JP2006243060A - 表示装置およびその駆動方法、電子情報機器、表示制御プログラム、可読記録媒体 - Google Patents

表示装置およびその駆動方法、電子情報機器、表示制御プログラム、可読記録媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】 有機EL素子を用いた表示装置において、動画質を改善すると共に、ソース配線1本当たりに必要なアクティブ素子の数を減らし、より少ないソースドライバ回路規模で多階調表示を得る。
【解決手段】 表示すべき階調数をMbit階調とするとき、1フレーム期間をNbit個のサブフレーム期間に分けて、各サブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行う。階調表示は、特定のサブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行った後、順次周辺のサブフレーム期間で階調表示を行う。階調表示が行われないサブフレーム期間があることにより動画質が改善されると共に、ソースドライバ回路から出力すべき階調数が1/Nとなり、ソースドライバ回路規模を小さくすることができる。
【選択図】 図6

Description

本発明は、有機EL(Electro Luminescence;エレクトロ・ルミネッセンス)素子やFED(Field Emission;フィールド・エミッション)素子などの電流発光素子を用いた表示装置およびその駆動方法、この表示装置を用いた携帯電話装置やPDA(PersonalDigital Assistants)などの電子情報機器、この表示装置の駆動方法をコンピュータに実行させるための表示制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体に関する。
近年、有機EL素子やFED素子などの電流発光素子を用いた表示装置の研究開発が活発に行われている。特に、有機EL素子を用いた有機ELディスプレイは、自発光で高速応答可能であるため、携帯電話装置やPDAなどの電子携帯機器に搭載可能な表示装置として注目されている。
図16は、従来の表示装置における要部構成例を示すブロック図である。
図16に示すように、この表示装置は、制御信号発生回路100と、この制御信号発生回路100からの制御信号に基づいて表示を行う有機ELディスプレイとしての表示パネル101とを備えている。
制御信号発生回路100は、制御信号として、ゲートスタートパルスYI、ゲートクロックGCKを生成して出力すると共に、スタートパルスSP、クロックclkおよびラッチパルスLPを生成して出力する。
表示パネル101は、表示部102と、ゲートドライバ回路103と、ソースドライバ回路104と、基準電流源105とを有している。
表示部102は、相互に交差(または直交)する複数のゲート配線G1,G2,…,Gn(以下、総称するときには参照符Giで示す)および複数のソース配線S1,S2,…,Sm(以下、総称するときには参照符Sjで示す)によってマトリクス状に区画された各領域に、画素部A11,A12,…,A1m,…,An1,…,Anm(以下、総称するときには参照符Aijで示す)が配置されている。
ゲートドライバ回路103は、シフトレジスタからなり、ゲートスタートパルスYIがクロックGCKにより順次シフトされた走査信号により、各ゲート配線G1〜Gnが順次選択される。
ソースドライバ回路104は、シフトレジスタ106と、レジスタ107と、ラッチ回路108と、電流出力回路109とを有している。
この図16の例では、画像データDaは6ビットであり、mビットのシフトレジスタ106によって1ビットのスタートパルスSPがクロックclkによりシフトされ、そのシフトされたスタートパルスSPのタイミングで、入力された6ビットの画像データDaが6×mビットのレジスタ107に順次保持されてゆく。6×mビットのレジスタ107によってサンプリングされたデータは、ラッチパルスLPのタイミングで6×mビットのラッチ回路108に取り込まれる。各データ信号線S1〜Smに設けられた電流出力回路109から、そのデータに対応した電流が各ソース配線S1〜Smに出力されて、ゲートドライバ回路103によって選択されている画素部に供給される。
図17は、図16の各画素部A11〜Anmにおける任意のi行j列目(i=1〜n,j=1〜m、n,mともに整数)の画素部Aijの画素回路構成例を示す等価回路図である。
図17に示すように、画素部Aijの画素回路は、特許文献1に示されている有機ELディスプレイ用回路の基本単位回路であり、階調が電流駆動レベルで表される。このため、図16に示す上記ソースドライバ回路104には、その電流駆動レベルを後述するように変化させる電流出力回路109が設けられている。
画素部Aijは、ソース配線Sjとゲート配線Giと電源配線Vsで囲まれた領域に、有機EL素子LEDと、p型TFTからなる駆動用TFT:Qaと、p型TFTからなるスイッチ用TFT:Qbおよび選択用TFT:Qcと、n型TFTからなるスイッチ用TFT:Qdと、コンデンサCaとを有している。
p型TFTからなる駆動用TFT:Qaのソース端子は、予め定められた一定電位のハイレベル電源配線Vs(図16には図示せず)に接続され、ドレイン端子はn型TFTからなるスイッチ用TFT:Qdを介して有機EL素子LEDの陽極に接続され、有機EL素子LEDの陰極はローレベルの共通配線Vcomに接続されている。また、駆動用TFT:Qaのゲート端子とソース端子との間にはコンデンサCaが接続され、そのコンデンサCaは、p型TFTからなるスイッチ用TFT:Qbおよび選択用TFT:Qcを介してソース配線Sjに接続され、ソース配線Sjと電源配線Vsとの電位差によって充電される。選択用TFT:Qcとスイッチ用TFT:Qbとの接続点は、駆動用TFT:Qaのドレイン端子に接続されている。選択用TFT:Qc、スイッチ用TFT:Qbおよびスイッチ用TFT:Qdのゲート端子はそれぞれゲート配線Giに接続されている。この構成により、有機EL素子LEDは、駆動用TFT:Qaによって駆動され、その電流駆動レベルはコンデンサCaによって保持される。
この画素部構成では、1フレーム期間に1回、ゲート配線Giがアクティブ状態であるローレベルとなり、スイッチ用TFT:Qdがオフ状態となって、選択用TFT:Qcおよびスイッチ用TFT:Qbがオン状態となる。このとき、電源配線VsからコンデンサCaおよび駆動用TFT:Qaを介してソース配線Sjに電流が流れる。このときの電流値は、ソース配線Sjに繋がるソースドライバ回路104の電流出力回路109によって制御される。
その後、上記ゲート配線Giが非アクティブ状態であるハイレベルとなり、スイッチ用TFT:Qdがオン状態となって、選択用TFT:Qcおよびスイッチ用TFT:Qbはオフ状態となる。このとき、コンデンサCaに保持されている電位に対応した電流が、駆動用TFT:Qaおよびスイッチ用TFT:Qdを介して有機EL素子LEDに流れ、有機EL素子LEDが点灯する。
図18は、図16のソースドライバ回路104における電流出力回路109の構成例を示す回路図である。なお、図18では、図16および図17に対応する部材には、同一の参照符号を付して示す。この電流出力回路109は、非特許文献1に示されている回路である。
図18に示すように、電流出力回路109は、上記6ビットのデータDaに対応して、6個のカレントコピア回路110によって構成されている。各カレントコピア回路110は、アクティブ素子Qeと、スイッチング素子Qf〜Qhと、コンデンサCbとを備えている。
各カレントコピア回路110ではそれぞれ、上記基準電流源105から入力された基準電流Ik(k=0〜5)が、メモライジング信号MSjに応答してそれぞれコピーされ、選択データDkに応じてソース配線Sjに出力される。これにより、2=64階調の表示を行うことができる。
各カレントコピア回路110において、基準電流源105からの基準電流Ikラインには、n型TFTからなるスイッチ素子Qgのドレイン端子が接続されており、このスイッチ素子Qgのソース端子はn型TFTからなるアクティブ素子Qeを介してGNDへ接続されている。また、アクティブ素子Qeのゲート・ソース間にはコンデンサCbが接続されており、アクティブ素子Qeのゲート・ドレイン間にはn型TFTからなるスイッチング素子Qfが接続されている。スイッチング素子QfおよびQgのゲート端子にはメモライジング信号MSjが与えられる。
一方、このソース配線Sjには、n型TFTからなるスイッチ素子Qhのドレイン端子が接続されており、このスイッチ素子Qhのソース端子はアクティブ素子Qeを介してGNDへ接続され、スイッチ素子Qhのゲート端子には選択データDkが与えられている。
したがって、各カレントコピア回路110では、選択データDkがローレベルとされてスイッチ素子Qhがオフ状態とされ、メモライジング信号MSjがハイレベルとされてスイッチ素子QgおよびQfがオン状態とされることによって、基準電流Ikがアクティブ素子Qeに与えられ、その電流値に対応した電圧がコンデンサCbの端子間、即ち、アクティブ素子Qeのゲート・ソース間に発生して保持される。
この状態で、メモライジング信号MSjがローレベルとされてスイッチ素子QgおよびQfがオフ状態とされ、選択データDkがハイレベルとされてスイッチ素子Qhがオン状態とされることによって、ゲート・ソース間電圧に応じた電流(基準電流Ikと等しい電流)が、ソース配線Sjからスイッチ素子Qhおよびアクティブ素子Qeを介して流れるようになる。
なお、基準電流Ikが基準電流源105から直接ソース配線Sjに出力されない理由は、ゲート配線Giがアクティブ状態であるローレベルの間に、そのゲート配線Giに対応した画素部Aijを構成する駆動用TFT:Qaの電流値を総て同時にプログラムする必要があるからである。そこで、一旦、一つのソース配線Sj当たり6個のカレントコピア回路110にその電流値をコピーする必要がある。
図19は、特許文献2に示された従来の他の階調表示方法を説明するための図である。なお、特許文献2には、1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して、時間階調と電圧階調とを組合わせて階調表示を行う方法が開示されている。
図19の例では、1フレーム期間Tfが4つのサブフレーム期間1stTsf,2ndTsf,3rdTsf,4thTsfに分けられており、各サブフレーム期間で画素部に電圧VL,VL+α,VL+2α,VL+3αの何れかが印加されることによって、VL,VL+α/4,・・・,VL+3αの13階調表示レベルが実現されている。
なお、非特許文献2には、後述するが、ホールド型表示装置の構成例が開示されている。また、非特許文献3にはCGシリコンTFTの構成例が開示されている。さらに、非特許文献4には、CGシリコンTFTプロセス例が開示されている。さらに、非特許文献5には、電流発光素子である有機EL素子の構成例について開示されている。
特表2003−529805号公報 特開2000−347634号公報 EURODISPLAY‘02,pp279-282"APoly-Si TFT 6-bit Current Data Driver for Active Matrix Organic Light EmittingDiode Displays " SID'01Digest pp.986-989 "Moving Picture Quality Improvement for Hold-typeAM-LCDs" SID'00Digest pp.924-927 "4.0-in. TFT-OLED Displays and a Novel Digital DrivingMethod" AM-LCD2000 pp.25-28 "Continuous Grain Silicon Technology and Its Applicationsfor Active Matrix Display" AM-LCD'01 pp.211-214 "Polymer Light-Emitting Diodes for use in Flat panelDisplay"
上記従来の有機ELディスプレイは、自発光で高速応答可能なディスプレイであり、動画像表示に適している。
図18に示す64階調出力の電流出力回路109を用いて図17に示す有機EL素子LEDに流れる電流を設定する方法では、1フレーム期間に1回、画素部Aijを構成するコンデンサCaの電位が設定され、その設定されたコンデンサCaの電位に対応した電流が駆動用TFT:Qaからスイッチ用TFT:Qdを介して有機EL素子LEDに流れて、有機EL素子LEDが点灯する。このため、画素部Aijを構成する有機EL素子LEDを流れる電流は、1フレーム期間、一定となる。
しかしながら、例えば非特許文献2に示されているように、画素部Aijが1フレーム期間一定の表示状態にある場合には、動画質劣化が生じる。この問題について、図20を用いて説明する。
図20(a)〜図20(c)は、非特許文献2に開示されているホールド型表示装置における課題を説明するための模式図である。
図20(a)に示すような明暗縞模様の物体が、図20(b)に示すように水平方向(x方向)に移動するときに、その移動に追随して矢印Aのように視線が動く。このとき、映像は1フレーム期間(1/60sec)固定されているため、その視線の移動に沿って、図20(c)に示すような平均輝度が見えてしまう。
このような動画質劣化は、特許文献2に開示されているように、1フレーム期間Tfを4つのサブフレーム期間1stTsf,2ndTsf,3rdTsf,4thTsfに分ける場合でも、各サブフィールド期間で表示される階調レベルに大差がない場合には、同様に生じる。
特に、有機ELディスプレイでは、図17に示す画素回路を低温ポリシリコンTFTやCGシリコンTFTを用いて構成しているため、ソースドライバ回路もICを用いずに低温ポリシリコンTFTやCGシリコンTFTを用いて構成することができる。
しかしながら、非特許文献1に示された電流出力回路108では、図18に示すように、6ビットの階調表示を行うためにソース配線1本当たり6個のカレントコピア回路110が必要となる。この場合、電流出力回路109を構成するためのTFTが4×6=24個も必要となる。
このように、上記電流出力回路を含むソースドライバ回路を低温ポリシリコンTFTやCGシリコンTFTで構成すると、その回路規模が非常に大きくなるという問題がある。
この問題は、ソースドライバ回路を構成するTFTの個数増加に繋がるため、そのTFT1個当たりの製造歩留まりが変わらないとき、そのソースドライバ回路の製造歩留まりを低下させることになる。その結果、パネルの製造歩留まりが低下し、コストアップの要因となる。
また、上記問題は、ソースドライバ回路を配置するための面積が大きくなることを意味し、額縁部(画面表示部の外側ガラスエリア)に配置されるドライバ回路の幅が広くなる。その結果、額縁部の幅が広くなり、1枚のガラスから取れるパネル枚数を減少させるため、コストアップの要因となる。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、動画質を改善できると共に、ソース配線1本当たりに必要なアクティブ素子の数を減らし、より小さなソースドライバ回路規模で必要な階調出力特性を得ることができる表示装置およびその駆動方法、この表示装置を用いた携帯電話装置やPDAなどの電子情報機器、この表示装置の駆動方法をコンピュータに実行させるための表示制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体を提供することを目的とする。
本発明の表示装置は、電流発光素子が複数配列された表示部と、表示信号に基づいて該表示部に画像を階調表示させる表示駆動手段を有する表示装置において、
該表示駆動手段は、1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、
第1サブフレーム期間を用いて0階調〜A−1階調表示が行われ(Aは2以上の整数)、
これに第2サブフレーム期間を加えてA階調〜2A−2階調表示が行われ、
分割されたサブフレーム期間だけ順次加えて該1フレーム期間を通して2A−2+1以上の階調表示を駆動可能とし、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の表示装置における表示駆動手段は、前記表示部で表示すべき階調数がMbit階調である場合に(Mは2以上の整数)、前記1フレーム期間がNbit個のサブフレーム期間に分割されて(Nは2以上の整数)、各サブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行わせる。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における表示駆動手段は、特定のサブフレーム期間で前記(M−N)bit階調表示を行った後に、順次その周辺のサブフレーム期間で該(M−N)bit階調表示を行って、1フレーム期間にMbit階調表示を行わせる。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における表示駆動手段は、1フレーム期間をB(Bは2以上の整数)サブフレーム期間に分割し、
前記表示部に0階調〜A−1階調を表示させるときに、前記第1サブフレーム期間は前記画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、該第1サブフレーム期間以外の第2サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
(x−1)A−(x−2)階調〜xA−x階調を表示させるときに、第1〜第x−1サブフレーム期間は該画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第xサブフレーム期間は該画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第x+1サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
(B−1)A−(B−2)階調〜BA−B階調を表示させるときに、第1〜第B−1サブフレーム期間は該画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第Bサブフレーム期間は該画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させる。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における表示部は、相互に交差する複数のソース配線および複数のゲート配線によってマトリクス状に区画された各領域にそれぞれ、前記電流発光素子の他に、少なくとも駆動用第1アクティブ素子およびスイッチ用第2アクティブ素子を有する画素部が配置され、
該第1アクティブ素子のゲート端子と該ソース配線とが該第2アクティブ素子を介して直接または他の素子を介して間接的に接続され、
該第2アクティブ素子のゲート端子と該ゲート配線とが接続され、該第2アクティブ素子が導通状態のときに、該第1アクティブ素子のゲート端子電圧が該ソース配線からの前記表示信号に対応した電圧に設定され、該第2アクティブ素子が非導通状態のときに、該第1アクティブ素子から該電流発光素子に対して該第1アクティブ素子のゲート端子電圧に対応した電流が供給されて階調表示が行われるように構成されている。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における表示駆動手段は、
各種制御信号を出力するコントロール回路と、
該各種制御信号のいずれかに基づいて前記ゲート配線を順次選択して走査信号を出力するゲートドライバ回路と、
該各種制御信号のいずれかに基づいて前記ソース配線を順次選択して前記表示信号を出力するソースドライバ回路とを有する。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置におけるコントロール回路は、
前記各種制御信号として、スタートパルス、クロック信号およびラッチパルスを出力し、
前記ソースドライバ回路は、
該スタートパルスが該クロック信号に合わせて順次シフトされて出力されるシフトレジスタと、
該シフトレジスタからの出力タイミング合わせて、入力画像信号をデータとして取り込むレジスタ手段と、
該データを該ラッチパルスに同期して取り込むラッチ回路と、
該ラッチ回路からの該データに対応した表示信号を前記ソース配線にそれぞれ出力して、前記ゲートドライバ回路で選択した前記画素部に供給する表示信号出力回路とを有する。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置において、前記ソース配線には前記ソースドライバ回路の表示信号出力回路が接続され、
前記第2アクティブ素子が導通状態のときに、該ソース配線を通して前記第1アクティブ素子から該表示信号入出力回路へ表示信号電流が供給されることによって、該第1アクティブ素子のゲート端子電圧が設定される。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における画素部は、
前記第1アクティブ素子、第4アクティブ素子さらに前記電流発光素子が電源配線と共通電極間に直列に接続されて設けられ、
該第1アクティブ素子のゲート端子と該電源配線との間に第1コンデンサが設けられ、
該第1アクティブ素子と該第4アクティブ素子との接続点と前記ソース配線との間に第3アクティブ素子が設けられている。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置において、前記ソース配線には前記ソースドライバ回路の表示信号出力回路が接続され、
前記第2アクティブ素子が導通状態のときに、該表示信号出力回路から該ソース配線を通して該第1アクティブ素子のゲート端子に表示信号電圧が印加されることによって、該第1アクティブ素子のゲート端子電圧が設定される。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における画素部は、
前記第1アクティブ素子、第4アクティブ素子さらに前記電流発光素子が電源配線と共通電極間に直列に接続されて設けられ、
該第1アクティブ素子のゲート端子と電位配線間に第1コンデンサが設けられ、
該第1アクティブ素子および該第4アクティブ素子の接続点が、第3アクティブ素子を介して該ゲート端子に接続されると共に、第2コンデンサさらに前記第2アクティブ素子を介して前記ソース配線に接続され、
該第2コンデンサと該第2アクティブ素子との接続点が第5アクティブ素子を介して該電位配線に接続されている。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における画素部は、
電源配線と共通電極間に第4アクティブ素子、前記第1アクティブ素子さらに前記電流発光素子が直列に接続されて設けられ、
該第1アクティブ素子のゲート端子が、第6アクティブ素子を介して電位配線に接続されると共に、第3コンデンサさらに前記第2アクティブ素子を介して前記ソース配線に接続され、
該第3コンデンサと該第2アクティブ素子との接続点が、第4コンデンサを介して該電源配線に接続されると共に、第7アクティブ素子を介して該第4アクティブ素子と該第1アクティブ素子との接続点に接続されている。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における1フレーム期間を構成する少なくとも二つのサブフレーム期間の長さが同一かまたは、互いに異なって設定されている。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置における少なくとも二つのサブフレーム期間の長さは、前記表示部のガンマ特性に対応するように互いに異なって設定されている。
本発明の電子情報機器は、本発明の上記表示装置を用いて表示画面上に画像表示を行うものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の表示装置の駆動方法は、電流発光素子が複数配列され、表示信号に基づいて該電流発光素子を駆動させて表示部に画像を階調表示させる表示装置の駆動方法において、1フレーム期間が複数のサブフレーム期間に分割されており、
第1サブフレーム期間を用いて0階調〜A−1階調表示を行い(Aは2以上の整数)、
これに第2サブフレーム期間を加えてA階調〜2A−2階調表示を行って、
該1フレーム期間を通して2A−2+1以上の階調表示を行うものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、好ましくは、本発明の表示装置の駆動方法において、前記1フレーム期間をB(Bは2以上の整数)サブフレーム期間に分割し、
前記表示部に0階調〜A−1階調を表示させるときに、前記第1サブフレーム期間は前記画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、該第1サブフレーム期間以外の第2サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
(x−1)A−(x−2)階調〜xA−x階調を表示させるときに、第1〜第x−1サブフレーム期間は該画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第xサブフレーム期間は該画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第x+1サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
(B−1)A−(B−2)階調〜BA−B階調を表示させるときに、第1〜第B−1サブフレーム期間は該画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第Bサブフレーム期間は該画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させる。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置の駆動方法における1フレーム期間を構成する少なくとも二つのサブフレーム期間の長さを同一かまたは互いに異なって設定する。
さらに、好ましくは、本発明の表示装置の駆動方法における少なくとも二つのサブフレーム期間の長さは、前記表示部のガンマ特性に対応するように互いに異なって設定されている。
本発明の表示制御プログラムは、本発明の上記表示装置の駆動方法の各処理をコンピュータに実行させるためのものであり、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の可読記録媒体は、本発明の上記表示制御プログラムが記録されたコンピュータ読み出し可能なものであり、そのことにより上記目的が達成される。
上記構成により、以下に、本発明の作用を説明する。
本発明にあっては、1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、第1サブフレーム期間で0階調〜A−1階調表示を行い(Aは2以上の整数)、第2サブフレーム期間でA階調〜2A−2階調表示を行って、1フレーム期間を通して2A−1以上の階調表示を行う。
0階調〜A−1階調表示では、第1サブフレーム期間に電流発光素子が発光し、第2サブフレーム期間には電流発光素子が発光しないため、電流発光素子が発光している期間が1フレーム期間の半分以下となり、CRTなどのインパルス型表示素子の輝度特性に近づいて、動画質改善効果が得られる。
また、1フレーム期間を通して2A−1(0〜2A−2)以上の階調数が得られるが、ソース配線から供給される表示信号の階調数はA階調(0〜A−1)で済むため、ソースドライバ回路から出力すべき階調数を少なくして、ソース配線1本当たりに必要なアクティブ素子の数を減らし、より小さいソースドライバ回路規模によって必要な階調出力特性が得られる。
さらに、表示すべき階調数がMbit階調である場合には、1フレーム期間をNbit個のサブフレーム期間に分割して、各サブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行い、特定のサブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行った後、順次周辺のサブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行うことによって、動画質改善を図ると共に、ソースドライバ回路から出力すべき階調数を1/Nとしてソースドライバ回路規模を小さくすることが可能となる。
例えば、1フレーム期間をB(Bは2以上の整数)サブフレーム期間に分割し、0階調〜A−1階調を表示させるときには、第1サブフレーム期間では各画素部を階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第2サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間では各画素部を点灯させない。また、(x−1)A−(x−2)階調〜xA−x階調を表示させるときには、第1〜第x−1サブフレーム期間では各画素部を階調レベルA−1で点灯させ、第xサブフレーム期間では各画素部を階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第x+1サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間では各画素部を点灯させない。さらに、(B−1)A−(B−2)階調〜BA−B階調を表示させるときには、第1〜第B−1サブフレーム期間では各画素部を階調レベルA−1で点灯させ、第Bサブフレーム期間では各画素部を階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させる。これによって、1フレーム期間に((A−1)×B)+1階調の表示を行うことが可能となる。
本発明の表示装置の好ましい第1の構成は、ソース配線に表示信号出力回路(電流入出力回路)が接続され、第2アクティブ素子が導通状態のときに、ソース配線を通して第1アクティブ素子から表示信号出力回路へ所望の電流が供給されることによって、第1アクティブ素子のゲート端子電圧が設定される電流制御構成である。
例えば、第1アクティブ素子、第4アクティブ素子さらに電流発光素子が電源配線と共通電極間に直列に接続されて設けられ、第1アクティブ素子のゲート端子が、第1コンデンサを介して電源配線に接続されると共に、第2アクティブ素子を介してソース配線に接続され、第1アクティブ素子と第4アクティブ素子との接続点とソース配線との間に第3アクティブ素子が設けられている。
上記アクティブ素子を低温ポリシリコンやCGシリコンによって作製する場合、第1アクティブ素子のゲート端子に所望の電圧を与えても、その出力電流がばらつくことがある。これは、低温ポリシリコンTFTやCGシリコンTFTの閾値や移動度がばらつくからである。そこで、ソースドライバ回路に設けられた表示信号出力回路によって、第1アクティブ素子の出力電流を設定することにより、上記閾値や移動度のばらつきの影響を防いで安定した表示が得られるため、好ましい。
本発明の表示装置の好ましい第2の構成は、ソース配線に表示信号出力回路(電圧出力回路)が接続され、第2アクティブ素子が導通状態のときに、表示信号出力回路からソース配線へ所望の電圧が印加されることによって、第1アクティブ素子のゲート端子電圧が設定される電圧制御構成である。
一般に、電圧出力回路の回路規模は、電流入出力回路の回路規模よりも小さい。このため、ソース配線(Sj)に電圧出力回路を接続した方が、電流入出力回路を接続するよりも、ソースドライバ回路規模をより小さくすることができるため、好ましい。
例えば、第1アクティブ素子のゲート端子と電位配線との間に第1コンデンサが設けられ、第1アクティブ素子のゲート端子と電流入出力端子(ソース端子またはドレイン端子)との間に第3アクティブ素子が設けられ、第1アクティブ素子の電流入出力端子と電流発光素子との間に第4アクティブ素子が配置され、第1アクティブ素子と第4アクティブ素子の接続点が第2コンデンサさらに第2アクティブ素子を介してソース配線に接続されて設けられている。
上記構成では、第3アクティブ素子を導通(オン)状態とし、第4アクティブ素子を非導通(オフ)状態とすることによって、第1アクティブ素子のゲート・ソース間電圧を閾値電圧Vthとすることができる。第2アクティブ素子を導通状態としてソース配線から所望の電圧を与えることによって、第1アクティブ素子のゲート・ソース間電圧をVthから一定電圧に変化させることができる。その後、電位配線の電位を変化させることによって、第1アクティブ素子から電流発光素子へ流れる電流を所望の電流とすることができ、ソース配線に表示信号出力回路(電圧出力回路)が接続された回路構成によって表示むらのない映像を得ることができるため、好ましい。
さらに、本発明において、1フレーム期間を構成する少なくとも二つのサブフレーム期間の長さを同じかまたは、互いに異なるように設定することができる。
二つのサブフレーム期間の長さが互いに異なる場合、例えば、第1サブフレーム期間を短くし、第2サブフレーム期間を長くすることによって、高い階調レベルにおいて、低い階調レベルよりも1階調当たりの輝度差を大きくすることができる。これにより、表示装置にγ特性などを与えることが可能となり、また、低い階調レベルで階調つぶれを防止して、ダイナミックレンジの広い高画質な表示を得ることができるため、好ましい。
以上により、本発明によれば、1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して、第1サブフレーム期間で0階調〜A−1階調表示(Aは2以上の整数)を行い、これに第2サブフレーム期間を加えてA階調〜2A−2階調表示を行うことにより、動画質を改善することができる。さらに、1サブフレーム期間当たりに必要とされる階調数、A階調(0〜A−1)によって、1フレーム期間に2A−1(0〜2A−2)階調以上の表示を得ることができる。これにより、表示駆動手段から出力すべき階調数を少なくして、より小さな表示駆動手段の回路規模で必要な階調出力特性を得ることができる。
また、1フレーム期間を構成する少なくとも二つのサブフレーム期間の長さを互いに異なって設定することにより、表示装置にガンマ特性などを与えることが可能となり、また、低い階調レベルで階調つぶれを防止して、ダイナミックレンジの広い高画質な表示を得ることができる。
以下に、本発明の表示装置およびその駆動方法を有機ELディスプレイに適用した実施形態1〜3について、図面を参照しながら説明する。
本発明に用いられるアクティブ素子(スイッチング素子)は、低温ポリシリコンTFTやCGシリコンTFTなどによって構成することができるが、本実施形態1〜3ではCGシリコンTFTを用いた場合について説明する。なお、このCGシリコンTFTの構成に関しては、半導体エネルギー研究所より非特許文献3などで発表されているため、ここではその詳細な説明を省略する。また、CGシリコンTFTプロセスに関しては、同じく半導体エネルギー研究所より非特許文献4などで発表されているため、ここではその詳細な説明を省略する。さらに、本実施形態1〜3で用いる電流発光素子である有機EL素子の構成についても、非特許文献5などで発表されているため、ここではその詳細な説明を省略する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る表示装置における要部構成例を示すブロック図である。
図1において、本実施形態1の表示装置10は、コントロール回路1と、このコントロール回路1からの制御信号に基づいて表示を行う有機ELディスプレイとしての表示パネル2とを備えている。
コントロール回路1は、制御信号として、ゲートスタートパルスYI、ゲートパルスGP、スタートパルスSP、クロックclkおよびラッチパルスLPを生成して出力する。
表示パネル2は、表示部21と、ゲートドライバ回路22と、ソースドライバ回路23と、基準電流源24とを有している。以上のコントロール回路1、ゲートドライバ回路22、ソースドライバ回路23および基準電流源24により、後述する本実施形態1の表示駆動手段が構成されている。
表示部21は、相互に交差(または直交)する複数のゲート配線G1,G2,…,Gn(以下、総称するときには参照符号Giで示す)および複数のソース配線S1,S2,…,Sm(以下、総称するときには参照符号Sjで示す)によってマトリクス状に区画された各領域に、図2に示すような画素部A11,A12,…,A1m,…,An1,…,Anm(以下、総称するときには参照符号Aijで示す)が配置されている。なお、図1には示していないが、図2に示すように、ゲート配線Giと平行に制御配線W1,W2,…,Wn(以下、総称するときには参照符号Wiで示す)が配置されている。
ゲートドライバ回路22は、シフトレジスタからなっており、ゲートスタートパルスYIがゲートパルスGPによりシフトされて、各ゲート配線G1〜Gnおよび各制御配線W1〜Wnに選択信号が供給され、各ゲート配線G1〜Gnおよび各制御配線W1〜Wnが順次選択される。
ソースドライバ回路23は、mビットのシフトレジスタ231と、レジスタ手段としてのm×4ビットのレジスタ232と、m×4ビットのラッチ回路233と、表示信号出力手段としての電流入出力回路234とを有し、各ソース配線Siにそれぞれ電流を表示信号として供給する。
シフトレジスタ231では、外部から同期信号として入力されるスタートパルスSPがクロックclkに合わせて内部でシフトされる。
レジスタ232では、シフトレジスタ231からスタートパルスSPのシフトタイミングで出力されるスタートパルスSPに対応した信号に合わせて、入力された4ビットのデジタル映像信号Daが、データとしてレジスタ232の対応する位置に取り込まれる。このデータは、各画素部Aijへの表示信号に対応している。
ラッチ回路233では、レジスタ232に取り込まれた4ビットのデジタル映像信号Daのデータが、ラッチパルスLPに同期して取り込まれて、電流入出力回路234に出力される。
各電流入出力回路234は、各データ信号線S1〜Smにそれぞれ設けられ、ラッチ回路233からのデータに対応した電流が表示信号として各ソース配線S1〜Smにそれぞれ出力されて、ゲートドライバ回路22で選択されている画素部Aijに供給される。ここでは、表示信号はソース配線Siを通して各画素部Aijから各電流入出力回路234に電流として供給される。
電流入出力回路234は、図3に示すような4つのカレントコピア回路234aから構成されている。
図3において、各カレントコピア回路234aは、アクティブ素子Qeと、スイッチング素子Qf〜Qhと、コンデンサCbとを有している。
各カレントコピア回路234aでは、基準電流源24から入力された基準電流Ik(k=0〜3)が、メモライジング信号MSjに応答してそれぞれコピーされて、選択データDk(k=0〜3)の出力タイミングに応じてソース配線Sjへ出力される。ここでは、詳細に後述するが、1フレーム期間が4つのサブフレーム期間に分割されており、サブフレーム期間に2=16階調の表示を行うことができる。
各カレントコピア回路234aにおいては、基準電流源24からの基準電流Ikラインにn型TFTからなるスイッチ素子Qgのドレイン端子が接続されており、このスイッチ素子Qgのソース端子はn型TFTからなるアクティブ素子Qeを介してGNDへ接続されている。
また、アクティブ素子Qeのゲート・ソース間にはコンデンサCbが接続されており、ゲート・ドレイン間にはn型TFTからなるスイッチング素子Qfが接続されている。
さらに、スイッチング素子QfおよびQgのゲート端子にはメモライジング信号MSjが与えられる。
一方、ソース配線Sjには、n型TFTからなるスイッチ素子Qhのドレイン端子が接続されており、このスイッチ素子Qhのソース端子はアクティブ素子Qeを介してGNDへ接続され、スイッチ素子Qhのゲート端子には選択データDkが与えられる。
したがって、各カレントコピア回路234aでは、選択データDkがローレベルとされてスイッチ素子Qhがオフ状態とされ、メモライジング信号MSjがハイレベルとされてスイッチ素子QgおよびQfがオン状態とされる。これによって、上記基準電流Ikがアクティブ素子Qeに与えられ、その電流値に対応した電圧がコンデンサCbの端子間、即ち、アクティブ素子Qeのゲート・ソース間に発生して保持される。
この状態で、メモライジング信号MSjがローレベルとされてスイッチ素子QgおよびQfがオフ状態とされ、選択データDkがハイレベルとされてスイッチ素子Qhがオン状態とされる。これによって、コンデンサCbの端子間、即ち、アクティブ素子Qeのゲート・ソース間電圧に応じた電流(基準電流Ikと等しい電流)が、ソース配線Sjからスイッチ素子Qhおよびアクティブ素子Qeを介して接地側に流れる。
図2は、図1の各画素部A11〜Anmにおける任意のi行j列目(i=1〜n,j=1〜m、n,mともに正の整数)の画素部Aijの回路構成例を示す等価回路図である。なお、この画素部Aijの画素回路は、階調が電流駆動レベルで表されている。このため、図1に示すソースドライバ回路23には、その電流駆動レベルを後述するように変化させる電流入出力回路234が各ソース配線Si毎に設けられている。
図2に示すように、各画素部Aijはそれぞれ、ソース配線Sj、ゲート配線Gi、電源配線Vpおよび制御配線Wiで囲まれた領域に、電流発光素子である有機EL素子EL1と、第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q1と、第2アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q2と、第3アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q3と、第4アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q4と、第1コンデンサであるコンデンサC1とを有している。
各画素回路Aijにおいて、電源配線Vpと共通電極Vcomの間には、第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q1と電流発光素子としての有機EL素子EL1とが直列に配置されている。また、駆動用TFT:Q1のゲート端子と電源配線Vpとの間には、第1アクティブ素子のゲート電位保持手段であるコンデンサC1が配置されている。さらに、駆動用TFT:Q1のゲート端子とソース配線Sjとの間には第2アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q2が配置されている。さらに、駆動用TFT:Q1の電流入出力端子(ドレイン端子)と有機EL素子EL1との間には第4アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q4が配置されている。さらに、駆動用TFT:Q1とスイッチ用TFT:Q4との接続点と、ソース配線Sjとの間には、第3アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q3が配置されている。
スイッチ用TFT:Q2のゲート端子にはゲート配線Giが接続され、スイッチ用TFT:Q4およびQ3のゲート端子には制御配線Wiが接続されている。なお、駆動用TFT:Q1とスイッチ用TFT:Q4はp型TFTであり、スイッチ用TFT:Q2およびQ3はn型TFTである。
ソース配線Sjには電流入出力回路234が接続され、第2アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q2が導通状態のときに、ソース配線Sjを通して第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q1から電流入出力回路234に所望の電流が表示信号として供給されることによって、駆動用TFT:Q1のゲート端子電圧が設定される。
図4は、図2の画素部Aijに対応するゲート配線Gi、制御配線Wiおよびソース配線Sjに供給される電圧変化のタイミングを示すタイミングチャートである。
図4に示すように、画素部Aijにおいて、まず、時間0では、制御配線WiがGH(ハイレベル)とされて、スイッチ用TFT:Q4がOFF状態とされ、スイッチ用TFT:Q3がON状態とされる。また、ソース配線Sjからは、電流入出力回路234に向けて画素部Aijに対応した電流I0が流れる。
次に、時間t1では、スイッチ用TFT:Q2がON状態とされ、駆動用TFT:Q1のゲート端子とドレイン端子とが短絡されて、駆動用TFT:Q1からスイッチ用TFT:Q3およびソース配線Sjへ向けて電流I1が流れる。ここで、電流I0>I1であれば、ソース配線Sjの電位が低下して電流I1が上昇し、その結果、I0=I1となる。また、電流I0<I1であれば、ソース配線Sjの電位が上昇して電流I1が低下し、その結果、I0=I1となる。
その後、時間3t1では、ゲート配線GiがGL(ローレベル)とされて、スイッチ用TFT:Q2がOFF状態とされ、駆動用TFT:Q1のゲート端子電位がコンデンサC1に保持される。
時間4t1では、制御配線WiがGLとされて、ソース配線Sjから電流入出力回路234に向けて次の画素部Ai+1jに対応した電流が流れる。
本発明では、前述した表示駆動手段は、1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割されており、第1サブフレーム期間で0階調〜A−1階調表示を行い(Aは2以上の正の整数)、第2サブフレーム期間でA階調〜2A−2階調表示を行って、1フレーム期間を通して2A−1以上の階調表示を行う。さらに、表示すべき階調数がMbit階調である場合には、1フレーム期間をNbit個のサブフレーム期間に分割して、各サブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行い、特定のサブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行った後、順次周辺のサブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行う。
例えば、1フレーム期間をB(Bは2以上の整数)個のサブフレーム期間に分割し、0階調〜A−1階調を表示させるときには、第1サブフレーム期間では各画素部を階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第2サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間では各画素部を点灯させない。また、(x−1)A−(x−2)階調〜xA−x階調を表示させるときには、第1〜第x−1サブフレーム期間では各画素部を階調レベルA−1で点灯させ、第xサブフレーム期間では各画素部を階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第x+1サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間では各画素部を点灯させない。さらに、(B−1)A−(B−2)階調〜BA−B階調を表示させるときには、第1〜第B−1サブフレーム期間では各画素部を階調レベルA−1で点灯させ、第Bサブフレーム期間では各画素部を階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させる。
これを本実施形態1に適応させると、本実施形態1の表示駆動手段は、1フレーム期間を4つのサブフレーム期間に分割しており、第1サブフレーム期間で0階調〜15階調表示を行い(Aは16)、第2サブフレーム期間で16階調〜30階調表示を行い、第3サブフレーム期間で31階調〜45階調表示を行い、第4サブフレーム期間で46階調〜60階調表示を行って、1フレーム期間を通して0〜60階調表示を行う。このように、表示すべき階調数が6bit階調(0〜63階調;Mは6)である場合には、1フレーム期間を2bit個(4個;Nは2)のサブフレーム期間に分割し、各サブフレーム期間で4bit階調表示(16階調表示)を行い、特定のサブフレーム期間で4bit階調表示を行った後、順次周辺のサブフレーム期間で4bit階調表示を行う。
本実施形態1において、電流入出力回路234に対して入出力可能な電流レベルは、0〜15(M=6、A=16)階調に対応した16レベルである。図5のタイミングチャートに示すように、1フレーム期間が4(N=2、B=4)つのサブフレーム期間に分割され、各サブフレーム期間で16階調表示が行われる。
図5に示すタイミングチャートでは、1フレーム期間の4つのサブフレーム期間が、第3サブフレーム期間、第1サブフレーム期間、第2サブフレーム期間、第4サブフレーム期間の順に配置されている。この理由は、特定のサブフレーム期間(例えば第1サブフレーム期間)で階調表示が行われた後、順次周辺のサブフレーム期間(第2サブフレーム期間、第3サブフレーム期間、さらに第4サブフレーム期間)で階調表示が行われるため、高輝度レベルのサブフレーム期間が連続し、かつ輝度重心が変化しないようにするためである。
図6は、図1の表示装置における各サブフレーム期間の階調表示例を示す図である。
図6に示すように、階調レベル0〜15(A−1:A=16)を表示させるときには、第1サブフレーム期間を用いて0階調〜15階調を表示させ、第2〜第4サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル16〜30(2A−2:A=16)を表示させるときには、第1サブフレーム期間に画素を階調レベル15で点灯させ、第2サブフレーム期間を用いて16階調〜30階調を表示させ、第3および第4サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル31〜45(3A−3:A=16)を表示させるときには、第1および第2サブフレーム期間に画素部を階調レベル15で点灯させ、第3サブフレーム期間を用いて31階調〜45階調を表示させ、第4サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル46〜60(4A−4:A=16)を表示させるときには、第1〜第3サブフレーム期間を階調レベル15で点灯させ、第4サブフレーム期間を用いて46階調〜60階調を表示させる。なお、階調レベル60〜63は同じである。
以上のように、本実施形態1によれば、階調レベル0〜15のときに、1/4フレーム期間しか各画素部が点灯されていない。また、階調レベル16〜30のときは、1/2フレーム期間しか各画素部が点灯されていない。さらに、階調レベル31〜45のときには、3/4フレーム期間しか各画素部が点灯されていない。したがって、図21に示すように、その点灯していない期間分だけ、画像の被りが抑えられるので、動画質改善効果が得られる。
さらに、電流入出力回路234を構成するTFTが4×4=16個で済むため、その分、ソースドライバ回路2の回路規模を小さくすることができる。このため、表示装置の製造歩留まり向上と、1枚ガラス当たりの表示パネル取れ数向上を図り、コストダウン効果が得られる。
(実施形態2)
図7は、本発明の実施形態2に係る表示装置における要部構成例を示すブロック図である。
図7において、本実施形態2の表示装置10Aは、コントロール回路1と、このコントロール回路1からの制御信号に基づいて表示を行う有機ELディスプレイとしての表示パネル2Aとを備えている。
コントロール回路1は、制御信号として、ゲートスタートパルスYI、ゲートパルスGP、スタートパルスSP、クロックclkおよびラッチパルスLPを生成して出力する。
表示パネル2Aは、表示部21Aと、ゲートドライバ回路22Aと、ソースドライバ回路23Aとを有している。以上のコントロール回路1、ゲートドライバ回路22Aおよびソースドライバ回路23Aにより、後述する本実施形態2の表示駆動手段が構成されている。
表示部21Aは、相互に交差(直交)する複数のゲート配線Giおよび複数のソース配線Sjによってマトリクス状に区画された各領域にそれぞれ、図8に示すような画素部Aijが配置されている。なお、図7には示していないが、図8に示すように、ゲート配線Giと平行に制御配線Wi、制御配線R1,R2,…,Rn(以下、総称するときには参照符号Riで示す)および電位配線U1,U2,…,Un(以下、総称するときには参照符号Uiで示す)が配置されている。
ゲートドライバ回路22Aは、シフトレジスタからなり、ゲートスタートパルスYIがゲートパルスGPによりシフトされて、各ゲート配線G1〜Gn、制御配線W1〜WnおよびR1〜Rn、電位配線U1〜Unに選択信号を供給して、各ゲート配線G1〜Gn、制御配線W1〜WnおよびR1〜Rn、電位配線U1〜Unが順次選択される。
図8に示すゲート配線Gi、制御配線WiおよびRi、電位配線Uiにはゲートドライバ回路3から電圧が供給され、各ソース配線Sjにはソースドライバ回路23Aから電圧が供給されている。
ソースドライバ回路23Aは、mビットのシフトレジスタ231と、レジスタ手段としてのm×3ビットのレジスタ232Aと、m×3ビットのラッチ回路233Aと、表示信号出力回路としての電圧出力回路234Aとを有している。
シフトレジスタ231では、外部から同期信号として入力されるスタートパルスSPがクロックclkに合わせて内部でシフトされて順次出力される。
m×3ビットのレジスタ232Aでは、シフトレジスタ231からのスタートパルスSPの転送タイミングで出力されるスタートパルスSPに対応した信号に合わせて、入力された3ビットのデジタル映像信号Daが、レジスタ232Aの対応する位置に取り込まれる。このとき、3ビットのデジタル映像信号Daは、各画素部Aijのデータに対応している。
m×3ビットのラッチ回路233Aでは、レジスタ232Aに取り込まれた3ビットのデジタル映像信号Daが、ラッチパルスLPに同期して取り込まれ、電圧出力回路234Aに出力される。
電圧出力回路234Aは、各データ信号線S1〜Smにそれぞれ設けられ、図示しない8本の電圧配線から入力された電圧から、3ビットのデータに対応した電圧が選択されて各ソース配線S1〜Smに出力され、ゲートドライバ回路22Aによって選択されている画素部Aijに供給される。
図8は、図7の表示部21Aにおける画素部Aijの回路構成例を示す等価回路図である。
図8に示すように、各画素部A11〜Anmにおける任意のi行j列目(i=1〜n,j=1〜m、n,mともに整数)の画素部Aijの画素回路は、階調が電圧駆動レベルで表される。このため、ソースドライバ回路23Aには、その電圧駆動レベルを後述するように変化させる電圧出力回路234Aが設けられている。
各画素部Aijはそれぞれ、ソース配線Sj、ゲート配線Gi、電源配線Vp、制御配線WiおよびUi、電位配線Riで囲まれた領域にそれぞれ、電流発光素子である有機EL素子EL1と、第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q1と、第2アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q7と、第3アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q5と、第4アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q4と、第5アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q6と、第1コンデンサであるコンデンサC2と、第2コンデンサであるコンデンサC3とを有している。
各画素回路Aijにおいて、電源配線Vpと共通電極Vcomの間には、第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q1と電流発光素子である有機EL素子EL1とが直列に配置されている。また、駆動用TFT:Q1のゲート端子と電位配線Uiとの間には、第1コンデンサであるコンデンサC2が配置されている。さらに、駆動用TFT:Q1のゲート端子と電流入出力端子(ドレイン端子)との間には、第3アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q5が配置されている。さらに、駆動用TFT:Q1の電流入出力端子(ドレイン端子)と有機EL素子EL1との間には、第4アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q4が配置されている。さらに、駆動用TFT:Q1の電流入出力端子(ドレイン端子)とスイッチ用TFT:Q4との接続点と、ソース配線Sjとの間には、第2コンデンサであるコンデンサC3と第2アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q7とが直列に配置されている。さらに、コンデンサC3とスイッチ用TFT:Q7との接続点と、電位配線Uiとの間には、スイッチ用TFT:Q6が配置されている。
スイッチ用TFT:Q6およびQ7のゲート端子にはゲート配線Giが接続され、スイッチ用TFT:Q4のゲート端子には制御配線Riが接続され、スイッチ用TFT:Q5のゲート端子には制御配線Wiが接続されている。なお、駆動用TFT:Q1とスイッチ用TFT:Q4およびQ6はp型TFTであり、スイッチ用TFT:Q5およびQ7はn型TFTである。
ソース配線Sjには電圧出力回路234Aが接続され、第2アクティブ素子であるスイッチ用TFTQ7が導通状態のときに、電圧出力回路234Aからソース配線Sjへ所望の電圧が印加されることによって、第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q1のゲート端子電圧が設定される。
図9は、図8の画素Aijに対応する電位配線Ui、制御配線WiおよびRi、ゲート配線Gi、ソース配線Sjに供給される電圧変化のタイミングを示すタイミングチャートである。
図9に示すように、画素回路Aijにおいて、まず、時間0では、電位配線Uiがハイレベル電圧Vaとされて、制御配線WiがGH(ハイレベル)とされ、スイッチ用TFT:Q5がON状態とされる。このとき、制御配線RiはGL(ローレベル)とされているので、スイッチ用TFT:Q4はON状態とされている。このことにより、駆動用TFT:Q1のゲート端子がON電位となり、駆動用TFT:Q1はON状態される。
次に、時間1t1では、制御配線RiがGHとされてスイッチ用TFT:Q4がOFF状態とされる。このことにより、駆動用TFT:Q1のゲート端子電位が上昇してVp+Vthとなる(閾値Vth<0)。このとき、ゲート配線GiはGLとされているので、スイッチ用TFT:Q6がON状態とされ、コンデンサC3の他方端子に電位配線Uiからの電圧Vaが印加される。
時間8t1では、ソース配線Sjに電圧出力回路234Aから画素部Aijに対応する電圧Vdaが印加される。
時間9t1では、ゲート配線GiがGHとされて、スイッチ用TFT:Q6がOFF状態とされ、スイッチ用TFT:Q7がON状態とされる。この結果、コンデンサC3の他方端子に電位Vdaが印加され、駆動用TFT:Q1のゲート端子電位が変化する。この変化量をVγとすると、駆動用TFT:Q1のゲート端子電位はVp+Vth+Vγとなる。
次に、時間11t1では、制御信号WIの電位がGLとされて、スイッチ用TFT:Q5がOFF状態とされ、コンデンサC2に電位配線Uiの電位Vaと、駆動用TFT:Q1のゲート端子電位Vp+Vth+Vγの差とが保持される。
時間12t1では、ゲート配線Giと制御配線RiとがGLとされて、電位配線Uiの電位がローレベル電圧Vbとされる。この結果、駆動用TFT:Q1のゲート端子電位はVp+Vth+Vγ−Va+Vbとなる。ここで、Vγ−Va+Vb<0であれば、駆動用TFT:Q1はON状態とされる。駆動用TFT:Q1を流れる電流の値は、電位Vγにより制御することができる。
本実施形態2において、上記電位Vγを決定する電圧出力回路234Aから出力可能な電圧レベルは、0〜7階調に対応した8レベルである。図10のタイミングチャートに示すように、1フレーム期間が9つのサブフレーム期間に分割され、各サブフレーム期間で8階調表示が行われる。
図10に示すタイミングチャートでは、1フレーム期間が、第8サブフレーム期間、第6サブフレーム期間、第4サブフレーム期間、第2サブフレーム期間、第1サブフレーム期間、第3サブフレーム期間、第5サブフレーム期間、第7サブフレーム期間、第9サブフレーム期間の順に配置されている。この理由は、特定のサブフレーム期間(例えば第1サブフレーム期間)で階調表示が行われた後、順次周辺のサブフレーム期間(第2サブフレーム期間、第3サブフレーム期間、・・・、第9サブフレーム期間)で階調表示が行われるため、高輝度レベルのサブフレーム期間が連続しかつ輝度重心が移動しないようにするためである。
図11は、図7の表示装置における各サブフレーム期間の階調表示例を示す図である。
図11に示すように、階調レベル0〜7(A−1:A=8)を表示させるときには、第1サブフレーム期間を用いて0階調〜7階調を表示させ、第2〜第9サブフレーム期間には画素部を点灯させない。
また、階調レベル8〜14(2A−2:A=8)を表示させるときには、第1サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第2サブフレーム期間を用いて8階調〜14階調を表示させ、第3〜第9サブフレーム期間は各画素部を点灯させない。
さらに、階調レベル15〜21(3A−3:A=8)を表示させるときには、第1〜第2サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第3サブフレーム期間を用いて15階調〜21階調を表示させ、第4〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
さらに、階調レベル22〜28(4A−4:A=8)を表示させるときには、第1〜第3サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第4サブフレーム期間を用いて22階調〜28階調を表示させ、第5〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
さらに、階調レベル29〜35(5A−5:A=8)を表示させるときには、第1〜第4サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第5サブフレーム期間を用いて29階調〜35階調を表示させ、第6〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
さらに、階調レベル36〜42(6A−6:A=8)を表示させるときには、第1〜第5サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第6サブフレーム期間を用いて36階調〜42階調を表示させ、第7〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
さらに、階調レベル43〜49(7A−7:A=8)を表示させるときには、第1〜第6サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第7サブフレーム期間を用いて43階調〜49階調を表示させ、第8および第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
さらに、階調レベル50〜56(8A−8:A=8)を表示させるときには、第1〜第7サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第8サブフレーム期間を用いて50階調〜56階調を表示させ、第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
さらに、階調レベル57〜63(9A−9:A=8)を表示させるときには、第1〜第8サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第9サブフレーム期間を用いて57階調〜63階調を表示させる。
以上のように、本実施形態2によれば、階調レベル0〜28のときに、最高4/9フレーム期間しか各画素部が点灯していない。また、階調レベル29〜56のときにも、1/9フレーム期間以上、各画素部が点灯していない期間がある。したがって、動画質改善効果が得られる。
さらに、電圧出力回路234Aは、8電圧から1電圧を選択するアナログスイッチによって構成することができるため、その分、ソースドライバ回路12の回路規模を小さくすることができる。このため、表示装置の製造歩留まり向上と、1枚ガラス当たりの表示パネル取れ数向上を図り、コストダウン効果が得られる。
(実施形態3)
本実施形態3では、上記実施形態2の表示装置10Aの表示部21Aにおける図8の画素回路構成の画素部Aijに代えて、図7に示す表示装置10Bの表示部21Bにおける図12の画素回路構成の画素部Aijを用いる場合について説明する。
図12は、図7の表示部21Bにおける画素部Aijの回路構成例を示す等価回路図である。
図12において、ゲート配線Giと平行に、制御配線Ri、制御配線C1,C2,…,Cn(以下、総称するときには参照符Ciで示す)および電位配線Vrが配置されている。画素回路Aijは、電流発光素子である有機EL素子EL1と、第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q8と、第2アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q9と、第6アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q12と、第7アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q11と、第4アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q10と、第3コンデンサであるコンデンサC4と、第4コンデンサであるコンデンサC5とを有している。
各画素回路Aijにおいて、電源配線Vpと共通電極Vcomとの間には、第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q8と電流発光素子である有機EL素子EL1とが直列に配置されている。また、駆動用TFT:Q8のゲート端子と電位配線Vrの間には第6アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q12が配置されている。さらに、駆動用TFT:Q8のゲート端子とスイッチ用TFT:Q12の接続点と、ソース配線Sjとの間には、第3コンデンサであるコンデンサC4と第2アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q9とが直列に配置されている。さらに、コンデンサC4とスイッチ用TFT:Q9との接続点と、駆動用TFT:Q8の電流入出力端子(ソース端子)との間には、第7アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q11が配置されている。さらに、コンデンサC4とスイッチ用TFT:Q9との接続点と、電源配線Vpとの間には、第4コンデンサであるコンデンサC5が配置されている。さらに、駆動用TFT:Q11の電流入出力端子(ソース端子)と電源配線Vpとの間には第4アクティブ素子であるスイッチ用TFT:Q10が配置されている。
スイッチ用TFT:Q11およびQ12のゲート端子には制御配線Ciが接続され、スイッチ用TFT:Q9のゲート端子にはゲート配線Giが接続され、スイッチ用TFT:Q10のゲート端子には制御配線Riが接続されている。なお、駆動用TFT:Q8およびスイッチ用TFT:Q10はp型TFTであり、スイッチ用TFT:Q9、Q11およびQ12はn型TFTである。
ソース配線Sjには電圧出力回路234Aが接続され、第2アクティブ素子であるスイッチ用TFTQ9が導通状態のときに、電圧出力回路234Aからソース配線Sjへ所望の電圧が印加されることによって、第1アクティブ素子である駆動用TFT:Q8のゲート端子電圧が設定される。
図13は、図12の画素Aijに対応する制御配線CiおよびRi、ゲート配線Gi、ソース配線Sjに供給される電圧変化のタイミングを示すタイミングチャートである。
図13に示すように、図12の画素回路Aijにおいて、まず、時間0では、制御配線CiがGH(ハイレベル)とされ、スイッチ用TFT:Q11およびQ12がON状態とされる。このとき、制御配線RiはGL(ローレベル)であるので、スイッチ用TFT:Q10はON状態とされている。このことにより、コンデンサC4とスイッチ用TFT:Q9の接続点(コンデンサC4の他方端子)に電位Vpが印加され、駆動用TFT:Q8のゲート端子に電位配線Vrの電位Vrが印加される。
次に、時間1t1では、制御配線RiがGHとされ、スイッチ用TFT:Q10がOFF状態とされる。このことにより、駆動用TFT:Q8のソース端子電位が低下して、Vr−Vthとなる(閾値Vth<0)。
時間7t1では、制御配線CiがGLとされてスイッチ用TFT:Q11およびQ12がOFF状態とされ、時間8t1では、ゲート配線GiがGHとされてスイッチ用TFT:Q9がON状態とされる。このことにより、コンデンサC4の他方端子にソース配線Sjの電位Vdaが与えられ、駆動用TFT:Q8のゲート端子の電位はVda+Vthとなる。
時間11t1では、ゲート配線Giの電位がGLとされてスイッチ用TFT:Q9がOFF状態とされ、駆動用TFT:Q8のゲート端子電位Vda+Vthが保持される。
時間12t1では、制御配線Riの電位がGLとされ、駆動用TFT:Q8のソース端子に電源配線Vpから電圧Vpが印加される。この結果、駆動用TFT:Q8のゲート・ドレイン間電圧はVda+Vth−Vpとなる。ここで、Vda−Vp<0であれば、駆動用TFT:Q8はON状態とされる。駆動用TFT:Q8を流れる電流の値は、電位Vdaにより制御することができる。
本実施形態3において、上記電位Vdaを決定する電圧出力回路234Aから出力可能な電圧レベルは、0〜7階調に対応した8レベルである。図14のタイミングチャートに示すように、1フレーム期間が9つのサブフレーム期間に分割され、各サブフレーム期間で8階調表示が行われる。
図14に示すタイミングチャートでは、第1サブフレーム期間の長さが最も小さく設定されており、第9サブフレーム期間の長さが最も長く設定されている。これら各サブフレームの長さの比は、0.5:1.8:3.3:5:6.7:8.5:10.4:12.4:14.4とされている。
図11に示すように、階調レベル0〜7(A−1:A=8)を表示させるときには、第1サブフレーム期間を用いて0階調〜7階調を表示させ、第2〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル8〜14(2A−2:A=8)を表示させるときには、第1サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第2サブフレーム期間を用いて8階調〜14階調を表示させ、第3〜第9サブフレーム期間は各画素部を点灯させない。
階調レベル15〜21(3A−3:A=8)を表示させるときには、第1〜第2サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第3サブフレーム期間を用いて15階調〜21階調を表示させ、第4〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル22〜28(4A−4:A=8)を表示させるときには、第1〜第3サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第4サブフレーム期間を用いて22階調〜28階調を表示させ、第5〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル29〜35(5A−5:A=8)を表示させるときには、第1〜第4サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第5サブフレーム期間を用いて29階調〜35階調を表示させ、第6〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル36〜42(6A−6:A=8)を表示させるときには、第1〜第5サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第6サブフレーム期間を用いて36階調〜42階調を表示させ、第7〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル43〜49(7A−7:A=8)を表示させるときには、第1〜第6サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第7サブフレーム期間を用いて43階調〜49階調を表示させ、第8〜第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル50〜56(8A−8:A=8)を表示させるときには、第1〜第7サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第8サブフレーム期間を用いて50階調〜56階調を表示させ、第9サブフレーム期間には各画素部を点灯させない。
階調レベル57〜63(9A−9:A=8)を表示させるときには、第1〜第8サブフレーム期間に各画素部を階調レベル7で点灯させて、第9サブフレーム期間を用いて57階調〜63階調を表示させる。
図15は、本実施形態3の表示装置10Bにおける入力データレベルと出力輝度レベルとの関係を示すグラフである。なお、図15において、横軸は入力データレベルを示し、縦軸は出力輝度レベルを示している。
本実施形態3の表示装置10Bによれば、図15に示すように、ガンマ特性を持たせて、よりダイナミックレンジの広い映像表示が可能となり、画質改善効果が得られる。
また、階調レベル0〜28のときに、最大4/9フレーム期間しか各画素部が点灯されておらず、階調レベル29〜56のときにも、1/9フレーム期間以上、画素部が点灯されていない期間がある。したがって、動画質改善効果が得られる。
さらに、電圧出力回路234Aは、8電圧から1電圧を選択するアナログスイッチによって構成することができるため、その分、ソースドライバ回路23Aの回路規模を小さくすることができる。このため、表示装置10Bの製造歩留まり向上と、1枚ガラス当たりの表示パネル取れ数向上を図り、コストダウン効果が得られる。
なお、上記実施形態3においては、上記実施形態2の場合と同様の電圧制御の画素回路構成に対してサブフレーム期間の長さを変化させたが、上記実施形態1の場合と同様の電流制御の画素回路構成に対してサブフレーム期間の長さを変化させることによっても、同様に、ガンマ補正効果を得ることができる。
また、画素回路構成についても、上記実施形態1〜3に示したものに限らず、相互に交差する複数のソース配線および複数のゲート配線とによってマトリクス状に区画された各領域にそれぞれ、少なくとも有機EL素子などの電流発光素子とTFT素子などの駆動用第1アクティブ素子およびスイッチ用第2アクティブ素子とを有する画素部が配置されて、第1アクティブ素子のゲート端子とソース配線とが第2アクティブ素子を介して直接接続されているか、またはコンデンサや他のアクティブ素子を介して間接的に接続されて、第2アクティブ素子が導通状態のときに第1アクティブ素子のゲート端子電圧がソース配線電圧に対応した電圧に設定され、第2アクティブ素子が非導通状態のときに第1アクティブ素子から電流発光素子に対して第1アクティブ素子のゲート端子電圧に対応した電流が供給される表示装置であれば、いずれも本発明を適用可能である。
さらに、上記実施形態1〜3では、本発明の表示装置の表示駆動手段として、ハードウェア構成に適用した場合について説明したが、これに限らず、本発明の表示装置の表示駆動手段を、ソフトウェア構成に適用させることができる。例えば、本発明の表示駆動手段は、CPU(中央演算処理装置)からなる制御手段と、上記実施形態1〜3の表示駆動方法をコンピュータにより実行させるための処理手順が記述された表示制御プログラムおよびそのデータが格納されている可読記録媒体としてのROMと、制御手段がワークメモリとして利用するRAMとを有していてもよい。
可読記録媒体としては、各種ICメモリ、ハードディスク(HD)、光ディスク(例えばCD)および磁気記録媒体(例えばFD)などの記憶装置であり、本発明の表示制御プログラムおよびそのデータがコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、この記録媒体から読み取られた表示制御プログラムおよびそのデータがROMからRAM内に格納されて制御手段によって実行される。
即ち、制御手段は、本発明の表示制御プログラムおよびそのデータに基づいて、
1フレーム期間が複数のサブフレーム期間に分割されており、
第1サブフレーム期間を用いて0階調〜A−1階調表示を行い(Aは2以上の整数)、 これに第2サブフレーム期間を加えてA階調〜2A−2階調表示を行って、1フレーム期間を通して2A−2+1以上の階調表示を行う処理を実行する。
例えば、制御手段は、本発明の表示制御プログラムおよびそのデータに基づいて、
1フレーム期間をB(Bは2以上の整数)サブフレーム期間に分割し、
表示部に0階調〜A−1階調を表示させるときに、第1サブフレーム期間は画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第1サブフレーム期間以外の第2サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
(x−1)A−(x−2)階調〜xA−x階調を表示させるときに、第1〜第x−1サブフレーム期間は画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第xサブフレーム期間は画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第x+1サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
(B−1)A−(B−2)階調〜BA−B階調を表示させるときに、第1〜第B−1サブフレーム期間は画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第Bサブフレーム期間は画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させる各処理を順次実行する。
この場合に、1フレーム期間を構成する各サブフレーム期間の長さを同一かまたは互いに異なるように設定する。この各サブフレーム期間の長さは、表示部のガンマ特性に対応するように互いに異なって設定される。
以上のように、本発明の好ましい実施形態1〜3を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1〜3に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1〜3の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明は、有機EL素子やFED素子などの電流発光素子を用いて、携帯電話装置やPDAなどの電子携帯機器に搭載可能な表示装置およびその駆動方法、この表示装置を用いた電子情報機器、この表示装置の駆動方法をコンピュータに実行させるための表示制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体の分野において、1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して、第1サブフレーム期間で0階調〜A−1階調表示(Aは2以上の整数)を行い、第2サブフレーム期間でA階調〜2A−2階調表示を行うことにより、動画質を改善することができる。さらに、1サブフレーム期間当たりに必要とされる階調数、A階調(0〜A−1)によって、1フレーム期間に2A−1(0〜2A−2)階調以上の表示を得ることができる。これにより、ソースドライバ回路から出力すべき階調数を少なくして、より小さなソースドライバ回路規模で必要な階調出力特性を得ることができる。
さらに、1フレーム期間を構成する少なくとも2つのサブフレーム期間の長さを互いに異なって設定することにより、表示装置にガンマ特性などを付与することができ、また、低い階調レベルで階調つぶれを防止して、ダイナミックレンジの広い高画質な表示を得ることができる。
本発明の実施形態1に係る表示装置における要部構成例を示すブロック図である。 図1の表示装置の画素回路の構成例を示す等価回路図である。 図1の電流出力回路の構成例を示す回路図である。 図2の画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 図1の表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 図1の表示装置の駆動方法における各サブフレーム期間の表示階調を示す図である。 本発明の実施形態2および3に係る表示装置における要部構成例を示すブロック図である。 図7の表示装置における画素回路の構成例を示す等価回路図である。 図8の画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の実施形態2の表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の実施形態2および3の表示装置の駆動方法における各サブフレーム期間の表示階調を示す図である。 本発明の実施形態3の表示装置における画素回路の構成例を示す等価回路図である。 図12の表示装置の画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の実施形態3の表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の実施形態3の表示装置における入力データレベルと出力輝度レベルとの関係を示すグラフである。 従来の有機EL素子を用いた表示装置の要部構成を示すブロック図である。 従来の表示装置における画素回路構成を示す等価回路図である。 従来の表示装置における電流入出力回路の構成例を示すブロック図である。 従来の表示装置における階調駆動方法の例を示す図である。 従来のホールド型表示装置における課題を説明するための模式図である。 本発明の表示装置における効果を説明するための図20に対応した模式図である。
符号の説明
1 コントロール回路
2,2A,2B 表示パネル
21,21A 表示部
22,22A ソースドライバ回路
23、23A ゲートドライバ回路
231 シフトレジスタ
232,232A レジスタ
233,233A ラッチ回路
234 電流入出力回路
234A 電圧出力回路
234a カレントコピア回路
24 基準電流源
10,10A,10B 表示装置
EL1 有機EL素子
Q1、Q4、Q6、Q8、Q10 p型TFT
Q2、Q3、Qg、Qf、Qe、Qh、Q5、Q7、Q9、Q11、Q12 n型TFT
C1〜C5、Cb コンデンサ
Sj ソース配線
Gi ゲート配線
Wi、Ri、Ci、MSj 制御配線
Vp 電源配線
Ui、Vr 電位配線
Aij 画素回路
Vcom 共通電極線

Claims (21)

  1. 電流発光素子が複数配列された表示部と、表示信号に基づいて該表示部に画像を階調表示させる表示駆動手段とを有する表示装置において、
    該表示駆動手段は、
    1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、
    第1サブフレーム期間を用いて0階調〜A−1階調表示が行われ(Aは2以上の整数)、
    これに第2サブフレーム期間を加えてA階調〜2A−2階調表示が行われ、
    分割されたサブフレーム期間だけ順次加えて該1フレーム期間を通して2A−2+1以上の階調表示を駆動可能とする表示装置。
  2. 前記表示駆動手段は、
    前記表示部で表示すべき階調数がMbit階調である場合に(Mは2以上の整数)、前記1フレーム期間がNbit個のサブフレーム期間に分割されて(Nは2以上の整数)、各サブフレーム期間で(M−N)bit階調表示を行わせる請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記表示駆動手段は、
    特定のサブフレーム期間で前記(M−N)bit階調表示を行った後に、順次その周辺のサブフレーム期間で該(M−N)bit階調表示を行って、1フレーム期間にMbit階調表示を行わせる請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記表示駆動手段は、
    1フレーム期間をB(Bは2以上の整数)サブフレーム期間に分割し、
    前記表示部に0階調〜A−1階調を表示させるときに、前記第1サブフレーム期間は前記画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、該第1サブフレーム期間以外の第2サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
    (x−1)A−(x−2)階調〜xA−x階調を表示させるときに、第1〜第x−1サブフレーム期間は該画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第xサブフレーム期間は該画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第x+1サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
    (B−1)A−(B−2)階調〜BA−B階調を表示させるときに、第1〜第B−1サブフレーム期間は該画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第Bサブフレーム期間は該画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させる請求項1に記載の表示装置。
  5. 前記表示部は、
    相互に交差する複数のソース配線および複数のゲート配線によってマトリクス状に区画された各領域にそれぞれ、前記電流発光素子の他に、少なくとも駆動用第1アクティブ素子およびスイッチ用第2アクティブ素子を有する画素部が配置され、
    該第1アクティブ素子のゲート端子と該ソース配線とが該第2アクティブ素子を介して直接または他の素子を介して間接的に接続され、
    該第2アクティブ素子のゲート端子と該ゲート配線とが接続され、該第2アクティブ素子が導通状態のときに、該第1アクティブ素子のゲート端子電圧が該ソース配線からの前記表示信号に対応した電圧に設定され、該第2アクティブ素子が非導通状態のときに、該第1アクティブ素子から該電流発光素子に対して該第1アクティブ素子のゲート端子電圧に対応した電流が供給されて階調表示が行われるように構成されている請求項1に記載の表示装置。
  6. 前記表示駆動手段は、
    各種制御信号を出力するコントロール回路と、
    該各種制御信号のいずれかに基づいて前記ゲート配線を順次選択して走査信号を出力するゲートドライバ回路と、
    該各種制御信号のいずれかに基づいて前記ソース配線を順次選択して前記表示信号を出力するソースドライバ回路とを有する請求項5に記載の表示装置。
  7. 前記コントロール回路は、
    前記各種制御信号として、スタートパルス、クロック信号およびラッチパルスを出力し、
    前記ソースドライバ回路は、
    該スタートパルスが該クロック信号に合わせて順次シフトされて出力されるシフトレジスタと、
    該シフトレジスタからの出力タイミング合わせて、入力画像信号をデータとして取り込むレジスタ手段と、
    該データを該ラッチパルスに同期して取り込むラッチ回路と、
    該ラッチ回路からの該データに対応した表示信号を前記ソース配線にそれぞれ出力して、前記ゲートドライバ回路で選択した前記画素部に供給する表示信号出力回路とを有する請求項6に記載の表示装置。
  8. 前記ソース配線には前記ソースドライバ回路の表示信号出力回路が接続され、
    前記第2アクティブ素子が導通状態のときに、該ソース配線を通して前記第1アクティブ素子から該表示信号入出力回路へ表示信号電流が供給されることによって、該第1アクティブ素子のゲート端子電圧が設定される請求項6または7に記載の表示装置。
  9. 前記画素部は、
    前記第1アクティブ素子、第4アクティブ素子さらに前記電流発光素子が電源配線と共通電極間に直列に接続されて設けられ、
    該第1アクティブ素子のゲート端子と該電源配線との間に第1コンデンサが設けられ、
    該第1アクティブ素子と該第4アクティブ素子との接続点と前記ソース配線との間に第3アクティブ素子が設けられている請求項5または8に記載の表示装置。
  10. 前記ソース配線には前記ソースドライバ回路の表示信号出力回路が接続され、
    前記第2アクティブ素子が導通状態のときに、該表示信号出力回路から該ソース配線を通して該第1アクティブ素子のゲート端子に表示信号電圧が印加されることによって、該第1アクティブ素子のゲート端子電圧が設定される請求項6または7に記載の表示装置。
  11. 前記画素部は、
    前記第1アクティブ素子、第4アクティブ素子さらに前記電流発光素子が電源配線と共通電極間に直列に接続されて設けられ、
    該第1アクティブ素子のゲート端子と電位配線間に第1コンデンサが設けられ、
    該第1アクティブ素子および該第4アクティブ素子の接続点が、第3アクティブ素子を介して該ゲート端子に接続されると共に、第2コンデンサさらに前記第2アクティブ素子を介して前記ソース配線に接続され、
    該第2コンデンサと該第2アクティブ素子との接続点が第5アクティブ素子を介して該電位配線に接続されている請求項5または10に記載の表示装置。
  12. 前記画素部は、
    電源配線と共通電極間に第4アクティブ素子、前記第1アクティブ素子さらに前記電流発光素子が直列に接続されて設けられ、
    該第1アクティブ素子のゲート端子が、第6アクティブ素子を介して電位配線に接続されると共に、第3コンデンサさらに前記第2アクティブ素子を介して前記ソース配線に接続され、
    該第3コンデンサと該第2アクティブ素子との接続点が、第4コンデンサを介して該電源配線に接続されると共に、第7アクティブ素子を介して該第4アクティブ素子と該第1アクティブ素子との接続点に接続されている請求項5または10に記載の表示装置。
  13. 前記1フレーム期間を構成する少なくとも二つのサブフレーム期間の長さが同一かまたは、互いに異なって設定されている請求項1〜4のいずれかに記載の表示装置。
  14. 前記少なくとも二つのサブフレーム期間の長さは、前記表示部のガンマ特性に対応するように互いに異なって設定されている請求項13に記載の表示装置。
  15. 請求項1〜14のいずれかに記載の表示装置を用いて表示画面上に画像表示を行う電子情報機器。
  16. 電流発光素子が複数配列され、表示信号に基づいて該電流発光素子を駆動させて表示部に画像を階調表示させる表示装置の駆動方法において、
    1フレーム期間が複数のサブフレーム期間に分割されており、
    第1サブフレーム期間を用いて0階調〜A−1階調表示を行い(Aは2以上の整数)、
    これに第2サブフレーム期間を加えてA階調〜2A−2階調表示を行って、
    該1フレーム期間を通して2A−2+1以上の階調表示を行う表示装置の駆動方法。
  17. 前記1フレーム期間をB(Bは2以上の整数)サブフレーム期間に分割し、
    前記表示部に0階調〜A−1階調を表示させるときに、前記第1サブフレーム期間は前記画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、該第1サブフレーム期間以外の第2サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
    (x−1)A−(x−2)階調〜xA−x階調を表示させるときに、第1〜第x−1サブフレーム期間は該画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第xサブフレーム期間は該画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させ、第x+1サブフレーム期間〜第Bサブフレーム期間は該画素部に点灯させず、
    (B−1)A−(B−2)階調〜BA−B階調を表示させるときに、第1〜第B−1サブフレーム期間は該画素部に階調レベルA−1で点灯させ、第Bサブフレーム期間は該画素部に階調レベル0〜階調レベルA−1で点灯させる請求項16に記載の表示装置の駆動方法。
  18. 前記1フレーム期間を構成する少なくとも二つのサブフレーム期間の長さを同一かまたは互いに異なって設定する請求項16または17に記載の表示装置の駆動方法。
  19. 前記少なくとも二つのサブフレーム期間の長さは、前記表示部のガンマ特性に対応するように互いに異なって設定されている請求項18に記載の表示装置の駆動方法。
  20. 請求項16〜19のいずれかに記載の表示装置の駆動方法の各処理をコンピュータに実行させるための表示制御プログラム。
  21. 請求項20に記載の表示制御プログラムが記録されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体。
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