未與信號線14交又，所 ^非選擇之掃描線i 2與晝素電容配線i 4所形成的靜電谷不會受到信號線η之影響。結果，由非選擇之掃描冰。與畫素電容配線14所形成的靜電電容，不會給進行信號之讀出或寫入之畫素的電位帶來不良影響。 " 如此，與習知不同，爲了要將晝素電容配線丨4之電保持於穩/定，對於將畫素電容配線"全體形成低電阻需求，或對於抑制從畫素電容配線14之輸入端所看到畫素電容配線1 4之阻抗而下工夫的需求只需要非常少可。再者，將施加在信號線1 i上的信號之振幅抑制得很的目的，雖然有時係對未圖示之相對電極及畫素電容皆之的以電線位之的即小配 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -i·— n i_i in ϋ 0¾. I n —·Ι ϋ ♦ 33- 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（31) 1 4，供給具有相位與施加在信號線1 1上的信號相反的一定振幅之信號，但是此時，由於在掃描線I2之截止電位上亦進行重疊與之同振幅•同相位的信號之所謂的浮動閘極驅動，所以畫素電容配線1 4與掃描線1 2的電壓會經常保持一定。亦即，若從畫素電容配線1 4側來看的話，則增加時間常數的電容成分，除了浮動電容以外其餘則無，可以說實際的信號傳遞延遲幾乎爲零。又，如前述般，在共有一條畫素電容配線1 4的複數個畫素上由於複數個 TFT13(僅圖示一個）會同時導通，所以不用擔心會有串擾等的情形。另一方面，在圖14及圖15所示之習知的主動矩陣基材中’雖然畫素電容配線2 0 5係配置成與信號線2 0 1平行，但是爲了形成畫素電容配線205b而需要多餘的步驟。具體而言，需要a)作爲畫素電容電極205的透明電極膜之形成步驟，及b)用以設置畫素電容配線2〇515與畫素電容電極 2 0 5之接觸部分的閘極絕緣膜21〇b之成膜•光微影術•蝕刻步驟。再者，對閘極絕緣膜210b進行圖案化時要求很高的圖案化精度，且需要高價的光罩與緻密的曝光條件或蝕刻條件之/管理。因而，會招來成本提高。另外，本實施形態中，畫素電極丨6雖係由透明電極層所形成，但是並非被特別限定於此，例如，在當作反射: 之液晶顯示裝置之構成基材來使用時，亦可以金屬膜^ 畫素電極。又’在對開口率或畫素電極丨6所 "丨沾足面積的要求很小 34- 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· n· n ϋ i n .1 一口 V I ϋ I —1 1^1 ϋ ·ϋ I . 1258626 A7 B7 五、發明說明（32 ) 時，當更縮小晝素電極之外周且消除信號線i i •掃描線 1 2與畫素電極丨6之重疊時，就可解決在信號線i i與畫素電極1 6之間，及掃描線丨2與畫素電極j 6之間所發生的寄生電容之問題。再者，當上述寄生電容不成問題時，就無形成層間絕緣膜2 8 t必要，即可刪減施加在該層間絕緣膜2 8之成膜· 圖案化的步驟。 [實施形態2 ] 有關本發明之另一實施形態，若根據圖4加以説明的話，則如以下所述。另外，爲了方便説明起見，在具有與上述實施形態1中所示的各構件相同功能的構件上附記相同的元件編號，並省略其説明。本實施形態之主動矩陣基材與上述實施形態之主動矩陣基材的差異點係在於畫素電容配線的構成。具體而言，如圖4所示，在本實施形態中，兼做儲存電容電極的畫素電容配線（儲存電容共用配線）係由透明電極（透明電極膜） 25c單層所構成。換句話説，本實施形態之畫素電容配線’係在形成用以構成該信號線1 i的透明電極2 5 a時，可同時形成/圖案。若依據本構成的話，則由於畫素電容配線係由透明電極2 5 c單層所構成，所以與上述實施形態i之構成相較可更加提高畫素之開口率。另外，圖4係對應表示上述實施形態1之圖1的A-A”截面圖者。本實施形態之主動矩陣基材之製程，係在上述實施形態 1所示的製程（參照圖3 ( a )〜圖3 ( h))中，由於只要更進一 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626

五、發明說明（33) 步去除金屬配線26c而將層合於透明電極層（電極；25 上的金屬層圖案化即可，所以不會招來步驟數之增力口又，由於畫素電容配線不會妨礙畫素之開口率，所以a 照需要即可增大畫素電容値（換言之，介以保護膜（絕^ 膜）27與畫素電極16相對的透明電極25c之面積），且艮使在例如有因信號線i i與畫素電極i 6之間的寄哈六 j 土电谷而發生串擾等之虞時，亦可易於採取對策。又’最近，因成本刪減等的理由，雖然亦有將信號線 1 1本身當作只有透明電極2 5 a之單層構造的情況，但是即使在此情況中，亦不會改變可以透明電極25c形成畫素電容配線之事實，且可同樣地適用。另外，當以透明電極2 5 c構成畫素電容配線時雖然與金屬配線相較有電阻値變大的情況，但是只要按照需要調整亦具有作爲畫素電容電極（儲存電容電極）之功能的透明電極2 5 c之畫素電容値的話則不會發生不良情形。 [實施形態3 ] 有關本發明之更另一實施形態若根據圖5及圖6加以説明的話，則如以下所述。另外，爲了方便説明起見，在具有與上述f施形態中所示的各構件相同功能的構件上附記相同的元件編號，並省略其説明。本實施形態之平面板型X射線感測器（以下，簡稱爲X射線感測器）之主動矩陣基材，係如圖5及圖6所示，係由配設成柵狀之信號線1 1 · 1 1及掃描線1 2 · 1 2所包圍而形成各畫素，且在該信號線11及掃描線12之交叉部附近形成 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣訂---------Φ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 A7 B7 五、發明說明（34 ^乍馬開關元件的TFT13。x，在各畫素上形成有素:容配線(儲存電容共用配線)之透明電極(透明電極： ⑴、畫素電極16及貫穿層間絕緣接觸孔仏）觸孔15a中，透明電極25d與畫素電極i6係介以 ^ 邑緣膜）2 7而相對配置而形成畫素電容（儲存電办 ★。斫即’透明電極25d，係與上述實施形態相同二作畫素電容配線及晝素電容電極（儲存電容電極）之功能^ 頁又’透明電極25d，與上述實施形態2相同，係藉：使圖3(c)所示之透明電極層（電極層）25圖案化即可與構成信號線1 1之下層的透明電極2 5 a同時形成。另外，圖5<C-C’截面構造，由於與圖，截面構造相同所以未圖示。又，上述主動料基材之層合構2 層（層合順序）’係與上述實施形態1及2相同，由於口银 ^ 一部分之層的圖案形狀而已，所以省略關於製程之^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述X射線感測器，係在上述主動矩陣基材上，更藉由依序層合轉換層（轉換部）31及共用電極層（偏向電2施加機構）32所構成（參照圖6)。轉換層31若爲藉由接受例如X射線等的能量而發生電子—電洞對的話，則並非被特別限定，具體而言，亦可列舉例如a_Se、或c d · T a等半導體層合適當的層厚者。又，爲了依情況而採用畫素間之洩漏電流的抑制對策等，亦可將該等構成應構成pin接面或蕭特基接面之適當的薄膜之層合體。其次，簡單説明上述X射線感測器之動作。當χ射線從 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 1258626 A7 __B7五、發明說明（35 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 X射線感測器之上方（亦即，共用電極層3 2側）入射時，會依琢X射線之能量而在轉換層3 i上發生電子—電洞對。在共用電極層32上施加某固定的偏向電壓，而透明電極25d 由於會固定在固定電位上，所以上述之電子—電洞對就會分別受到偏壓的拉伸而移動，而可在畫素電容3〇a上儲存電荷。然後，儲存於畫素電容3 〇 a内的電荷，可介以由掃描線1 2所選擇的TFT n而從信號線i i讀出。爲了效率佳地集中由X射線所轉換而來的電荷，且防止因畫素電位異常上升而使該電荷從TFT 13洩漏出，或破壞 TFT Π本身之情形，而在本實施形態之主動矩陣基材中係將畫素電容値（更具體而言，係透明電極25d與晝素電極 1 6之相對面積）加得非常大。然而’在X射線感測器方面，由在透過型液晶顯示裝置之情況常有未被要求增大開口率之情況，所以構成畫素電谷配線及畫素電容電極的材料就沒有被特別限定，而亦可依情況而選擇金屬配線。然而，依轉換層31之性質，而有在讀出儲存於畫素電容3 0 a内之電荷之後微小電荷亦會殘留在轉換層3 1内，而降低信號之精度，或因發生分極現象而降低轉換層3 1本身的k賴性之情況，爲了防止此現象，可採用例如在一定週期（例如，每一讀出圖框之期間）内，對X射線感測器全體照射光以復新（將電荷放電）轉換層3 1的方法。此情況，由於X射線之照射方向係以從相反側照射光較佳，所以最好是在透明基材20與轉換層31之間的遮光區域較少 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 n n n I 一-口 τ > n n I fl— ϋ _ Φ -38 - 本紙張尺度適用中國國家標準（cns)a4規格（210 297公釐） 1258626 A7 B7 五、發明說明（％) 馬佳。在本實施形態中，由於畫素電容配線（亦兼做晝素電容電極）係由透明電極2 5 d所形成，所以可使透明基材 20與轉換層31之間的遮光區域形成極爲小。 [實施形態4 ] 有關本發明之更另一實施形態若根據圖7及圖8加以説明的話，則如以下所述。另外，爲了方便説明起見，在具有與上述實施形態中所示的各構件相同功能的構件上附記相同的元件編號，並省略其説明。本實施形態之X射線感測器與上述實施形態3之χ射線感測器之主要差異點，係在於畫素電容配線及畫素電容之構成。具體而言，係在透明電極（透明電極膜）25d上形成有至屬配線26d’而該透明電極25d具有晝素電容電極（儲存電容電極）之功能，而該金屬配線2 6 d係具有畫素電容配線（儲存電容共用配線）之功能。該等的晝素電容配線及畫素電容電極，係由與信號線1 i相同的層所構成。具體而言，構成信號線1 1之上層的金屬配線2 6 a與具有畫素電容配線之功能的金屬配線26d係藉由使相同的金屬層圖案化而形成，而構成信號線11之下層的透明電極25a與具有畫素電容電極之功能的透明電極2 5 d係藉由使相同的透明電極層（電極層）25 (參照圖3(c))圖案化而形成。另外’在本實施形態之構成中，至少只要構成信號線 11之下層的透明電極25a與具有畫素電容電極之功能的透明電極2 5 d係由相同的層所構成即可，在達成本發明之效果方面，無須形成構成信號線1 1之上層的金屬配線2 6 a。 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 衣訂：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（37 ) 士如述般’信號線1 1亦可依情況而爲單層構造。又’亦如上述實施形態1中所述般，當上層之畫素電極 1 6形成施加在電極線之邊緣上的截面構成時，由於發生戍漏（短路）不良的可能性很高，所以層間絕緣膜2 8中用以形成畫素電容（儲存電容）30b · 30b的接觸孔15b · 1 5 b，爲了迴避金屬配線2 6 d之邊緣而可分割成一半來配置。然後’畫素電容30b· 30b，可由畫素電極16、保護膜（絕緣膜）27及透明電極25 d平坦構成。另外’圖7之E-E’截面構造，由於與圖1之a-A，截面構造相同所以未圖示。又，上述主動矩陣基材之層合構造，由於係與上述實施形態1及2相同，且只有變更一部分之層的圖案形狀而已，所以關於製程之説明則省略之。若依據本實施形態之X射線感測器的話，則由於畫素電容配線係爲金屬配線2 6，所以與由透明電極形成畫素電谷配線的情況相較，可充分縮小其電阻値。又，由於畫素電容電極係由透明電極2 5 d所形成，所以從與X射線之照射方向相反側照射光即可容易復新轉換層3又。又，上述實施形態3及4之X射線感測器中所採用的主動矩陣基材皆是以目前的狀態展開通常之液晶顯示裝置之生產過程，且只要使畫素電容之大小、或主動元件（開關元件）之時間常數等最適於感測器用，即可容易實現，所以在生產時，就無須投資新的設備等，即可廉價生產。又，由於信號線1 1與畫素電容配線不具有交叉部，所以不僅可銳減該信號線1 1之負載電容，可大幅抑制雜訊 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1258626 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（38 或信號之傳遞延遲的發生，而且亦可減低畫素電容配線之阻抗。再者，在知描線1 2選擇某條線時在晝素電容配線上所產生的雜訊即使會傳播至信號線1 1之方向上，由於不會傳播至掃描線12之方向上，所以不會對透過同時被選擇之畫素而被讀出的資料發生干涉現象。另外，X射線感測器之構造並非被限定於上述例示者，例如亦可利用暫時將X射線轉換成可視光，並以光二極體將該資料讀出的方法。此情況例如有A)暫時將儲存在畫素電谷内的電荷按照來自掃描線之信號而放電，以讀出與初期之電荷量的差，B )流至光二極體的電流儲存在畫素電容内，以讀出該資料等幾個方法，無論是哪一種將χ射線之能量直接轉換成電荷的方法，雖然主動矩陣基材上的層合構造不同，但是由於畫素電極之下層的構造相同，所以可使用共用的主動矩陣基材。又，上述轉換層31，若是使用光導電膜以替代輻射線電荷轉換膜的話，則不僅可當作X射線之影像感測器來使用’而且可當作對應可視光、紅外光等電磁輕射線的影像感測器來·使用。 [實施形態5 ] 有關本發明之另一實施形態，係根據圖1 6至圖i 9加以説明。另外，本實施形態之主動矩陣基材，係可援用圖 12(a)〜(h)及圖13(a)〜(h)所示的主動矩陣基材之製造過程爲其特徵之一，且邊適當參照同圖而邊就特別不同之點進行說明者。又’構成本實施形態之主動矩陣基材之各層的材 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ------------------訂---------争 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · _ 五、 1258626 發明說明（39 料或加工方法等，丄由於可援用習知公知者，所以關於該等的許細説明則省略之。寸如圖16及圖17所示，本實施形態之主動矩陣基材，係配汉成栅狀< k號線1 1 · 1 1及掃描線1 2 · 1 2所包圍而 :成各畫素（畫素區域），且在該信號線！ i及掃描線工2之人又部附近形成有作爲開關元件的TFT 13。放配置成與信號線11 · 11平行的畫素電容配線（儲存電容了用配，、泉）1 4，係用以連接在並排於該信號線1 1之延伸方向的各晝素上所形成之複數個畫素電容（儲存電容、輔助電容）14a的畫素電容共用配線，例如，在使用於液晶 _不裝置中時，係連接在相對基材的共用電極（未圖示）又，畫素電谷配線1 4係在接觸孔4 0中電連接晝素電各電極4 1，而該晝素電容電極4 J，係如圖i 7所示，介以閘極絕緣膜4 2與畫素電極4 3相對配置，且藉由畫素電容思接41與畫素電極43而形成上述畫素電容14a。再者，如觸及以下製程之記載所示，上述畫素電容電極 41，可同時使與上述掃描線12相同的層圖案化而形成。其次，根據圖18(a)〜(g)，具體説明本實施形態之主動矩陣基材之製程。如圖18(a)所示，在玻璃等絕緣性之透明基材5 〇上成膜例如由T a所構成的金屬膜5 1 (相當於電極層）之後，利用光微影術、及乾式蝕刻術或濕式蝕刻術，同時形成TFT 13 之閘極21及掃描線12 (參照圖16)、與上述畫素電容電極 4 1 (參照圖18(b))。如此，包含閘極2 1之掃描線i 2與畫 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂·--------^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 Λ7

五、發明說明（4〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 素電容電極41，依相同的層之金屬膜51的圖案化即可同時形成’而畫素電容電極41可形成於應成爲上述畫素電極4 3之下層的部分上。接著’以將閘極2 1及掃描線1 2電連接電源之陽極的狀態’對閘極1 2及掃描線1 2施予陽極氧化，以在閘極2 1及掃描線12之上部形成陽極氧化膜44(參照圖i8(c))。另外’在以與閘極2 1及掃描線1 2相同的層所形成的畫素電容電極4 1上並沒有形成陽極氧化膜。此係由於晝素電容電極41成爲獨立於各自之每一畫素上的島狀圖案，而未與外邵電路電連接，所以在掃描線1 2藉由連接電源之陽極而施予陽極氧化之期間，畫素電容電極41亦不發生變化所致。其次，如圖18(c)所示，在連續層合閘極絕緣膜42、半導體層5 2、及n'Si層5 3之後，進行圖案化。另外，n+-Si 層5 3，在後面係成爲TFT 13之源極電極5 3 a及汲極電極 53b。該等的層之層合•圖案化之方法及形成圖案只要與習知物相同即可。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製具體而·言，被層合之膜（層）之中有關半導體層52及n' Si層5 3，只要按照半導體層5 2所應殘留之形狀而同時圖案化即可，成爲TFT 13之通道部的部分之n'Si層5 3的間隙則尚未形成。接著，雖可進行閘極絕緣膜4 2之圖案化，但是該圖案化，係用以設置端子附近之掃描線1 2 (參照圖1 6 )與外部之接觸部分，或將信號供給至畫素電容配線1 4 (參照圖1 6及圖1 7 )所必要的接觸部分（例如，與相 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1258626 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（41) 對基材之共用電極的接觸部分），更且在配設畫素電容配線“時，用：形成電連接畫素電容配線14與畫素電容電極4 1之應成爲接觸孔4 0的部分之步驟。其次，在連續層合成爲信號線及畫素電極43之透明導電層54(相當於導電層）、與金屬層”（僅圖示圖案化厚之形狀）之後，如圖18⑷所示，首先將金屬層55圖案化。繼續孩金屬層55之圖案化，如圖剛所示，藉由將透明導電層54圖案化，以形成透明電極5“、畫素電極"及畫素電容配線14。亦即，在習知步驟中，雖只形成信號線及TFT之源極電極、汲極電極，但是本發明中，在層合透明導電層54時，除了信號線u之主要部分外，亦一二形成與信號線1 1平行的畫素電容配線丨4之主要部分。如此，事先依Ta與掃描線12同時形成的畫素電容電極 4 1與晝素電極4 3，係介以閘極絕緣膜4 2而形成畫素電容 1 4 a 0 另外，透明電極5 4a及層合於其上的金屬層55係相當於信唬線1 1。又，透明導電層5 4之形成材料一般係爲銦錫氣化物 ITO (Indium Tin Oxide)。繼績圖18(e)，如圖18(f)所示，在後面成爲TFT 13的電晶體部中，將圖案化成如圖1 幻所示之透明導電層5 4及金屬層55當作光罩，並進行n+-Si層5 3之蚀刻，以形成 TFT 13之通道。其次，如圖18(g)所示，在將用以保護已露出之半導體層5 2的保護膜4 5予以成膜之後，利用蝕刻術去除畫素電 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 A7 _____ B7 五、發明說明（42 ) 極4 3之上部的保護膜4 5，以形成圖1 6所示的開口部4 6。在如此所完成的主動矩陣部上層合由硒等所構成的轉換層以作爲上層，且在轉換層上設置用以施加偏向電壓的電極以完成影像感測器。如上述般，在掃描線1 2及TFT 13之閘極2 i中，係採用層合閘極絕緣膜4 2與陽極氧化膜4 4的二層絕緣構造。此係爲了防止在閘極絕緣膜42上發生裂缝或小洞，且發生電性洩漏時，引起如線缺陷之重大的顯示缺陷者。相對於此’在畫素電容14a上，即使發生如上述之茂漏，由於顯示缺陷之程度會停止於點缺陷中，所以畫素電谷1 4 a中的絕緣’比起掃描線1 2及TFT 13還不那麼重要。當然，在畫素電容14a中，夾於晝素電容電極41與畫素電極4 3間的介質層，係爲閘極絕緣膜4 2之單層，由於介電常數會變大所以每一單位面積的靜電電容會變大，藉此可獲得更小的面積且較大的輔助電容。一般而言，影像感測器中，爲了將因在轉換層上所發生之電荷而造成的畫素電位之上升抑制得很小，而常將輔助電容設定得很大。因而，採用每一單位面積之靜電電容很大的構造，對影像感測器而言係非常適合的。然而，將上述信號線1 1形成二層之層合構造者，其目的係爲了對因層合時之灰塵等造成斷線而當作冗餘的效果，或將上層之金屬層55圖案化時防止對底層之損傷等者，且爲習知以來所採用的手法。又，有關透明導電層54與金屬層55之層合順序，雖有 -45- 本紙張尺度剌中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱] -----------衣--------訂·--------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626

五、發明說明（44 ) 因此區域而使開口面積降低之事實。然而，在影像感測器中’由於在轉換層上施加較強的電壓，由X射線等所產生的私荷會因琢電壓而集中在畫素電極43上，所以開口面積之降低，並不會對信號之讀出帶來那樣的不良影響。如此’在製造本發明之影像感測器時，使用與習知之主動矩陣基材之製程完全相同的過程，只要變更圖案即可。、’"果’亦可迴避步驟數之增加，甚至於迴避主動矩陣基材之製造成本的増加。另一方面’在前面説明之習知之感測器用的主動矩陣基材中’如圖1 4所示，由於畫素電容共用配線205b係配設成與k號線2 0 1平行，所以關於雜訊或信號延遲的效果則與本發明相同。即使如此，本發明中，由於係使用與掃描線1 2相同的材料以相同的步驟形成畫素電容電極4 1，所以如圖1 4之主動矩陣基材所示，沒有必要在形成畫素電容電極205之前形成下層閘極絕緣膜21〇a。亦即，在圖1 5所示之構成中，在形成包含閘極之掃描線202後’係依序進行下層閘極絕緣膜21〇a之成膜、與書素電容電極205之成膜及圖案化，相對於此，本發明之步驟中，除了沒有相當於下層閘極絕緣膜21〇a之成膜的步驟之外’畫素電容電極4 1之成膜及圖案化，係與掃描線工2 之成膜及圖案化同時完成者。因此，本發明之步驟，比圖 15所示之主動矩陣基材之步驟還容易減少步驟數，且可降低成本。另外，圖1 4所示之步驟中，閘極絕緣膜21〇b之形成完 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1^--------1 ^---------. 47- 1258626 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（45) 後之膜構成’雖然一看就可明白比本發明之膜構成還簡單’但是即使在本發明中，亦如前述般，雖然（i)畫素電容配線14不一定需要二層構造，進而（2)圖14中沒有形成用以保護半導體層的保護膜，但是爲了提高元件之信賴性’較佳者通常係在由有機膜所形成的層間絕緣膜（聚合物層）與半導體層之間配置無機的保護膜，當考慮此時，則全體的步驟數，不得不以圖1 4所示之步驟比本發明之步驟還多。[實施形態6 ] 有關本發明之另一實施形態，係根據圖1 9及圖2 0加以説明。另外，爲了方便説明起見，在與前述實施形態相同的構件上，附記相同的元件編號且省略其説明。又，構成本實施形態之主動矩陣基材的各層之材料或加工方法等，係可援用習知公知者，由於與參照圖3⑷〜㈨或圖18⑷〜⑷ 所説明的步驟類似，所以適當參照圖3(a)〜(h)或圖Μ⑷〜(g) 加以説明’而省略詳細的步驟圖。如圖19及圖20所示，本實施形態之主動矩陣基材中，係將包含閘極21之掃描線12與畫素電極63藉由使相同的層同時圖案化而形成之點，以及畫素電容配線14以通過由信號線11與掃描線12所包圍之晝素形成區域的中央附近之方式，形成與信號線"平行之點作爲其構成上的特徵。如圖20所示，上述畫素電容配線14，係藉由介以問極絕緣膜42相對配置於畫素電極63之上層，而利用畫素電 -48- k紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 x 297公髮 C請先間讀背面Μ漆意事頊存填寫本

装 ir. !258626

五、發明說明（46 ) 各配線14與晝素電極63以形成畫素電容14a。其次’就本實施形態之主動矩陣基材之製程具體說明。與前實施形態中所參照的圖18(a)同樣，在玻璃等絕緣性透明基材5 0上成膜例如由T a所構成的金屬膜（相當於電接層）之後，與圖18(b)同樣，利用光微影術、及乾式蝕刻術或濕式蝕刻術，同時形成TFT 13之閘極2 i及掃描線 12、與上述晝素電極63之島狀圖案（參照圖ΐ9·20)。如此’包含閘極21之掃描線21與畫素電極63，就可藉由相同的層之金屬膜的圖案化，而同時形成。接著，以將閘極2 1及掃描線1 2電連接電源之陽極的狀態，對閘極2 1及掃描線1 2施予陽極氧化，以在閘極2丨及知描線1 2之上部形成陽極氧化膜4 4。另外，以與閘極2 1 及掃描線12相同的層所形成的畫素電極63上並沒有形成陽極氧化膜。此係由於畫素電極63成爲獨立於各自之每一畫素上的島狀圖案，而未與外部電路電連接，所以在掃描線1 2藉由連接電源之陽極而施予陽極氧化之期間，書素電極63亦不發生變化所致。其次，連續層合閘極絕緣膜4 2、半導體層5 2、和用以形成源極電極53a及汲極電極53b之n+-Si層，並使半導體層52、及n_ Si層圖案化。亦即，以在畫素電極63之中央附近殘留對應畫素電容配線1 4的部分，而在其兩側形成大致呈長方形狀的開口部6 6的方式，去除閘極絕緣膜 42 0 其次’與圖3(c)(d)同樣，一齊形成由透明電極54a及金 -49- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（47 ) 屬配線5 5 a所構成的信號線1 1、由透明電極5 4 b及金屬配線55b所構成的連接電極67、和由透明電極54c及金屬配線5 5 c所構成的畫素電容配線1 4。亦即，利用相同之透明導電層的圖案化以形成信號線1 i之透明電極5 4 b、與畫素電容配線14之透明電極54c，同時利用相同之金屬層（導電層）之圖案化以形成信號線Η之金屬配線55b、與畫素電容配線1 4之金屬配線5 5 c。此時，使構成上述連接電極67之透明電極54b及金屬配線5 5 b，從TFT 13之汲極電極53b之形成部位，延伸至先前形成之晝素電極6 3，以在接近汲極電極5 3 b之側的開口部66，使之與畫素電極63相導通。接著，與圖3(e)(f)同樣，形成TFT 13之通道及保護膜 4 5。在此，保護膜4 5由於係以與閘極絕緣膜4 2相同的圖案所形成，所以可以目前之狀態使用閘極絕緣膜4 2之圖案化中所使用的光罩。藉此，就可刪減主動矩陣基材之製造成本。或者，如前述般，在形成半導體層5 2及n+-Si層之後，且用以同時形成信號線1 1及畫素電容配線i 4之透明導電層及金屬層之成膜前的階段中，並非是使閘極絕緣膜4 2 圖案化，而亦可在保護膜45之成膜後，同時進行保護膜 4 5之圖案化與閘極絕緣膜4 2之圖案化。此係因可在保護膜4 5上使用與閘極絕緣膜4 2大致相同的材料所致。如此，藉由使保護膜4 5及閘極絕緣膜4 2同時圖案化，不僅可顯著減少步驟數’並達成大幅的成本刪減，而且由 -50- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 1258626 Λ7 B7 五、發明說明（48) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於在最終階段形成使畫素電極6 3露出的開口郅6 6，所以在畫素電極63上層合轉換層之前，可將畫素電極63之表面受污染的情形抑制在最小限。因此，可穩定形成轉換層。然而，本實施形態中，在增大畫素電容1 4 a之情況，由於會加寬當作畫素電極63之上層而形成的畫素電容配線 1 4之寬度，所以不得已要縮小開口部6 6。但是，相反地，在可將畫素電容1 4 a形成比較小之情況，就不需要確保於形成前實施形態中之如圖1 6所示之接觸孔4 0時所需要之最低限的區域。而且’不需要在如圖16所示之畫素電極43與畫素電容配線14之所必要的空間界限，或畫素電容配線1 4與信號線1 1之間所必要的空間界限等。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因而，在可將晝素電容1 4 a形成比較小之情況，反而可取得比較大的開口部6 6。另外，所謂 < 將畫素電谷1 4 a形成比較小之情況，亦可採用限定於高速動畫攝影之裝置構成的情況，或採用攝影動畫與靜止畫面之兼用型之裝置構成的情況，或以去除雜訊等爲目的，而採用從複數個圖框之畫像資料合成一張畫面的裝置構成之情況等。此種的情況中，即使不將畫素電容i4a設定得太大，亦無畫素電位過度上升而使電荷洩漏出，或TFT 13被破壞之虞。上述之「確保於形成接觸孔4 0時所必要之最低限的區域」理由，係如下所述。亦即，在一般形成接觸孔之情況，常有很難獲得低電阻且良好接觸的情況。此係因接觸 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 1258626 A7 B7

五、發明說明（49 ) 孔係爲很小的凹洞，於進行用以形成接觸孔之蝕刻時，很容易在接觸孔之底部殘留如浮渣（SCUIn)之沒有用的東西所致，又，因此，接觸孔越小每一單位面積之接觸電阻就越大所致。因而，在前述實施形態之情況中，若沒將接觸孔4 0之大小確保某種程度的話，則恐有發生不良情況之另外，從上述之觀點來看，在本實施形態之開口部66 的情況，由於係將其開口面積大幅設定最大限，所以沒有殘留如浮渣之沒有用的東西之虞，且開口部66之連接電極67與晝素電極63之導通係可良好地進行。又，與圖16所示之構成不同，由於可以通過畫素之中央的方式配置晝素電容配線i 4，所以可將相鄰畫素彼此之間的畫素電極6 3間的間隙形成比圖i 6所示之畫素電極 43間的間隙小，且可將電荷集中之困難部分分散於=接畫素間與畫素中央上。結果，亦可提高電荷集中之效率。另外，雖係説明以相同的Ta之層形成掃描線12及畫素電極63的情況，但是當然形成材料並不被限定於Ta。亦即，按照與轉換層之物性的相性，亦可爲Α1*Μ〇等其他經濟部智慧財產局員工消費合作社印製材料，且只要在可有效使用習知之主動矩陣基材之製造線的範圍内，仍可適當作選擇。 [實施形態7 ] 有關本發明之另一實施形態，係根據圖2 i至圖2 3加以説明。另外，爲了方便説明起見，在與前述實施形態相同的構件上，附記相同的元件編號並省略其説明。

1258626

前述實施形態6之構成中，依與轉換層之相性而改變掃描線12及畫素電極63之材料，亦有可能爲困難的情況。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 此係起因力有效使用習知《主動…車基材《製造線的限制。又，在作爲金屬層之畫素電極63露出的狀態下由於容易進行其表面之氧化，所以亦恐有無法充分取得與轉換層之導通之虞。尤其是在轉換層之材料上使用非晶硒時，由於非晶硒抗熱或抗水都非常弱，所以在非晶硒成膜前，有可能進行基材分斷或電路安裝等。對畫素電極63而言，係被要求在此期間不使表面狀態劣化。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因此，本實施形態係如圖2丨所示，亦可以透明導電層覆盍前述開口部6 6。此透明導電層之材料，較佳者係於習知之主動矩陣基材之畫素電極中開始使用的IT〇。、而且，以透明導電層覆蓋開口部66之步驟，係在使分別構成信號線11、連接電極67、畫素電容配線14之金屬配線55a · 5 5b · 5 5c圖案化後，同樣地可利用使分別構成仏唬線1 1、連接電極6 7、畫素電容配線丨4之透明電極 5 4 a · 5 4b · 5 4 c圖案化的步驟。因而，完全無損本實施形態之優點，且一點也不用變更習知之主動矩陣基材之製程’即可獲得信賴性及良率更高的主動矩陣基材。更具體而言，爲了形成上述透明電極54a· 54b· 54e 而在使層合於畫素電極63上的透明導電層圖案化時，如圖2 1所tf，只要在開口部6 6 · 6 6上殘留透明電極5 4 b與透明導電膜54d，且不使透明電極54b與透明導電膜54d -53 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1258626

五、發明說明（引）妾觸構成畫素電容配線14的透明電極54c即可。八人將圖2 1所示之構成的變形例顯示於圖2 2及圖2 3 中。亦即，在本變形例中，藉由將與圖21所示之畫素電極63之掃描線12平行的邊緣寬度，形成比畫素電容配線丄4义寬度還窄若干寬的程度，以將畫素電極。變更成下層畫素電極63a(相當於第二畫素電極），隨之如圖23所不，在開口郅6 6上層合閘極絕緣膜4 2與透明電極54bi (相田於第—畫素電極），或是閘極絕緣膜42與透明電極54e (相當於第一畫素電極）。亦即，由ITO所構成的透明電極54^· 54e係承擔集中電荷之畫素電極的功能。另外’畫素電容14a，係由上述下層畫素電極63a與其上層之畫素電容配線14所形成。因而，爲了使汲極電極 53b與下層畫素電極63a導通，而要確保在接近下層畫素電極6 3 a之汲極電極5 3 b的一角隅上，形成接觸孔6 8 a的區域。又，爲了使層合於另一方之開口部66上的透明電極54e介以下層畫素電極63a而導通於汲極電極53b上，而要確保在下層畫素電極63a之另一角隅上，形成與上述接觸孔6 8 a面對面的接觸孔6 8 b之區域。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 即使是此種的主動矩陣基材之構造，開口部6 6之面積與前述實施形態6之情況亦會大致同等，且電荷集中之效率亦會同等。又，有關在實施形態6中所説明的其他優點，除了在用以形成上述接觸孔68a· 68b之閘極絕緣膜4 2 的圖案化上，不可使用與保護膜4 5之圖案化相同的光罩 -54- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1258626 A7 五、發明說明（52 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之外，其餘可以説完全具備。再者’由於可藉由相同的導電層之圖案化來形成用以構成信號線1 1之透明電極5 4 a、作爲第一畫素電極之透明電極54h · 54e、及用以構成畫素電容配線1 4之透明電極 5 4 c，所以可減少步驟數且可刪減製造成本。再者’在本實施形態之構造中，藉由將下層畫素電核 63a之寬度，設定成比圖21所示之畫素電極63之寬度還窄’透光部分就會佔有畫素之大半部分。因此，從與父射線之照射方向相反的方向之透明基材5 〇側將光照射在主動矩陣基材全體上，就有利於復新轉換層。亦即，依轉換層之性質，讀出電荷之後，有時微小電荷亦會殘留於轉換層内而有損信號之精度，或在轉換層上發生分極而有損轉換層本身的信賴信之情形。因此，在各讀出圖框間之區間等上會以一定週期對轉換層照射光，此有時會成爲復新轉換層的有效手段。在此種情況下，雖然從透明基材5 0側對主動矩陣基材全體照射光，且對轉換層充分照射光’但是如閘極或晝素電極之不透光區域，係以較少者爲佳。[實施形態8 ] 有關本發明之另一實施形態，係根據圖2 4及圖2 5加以况明。另外，爲了方便説明起見，在與前述實施形態相同的構件上’附記相同的元件編號並省略其説明。在本實施形態中，係以將前述實施形態5之圖1 6及圖1 7 所不I畫素電極43變更成下層畫素電極43a (相當於第二 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

裝 ----tr---------. -55- 1258626 A7 __B7 五、發明說明（53 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 畫素電極）’在下層畫素電極43a之上介有層間絕緣膜Η 而汉置上層畫素電極43b(相當於第一畫素電極），且將上層畫素電極4 3 b重疊配置在信號線i i、掃描線丨2及畫素電容配線14之上層之點，爲其構成上的特徵。因而本實施形悲之主動矩陣基材’係大致直接援用圖 1 6及圖1 7所示之主動矩陣基材的構成而構成者。亦即，上述下層畫素電極4 3 a，係若未配設層間絕緣膜7 j及上層畫素電極4 3 b的話，則只要配合圖1 6所示之開口部4 6而去除保護膜45，就具有前述畫素電極4 3之功能的電極。又，下層畫素電極43a，係藉由透明導電層54之圖案化所形成，且連接汲極電極53b的導電體層，由於與畫素電容電極4 1同時形成畫素電容，所以其相當於在申請專利範圍中記载「儲存電容，係形成於上述畫素電極與儲存電容電極之間」的Γ畫素電極」。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在製造時，係在以目前之狀態完成圖l8(a)〜(£)之步驟之後，將保護膜4 5予以成膜。然後，從形成用以使上層畫素電極43b與下層畫素電極43a導通之接觸孔72的部位局邵去除保護膜4 5之後，塗佈丙烯酸系的感光性樹脂。接著，當曝光上述接觸孔72之形成部位並予以顯像時，就會透過保護膜45及層間絕緣膜71而成爲使接觸孔72成爲開口的形態。之後，若將由ITO所構成的上層晝素電極43b予以成膜的話，則可完成主動矩陣基材。上層畫素電極4 3 b，係介以接觸孔72與從TFT 13之汲極電極5 3 b開始延伸的透明 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 1258626 A7 五、發明說明（54 ) 導電層之下層晝素電極43a相連接。若依據本實施形態，則由於可在信號線u、掃描線工2 及畫素電容配線14之上配置成局部重疊上層畫素電極 4 3 b，所以可飛躍性地增大開口面積。在影像感測器中，如前述般，光所透過的區域並非成爲開口部者，而是使晝素電極接觸轉換層的區域成爲開口部。因而，本實施形態之構成中，由於在上層畫素電極 43b上除了於形成其鄰接之晝素間的間隙73 (參照圖25) 時所必要的區域以外大致全區域皆成爲開口部，所以依上層晝素電極43b即可以最大效率集中轉換層上所發生的電荷。又，由於係利用旋塗法形成厚度爲3 的上述層間絕緣膜71，所以可將層間絕緣膜71表面之平坦度形成極爲咼。藉此，在以非晶硒形成轉換層的情況，即可穩定形成良質的轉換層。亦即，在以非晶硒形成轉換層時，若底層之平坦度很差的話，則恐有以該凹凸爲起點而進行非晶硒之結晶化，: 無法獲得所期望之特性之虞。相對於此，藉由利用旋塗法形成上述層間絕緣膜7 1，由於可依層間絕緣膜7丨覆蓋下層之凹凸而使之平坦化，所以不會發生結晶化之起點。除此之外，由^係、依光微影術形成上述接觸孔72，而接觸孔72之邊緣形狀會變成平穩’所以接觸孔”亦不會成爲結晶化之起點。另外，在本實施形態中，雖然構成上層畫素電極川亦 -57- 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297^5" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣

了 βτ — I — n J 、· ϋ I ϋ H ϋ ϋ H I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 !258626

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製重甓在信號線1 1上，但是在擔心因層間絕緣膜7 i之介電常數或膜厚，而使上層晝素電極4 3 b與信號線i〗之間的靜電電容非期望地變大，且信號線i丨之電容增大或雜訊之增加的情況，當然較佳者係配置成將上層畫素電極43b不重疊在信號線1 1上。即使如此地配置上層晝素電極4 3 b，與實施形態5之構成相較，仍可獲得電荷之集中效率高的效果、和可防止非晶硒之結晶化的效果。如已述般，使用層間絕緣膜的主動矩陣基材9亦可在習知之液晶顯示裝置中採用，且只要直接利用其製程，並變更圖案化之形狀，由於可製造本實施形態之主動矩陣基材，所以可將製造成本抑制得很低。然而，本實施形態之構成，不僅只有影像感測器用之主動矩陣基材，亦可應用於液晶顯示裝置中。但是，由於係以不透光性之金屬層形成畫素電容配線14與畫素電容電極4 1，所以在用於透過型之液晶顯示裝置中時，由於開口率（此情況係光所透過之區域的比例）過低，所以並非實用。另一方面，若爲市場近年來持續擴大的反射型之液晶顯示裝置/的話，則即使在上層畫素電極43b之下層存在有不透光性的圖案，亦不會造成問題。另外，在將本實施形態之主動矩陣基材使用於反射型之液晶顯示裝置中時，並非是利用I T 〇，而是當然有必要利用鋁等之反射率高的金屬來形成上層畫素電極43b。

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁}

-裝 II--a叮.— I I I 111' -58- 1258626

五、發明說明（56 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [實施形態9 ] 有關本發明之另一實施形態，係根據圖26至圖29加以説明。另外，冑了方便説明起見，在與前述實施形態相同的構件上，附1己相同的元件編號並省略其說明。本實施形態之主動矩陣基材，係在前述實施形態7之圖 23所示的主動矩陣基材中，以未形成開口部66 · 66、接觸孔68b及透明電極54e之狀態，層合層間絕緣膜7ι及上層畫素電極43b，，且使層間絕緣膜71之接觸孔72a與閘極絕緣膜42之接觸孔68a —致，以取得下層畫素電極63还、上層畫素電極43b’與透明電極54b2導通的構成。另外’透明電極54b2，係承擔作爲電連接汲極電極5 3 b 與上層畫素電極43b’之連接電極的責任。又，畫素電容配線1 4，係由相當於透明電極5 4 c之透明電極54c，、與相當於金屬配線5 5 c之金屬配線55c，所構成。因而，其於製造時，在圖23所示之主動矩陣基材之製程中’只要在閘極絕緣膜4 2上形成接觸孔6 8 a時，不進行接觸孔68b之形成，更在進行透明電極54a · 54b2 · 54c，之形成時，不進行透明電極54e之形成即可。之後，形成保護膜4 5，並從接觸孔6 8 a之部位去除保護膜4 5，以與前述實施形態8同樣的步驟，形成具有用以替代接觸孔7 2之接觸孔7 2 a的層間絕緣膜7 1與上層畫素電極 43V。當將本實施形態之主動矩陣基材應用於影像感測器時，可獲得與前述實施形態8同樣的效果，另一方面在應用於 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

裝 1_1 ϋ n 11 J ，· «ϋ ·ϋ H ϋ H ϋ ·1-— 兮口 1258626

五、發明說明（57) 液晶顯示裝置時，具有不僅可虛田1、一々个偟可應用於反射型斫可應用於透過型的優點。此係依將構成畫素電容14a之不透光性之下層畫素電極 63a，以寬度較窄的方式形成於晝素電容配線以之下層所成。、因此，妨礙光之透過的部分，由於只有用以確保形成於信號線1 1、掃描線i 2、畫素電容配線丨4之周圍及下層畫素電極6 3 a上的接觸孔6 8 a之區域，所以畫素之開口率，係可確保與使用習知之層間絕緣膜的主動矩陣基材完全同等。再者，在未覆盍於如其鄰接之畫素間之間隙7 3 (參照圖 27)之上層畫素電極43b的部分之下層，由於必須配置有構成信號線1 1或掃描線i 2之金屬層，所以完全保有具備使用在炎住液晶之相對基材側不設置黑矩陣即可完成之習知層間絕緣膜的主動矩陣基材的優越點。除此之外，由於信號線1 1只與掃描線1 2交叉，所以亦可獲得前述之特有的效果。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另外，本實施形態中，透過閘極絕緣膜4 2、保護膜4 5 及層間絕緣膜7 1之相同的邵位形成接觸孔6 8 a及接觸孔 7 2 a的構成，雖然要在其他部位上設置其他的接觸孔，但是主要是爲了要避免多餘的不透光性區域的必要，並防止開口率之降低，以及利用下層畫素電極63 a而遮蔽層間絕緣膜7 1之接觸孔7 2 a所引發的液晶之排列方向混亂的光者。又，將接觸孔6 8 a及接觸孔7 2 a形成於相同的部位上的 -60- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公H -- 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（58) 構成，由於可使用相同的個光罩，所以亦有助於製造成本之刪減。另外，並非係在透明電極54b2等形成層之透明導電層、及金屬配線55cf等形成層之金屬層成膜前，使閘極絕緣膜 42圖案化，而是亦可在保護膜45成膜後，同時進行保護膜4 5與閘極絕緣膜4 2之圖案化。或是，在使層間絕緣膜 7 1圖案化之後，以此取代光阻，而無需透過光微影步驟’亦可同時使保護膜4 5與閘極絕緣膜4 2同時圖案化。將此時所應採取的構造顯示於圖2 8及圖2 9中。圖2 8係只拔除相當於圖2 6所示之接觸孔7 2 a附近的接觸孔72a，附近而顯示的主要部分平面圖，圖29係沿著圖28中之:^七, 線的箭視截面圖。圖26及圖27所示的構造，並無關於是否爲與保護膜45 和閘極絕緣膜4 2相同的圖案，由於係使透明電極54b2介於保護膜4 5和閘極絕緣膜4 2之間，所以無法使保護膜4 5及閘極絕緣膜4 2同時圖案化。換句話説，爲了連接透明電極54b2與下層畫素電極63a，而在透明電極54b〗等形成層之透明導電層成膜前，有必要施予在閘極絕緣膜42上形成接觸孔6 8 a的圖案化。相對於此，圖28及圖29所示的構成，係在將閘極絕緣膜42成膜於下層畫素電極63a上之後，不使閘極絕緣膜 42圖案化，而進行透明電極54匕之圖案形成。亦即，在接觸孔68a之形成部位上不形成透明電極科匕。因而，以此後形成圖案的層間絕緣膜71來取代光罩，且當使保護膜 -61 - 本紙張尺度關家標準（CNS)A4規格（210 X 297 ^-----— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . 1258626 A7 ---—_ _____B7______________ 五、發明說明（59 ) 45與閘極絕緣膜42同時圖案化時，，雖然在保護膜以上形成有按照接觸孔72a，之大小的鏤空部分，但是在閘極絕緣膜42上，則層間絕緣膜71與透明電極μ、會取代光罩，而形成有對應比接觸孔72a，小之接觸孔68a的去掉部分。可進行此種蚀刻術者，乃係因以相同材料或特性類似的材料（SiNx、Si〇2等）形成閘極絕緣膜42與保護膜45所致，且蚀刻劑之選擇比在與透明電極54b2 (例如IT 0 )之間係十分大所致。亦即，閘極絕緣膜4 2及保護膜4 5之同時圖案化時，雖係使用緩衝氟酸等的蝕刻液，但是此種的蝕刻液’由於不會分解ITO，所以在有透明電極54b2的部分與沒有透明電極54b2的部分上，可選擇性地去除閘極絕緣膜 42 ° 如此’就可在接觸孔72a，之中，形成殘留透明電極54b2 與閘極絕緣膜4 2之層合體的部分、及不存在該種的層合體，而下層畫素電極63a露出的部分。藉由在此兩部分上配置上層畫素電極43b，，即可介以上層晝素電極43b，使透明電極54b2與下層畫素電極63a導通。另外，透明電極 54b2，係承擔作爲電連接汲極電極53b與上層畫素電極 43b之連接電極的責任。如此，即可使保護膜4 5及閘極絕緣膜4 2同時圖案化，而且由於可依方法，以層間絕緣膜7 1取代光阻，而跳過光微影步驟，所以顯著地減少步骤數，結果，可達成大幅刪減製造成本的效果。 -62- 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑽x 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258626 Λ7

五、發明說明（6〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [實施形態1 0 ] 有關本發明之另一實施形態，係根據圖30及圖31加以説明。另外’ A 了方便說明起見’在與前述實施形態相同的構件上，附記相同的元件編號並省略其説明。本實施形態之主動矩陣基材與前述實施形態9之圖27所示之主動矩陣基材，係在層間絕緣膜之圖案上有所差異，隨之除了上層晝素電極之層合形狀亦有不同之外，2他的構成則完全相同。 3F即，並非將層間絕緣膜71&之接觸孔72b形成與閘極絕緣膜42之接觸孔68a相同的圖案，而是藉由從接觸孔 68玨之上部至畫素電容配線14之上部去除層間絕緣膜 71 ’以使接觸孔72b之開口大於圖27所示之接觸孔72a的開口。若依據上述之構成，則上層畫素電極43c與畫素電容配線14，係成爲夾住保護膜45而形成靜電電容者。藉此，畫素電容配線14，介以保護膜45及閘極絕緣膜〇，由上層畫素電極43 c與下層畫素電極63a夾住的結果，可將畫素電容1 4 a之大小形成約2倍。此無非係在形成有不層畫素電極6 3 a與畫素電容配線i 4 的靜電電容上’施加形成有上層畫素電極43。與畫素電容配線1 4的靜電電容。另外，保濩膜4 5，由於係藉由層合3〇〇〇埃左右之與閘 =絕緣膜42大致相同的矽氮化膜而形成，所以上層畫素與里素％谷配線14所形成的靜電電容，與下畫 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝訂· · -63- 1258626

五、發明說明（61 ) 素電極63a與書辛雷女、里京包奋配線i 4所形成的靜 a 同等的大小。 7靜包电各成爲大致 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此，在藉由將畫素電容l4a形主動矩陣基材使用於液晶顯示裝置中時：：’且將此素"合二£域的面積，且可更加提高開口率。又，如影像感測咨所示即使在需要極大的畫素電容、獲得畫素電容所必要的大小。 ' ^^ 又’與習知之主動矩陣基材之製程相較，由於完全不增加步驟數，且不需要步驟本身之基本上的變更，所以同時具有開口率之提高、畫素電容配線·信號線之負載減低、及大畫素電容的優點，且可廉價製造性能優的主動矩材。以下，係整理由本發明之主動矩陣基材之構成中所導出的其他作用效果而敘述者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明之主動矩陣基材，除了「具備有：晝素電極，設於由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一畫素上；開關元件，位於上述掃描線與信號線之交叉部附近且連接在掃描線、信號線及晝素電極之各個上；儲存電容電極，爲了在與上述晝素電極之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，配置成與信號線平行，而上述信號線、儲存電容電極及儲存電容共用配線，係藉由使相同的電極層圖案化而形成」之本發明的第一基本構成，或「具備有：畫素電極，設於由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一畫素區域上；開關元件，連接在上述掃 -64- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1258626 Λ7 五、發明說明（62 ) 描線、信號線及畫素電極之各個上；儲存電容電極，爲了在與上述畫素電接之間# 士、一投义間形成儲存電容而設；以及儲存電容 /、用配線，連接在該儲存電容私各冤極上，且配置成與信號線千订，而上述信號線與儲存電容電極，係圖案化而形成」之本發明的第二構成之外，=;子私谷電極亦可爲透明電極膜。若依據上述構成’則例如在將主動矩陣基材使用於液晶顯示裝置中時，就不會使畫素之開口率降低。又，在將該王動矩睁基材使用於影像感測器中時，由於可減少該影像感測=之透明基材與轉換層之遮光區域，所以可依在影像 m全體上照射光的方法有效率地進行轉換層的復新 (refresh) 〇、又，右儲存電容共用配線亦當作透明電極膜，則由於更進一步提高畫素之開口率，所以可增大上述之效果。、、本發明之主動矩陣基材，除了上述第一或第二基本構成 I外’料介以覆蓋上述開關元件之上層@絕緣膜，相對配置有上述畫素電極與儲存電容電極。若依據上述構成，則可依用以覆蓋開關元件之上層的絕緣膜、及儲存電容電極而形成儲存電容電極。亦即，無須追加特別的步驟（例如，在畫素電極與儲存電容電極:間' 另^形成介質層的步驟），即可容易形成儲存電容，且可提高主動矩陣基材之生產性。、本發明之主動矩陣基材，亦可在上述畫素電極與絕緣膜之間具有層間絕緣膜，且介以設於該層間絕緣膜上的接觸 -65- 卜紙張尺度適財關家標準（CNS)A4規格⑽χ视公髮 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^258626

五、發明說明（63 孔:：：配置有上述畫素電極與儲存電容電極。於掃描：上Γΐ成，則藉由在畫素電接與電極線(指配置、$描、、桌' k唬線、連接電極等書心緩）> π入 —震包核足下側的電極配、果）<間，除了絕緣膜之外更書+兩柘溆+ k g間絕緣膜，即可減低 —素私極與卷極線之間的互相影響。又，六、小，rtr、尺-Γ ✓、儲存％谷之大由於可依設於層間絕緣膜上的所>7茲山戌nn a J伐陶孔 < 大小來控制，臂门、、色緣膜，即可既容易且精隹地進仃儲存電容値的控制。於降基材，除了「具備有··畫素電極，設 ==置成栅狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一書素區域上；開關元件，遠接. 4m 1干運接在上场描、線、信號線及畫素屯極I各個上；儲存電定雷 ^ ^ ^ ^ 極於儲存電容之形成用；以及儲存電容共用配線，運接於邊儲存電容電極上，且配 L成仏號線平行，而上述儲存 &， ^ W仔私谷，係形成於上述畫素氣極與儲存電容電極之間， — 且上述知描線與儲存電容電 ”係藉由使相同的電極層圖案化而形成」之本發明的第 :基本構成之外’信號線與畫素電極，亦可藉由使相同的導電層圖案化而形成。二若依據上述之構成’則由於掃描線及儲存電容電極、和 k 5虎線及畫素電極，伟八_L r—t c=t 係刀別由相同的層所形成，所以在同時進行形成掃描線及儲存電容電極之後，即可再次同時進行形成信號線及畫素電極。結果，即使使用習知之主動短陣基材之製造裝置，亦可以更少的步驟數獲得成本性能更加優越的主動矩陣基材。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)^^^2f 請先閱讀背面之注意事項再填 :裝頁

訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -66- 1258626

五、發明說明（64 ) 本發明之主動矩陣基材，爲了解決上述之問題，亦可更具備有將上述畫素電極配置在最上層的層間絕緣膜。若依據上述之構成，則藉由將畫素電極配置於主動矩陣基材之最上層上，由於可在掃描線、信號線及儲存電容共用配線之上層上配置畫素電極，所以可飛躍性地大幅設定畫素之開口面積。亦即，利用相鄰之畫素彼此之間，可將除了在各自之畫素電極間形成間隙時所必要的區域以外的全邵區域當作畫素之開口部。因而，在上述主動矩陣基材上層合轉換層以構成影像感測器時，影像感測器，由於畫素電極與轉換層所接觸的區域成爲晝素之開口部，所以可以最大效率將在轉換層中所發生的電荷集中在畫素電極上。再者，由於可充分地增大畫素之開口率，所以不僅可提供影像感測器，而且亦可提供較適於液晶顯示裝置的主動矩陣基材。本發明之主動矩陣基材，除了「具備有：畫素電極，役於由配置成栅狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一畫素區域上；開關元件’連接在上述掃描線、信號線及畫; 電極之各個上；儲存電容電極，冑了在與上述書辛電極之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，連接於該儲存電容電極上，且配置成與信I料行，而上述掃描線與畫素電極，係、藉由使相同的電極層圖案化而形成」之本發明的第四基本構成之外’信號線與儲存電容電極，亦可猎由使相同的導電層圖案化而形成。本紙張尺度義中_家鮮（cns)A4規格⑽χ C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝訂·- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -67- 1258626 A7 ------_______ 五、發明說明（65 ) ' ^ 右依據上ιΚ構成’則由於掃描線及畫素電極、和信線及儲存電容電極，係分別由相同的層所形成，所以：同 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 時進行形成掃描線及書素雷枋 σ ^ ^ η 一極〈後，即可再次同時進行形成信號線及儲存電容電極。結果，即使使用習知之主動矩陣基材之製造裝置，亦可以更少的步驟數獲得成本性能更加優越的主動矩陣基材。本發明I王動矩陣基材，爲了被覆畫素電極之晝素開口部亦可使上述導電層圖案化。方依據上述之構成，則由於可以不與畫素電極直接接觸的狀悲層合轉換層，所以畫素電極之形成材料不受到與轉換層之物性的相性限制即可完成。因而，可擴展用以形成掃描線及畫素電極之電極層之形成材料的選擇。另一方面，上述導電層，只要以與轉換層之物性的相性佳，且表面狀悲不易劣化的材料，例如J T Q等來形成即可。如此，在晝素電極上層合轉換層時，就無在開口部露出之畫素電極的表面發生氧化，且無法充分取得與轉換層之導通的不良情況之虞。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明之主動矩陣基材，除了「具備有··第一畫素電極，设於由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一畫素區域上；開關元件，連接在上述掃描線、信號線及第一畫素電極之各個上；第二畫素電極，連接在上述第一畫素電極上；儲存電容電極，爲了在與上述第二畫素電 _之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，連接 |該儲存電容電極上，且配置成與信號線平行，而上述掃 -68- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1258626 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製素在 A7 五、發明說明（66 ) 描、、泉與弟一畫素電極，係藉由使相同的電極層圖案化而形成」之本發明的第五基本構成之外，信號線、第一畫素電接及儲存電容電極，亦可藉由使相同的導電層圖案化而形成。若依據上述之構成，則由於掃描線及第二畫素電極、信號線、和第一晝素電極及儲存電容電極，係分別由相同的層所形成，所以在同時進行形成掃描線及第二畫素電極之後，即可再次同時進行形成信號線、第一畫素電極及儲存私谷電極。結果，即使使用習知之主動矩陣基材之製造裝置，亦可以更少的步驟數獲得成本性能更加優越的主動矩降基材。本發明之主動矩陣基材，亦可更具備有用以連接上述第一畫素電極與開關元件的連接電極，而上述信號線、連接電極及儲存電容電極，係藉由使相同的導電層圖案化而形成。若依據上述之構成，則由於第—晝素電極可介以連接電極與開關元件取得導通，所以例如可將第_畫素電極配置在最上層，且在第一畫素電極與連接電極之間設置絕緣層。藉此，由於可在掃描線、信號線及儲存電容共用配線疋上層配置第-畫素電極，所以可製作飛躍性地大幅設定畫素之開口面積的主動矩陣基材。又，由於掃描線及第二畫素電極、信號線、和第一畫電極及儲存電容電極’係分別由相同的層所形成，所以同時進行形成掃描線及第二畫素電極之後，即可再次同時 -69- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公复 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 1258626 A7 _____B7__ 五、發明說明（67 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進行形成仏號線、連接電極及儲存電容電極。結果，即使使用習知之主動矩陣基材之製造裝置，亦可以更少的步驟數獲得成本性能更加優越的主動矩陣基材。本發明之主動矩陣基材，其上述導電層亦可具有透光性。若依據上述之構成，就如已説明般，由於即使第二畫素電極具有遮光性，只要以儲存電容支形成時所必要的面積來形成即可，所以可將未形成有第二畫素電極之區域當作畫素之開口部。由於在此開口部上成膜具有透光性的導電層，所以可形成透光性之開口部。結果，可獲得適於透過型液晶顯示裝置的主動矩陣基材，同時在將此主動矩陣基材應用於影像感測器中時，可從轉換層所期望的方向提供足夠的光量，且可利用照射而復新轉換層。本發明之主動矩陣基材，亦可爲上述第一畫素電極與儲存電谷電極’係介以上述保護膜而形成儲存電容的構成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製若依據上述之構成，則前述儲存電容電極，由於係爲了在與弟一畫素笔極之間形成儲存電容而設，所以藉由儲存電容電極，成爲介以保護膜亦在與第一畫素電極之間形成儲存電容的構成’即可將畫素之儲存電容形成二層。結果，即使以小面積形成由與掃描線相同的電極層所形成的不透光性之第二晝素電極，由於亦可獲得其所必要的儲存電容’所以上述構成之主動矩陣基材，可構成開口面積較大的透過型液晶顯示裝置。 -70- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' "—- 1258626 A7 五·、發明說明（68 ) 再者，如影像感測器所示，即使在需要極大的儲時，亦可容易形成其所必要的儲存電容。予私谷本發明之主動矩陣基材，亦可爲更具備有將上述第一者素電極配置在最上層的層間絕緣膜的構成。弟 ^ 若依據上述之構成，則藉由第一畫素電極配置在主陣基材之最上層，由於即可在掃描線、信號線及餘存^ 共用配線之上層上配置第一畫素電極，所以可飛躍性S 幅設足畫素之開口面積。亦即，利用相鄰之畫素彼此之間’可將除了在各自之第一畫素電極間形成間隙時所必：的區域以外的全部區域當作畫素之開口部。因而，在上述主動矩陣基材上層合轉換層以構成影像感測器時，影像感測器中，由於第一畫素電極與轉換層所接觸的區域成爲畫素之開口#，所以可以最大效率將:轉換層中所發生的電荷集中在第一畫素電極上。又，由於可充分地增大畫素之開口率，所以不僅可提供影像感測器，而且亦可提供較適於液晶顯示裝置的主動矩陣基材。本發明之主動矩陣基材，亦可對上述掃描線施予陽極氧化。若依據上述之構成，則可提高掃描線與其他配線之絕緣性的信賴性。藉此可提高主動矩陣基材之製造良率，同時可更加確實地防止因掃描線之絕緣不良而引起如線缺線的重大缺陷之發生。另方面，較佳者係爲，不對藉由使與掃描線相同的電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -71 - 1258626 五、發明說明（69 ) :::案化而形成的儲存電容電極或畫素電極施予陽極氧化。 4者罘二的畫素電極與儲存電容+ · 17 、"又在形成儲存電容存電容的第二書緣層，或設在形成儲成例如閘極絕二:谷由電;之間的絕緣層，形一大每-單位面:靜二由較大的輔助電容。尺』、的面積

發：：：細：明項中所構成之具體的例，畢竟是舄使本發明之技術内容更加 ^實她定於該種的具體例，卫本發明不應被狹義解:者而非只限【元件編號之説明】 11 信號線 -訂 12 掃描線 13 TFT (開關元件） 14 畫素電容配線（（儲存電容丑用配線）、畫素電容電極（儲存兩^ + 14a ' 3〇a、30b 畫素電容（儲存電容）各毛極）） 1 5、1 5 a ' 1 5 b 接觸孔 16'43'63 畫素電極經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25d 25 透明電極層（電極層）透明電極（透明電極層）保護膜（絕緣膜） a 層間絕緣膜轉換層（轉換部） -72- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 1258626 A7 B7 五、發明說明（70 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 2 共用電極層（偏向電壓施加機構） 4 1 畫素電容電極（儲存電容電極） 42 閘極絕緣膜 4 3 a、6 3 a 下層畫素電極（第二畫素電極） 43b、43bf、43 c 上層畫素電極（第一畫素電極） 5 4 透明導電層（導電層） 5 4b 透明電極（導電層） 54bi 透明電極（第一畫素電極） 54b2 透明電極（連接電極） 54e 透明電極（導電層或第一畫素電極) 54d 透明導電膜（導電層） 66 開口部（畫素開口部） -73- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims

1258626 Λ8 第089104264號專利申請案 Β8 ⑽、、- 中文申請專利範圍替換本(93年4月） g 4/¾ 六、申請專利範圍 f S ί i -'r 1· 一種主動矩陣基材，其係包含宥:: 畫素電極’設於由配置成棚'狀之複數個婦描線及信號線所形成的每一畫素上；開關元件，位於上述掃描線與信號線之交叉部附近且連接在掃描線、信號線及畫素電極之各個上；絕緣膜，其覆蓋上述開關元件之上層；層間絕緣膜，其設於上述畫素電極與絕緣膜之間；儲存電容電極，為了在與上述畫素電極之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，其連接於上述儲存電容電極，配置成與信號線平行，而上述信號線及儲存電容電極係藉由使相同的電極層圖案化而形成；於上述層間絕緣膜上所設之接觸孔，隔著上述絕緣膜而相對向的配置上述畫素電極及儲存電容電極；且上述畫素電極係經由貫通上述層間絕緣膜及絕緣膜而形成的接觸孔連接於上述開關元件；上述儲存電容共用配線，係以細於儲存電容電極的寬度層合在儲存電容電極上。 2. —種主動矩陣基材，其係包含有：畫素電極’設於由配置成撕狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一畫素區域上；開關元件，連接在上述掃描線、信號線及畫素電極之各個上；本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 1258626 B8 C8 D8 六、申請專利範圍儲存電容電極，供於儲存電容之形成用；以及儲存電容共用配線，連接於該儲存電容電極上，且配置成與信號線平行，而上述儲存電容，係形成於上述畫素電極與儲存電容電極之間，且上述掃描線與儲存電容電極，係藉由使相同的電極層圖案化而形成；且更包含有用以覆蓋上述開關元件之閘極的閘極絕緣膜，介以該閘極絕緣膜而相對配置有上述畫素電極與儲存電容電極；上述信號線與畫素電極，係更藉由使相同的導電層圖案化而形成；上述信號線、畫素電極及儲存電容共用配線，係更藉由使相同的導電層圖案化而形成。 3. —種主動矩陣基材，其係包含有：畫素電極，設於由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成的每一畫素區域上；開關元件，連接在上述掃描線、信號線及畫素電極之各個上；儲存電容電極，為了在與上述畫素電極之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，連接於該儲存電容電極上，且配置成與信號線平行，而上述掃描線與畫素電極，係藉由使相同的電極層圖案化而形成。 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 1258626 A B c D —-—一___ — 六、申請專利範圍 .112申5月專利範圚笔、季已固罘3員疋王動矩陣基線與儲存電容兩干丞柯其中上述“请形成。％ ” ”猎由使相同的導電層圖案化而如申請專利範圍第3項之主線、儲在㊉六，勑矩陣基材，其中上述信號电谷極及儲存電容爾 r. όΛ ^ ^ ^ 予私合以用配線，係更藉由使相同的導電層圖案化而形成。 6. 如申請專利範圍第3項之 ^ ^ ^ ^ 旱基材，其中上述儲存 %备/、用配線，係以通過由、女本^ ^田上迷^唬線與掃描線所包圍足里素形成區域之中央附近卜 ^ W近的万式，形成與信號線平仃0 7. 如申請專利範圍第項不、土助矩陣基材，其中上述導電層’係為了被覆畫素電極之畫素開口部而圖案化。 8. —種王動矩陣基材，其係包含有：第一畫素電極，設於由配置诸迦、、且成柵狀又複數個掃描線及信號線所形成的每一畫素區域上；開關元件，連接在上述掃描線、信號線及第一書素電極之各個上；第二畫素電極，連接在上述第—畫素電極上； :儲存電容電極，為了在與上述第二畫素電極之間形成儲存電容而設；以及儲存電容共用配線，連接於該錯存電容電極上’且配置成與信號線平行，而上述掃描線與第二書素電極，係茲山^ 予u 係精由使相同的電極層圖案化而形成；且本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)' ------

申清專利範

號線、第—畫素電極及儲存電容電核，好由使相同的導電層圖案化而形成；知措由接=含有用以連接上述第一畫素電接與開關元件的連 ," 上述k號線、連接電極及儲存電容電極，係藉由使相同的導電層圖案化而形成；、曰更包含有用以被覆上述開關元件的保護膜，上求第一極與儲存電容電極，係介以上述保護膜而：成儲 9.如申凊專利範圍第8項之主動矩陣基材，其中更具備有將上述第一畫素電極配置在最上層的層間絕緣膜。、 10·如！凊專利範圍第9項之主動矩陣基材，其中用以將上逑第畫素電極電連接開關元件的接觸孔，係貫穿上述層間絕緣膜及保護膜而形成。 11·如申請專利範圍第2項之主動矩陣基材，其中對上述掃描線施予陽極氧化。 12.如申請專利範圍第3項之主動矩陣基材，其中對上述掃描線施予陽極氧化。 D.如申請專利範圍第8項之主動矩陣基材’其中對上述掃描線施予陽極氧化。 14· 一種王動矩陣基材之製造方法，其所製造之主動矩陣基材係包含有：設於由配置成柵狀之複數個掃描線及信號線所形成足每一畫素上的畫素電極；位於上述掃描線與仏號、、泉〜X叉#附近且連接在掃描線、信號線及畫素電極之各個上的開關元件；為了在與上述畫素電極之間形 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1258626

、申請專利範固 t = 設的儲存電容電極；以及連接於上述儲存而上二/己置成與信號線平行的儲存電容共用配線，者儲存電容電極，係'藉由使相同的電極層該製造方法係包含下述步驟：、於t板上成月旲形成電極層，將該電極層予以圖案化，以形成掃瞄線的步驟；於上述掃瞄線上層合閘絕緣膜的步驟；存絕，膜上，形成上述信號線、開關元件、儲極、儲存電容共隸線後，成膜形成絕緣膜的於上述絕緣膜上成膜形成層間絕將上述储存電容電極之上部所成膜之:步:;，門沾一士 \ 1叮风膜足上逑層間絕緣膜驟；4予以㈣’形成露出上述絕緣膜之接觸孔的步万；形成有上述接觸孔之層間絕緣膜上，電極的步驟。 7风上逑里素 a-種主動料基材之製造方法’其所製造之主動矩陣其 :係具備有：設於由配置成栅狀之複數個掃描線及信二 ::形；:rrr或上的畫素電接;連接在上述： ’ °唬、.泉及畫素電極足各個上的開關元件·為了在與上述畫素電極之間形成儲存電容而設的错存電容電歪，以及連接在該儲存電容電極上且配置成與信號線平仃的儲存電容共用配線者， 5- 本紙張尺度相中關家標準(CNS) A4規格(2ι〇 X 297公董） 1258626 A8 B8

該製造方法包含有： :電極層成膜於基材上且藉由該電極成知描線與畫素電極的步驟；。次化而形層合閘極絕緣膜的步驟；在形成上述信號線、開關元件、儲存電電容共用配線之後，將保護膜予以成膜的步^ S、、储存同時使上述閘極絕緣膜及保護膜同時圖案以及、畫素電極之開口部的步驟。以开> 成 =申請專利範圍第15項之主動矩陣基材之中更包含有： I万法’其在上述閘極絕緣膜上層合透明導電層的步驟；以使上述透明導電層圖案化以殘留用以極之開口部的透明導電層，且形成信號線及儲；二極的步驟。仔包各电 17.如申請專利範圍第！項之主動矩障基材，其係人有下列構件之影像感測器：、l S 轉換部，將已入射之電磁輻射線轉換成電荷；以及偏向電壓施加機構，用以形成已儲存該電荷的儲存電容。思 18·如申請專利範圍第2項之主動矩陣基材，其係用於包▲ 有下列構件之影像感測器： ^ 轉換邵，將已入射之電磁輻射線轉換成電荷；以及偏向電壓施加機構，用以形成已儲存該電荷的儲存電容。兄 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐）