KR20050095442A - 유기전계발광소자의 구동방법 - Google Patents

유기전계발광소자의 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기전계발광소자의 구동방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은, 서브프레임의 발광비율을 이진 코드의 비율에 따라 할당함으로써 발생하는 화상 표시의 문제를 해결할 수 있는 유기 EL의 구동방법을 제공함에 있다.
본 발명은, 다수의 화소가 배열된 유기전계발광소자의 구동방법으로서, 하나의 프레임을 m 개의 서브프레임으로 나누는 단계와; 상기 m 개의 서브프레임 각각에 대응하는 m 개 비트의 데이터 신호를 상기 순차적으로 인가하는 단계와; 상기 인가된 데이터 신호의 비트에 따라 상기 화소를 발광하는 단계를 포함하고, 상기 m 개의 서브프레임 각각의 발광 시간의 비율은 이진 코드와 비이진 코드의 조합으로 이루어지는 유기전계발광소자의 구동방법을 제공한다.
본 발명은, 이진 코드와 비이진 코드 단위로 발광 시간 비율을 조절하여 계조를 표현함으로써, 이진 코드 단위로 발광 시간 비율을 조절하여 계조를 표현함에 따라 발생하던 경계명멸현상과 의사윤곽현상을 현저하게 감소시키는 효과가 있다.

Description

유기전계발광소자의 구동방법{Driving method of Organic electroluminescence diode}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기전계발광소자의 구동방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계방출표시장치(Field Emission Display : FED) 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device : 이하 "유기 EL"라 한다) 등이 있다.
이들 중에 PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. 이에 비하여, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 한다)가 적용된 액티브 매트릭스 LCD는 반도체공정을 이용하기 때문에 대화면화에 어려움이 있지만 노트북 컴퓨터의 표시소자로 주로 이용되면서 수요가 늘고 있다. 이에 비하여, 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자(유기 EL)로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
도 1은 유기 EL의 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 발광 다이오드는 유리기판(1) 상에 투명전극패턴으로 애노드전극(2)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(3), 발광층(4), 전자주입층(5)이 적층된다. 전자주입층(5) 상에는 금속전극으로 캐소드전극(6)이 형성된다.
애노드전극(2)과 캐소드전극(6)에 구동전압이 인가되면 정공주입층(3) 내의 정공과 전자주입층(5) 내의 전자는 각각 발광층(4) 쪽으로 진행하여 발광층(4)을 여기시켜 발광층(4)으로 하여금 가시광을 발산하게 한다. 이렇게 발광층(4)으로부터 발생되는 가시광으로 화상 또는 영상을 표시하게 된다.
전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기 EL은 계조를 표시하기 위해 표면영역분할 구동방법과 시분할 구동방법이 사용된다.
표면영역분할 구동방법은 하나의 화소(pixel)를 다수의 서브화소(sub-pixel)로 분할하고, 다수의 부화소 각각을 디지털 데이터 신호에 따라 독립적으로 분할하여 계조 표시를 수행하게 된다. 그런데, 표면영역분할 구동방법은 화소 구조가 복잡하다는 문제가 발생한다.
한편, 시분할 구동방법은 화소의 온(On) 시간을 제어하여 계조 표시를 수행하게 된다. 하나의 프레임(frame)을 다수의 서브프레임(sub-frame)으로 분할하여 계조 표시를 수행하게 된다. 서브프레임 기간 동안 화소를 디지털 데이터 신호에 따라 온/오프(On/Off) 상태로 하여, 하나의 프레임 기간 내에 나타나는 모든 표시 시간을 합하여 화소의 계조를 표시하게 된다.
유기 EL은 액정에 비해 응답속도가 빠르기 때문에 시분할 구동에 적합하게 사용될 수 있다.
이하, 유기 EL의 시분할 구동에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
도 2는 종래의 유기 EL의 시분할 구동에 대한 데이터 신호의 타이밍을 도시한 도면이다. 그리고, <도표 1>은 8 비트로 표현된 계조와 서브프레임의 발광 관계를 나타낸 도표이다.
< 도표 1 >
서브프레임 SF8 SF7 SF6 SF5 SF4 SF3 SF2 SF1
발광시간비율 128 64 32 16 8 4 2 1
계 조 ... ... ... ... ... ... ... ... ...
125 0 1 1 1 1 1 0 1
126 0 1 1 1 1 1 1 0
127 0 1 1 1 1 1 1 1
128 1 0 0 0 0 0 0 0
129 1 0 0 0 0 0 0 1
... ... ... ... ... ... ... ... ...
도 2와 <도표 1>에 나타낸 바와 같이, 하나의 프레임(F)은 다수의 서브프레임(SF)으로 나뉘어진다. 하나의 프레임(F)은 이진 코드(binary code)로 표시되는 데이터 신호의 비트(bit)수에 대응하여 다수의 서브프레임(SF)으로 나뉘어지는데, 도 2에서는 8 비트 데이터 신호를 사용하여 256(28) 개의 계조를 표현하는 경우이고, 그에 따라 8 개의 서브프레임(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6, SF7, SF8)으로 나뉘어지게 된다.
각 서브프레임(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6, SF7, SF8)은 데이터 신호의 각 비트에 해당된다. 즉, 최하위비트는 제 1 서브프레임(SF1)에 대응하며, 마찬가지로 최상위비트는 제 8 서브프레임(SF8)에 대응하게 된다.
각 서브프레임(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6, SF7, SF8)은 발광시간(LT)과 소광시간(UT)으로 이루어지며, 서브프레임의 발광시간(LT)은 대응하는 비트의 크기에 따르게 되는데,
LT1 : LT2 : LT3 : LT4 : LT5 : LT6 : LT7 : LT8
= 20 : 21 : 22 : 23 : 24 : 25 : 2 6 : 27
의 비율과 같이 이진 코드에 따르게 된다.
각 서브프레임 기간 동안에는 유기 EL의 전체 화소를 수직(vertical) 방향, 예를 들면 유기 EL 패널의 상부에서 하부 방향(V-scan 방향)으로 순차적으로 스캔(scan)하여 발광하게 되므로, 발광시간은 각 서브프레임(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6, SF7, SF8) 내에서 도시한 바와 같은 사선을 따르게 된다.
서브프레임의 발광시간(LT)을 모두 합하게 되면 화소의 계조를 표현할 수 있게 된다.
<도표 1>에서, "1" 신호에 대해서 화소는 발광하게 되고, "0" 신호에 대해서 화소는 비발광하게 되며, "1" 신호에 대한 각 서브프레임의 발광시간을 모두 합하여 계조를 표시하게 된다.
그런데, <도표 1>에 나타낸 바와 같이, 01111111(127) 계조와 10000000(128) 계조의 관계와 같이 2n-1 계조와 2n계조를 표시하는 경우에, 두 계조는 각 비트의 "0"과 "1"이 서로 반대의 값을 가지게 된다. 따라서, 두 계조를 각각 표시하는 화소는 온 시간(발광시간)과 오프 시간(비발광시간)이 서로 교차하여 나타나게 된다. 즉, 127 계조의 경우 SF1 에서 SF7 서브 프레임까지 발광이 되며, 128 계조의 경우 SF8 서브 프레임에서만 발광이 되어, 127 계조와 128 계조는 번갈아 가면서 발광된다. 이와 같이 발광되면, 두 계조의 경계에서는 정지화상의 경우에 시점의 이동으로 인한 경계명멸현상(border flicker)이 발생하고, 동화상의 경우에 의사윤곽현상(dynamic false contour)이 발생하게 된다.
특히, 서로 반대되는 값을 갖는 비트가 그 계조의 대부분을 차지하게 되는 경우에, 위와 같은 현상은 더욱 증가하게 된다. 예를 들면, 01111111(127) 계조와 10011111(159) 계조는 6, 7, 8 번째 비트가 서로 반대되는 값을 가져, SF6, SF7, SF8 서브프레임에서 번갈아 발광하게 된다. 번갈아 발광하게 되는 비율은,
127 계조의 경우 (0+64+32)/127*100 = 76 % 이고,
159 계조의 경우 (128+0+0)/159*100 = 81 % 가 되어,
발광시간의 대부분이 서로 번갈아가면서 발광하게 된다. 따라서, 경계명멸현상이나 의사윤곽현상이 현저하게 발생하게 된다.
전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 서브프레임의 발광비율을 이진 코드의 비율에 따라 할당함으로써 발생하는 화상 표시의 문제를 해결할 수 있는 유기 EL의 구동방법을 제공함에 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 다수의 화소가 배열된 유기전계발광소자의 구동방법으로서, 하나의 프레임을 m 개의 서브프레임으로 나누는 단계와; 상기 m 개의 서브프레임 각각에 대응하는 m 개 비트의 데이터 신호를 상기 순차적으로 인가하는 단계와; 상기 인가된 데이터 신호의 비트에 따라 상기 화소를 발광하는 단계를 포함하고, 상기 m 개의 서브프레임 각각의 발광 시간의 비율은 이진 코드와 비이진 코드의 조합으로 이루어지는 유기전계발광소자의 구동방법을 제공한다.
여기서, 상기 m 개의 서브프레임 중 선택된 하나의 서브프레임의 발광 시간은 이전 프레임들의 발광 시간의 합보다 작을 수 있다.
그리고, 상기 화소가 표현하는 계조의 수가 2n인 경우에, m ≥ n 의 관계를 가질 수 있다. 상기 n 의 비트수를 갖는 소스 데이터 신호를 상기 m 개 비트의 데이터 신호로 변환하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소를 발광하는 단계 이후에 소광하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.
본 발명은 각 서브프레임의 발광시간을 이진 코드 및 비이진 코드의 비율로 할당하여 교차 발광 비율을 낮춤으로써 경계명멸현상과 의사윤곽현상을 감소시킬 수 있게 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자(유기 EL)를 도시한 도면이고, 도 4는 도 3의 화소를 확대하여 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 유기 EL(100)은 매트릭스 형태로 배치된 다수의 화소(P)와, 화소(P)에 데이터 신호를 전달하는 데이터 배선(DL)과, VDD 신호를 전달하는 VDD 배선(VDDL)과, 화소(P)에 표시 게이트 신호를 전달하는 표시 게이트 배선(GPL)과, 비표시 게이트 신호를 전달하는 비표시 게이트 배선(GEL)으로 구성된다.
화소(P)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 제 1, 2 스위칭 트랜지스터(ST1, ST2)와, 드라이빙 트랜지스터(DT)와, 스토리지 캐패시터(C)와, 유기 발광 소자(D)로 구성된다.
제 1 스위칭 트랜지스터(S1)의 게이트 전극은 표시 게이트 배선(GPL)과 연결되어 있고, 소스 전극은 데이터 배선(DL)과 연결되어 있고, 드레인 전극은 드라이빙 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 연결되며 또한 제 2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 소스 전극과 스토리지 캐피시터(C)의 일 전극과 연결되고, 표시 게이트 신호에 의해 온/오프 구동하게 된다.
스토리지 캐패시터(C)는 일 전극이 드라이빙 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극과, 타 전극이 드라이빙 박막트랜지스터(DT)의 소스 전극과 연결되어, 제 1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 오프 상태에 있을 때, 드라이빙 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전압을 유지시키게 된다.
드라이빙 박막트랜지스터(DT)의 소스 전극은 VDD 배선(VDDL)과 연결되고, 드레인 전극은 유기 발광 소자(D)와 연결된다.
제 2 스위칭 박막트랜지스(ST2)의 게이트 전극은 비표시 게이트 배선(GEL)과 연결되어, 비표시 게이트 신호에 의해 온/오프 구동하게 된다.
유기 발광 소자(D)는 캐소드 전극과, 애노드 전극과, 두 전극 사이에 형성된 발광층으로 구성되고, 두 전극 사이의 전위차에 의해 발광층은 발광하게 된다.
전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기 EL은 도 5의 데이터 신호 타이밍에 의해 구동되어 계조를 표시하게 된다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL의 시분할 구동에 대한 데이터 신호의 타이밍을 도시한 도면이다. 그리고, <표 2>는 이진 코드와 비이진 코드로 표시된 계조와 서브프레임의 발광 관계를 나타낸 도표이다.
< 표 2 >
서브프레임 SF12 SF11 SF10 SF9 SF8 SF7 SF6 SF5 SF4 SF3 SF2 SF1
발광시간비율 53 47 40 33 26 19 14 10 6 4 2 1
계 조 ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...
125 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1
126 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0
127 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1
128 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0
129 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1
... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...
도 5와 <표 2>에 나타낸 바와 같이, 256 개의 계조(28)를 표시하기 위해 하나의 프레임(F)은 8 개 이상의 다수의 서브프레임으로 나뉘어질 수 있는데, 본 발명의 실시예에서는 12 개의 서브프레임(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6, SF7, SF8, SF9, SF10, SF11, SF12)으로 나뉘어진 것을 예로 든다.
그리고, 데이터 신호는 256 개의 계조를 표시하기 위해, 8 비트 소스 데이터 신호가 8 비트 이상의 데이터 신호로 변환되어 인가될 수 있는데, 본 발명의 실시예에서는 각 서브프레임(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6, SF7, SF8, SF9, SF10, SF11, SF12)에 대응하여 12 비트 데이터 신호가 인가된 것을 예로 든다.
각 서브프레임(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6, SF7, SF8, SF9, SF10, SF11, SF12)은 데이터 신호의 각 비트에 해당된다. 즉, 최하위비트는 제 1 서브프레임(SF1)에 대응하며, 마찬가지로 최상위비트는 제 12 서브프레임(SF12)에 대응하게 된다.
각 서브프레임(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6, SF7, SF8, SF9, SF10, SF11, SF12)은 발광시간(LT)과 소광시간(UT)으로 이루어지며, 서브프레임의 발광시간(LT)은 대응하는 비트의 크기에 따르게 되는데,
LT1 : LT2 : LT3 : LT4 : LT5 : LT6 : LT7 : LT8 : LT9 : LT10 : LT11 : LT12
= 1 : 2 : 4 : 6 : 10 : 14 : 19 : 26 : 33 : 40 : 47 : 53
과 같이 이진 코드와 비이진 코드의 비율로 발광하게 된다. 즉, 데이터의 하위 비트로부터 제 1, 2, 3 번째 비트의 발광시간(LT1, LT2, LT3)은 각각, 1, 2, 4의 비율로서 이진 코드 비율로 발광하게 되며, 제 4 내지 12 번째 비트의 발광시간(LT4 내지 LT 12)은 비이진 코드 비율로 발광하게 된다. 그리고, 선택된 서브프레임(제 4 서브프레임 이상)의 발광시간 비율은 그 하위의 서브프레임의 발광시간의 비율을 합한 것보다 작도록 한다. 이와 같이 하게 되면, 후술되는 바와 같이, 교차 시간의 비율을 감소시킬 수 있게 된다.
위와 같은 발광시간의 비율에 따라, 8 비트 소스 데이터는 12 비트 단위의 데이터로 변환된다.
예를 들면, 6 계조를 표시하는 8 비트 소스 데이터 00000110(4+2+0)는, 12 비트 데이터 000000000100(6+0+0)으로 변환된다. 이와 같은 방법으로 8 비트의 소스 데이터는 12 비트의 데이터로 변환된다.
이하, 도 3 내지 5와 <도표 2>를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL을 구동하는 방법을 설명한다.
먼저, 제 1 서브프레임(SF1)이 시작되면, 발광시간(LT1) 동안 제 1 표시 게이트 배선(GPL1)이 선택되어 표시 게이트 신호가 인가된다. 이에 따라, 제 1 표시 게이트 배선(GPL1)에 연결된 화소(P)의 제 1 스위칭 박막트랜지스터(ST1)는 온 상태가 된다.
이 때, 데이터 배선(DL)에는 발광시간 비율로 변환된 12 비트 데이터 신호 중 최하위 비트의 신호가 온 상태의 화소에 전달되어 드라이빙 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가된다. 여기서, 최하위 비트의 신호가 "0" 인 경우에 드라이빙 박막트랜지스터(DT)는 오프 상태가 되어 유기 발광 소자(D)는 발광하지 않게 되고, "1"인 경우에 드라이빙 박막트랜지스터(DT)는 온 상태가 되어 유기 발광 소자(D)는 발광하게 된다.
제 1 표시 게이트 배선(GPL1)의 선택이 완료되면, 제 2 표시 게이트 배선(GPL2)이 선택되어 제 2 표시 게이트 배선(GPL2)에 연결된 화소는 데이터 신호의 최하위 비트의 신호에 의해 발광 또는 비발광하게 된다. 이와 같은 방법으로 나머지 표시 게이트 배선이 순차적으로 선택된다.
전술한 바와 같이 표시 게이트 배선(GPL)은 시간 편차를 가지며 순차적으로 구동됨으로써, 도 3의 타이밍들은 사선의 형태를 갖게 된다.
한편, 제 1 서브프레임(SF1)은 최하위 비트에 대응되는 발광시간을 갖게 되므로, 화소(P)는 발광시간(LT1)이 지나게 되면 비표시 신호가 비표시 게이트 배선(GEL1)에 인가되어 소광된다.
즉, 제 1 표시 게이트 배선(GPL1)에 연결된 화소의 발광시간(LT1)이 완료되면 제 1 비표시 게이트 배선(GEL1)이 선택되어 비표시 게이트 신호가 인가된다. 이에 따라, VDD 배선(VDDL)을 통해 VDD 전위가 드라이빙 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급되어 드라이빙 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전위차는 0 V 가 됨으로써 드라이빙 박막트랜지스터(DT)는 오프 상태가 된다. 따라서, 유기 발광 소자(D)는 소광된다.
위와 같은 방법으로 나머지 비표시 게이트 배선이 순차적으로 선택되어 화소는 소광된다.
제 1 서브프레임(SF1)이 진행되면, 같은 방법으로 제 2 내지 12 서브프레임(SF2 내지 SF12)이 진행되어 하나의 프레임(F)은 완료된다.
전술한 바와 같이 구동되는 유기 EL은 종래와 같이 계조 사이에 급격한 비트 변화가 발생하지 않게 된다.
예를 들면, 127 계조와 128 계조는 이진 코드와 비이진 코드 단위로 001101111101(127), 001101111110(128)과 같이 최하위로부터 첫번째, 두번째 비트가 서로 교차하여 표시되고, 이에 대한 교차 발광 시간은 1, 2 와 같이 전체 발광시간에 비해 상당히 작은 비율에 해당되어 이진 코드를 사용하여 계조를 표현하던 종래에 비해 경계명멸현상과 의사윤곽현상은 상당히 감소하게 된다.
또한, 127 계조와 159 계조는 이진 코드와 비이진 코드 단위로 001101111101(127), 010111111100(159)과 같이 최하위 비트로부터 첫번째, 여덟번째, 열번째, 열한번째 비트가 서로 교차하여 표시되고, 이에 대한 교차 발광 비율은,
127 계조의 경우 (1+0+40+0)/127*100 ≒ 32 % 이고,
159 계조의 경우 (0+26+0+47)/159*100 ≒ 46 % 가 되어,
종래에 비해 경계명멸현상과 의사윤곽현상은 상당히 감소하게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 구동방법은 이진 코드와 비이진 코드 단위로 발광 시간 비율을 조절하여 계조를 표현함으로써, 이진 코드 단위로 발광 시간 비율을 조절하여 계조를 표현함에 따라 발생하던 경계명멸현상과 의사윤곽현상을 현저하게 감소할 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 256 개의 계조를 표현하는 방법을 예로 들었으나, 그외의 계조를 표현하는 경우에도 적용될 수 있다. 즉, 128 개의 계조, 512 개의 계조 등을 표현하기 위해서도 적용될 수 있다.
또한, 256 개의 계조를 표현하기 위해 하나의 서브프레임을 12 개와 달리, 10 개, 11 개, 13 개 등으로 나누어 표현할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 발광 시간 비율과는 다른 비율로 하나의 프레임을 12 개로 나누어 계조를 표현할 수 있다.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 이에 대한 다양한 변형이 가능하다. 그와 같은 변형이 본 발명의 정신에 포함되는 경우에, 본 발명의 권리 범위에 속한다 함은 자명한 사실이다.
전술한 바와 같이, 본 발명은, 이진 코드와 비이진 코드 단위로 발광 시간 비율을 조절하여 계조를 표현함으로써, 이진 코드 단위로 발광 시간 비율을 조절하여 계조를 표현함에 따라 발생하던 경계명멸현상과 의사윤곽현상 등의 화질문제를 현저하게 감소시키는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 유기 EL의 발광 다이오드를 도시한 단면도.
도 2는 종래의 유기 EL의 시분할 구동에 대한 데이터 신호의 타이밍을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 도시한 도면.
도 4는 도 3의 화소를 확대하여 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL의 시분할 구동에 대한 데이터 신호의 타이밍을 도시한 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명 >
F : 프레임 SF : 서브 프레임
LT : 발광시간 UT : 소광시간

Claims (5)

  1. 다수의 화소가 배열된 유기전계발광소자의 구동방법으로서,
    하나의 프레임을 m 개의 서브프레임으로 나누는 단계와;
    상기 m 개의 서브프레임 각각에 대응하는 m 개 비트의 데이터 신호를 상기 순차적으로 인가하는 단계와;
    상기 인가된 데이터 신호의 비트에 따라 상기 화소를 발광하는 단계를 포함하고,
    상기 m 개의 서브프레임 각각의 발광 시간의 비율은 이진 코드와 비이진 코드의 조합으로 이루어지는 유기전계발광소자의 구동방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 m 개의 서브프레임 중 선택된 하나의 서브프레임의 발광 시간은 이전 프레임들의 발광 시간의 합보다 작은 유기전계발광소자의 구동방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소가 표현하는 계조의 수가 2n인 경우에, m ≥ n 의 관계를 갖는 유기전계발광소자의 구동방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 n 의 비트수를 갖는 소스 데이터 신호를 상기 m 개 비트의 데이터 신호로 변환하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광소자의 구동방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소를 발광하는 단계 이후에 소광하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광소자의 구동방법.
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