JPH09283457A - 半導体用塗布拡散剤 - Google Patents
半導体用塗布拡散剤Info
- Publication number
- JPH09283457A JPH09283457A JP9100896A JP9100896A JPH09283457A JP H09283457 A JPH09283457 A JP H09283457A JP 9100896 A JP9100896 A JP 9100896A JP 9100896 A JP9100896 A JP 9100896A JP H09283457 A JPH09283457 A JP H09283457A
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- JP
- Japan
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- hydrocarbon
- diffusing agent
- coating
- compound
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多種多様な特性を有する半導体素子の製造方
法に対して、広範囲に対応できかつ、濃度や粘度等の塗
布特性を柔軟に変えられる新規な半導体素子用塗布拡散
剤を提供する。 【解決手段】 ２酸化ケイ素膜を形成する原料と、不純
分を構成する他の原料と，この原料を投入する溶媒とし
てのアルコールとより成る点に特徴がある外に、前記２
酸化ケイ素膜を形成する原料として、ＳｉーＸ4 （Ｘ：
炭化水素化合物）で表されるケイ素酸化物で構成させ、
更に前記炭化水素化合物より成るＸは、ーＯＲ（Ｒ：炭
化水素基）、ーＲ、ーＯＨ等前記溶媒に溶けやすい基を
備え、更に又前記ケイ素化合物炭化水素は、ホモ炭化水
素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基を有する点にも
特徴がある。
法に対して、広範囲に対応できかつ、濃度や粘度等の塗
布特性を柔軟に変えられる新規な半導体素子用塗布拡散
剤を提供する。 【解決手段】 ２酸化ケイ素膜を形成する原料と、不純
分を構成する他の原料と，この原料を投入する溶媒とし
てのアルコールとより成る点に特徴がある外に、前記２
酸化ケイ素膜を形成する原料として、ＳｉーＸ4 （Ｘ：
炭化水素化合物）で表されるケイ素酸化物で構成させ、
更に前記炭化水素化合物より成るＸは、ーＯＲ（Ｒ：炭
化水素基）、ーＲ、ーＯＨ等前記溶媒に溶けやすい基を
備え、更に又前記ケイ素化合物炭化水素は、ホモ炭化水
素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基を有する点にも
特徴がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体用塗布拡散剤
に係り、特にシリコンウエーハへの不純物拡散時に好適
する。
に係り、特にシリコンウエーハへの不純物拡散時に好適
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体用単結晶内に不純物を導入拡散す
る方式として、半導体用塗布拡散剤が近年利用されてお
り、Ｓｂ不純物塗布拡散剤を例に説明する。
る方式として、半導体用塗布拡散剤が近年利用されてお
り、Ｓｂ不純物塗布拡散剤を例に説明する。
【０００３】シリコン酸化物例えば２酸化ケイ素膜用の
原料としては、エチルシリケートＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4
に対して不純物源Ｓｂ2 Ｏ3 原料としてアンチモンエト
キシドＳｂ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 の形で溶媒中に混合されて
いる。ＳｉＯ2 膜用として記載したエチルシリケートの
分子式を図６に示す。
原料としては、エチルシリケートＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4
に対して不純物源Ｓｂ2 Ｏ3 原料としてアンチモンエト
キシドＳｂ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 の形で溶媒中に混合されて
いる。ＳｉＯ2 膜用として記載したエチルシリケートの
分子式を図６に示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｂ不純物塗布拡散剤
を例にすると、溶媒にアルコール例えばイソプロピルア
ルコールが用いられた場合には、ＳｉＯ2 膜源としてＳ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 だけが使用されており、このＳｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 と不純物源並びに溶媒であるアルコー
ルの混合比を制御することにより塗布特性（濃度、粘度
性質等）を決定しているためにその種類が限定されてい
た。
を例にすると、溶媒にアルコール例えばイソプロピルア
ルコールが用いられた場合には、ＳｉＯ2 膜源としてＳ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 だけが使用されており、このＳｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 と不純物源並びに溶媒であるアルコー
ルの混合比を制御することにより塗布特性（濃度、粘度
性質等）を決定しているためにその種類が限定されてい
た。
【０００５】従って半導体素子の製造過程特に不純物拡
散工程において以下の問題が生じていて。
散工程において以下の問題が生じていて。
【０００６】１．パターン付きのシリコンウエーハを処
理する際、シリコンウエーハ表面に形成される段差の違
いにより、不純物塗布膜が剥がれる。
理する際、シリコンウエーハ表面に形成される段差の違
いにより、不純物塗布膜が剥がれる。
【０００７】２．設定される塗布膜の厚さは、広範囲で
あり、シリコンウエーハ内の膜厚を制御するのが難し
い。
あり、シリコンウエーハ内の膜厚を制御するのが難し
い。
【０００８】３．拡散処理の違い（拡散温度）により塗
布膜にクラックが発生する事があった。
布膜にクラックが発生する事があった。
【０００９】本発明はこのような事情により成されたも
ので、特に多種多様な特性を有する半導体素子の製造方
法に対して、広範囲に対応できかつ、濃度や粘度等の塗
布特性を柔軟に変えられる新規な半導体素子用塗布拡散
剤を提供する。
ので、特に多種多様な特性を有する半導体素子の製造方
法に対して、広範囲に対応できかつ、濃度や粘度等の塗
布特性を柔軟に変えられる新規な半導体素子用塗布拡散
剤を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体用塗
布拡散剤の第１の発明は、２酸化ケイ素膜を形成する原
料と、不純物を構成する他の原料と、この原料を投入す
る溶媒としてのアルコールより成る点に特徴がある。
布拡散剤の第１の発明は、２酸化ケイ素膜を形成する原
料と、不純物を構成する他の原料と、この原料を投入す
る溶媒としてのアルコールより成る点に特徴がある。
【００１１】第２の発明は、前記２酸化ケイ素膜を形成
する原料として、ＳｉーＸ4 （Ｘ：炭化水素化合物）で
表されるケイ素酸化物で構成させる点に特徴がある。
する原料として、ＳｉーＸ4 （Ｘ：炭化水素化合物）で
表されるケイ素酸化物で構成させる点に特徴がある。
【００１２】第３の発明は、前記炭化水素化合物より成
るＸは、ーＯＲ（Ｒ：炭化水素基）、ーＲ、ーＯＨ等前
記溶媒に溶けやすい基を備える点に特徴がある。
るＸは、ーＯＲ（Ｒ：炭化水素基）、ーＲ、ーＯＨ等前
記溶媒に溶けやすい基を備える点に特徴がある。
【００１３】第４の発明は、前記ケイ素化合物炭化水素
は、ホモ炭化水素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基
を有する点に特徴がある。
は、ホモ炭化水素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基
を有する点に特徴がある。
【００１４】溶媒にアルコ−ルを用いる本発明に係る半
導体用塗布拡散剤では、ＳｉＯ2 膜源には、エチルシリ
ケートだけでなく、幾つかのケイ素炭化水素化合物の形
をとる事により、塗布特性の制御範囲を拡大した。例え
ばＳｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 （プロピルシリケート）及びＳ
ｉ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 （ブチルシリケート）等が挙げられ
る。
導体用塗布拡散剤では、ＳｉＯ2 膜源には、エチルシリ
ケートだけでなく、幾つかのケイ素炭化水素化合物の形
をとる事により、塗布特性の制御範囲を拡大した。例え
ばＳｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 （プロピルシリケート）及びＳ
ｉ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 （ブチルシリケート）等が挙げられ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施例を説明する。
Ｓｂ不純物塗布拡散剤であり、溶媒にアルコールを用い
たＳｉＯ2 源としては、図１に炭化水素基を増やしたプ
ロピルシリケートの分子式を、図２にブチルシリケート
の分子式を記載した。図３には、ヘテロ官を有するシリ
カ化合物ジプロピルジハイドロシリケ−トの分子式を、
図４にジメチルジプロピルシリケートの分子式を記載し
た。
Ｓｂ不純物塗布拡散剤であり、溶媒にアルコールを用い
たＳｉＯ2 源としては、図１に炭化水素基を増やしたプ
ロピルシリケートの分子式を、図２にブチルシリケート
の分子式を記載した。図３には、ヘテロ官を有するシリ
カ化合物ジプロピルジハイドロシリケ−トの分子式を、
図４にジメチルジプロピルシリケートの分子式を記載し
た。
【００１６】更に図５では、Ｓｉ（ＯＲ）4 （Ｒ：炭化
水素）の形におけるＣ数が変化した時、同じ重量％の混
合液中に含まれるＳｉ（ＯＲ）4 と塗布膜との関係を示
す。この図に明らかなように、炭化水素鎖が増加すると
燃焼時に炭化水素部分がＣＯ2 とＨ2 Ｏに分解され生成
されるＳｉＯ2 の厚さは薄くなる。
水素）の形におけるＣ数が変化した時、同じ重量％の混
合液中に含まれるＳｉ（ＯＲ）4 と塗布膜との関係を示
す。この図に明らかなように、炭化水素鎖が増加すると
燃焼時に炭化水素部分がＣＯ2 とＨ2 Ｏに分解され生成
されるＳｉＯ2 の厚さは薄くなる。
【００１７】
【発明の効果】溶媒にアルコールを用いる半導体素子用
塗布拡散剤では、多種多様な塗布特性を有するものが調
整でき、各々の不純物拡散工程における不純物拡散特性
及び製造方法に最適な塗布拡散剤を選択できあるいは調
整できることにより歩留まりや品質の向上できる。
塗布拡散剤では、多種多様な塗布特性を有するものが調
整でき、各々の不純物拡散工程における不純物拡散特性
及び製造方法に最適な塗布拡散剤を選択できあるいは調
整できることにより歩留まりや品質の向上できる。
【図１】本発明に係る半導体素子用塗布拡散剤に使用す
るＳｉＯ2 膜原料であるプロピルシリケートの分子式を
示した。
るＳｉＯ2 膜原料であるプロピルシリケートの分子式を
示した。
【図２】本発明に係る半導体素子用塗布拡散剤に使用す
るＳｉＯ2 膜原料であるブチルシリケートの分子式を示
した。
るＳｉＯ2 膜原料であるブチルシリケートの分子式を示
した。
【図３】本発明に係る半導体素子用塗布拡散剤に使用す
るＳｉＯ2 膜原料であるジプロピルジハイドロシリケー
トの分子式を示した。
るＳｉＯ2 膜原料であるジプロピルジハイドロシリケー
トの分子式を示した。
【図４】従来使用されていた混合液中のＳｉＯ2 膜原料
であるエチルシリケ−トの分子式である。
であるエチルシリケ−トの分子式である。
【図５】Ｓｉ（ＯＲ）4 （Ｒ：炭化水素）の形における
Ｃ数が変化した時、同じ重量％の混合液中に含まれるＳ
ｉ（ＯＲ）4 と塗布膜との関係を示し、縦軸の膜厚を、
横軸に炭素数を採ったものである。
Ｃ数が変化した時、同じ重量％の混合液中に含まれるＳ
ｉ（ＯＲ）4 と塗布膜との関係を示し、縦軸の膜厚を、
横軸に炭素数を採ったものである。
【図６】従来ＳｉＯ2 膜用として使用するエチルシリケ
ートの分子式である。
ートの分子式である。
Claims (4)
- 【請求項１】 ２酸化ケイ素膜を形成する原料と、不純
物を構成する他の原料と、この原料を投入する溶媒であ
るアルコールより成る半導体用塗布拡散剤 - 【請求項２】 前記２酸化ケイ素膜を形成する原料とし
て、ＳｉーＸ4 （Ｘ：炭化水素化合物）で表されるケイ
素酸化物で構成することを特徴とする前記請求項１記載
の半導体用塗布拡散剤 - 【請求項３】 前記炭化水素化合物より成るＸは、ーＯ
Ｒ（Ｒ：炭化水素基）、ーＲ、ーＯＨ等前記溶媒に溶け
やすい基を備えることを特徴とする前記請求項１及び請
求項２記載の半導体用塗布拡散剤 - 【請求項４】 前記ケイ素化合物炭化水素は、ホモ炭化
水素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基を有すること
を特徴とする前記請求項１乃至請求項３記載の半導体用
塗布拡散剤
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100896A JPH09283457A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100896A JPH09283457A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283457A true JPH09283457A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14014501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9100896A Pending JPH09283457A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539615A (ja) * | 1999-03-11 | 2002-11-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 半導体にｐ、ｐ＋およびｎ、ｎ＋領域を形成するためのドーパント・ペースト |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP9100896A patent/JPH09283457A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539615A (ja) * | 1999-03-11 | 2002-11-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 半導体にｐ、ｐ＋およびｎ、ｎ＋領域を形成するためのドーパント・ペースト |
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