JPH07130676A - 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 - Google Patents
半導体ウェーハのホウ素拡散方法Info
- Publication number
- JPH07130676A JPH07130676A JP5301299A JP30129993A JPH07130676A JP H07130676 A JPH07130676 A JP H07130676A JP 5301299 A JP5301299 A JP 5301299A JP 30129993 A JP30129993 A JP 30129993A JP H07130676 A JPH07130676 A JP H07130676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- semiconductor wafer
- boron
- sheet resistance
- partial pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】スピンオン拡散法において、シート抵抗が狙い
値により近づき、且つシート抵抗のバラツキがより小さ
くなる方法を提供する。 【構成】半導体ウェーハ１表面にＢ2Ｏ3を含有する塗布
液２を塗布し、該塗布液２中のホウ素をプレ拡散によっ
て半導体ウェーハ１内に拡散させ、次いで半導体ウェー
ハ１表面に形成されるボロンシリケートガラス３を除去
し、しかる後ドライブイン拡散によってホウ素を半導体
ウェーハ１内に拡散させる半導体ウェーハのホウ素拡散
方法において、プレ拡散を、酸素分圧をもつ不活性ガス
雰囲気において行うことを特徴とする。
値により近づき、且つシート抵抗のバラツキがより小さ
くなる方法を提供する。 【構成】半導体ウェーハ１表面にＢ2Ｏ3を含有する塗布
液２を塗布し、該塗布液２中のホウ素をプレ拡散によっ
て半導体ウェーハ１内に拡散させ、次いで半導体ウェー
ハ１表面に形成されるボロンシリケートガラス３を除去
し、しかる後ドライブイン拡散によってホウ素を半導体
ウェーハ１内に拡散させる半導体ウェーハのホウ素拡散
方法において、プレ拡散を、酸素分圧をもつ不活性ガス
雰囲気において行うことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェーハにＰ型
不純物を拡散させる方法に関し、詳しくはスピンオン拡
散法におけるプレ拡散工程に関する。
不純物を拡散させる方法に関し、詳しくはスピンオン拡
散法におけるプレ拡散工程に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハにホウ素を拡散させる
方法としてスピンオン拡散法がある。この方法を図２に
よって説明すると、先ずシリコンウェーハ１の単結晶シ
リコン１ａ表面にＳｉＯ2層１ｂを必要なパターンに形
成し、このウェーハ１表面にホウ素を含有する塗布液２
を塗布する。塗布液２としては通常、Ｂ2Ｏ3と有機バイ
ンダーと溶剤とからなるものを用い、高速で回転させた
シリコンウェーハ１表面に塗布液２を滴下することによ
り、均一な膜厚を得るようにしている。次いでべーク工
程において塗布液２中の溶剤を除去し、焼成工程におい
て塗布液２中の有機バインダーも除去する。次いでプレ
拡散工程においてホウ素を一定程度単結晶シリコン１ａ
内に拡散させて拡散層１ｃを形成する。このときシリコ
ンウェーハ１表面のＢ2Ｏ3はボロンシリケートガラス
（ＢＳＧ）３になるから、これをＢＳＧ除去工程におい
て除去し、しかる後ドライブイン拡散工程においてホウ
素を単結晶シリコン１ａ内に目的の深さだけ拡散させ
る。ここで上記プレ拡散工程は図１の下段に示すよう
に、従来より不活性ガス雰囲気で行われており、例えば
特開平４−５３１２７号公報にはＮ2ガス雰囲気でプレ
拡散を行った旨記載されている。
方法としてスピンオン拡散法がある。この方法を図２に
よって説明すると、先ずシリコンウェーハ１の単結晶シ
リコン１ａ表面にＳｉＯ2層１ｂを必要なパターンに形
成し、このウェーハ１表面にホウ素を含有する塗布液２
を塗布する。塗布液２としては通常、Ｂ2Ｏ3と有機バイ
ンダーと溶剤とからなるものを用い、高速で回転させた
シリコンウェーハ１表面に塗布液２を滴下することによ
り、均一な膜厚を得るようにしている。次いでべーク工
程において塗布液２中の溶剤を除去し、焼成工程におい
て塗布液２中の有機バインダーも除去する。次いでプレ
拡散工程においてホウ素を一定程度単結晶シリコン１ａ
内に拡散させて拡散層１ｃを形成する。このときシリコ
ンウェーハ１表面のＢ2Ｏ3はボロンシリケートガラス
（ＢＳＧ）３になるから、これをＢＳＧ除去工程におい
て除去し、しかる後ドライブイン拡散工程においてホウ
素を単結晶シリコン１ａ内に目的の深さだけ拡散させ
る。ここで上記プレ拡散工程は図１の下段に示すよう
に、従来より不活性ガス雰囲気で行われており、例えば
特開平４−５３１２７号公報にはＮ2ガス雰囲気でプレ
拡散を行った旨記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるにプレ拡散をＮ
2ガス１００％の雰囲気で行うと、ボロンシリケートガ
ラスとシリコンウェーハとの間にボロンシリサイドＳｉ
Ｂｙ（ｙ＝４，６）が形成される。他方ボロンシリケー
トガラスは、通常フッ酸液に浸漬することによって除去
するが、上記ボロンシリサイドはフッ酸液では除去する
ことができないために、次のドライブイン拡散工程まで
残り、この結果シート抵抗が狙い値よりも低くなり、ま
たシート抵抗のバラツキが増大する原因となっていた。
したがって本発明はスピンオン拡散法において、シート
抵抗が狙い値により近づき、且つシート抵抗のバラツキ
がより小さくなる方法を提供することを目的とする。
2ガス１００％の雰囲気で行うと、ボロンシリケートガ
ラスとシリコンウェーハとの間にボロンシリサイドＳｉ
Ｂｙ（ｙ＝４，６）が形成される。他方ボロンシリケー
トガラスは、通常フッ酸液に浸漬することによって除去
するが、上記ボロンシリサイドはフッ酸液では除去する
ことができないために、次のドライブイン拡散工程まで
残り、この結果シート抵抗が狙い値よりも低くなり、ま
たシート抵抗のバラツキが増大する原因となっていた。
したがって本発明はスピンオン拡散法において、シート
抵抗が狙い値により近づき、且つシート抵抗のバラツキ
がより小さくなる方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はプレ拡散工程
を、酸素分圧をもつ不活性ガス雰囲気において行うこと
によって、上記目的を達成したものである。その際酸素
分圧を全圧の０．５〜２％とすることができる。
を、酸素分圧をもつ不活性ガス雰囲気において行うこと
によって、上記目的を達成したものである。その際酸素
分圧を全圧の０．５〜２％とすることができる。
【０００５】
【作用】酸素分圧をもつ不活性ガス雰囲気中でプレ拡散
を行うと、不純物濃度がエラーファンクションに従うよ
うな深さ方向のプロファイルに不純物拡散が起こると同
時に、フッ酸液で溶解しないボロンシリサイド膜を酸化
する現象が起こる。したがって酸化されたボロンシリサ
イド膜は、フッ酸液によって除去されてドライブイン拡
散工程にまで残留することがなくなる。
を行うと、不純物濃度がエラーファンクションに従うよ
うな深さ方向のプロファイルに不純物拡散が起こると同
時に、フッ酸液で溶解しないボロンシリサイド膜を酸化
する現象が起こる。したがって酸化されたボロンシリサ
イド膜は、フッ酸液によって除去されてドライブイン拡
散工程にまで残留することがなくなる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。図２に示
す工程に従って、先ずシリコンウェーハ１表面にＢ2Ｏ3
と有機バインダーと溶剤とからなる塗布液２を塗布し、
次いで従来例と同様にべークし、しかる後図１に示すよ
うに、雰囲気ガスをＯ2流量５０００ｓｃｃｍとし、８
５０℃に保った熱処理炉に３０分間投入して焼成した。
次いで雰囲気ガスをＮ2流量４９５０ｓｃｃｍ、Ｏ2流量
５０ｓｃｃｍに変更し、５℃／分の昇温速度で９４０℃
まで昇温し、９４０℃において３０分間保持してプレ拡
散を行った。次いで雰囲気ガスをＮ2流量４９００ｓｃ
ｃｍ、Ｏ2流量１００ｓｃｃｍ、更にＮ2流量４８５０ｓ
ｃｃｍ、Ｏ2流量１５０ｓｃｃｍに変更し、２．５℃／
分の降温速度で８５０℃まで降温し、雰囲気ガスをＮ2
流量４７５０ｓｃｃｍ、Ｏ2流量２５０ｓｃｃｍに変更
し、８５０℃で１０分間保持した後、熱処理炉からシリ
コンウェーハ１を取り出した。その後フッ酸液に浸漬し
てボロンシリケートガラスを除去し、更にドライブイン
拡散を施した後、シリコンウェーハ１のシート抵抗を測
定した。
す工程に従って、先ずシリコンウェーハ１表面にＢ2Ｏ3
と有機バインダーと溶剤とからなる塗布液２を塗布し、
次いで従来例と同様にべークし、しかる後図１に示すよ
うに、雰囲気ガスをＯ2流量５０００ｓｃｃｍとし、８
５０℃に保った熱処理炉に３０分間投入して焼成した。
次いで雰囲気ガスをＮ2流量４９５０ｓｃｃｍ、Ｏ2流量
５０ｓｃｃｍに変更し、５℃／分の昇温速度で９４０℃
まで昇温し、９４０℃において３０分間保持してプレ拡
散を行った。次いで雰囲気ガスをＮ2流量４９００ｓｃ
ｃｍ、Ｏ2流量１００ｓｃｃｍ、更にＮ2流量４８５０ｓ
ｃｃｍ、Ｏ2流量１５０ｓｃｃｍに変更し、２．５℃／
分の降温速度で８５０℃まで降温し、雰囲気ガスをＮ2
流量４７５０ｓｃｃｍ、Ｏ2流量２５０ｓｃｃｍに変更
し、８５０℃で１０分間保持した後、熱処理炉からシリ
コンウェーハ１を取り出した。その後フッ酸液に浸漬し
てボロンシリケートガラスを除去し、更にドライブイン
拡散を施した後、シリコンウェーハ１のシート抵抗を測
定した。
【０００７】上記プレ拡散は、Ｏ2分圧を１％もつＮ2ガ
ス雰囲気のもとで行ったが、同様にしてＯ2分圧を０％
（従来例）、２％，３％及び５％だけもつＮ2ガス雰囲
気のもとでプレ拡散を行い、ドライブイン拡散後のシー
ト抵抗を測定した。表１はこの測定結果を示し、Ｏ2分
圧が０％の従来例ではシート抵抗のバラツキが大きい
が、Ｏ2分圧が１％のときにはシート抵抗のバラツキは
１／２以下に減少しており、したがってシート抵抗を狙
い値により近づけることができる。また同表より、酸素
分圧がほぼ０．５〜２％であれば、従来例に比較してシ
ート抵抗のバラツキを減少させることができる。
ス雰囲気のもとで行ったが、同様にしてＯ2分圧を０％
（従来例）、２％，３％及び５％だけもつＮ2ガス雰囲
気のもとでプレ拡散を行い、ドライブイン拡散後のシー
ト抵抗を測定した。表１はこの測定結果を示し、Ｏ2分
圧が０％の従来例ではシート抵抗のバラツキが大きい
が、Ｏ2分圧が１％のときにはシート抵抗のバラツキは
１／２以下に減少しており、したがってシート抵抗を狙
い値により近づけることができる。また同表より、酸素
分圧がほぼ０．５〜２％であれば、従来例に比較してシ
ート抵抗のバラツキを減少させることができる。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【発明の効果】本発明は、スピンオン拡散法におけるプ
レ拡散工程を酸素分圧をもつ不活性ガス雰囲気において
行うものであるから、ボロンシリサイドがドライブイン
拡散工程まで残留することがなくなり、したがってシー
ト抵抗を狙い値により近づけることができ、且つシート
抵抗のバラツキを小さくすることができる。
レ拡散工程を酸素分圧をもつ不活性ガス雰囲気において
行うものであるから、ボロンシリサイドがドライブイン
拡散工程まで残留することがなくなり、したがってシー
ト抵抗を狙い値により近づけることができ、且つシート
抵抗のバラツキを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の温度プロファイルと雰囲気
ガスを、従来例と比較して示した図
ガスを、従来例と比較して示した図
【図２】スピンオン拡散法の工程を示す工程図
１…シリコンウェーハ １ａ…単結晶シリコン １
ｂ…ＳｉＯ2層 １ｃ…拡散層 ２…塗布液 ３…ボロン
シリケートガラス
ｂ…ＳｉＯ2層 １ｃ…拡散層 ２…塗布液 ３…ボロン
シリケートガラス
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウェーハ表面にＢ2Ｏ3を含有する塗
布液を塗布し、該塗布液中の前記ホウ素をプレ拡散によ
って前記半導体ウェーハ内に拡散させ、次いで前記半導
体ウェーハ表面に形成されるボロンシリケートガラスを
除去し、しかる後ドライブイン拡散によって前記ホウ素
を前記半導体ウェーハ内に拡散させる半導体ウェーハの
ホウ素拡散方法において、 前記プレ拡散を、酸素分圧をもつ不活性ガス雰囲気にお
いて行うことを特徴とする半導体ウェーハのホウ素拡散
方法。 - 【請求項２】前記酸素分圧が全圧の０．５〜２％である
請求項１記載の半導体ウェーハのホウ素拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301299A JPH07130676A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301299A JPH07130676A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130676A true JPH07130676A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17895171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5301299A Pending JPH07130676A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130676A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016122847A (ja) * | 2010-12-02 | 2016-07-07 | サンパワー コーポレイション | バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法 |
| JP2020021766A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP5301299A patent/JPH07130676A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016122847A (ja) * | 2010-12-02 | 2016-07-07 | サンパワー コーポレイション | バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法 |
| JP2020021766A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61285714A (ja) | 半導体構造の製造方法 | |
| US4514440A (en) | Spin-on dopant method | |
| GB1177759A (en) | Method of Fabricating Semiconductor Devices | |
| JPH0758698B2 (ja) | 半導体ウエーハヘのボロン拡散方法 | |
| KR950004387A (ko) | 고 용량 반도체 도펀트의 증착 및 산화 방법 | |
| JPH07130676A (ja) | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 | |
| JPH04369216A (ja) | 半導体基板への硼素拡散方法 | |
| JPH07130675A (ja) | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 | |
| JPH0453127A (ja) | 半導体素子の不純物拡散方法 | |
| JP3039646B1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002299268A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JPH05152236A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0160932B2 (ja) | ||
| de Araujo et al. | Selective Oxidation Using Ultrathin Nitrogen‐Rich Silicon Surface Layers Grown by Rapid Thermal Processing | |
| JP2002025926A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11186183A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2583962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63119229A (ja) | ボロン拡散方法 | |
| JPS5824006B2 (ja) | 不純物拡散法 | |
| JPH07201846A (ja) | Ｃｖｄ酸化膜の界面酸化方法 | |
| JP2001267263A (ja) | 半導体シリコン基板の不純物拡散方法 | |
| JPH08111388A (ja) | Ｐドープトオキサイドによるリン（ｐ）の固相拡散法 | |
| JPS635534A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6390133A (ja) | シリコン窒化膜のドライエツチング方法 | |
| JPS58134425A (ja) | 半導体素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050719 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050825 |