TW510147B - Electro-optical device - Google Patents

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TW510147B
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TW
Taiwan
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light
driver
period
electrode
gate
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TW89122364A
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Jun Koyama
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Semiconductor Energy Lab
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Description

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A7 B7 ( ι ) 發明背景 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 .發明領域 本發明係關於在基底上製備EL (電發光）而形成的 E L顯示器（光電裝置）。更特別地，發明係關於使用半 導體元件（使用半導體薄膜之元件）之E L顯示器。此外 ，本發明係關於電子設備，於其中使用E L顯示器作爲其 顯示部份。 2 .相關技藝說明 近年來，在基底上形成T F T的技術已大幅改進，且 已實現T F T應用至主動矩陣型顯示裝置。特別地，使用 多晶矽膜之T F T比使用傳統的非晶矽膜之T F T具有較 高的電場效應遷移率，因此，T F T可以以高速操作。因 此’在基底外的驅動電路執行之像素控制可以在形成於與 像素相同基底上的驅動電路中執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由在相同基底上製備不同的電路及元件，此主動矩 陣型顯示裝置可以取得不同的優點，舉例而言，降低製造 成本’降低顯示裝置的尺寸、增加產能、及減少總工作量 〇 此外，對具有E L元件作爲自行發光裝置之主動矩陣 型E L顯示器之硏究愈來愈活躍。此e l顯示器被稱爲有 機E L顯示器（〇 E l D )或是有機發光二極體（ 〇 L E D )。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) a4規格（210X297公釐） -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 B7 五、發明說明（2 ) 與液晶顯示裝置不同，E L顯示器係自行發光型。 E L元件係以E L層夾於電極對之間的方式形成的。但是 ，E L層通常具有疊層結構。典型地，可引用Eastman Kodak公司之Tang等所提出的「正電孔傳輸層/發光層/ 電子傳輸層」之疊層結構。此結構具有非常高的發光效率 ，且幾乎所有目前硏發的E L顯示器中都採用此結構。 此外，結構可爲在像素電極上依序疊層之正電洞注射 層/正電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層，或是正電洞注 射層/正電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注射層 。螢光染料等等可摻雜於發光層中。 在本說明書中，所有設置於像素電極與相對電極之間 的層統稱爲E L層。結果，正電洞注射層、正電洞傳輸層 、發光層、電子傳輸層、電子注射層等等，都包含於E L 層中。 然後，預定的電壓會從電極對施加至具有上述結構的 E L層，以致於在發光層中產生載子的復合並發光。此外 ，在本說明書中，E L元件發光之事實係說明成E L元件 被驅動之事實。此外，在本說明書中，陽極、E L層及陰 極形成的發光元件稱爲E L元件。 類比型驅動器方法（類比驅動）可視爲驅動E L顯示 器的方法。使用圖1 8及1 9 ，說明類比驅動E L顯示器 〇 類比驅動E L顯示器的像素部份之結構顯示於圖1 8 中。用於輸入閘極訊號之Y閘極訊號線（G 1至G y )會 •」---Γ--I!--- I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tj 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~ 510147 A7 ___ B7 五、發明說明（3 ) 連接至像素的切換T F T 1 8 0 1之閘電極。每一像素 之切換TFT 1 8 0 1的源極區與汲極區之一會連接至 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
用於輸入類比視頻訊號之X源極訊號線（也稱爲資料訊號 線）（S 1至s X )，而另一者會連接至每一像素的E L 驅動器T F T 1 8 0 4的閘電極及連接至每一像素的電 谷益 1808。 倂入於每一像素中的E L驅動器T F T 1 8 0 4的 源極區與汲極區之一會連接至電源線（V 1至V X )，而 另一者會連接至EL元件1 806。電源線（VI至Vx )的電位稱爲電源電位。注意，電源線（V 1至V X )會 連接至倂入於每一像素中的電容器1 8 0 8。 E L元件1 8 0 6包括陽極、陰極及設置於陽極與陰 極之間E L層。在陽極連接至E L驅動器T F T 1 8 0 4的源極區或汲極區的情形中，亦即，在陽極爲像 素電極的情形中，相對電極之陰極會保持固定電位。相反 地，在陰極連接至E L驅動器T F T 1 8 0 4的源極區 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 或汲極區的情形中，亦即，在陰極爲像素電極的情形中， 相對電極之陽極會保持固定電位。 相對的電極通常會保持在固定電位，而在本說明書中 ，相對的電極之電位稱爲穩態電位。注意，用於施加穩態 電位至相對電極之電源稱爲穩態電源。相對的電極之穩態 電位與像素電極的電源電位之間的電位差爲E L驅動電壓 ，而E L驅動器電壓會施加至E L層。 以類比方法驅動E L顯示器之情形的時序圖顯示於圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - 510147 A7 __ B7 五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 9中。一閘極訊號線被選取的期間係被稱爲一線週期（ L )。此外，直到所有閘訊號線（G 1至G y )的選取完 成爲止之週期係對應於一框週期（F )。有y閘極訊號線 用於圖1 8的E L顯示器之情形，因此，在一框週期期間 會形成y線週期（L 1至L y )。 注意，在E L顯示器驅動中一秒期間，形成6 0或更 多框週期。換言之，在一秒期間，顯示6 0或更多影像。 假使在一秒中顯示的影像之數目變成小於6 0時，則諸如 影像閃爍等問題會開始變成視覺上顯著的。 在一框週期期間之線週期的數目會隨著灰階數目增加 ，且驅動電路必須以高頻率操作。 首先，電源線（V 1至V X )會維持在關閉的電源電 位。注意，在類比驅動方法中關閉的電源電位係處於E L 元件無法發光且與穩態電位相同強度之範圍中。也請注意 ，關閉的電源電位與穩態電位之間的差稱爲關閉E L驅動 電壓。理想上，較佳的是，關閉的E L驅動電壓爲Ο V， 但是假使其使E L元件1 8 0 6不發光，也是可接受的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 閘極訊號會於第一線週期（L 1 )輸入至閘極訊號線 G 1。然後，類比視頻訊號會依序輸入至源極訊號線（ S 1至S X )。切換T F T ( 1，1 )因而處於開啓狀態 (on)，結果，輸入至源極訊號線S 1之類比視頻訊號 會經由切換TFT (1 ，1)輸入至EL驅動器TFT ( 1，1 )之閘極。 然後，電源線V 1的電位會從關閉的電源電位改變至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）-7 510147 A7 _ B7 五、發明說明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 飽合電源電位。注意，在整個說明書中，飽合電源電位係 指與穩態電位的電位差達到E L元件會發光的程度之電位 。也請注意，此電位差稱爲飽合電源電壓。 當類比視頻訊號輸入至E L驅動器T F T的閘極且源 極區與汲極區之一維持在飽合電源電位時，則另一者會變 成開啓的電源電位。注意，開啓E L驅動器電位與穩態電 位之間的差稱爲開啓E L驅動器電壓。此外，開啓E L驅 動器電壓及關閉E L驅動器電壓在本說明書中一般稱爲 E L驅動電壓。 然後，開啓驅動器電壓會施加至E L元件，且像素會 執行顯示。流入E L驅動器T F T的通道形成區中之電流 量會由輸入至E L驅動器T F T之閘電極的類比視頻訊號 之電壓大小所控制。開啓E L驅動器電位的大小因而由施 加至E L驅動器T F T ( 1 ，1 )之閘電極的類比視頻訊 號所控制。結果，施加至E L元件之開啓E L驅動器電壓 的大小也會由施加至E L驅動器T F T ( 1 ，1 )之閘電 極的類比視頻訊號所控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，類比視頻訊號同樣地施加至源極訊號線s 2 ’ 且切換T F T ( 2 ’ 1 )開啓。輸入至源極訊號線S 2之 類比視頻訊號因而經由切換T F T ( 2 ’ 1 )輸入至E L· 驅動器T F T ( 2 ’ 1 )的閘極° E L驅動器T F T ( 2，1 )因而處於開啓狀態。電 源線V 2的電位接著從關閉電源電位改變至飽合電源電位 。大小由輸入至E L驅動器T F T ( 2 ’ 1 )的閘極之類 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐)~~ " 510147 A7 ___B7_ 五、發明說明（6 ) 比視頻訊號所控制的開啓驅動器電壓因而施加至E L元件 ，且像素執行顯示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由重覆上述操作及完成類比視頻訊號對源極訊號線 (S 1至S X )的輸入，而完成第一線週期（L 1 )。接 著第二線週期（L 2 )開始，且閘極訊號會輸入至閘極訊 號線G 2。然後，類似於第一線週期（L 1 )，類比視頻 訊號會依序輸入至源極訊號線（S 1至S X )。 類比視頻訊號會輸入至源極訊號線S 1。切換T F T (1 ，2 )開啓，因此輸入至源極訊號線S 1之類比視頻 訊號會經由切換T F T ( 1，2 )輸入至E L驅動器 T F T ( 1，2 )的閘電極。 E L驅動器T F T ( 1 ，2 )因而開啓。電源線V 1 的電位接著從關閉電源電位改變至飽合電源電位。大小由 輸入至E L驅動器T F T ( 1 ，2 )的閘極之類比視頻訊 號所控制之開啓驅動器電壓因而施加至E L元件，且像素 執行顯示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由重覆上述操作及完成類比視頻訊號對源極訊號線 (S1至Sx)的輸入，而完成第二線週期（L，2)。 接著第三線週期（L 3 )開始，且閘極訊號輸入至鬧極訊 號線G 3。 然後依序重覆上述操作，閘極訊號完全地輸入至閘極 訊號線（G 1至G y )，及完成所有線週期（L 1至L y )。當所有線週期（L 1至L y )完成時，即完成一框週 期。在一框週期期間，所有像素會執行顯示，形成一影像 ^紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ~ 510147 A7 B7______ 五、發明說明σ ) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，依據類比視頻訊號以控制E L元件發射的光量 ’且藉由控制發射的光量而執行灰階顯示。此方法係稱爲 類比驅動器方法之驅動器方法，且藉由改變訊號的振幅以 執行灰階顯示。 使用圖3 A及3 B，說明藉由E L驅動器丁 F T的閘 極電壓以控制供應至E L元件之電流量之狀態。 圖3 A係顯示E L驅動器T F T的電晶體特性之圖形 ，代號4 0 1係指I d — V g特性（也稱爲I d - V g曲 線）。此處，I d係汲極電流，V g係閘極電壓。可從此 圖形中找出相對於任意閘極電壓之電流量。 虛線4 0 2所顯示的I d — V g特性區域通常用於驅 動E L元件。由虛線4 0 2包圍之區域的放大圖顯示於圖 3 B中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3 B中的陰影區稱爲副臨限區。實際上，此意指臨 限電壓（V t h )附近或以下之閘極電壓，且在此區域中 ，汲極電流會相對於閘極電壓之變化而以指數方式變化。 藉由使用此區域，依據閘極電壓，執行電流控制。 切換T F T開啓，且像素內的類比視頻訊號輸入會變 成E L驅動器T F T的閘極電壓。在此點，閘極電壓及汲 極電流會根據圖3 A中所示的I d - V g特性而線性地變 化。換言之，決定汲極區電位（開啓E L驅動器電位）以 與輸入至E L驅動器T F T的閘電極之類比視頻訊號的電 壓相符，預定的汲極電流會流入E L元件，及E L元件會 本紙張尺度適用少國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7___ 五、發明說明（8 ) 以對應於電流量之發射量發光。 因而依據視頻訊號而控制E L元件發射的光量，且藉 由發射的光量之控制以執行灰階顯示。 但是，上述類比驅動具有相對於T F T特性中的變化 相當弱之缺點。舉例而言，切換TFT之Id-Vg特性 與顯示相同灰階之相鄰像素的切換T F T之I d — V g特 性不同（整個正或負偏移之情形）。 在此情形中，每一切換T F T的汲極電流在變化程度 上不同，且不同的閘極電壓會施加至每一像素的E L驅動 器丁 F T。換言之，不同的電流會流進每一 E L元件，結 果，發射的光量會不同，且無法執行相同的灰階顯示。 此外，即使相等的電壓施加至每一像素的E L驅動器 TFT，假使EL驅動器TFT的I d — Vg特性中有離 散，則無法輸出相同的汲極電流。此外，如同圖3 A淸楚 顯示般，所使用之區域係汲極電流相對於閘極電壓的變化 而以指數方式變化，因此，即使I d — V g特性有少量偏 移，仍可發展出即使在相等閘電壓下，電流輸出量大幅不 同之情形。假使發生此情形，則即使輸入相同的電壓訊號 ，相鄰像素中由E L元件發射的光量會因I d — V g特性 中的稍微偏移而大幅不同。 實際上，在切換TFT與E L驅動器TFT中的變化 之間有乘數效果，因此，其有條件地變得更加困難。類比 驅動因此對T F T特性中的離散相當敏感，且此會干擾傳 統主動矩陣E L顯示裝置的多彩化。 本紙張尺度適用f國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-11: 卜--------蠍-------- 訂---------線丨« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 A7 ——--B7 五、發明說明（9 ) 發明槪述 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 慮及上述問題而創造本發明，且本發明的目的係提供 主動矩陣型E L顯示裝置’能夠執行淸楚的多灰階顯示。 此外’本發明的目的係提供高性能電子裝置，其中此型主 動矩陣E L顯示裝置係作爲顯示器。 本發明的應用慮及上述類比驅動器問題導因於流進 E L元件之電流量受副臨限區的使用所控制之事實，其中 ’由於汲極電流會隨著閘極電壓的變化而以指數方式變化 ，所以，可淸楚感受到I d - V g特性中的離散之影響。 亦即，當I d - V g特性中有變化時，汲極電流會隨 著副臨限區中的閘極電壓之變化而以指數方式變化，因此 ，即使施加相等的閘極電壓，仍會輸出不同的電流（汲極 電流）。結果，會產生無法取得所需灰階之缺陷。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，本發明的申請人考慮控制E L元件所發射的光 量而非使用副臨限區以控制電流，但是，主要控制E L元 件發射光之時間總量。簡而言之，本發明係以時間控制 E L元件所發射的光量，以執行灰階顯示。藉由控制E L 元件發光的時間總量以執行灰階顯示係稱爲時間分割驅動 器方法（此後簡稱爲數位驅動）。注意，由時間分割驅動 器方法所執行的灰階顯示稱爲分時灰階顯示。 藉由採用上述結構，即使T F T的I d — V g特性中 有小變化，當施加相等的閘極電壓時，仍可抑制電流輸出 量的變化。因此，即使輸入相同的電壓訊號，仍能夠消除 導因於I d — V g特性中的變化之相鄰的像素之E L元件 本紙張尺度適用1中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12 - 510147 f- rr A7 B7 五/發明説明(1樣) 所發射的光量大幅不同之情形。 本發明的構成顯示於下。 根據本發明’提供光電裝置’其包括多個E L元件及 具有多個E L元件之多個像素，其中，藉由控制一框週期 期間E L元件發光的期間及E L元件發光之亮度，以執行 灰階顯示。 根據本發明，提供光電裝置，其包括多個E L元件及 具有多個E L兀件之多個像素，其中一框週期係由；q個副 框週期S F 1、S F 2、......、S F η所構成，η個副 框週期S F 1、S F 2、 .....、S F η分別具有定址週 期Tal、 Ta2、 ......、 Tan及維持週期Tsl、
Ts2、......、Tsn，在定址週期 Tai、Ta2、 ......、T a n中數位資料訊號會輸入至所有多個像素， 根據數位資料訊號，選取多個E L元件以便在維持週期
Tsl、 Ts2、 ......、 Tsη期間發光或不發光，在 維持週期T s 1、T s 2、.. ·. . ·、T s η之中，至少一 維持週期T s ρ (其中ρ係大於或等於1且小於或等於^ 之自然數）期間由E L元件發射的光之亮度爲維持週期 T S Ρ除外之任意維持週期T S Q期間（其中Q係除了 Ρ 之外，大於或等於1且小於或等於η的任意自然數）E L 元件發射的光之亮度的Ι/m(其中m是正數），維持週 期T s p的長度係以2 - ( p — 1 ) T X m表示（其中T是正的 常數），而維持週期T s Q的長度係以2 - ( Q - 1 ) T表示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 510147
A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 —--—__ B7 _ 五、發明説明（11) ~ 根據本發明’特徵在於多個E L元件均具有第一電極 、第二電極、及形成於第一電極與第二電極之間的E L層 且弟二電極與E L層含有低分子量有機材料或有機聚合物 材料。 根據本發明，提供光電裝置，包括多個E L元件及具 有夕個E L兀件之多個像素，其中一框週期係由^個副框 週期S F 1、S F 2、..···.、S F η所構成，η個副框 週期S F 1、S F 2、··.···、S F η分別具有定址週期 T a 1、T a 2、· · · · · ·、T a η 及維持週期 T s 1、 Ts2、 ....... Tsn，在定址週期Tai、 Ta2、 ^…··、T a n中數位資料訊號會輸入至所有多個像素， 根據數位資料訊號，選取多個E L元件以便在維持週期 Tsl、 Ts2、 ......、 Tsη期間發光或不發光，在 維持週期Tsl、 Ts2、 ......、 Tsn之中，至少一 維持週期T s p (其中p係大於或等於1且小於或等於^ 之自然數）期間由E L元件發射的光之亮度爲維持週期 T s ρ除外之任意維持週期τ s q期間（其中q係除了 ρ 之外’大於或等於1且小於或等於η的任意自然數）E L 元件發射的光之亮度的1 / m (其中m是正數），維持週 期T s ρ的長度係以2 _ ( p _ 1 ) Τ X m表示（其中T是正的 常數），而維持週期T s q的長度係以2 _ ( Q _ 1 ) T表示 ’多個E L元件均具有第一電極、第二電極、及形成於第 一電極與第二電極之間的E L層且E L元件發射的光之亮 度係由施加至第一電極與第二電極之間的開啓E L驅動器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 丨.---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f • Mu i i 一 I 1 -14- 510147
月A 修正 Α7 Β7 五、發明説明（12) 電壓所控制。 根據本發明，特徵在於E L層含有低分子量有機材料 或有機聚合物材料。 « ί廉#發明，特徵在於低分子量有機材料係由 Ald3 (3個—8 -喹林三鹽鋁絡合物）或TPD (3 個苯胺介電物）製成。 根據本發明，特徵在於有機聚合物材料係由Ρ Ρ V ( 聚對苯撐乙烯）、Ρ V Κ (聚乙烯基咔唑）或聚碳酸酯製 成。 根據本發明，一框週期可等於或小於1 / 6 0秒。 根據本發明，特徵在於光電裝置具有記憶電路，用以 f諸存校正資料以便校正顯示器且由記憶電路校正的數位視 頻訊號會輸入至源極訊號側驅動電路。 本發明可爲使用光電裝置之電腦、攝影機或DVD播 放機。 圖式簡述 在附圖中： 圖1係本發明的E L顯示器之像素部份的電路圖； 圖2係本發明的數位分時灰階顯示器的時序圖； 圖3 A及3 B係顯示E L驅動器T F T的電晶體特性 j 圖4 A及4 B係顯示本發明的E L顯示器之電路結構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） f請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 51014/ A7 五、發明說明（13 圖5係顯示本發明的e l顯示器之剖面結構； 謹1 發明的數位分時灰階顯示器之時序圖； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ® 7 7 E係顯示本發明的E L顯示器之製程； 圖8 A 係顯示本發明的E L顯示器之製程； ® 9 A 係顯示本發明的e L顯示器之製程； 圖1 〇A至1 〇 c係顯示本發明的EL顯示器之製程 圖1 1係本發明的E L顯示器之透視圖； 圖1 2A及1 2B分別爲本發明的El顯示器之上視 圖及剖視圖； 圖1 3A及1 3B係本發明的EL顯示器之像素部份 的電路圖； 圖1 4A及1 4B係本發明的EL顯示器之像素部份 的電路圖； 圖1 5 A及1 5 B係本發明的E L顯示器之像素部份 的電路圖； 圖1 6A及1 6B係本發明的EL顯示器之像素部份 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1¾ 1—II 路圖.，圖 電備 的設 圖係 彐咨 的
之 器 示 顯 L E 的 明 發 本 用 使 係 E 7 IX 至 A 子 圖 路 電 的 份 ； 部圖 素序 像時 之之 器器 示示 顯顯 L L E E 型型補 比比示 類類顯 係係係 間 之 號 訊 頻 視 後 償 補 與 號 訊 頻 視 前 償 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16· 510147 A7
五、發明說明〇4 ) 圖2 1 A及2 1 B係本發明的E L顯示器中所使用的 補償系統；及 圖2 2係顯示補償前視頻訊號與補償後視頻訊號之間 的關係。 主要元件對照表 G 1 〜G y S 1 〜S X V 1 〜v x 11 1 2 4 — 15b 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 8 9 0 6 7 8 7 b 9 b 閘極訊號線 資料訊號線 電源線 基底 基部膜 源極區 汲極區 L D D區 隔離區 通道形成區 閘絕緣膜 閘電極 第一中間層絕緣膜 源極接線 汲極接線 源極區 汲極區 L D D區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 A7 B7 五、發明說明（15 2 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 6 3 7 3 8 3 9 4 0 4 1 4 2 4 3 4 4 4 5 4 6 4 7 4 *8 4 9 5 0 4 通道形成區 閘電極 源極接線 汲極接線 源極區 汲極區 L D D區 通道形成區 閘電極 源極區 汲極區 通道形成區 閘電極 源極接線 源極接線 汲極接線 第一被動膜 第二中間層絕緣膜 像素電極 第三中間層絕緣膜 E L層 相對電極 保護電極 第二被動膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 510147 A7 B7 五、發明說明（16 ) 10 1 1 0 2 10 2a 10 2b 10 2c 10 3 10 4 10 5 10 6 1 0 7 10 8 110 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 114 5 0 1 5 0 2 5 0 3 a 5 0 4 5 0 5 5 0 6 a 5 0 7 5 0 8 a 5 0 9 5 0 3 b 5 0 6 b 5 0 8 b 像素部份 源極訊號側驅動電路 移位暫存器 佇鎖 佇鎖 聞極訊號側驅動電路 像素 切換T F T 閘極訊號線 源極訊號線 E L驅動器T F T E L驅動器T F T 電源線 電容器 分時灰階資料訊號產生電路 基底 非晶矽膜 開口 保護膜 含鎳膜 錬添加區 多晶砂膜 磷添加區 多晶矽膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 510147 A7 B7 五、發明說明（17 〇 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 17 5 18 5 19 5 2 0 5 2 1 5 2 2 5 2 3 5 2 4 5 2 5 5 2 7 5 2 8 5 2 9 5 19b 534a 〜534c 主動層 主動層 主動層 主動層 閘絕緣膜 光阻掩罩 P型雜質區 p型雜質區 P型雜質區 光阻掩罩 η型雜質區 η型雜質區 閘電極 閘電極 閘電極 閘電極 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 光阻掩罩 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20 - 510147 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（18 ) 5 3 5 5 3 6 5 3 7 5 3 8 5 3 9 5 4 0 5 4 1 5 4 3 5 4 4 5 4 5 5 4 6 5 4 7 5 4 8 5 4 9 5 5 0 5 5 2
η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 η型雜質區 光阻掩罩 Ρ型雜質區 Ρ型雜質區 第一中間層絕緣膜 源極接線 源極接線 源極接線 源極接線 汲極接線 汲極接線 汲極接線 第一被動膜 第二中間層絕緣膜 保護電極 第三中間層絕緣膜 相對電極 E L層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 510147 A7 B7 五、發明說明（19 ) 5 6 0 5 6 1 9 0 1 9 0 2 9 0 3 9 0 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 13 9 14 9 2 1 9 2 2 9 2 3 9 2 4 10 0 0 10 0 1 10 0 1a 10 0 1b 10 0 2 10 0 3 10 0 4 10 0 5 10 0 6 10 0 7 像素電極 第二被動膜 非揮發性記憶體 非揮發性記憶體 非揮發性記憶體 非揮發性記憶體 非揮發性記憶體 非揮發性記憶體 非揮發性記憶體 非揮發性記憶體 資訊儲存非揮發性記憶體 資訊儲存非揮發性記憶體 資訊儲存非揮發性記憶體 資訊儲存非揮發性記憶體 像素 切換T F T 切換T F T 切換T F T 閘極訊號線 資料訊號線 E L驅動器T F T 電源線 E L元件 穩態電源 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22 - 510147 A7 B7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2〇 ) 110 0 110 1 110 1a 110 1b 110 2 110 3 110 4 110 5 110 6 110 7 12 0 0 12 0 1 12 0 1a 12 0 1b 12 0 2 12 0 3 12 0 4 12 0 5 12 0 6 12 10 12 11 12 11a 12 11b 12 14 像素 切換T F T 切換T F T 切換T F T 閘極訊號線 資料訊號線 E L驅動器T F T 電源線 Ε L元件 穩態電源 像素 切換T F T 切換T F T 切換T F T 閘極訊號線 資料訊號線 E L驅動器T F T E L元件 穩態電源 像素
切換T F T 切換T F T 切換T F T E L驅動器T F T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23 - 510147 A7 B7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（21 ) 12 15 12 16 12 2 0 13 0 0 13 0 1 13 0 1a 13 0 1b 13 0 2 13 0 3 13 0 4 13 0 5 13 0 6 13 10 13 11b 13 12 13 14 13 15 13 16 13 2 0 15 0 0 15 0 1 15 0 4 E L元件 穩態電源 電源線 像素 切換T F T 切換T F T 切換T F T 閘極訊號線 資料訊號線 E L驅動器T F T E L元件 穩態電源 像素
切換T F T 切換T F T 切換T F T 閘極訊號線 E L驅動器T F T E L元件 穩態電源 電源線 像素部份 切換薄膜電晶體 發光驅動器T F T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24 - 510147 A7 B7 五、發明說明（22 )
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 0 6 發 光 元 件 1 5 0 8 電 容 器 1 8 0 1 切 換 T F T 1 8 0 4 E L 驅 動 器 T F T 1 8 0 6 E L 元 件 1 8 0 8 電 容 器 2 0 0 1 本 體 2 0 0 2 殼 2 0 0 3 顯 示 部 份 2 0 0 4 鍵 盤 2 1 〇 1 本 體 2 1 0 2 顯 示 裝 置 2 1 0 3 語 "jfe 輸 入 部 份 2 1 0 4 操 作 開 關 2 1 0 5 電 池 2 1 0 6 影 像 接 收 部 份 2 2 0 1 玻 璃 基 底 2 2 0 2 像 素 部 份 2 2 0 3 閘 極 訊 號 側 驅 動 電 路 2 2 0 4 源 極 訊 號 側 驅 動 電 路 2 2 0 5 切 換 T F T 2 2 0 6 閘 極 接 線 2 2 0 7 源 極 接 線 2 2 0 8 E L 驅 動 器 T F T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25 - 510147 A7 B7 五、發明說明（23 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 0 9 電 流饋送 線 2 2 1 1 E L元件 2 2 1 3 輸 入一輸 出 接 線 2 2 1 4 輸 入一輸 出 接 線 2 2 1 5 輸 入—輸 出 接 線 2 2 1 6 電 容器 2 3 0 1 本 體 2 3 0 2 訊 號纜綠 2 3 0 3 頭 部固定 帶 2 3 0 4 基 底 2 3 0 4 顯 示監視 器 2 3 0 5 密 封材料 2 3 0 5 光 學系統 2 3 0 6 胞 2 3 0 6 顯 示裝置 2 3 0 7 保 護電極 2 3 0 9 連 接線 2 3 1 0 輸 入一輸 出 接 線 2 3 1 1 導 電黏著 材料 2 4 0 1 本 體 2 4 0 2 記 錄介質 2 4 0 3 操 作開關 2 4 0 4 顯 示裝置 2 4 0 5 顯 示裝置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26 - 510147 A7 B7 發明說明（24 ) 2 5 〇 χ 本體 2 5 〇 2 相機部份 2 5 〇 3 影像接收部份 2 5 〇 4 操作開關 2 5 〇 5 顯示部份 較佳實 施例詳述 (請先閲讀背面之注音？事項再填寫本頁) 將使用圖1及圖2，於下說明本發明的數位分時灰階 顯不器。將於此說明根據η位元數位資料訊號以執行2夕 灰階顯示的情形。 本發明的E L顯示器之像素部份1 5 0 〇之結構係顯 示於圖1中。用於輸入閘極訊號之閘極訊號線（G 1至 Gy )會連接至每一像素的切換TFT 1 5 0 1之閘電 極。此外，每一像素的切換T F T 1 5 0 1之源極區與 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 汲極區之一會連接至源極訊號線（也稱爲資料訊號線）用 於輸入數位訊號，另一者會連接至E L驅動器T F T 1 5 0 4的閘電極及連接至每一像素的電容器 15 0 8 。注意，在實施例模式中的此結構具有電容器1 5 0 8， 但也可使用未包含電容器1 5 0 8之結構。有無電容器， 對本發明均無限制。 E L驅動器T F T 1 5 0 4的源極區與汲極區之一 會連接至電源線（VI至Vx)，而另一者會連接至EL 元件1 5 0 6。電源線（V 1至V X )的電位稱爲電源電 位。此外，電源線（V 1至V X )會連接至每一像素的電 __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27 - 510147 Α7 __ Β7 五、發明說明（25 ) 容器1 5 0 8。注意，數位資料訊號係類比或數位視頻訊 號轉換成數位訊號以執行分時灰階顯示之訊號，且其包含 影像資訊。 E L元件1 5 0 6均由陽極、陰極、及形成於陽極與 陰極之間的E L層構成。當陽極連接至E L驅動器T F T 1 5 0 4的源極區或汲極區時，亦即，當陽極係像素電 極時，則陰極會變成相對的電極。相反地，對於陰極連接 至E L驅動器T F T 1 5 0 4的源極區或汲極區之情形 ，亦即，當陰極爲像素電極時，則陽極變成相對的電極。 此外，在本說明書中，相對電極的電位稱爲穩態電位。注 意，將稱態電位授予相對的電極之電源稱爲穩態電源。 相對電極的穩態電位與像素電極的電源電位之間的電 位差是E L驅動器電壓，且E L驅動器電壓會施加至E L 層。電源電位通常是固定的。 本發明的E L顯示器之數位驅動期間的時序圖顯示於 圖2中。首先，一框週期（F )會分成η個副框週期（ S F 1至S F η )。注意，像素部份的所有像素顯示一影 像之週期稱爲一框週期（F )。 在一般E L顯示器中，在一秒期間形成6 0或更多框 週期，且在一秒期間，顯示6 0或更多影像。假使一秒期 間顯示的影像數目少於6 0，則諸如影像閃爍等問題會變 成視覺上顯著的。 注意，由一框週期增加地分割之多個週期稱爲副框週 期。隨著灰階數目的增加，框週期分割的數目也跟著增加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-28 - 閱 讀 背 面 之 注 項 再 填 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 五、發明說明（26 ) ’且必須以筒頻驅動驅動電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 副框週期會分割成位址週期（T a )及副維持週期（ T s )。定址週期係在一副框週期期間，將數位資料訊號 輸入至所有像素所需的時間，且維持週期（也稱爲開啓週 期）代表E L元件發光之週期。 SF 1至SF η的定址週期（Ta )分別變成Ta 1 至T a n。SF 1至SFn的維持週期（Ts )分別變成 T s 1 至 T s η。 首先，在定址週期中，EL元件1506的相對電極 會保持在與電源電位同高的穩態電位。在本發明的實施例 模式中，數位驅動器的定址週期中之穩態電位稱爲關閉穩 態電位。注意，關閉穩態電位的位準可與E L元件 1 5 0 6未發光之範圍內的電源電位之位準相同。理想上 ’希望關閉E L驅動器電壓爲〇V，但是，電壓可爲ε L 元件1 5 0 6未發光之位準。 然後，閘極訊號會輸入至閘極訊號線G 1 ，且連接至 閘極訊號線G 1之所有切換T F Τ 1 5 0 1會被開啓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當連接至閘極訊號線G 1之切換T F T 1501¾ 置於開啓狀態時，數位資料訊號會同時輸入至所有源極訊 號線（S 1至S X )。數位資料訊號包含、、〇 〃或、、1 " 資訊，且數位資料訊號$ 0 〃或％ 1 〃之一具有高電壓， 而另一者具有低電壓。 輸入至源極訊號（S 1至S X )的數位資料訊號然後 經由處於開啓狀態之切換T F Τ 1 5 0 1輸入至E L驅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29 - 510147 A7 __ B7 五、發明說明（27 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 動器T F T 1 5 0 4的閘電極。此外，數位資料訊號也 會輸入至連接至閘極訊號線G 1之所有像素的電容器 1 508,及儲存電荷。 接著，閘極訊號會輸入至閘極訊號線G 1，且連接至 閘極訊號G 2之所有切換T F T 1 5 0 1會被置於開啓 狀態。藉由處於開啓狀態的連接至閘極訊號線G 2之切換 TFT 1 5 0 1，數位資料訊號會同時輸入至所有源極 訊號線（S 1至S X )。輸入至源極訊號（S 1至S X ) 之數位資料訊號會經由切換T F T 1 5 0 1而輸入至 E L驅動器τ F T 1 5 0 4的閘電極。此外，數位資料 訊號也會輸入至連接至閘極訊號線G 2之所有像素的電容 器1508並被儲存。 經由閘極訊號線G y，重覆上述操作，則數位資料訊 號會輸入至所有像素。直至數位資料訊號輸入至所有像素 之週期係定址週期。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 維持週期會與定址週期之完成同時發生。當維持週期 開始時，相對電極的電位會從關閉穩態電位改變至開啓穩 態電位。在本發明的實施例模式中，在數位驅動的維持週 期中之穩態電位稱爲開啓穩態電位。開啓穩態電位與電源 電位之電位差到達E L元件發光的程度。注意，關閉穩態 電位及開啓穩態電位通常稱爲穩態電位。此外，開啓E L 驅動器電壓及關閉E L驅動器電壓通常稱爲E L驅動器電 壓。 在維持週期中，所有切換T F Τ 1 5 0 1會被設定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30 - 510147 Α7 ___ Β7 五、發明說明（28 ) 成關閉狀態。然後，儲存於電容器1 5 0 8中的數位資料 訊號會輸入至E L驅動器T F T 1 5 0 4的閘電極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當數位資料訊號包含> 0 〃資訊時，則在本發明的實 施例模式中，E L驅動器T F T 1 5 0 4會被設定成關 閉狀態。E L元件1 5 0 6的像素電極因而維持在關閉穩 態電位。結果，包含於含有> 0 〃資訊的數位資料訊號施 加於其上之像素中的E L元件1 5 0 6不會發光。 另一方面，對於具有1 〃資訊的情形而言，在本發 明的實施例模式中，E L驅動器T F 丁 1 5 0 4會開啓 。電源電位因而施加至E L元件1 5 0 6的像素電極。結 果，包含於含有> 1 〃資訊的數位資料訊號施加於其上之 像素中的EL元件1 5 0 6會發光。 定址週期再度於維持週期完成時開始，且當資料訊號 輸入至所有像素時，維持週期開始。T s 1至T s ( η — 1 )週期中之任何週期會於此點變成維持週期。此處，
Ts (η - 1)週期會開啓預定像素。 對於其餘η - 2副框週期，接著重覆執行類似操作。 Ts (η — 2)、Ts (η — 3)、......Tsl 會依序 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 被設定爲維持週期，且預定像素會於個別的副框中被開啓 〇 在完成η個副框週期之後，一框週期即完成。 注意，在本發明中，在η個維持週期T s 1、...... 、T s η中，在至少一維持週期期間由E L元件發射的光 之亮度會被設定爲總是低於其它維持週期中E L元件所發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（2Θ ) 射的光之亮度。 一維持週期中發射的光之亮度爲其它維持週期中發射 的光之亮度的1 / m，假使此維持週期被取爲T s p (其 中P係大於或等於1及小於或等於η之任意數），則在η 個維持週期T s 1、·. ·. · ·、τ s η中，維持週期T s ρ 之外的維持週期的長度會以2 — ( 11 — 1 ) Τ表示，其中τ係 正的常數。此外，維持週期T s ρ的長度會以2 — ( ρ — 1〉 Τ X m表示。注意，^係大於1的正數。因此，即使維持 週期T s ρ期間E L元件發射的光之亮度爲其它維持週期 期間發射的光之亮度的1 / m，則維持週期T s ρ的長度 會設定爲2 — ( p — 1 ) Τ X m，因而可取得預定的灰階顯示 結果，無論η個維持週期T s 1、······、T s η中 何者被取爲維持週期T s ρ，且無論形成多少維持週期 丁3?’假使每一維持週期丁81、......、Tsn期間 由EL元件發射的光量被取爲Lml、 ......、 Lmn時 ’則 L m 1 : L m 2 : L m 3 : ： L m ( η — 1 ): L m η = 2 0 : 2 - 1 : 2 — 2 : …：2 — ( η - 2 ) : 2 — ( 11 — 1 ) 。注意，S F 1至S F η可以以任意順序出現，因此，維 持週期T s 1、····.·、T s η的出現次序也爲任意的。 藉由合倂維持週期，可從2 11灰階中執行所需的灰階顯示。 每一像素的灰階會由被選爲一框週期期間用於發光的 副框週期所決定。舉例而言，假使η二8，且在所有維持 週期期間具有發射光之像素的亮度被取爲1 0 0 %時’則 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -32 - " 8 1^ H ϋ —Β^Βϋ 1§ i·— Bn 1- 1 an 1 AM·· am > MB·· > aaa·· a·!· t ΜΜΜΜ I I SMB I ΜΜ·蠢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 A7 B7 五、發明說明（30 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 對於T s 1及T s 2中發射光之像素的情形而言，亮度會 表示成75%，且當Ts3、 Ts5、及Ts8被選取時 ’亮度可表示成1 6%。 根據本發明，即使T F T的I d - V g特性稍微變化 ’仍可藉由上述結構抑制施加相等的閘極電壓時電流輸出 量的離散。因此，能夠避免相同的電壓訊號輸入時相鄰像 素的E L元件所發射的光量因I d — V g特性的變化而大 幅不同之情形。 此外，在維持週期T s p中，E L元件發光之時間總 量可設定爲2_(P-1)Txm (其中T係正的常數），在 維持週期T s p中，E L元件發射的光之亮度爲其它維持 週期期間發光的亮度之1 / m。藉由使用上述結構，及藉 由增加影像灰階的數目，位元數目η會變得較大，且即使 以2 — ( η - 1 ) Τ表示的維持週期之長度變得較短時，E L 元件發射的光之亮度會被調節成其它維持週期中發射的光 之亮度的1 / m，維持週期的長度會設定爲2 — ( ρ — 1 ) Τ X m，且變成能夠將其延伸。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意，藉由本發明的上述結構，電源電位總是維持不 變，相對的電極之電位會被定址週期及維持週期改變’且 關閉E L驅動器電壓或開啓E L驅動器電壓會施加至E L 層。但是，本發明不限於此結構。或者，相對的電極之電 位可以總是維持不變，且藉由定址週期及維持週期以改變 電位，可將關閉E L驅動器電壓或開啓E L驅動器電壓施 加至E L層。在此情形中，藉由控制電源電位’可執行 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）_ 33 - 510147 A7 B7 五、發明說明（31 ) E L兀件的売度調節。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，藉由本發明的上述結構，關閉E L驅動器電壓 會取爲零且使E L元件不發光，但是，關閉E L驅動器電 壓也可設定爲與開啓E L驅動器電壓相同之電壓且在定址 週期期間也會發光。在此情形中，電源電位及穩態電位總 是維持在固定値。但是，在副框週期變成發光週期的情形 中’副框週期的長度因而設定爲SF1、 SF2、...... 、SFn = 20T、 2 ~ 1 T . ......、 2 — (η — 1)ΓΓ 且具 有1 / m的亮度之副框週期的長度會設定爲2 - ( 11 — 1 ) Τ X m。相較於定址週期期間不發光之驅動器方法的影像亮 度，藉由上述結構可取得具有高亮度之影像。 此外，在本發明的實施例模式中，解.釋裝置以非跳行 掃描驅動之情形，但是，發明的裝置也能以跳行掃描驅動 實施例 將於下說明本發明的實施例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例1〕 將於下述中說明本發明的實施例。 使用執行數位驅動方法之分時灰階顯示之E L顯示器 的實施例，說明本發明的結構。本發明的電路結構之實施 例顯示於圖4中。 圖4 A之E L顯示裝置具有像素部份1 〇 1、及配置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34 - 510147 Α7 Β7 五、發明說明（32 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於像素部份的週邊中之源極訊號側驅動電路1 0 2及閘極 訊號側驅動電路1 0 3，它們均由形成於基底上的T F T 構成。注意，雖然在本發明的實施例1中，E L顯示裝置 具有一源極訊號側驅動電路及一閘極訊號側驅動電路，但 是，在本發明中，也可使用二源極訊號側驅動電路。此外 ，也可使用二閘極訊號側驅動電路。 源極訊號側驅動電路1 0 2基本上包含移位暫存器 1 0 2 a、佇鎖（A ) 1 0 2 b 及佇鎖（B ) 1 0 2 c。 此外，時計脈沖（C K )及啓始脈沖（S P )會輸入至移 位暫存器1 0 2 a，數位資料訊號會輸入至佇鎖（A ) 1 0 2 b，且佇鎖訊號會輸入至佇鎖（B ) 1 0 2 c。 此外，未顯示於圖中，閘極訊號側驅動電路1 0 3具 有移位暫存器及緩衝器。多工器可以設置在緩衝器的輸出 側中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 輸入至像素部份的數位資料訊號係由分時灰階資料訊 號產生器電路1 1 4所形成。此電路係產生執行分時灰階 顯示之時序脈沖或類似者之電路，其也可轉換類比訊號或 數位訊號（含有影像資訊之訊號）之視頻訊號成爲數位資 料訊號以執行分時灰階。 典型上，具有將一框週期分成對應於η位元灰階之多 個副框週期（其中η係等於或大於2之實數）之機構、選 取多個副框週期中的定址週期及維持週期之機構，及設定 維持週期之機構。 分時灰階資料訊號產生器電路1 1 4也可形成於本發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -35 _ 510147 A7
五、發明說明（33 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 明的E L顯示裝置之外部。在此情形中，其 的數位資料訊號輸入至本發明的E L顯示裝 有本發明的E L顯示裝置作爲顯示器之電子 示裝置）因此包含本發明的E L顯示裝置及 產生器電路，它們是分開之構件。 此外，可使用I C晶片於分時灰階資料 路1 1 4之形式，實施本發明的E L顯示裝 中，其成爲I C晶片所形成的數位資料訊號 的E L顯示裝置之結構。具有本發明的e l 顯不器之電子裝置因而含有本發明的E L顯 發明的E L顯示裝置中施行含有分時灰階資 電路之I C晶片。 此外，分時灰階資料訊號產生器電路1 像素部份1 0 1、源極訊號側驅動電路1 0 號側驅動電路1 0 3相同基底上的T F T形 中，假使含有影像資訊的視頻訊號輸入至E ，所有處理可以在基底上執行。當然，能以 作爲主動層之多晶矽膜的T F T，形成分時 產生器電路。此外，在此情形中，具有本發 裝置作爲顯示器之電子裝置具有倂入於E L 內之分時灰階資料訊號產生器電路，且能夠 巧° 多個像素1 0 4會以矩陣狀態配置於像 中。像素1 0 4的展開圖係顯示於圖4 B中 會變成所形成 置之結構。具 裝置（E L顯 分時灰階資料 訊號產生器電 置。在此情形 輸入至本發明 顯示裝置作爲 示裝置，在本 料訊號產生器 1 4也 2、及 成。在 L顯示 具有本 灰階資 明的E 顯示裝 使電子 可由與 閘極訊 此情形 裝置時 發明中 料訊號 L顯示 置本身 裝置小 素部份1 0 1 。在圖4 B中 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -36 - 510147 A7 ________ B7 五、發明說明（34 ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’代號1 0 5係代表切換T F T。切換T F T 1 0 5的 _電極會連接至輸入閘極訊號之閘極訊號線1 〇 6。切換 T F T 1 Ο 5的汲極區與源極區之一會連接至源極訊號 線1 0 7以輸入數位資料訊，而另一者會連接至E L驅動 器TFT 1 0 8的閘電極及由每一像素擁有的電容器 113° 此外，EL驅動器TFT 108的源極區會連接至 電源線1 1 1，而汲極區會連接至E L元件1 1 0。電源 線1 1 1會連接至電容器1 1 3。電容器1 1 3係用以在 切換T F T 1 0 5處於非被選取狀態時（關閉狀態）， 保持E L驅動器T F T 1 0 8的閛極電壓。 E L元件1 1 〇係由陽極、陰極、及設置於陽極與陰 極之間的E L層所構成。當陰極連接至E L驅動器T F T 1 1 0的源極區或汲極區時，換言之，陰極爲像素電極 時，作爲相對電極之陽極會維持固定電位。相反地，當陰 極連接至E L驅動器T F T 1 1 0的源極區或汲極區時 ，換言之，陰極爲像素電極時，作爲相對電極之陽極會維 持固定電位。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電源線1 1 1會維持電源電位。 注意，也可在E L驅動器T F T 1 0 8的汲極區或 源極區與E L元件1 1 0之間形成電阻體。藉由形成電阻 體，能夠控制從E L驅動器T F T供應至E L元件之電流 量，及防止任何造成E L驅動器T F T的特性離散之影響 。電阻體可爲電阻比E L驅動器T F T 1 0 8的電阻夠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -37 - 510147 A7 --—__ B7 五、發明說明（35 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 大之元件，因此，其結構上不會有限制。注意，開啓電阻 係T F T的汲極電壓之値除以當時流動的汲極電流。電阻 體的電阻値可選在1 k Ω至5 Ο Μ Ω的範圍中（較佳地， 在1 ΟΚΩ與1 〇ΜΩ之間，更佳地，在5 OkQ與 1 Μ Ω之間）。使用具有高電阻値的半導體層作爲電阻體 ’由於其容易形成，所以是較佳的。 接著，參考圖5，圖5係槪略地顯示本發明的E L顯 本裝置之剖面結構。 在圖5中，代號1 1係基底，1 2係絕緣膜，其係基 部（此後此膜以基膜表示）。對於基底1 1而言，可使用 光可透射基底，代表性的有玻璃基底、石英基底、玻璃陶 瓷基底、或結晶玻璃基底。但是，其必須可耐製程中的最 尚處理溫度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在使用具有可移動離子或具有導電率之基底方面，基 膜1 2特別有效，但是，無須配置於石英基底上。可使用 含矽的絕緣膜作爲基膜1 2。應瞭解，在本說明書中，「 含矽絕緣膜」代表氧或氮以預定比例（S i Ο X N y : X與 y係任意整數）添加至矽之絕緣膜’舉例而言’氧化矽膜 、氮化矽膜或氮氧化矽膜。 代號2 0 1係切換T F T ’ 2 0 2係E L驅動器 TFT。切換TFT係由η通道型TFT所形成。EL驅 動器係由P通道T F T形成。當E L發光被導至基底的表 面之下時（未提供TFT_EL層之表面）’上述結構是 較佳的。但是’在本發明中’無須限制上述結構。也能夠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）-38 - 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（36 使用η通道型τ F T及p通道型τ F T作爲切換TF T或 /及EL驅動器TFT。 七刀換T F T 2 〇 1係由主動層、閘絕緣膜1 8、閘 電極1 9 a、 1 9 b、第一中間層絕緣膜2 0、源極接線 (源極訊號線的一部份）2 1、及汲極接線2 2製成，主 動層包含源極區13、汲極區14、LDD區15 a — 15d、隔離區16、及通道形成區17a、 17b。閘 絕緣膜1 8或第一中間層絕緣膜2 〇可由基底上的所有 TFT共用’或者可依據電路或元件而變化。 在圖5中所示的切換TFT 2 0 1中，閘電極1 9 a、 1 9 b會電連接，換言之，建立所謂的雙閘結構。當 然’並非僅能建立雙閘結構，也可建立所謂的多閘結構， 舉例而言，三閘結構。多閘結構係包含主動層的結構，主 動層具有串聯的二或更多通道形成區。 多閘結構對減少關閉狀態電流是非常有效的，且假使 切換T F T的關閉狀態電流充份減少，則連接至E l驅動 器T F T 2 0 2的閘電極之電容器所需的電容可減少。 亦即，由於可減少電容器的擁有面積，所以，多閘結構對 於加寬E L元件的有效發光區也是有效的。 在切換TFT 201中，LDD區15a—i5d 會配置成不會與閘電極1 9 a及1 9 b重疊，以閘絕緣膜 1 8介於它們之間。如此建立的結構對於減少關閉狀態電 流是非常有效的。L D D區1 5 a — 1 5 d的長度（寬度 爲0 5-0 代表性的是2 · 0 — 2 · 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -39 - ------%.! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 B7___ 五、發明說明（?7 ) 〇 更希望在通道形成區與LDD區之間形成偏移區（亦 即，由成份與通道形成區相同的半導體層所形成的區域， 且其中未施加閘電壓），以便減少關閉狀態電流。在具有 二或更多閘電極之多閘結構中，在通道形成區之間形成的 隔離區1 6 (亦即，與源極區或汲極區相同濃度且有相同 雜質元素添加之區域）對於減少關閉狀態電流是有效的。 E L驅動器T F T 2 0 2係由主動層、閘絕緣膜 1 8、閘電極3 0、第一中間層絕緣膜2 0、源極接線 3 1、及汲極接線3 2製成，主動層包含源極區2 6、汲 極區2 7、及通道形成區2 9。EL驅動器TFT 202係p通道型TFT。 切換T F T的汲極區1 4會連接至E L驅動器T F T 2 0 2的閘電極3 0。詳而言之，但未顯示於圖中， E L驅動器T F T 2 0 2的閘電極3 0會經由汲極接線 2 2 (也稱爲連接線）電連接至切換TFT 2 0 1的汲 極區1 4。雖然此處閘電極3 0係單一閘結構，但是，也 可應用多閘結構。E L驅動T F T 2 0 2的源極接線 3 1連接至電流饋送線（未顯示）。 E L驅動器T F T 2 0 2係控制供應至E L元件的 電流量之元件，且可有相當大量的電流流過。因此，較佳 地，通道寬度（W)係設計大於切換TFT的通道寬度。 此外，較佳地，通道長度（L )會設計成夠長，以致於過 量電流不會流經電流控制T F T 2 0 2。 希望値係每 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公β :40- '""""""" mt i n 1· n βϋ ϋ 1_1 ·ϋ -1 0 Mmmmm Mmmm -1 ϋ _1 n n fl n ϋ n 1 1 an ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 Α7 Β7 五、發明說明（38 ) 一像素 0 · 5 — 2Ma (1 — 1 · 5mA 較佳）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 從限致E L驅動器T F T的劣化之觀點而言，將e l 驅動器T F T 2 0 2之主動層（特別是通道形成區）的 月旲厚厚化（5 0 - 1 0 0 nm較佳，更佳的是6 〇 — 8 〇 n m )，也是有效的。另一方面，從減少切換TFT 2 0 1中的關閉狀態電流之觀點而言，將主動層的膜厚薄 化（特別地’通道形成區）（2 0 — 5 0 n m較佳，更佳 的是25-40nm)，也是有效的。 形成於像素中的T F T之結構說明於上述中。在此形 成中，也同時形成驅動電路。C Μ〇S電路係形成驅動電 路之基本單元，其顯示於圖5中。 在圖5中，具有減少熱載子注入而不用將操作速度減 少至最多之結構之T F Τ用作CM〇S電路的η通道型 TFT 2 0 4。此處所述之驅動電路係源極訊號側驅動 電路及閘極訊號側驅動電路。當然，也能夠形成其它邏輯 電路（位準移位器，A / D轉換器、訊號分割電路、等等 )〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 CMOS電路的η通道型TFT 2 0 4之主動層包 含源極區35、汲極區36、LDD區37、及通道形成 區3 8。L D D區3 7會與閘電極3 9重疊，以閘絕緣膜 1 8介於它們之間。僅在汲極區3 6上形成L D D區3 7 之理由並非在於減少操作速度。無須擔心η通道型T F T 2 0 4中的關閉狀態電流値。相反地，操作速度應額定 在它之上。因此，較佳地，L D D區3 7完全地蓋於閘電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -41 - 510147 A7 ------ B7 五、發明說明（39 ) 極之上，因而儘可能地減少電阻成份。亦即，應可省略所 謂的偏移。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在CMO S電路的p通道型TFT 2 0 5中，由於 載子注射所造成的劣化相當可忽略，所以，無須特別提供 LDD區。因此，主動層包含源極區4 0、汲極區4 1、 及通道形成區4 2。閘絕緣膜1 8及閘電極4 3係配置於 其上。當然，也能夠配置LDD區以及η通道型TF T 2 0 4以便取得熱載子的反制之道。 η通道型TFT 204及p通道型TFT 205 會由第一中間層絕緣膜2 0遮蓋，及形成源極接線（源極 訊號線的一部份）4 4、4 5。η通道型T F T 204 及Ρ通道型TFT 2 0 5的汲極區會以汲極接線4 6電 連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 代號4 7係第一被動膜。其膜厚係1 〇 n m - 1 m m (較佳地，2 0 0 - 5 0 0 n m )。含矽之絕緣膜（特別 是，氮氧化矽膜或氮化矽膜是所希望的）可作爲其材料。 被動膜4 7用以保護所形成的T F T免於鹼金屬及水。最 後配置於T F T之上的E L層（特別是E L驅動器T F T )包含諸如鈉之鹼金屬。換言之，第一被動膜4 7也作爲 保護層，其不允許鹼金屬（可移動離子）進入T F T側。 代號4 8係第二中間層絕緣膜，並作爲平坦膜以使 T F T形成的高度差平坦化。較佳地，使用諸如聚醯亞胺 、聚醯胺、丙烯酸樹脂、或苯並環丁烯等有機樹脂作爲第 二中間層絕緣膜4 8。這些膜具有之優點在於可輕易地形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-42 - 510147 A7 __B7 五、發明說明（40 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成良好的平滑平面，及介電常數低。較佳的是，由於E L 層對崎嶇不平非常敏感，所以，藉由第二中間層絕緣膜 4 8以完全地吸收τ F T所造成的高度差。此外，較佳的 是形成低介電常數材料以減少形成於閘訊號線或是資料訊 號線與E L元件的陰極之間的寄生電容。因此，較佳地， 其厚度是0 · 5 — 5mm (較佳地1 · 5 — 2 · 5mm) 〇 代號4 9係由透明的導電膜製成之像素電極（E L元 件的陽極）。在接點孔（開口）製於第二中間層絕緣膜 4 8與第一被動膜4 7中之後，電極會經由開口連接至 E L驅動器τ F T 2 0 2的汲極接線3 2。如圖5所示 ’當像素電極4 9及汲極區2 7配置成未直接連接時，可 以防止E L層的鹼金屬經由像素電極進入主動層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 厚度爲0 · 3 — 1mm之第三中間層絕緣膜50係配 置於像素電極4 9上。膜5 0係由氧化矽膜、氮氧化矽膜 、或有機樹脂膜製成。藉由蝕刻，第三中間層絕緣膜5 0 在像素電極4 9上設有開口，且開口的邊緣會被鈾刻成具 有推拔形狀。較佳地，推拔的角度爲1 0 - 6 0 ° (較佳 地，3 0 — 5 0 0 )。 E L層5 1係形成於第三中間層絕緣膜5 0之上。 E L層5 1係以單層結構或疊層結構的形式被使用。疊層 結構在照明效率上較優。一般而言，正電洞注射層/正電 洞傳輸層/發光層/電子傳輸層會依此次序形成於像素電 極上。取代地，可使用具有正電洞傳輸層/發光層/電子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -43 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 Α7 五、發明說明（41 ) 傳輸層的次序或是正電洞注射層/正電洞傳輸層/發光層 /電子傳輸層/電子注射層的次序之結構。在本發明中， 可使用任一習知結構，且螢光彩色物質可以摻雜至E L層 〇 舉例而言，可使用下述美國專利或公告中所顯示的材 料作爲有機E L材料：美國專利號4，3 5 6，4 2 9: 4’ 539，507:4，720，432: 4 ’769，292: 4，885，211·· 4，950，950:5，059，861: 5，047，687:5，073，446: 5，059，862:5，061，617: 5，151 ’629:5，294，869: 5，294，870，及日本公開專利公告號1998年 之 189525 : 1996 年仄 241048 :1996 年之7 8 1 5 9。 E L顯示裝置主要具有四彩色顯示方法；形成分別對 應於R (紅色）、G (綠色）、及B (藍色）之三種EL 元件之方法；結合具有白光之E L元件及濾色器之方法·, 結合具有藍光或藍綠光之E L元件與螢光體（螢光彩色轉 換層：C C Μ )之方法；及堆疊對應於R G B之E L元件 並使用透明電極作爲陰極（相對電極）之方法。 圖5之結構係使用形成對應於R G Β之三種E L元件 之方法的實施例。圖5中僅顯示一像素。事實上，會形成 均具有相同結構之像素以對應於紅色、綠色、及藍色，藉
Lrlll—ΙΙΙΙΙΙΙ · I I I I I I I 一香，讎·, — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -44 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 __ B7 五、發明說明（42 ) 以執行彩色顯示。 可不管發光方法爲何，均可使用本發明，且本發明可 使用所有四種方法。但是，由於螢光體的響應速度比E L 的響應速度還慢，並發生餘輝問題，所以，未使用螢光體 之方法是較佳的。此外，假使可能的話，不使用會造成發 光亮度下降之濾色器。 EL元件的陰極5 2係配置於EL層5 1之上。使用 包含功函數低之鎂（M g )、鋰（L i )或鈣（C a )材 料作爲陰極5 2。較佳地，使用M g A g ( M g及A g係 以Mg : Ag = 1 〇 ·· 1之比例混合之材料）製成的電極 。取代地，可使用MgAgAl電極、LiAl電極或 L i F A 1電極。 在本說明書中，由像素電極（陽極）、EL層、及陰 極所形成的發光元件稱爲E L元件2 0 6。 需要依每一像素個別地形成包括E L層5 1及陰極 5 2之疊層體。但是，E L層5 1對水相當弱，且無法使 用一般的光學照相蝕刻法。因此，較佳的是使用諸如金屬 掩罩等實體掩罩材料，並依據諸如真空沈積法、濺射法、 或電漿C V D法等汽相法選擇性地形成實體掩罩。 也能夠使用噴墨法、網印法、旋轉塗敷法、等等作爲 選擇性地形成E L層之方法。但是，在目前的技藝狀態中 ，這些方法無法連續地形成陰極，噴墨法等方法除外的上 述方法可說是較佳的。 代號5 3係保護電極。此係保護陰極5 2免於外部水 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） -45 - 卜！-------4 訂---------線籲· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 A7 B7_— _ 五、發明說明（43 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 份等等，同時連接每一像素的陰極5 2。對於保護電極 5 3而言，較佳的是使用低阻抗材料，包含鋁（A 1 )、 銅（C u )、或銀（A g )。從保護電極5 3可預期降低 E L層熱度之冷卻效果。在形成上述陰極5 2之後，不用 曝露於空氣中，對保護電極5 3也是繼續有效的。 代號5 4係第二被動膜，較佳地，其膜厚爲1 〇 nm —1mm (較佳地，200 — 500nm)。配置第二被 動膜5 4之主要目的係保護E L層5 1免於水份之侵害。 也可有效地給予其冷卻效果。但是，如上所述，E L層對 熱很脆弱，且膜形成應在低溫下形成（較佳地，範圍從室 溫至1 2 0 °C )。因此，希望的膜形成方法是電漿c V D 法、濺射法、真空沈積法、離子電鍍法及溶液塗敷法（旋 轉塗敷法）。 無庸多言，圖5中所示的所有TFT具有本發明中所 使用的多晶矽膜作爲主動層。 因此，本發明不限於圖5之E L顯示裝置的結構，其 係較佳實施例之一。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例2 將於下使用圖6以說明本發明的數位分時灰階顯示法 。此處將說明依據4位元數位資料訊號以執行2 4灰階顯示 之情形。 本發明的E L顯示器之像素部份的結構與圖1中所示 相同。用於輸入閘極訊號之閘極訊號線（G 1至G y )會 46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^1U147 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 、發明說明（44 ) 連接至每一像素中的切換T F T的閘電極。此外，每一像 $的切換T F T之源極區及汲極區之一會連接至源極訊號 11 (也稱爲資料訊號線）（S 1至S X )用以輸入數位訊 號’而另一者會連接至每一像素之E L驅動器T F T的閘 電極及電容器。注意，實施例2中，此結構具有電容器， Μ是’也可使用未包含電容器之結構。對本發明而言，是 否有電容器存在並無限制。 E L驅動器T F T的源極區及汲極區之一會連接至電 源線（V 1至V X )，而另一者會連接至E L元件。電源 線（V 1至V X )的電位稱爲電源電位。此外，電源線（ V 1至V X)會連接至每一像素的電容器。 E L元件均由陽極、陰極、及EL層構成，且EL層 會形成於陽極與陰極之間。當陽極連接至E L驅動器 T F T的源極區或汲極區時，亦即，當陽極爲像素電極時 ，則陰極變成相對電極。相反地，對於陰極連接至E L驅 動器T F T的源極區或汲極區時，亦即，當陰極爲像素電 極時，則陽極變成相對電極。此外，在本說明書中，相對 電極的電位稱爲穩態電位。
相對電極之穩態電位與像素電極的電源電位之間的電 位差爲E L驅動器電壓，且E L驅動器電壓會施加至E L 層。 用於本發明的E L顯示數位驅動之時序圖顯示於圖6 中。首先’ 一'框週期（F )會分成四副框週期（S F 1至 S F 4 )。注意，像素部份的所有像素顯示一影像之週期 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-47 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 __ B7 五、發明說明（45 ) 稱爲一框週期（F )。 副框週期會分成位址週期（T a )及維持週期（T s )。位址週期係一副框週期期間輸入數位資料訊號至所有 像素所需的時間（也稱爲開啓週期），維持週期（也稱爲 開啓週期）代表E L元件發光之週期。 SF 1至SF4的位址週期（Ta )分別變成Ta 1 至Ta 4。SF 1至SF4的維持週期分別變成Ts 1至 T s 4。 首先，在定址週期中，相對電極會保持於與電源電位 相同位準之穩態電位。在本發明的本實施例中，數位驅動 器的定址週期中之穩態電位稱爲關閉穩態電位。注意，在 E L元件不發光之範圍內，關閉穩態電位的位準可與電源 電位位準相同。注意，此時之E L驅動器電壓稱爲關閉 E L驅動器電壓。理想上，希望關閉驅動器電壓爲〇 V， 但是，電壓可爲E L元件不發光之位準。 然後，閘極訊號會輸入至閘極訊號線G 1 ，且所有連 接至閘極訊號線G 1之切換T F T會被開啓。 當連接至閘極訊號線G 1之切換T F T被置於開啓狀 態時，數位資料訊號會同時輸入至所有源極訊號線（S 1 至S X )。數位資料訊號包含、、〇 〃或、1 〃資訊，且數 位資料訊號> 0 〃及> 1 〃之一具有高電壓，而另一者具 有低電壓。 輸入至源極訊號線（S 1至S X )之數位資料訊號然 後會經由處於開啓狀態之切換T F T輸入至E L驅動器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -48 - ίι--------%------- —訂---------線··- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 A7 B7_ 五、發明說明（46 ) T F T的閘電極。此外，數位資料訊號也會輸入至連接至 閘極訊號線G 1之所有像素的電容器，且電荷會被儲存。 接著，閘極訊號會輸入至閘極訊號線G 2，且連接至 閘極訊號線G 2之所有切換T F T會被置於開啓狀態。藉 由處於開啓狀態之連接至閘極訊號線G 2之切換T F T， 數位資料訊號會同時輸入至所有源極訊號線（S 1至S X )。輸入至源極訊號線（S 1至S X )之數位資料訊號會 經由切換T F T輸入至E L驅動器T F T之閘電極。此外 ，數位資料訊號也會輸入至連接至閘極訊號線G 2之所有 像素的電容器，並被儲存。 經由閘極訊號線G y，重覆上述操作，則數位資料訊 號會輸入至所有像素。直至數位資料訊號輸入至所有像素 之週期係定址週期。 維持週期會於定址週期完成時同時開始。當維持週期 開始時，相對電極的電位會從關閉穩態電位變化至開啓穩 態電位。在本發明的實施例中，數位驅動的維持週期中的 穩態電位稱爲開啓穩態電位。開啓穩態電位與電源電位所 具有的電位差可達E L元件發光的程度。注意，此電位差 稱爲開啓E L驅動器電壓。也注意，關閉穩態電位與開啓 穩態電位通常稱爲穩態電位。此外，開啓E L驅動器電壓 及關閉E L驅動器電壓通常稱爲E L驅動器電壓。 在維持週期中，所有切換T F T會被設定成關閉狀態 。儲存於電容器中的數位資料訊號接著輸入至E L驅動器 T F T的閘電極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.！1訂· — ! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -49 - 510147 A7 B7 五、發明說明（47 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明的實施例中，當數位資料訊號包含'、〇 〃資 訊時，則E L驅動器T F T會被設定成關閉狀態。e L元 件的像素電極因而維持在關閉穩態電位。結果，包含於含 有'' 〇 〃資訊之數位資料訊號所施加之像素中的E L元件 不會發光。 另一方面，對於具有v 1 〃資訊的情形而言，在本發 明的實施例中，E L驅動器T F T會開啓。電源電位因而 施加給E L元件的像素電極。結果，包含於具有、、1 〃資 訊之數位資料訊號施加的像素中之E L元件會發光。 在維持週期完成時，定址週期會再度開始，且當數位 訊號輸入至所有像素時，維持週期開始。週期T s 1至 T s 3之任何週期會於此點上變成維持週期。此處， T s 3週期會開啓預定像素。 接著對其餘的2副框週期重覆類似操作，T s 2及 T s 1會被依序設定爲維持週期，且預定像素會在個別的 副框中被開啓。 在4副框週期完成之後，一框週期即完成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意，在本發明中，在四維持週期T s 1、...... T s 4之中，在至少一維持週期期間由E L元件發射的光 之亮度會被設定爲總是低於其它維持週期中由E L元件發 射的光之亮度。在實施例2中，在維持週期T s 3及 T s 4期間由E L元件發射的光之亮度係維持週期T s 1 及T s 2期間由E L元件發射的光之亮度的一半。換言之 ，在維持週期T s 3及T s 4期間的開啓E L驅動器電壓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -50 -
510147 五、發明說明（48 ) 係其它維持週期T s 1及T s 2期間之E L驅動器電壓的 ~~I— 〇 發光亮度爲T s 1及T s 2的發光亮度的一半之維持 週期T s 3及T s 4以外的維持週期T s 1及T s 2的長 度’係分別以T及2 — 1 T表示，其中T係正的常數。此外 ’維持週期T s 3及T s 4的長度分別以2 — 2 T X 2及 2 3Τχ2表示。亦即，維持週期Tsl至Ts4的長度 比爲1 : 2 — 1 : 2 — 1 : 2 — 2。因此，即使維持週期 T s 3及T s 4期間E L元件發射的光之亮度爲其它維持 週期T s 1及τ s 2期間發射的光之亮度的一半，但是維 持週期T s 3及T s 4對所有維持週期之長度比仍爲發射 的光之亮度未設定成一半之情形的二倍。因此，即使維持 週期T s 3及T s 4中E L元件發射的光之亮度爲其它維 持週期的發光亮度之一半，但是維持週期T s 3及T s 4 的長度比仍會設定成二倍長，且可取得所需的灰階顯示。 結果，即使維持週期T s 3及T s 4中E L元件發射 的光之強度係其它週期的發光強度之一半，維持週期
Tsl、 ......、 Ts4中不論那一週期中亮度會減少， 不管亮度減少多少、及不論形成多少低亮度維持週期，假 使每一維持週期T s 1、······、T s 4期間由E L元件 發射的光量取爲Lml、 .....、：Lm4時，則Lml : ......:Lm4 = 2〇:2 一 i:2-2:2— 3。注意， S F 1至S F 4可依任何次序出現，因此，維持週期 T s 1、······、T s 4的出現次序也是任意的。藉由結 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-51 - 一--------------------t---------j (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 Α7 厂................... Β7 五、發明說明（49 ) 合維持週期，可以自2 4灰階中執行所需的灰階顯示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 每一像素的灰階會由一框週期期間那些副框週期被選 取用於發光所決定。舉例而言，假使η = 4，且在所有維 持週期期間具有發射光之像素的亮度會被取爲1 〇 〇 %， 然後’對於T s 1及T s 2中發光之像素的情形而言，亮 度係表示成80%，且當Ts2、 Ts3、及Ts4被選 取時，亮度可表示成4 7%。 根據本發明，即使T F T的I d - V g特性稍微變化 ’則藉由上述結構可抑制施加相等閘極電壓時電流輸出量 的離散。因而能夠避免即使相同的視頻訊號輸入時相鄰像 素的E L元件的發光量因I d — V g特性變化而大幅不同 的情形。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，在發光亮度爲其它維持週期T s 1至T s η中 的發光亮度的1 / m之維持週期T s ρ中，假使其它維持 週期Ts 1至Ts η的長度取爲2 — (n — 1}T，其中T係 正的常數，E L元件發光的時間量可取爲2 — ( Ρ — 1 ) Τ X m。根據上述結構，藉由調節維持週期T s ρ期間E L元 件的發光亮度爲其它維持週期期間發光亮度之1 / m，則 相較於維持週期T s ρ期間發光亮度未設定爲1 / m之情 形，可以將維持週期T s ρ對所有維持週期之長度比會延 伸爲m的倍數。因此，根據影像灰階數目的增加，即使位 元數目η變得較大且維持週期的長度變得較短時，藉由降 低E L元件的發光亮度，仍可延長維持週期的長度。 此外，雖然在實施例2中說明非跳行掃描之驅動實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -52 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 -----B7 五、發明說明（5〇 ) 例’但是，也能夠以跳行驅動。 注意，能夠自由地結合實施例2與實施例1。 〔實施例3〕 在本實施例中，將說明同時製造像素部份的T F T與 圍繞像素部份之驅動電路部份之方法。關於驅動電路， C Μ 0 S電路係基本單元，其顯示於圖中，將簡要說明之 〇 首先，製備如圖7 (Α)所示之基底5 0 1 ，於其中 ’基膜（未顯示）會配置於其表面上。在本實施例中，厚 度2 0 〇 nm的氮氧化矽膜及厚度1 〇 〇 nm的另一氮氧 化矽膜會於結晶玻璃上疊層並作爲基膜。此時，較佳地， 接觸結晶玻璃基底之膜的氮濃度保持在1 〇 - 2 5 w t % 。當然，不用任何基膜，也能夠在石英基底上直接形成元 件。 之後，以習知的膜形成法，於基底5 0 1上形成厚度 4 5 n m的非晶矽膜5 0 2。無須將其限制於非晶矽膜。 取代地，在本實施例中可使用具有非晶結構之半導體膜（ 包含微晶半導體膜）。此處也可使用諸如鍺化矽膜等具有 非晶結構之化合物半導體膜。 關於此處至圖7 ( C )之步驟，能夠完全引用本申請 人申請之1 998年日本公開專利公告號24773 5。 此公告揭示關於晶化半導體膜之方法，其使用諸如N i等 元素作爲觸媒。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -53 - 、-----------裝！| 訂！！-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爾 510147 A7
五、發明說明（SI ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先’形成具有開口 5 0 3 a及5 0 3 b之保護膜 5 〇 4。在本實施例中，使用1 5 0 n m厚的氧化矽膜。 以旋轉塗敷法，於保護膜5 0 4上形成含鎳（N i )之層 5〇5 (含鎳層）。關於含Ni層之形成，可參考上述文 獻。 之後，如圖7 ( B )所示，在隋性氣氛中，執行 5 7 〇 °C的熱處理1 4小時，及將非晶矽膜5 0 2晶化。 此時’晶化實際上與基底平行進行，從與鎳接觸的區域 5〇6a及506b開始（此後以Ni添加區表示）。結 果’形成多晶矽膜5 0 7 ’其具有晶體棒聚集及形成線之 晶體結構。 之後，如圖7 (C)所示，屬於15 -族之元素（較 佳地爲磷）會添加至N i添加區5 0 6 a及5 0 6 b，並 留下保護膜5 0 4作爲掩罩。因而形成添加有高濃度磷之 區域508 a及508b (此後，以磷添加區表示）。 之後，如圖7 ( C )所示，在惰性氣氛中執行6 〇 〇 °C熱處理1 2小時。存在於多晶矽膜5 0 7中的N i會由 此熱處理移動，且如箭頭所示，它們幾乎全部最後由磷添 加區5 0 8 a及5 0 8 b捕捉。這被認爲係由磷對金屬元 屬（在本實施例中爲N i )的吸收效應所造成的現像。 根據S I M S (質量二次離子分析）之量測値，藉由 此處理，餘留在多晶矽膜5 0 9中的N i之濃度會減少到 至少2x 1 017原子/cm3。雖然N i係半導體的壽命 殺手，但是當其減少至此程度時，不會對T F T特性造成 I !ii 訂---------線，· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -54 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（52 ) 不利影響。此外，由於在目前的技藝狀態下，此濃度係 S I M S分析的量測極限，所以，實際上其會顯示更低的 濃度（小於2 X 1 0 1 7原子/ c m 3 )。 因而可取得多晶矽膜5 0 9，其係由觸媒晶化及減少 至觸媒不會阻礙T F T操作之程度。之後，以圖型化處理 形成僅使用多晶矽膜5 0 9之主動層5 1 〇 - 5 1 3。此 時，藉由使用上述多晶矽膜，形成在下述圖型化中執行掩 罩對齊之標記。（圖7 ( D ))。 之後，如圖7 (E)所示，以電槳CVD法，形成 5 0 n m厚的氮氧化矽膜，接著，在氧化氣氛中，執行 9 5 0 °C的熱處理1小時，及執行熱氧化處理。氧化氣氛 可爲氧氣氛或是添加鹵素之氧氣氛。 在此熱氧化處理中，氧化會在主動層與氮氧化矽膜之 間的介面中進行，且厚度約1 5 n m的多晶砂膜會氧化， 以致於形成厚度約3 0 n m的氧化矽膜。亦即，形成厚度 8 0 nm的閘極絕緣膜5 1 4，其中3 0 nm厚的氧化石夕 膜及5 0 n m厚的氮氧化矽膜會疊層。以熱氧化製程，形 成3 0 nm之主動層5 1 0 — 5 1 3膜厚。 接著，如圖8 ( A )所示，形成光阻掩罩5 1 5，及 經過閘絕緣膜5 1 4添加會造成p型之雜質元素（此後， 以P型雜質元素表示）。關於P-型雜質元素，典型上使 用屬於1 3 -族之元素，代表地爲硼或鎵。此（稱爲通道 摻雜製程）係用以控制T F T的臨限電壓之製程。 在本實施例中，以離子摻雜法添加硼，在離子摻雜法 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -55 - 510147 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明户3 ) 中’執行電漿激發而不用硼乙烷（B 2 Η 6 )之質量分離。 當然，可使用執行質量分離之離子佈植法。根據此製程， 會形成包含lxl〇i5— ixiQU原子/ cm3 (以 5 X 1 〇16— 5 X 1 017原子/cm3爲代表）濃度的硼 之雜質區516 — 518。 之後，如圖8 (B)所示，形成光阻掩罩5 19 a及 5 1 9 b ’及經過閛極絕緣膜5 1 4，添加造成η型之雜 貞兀素（此後’以π型雑質兀素爲代表）。關於η型雜暂 元素，可使用屬於1 5族之元素，典型上以磷或砷爲代表 。在本實施例中，使用執行電漿激發而不需使磷化氫（ Ρ Η 3 )質量分離之電漿摻雜法。磷係以χ χ χ 〇 1 8原子 / c m 3濃度添加。當然，可使用執行離子分離之離子佈植 法。 劑量會調整至η型雜質元素以2 X 1 〇16 - 5 X 1019 原子/ cm3 (以 5χ1017— 5乂1018原子/ c m 3爲代表）之濃度包含於此製程所形成的η型雜質區 5 2 0、5 2 1 中。 接著，如圖8 ( C )所示，執行活化添加的η型雜質 元素及添加的Ρ型雜質元素之處理。無須對活化機構設限 ，但是，由於配置閘絕緣膜5 1 4，所以，希望使用電熱 爐之爐退火製程。此外，由於在圖8 (Α)的製程中具有 損傷活動層與通道形成品的部份之閘絕緣膜之間的介面之 可能性，所以，較佳的是以儘可能高的溫度執行熱處理。 由於在本實施例中使用具有高抗熱性之結晶玻璃，所 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 • n mmmt mmmam -I I- i-i I-#-rp- 1_1 ϋ 1_ n n 1· -_1 I · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -56- 510147 A7 _-___ B7 五、發明說明（54 ) 以，以8 0 〇 t：的爐退火處理1小時，執行活化處理。在 使處理氣氛保持在氧化氣氛下，執行熱氧化，或是在惰性 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氣氛下，執行熱處理。 此處理可使η型雜質區520、 521的邊緣明確， 亦即，使η型雜質區520、 521與圍繞η型雜質區 5 2 0、5 2 1之未添加η型雜質元素的區域（圖8 (Α )的處理所形成的ρ型雜質區）之間的邊界（接面）明確 。此意指當T F Τ稍後完成時，L D D區與通道形成區可 形成良好的接面。
接著，形成200-400nm厚的導體膜，並執行 圖型化，以致於形成閘電極5 2 2 — 5 2 5。每一 T F T 通道的長度係由這些閘電極5 2 2 - 5 2 5的線寬度所決 定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 閘電極可由單層的導體膜製成，但是，當需要時，較 佳地，使用諸如二層或三層膜之疊層膜。可使用習知的導 體膜作爲閘電極的材料。特別地，可使用選自具有導電性 之鋁（A 1 )、鉅（T a )、鈦（T i )、鉬（Μ 〇 )、 鎢（W )、鉻（C r )、及矽組成的族群之元素所製成的 膜；上述元素的氮化物膜（代表性地有氮化鉅膜、氮化鎢 膜、或氮化鈦膜）：上述元素組合的合金膜（代表性的有 Mo-W合金或Mo-Ta合金）；或是上述元素的矽化 物膜（代表性的有矽化鎢膜或矽化鈦膜）。當然，它們可 具有單層結構或疊層結構。 在本實施例中，使用5 0 n m厚的氮化鎢（W N )膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -57 - 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（55 ) 及3 5 〇 n m厚的鎢（W )膜所製成的疊層膜。可藉由濺 射法形成此膜。藉由添加諸如氤或氣等惰性氣體作爲濺射 氣體，可以防止膜因應力而剝落。 此時，形成閘電極5 2 3、5 2 5以分別與η型雜質 區5 2 〇、5 2 1的部份重疊，以閘絕緣膜5 1 4介於它 們之間。重疊部份稍後形成L D D區與閘電極重疊重疊部 份。根據圖形的剖面視圖，事實上，可見閘電極5 2 4 a 及5 2 4 b係分開的，它們係以電方式彼此連接。 之後，藉由作爲掩罩之閘電極5 2 2 — 5 2 5 ，如圖 9 ( A )所示，自行調整地添加η型雜質元素（在本實施 例中爲磷）。此時，執行調整，以致於磷會以η型雜質區 520，521 的濃度之 1/2— 1/10 (以 1/3 — 1/4爲代表）的濃度添加至如此形成的雜質區5 2 7-533。較佳地，濃度爲lxlO16 - 5xl018原子/ cm3 (典型上爲 3x 1 017—3x 1 018 原子/ cm3 )° 之後，如圖9 (B)所示，形成光阻掩罩534a— 5 3 4 d以遮蓋閘電極，然後添加η型雜質元素（在本實 施例中爲磷），及形成包含高濃度磷之雜質區535-5 4 1。此處，應用使用磷化氫（Ρ Η 3 )之離子摻雜法， 及執行調整，以致於這些區域中的磷濃度爲1 X 1 0 2 D -1X1021 原子/cm3 (以 2xl02°— 5X1021 原 子/cm3爲代表）。 經由此製程，形成η通道型T F T的源極區或汲極區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐) 58 - *~~ — — — — — — - II — — — II ^« — — — — — — 1— ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 A7 --- B7 五、發明說明（56 ) ’且切換TFT會留下圖9 (A)的處理中所形成的η型 雜質區530-532之一部份。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，如圖9 ( C )所示，移除光阻掩罩5 3 4 a - 534，及新近地形成光阻掩罩543。然後添加p型雜 質元素（在本實施例中爲硼），及形成包含高濃度硼之雜 質區544、545。此處，根據使用乙硼烷（B2H6) 之離子摻雜法，添加硼以取得3 X 1 0 2。一 3 X 1 0 2 1原 子/ cm3的濃度（以5x 1 02Q— 1 X 1 021原子/ c m 3爲代表）。 磷已經以1 X 1 02Q— 1 X 1 021原子/ cm3的濃 度添加至雜質區5 4 4、5 4 5。此處所添加的硼之濃度 至少爲添加的磷之濃度的三倍。因此，先前所形成的η - 型雜質區會完全地變成Ρ -型雜質區，並作爲Ρ型雜質區 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，如圖9 (D)所示，移除光阻掩罩543，然 後形成第一中間層絕緣膜5 4 6。關於第一中間層絕緣膜 5 4 6，以單層結構或堆疊結疊之形式，使用包含矽之絕 緣膜。較佳地，其膜厚爲400nm - 1 · 5//m。在本 實施例中，產生8 0 0 n m厚的氧化矽膜堆疊於2 0 0 n m厚的氮氧化砂膜上之結構。 之後，活化以個別濃度添加的η型或ρ型雜質元素。 爐退火法可望作爲活化機構。在本實施例中’在電熱爐中 ，於氮氣氛下，執行5 5 0 °C的熱處理4小時。 進一步在包含3 - 1 0 0%氫之氣氛下’執行3 0 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -59 - 510147
五、發明說明（57 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 4 5 0 °c的熱處理i 一 1 2小時。此係以熱激發的氫， 對半導體膜的未成對連接子作氫終結。關於氫化的另一方 式’可執行電漿氫化（使用電漿激發的氫）。 在第一中間層絕緣膜5 4 6的形成期間，可執行氫化 。詳而言之，形成2 0 0 nm厚的氮氧化矽膜，及如上述 般_行氫化，接著，形成其餘8 ^ m厚的氧化砂膜。 之後，如圖1 0 ( A )所示，在第一中間層絕緣膜 5 4 6及閘絕緣膜5 1 4中製成接點孔，及形成源極接線 5 4 7 - 5 5 0與汲極接線5 5 1 — 5 5 3。在本實施例 中’以三層結構之疊層膜形成此電極，三層膜係根據濺射 法連續地形成lOOnm厚的Ti膜、包含Ti之300 nm厚的鋁膜、及150nm厚的Ti膜。當然，可使用 其它導體膜。 接著，形成50 — 500nm厚（以200 — 300 n m厚爲代表）的第一被動膜5 5 4。在本實施例中，使 用3 0 0 n m厚的氮氧化矽膜作爲第一被動膜5 5 4。氮 化矽膜可取代此膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時，在形成氮氧化矽膜之前，使用諸如Η 2或N Η 3 等包含氫之氣體以執行電漿處理’是有效的。由此製程激 發的氫會供應至第一中間層絕緣膜5 4 6，以及藉由熱處 理，改進第一被動膜5 5 4的膜品質。同時’由於添加至 第一中間層絕緣膜5 4 6之氫會擴散至下側，所以，主動 層可被有效地氫化。 接著，如圖1 0 ( Β )所示，形成有機樹脂製成的第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210><297公釐)~" 510147 Α7 Β7 五、發明說明（58 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 二中間層絕緣膜5 5 5。可使用聚烯亞胺、丙烯酸纖維、 苯並環丁烯作爲有機樹脂。特別地，由於需要第二中間層 絕緣膜5 5 5以將T F T形成的高度差平坦化，平滑度優 良之丙烯酸膜是所需的。在本實施例中，形成2 . 5//m 厚的丙烯酸膜。 之後，在第二中閬層絕緣膜5 5 5及第一被動膜 5 5 4中製成到達汲極接線5 5 3之接點孔，及形成保護 電極5 5 6。關於保護電極5 5 6，可使用主要由鋁構成 的導體膜。可根據真空沈積法，形成保護電極5 5 6。 接著，形成5 0 0 n m厚之包含矽的絕緣膜（在本實 施例中爲氧化矽膜），然後，在對應於像素電極之位置處 形成開口，及形成第三中間層絕緣膜5 5 7。當形成開口 時，使用濕蝕刻法，能夠輕易地形成漸細的側壁。假使開 口的側壁不具有足夠緩和的坡度時，高度差所造成的E L 層之劣化將會導致重要的問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後，形成相對電極（M g A g ) 5 5 8，其係E L 元件的陰極。使用真空沈積法，形成M g A g電極5 5 8 ，以造成180-300nm厚（典型上爲200— 2 5 0 n m )的膜厚。 接著，以真空沈積法，形成E L層5 5 9而不用曝露 在空氣中。EL層559的膜厚係800 — 20〇nm ( 典型上爲1 0 0 - 1 2 0 nm)且其像素電極（陽極） 560 爲 1 10nm〇 在本製程中，順序地形成用於對應紅色的像素、對應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " 510147 Α7 Β7 五、發明說明（59 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 綠色的像素、及對應藍色的像素之E L層及像素電極（陽 極）。但是，由於E L層的對溶液的耐受性差，所以必對 對每一顏色獨立地形成它們，而不用使用光學照相蝕刻法 。因此，較佳的是使用金屬掩罩以遮蓋一所需的像素除外 之其它像素，並選擇性地形成用於所需像素之E L層及像 素電極（陽極）。 詳而言之，首先設定掩罩以遮蓋對應於紅色之像素除 外的所有像素，且以掩罩選擇性地形成紅光之E L層及像 素電極（陽極）。接著，設定掩罩以遮蓋對應於綠色之像 素除外的所有像素，且以掩罩選擇性地形成綠光之E L層 及像素電極（陽極）。接著，如上所述般，設定掩罩以遮 蓋對應於藍色之像素除外的所有像素，且以掩罩選擇性地 形成藍光之E L層及像素電極（陽極）。在此情形中，個 別顏色使用不同掩罩。取代地，它們也可使用相同掩罩。 較佳地’不用破真空即可執行處理直至對所有像素形成 E L層爲止。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 習知材料可用於E L層5 5 9。較佳地，在慮及驅動 電壓下’此爲有機材料。舉例而言，可以以正電洞注射層 、正電洞傳輸層、發光層、及電子注射層所構成的四層結 構，形成E L層。在本實施例中，形成氧化銦錫膜作爲 E L層的像素電極（陽極）。可使用透明導體膜，於透明 導體膜中，2 — 2 〇 %的氧化鋅（ζ η〇）與氧化銦混合 ’也可使用其它習知材料。‘ 在最後階段’由氮化矽膜製成的第二被動膜5 6 1會 62 本紙張尺度·中國國家標準(2lQ χ挪公麓） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 _ B7 五、發明說明（60 ) 形成至3 0 0 nm厚。 完成構造如圖10 (C)所示之El顯示裝置。實際 上，較佳地，裝置會由高度氣密之保護膜（疊層膜、紫外 線固化樹脂膜、等等）或諸如陶瓷罐等封裝材料所包裝（ 密封），以致於當如圖1 〇 ( c )完成時不會曝露於空氣 中。在此情形中，藉由使封裝材料內部充滿惰性氣體或是 吸濕材料（舉例而言，氧化鋇），可改進E L層的可靠度 (壽命）。 本實施例可以與實施例2混合。 〔實施例4〕
現在，將參考圖1 1之AA體圖，說明本實施例之E L 顯示裝置的結構。 本實施例的E L顯示裝置係由玻璃基底2 2 0 1上之 像素部份2 2 0 2、閘訊號側驅動電路2 2 0 3、及源極 側驅動電路2 2 0 4所製成。像素部份2 2 0 2的切換 TFT 2 2 0 5係η通道型T F T，且配置於連接至閘 極側驅動電路2 2 0 3之閘極接線2 2 0 6與連接至源極 側驅動電路2 2 0 4之源極接線2 2 0 7的交會處。切換 TFT2 2 0 5的汲極區會連接至EL驅動器TFT 2 2 0 8的閘電極。 E L驅動器T F T 2 2 0 8的源極區會連接至電流 饋送線2 2 0 9。設置電容器2 2 1 6，其會連接至EL 驅動器T F T 2 2 0 8的閘電極及電流饋送線2 2 0 9 — — ! — — — · I I ! ! I β 111!11 ^^^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -63 - 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明說明（61 ) 。在本實施例中，電源電位會加至電流饋送線2 2 0 9。 此外’共同電位會加至E L元件2 2 1 1的相對電極（本 實施例中爲陰極）。 FP C 2 2 1 2係外部輸入一輸出端，設有用以傳 送訊號至驅動電路之輸入接線（連接線）2 2 1 3、 22 14，及連接至電流饋送線2209之輸入一輸出接 線 2 2 1 4。 現在將參考圖12 (A)及12 (B)，說明包含封 裝材料之本實施例的E L模組。當需要時，再度使用圖 1 1中的代號。 像素部份2 2 0 2、閘極訊號側驅動電路2 2 0 3、 及源極訊號線側驅動電路2 2 0 4係形成於玻璃基底 2 2 0 1上。來自每一驅動電路之不同接線會經由輸入一 輸出線2213至2215及FPC 2212而連接至 外部設備。 此時，配置基底2 3 0 4以便至少與像素部份 2 2 0 2重疊，較佳地，與像素部份2 2 0 2及驅動電路 2203、 2204重疊。保護基底2304會由密封材 料2 3 0 5固疋至玻璃基底2 2 0 1以致於與玻璃基底 2 2 0 1 —起形成封閉空間。此時，e L元件係處於完全 地密封於封閉空間之狀態中，並與外部空氣完全地隔絕。 由玻璃基底2 2 0 1、保護基底2 3 0 4及密封材料 2 3 0 5所形成的密閉空間稱爲胞2 3 0 6。藉由配置多 個保護基底2304，形成多個胞2306。 本紐尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐)二64 - ---- >--------------------訂---------線« (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 __________ B7 五、發明說明（62 ) 較佳地’保護基底2 3 0 4的品質係諸如玻璃或聚合 物等絕緣物質。舉例而言，有非晶玻璃（硼矽酸玻璃、石 央、等等）、結晶玻璃、陶瓷玻璃、有基樹脂（丙烯酸樹 脂、苯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環氧樹脂、等等）或砂 基樹脂。此外，可使用陶瓷。假使密封材料2 3 〇 5爲絕 緣材料’也能夠使用諸如不銹鋼合金等金屬材料。 關於密封材料2 3 0 5之品質，可使用環氧樹脂、丙 烯樹脂、等等。此外，可使用熱塑樹脂或光固化樹脂作爲 黏著劑。但是，需要最大限度不會傳送氧及水之材料。 較佳的是注射包裝材料至胞2 3 0 6。關於包裝材料 ’可使用P V C (聚氯乙烯）、環氧樹脂、矽樹脂、 PVB (聚.乙醇縮丁醛）、EVA (乙撐醋酸乙烯酯）、 丙烯酸及聚醯亞胺等等。 將乾燥劑置於胞2 3 0 6中也是有效的。日本公開專 利公告H e i 9 - 1 4 8 0 6 6中所述之乾燥物可作爲乾 燥劑。一般而言，可使用氧化鋇。 如圖1 2 ( B )所示，像素部份設有均具有個號分離 的E L元件之多個像素。它們均具有保護電極2 3 0 7作 爲共同電極。在本實施例中，說明如下：較佳的是連續地 形成EL層、陰極（MgAg電極）、及保護電極而不用 曝露於空氣中。取代地，假使使用相同的掩罩材料以形成 E L層及陰極，及以另一掩罩形成保護電極時，可實現圖 1 2 ( B )的結構。 此時，E L層及陰極僅可配置於像素部份上，並不需 L· I I al I I :————------ I ·11111111 丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -65 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 ___________ B7 五、發明說明（63 ) 配置於驅動電路上。當然，即使它們配置於驅動電路上時 ’也不會發生問題。但是，在慮及鹼金屬材料包含於E L 層中時，它們不應配置於其上。 保護電極2 3 0 7會經由與像素電極相同材料製成的 連接線2 3 0 9 ，連接至代號2 3 0 8所示之區域中的輸 入一輸出接線2 3 1 0。輸入一輸出接線2 3 1 0係電流 饋送線’會將E L驅動電位給予保護電極2 3 0 7，並經 由導電黏貼材料2311連接至FPC 2212。 注意’能夠自由地組合本實施例的構成與實施例1及 實施例2的構成。 〔實施例5〕 在實施例5中，將說明根據本發明之e L顯示器的像 素之結構。 在根據本發明的E L顯示器之像素部份上，多個像素 以矩陣配置。圖1 3 A係顯示像素的電路圖之實施例。在 像素1000中，切換TFT 1001係設置於圖13 A中。注意，在本發明中，關於切換TFT 1001， 可使用η通道TFT或p通道TFT。在圖1 3A中，使 用η通道TFT作爲切換TFT 1001。 切換T F T 1 〇 〇 1的閘電極會連接至閘極訊號線 1 0 0 2以輸入閘極訊號。切換τ F T 1 0 0 1的源極 區及汲極區之一會連接至資料訊號線（也稱爲源極訊號線 )1 0 0 3以輸入數位資料訊號，而另一者會連接至el 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） -66- r!i! i ! t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 __ B7 五、發明說明（64 ) 驅動器T F T 1 0 0 4的閘電極。 E L驅動器T F T 1 0 0 4的源極區及汲極區會連 接至電源線1 0 0 5，而另一者會連接至E L元件 1 0 0 6° E L元件1 〇 〇 6包括陽極、陰極及設於陽極與陰極 之間的E L層。注意，根據本發明，在陽極爲像素電極及 陰極爲相對電極之情形中，E L驅動器T F T 1004 的源極區或汲極區會連接至E L元件1 0 〇 6的陽極。相 反地，在陽極爲相對電極且陰極爲像素電極之情形中， E L驅動器T F T的源極區或汲極區會連接至E L元件 1 0 0 6的陰極。 注意，關於E L驅動器T F T 1 0 0 4，可使用η 通道TFT或ρ通道TFT。但是，在EL元件1 006 的陽極爲像素電極及陰極爲相對電極的情形中，較佳的是 ，EL驅動器TFT 1004爲ρ通道TFT。此外， 相反地，在E L元件1 〇 〇 6的陽極爲相對電極，而陰極 爲像素電極之情形中，較佳的是，E L驅動器T F T 1 004爲η通道TFT。在圖1 3A中，使用ρ通道 TFT作爲EL驅動器TFT 1004。EL元件 1 0 0 6的陰極會連接至穩態電源1 0 0 7。 此外，在切換T F T 1 0 0 1設定在非選取狀態（ 關閉狀態）中之情形中，可設置電容器以固持E L驅動器 TFT 1 0 0 4的閘極電壓。在設置電容器的情形中， 電容器會在未連接至源極訊號線之切換T F T 1001 !|訂·！-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -67 - 510147 A7 B7 五、發明說明（65 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的源極區與汲極區之一與電源線1 0 0 5之間連接。在圖 1 3 A中所示的電路圖中，電源線1 0 0 5係配置成與源 極訊號線1 0 0 3平行。 此外，L D D區可形成在E L驅動器T F T 1 0 0 4的主動層之內，及形成L D D區與閘電極經由閘 絕緣膜而重疊之區域（L 〇 v區）。無論E L驅動器 TFT 1004爲η通道TFT或p通道TFT，藉由 在主動層的汲極區側中形成L 〇 v區，可在E L驅動器 TFT 1 0 0 4的閘電極與L 〇 v區之間形成電容，及 儲存E L驅動器T F T 1 0 0 4的閘極電壓。特別地， 當EL驅動器TFT 1004爲η通道TFT時，藉由 在主動層的汲極區側中形成L 〇 v區，可增加開啓電流。 爲了使用E L驅動器TFT的L 〇 v區作爲電容器以 儲存EL驅動器TFT 1 004的閘極電壓，在像素大 小爲2 2 # m X 2 2 # m、閘絕緣膜的厚度爲8 0 0 A及 閘絕緣膜的相對介電常數爲4 · 1之情形中，需要約 1 9 · 8 F f的電容値。結果，關於L 〇 v區（L D D區 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與閘電極經由閘絕緣膜而重疊之區域），需要約6 6 // m 2 的面積。 注意，圖1 3A中所示的電路圖，切換TFT 1 0 0 1或E L驅動器τ F T 1 0 0 4可形成爲多閘結 構（包含具有二或更多串聯的通道形成區之主動層的結構 )。圖14A係顯示像素的電路圖，其中圖13a中所示 的像素之切換T F Τ 1 0 0 1會形成爲多閘結構。 68 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 510147 A7 B7 五、發明說明（66 ) 切換 TFT 1001a 及切換 TFT 1001b (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 會形成爲串聯。切換TFT l〇〇la及1001b除 外，結構係與圖1 3 A中所示之電路圖相同。藉由使切換 T F T爲多閘結構，關閉電流可以降低，特別地，不用形 成電容器即可儲存E L驅動器T F Τ 1 0 0 4的閘極電 壓。因此，無須形成電容器以儲存E L驅動器T F Τ 1 0 0 4的閘極電壓。注意，雖然在圖1 4Α中使用雙閘 結構，但是，本發明不限於雙閘結構，可使用任何多閘結 構。 此外，雖然未顯示，但是，在E L驅動器T F Τ形成 爲多閘結構的情形中，可以抑制因熱造成的E L驅動器 T F Τ之劣化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，圖1 3 Β係顯示根據本發明的像素之電路圖的 另一實施例。在圖13Β中，切換TFT 1 101係設 置於像素1 1 0 0中。注意，在本發明中，可使用η通道 TFT或ρ通道TFT作爲切換TFT 1101。在圖 13B中，使用η通道TFT作爲切換TFT 1101 。切換T F Τ 1 1 0 1的閘電極會連接至閘極訊號線 1 1 0 2以輸入閘訊號。切換T F Τ 1 1 0 1的源極區 與汲極區之一會連接至資料訊號線（也稱爲源極訊號線） 以輸入數位資料訊號，而另一者會連接至E L驅動器 TFT 1 1 0 4的閘電極。
然後，E L驅動器T F Τ 1 1 0 4的源極區與汲極 區之一會連接至電源線1 1 〇 5，而另一者會連接至E L 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -69 - 510147 A7 __ B7 五、發明說明（67 ) 元件1 1 0 6。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) E L元件1 1 〇 6包括陽極、陰極及設置於陽極與陰 極之間的E L層。注意，在本發明中，在陽極爲像素電極 及陰極爲相對電極之情形中，E L驅動器T F T 1 1 0 4的源極區或汲極區會連接至E L元件1 1 〇 6的 陽極°相反地，在陽極爲相對電極且陰極爲像素電極之情 形中，E L驅動器T F T 1 1 0 4的源極區或汲極區會 連接至E L元件1 1 〇 6的陰極。注意，關於E L驅動器 TFT 1 104，可使用η通道TFT或p通道TFT 。但是，在E L元件1 1 〇 6的陽極爲像素電極且其陰極 爲相對電極的情形中，較佳的是，E L驅動器T F T 1 1 0 4爲p通道T F T。此外，相反地，在E L元件 1 1 0 6的陽極爲相對電極及其陰極爲像素電極的情形中 ，較佳的是，EL驅動器TFT 1 104爲η通道 TFT。在圖13Β中，在EL驅動器TFT 110 4 中，使用P通道TFT。EL元件1 106的陰極會連接 至穩態電源1 1 0 7。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，當切換T F T 1 1 0 1設定於非選取狀態（ 關閉狀態）時，可設置電容器以固持E L驅動器T F T 1 1 0 4的閘極電壓。在設置電容器的情形中，電容器 會在未連接至源極訊號線之切換T F T 1 1 〇 1的源極 區與汲極區之一與電源線1 1 0 5之間連接。在圖1 3 B 中所示的電路圖中，電源線1 1 0 5及閘極訊號線 1 1 0 2會配置成平行的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -70 - 510147 A7 - B7 五、發明說明（68 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外’可在EL驅動器TFT 1 1 0 4的主動層之 內形成L D D區，及形成L D D區與閘電極經由閘絕緣膜 而重疊之區域（Lov區）。不論EL驅動器TFT 1 1 04爲η通道TFT或p通道TFT，藉由在主動層 的汲極區側中形成L 〇 v區，可在E L驅動器丁 F T 1 0 0 4的閘電極與L 〇 v區之間形成電容，及儲存E L 驅動器T F T . 1 0 0 4的閘電極。特別地，當E L驅動 器TFT 1 1 04爲η通道TFT時，藉由形成主動層 的汲極區側中的L 〇 v區，可增加開啓電流。
注意，在圖1 3 B中所示的電路圖中，切換TFT 1 10 1或EL驅動器TFT 1 104可形成爲多閘 結構。圖1 4 B係顯示像素的電路圖，於其中，圖1 3 B 中所示之像素的切換T F T 1 1 0 1會形成爲多閘結構 〇 切換 TFT 1101a 及切換 TFT 1101b 會形成爲串聯。切換T F T 1 1 0 1 a及1 1 〇 1 b除 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 外，結構係與圖1 3 B中所示之電路圖相同。藉由使切換 T F T爲多閘結構，關閉電流可以降低，特別地，不用形 成電容器即可儲存E L驅動器T F T 1 0 0 4的閘極電 壓。因此，無須形成電容器以儲存E L驅動器T F T 1 1 0 4的閘極電壓。注意，雖然在圖1 4 B中使用雙閘 結構，但是，本發明不限於雙閘結構，可使用任何多閘結 構。 此外，雖然未顯示，但是，在E L驅動器T F T以多 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -71 - 510147 A7 B7 五、發明說明（69 ) 閘結構形成的情形中，可抑制因熱造成的E L驅動器 T F T的劣化。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著’圖1 5 A顯示根據本發明之像素的電路圖之另 一實施例。在圖1 5A中，像素1 2 00與像素1 2 1 0 係設置成彼此相鄰。在圖1 5 A中，代號1 2 0 1及 1 2 1 1代表切換T F T。注意，在本發明中，關於切換 TFT 1201及1211，可使用η通道TFT或p 通道TFT。在圖1 5A中，η通道TFT會用於切換 TFT 1201及切換TFT 1211中。切換 TFT 1 2 0 1及1 2 1 1的閘電極會連接至閘極訊號 線1 2 0 2以輸入閘極訊號。切換T F T 1 2 0 1及 1 2 1 1的源極區與汲極區之一會連接至資料訊號線 1 2 0 3及1 2 0 4 (此後稱爲源極訊號線）以輸入數位 資料訊號，而另一者會分別連接至E L驅動器T F T 1204及1214的閘電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，E L驅動器T F T 1 2 0 4和1 2 1 4的源 極區與汲極區之一會連接至電源線1 2 2 0，而另一者會 分別連接至E L元件1 2 0 5和1 2 1 5。以此方式，二 相鄰像素會共用一電源線1 2 2 0。結果，與圖1 3及 1 4中所示的結構相較，電源線的數目可以減少。當接線 相對於整個像素部份的比例小時，在接線設置於E L層的 發光方向上之情形中，可抑制接線之遮光。 E L元件1 2 0 5及1 2 1 5分別包括陽極、陰極、 及設置於陽極與陰極之間的E L層。注意，根據本發明’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -72 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 ___ B7 _ 五、發明說明（7〇 ) 在陽極爲像素電極及陰極爲相對電極的情形中，E L驅動 器TFT 1 2 0 4及1 2 1 4的源極區或汲極區會連接 至EL元件1 2 0 5和12 1 5的陽極。相反地，在陽極 爲相對電極及陰極爲像素電極的情形中，E L驅動器 TFT 1 204及1 2 1 4的源極區或汲極區會連接至 E L元件1 2 0 5及1 2 1 5的陰極。注意，關於E L驅 動器TFT 1204和1214，可使用η通道TFT 或P通道TFT。但是，在EL元件1 205及1 2 1 5 的陽極爲像素電極而其陰極爲相對電極的情形中，較佳的 是，EL驅動器TFT 1204及1214係P通道 TFT。此外，相反地，在EL元件1 2 0 5及1 2 1 5 的陽極爲相對電極且其陰極爲像素電極的情形中，較佳地 ，EL驅動器TFT 1204及1214係η通道 TFT。在圖1 5Α中，關於EL驅動器TFT 1204及1214，使用p通道TFT。EL元件 1 2 0 5及1 2 1 5的陰極會連接至穩態電源1 2 0 6及 12 16° 此外，當切換TFT 1201及1211處於非選 取狀態中（關閉狀態）時，可設置電容器以儲存E L驅動 器TFT 1 2 0 4和1 2 1 4的閘極電壓。在設置電容器 的情形中，電容器可在未連接至源極訊號線之切換T F T 1 2 0 1的汲極區和源極區之一與電源線1 2 2 0之間 連接。
此外，LDD區可形成在EL驅動器TFT 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -73 -
Lrllh — — — — — — — - I I I I I I I « — — — — I— — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 A7 B7 五、發明說明（71 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 〇 4及1 2 1 4的主動層之內，及可形成LDD區與 闊電極經由閘絕緣膜而重疊之區域（L 〇 v區）。不論 EL驅動器TFT 1204爲η通道TFT或p通道 T F T，藉由在主動層的汲極區側中形成l 〇 v區，可在 E L驅動器τ F T 1 2 0 4和1 2 1 4的閘電極與 L 〇 v區之間形成電容，及儲存e L驅動器TFT 1 2 〇 4和1 2 1 4之閘極電壓。特別地，當E L驅動器 T F τ 1204及1214爲η通道TFT時，藉由在 主動層的汲極區側中形成L 〇 v區，可增加開啓電流。 注意，在圖1 5A中所示的電路圖中，切換TFT 1 20 1及1 2 1 1、或是EL驅動器TFT 1 2 0 4和1 2 1 4可形成爲多閘結構。圖1 6A係顯示 像素的電路圖，其中切換T F Τ 1 2 0 1及1 2 1 1係 形成爲圖1 5 A中所示之像素的多閘結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 切換 TFT 1201a 及切換 TFT 12 0 1b 會形成爲串聯。切換T F Τ 1 2 1 1及切換T F Τ 121 lb會形成爲串聯。切換TFT 1201 a及切 換TFT 1201b以及切換TFT 1211a及切 換丁 FT 1 2 1 lb除外，結構係與圖1 5A中所示之 電路圖相同。藉由使切換T F T爲多閘結構，可降低關閉 電流，特別地，不用形成電容器，即可儲存E L驅動器 TFT 1204及1214之閘極電壓。因此，無須形 成電容器以儲存EL驅動器TFT 1204及1214 之閘極電壓。注意，雖然在圖1 6 A中使用雙閘結構，但 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -74 - AU147 五、發明說明（72 ) 胃’本發明不限於雙閘結構，可使用任何多閘結構。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，雖然未顯示，但是，在E L驅動器T F T以多 鬧結構形成的情形中，可抑制因熱造成的E L驅動器 丁 F T的劣化。 ί妾著，圖1 5 B顯示根據本發明之像素的電路圖之另 〜實施例。在圖1 5Β中，像素1 3 00與像素1 3 1 0 係設置成彼此相鄰。在圖1 5Β中，代號1 30 1及 1 3 1 1代表切換τ F Τ。注意，在本發明中，關於切換 T F τ 1301及1311 ，可使用η通道丁 FT或ρ 通道TFT。在圖1 5Β中，使用η通道TFT入爲切換 T F τ 1301 及切換 TFT 1311。切換 TFT 1 3 0 1及1 3 1 1的閘電極會分別連接至閘極訊號線 1 3 0 2及1 3 1 2以輸入閘極訊號。切換T F 丁 1 3 0 1及1 3 1 1的源極區與汲極區之一會連接至資料 訊號線1 3 0 3 (也稱爲源極訊號線）以輸入數位資料訊 號，而另一者會分別連接至E L驅動器T F T 1304 及1 3 1 4的_電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，E L驅動器T F Τ 1 3 0 4和1 3 1 4的源 極區與汲極區之一會連接至電源線1 3 2 0，而另一者會 分別連接至E L元件1 3 0 5和1 3 1 5。以此方式，在 實施例5中，二相鄰像素會共用一電源線1 3 2 0。結果 ，與圖1 3及1 4中所示的結構相較，電源線的數目可以 減少。當接線相對於整個像素部份的比例小時，在接線設 置於E L層的發光方向上之情形中，可抑制接線之遮光。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -75 - 510147 A7 ____B7___ 五、發明說明（73 ) 然後，在圖1 6 B中所示的電路圖中，電源線1 3 2 0會 設置成平行於閘極訊號線1 3 0 2及1 3 1 3。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) EL元件1 305及1 3 1 5分別包括陽極、陰極、 及設置於陽極與陰極之間的E L層。注意，根據本發明， 在陽極爲像素電極及陰極爲相對電極的情形中，E L驅動 器TFT 1 3 04及1 3 1 4的源極區或汲極區會連接 至E L元件1 3 0 5和1 3 1 5的陽極。相反地，在陽極 爲相對電極及陰極爲像素電極的情形中，E L驅動器 TFT 1 304及1 3 14的源極區或汲極區會連接至 EL元件1 30 5及1 3 1 5的陰極。注意，關於EL驅 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 動器TFT 1304和1314，可使用η通道TFT 或P通道TFT。但是，在EL元件1 30 5及1 3 1 5 的陽極爲像素電極而其陰極爲相對電極的情形中，較佳的 是，EL驅動器TFT 1304及1314係P通道 TFT。此外，相反地，在EL元件1 305及1 3 1 5 的陽極爲相對電極且其陰極爲像素電極的情形中，較佳地 ，EL驅動器TFT 1304及1314係η通道 TFT。在圖15Β中，，使用P通道TFT作爲EL驅 動器TFT 1304及1314，以致於EL元件 1 3 0 5及1 3 1 5的陰極會連接至穩態電源1 3 0 6及 13 16。 此外，當切換TFT 1301及1311處於非選 取狀態中（關閉狀態）時’可設置電容器以儲存E L驅動 器TFT 1 3 0 4和1 3 1 4的閘極電壓。在設置電容器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -76 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 B7 _______ 五、發明說明（74 ) 的情形中，電容器可在未連接至源極訊號線之切換T F T 1 3 〇 1和1 3 1 1的汲極區和源極區之一與電源線 1 3 2 〇之間連接。 此外，LDD區可形成在EL驅動器TFT 1 3 04及1 3 1 4的主動層之內，及可形成LDD區與 閘電極經由閘絕緣膜而重疊之區域（L 〇 v區）。不論 EL驅動器TFT 1304及1314爲η通道TFT 或P通道TFT，藉由在主動層的汲極區側中形成L 〇 v 區，可在EL驅動器TFT 1304和1314的閘電 極與L 〇 v區之間形成電容，及儲存E L驅動器TF T 1 3 0 4和1 3 1 4之閘極電壓。特別地，當e L驅動 器TFT 1 304及1 3 14爲η通道TFT時，藉由 在主動層的汲極區側中形成L 〇 v區，可增加開啓電流。
注意，在圖1 5 B中所示的電路圖中，切換TFT 1301及1311、或是EL驅動器tft 1 3 0 4和1 3 1 4可形成爲多閘結構。圖1 6 B係顯示 像素的電路圖，其中圖1 5 B中所示之像素的切換TFT 1 3 0 1及1 3 1 1係形成爲多閘結構。 切換 TFT 1301a 及切換 TFT 1301b 會形成爲串聯。切換T F T 1 3 1 1及切換T F τ 1 3 1 1 b會形成爲串聯。切換TFT 1 3 0 1 a及切 換TFT 1301b以及切換TFT 1311a及切 換T F Τ 1 3 1 1 b除外，結構係與圖i 5 Β中所示之 電路圖相同。藉由使切換T F Τ爲多閘結構，可降低關閉 本紙張尺度適财國國家鮮（CNS)A4規格（210 X 297公f ) Τ/τΤ^--- tlm — — — — — — - I I I I I I I ^ ·1111111« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 Α7 Β7 修正 補充 五、發明説明（75) 電流，特別地’不用形成電谷益’即可儲存E L驅動器 TFT 1 3 0 4及1 3 1 4之閘極電壓。因此，無須形 成電容器以儲存EL驅動器TFT 1 3 04及1 3 1 4 之閘極電壓。注意，雖然在圖1 6 B中使用雙閘結構，但 是，實施例5不限於雙閘結構’可使用任何多閘結構。 此外，雖然未顯示，但是，在E L驅動器T F T形成 爲多閘結構的情形中，可抑制因熱造成的E L驅動器 T F T的劣化。 注意，在實施例5中，可在E L元件的像素電極及 E L驅動器T F T的汲極區之間設置電阻器。藉由設置電 阻器，從E L驅動器T F T供應至E L元件之電流量會受 控，以致於可防止E L驅動器T F T的特性對於變化之影 響。電阻器可爲電阻値爲比E L驅動器T F T的開啓電阻 足夠大之元件。因此，結構或類似者不受限。注意，開啓 電阻係T F T的汲極電壓除以T F T開啓時流過之汲極電 流而取得之値。關於電阻器的電阻値，可選取1 k Ω至 500ΜΩ範圍（較佳地，1〇1ιΩ至10ΜΩ、或更佳 地爲5 0 k Ω至1 Μ Ω )內的任何値。當使用具有高電阻 値的半導體層作爲電阻器時，容易形成且較佳的。 注意，能夠自由地組合實施例5與實施例1至3。 〔實施例6〕 以光電裝置顯示影像時需要之不同補償，有幾種情形 。舉例而言，有伽瑪補償及自行發光元件發射的光強度強 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 Χ297公釐） ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -78- 510147 A7 ___ B7 _ 五、發明說明巧） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 化之補償。此外，當在C R T中處理用於伽瑪補償之訊號 時，有時其會變成逆伽瑪補償所需。在實施例6中，將解 釋能夠提供本發明中所使用的數位視頻訊號補償之補償系 統。 將於下解釋，應用補償至4位元數位視頻訊號之補償 系統的實施例。注意，實施例6不限於此位元數目。實施 例6中所使用的補償系統在視頻訊號輸入至圖4 A中所示 的分時灰階資料訊號產生電路1 1 4之前，將補償應用至 視頻訊號。注意，被補償的視頻訊號爲數位訊號是需要的 ，因此，當視頻訊號爲類比時，其首先被轉換成數位的， 然後，應用補償。 圖2 0係顯示輸入至補償系統之前（補償前視頻訊號 )水平軸上的視頻訊號，並顯示其從補償系統輸出之後（ 補償後視頻訊號）垂直軸上的視頻訊號。當應用此型式的 補償至視頻訊號時，特別地，在分時灰階資料訊號產生電 路之前，形成圖2 1 A及2 1 B中所示的補償系統。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2 1 A中所示係本發明所使用的補償系統之一實施 例。數目與視頻訊號中的位元數相同之非揮發性記憶體 9 0 1至9 0 4會形成於圖2 1 A中所示的補償系統中。 用於補償前視頻訊號的每一位元之資訊會依序輸入至 i η 1至i η 4。注意，補償前視頻訊號的第一位元（最 低有效位元L S Β )會輸入至i η 1，而補償前視頻訊號 的第四位元（最高有效位元MSB)會輸入至i η4。 具有4位元資訊之補償前視頻訊號會輸入至所有非揮 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-79 - 510147 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明F ) 發性記憶體9 0 1至9 0 4。 對應於輸入之補償前視頻訊號之用於輸出之補償後視 頻訊號資訊的第一位元會儲存於非揮發性記憶體9 0 1中 。因此，輸入至非揮發性記憶體9 0 1之補償前視頻訊號 會被轉換成補償後視頻訊號的第一位元，然後從〇 u t 1 輸出。注意，對應於輸入補償前視頻訊號之用於輸出之補 償後視頻訊號資訊，在本發明中被稱爲補償資料。 對應於輸入之補償前視頻訊號之用於輸出的補償後視 頻訊號資訊的位元2至4會同樣地儲存於非揮發性記憶體 9 0 2至9 0 4中。因此，輸入至非揮發性記憶體9 0 2 至9 0 4之補償前視頻訊號會被轉換成補償後視頻訊號的 位元2至4，然後從ou t 2至ou t 4輸出。 已轉換成補償後視頻訊號之補償前視頻訊號的特定狀 態顯示於圖2 2中。對於輸入至i η 1至i η 4之補償前 視頻訊號具有（0 0 0 0 )資訊的情形而言，包含所有0 之資訊會從非揮發性記憶體9 0 1至9 0 4輸出。因此， 從〇 u t 1至〇 u t 4輸出之補償後視頻訊號包含（ 0 0 0 0 )資訊。 對於輸入至i η 1至i η 4之補償前視頻訊號具有（ 1 0 0 0 )資訊的情形而言，0資訊會從非揮發性記憶體 9 0 1、9 0 3及9 0 4輸出。此外，1會從非揮發性記 憶體9 0 2輸出，從〇 u t 1至〇 u t 4輸出之補償後視 頻訊號因此包含（0 1 0 0 )資訊。 此外，對於輸入至i η 1至i η 4之補償前視頻訊號 • — 4 — — — — — — — — - I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨訂· 線 __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-80 - 510147 A7 _____ 五、發明說明) 具有（1 1 1 1 )資訊的情形而言，包含所有1之資訊會 從非揮發性記憶體9 0 1至9 0 4輸出。因此，從0 u t 1至〇 u t 4輸出之補償後視頻訊號包含（1 1 1 1 )資 訊。 諸如圖2 0中所示之補償因而可由使用非揮發性記憶 體9 0 1至9 0 4之補償系統應用至視頻訊號。 不同於圖2 1 A中所示之由本發明所使用的補償系統 之另一實施例係顯示於圖2 1 B中。數目與視頻訊號中的 位元數相同之非揮發性記憶體9 1 1至9 1 4，及儲存用 非揮發性記憶體9 2 1至9 2 4會形成於圖2 1 B中所示 的補償系統中。 用於補償前視頻訊號的每一位元之資訊會依序輸入至 i η 1.至i η 4。注意，補償前視頻訊號的第一位元（最 低有效位元L S Β )會輸入至i η 1 ’而補償前視頻訊號 的第四位元（最高有效位元MSB)會輸入至i η4。 具有4位元資訊之補償前視頻訊號會輸入至所有非揮 發性記憶體9 2 1至9 2 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) •線· 對應於輸入之補償前視頻訊號之用於輸出之補償後視 頻訊號資訊的第一位元會儲存於儲存用之非揮發性記憶體 9 2 1中。因此，對應於輸入之補償前視頻訊號之用於輸 出之補償後視頻訊號資訊的位元2至4同樣地會儲存於儲 存用之非揮發性記憶體9 2 2至9 2 4中。儲存於儲存用 之非揮發性記憶體9 2 1至9 2 4中的資訊接著分別被讀 入至非揮發性記憶體9 1 1至9 1 4中’並被儲存固定週 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 81 - 510147 A7 ___ B7 五、發明說明d) 期。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 輸入至非揮發性記憶體9 1 1之補償前視頻訊號會被 轉換成補償後視頻訊號的位元1並從〇 u t 1輸出。輸入 至非揮發性記憶體9 1 2至9 1 4之補償前視頻訊號也同 樣地會分別被轉換成補償後視頻訊號的位元1至4，並從 〇ut2至out4輸出。 根據圖2 1 B中所示的補償系統，補償前視頻訊號因 此可轉換成補償後視頻訊號。注意，相較於非揮發性記體 ’揮發性記憶體能夠以高速操作，因此，圖2 1 B中所示 的補償系統能夠比圖2 1 A中所示的補償系統還要快地操 作。 圖2 1 A及2 1 B中所示的補償系統具有分成與視頻 訊號位元數目相同數目之記憶體電路，舉例而言，非揮發 性記憶體、揮發性記憶體、或儲存用非揮發性記憶體，且 這些記憶體電路也可形成於相同的I C晶片上。此外，也 可使用與E L顯示器相同的基底上之半導體，形成它們。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意，儲存於實施例6的補償系統中的記憶體電路中 的補償資料不限於實施例6中所使用之補償資料。 〔實施例7〕 本發明的E L顯示器中的E L元件之E L層中所使用 的材料不限於有機E L材料，也可使用無機e L材料，實 施本發明。但是，目前無機E L材料具有相當高的驅動電 壓，因此，必須使用具有能夠承受如此高壓的電壓電阻特 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）_ 82 - $、發明說明❷〇 ) 性之T F T。 或者，假使未來發展出具有較低驅動電壓之無機Ε L 衬料時，能夠將此材料應用至本發明。 此外，能夠自由地組合實施例7的構成與實施例1至 β中任何實施例之構成。 〔實施例8〕 本發明中用於E L層的有機材料可爲低分子量有機材 料或聚合物（高分子量）材料。習知的低分子量有機材料 以下述爲中心·· A 1 q 3 ( 3個一 8 -喳林三鹽鋁絡合物） 或T P D ( 3個苯胺介電物）製成。此聚合物有機材料的 貫施例可爲<5結合聚合物材料。典型地，實施例有p p v (聚對苯撐乙烯）、PVK (聚乙烯基咔唑）或聚碳酸酯 〇 聚合物（高分子量）材料可由簡單的薄膜形成方法所 形成，且它們比低分子量有機材料具有更高的熱阻，舉例 而言，薄膜形成方法可爲旋轉塗敷（也稱爲溶液塗著）、 浸漬、分配、印刷、及噴墨印刷。 此外，在本發明的E L顯示器的E L元件中，當E L 元件的E L層具有電子傳輸層及電洞傳輸層時，電子傳輸 層及電洞傳輸層可由諸如非晶S i或非晶S i i - X C x等非 晶半導體的無機材料構成。 大量的陷井能階存在於非晶半導體中，及大量的邊界 目匕1¾形成於其匕層與非晶半導體接觸的邊界中。因此，除 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）_ 83 C%先閱讀背面之>i意事項再填寫本頁} 訂_ •-線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7__— 五、發明說明P ) 了能以低壓發光之外，尙可使E L元件的亮度更高。 此外，摻雜劑（雜質）也可加至有機E L層’改變有 機E L層發射的光之顏色。諸如D C Μ 1、尼羅河紅（nile red )、羅伯林（ruberen )、香豆素 6 ( coumalin 6 )、T P B及喂d、/d定酮（quinacridon )等材料可爲搶雜劑的實 施例。 此外，能夠自由地組合實施例8的構成與實施例1至 7中任何實施例的構成。 〔實施例9〕 接著，將解釋圖1中所示之本發明之E L顯示器的另 一驅動方法。將解釋根據η位元數位驅動器方法之執行2 n 灰階顯示之情形。注意，時序圖與用於本發明的實施例模 式所示之情形相同，因此，可參考圖2。 本發明的E L顯示器之像素部份1 5 0 0的結構顯示 於圖1中。用於輸入閘極訊號之閘極訊號線（G 1至G y )會連接至每一像素的切換T F T 1 5 0 1之閘電極。 此外，每一像素的切換T F T 1 5 0 1之源極及汲極區 之一會連接至源極訊號線（也稱爲資料訊號線）（S 1至 S X )以輸入數位訊號，而另一者會連接E L驅動器 TFT 1 5 0 4的閘電極，及連接至每一像素的電容器 1 5 0 8。注意，實施例模式中的此結構具有電容器 1 508，但也可使用未包含電容器1 508之結構。對 本發明而言，對於電容器的存在與否並無限制。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -Ji. -Ml I n ϋ n n I 一-口、 1 mm— ·ϋ I n n I 1 «· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-84 - 510147 A7 B7 五、發明說明@2 ) (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 每一像素的EL驅動器TFT 1504之源極與汲 極區之一會連接至電源線（VI至Vx)，而另一者會連 接至E L元件1 5 0 6。電源線（V 1至V X )的電位稱 爲電源電位。此外，電源線（V 1至V X )會連接至每一 像素的電容器1 5 0 8。注意，數位資料係類比或數位視 頻訊號被轉換成數位訊號以執行分時灰階顯示，且包含影 像資訊之訊號。 E L元件1 5 0 6由陽極、陰極、及設置於陽極與陰 極之間的E L層所構成。當陽極連接至E L驅動器T F T 1 5 0 4的源極區或汲極區時，亦即，當陽極爲像素電 極時，則爲相對電極之陰極會維持在固定電位。相反地， 對於陰極連接至E L驅動器T F T 1 5 0 4的源極區或 汲極區之情形而言，亦即，當陰極爲像素電極時，則爲相 對電極之陽極會維持在固定電位。 相對電極的穩態電位與像素電極的穩定電源電位之電 位差係E L驅動器電壓，且E L驅動器電壓會施加至E L 層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，一框週期（F )會分成η個副框週期（S F 1 至S F η )。注意，像素部份的所有像素顯示一影像之週 期稱爲一框週期（F )。 副框週期會分成定址週期（T a )及維持週期（T s )。定址週期係在一副框週期期間，將資料輸入至所有像 素所需的時間，而維持週期（也稱爲開啓週期）代表E L 元件發光之週期。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-85 - 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明设3 ) SF 1至SFn的定址週期（Ta )分別變成Ta 1 至T a n。S f 1至S F η的維持週期（T s )分別變成 T s 1 至 τ s η。 首先，在定址週期中，電源線（V 1至V η )會保持 在與穩態電位等高之電源電位。在本說明書中，數位驅動 定址週期中之電源電位稱爲關閉電源電位。注意，在關閉 電源電位的位準可設定成同於E L元件1 5 0 6不發光之 範圍內的穩態電位之位準。注意，此時之E L驅動器電壓 稱爲關閉E L驅動器電壓。理想上，希望關閉E L驅動器 電壓爲0V，但是，可設定在EL元件1 506不會發光 之位準。 然後，閘極訊號會輸入至閘極訊號線G 1，以致於連 接至閘極訊號線G 1之所有切換T F Τ 1 5 0 1都會被 開啓。 藉由連接至閘極訊號線G 1之開啓狀態的切換T F Τ 1 5 0 1，數位資料訊號會依序輸入至源極訊號線（ S 1 至 S X ) 〇 輸入至源極訊號線（S 1至S X )之數位資料訊號接 著經由處於開啓狀態之切換T F Τ 1 5 0 1而輸入至 E L驅動器T F Τ 1 5 0 4的閘電極。此外’數位資料 訊號也會輸入至連接至閘極訊號線G 1之所有像素的電容 器1 5 0 8，且電荷會被儲存。 接著，閘極訊號會輸入至閘極訊號線G 2，以致於連 接至閘極訊號線G 2之所有切換T F Τ 1 5 0 1會開啓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -86 - ---I----訂----!_ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明设4 ) ^然後，在連接至閘極訊號線G 2之切換T F T 1 5 〇 1被開啓的狀態中，數位資料訊號會依序輸入至源 極訊號線（S 1至S X )。輸入至源極訊號線（S 1至 s η )之數位資料訊號會經由切換τ F T 1 5 0 1而輸 入至E L驅動器T F Τ 1 5 0 4的閘電極。此外，數位 資料訊號也會輸入至連接至閘極訊號線G 2的所有像素之 電容器1 508,並被固持。 重覆上述操作直至閘極訊號線G y，則數位資料訊號 會輸入至所有像素。直至數位資料訊號輸入至所有像素爲 止之週期係定址週期。 在定址週期完成時，維持週期同時開始。當維持週期 開始時，電源線（V 1至’ V X )的電位會從關閉電源電位 改變成開啓電源電位。在實施例9中，數位驅動維持週期 期間之電源電位稱爲開啓電源電位。開啓電源電位具有 E L元件發光之位準與穩態電位之間的電位差。注意，此 電位差係稱爲開啓E L驅動器電壓。也注意，關閉電源電 位與開啓電源電位通常稱爲電源電壓。此外，開啓E L驅 動器電壓與關閉E L驅動器電壓通常稱爲E L驅動器電壓 〇 在維持週期中，所有的切換T F Τ 1 5 0 1會設定 於關閉狀態。儲存於電容器1 5 0 8中的數位資料訊號接 著輸入至E L驅動器T F Τ 1 5 0 4的閘電極。 當數位資料訊號包含” 0 〃資訊時，則在本發明的實 施例模式中E L驅動器T F Τ 1 5 0 4會被設定於關閉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-87 - 1丨丨-y.丨丨—丨— ·丨丨丨丨·丨訂·！ —丨· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 五、發明說明（85 # @ ° E L元件1 5 0 6的像素電極因而維持在關閉電源 S °結果，包含、、〇 〃資訊之數位資料訊號所施加之包 含於像素中的E L元件1 5 0 6不發光。 另一方面，對於實施例9中具有、、1 〃資訊之情形而 目’ E L驅動器τ F T 1 5 0 4會開啓。E L元件 1 5 〇 6的像素電極因而具有開啓電源電位。結果，具有 @ % 1 〃資訊之數位資料訊號所施加的像素之E L元件 1 5 〇 6會發光。 在維持週期完成時，定址週期再度開始，且當資料訊 號輸入至所有像素時，維持週期開始。所有週期T s 1至 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
T η — 在此點變成維持週期。此處，T s ( η - 1 )週期會開啓預定的像素。 在後述中’假設對其餘η - 2個副框重覆類似操作， 以致於維持週期T s ( η - 2 )、T s ( η — 3 )、 …、T s 1會被設定，且預定的像素係在個別的副框中被 點亮。 在η個副框週期完成之後，一框週期即完成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意’從η個維持週期T s 1、έ、T s η中，至少一 維持週期期間E L元件發光的亮度會被設定爲總是低於其 它維持週期中E L元件發光的亮度。 假使發光亮度爲其它維持週期中的發光亮度的i /m 之維持週期被取爲T s p (其中p係大於或等於1及小於 或等於η之任意數）時，則從維持週期τ s 1、......、 丁 s η中，維持週期T s ρ以外之維持週期的長度會表示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -88 _ 510147
五、發明說明择6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 成2 — ( 11 — 1 )。此外，維持週期T S p的長度會表示成 2 (P —1 ) x m。注意，m係大於1之正數。因此，即使 維持週期T s p期間E L元件發光的亮度爲其它維持週期 期間發光焭度之1 /m時，則維持週期丁 s p的長度會被 設定爲2 ( p — 1 ) Τ X m，因而可以取得預定的灰階顯示 結果，無論η個維持週期Tsl、 ......、 Tsn中 何者被取爲維持週期T s p，且無論形成多少維持週期 T s p，假使每一維持週期τ s 1、......、τ s η期間 由EL元件發射的光量被取爲1^〇1、......、：Lmn時 ，貝丨J L m 1 : L m 2 ·· L m 3 : ...... ： L m ( η - 1 ) • L m π — 2 0 · 2 1 ·· 2 ~ 2 · ...... ： 2-(n-2)： 2 — ( 11 — 1 )。注意’ S F 1至S F n可以以任意順序出現 ’因此，維持週期T s 1、......、T s η的出現次序也 爲任意的。藉由合倂維持週期，可從2 11灰階中執行所需的 灰階顯示。 每一像素的灰階會由被選爲一框週期期間用於發光的 副框週期所決定。舉例而言，假使η = 8，且在所有維持 週期期間具有發射光之像素的亮度被取爲1 〇 〇 %時，則 對於T s 1及T s 2中發光之像素的情形而言，亮度會表 示成75%，且當Ts3、 Ts5、及Ts8被選取時， 亮度可表示成16%。 根據本發明，即使T F T的I d - V g特性稍微變化 ，仍可藉由上述結構抑制施加相等的閘極電壓時電流輸出 W---J, I ----I--- — — !!訂--I I 11 I--線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 89 - 510147 A7 _ B7 五、發明說明F ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 量的離散。因此，能夠避免相同的電壓訊號輸入時相鄰像 素的E L元件所發射的光量因I d - V g特性的變化而大 幅不同之情形。 此外，在維持週期T s p中，E L元件發光之時間總 量可設定爲2 — (P — ^Txm (其中T係正的常數），在 維持週期T s p中，E L·元件發射的光之亮度爲其它維持 週期期間發光的亮度之Ι/m。藉由使用上述結構，及藉 由增加影像灰階的數目，位元數目η會變得較大，且即使 以2 — ( η — 1 ) Τ表示的維持週期之長度變得較短時，E L 元件發射的光之亮度會被調節成其它維持週期中發射的光 之亮度的1 / m，維持週期的長度會設定爲2 — ( ρ — 1 > Τ X m，且變成能夠將其延伸。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意，藉由本發明的上述結構，相對電極的電位總是 維持不變，而像素電極之電位會被定址週期及維持週期改 變，且關閉E L驅動器電壓或開啓E L驅動器電壓會施加 至E L層。但是，本發明不限於此結構。或者，像素電極 之電位可以總是維持不變，且藉由定址週期及維持週期以 改變相對電極之電位，可將關閉E L驅動器電壓或開啓 E L驅動器電壓施加至E L層。在此情形中，藉由控制相 對電極的電位，可執行E L元件的亮度調節。 此外，藉由本發明的上述結構，關閉E L驅動器電壓 會取爲零且使E L元件不發光，但是，關閉E L驅動器電 壓也可設定爲與開啓E L驅動器電壓相同之電壓且在定址 週期期間也會發光。在此情形中，電源電位及穩態電位總 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -90 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 --— _B7__ 五、發明說明押） 是維持在固定値。但是，在副框週期變成發光週期的情形 中’副框週期的長度因而設定爲SF1、SF2、······ 、SFn = 2〇T、 2 ' 1 T . ......、 2 — (n — 1)fT 且具 有1 / m的亮度之副框週期的長度會設定爲2 — ( 11 — 1 > T X m。相較於定址週期期間不發光之驅動器方法的影像亮 度’藉由上述結構可取得具有高亮度之影像。 在本實施例中，解釋裝置以非跳行掃描驅動之實施例 ’但是，發明的裝置也能以跳行掃描驅動。 此外，能夠組合實施例9的構成與實施例1、3及8 中任意實施例之構成。 〔實施例1 0〕 接著，將解釋本發明之E L顯示器的不同驅動方法。 將解釋根據4位元數位資料訊號以執行2 4灰階顯示之情形 。注意，時序圖與用於本發明的實施例2所示之情形相同 ，因此，可參考圖6。 實施例1 0之E L顯示器之像素部份的結構與圖1中 所示相同。用於輸入閘極訊號之閘極訊號線（G 1至G y )會連接至每一像素的切換T F T之閘電極。此外，每一 像素的切換T F T之源極及汲極區中的一組區域會連接至 源極訊號線（S 1至S X )以輸入數位資料訊號，而另一 組區域會連接至每一像素的E L驅動器T F T的閘電極， 及連接至每一像素的電容器。注意，雖然實施例1 0中使 用具有電容器之結構，但也可使用未包含電容器之結構。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -91 - — 1 — — — — — — — · I I I I I I I ^ 11111111 , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 A7 ___ B7 五、發明說明炉9 ) 對本發明而言，對於電容器的存在與否並無限制。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) E L驅動器T F T之源極與汲極區中之一組區域會連 接至電源線（V 1至V X )，而另一組區域會連接至E L 元件。電源線（V 1至V X )的電位稱爲電源電位。此外 ，電源線（V 1至V X )會連接至每一像素的電容器。 E L元件由陽極、陰極、及形成於陽極與陰極之間的 E L層所構成。當陽極連接至E L驅動器T F T的源極區 或汲極區時，亦即，當陽極爲像素電極時，則爲相對電極 之陰極會維持在固定電位。相反地，對於陰極連接至E L 驅動器T F T的源極區或汲極區之情形而言，亦即，當陰 極爲像素電極時，則爲相對電極之陽極會維持在固定電位 。此外，在本說明書中，相對電極的電位稱爲穩態電位。 相對電極的穩態電位與像素電極的電源電位之電位差 係E L驅動器電壓，且E L驅動器電壓會施加至E L層。 圖6係顯示有關於本實施例的E L顯示器之數位驅動 的時序圖。首先，一框週期（F )會分成4個副框週期（ S F 1 至 S F η )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 副框週期會分成定址週期（T a )及維持週期（T s )。定址週期係在一副框週期期間，將數位資料訊號輸入 至所有像素所需的時間，而維持週期（也稱爲開啓週期） 代表E L元件發光之週期。 具有SF 1至SF4的定址週期（Ta )分別變成 T a 1至T a 4。具有S F 1至S F 4的維持週期（T s )分別變成Tsl至Ts4。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -92 - 510147 A7 -- - B7 五、發明說明（?〇 ) (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 首先，在定址週期中，電源線（V 1至V η )會保持 在與穩態電位等高之電源電位。在本說明書中，數位驅動 定址週期中之電源電位稱爲關閉電源電位。注意，關閉電 源電位的位準可設定成同於E L元件不發光之範圍內的穩 態電位之位準。注意，此時之E L驅動器電壓稱爲關閉 E L驅動器電壓。理想上，希望關閉E L驅動器電壓爲 0V，但是，可設定在EL元件不會發光之位準。 然後，閘極訊號會輸入至閘極訊號線G 1 ，以致於連 接至閘極訊號線G 1之所有切換T F Τ都會被開啓。 藉由連接至閘極訊號線G 1之開啓狀態的切換T F Τ ，數位資料訊號會依序輸入至源極訊號線（S 1至S X ) 。數位資料訊號具有資訊> 0 〃及a 1 〃且數位資料訊號 '' 0 〃及1 〃將爲具有高電壓而另一者爲具有低電壓之 訊號。 輸入至源極訊號線（s 1至S X )之數位資料訊號接 著經由處於開啓狀態之切換T F T而輸入至E L驅動器 TFT 的閘電極。此外，數位資料訊號也會輸入至連接 至閘極訊號線G 1之所有像素的電容器，且電荷會被儲存 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇 接著，閘極訊號會輸入至閘極訊號線G 2，以致於連 接至閘極訊號線G 2之所有切換T F T 會開啓。然後’ 在連接至閘極訊號線G 2之切換T F T處於開啓的狀態中 ，數位資料訊號會依序輸入至源極訊號線（S 1至S 4 ) 。輸入至源極訊號線（S 1至S X )之數位資料訊號會經 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -93 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 ____B7__ 五、發明說明（P1 ) 由切換T F T而輸入至E L驅動器T F T的閘電極。此外 ，數位資料訊號也會輸入至連接至閘極訊號線G 2的所有 像素之電容器，並被固持。 重覆上述操作直至閘極訊號線G y，則數位資料訊號 會輸入至所有像素。直至數位資料訊號輸入至所有像素爲 止之週期係定址週期。 在定址週期完成時，維持週期同時開始。當維持週期 開始時，電源線（V 1至V X )的電位會從關閉電源電位 改變成開啓電源電位。在本實施例中，數位驅動維持週期 期間之電源電位稱爲開啓電源電位。開啓電源電位具有 E L元件發光之位準與穩態電位之間的電位差。注意，此 電位差係稱爲開啓E L驅動器電壓。也注意，關閉電源電 位與開啓電源電位通常稱爲電源電壓。此外，開啓E L驅 動器電壓與關閉E L驅動器電壓通常稱爲E L驅動器電壓 〇 在維持週期中，所有的切換T F T會設定於關閉狀態 。儲存於電容器中的數位資料訊號接著輸入至E L驅動器 T F T的閘電極。 當數位資料訊號包含> 0 〃資訊時，則在本發明的實 施例中E L驅動器T F T會被設定於關閉狀態。E L元件 的像素電極因而維持在關閉電源電位。結果，具有包含> 0 〃資訊之數位資料訊號所施加之像素的E L元件不會發 光。 另一方面，對於本實施例中具有'' 1 〃資訊之情形而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -94 - — — — — — — — — —— — — II 111111 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510147 A7 一——— B7 五、發明說明（P2 ) 言’ E L驅動器T F T會開啓。E L元件的像素電極因而 具有開啓電源電位。結果，具有包含、、1 〃資訊之數位資 料訊號所施加的像素之E L兀件會發光。 在維持週期完成時，定址週期再度開始，且當資料訊 號輸入至任一像素時，維持週期開始。所有週期T s 1至 T s 3在此點變成維持週期。此處，T s 3週期會開啓預 定的像素。 對其餘2個副框週期順序地重覆類似操作，以致於 丁 s 2、T s 1會被依序設定爲維持週期，且預定的像素 係在個別的副框中被點亮。 在4個副框週期完成之後，一框週期即完成。 注意，從4個維持週期T s 1、......、T s η中， 至少一維持週期期間E L元件發光的亮度會被設定爲總是 低於其它維持週期中E L元件發光的亮度。在本實施例中 ，維持週期T s 3及T s 4期間E L元件的發光亮度爲維 持週期T s 1及T s 2期間E L元件發光亮度的一半。換 言之’維持週期T s 3及T s 4期間開啓E L驅動器電壓 係其它維持週期T s 1及T s 2期間的E L驅動器電壓之 一半。 發光強度爲其它維持週期的一半之維持週期T s 3及 T s 4以外的維持週期T s 1及T s 2的長度分別以Τ及 2 — 1 Τ表示。此外，維持週期τ s 3及T s 4分別以 2— 2丁><2及2— 3Tx2表示。亦即，維持週期Ts 1至 T s4的長度比爲1 : 2 1 : 2 — 1 : 2— 2。因此，即使 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）Γ95Τ 1丨丨β丨丨丨^--.! 丨丨—丨訂i丨！！--· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明押） 維持週期T s 3及T s 4期間E L元件發射的光之亮度爲 其它維持週期期間發射的光之亮度的一半，但是維持週期 T s 3及T s 4對所有維持週期之長度比仍爲發射的光之 亮度未設定成一半之情形的二倍。因此，即使維持週期 T s 3及T s 4中E L元件發射的光之亮度爲其它維持週 期的發光亮度之一半，但是維持週期T s 3及T s 4的長 度比仍會設定成二倍長，且可取得所需的灰階顯示。 結果，在本實施例中，雖然維持週期T s 3及T s 4 中E L元件發射的光之強度設定爲一半，維持週期τ s 1 、......、Ts4中不論那一週期中亮度會減少，不管亮 度減少多少、及不論形成多少低亮度維持週期，則假使每 一維持週期T s 1、......、T s 4期間由E L元件發射 的光量取爲L m 1、......、：L m 4時，則L m 1 : · · · · ·· : 二 2〇: 2 一 工：2— 2: 2-3。注意，SF1 至 S F 4可依任何次序出現，因此，維持週期丁31、·..· • ·、T s 4的出現次序也是任意的。藉由結合維持週期， 可以自2 4灰階中執行所需的灰階顯示。 每一像素的灰階會由一框週期期間那些副框週期被選 取用於發光所決定。舉例而言，假使η = 4，且在所有維 持週期期間具有發射光之像素的亮度會被取爲1 〇 〇 %， 然後’對於T s 1及T s 2中發光之像素的情形而言，亮 度係表示成80%，且當Ts2、 Ts3、及Ts4被選 取時，亮度可表示成4 7%。 根據本發明，即使T F T的I d - V g特性稍微變化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-96 - ------— II訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明Μ ) ’則藉由上述結構可抑制施加相等閘極電壓時電流輸出量 的離散。因而能夠避免即使相同的視頻訊號輸入時相鄰像 素的EL元件的發光量因Id-Vg特性變化而大幅不同 的情形。 此外，在發光亮度爲其它維持週期T s 1至T s η中 的發光亮度的1 / m之維持週期T s ρ中，假使其它維持 週期T s 1至T s η的長度取爲2 — (η — 1)ΓΓ (其中T係 正的常數），則EL元件發光的時間量可取爲 2 — ( Ρ — 1 ) Τ X m。根據上述結構，藉由調節維持週期 T s ρ期間E L元件的發光亮度爲其它維持週期期間發光 亮度之1 / m，則相較於維持週期T s ρ期間發光亮度未 設定爲1 / m之情形，可以將維持週期T s ρ對所有維持 週期之長度比會延伸爲m的倍數。因此，根據影像灰階數 目的增加，即使位元數目η變得較大且維持週期的長度變 得較短時，藉由降低E L元件的發光亮度，仍可延長維持 週期的長度。 此外，雖然在實施例中說明非跳行掃描之驅動實施例 ，但是，也能夠以跳行驅動。 此外，能夠組合實施例1 0的構成與實施例1、3及 8中任意實施例之構成。 〔實施例1 1〕 藉由執行本發明而形成的E L顯示裝置（E L模組） 由於其自行發光特性，所以，在明亮處之可見度上優於液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -97 - mmmf Mm— ϋ ·1 Mat 一：譲 η·· a··· I μην mmm mm·· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _ MU14/ A7 ' 〜------ B7___ 五、發明說明（P5 ) 曰曰^ ^ S °因此’本發明可作爲直視型E L顯示器（意 ί曰配備有E L模組之顯示器）的顯示部份。關於e l顯示 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 有個I人電腦監視器、Τ ν接收監視器、廣告顯示監視 器、等等。 $ # S月可對包含顯示器作爲構成部份之所有電子設備 操作。 關於電子設備’有E L顯示器、攝影機、數位相機、 9頁戴式顯7Κ器、汽車巡航器、個人電腦、攜帶式資訊終端 (行動電腦、行動電話、電子書、等等）、及設有記錄介 質之影片再生器（特別地，可再生記錄介質及配備有能顯 示諸如小型碟片（C D )、雷射光碟（L D )、或數位視 頻碟片（DVD))。電子設備的實施例顯示於圖I?中 〇 圖17 (A)係顯示個人電腦，其包含本體2〇〇1 、殼2002、顯示部份2003、及鍵盤2004。本 發明可作爲顯示裝置2 0 〇 3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖17 (B)係顯示攝影機，包含本體2101、顯 示裝置2 1 〇 2、語音輸入部份2 1 0 3、操作開關 2 1 〇 4、電池2 1 〇 5、及影像接收部份2 1 0 6。本 發明可作爲顯不裝置2 1 0 2。 圖1 7 ( c )係顯示頭戴式E L顯示器的部份（右側 )，包含本體2 3 0 1、訊號纜線2 3 0 2、頭部固定帶 2 3 〇 3、顯示監視器2 3 0 4、光學系統2 3 0 5、及 顯示裝置2306。本發明可作爲顯示裝置2306。 尺度適規格（210 X 297 公釐)^8- ~一 ΚΙ ' 一-------— Β7 五、發明說明（96 ) 圖1 7 ( D )係顯示設有記錄介質之影片再生器（特 ^地’DVD再生播放器）’包含本體2401、記錄介 貝2 4 〇 2 ( C D、L D、d V D、等等）、操作開關 24〇3、顯示裝置（a) 24〇4、及顯示面板（b) 2405。顯τκ裝置（a) 24Q4主要顯示影像資訊， 而顯不裝置（b) 2405主要顯示文字資訊。本發明可 作爲顯示裝置（a) 2404及（b) 2405。本發明 可應用至作爲設有記錄介質之影片再生器之C D播放器或 是遊戲機。 圖1 7 ( E )係顯示可攜式（行動式）電腦，包含本 體2 5 0 1、相機部份2 5 〇 2、影像接收部份2 5 0 3 、操作開關2 5 0 4、及顯示部份2 5 〇 5。本發明可作 爲顯示裝置2505。 假使未來增強E L材料的發光亮度，則本發明將可應 用至前或後投影型投影機。 如上所述’本發明具有相當寬廣的應用範圍，並可應 用至所有領域的電子設備。藉由使用實施例1至1 〇之自 由組合所造成的任何結構，可實現本實施例之電子設備。 根據本發明的上述結構，能夠根據施加至E L元件之 E L驅動器電壓調節E L元件的發光亮度，且能夠在紅色 、藍色、及綠色發光亮度之間的良好平衡下，顯示生動影 像。此外，即使由E L驅動器T F T所控制的電流量因施 加的電壓變得較大而增加時，可抑制E L驅動器T F 丁的 劣化。 — — — — — ΙΙΙΙΙ1Ι ·丨丨-丨·!訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -99 - 510147 A7 ------B7 五、發明說明（97 ) 根據本發明，即使T F T的I d — V g特性稍微變化 ’當施加相等閘極電壓時之輸出電流量可由上述結構抑制 。因此，即使在相同的電壓訊號輸入下，仍能夠避免相鄰 像素的E L元件的發光量因I d - V g特性之變化而大幅 地不同。 此外，在E L元件的發光亮度爲其它維持週期T s 1 至T s η中發射的光亮度之Ι/m之維持週期T s p中， 假使其它維持週期T s 1至T s η的長度取爲 2 — ( η — 1 ) Τ (其中Τ爲正的常數）時，則E L元件的發 光時間可設爲2 _ ( Ρ — 1 > Τ X m。根據上述結構，藉由調 節維持週期T s p期間E L元件發光的亮度爲其它維持週 期期間發光亮度的1 / m，則相較於維持週期T s p期間 發光的亮度未設定爲1 / m之情形，維持週期T s p對所 有維持週期之長度比可延長m的倍數。因此，根據顯示灰 階目之增加，即使位元數目η變成較大且維持週期的長度 變得較短時，藉由降低E L元件的發光亮度，仍可延長維 持週期的長度。 -n «ϋ n Ι ·ϋ I 1 一：aJa ·ϋ ϋ ϋ n n I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -100-

Claims (1)

  1. 510147
    A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第89 122364號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年7月1*7日修正 1 · 一種發光裝置，包括： 多個發光元件；及 具有該多個發光元件之多個像素； 其中： 框週期包括η個副框週期s F 1、s F 2 S F F η分別 及維持週 中的數位 2、· · ·. 發光； η中.，至 1且小於 爲T s ρ 外之大於 元件發光 111 (其中 η個副框週期S F 1、S F 2、.. Τ 具有定址週期T a 1、T a 2、·· ·· .· 期 T s 1、T s 2、......、Τ s η ; Τ 定址週期 Τ a 1、Τ a 2、· · . · ·. 資料訊號會輸入至多個像素； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據數位資料訊號，維持週期T s丨、T s ··、T S η期間，多個發光元件會被選爲發光或不 在維持週期 丁 s 1、T s 2、· · .. ..、τ s 少一維持週期T s ρ期間（其中ρ係大於或等於 或等於η之自然數），由發光元件所發光之亮度 除外之任何維持週期T s q期間（.其中q係ρ除 或等於1且小於或等於η之任意自然數）由發光 的亮度之1 /m (其中m係大於1之正數）； 維持週期T s p的長度表示成2 — ( p - 1 ) Τ ·χ Τ係正的常數）；及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 510147 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ^、- 維持週期T s Q的長度表示成2 ~ ( Q ~ 1 ) τ , 1 (其中Τ 係正的常數）。 2 ·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中. 該多個發光元件均具有第一電極、第二電編 〜、及形成 於第一電極與第二電極之間的電發光層；及 電發光層包含低分子量有機材料或有機聚合物材半斗 3.—種發光裝置，包括： 多個發光元件；及 具有該多個發光元件之多個像素； 其中： 一框週期包括η·個副框週期S F 1、S F 2 ^ · · · · · 、S F η ； η個副框週期S F 1、S F 2、......、S F n分別 具有定址週期Tal、 Ta2、 ....... Tan及維持週 期 Tsl、 Ts2、 ......、Tsn; 定址週期T a 1、T a 2、.......τ a η中的數位 資料訊號會輸入至多個像素； 根據數位資料訊號，維持週期丁31、丁32、.·.· • ·、T s η期間，多個發光元件會被選爲發光或不發光； 在維持週期T s 1、T s 2、····.·'·、T s η中，至 少一維持週期T s ρ期間（其中ρ係大於或等於1且小於 或等於η之自然數），由發光元件發光之亮度爲Tsp除 外之任何維持週期T s q期間（其中q係ρ除外之大於或 等於1且小於或等於η之任意自然數）由發光元件發光的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 - 510147
    T X m (其中 } T (其中τ 電極、及形成 一電極與第二 ’其中電發光 ’其中低分子 三鹽鋁絡合物 ’其中有機聚 (聚乙烯基咔 ’其中一框週 :其中一框週 其中： 料以便校正顯 亮度之1 /m (其中m係大於1之正數）； 維持週期T s p韵長度表示成2 - ( p - 1 . T係正的常數）； 維持週期T s q的長度表示成2 — ( Q ~ 係正的常數）； 該多個發光元件均具·有第一電極、第二 於第一電極與第二電極之間的電發光層；及 由發光元件所發光的亮度係由施加於第 電極之間的開啓Έ L驅動器電壓所控制。 4 ·如申請專利範圍第3項之發光裝置 層包含低分子量有機材料或有機聚合物材料。 5 ·如申請專利範圍第4項之發光裝置 量有機材料係由A 1 q 3 ( 3個—8 —喹林 )或TPD (3個苯胺介電物）製成。 6 .如申請專利範圍第4項之發光裝置 合物係由P P V (聚對苯撐乙烯）、P V K 唑）或聚碳酸酯製成。 7 ·如申請專利範圍第1項之發光裝置 期係等於或小於1 / 6 0秒。 8 ·如申請專利範圍第3項之·發光裝置 期係等於或小於1 / 6 0秒。 9 .如申請專利範圍第1項之發光裝置， 發光裝置具有記憶體電路以儲存校正資 示；及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3 - 510147 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 由記憶體電路校正的數位視頻訊號會輸入至源極訊號 側驅動電路。 1 〇 ·如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中： 發光裝置具有記憶體電路以儲存校正資料以便校正顯 示；及 ， 由記憶體電路校正的.數位視頻訊號會輸入至源極訊號 側驅動電路。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中發光 裝置係使用爲一包括本體、殼及鍵盤之電應的顯示部分。 1 2 ·如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中發光 裝置係使用爲一包括本體、殼及鍵盤之電腦的顯示部分。 1 3 .如申蕭專利範圍第1項之發光裝置，.其中發光 裝置係使用爲一包括本體、語音輸入部分、操作開關及影 像接收部分之攝影機的顯示部分。 1 4 .如申請專利1範圍第3項之發光裝置，其中發光 裝置係使用爲一包括本體、語音輸入部分、操作開關及影 像接收部分之攝影機的顯示部分。 ·. 1 5 ·如申請專利範.圍第1項之發光裝置，其中發光 裝置係使用爲一包括本體及操作開關之D V D播放器的顯 示部分。 . 1 6 ·如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中發光 裝置係使用爲一包括本體及操作開關之D V D播放器的顯 示部分。 · · 1 7 · —種驅動發光裝置之方法，該發光裝置包括設 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    ^氏張尺度適用中國國家標準（CNsTa4規格（210 X 297公釐）> · 510147 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 在多個像素的多個發光元件，其中，一框包η個副框，至 少一第Ρ個副框的框週期爲Τ X 2 ρ — 1X m，其它第i個副 框的框週期爲T X 2 1 — 1，且於第p個副框期間該發光元件 的發光強度爲第i個副框期間光強度之1 /m，其中T係 正常數，m係大於1之正數。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -5 -
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