TW492081B - Dopant pastes for the production of p, p+ and n, n+ regions in semiconductors - Google Patents

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Werner Stockum
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Description

492081 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明說明（1 ) 本發明係關於用以在單晶和多晶s JI晶片中製造P ， P 和N，N 1區域用之新穎的硼、磷或硼一鋁摻雜糊料， 及相關糊料作爲半導體製造、電力電子零件或於光電池用 途之遮蔽糊料之使用。 在光電池技術和在電子半導體情況中（如：二極體、 閘流晶體管），於單晶S i晶片摻雜硼或磷係藉由蒸汽相 (P〇C 1 3、磷化氫、BB Γ3)或固體（膜或固體薄片 )或使用液態介質（如：磷酸）和他種有機B或p系統實 施。 使用這些技巧無法直接成型。可以在未使用繁複程序 (如：照相平版印刷程序）來遮蔽不欲摻雜區域的情況下 選擇性地摻雜定義的區域。 在光電池技巧中，因爲在背面上摻雜P 而能得到大 規模或局部背表面電場（B S F )。目前所用的生產線僅 以大規模背表面電場操作，其由A 1金屬層或液態硼來源 得到。局部B S F目前僅侷限於實驗室規模，下文中會詳 述其原因。 大規模背面電場特別有利，在薄S i晶片（^ 2 5〇 微米）的情況中更是如此，在不是這樣的情況下，電池效 能會顯著降低。以厚度> 3 0 0微米的S 1晶片爲例’這 樣的B S F目前藉由以鋁糊料大規模印刷而得〔P.Lolgen; F.J.Bisschop; W.C.Sinke; R.A.Steeman; L.A Verhoef 等人編 輯，第六版 PV Science and Engineering Conference，New
Delhi ，1 9 9 2，p P，2 3 9〕。其優點在於P 1摻雜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----* ^---^------衣--------訂---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -4- 492081 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 Β7 五、發明說明（2 ) 物（即，B S F )因鋁而累積’另一方面，電池中產生的 電力也會因鋁而散逸。但在薄晶片的例子中，在鋁燒入之 後，晶片會彎曲。因此’因爲將這樣的彎曲電池加至一般 爲便設計的模具中相當困難，所以，這樣的晶片的進一步 操作和加工須要特別的設備。 在 DE 1 9 5 0 8 7 1 2 C2 和 K.A. Muzer，R. R. King, R.E. Schlosser, H.J. Schmidt, J. Schamlzbauer, S.
Sterk, H.L. Mayer,13th European Photovoltaic Solar Energy Conference 5 2 3 — 2 7 1〇·1995，ρ· 1 3 9 8中意欲藉由使用硼的旋塗法解決此問題。此處， Ρ + +摻雜料以硼和鋁爲基礎地製得，其在後續印刷中藉由 鋁糊補充。 此方法的缺點在於 a )旋塗法須大量材料 b )昂貴的設備花費才能使角形的晶片以旋塗法被均勻地 塗覆 c )高遍佈和昂貴的操作成本對於大量生產而言有相當大 的困難 d )如前述者，晶片無法選擇圖案。 本發明的目的是要提出一種用於半導體技術之經改良 、不昂貴的摻雜糊料，其無前述缺點且可以直接使用。本 發明的另一目的是要提出相關網板可印刷的糊料。 以藉網板、滚筒、軋板、模板印刷法或半導體技術中 常用以在S i晶片中製造p、p f-、p 1 h、η、η '、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----I---訂------- 丨！線0· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 492081 A7 B7 五、發明說明（3 ) n i 1區域的他種印刷技巧選擇性和大規模地印刷s 1晶片 的摻雜糊料達成本發明，此摻雜糊料中含有： a ) —或多種具有摻雜作用的組份， b ) S 1〇2基質， c )溶劑， d )視情況使用酸和水’及視情況使用的 e )添加物，如：稠化劑或潤濕劑， 總組成物的金屬離子類雜質濃度低於5 0 0 p p b ，以低 於2〇〇ppb爲佳。 經由測試，已經知道前述缺點可以藉此處發現之網板 可印刷的摻雜糊料而消除。 根據本發明之糊料含有摻雜物來源，選自硼鹽、氧化 硼、硼酸、有機硼化合物、硼-鋁化合物和磷鹽、氧化磷 、五氧化磷、磷酸、有機磷化合物、有機鋁化合物和鋁鹽 〇 基本上，嫻於此技藝者已經知道之主要選自週期表第 m和v主族的化合物可適用。 此相關糊狀物另含有s 1〇2、由一或多種s 1〇2先 質構成的基質。 此摻雜糊料可以含有一或多種摻雜來源，選自氧化硼 (B 2 0 3 )、磷酸（Η 3 P〇4 )、五氧化磷（Ρ 2〇5 ) 和鋁鹽，此摻雜來源亦可以不同濃度使用。 本發明亦係關於含有一或多種摻雜來源的摻雜糊料’ 此摻雜來源選自有機硼、磷和鋁化合物’此摻雜來源亦可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ⑽2081 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 137 五、發明說明（4 ) 以不同濃度使用。 ’ 本發明之目的另由含有一或多種摻雜來源的摻雜糊料 達成，此摻雜來源選自包括氧化硼（B 2〇3 )、磷酸（ Η 3 P〇4 )、五氧化磷（Ρ 2〇5 )和鋁鹽或有機鋁化合物 及視情況使用的一或多種摻雜來源（選自有機硼、有磷和 鋁化合物），此摻雜來源亦可以不同濃度使用。 根據本發明，摻雜糊料所含的S i〇2基質可製自通式 爲R ’ n S i (〇R ) 4 - η的有機矽化合物，其中， R/代表甲基、乙基或苯基， R 代表甲基、乙基、正丙基或異丙基，而 η 代表0、1或2。 本發明另係關於含有製自矽烷之S 1〇2基質的摻雜糊 料，選自單獨使用或倂用的四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷 、四丁氧基矽烷。 本發明亦係關於所描述之新穎的摻雜糊料在半導體技 術、光電池技術和電力電子零件方面之使用。 除了摻雜糊料之外，本發明亦提出遮蔽糊料，含有 a) Si〇2基質， b )溶劑， c )視情況使用的酸和水，及視情況使用的 d )添加物’如：稠化劑或潤濕劑， 總添加物的金屬離子類雜質量低於5 〇 〇 p p b ，以低於 2〇〇P p b爲佳。 此遮蔽糊料組成類似於摻雜糊料，但沒有摻雜物的遮 --------訂·-------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Α7 Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^_____Β7__ 1、發明說明（5 ) 蔽糊料根據本發明地用於半導體技術、光電池技術和電力 電子零件方面。 類似地，藉由網板可印刷的糊料，可以使大量或選擇 性（選擇性發光）的磷以不昂貴且遍佈的方式摻雜。 形成圖案的階段（目前可以光蝕刻法達成）可以藉由 使用網板可印刷的摻雜糊料而以價格較低廉的方式代替。 以被描述成無摻雜添加物之純s 1 0 2基質糊料的遮蔽 糊料可用以形成故蒽定義的保護層。此處，此糊料可以大 量用於S i晶片或者以圖案施用。此使得定義出的區域受 到保護而不會在擴散法中被摻雜。 藉由用選擇性產製ί爹有磷、硼和硼-銘的砂酸鹽層的 新穎糊料達到此目的。這些糊料適用於電子工業的印刷技 術。迨些特別包括’網版印刷技巧或乳印。 視所欲用途而定地，可以改變糊料中之各個組份的濃 度和黏度。 根據本發明，此摻雜糊料的另一特點在於定義的基質 。其製自在擴散法之加熱期間內會形成S i〇2的組份。與 提供硼或磷的組份述於文獻〔K . Spanowsky，The Diffusion of Boron with the aid of Spin Glasses m MOS T e c h η o 1 o g y (藉由旋轉玻璃之助而使硼擴散進入M〇S的 技巧），siploma dissertation，1996; R · Fischer，
Experiments to Clarify the Diffusion Mechanism of P h o s p h o r u s i n S i 1 i c ο n (磷進入砂中之擴散機構的實驗）， d i p 1 〇 m a d e s s e r t a t i ο η ，1 9 9 4〕中，且嫻於此技術者已 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---^ ：-----------------訂---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 492081 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（6 ) 經知道形成硼——磷石夕酸鹽玻璃（B 2〇3 ) X * ( S 1〇2 ) V或（P 2〇5 ) X * ( S i〇2 ) y。此玻璃形成在摻雜期間 內的摻雜物來源。 摻雜糊料中之形成S 1〇2的組份的量在0 . 1 - 5重 量％範圍內◦與摻雜組份B 2〇3或P 2〇5之間的關係中， 可以限制S 1〇2與B 2〇3或P 2〇5之比例，但S 1〇2 中的摻雜物以1 0 — 8 0 %爲佳。可以藉由此比例良好地 控制在矽中的摻雜物濃度。如文獻〔A. Goetzberger; B.
Vob; J. Knobloch, Solar Power : Photovoltaic Technology (太陽能：光電池技巧），Teubner Studienbucher Stuttagart 1997，pp.4〇；l〇7〕中已知者， 由擴散時間和擴散溫度參數控制。 此摻雜程序藉由調節在空氣或氧氣中之擴散的方式進 行。磷擴散溫度是如：9 0 0 - 9 5 0 °C，而硼擴散溫度 是約9 5 0 — 1 2 5 0 °C。此擴散溫度視所用的S 1晶片 而定。以單晶晶片爲例，因爲它們的熱安定性優於多晶晶 片，所以擴散溫度可以更高，如：高至約1 2 5 0 °C。 此擴散亦可以快速熱加工（R T P )技巧進行。 擴散時間可以視用途目的而疋’由幾分鐘高至6 0小 時或以上。擴散之後，晶片以H F (濃度約2 — 5 0 % Η F )處理，以溶解形成的磷或硼矽酸（P S G，B S G ) 玻璃。此處理之後’ S 1晶片無S 1表面。 摻雜組份的濃度範圍是以摻雜糊料計之0 - 1 0 %。 組成物未摻雜（〇重量％ )時’製得遮蔽糊料。其製法與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —►—·--------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- 492081 Λ7 H7 五、發明說明（7 ) 摻雜糊料之製法相同。 溶劑是糊料的主要構份。以總量計，其量在5 〇 一 8 0重量％範圍內。 用以調整黏度範圍和摻雜物之可印刷性（即，形成可 印刷的糊料）的稠化劑比例在以糊料總量計之約1 一 2〇 重量％範圍內。 具有有利於所欲目的的他種添加物有：抗起泡劑、黏 著性調整劑、稠化劑、潤濕劑、均化劑或觸變劑。這些對 於糊料的可印刷性有正面影響。 烷氧基矽烷一般適用以形成矽基質，特別是通式爲 R、S i (〇R ) 4 — η的矽烷，其中， R’代表甲基、乙基或苯基， R 代表甲基、乙基、正丙基或異丙基，而 η 代表〇、1或2 。 適當矽烷的例子有四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四 丁氧基矽烷、四丙氧基矽烷及高碳和混合的例子，即，具 長鏈烷基鏈的矽烷或具有多個烷基殘基的矽烷。 亦可有利地使用多種烷基-或烷氧基矽烷之混合物。 可能要預先水解這些化合物。使用不須事先處理的矽 氧烷（如：聚矽氧烷）有利於產製根據本發明之糊料。 基質於擴散爐中加熱時，有機矽化合物形成二氧化矽 ，例如，根據下列式子： C 8 Η 2 〇 〇 i S i > C 〇2 + H2O + S i Ο 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ——>lll·-----% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 492081 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) (TEOS ，四乙基正矽酸鹽） 欲製備摻雜基質’可以使用硼和磷的化合物及鋁化合 物作爲無機組份。例子包括氧化硼B 2 0 3、硼酸 B (〇H) 3、鱗酸H3P〇4、P2〇5和A 1鹽或有機隹呂 化合物。 硼和磷的有機化合物及有機鋁化合物可以作爲有機組 份。 本發明之糊料可以進一步地與添加物混合。這些可以 是有機和無機酸，如：硝酸、氫氯酸、乳酸、草酸、甲酸 之類。特別地，在有機s i化合物必須水解時添加這些酸 。通常，可以使用院基鏈長η = 1 - 1 〇的這樣的有機酸 。可資利用的鹽的烷基殘基可爲直鏈或帶有支鏈者。 有機矽化合物必須事先水解時，須使用根據本發明之 糊料中的相關添加物。但是，在矽氧烷的例子中，可以省 略此添加物。 適當稠化劑包括T h i X 〇 t ο η ® (蓖麻油）、B q r c h 1 g e η TS® (用於矽酸的流變添加物）、具各種量和性質的膨潤土 (一般是用於極性溶劑混合物的無機流變添加物）、硝基 纖維素、乙基纖維素和他種纖維素化合物、品質不童的聚 乙烯基吡咯啉酮、澱粉（+ N Η 4〇Η )、明膠、藻酸、高 度分散非晶狀矽酸（Aerosol®)、聚乙烯基丁醛（
MowUal® )(於，如：丁二醇中溶解度高者）、羧基甲基 纖維素（viV1stai‘）、熱塑性聚醯胺樹脂（Eurelon®)(須 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I i ·ϋ n n in HI - ^ I 1_1 1_1 I— n· _1 n I _ -J-U 口 为 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 492081 A7 B7 五、發明說明（9 ) 於約1 8 0 °C煮沸）、有機蓖麻油衍生物（ThiXin R® )、 二醯胺蠘（T h丨x a t r ο 1 ρ 1 u s ® )、溶脹用聚丙嫌酸酯（ Rheolate®)、聚醚脲—聚胺基甲酸乙酯（Rheolate®)、聚 醚一多元醇（Rheolate®)。 聚矽氧烷、矽氧烷和三矽氧烷可以作爲均化劑。 特別適合的添加物是與他種組份結合良好，以能夠於 低於2 0 0 °C的溫度預先乾燥、不發黏且於2 0 0 -5 0 0 °C燃燒之後不會留下渣質者爲佳。 以稠化劑及以使用的溶劑調整高純度摻雜糊料的黏度 〇 對於光電池技巧中之良好的摻雜糊料的基本要求在於 儘可能不會被金屬化合物所污染。特別地，不希望有在文 獻中通常被稱爲載體壽命”殺手’’的金屬鐵、鉻、銅、鎳、金 、鈣.·等的陽離子。它們在糊料中的濃度應儘可能遠低 於5 0 0 p p b。在特別的情況中，濃度應儘可能遠低於 2〇0 P P b。要符合這些條件，在特別的情況中，只能 使用經純化的起始物。 除了前面提到的組份之外，也必須添加溶劑以產製糊 料。 穩定的有機溶劑包括親水性多元醇（如：乙二醇、甲 基溶纖素、甲基溶纖素乙酸酯、乙基溶纖素、二乙基溶纖 素、溶纖素乙酸酯、乙二醇、一 丁醚、乙二醇一苯醚、甲 氧基甲氧基乙醇、乙二醇一乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、二 甘醇、二甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚乙酸酯、二甘醇一丁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -HI m I -1 m —1« HI m ·ϋ ϋ— II β I— n —ϋ a_i_i n I ϋ— 一 口 f I n It m n in m m I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 492081 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明說明（1〇) 醚、二甘醇一丁醚乙酸酯、二甘醇二甲酸、二甘醇甲基乙 基醚、二甘醇二乙醚、二甘醇乙酸酯、二甘醇、二甘醇〜 甲醚、三甘醇一乙醚、四甘醇、液態聚乙二醇、丙二醇、 丙二醇一甲醚、丙二醇一乙醚、丙一醇一丁醚、1 一丁氧 基乙氧基丙醇、二丙二醇、二丙二醇一甲醚、二丙二醇〜 乙醚、三丙二醇一甲醚、聚丙二醇、伸丙二醇、丁二醛、 1 ，5 -戊二醛、己二醇、丙三醇、乙酸甘油酯、二乙酸 甘油酯、三乙酸甘油酯、三羥甲基丙炔、1 ，2 ，6〜己 三醇）或其親水衍生物及脂族和芳族多價醇（如：1 ’ 2 一丙二醇、1 ，5 —戊二醇、辛二醇）和其醚類或這些溶 劑之混合物。 適當構份可以，如，含有1 ，2 — 丁二醇作爲其主要 構份。已經證實含有3 0 — 9 5重量％ 1 ，5 —戊二醇的 這樣的溶劑適用。這樣的混合物可以含有乙二醇一丁醚（ EGB) 、二甘醇一丁醚（DGB)、二丙二醇一甲醚（ DPM) 、1 ，4 — 丁二醇（1 ，4 — BD)和 1 ，3 — 丁二醇（1 ，3 B D )作爲其他溶劑。 可進一步使用親水醚（如：二噁烷、三噁烷、四氫呋 喃、四氫吡喃）作爲溶劑。甲醛、二乙縮醛、丁酮、甲基 異丁基酮、二乙酮、乙醯丙酮、二丙酮醇或親水酯（如： 甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、乙酸甲酯和乙酸乙酯） 亦適用。 試驗顯示將5 0 - 1 〇 〇毫克糊料施用於慣用的晶片 (如：4英吋晶片）中，足以達到摻雜效果。可藉嫻於此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----.----U------^^衣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
T . n 11 «ϋ —me tm— i « a n >ϋ n n In ·ϋ —Ml I -13- 492081 Λ7 Β7 五、發明說明（11 ) 技藝者已經知道的方法將根據本發明之糊料施用於欲加以 處理的晶片上。特別地，網板印刷法適用於此處。已知者 中’藉由加熱至2〇〇至6〇〇°C (以約5〇〇°c爲佳） ’可將施用的糊料轉化成所欲摻雜層。所須加熱時間視施 用的糊料層厚度而定。 根據本發明之糊料適用以產製p - η接線，如：特別 是在半導體技術中，但亦可用於產製太陽能技術中所用的 太陽能電池。 例如’已經知道藉由將根據本發明的硼糊料用於產製 經摻雜的玻璃層，太陽能電池產製效率由一般的1 4 %提 商約1 . 5至2 %。 爲能更瞭解及明瞭，下面提出屬本發明之保護作用範 圍內的例子，但不欲因這些實例而限制本發明。 實例1 : Τ Ε 0 S ( 1 · 4 3克）置於燒杯中。之後添加溶劑 Ν-甲基吡咯啉酮ΝΜΡ(83克），藉攪拌器製得基礎 混合物。之後連續添加聚乙烯基吡咯啉酮（1 1克）、三 氧化二硼（4 . 6克）和最後添加的乳酸（3克）。添加 期間內，必須要進一步劇烈攪拌。完全添加之後，混合物 攪拌3 0分鐘以上。短暫的等待時間之後，移至容器中。 此等待時間用以使混合物中形成的氣泡能夠破掉。 此混合物形成糊料，以彼於晶片上形成硼玻璃，即’ 以經調節的方式得到具所欲硼濃度之摻雜的單晶和多晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 492081 A7 B7 五、發明說明（12) S 1晶片。 此糊料於儲存時穩定’容易處理並可印刷。可以使用 標準溶劑而自網板印刷布上移除。 具溶劑或溶劑混合物的糊料例： ----,2---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨訂---------線_ I . P 糊料 30克 1.4-丁二醇 5克 Ρ2Ο3 53克 1，2-丙二醇 1.5克 Trasil® (矽來源;具烷氧基的烷基矽酮樹脂） 0.2克 Foamex N® (聚二甲基矽氧烷;除氣泡劑） 0.2克 Aerex® (摻有矽酮的高分子量有機聚合物；抗 起泡劑） 3克 Byk 410® (經修飾的尿素;觸變劑） 0.05 克 TEG〇 Glide 400® (經聚醚修飾的聚矽氧烷;均化劑） 4克 PVP (聚乙烯基吡咯啉酮;稠化劑） Π .硼糊料 83克 1.2-丙二醇 4·6克 B2〇3 1.43 克 TEOS 3克 乳酸 2.5克 Byk 410® 觸變劑 0.05 克 TEG〇 Glide 400® 均化劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 492081 A7 B7 五、發明說明（13 ) 0_2克 Aerex® 抗起泡齊ij 0.2克 Foamex N® 除氣泡齊ij 4克 PVP 稠化劑 Π . Si 糊料 48克 1.2-丙二醇 3克 TEOS 3克 乳酸 35克 乙二醇一丁醚 3克 Trasil® 5克 Byk 41〇® 觸變劑 0.4克 TEGO Glide 400® 均化劑 4克 PVP 稠化劑 -Hi In n ϋ ϋ n HI n 1 0 n ·ϋ n emmmme l II ·ϋ 一 _口1 a «ϋ i a·^ n i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16-

Claims (1)

  1. 492081 A8 h月6 3修正/笔1/補錢 D8 六、申請專利範圍 附件一：第89104087號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年2月修正 1 · 一種用以藉網板、滾筒、軋板、模板印刷法或半 導體技術中常用以在S i晶片中製造p、p+、p++、n ' η +、η + +區域的他種印刷技巧選擇性和大規模地印刷 S i晶片的摻雜糊料，其特徵在於其中含有： a ) —或多種具有摻雜作用的組份， b ) S i〇2基質， c )溶劑， d )視情況使用酸和水， 及視情況使用的 e )添加物，如：稠化劑或潤濕劑， 總組成物的金屬離子類雜質濃度低於5 0 0 p p b，以低 於200ppb爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 ·如申請專利範圍第1項之摻雜糊料，其中，含有. 摻雜物來源，選自硼鹽、氧化硼、硼酸、有機硼化合物、 硼-鋁化合物和磷鹽、氧化磷、五氧化磷、磷酸、有機磷 化合物、有機鋁化合物和鋁鹽。 3 ·如申請專利範圍第1項之摻雜糊料，其中，含有 由一或多種S i〇2先質構成的S i〇2基質。 4 ·如申請專利範圍第1至3項中任何一項之摻雜糊 料，其中，含有一或多種摻雜來源，選自包括氧化硼（ 本紙張尺度逋用中國國家梂率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 492081 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) B 2 0 3 )、硼酸B (〇H)3、磷酸（H3P〇4)、五氧 化磷（P 2〇5 )和鋁鹽及有機A 1化合物，摻雜來源可以 不同濃度使用。 5 .如申請專利範圍第1至3項中任何一項之摻雜糊 料’其中，含有一或多種摻雜來源，包括有機硼、磷和鋁 化合物，摻雜來源可以不同濃度使用。 6 .如申請專利範圍第1至3項中任何一項之摻雜糊 ’料，其中，含有一或多種摻雜來源，包括氧化硼（B 2〇3 )、硼酸B(〇H)3、磷酸（H3P〇4)、五氧化磷（‘ P 2〇5 )和鋁鹽及視情況使用的一或多種摻雜來源，包括 有機硼、磷和鋁化合.物，摻雜來源可以不同濃度使用。 7 .如申請專利範圍第1至3項中任何一項之摻雜糊 料，其中，含有S 1〇2基質，其製自通式爲 R、S i (〇R ) 4 - η的矽烷， 其中， 代表甲基、乙基或苯基， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R 代表甲基、乙基、正丙基或異丙基，而 η 代表〇、1或2 。 8 .如申請專利範圍第1至3項中任何一項之摻雜糊 料，其中，含有S i 〇2基質，其製自單獨使用或以混合物 形式使用的四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丁氧基砂院 、四丙氧基矽烷。 9 ·如申請專利範圍第1至3項中任何一項之摻雜糊 料/其中，含有一或多種溶劑，選自親水性多元醇、它們 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "" -2 - 492081 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 的醚類或酯類、親水性醚類、醛類、酮類或酯類或混合物 Ο 1 0 ·如申請專利範圍第9項中之摻雜糊料，其中， 含有30 - 95重量，2 -丙二醇，其爲一或多種選 自乙二醇一丁醚（EGB)、二甘醇一丁醚（DGB)、 二丙二醇一甲醚（DPM) 、1 ，4 — 丁二醇（1 ，4 一 BD)和1 ，3 — 丁二醇（1 ，3BD)之溶劑和/或一 或多種選自二噁烷、三噁烷、四氫呋喃、四氫吡喃 '甲醛 、二乙縮醛、丁酮、甲基異丁基酮、二乙酮、乙醯丙酮、 二丙酮醇、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、乙酸甲酯和 乙酸乙酯之溶劑之混合物。 1 1 .如申請專利範圍第1至3項中任何一項之摻雜 糊料，其中，含有四乙基正矽酸鹽作爲Si〇2基質，1 ， 2 —丙二醇、N —甲基吡咯啉酮、乙二醇一丁醚、1 ，4 -丁二醇或它們的混合物作爲溶劑，乳酸作爲酸，P 2〇5 或B 2〇3作爲摻雜劑及含有添加物、均化劑、觸變劑、稠 化劑和視情況使用的抗起泡劑和除氣劑，形成S i〇2之組 份在摻雜糊料中的量在0 . 1 - 5重量％範圍內，且摻雜 組份P2〇5或B2〇3在s i〇2中的摻雜量在1 〇 — 8 0 %範圍內。 . 1 2 ·如申請專利範圍第1至3項中任何一項之摻雜 糊料，其中，用於半導體技術、光電池技術或電力電子零 件。 . 13·—種遮蔽糊料，其特徵在於其中含有 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ： ~ -3 _ · 裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 492081 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 a ) S i〇2基質， b )溶劑， c )視情況使用的酸和水， 及視情況使用的 d )添加物，如：稠化劑或潤濕劑， 總添加物的金屬離子類雜質量低於5 0 0 p P b，以低於 200ppb 爲佳。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之摻雜糊料，其係用 於半導體技術、光電池技術或電力電子零件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -4-
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