JPH07130675A - 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 - Google Patents
半導体ウェーハのホウ素拡散方法Info
- Publication number
- JPH07130675A JPH07130675A JP30130093A JP30130093A JPH07130675A JP H07130675 A JPH07130675 A JP H07130675A JP 30130093 A JP30130093 A JP 30130093A JP 30130093 A JP30130093 A JP 30130093A JP H07130675 A JPH07130675 A JP H07130675A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- semiconductor wafer
- boron
- temperature
- baking
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スピンオン拡散法における焼成工程からプレ拡
散工程への移行時間の短縮を図る。 【構成】半導体ウェーハ１表面にホウ素と有機バインダ
ーとを含有する塗布液２を塗布し、該塗布液２中の有機
バインダーを焼成によって除去し、しかる後塗布液中の
ホウ素を熱拡散によって半導体ウェーハ１内に拡散させ
る半導体ウェーハのホウ素拡散方法において、焼成の温
度を８００〜８５０℃としたことを特徴とする。
散工程への移行時間の短縮を図る。 【構成】半導体ウェーハ１表面にホウ素と有機バインダ
ーとを含有する塗布液２を塗布し、該塗布液２中の有機
バインダーを焼成によって除去し、しかる後塗布液中の
ホウ素を熱拡散によって半導体ウェーハ１内に拡散させ
る半導体ウェーハのホウ素拡散方法において、焼成の温
度を８００〜８５０℃としたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェーハにＰ型
不純物を拡散させる方法に関し、詳しくはスピンオン拡
散法の処理時間の短縮に関する。
不純物を拡散させる方法に関し、詳しくはスピンオン拡
散法の処理時間の短縮に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハにホウ素を拡散させる
方法としてスピンオン拡散法がある。この方法を図１に
よって説明すると、先ずシリコンウェーハ１の単結晶シ
リコン１ａ表面にＳｉＯ2層１ｂを必要なパターンに形
成し、このウェーハ１表面にホウ素を含有する塗布液２
を塗布する。塗布液２としては通常、Ｂ2Ｏ3と有機バイ
ンダーと溶剤とからなるものを用い、高速で回転させた
シリコンウェーハ１表面に塗布液２を滴下することによ
り、均一な膜厚を得るようにしている。次いでべーク工
程において塗布液２中の溶剤を除去し、焼成工程におい
て塗布液２中の有機バインダーも除去する。次いでプレ
拡散工程においてホウ素を一定程度単結晶シリコン１ａ
内に拡散させて拡散層１ｃを形成する。このときシリコ
ンウェーハ１表面のＢ2Ｏ3はボロンシリケートガラス
（ＢＳＧ）３になるから、これをＢＳＧ除去工程におい
て除去し、しかる後ドライブイン拡散工程においてホウ
素を単結晶シリコン１ａ内に目的の深さだけ拡散させ
る。ここで従来より用いられていた焼成工程では、酸素
分圧を含む不活性ガス中において、４５０〜８００℃、
３０分の熱処理を施していた。
方法としてスピンオン拡散法がある。この方法を図１に
よって説明すると、先ずシリコンウェーハ１の単結晶シ
リコン１ａ表面にＳｉＯ2層１ｂを必要なパターンに形
成し、このウェーハ１表面にホウ素を含有する塗布液２
を塗布する。塗布液２としては通常、Ｂ2Ｏ3と有機バイ
ンダーと溶剤とからなるものを用い、高速で回転させた
シリコンウェーハ１表面に塗布液２を滴下することによ
り、均一な膜厚を得るようにしている。次いでべーク工
程において塗布液２中の溶剤を除去し、焼成工程におい
て塗布液２中の有機バインダーも除去する。次いでプレ
拡散工程においてホウ素を一定程度単結晶シリコン１ａ
内に拡散させて拡散層１ｃを形成する。このときシリコ
ンウェーハ１表面のＢ2Ｏ3はボロンシリケートガラス
（ＢＳＧ）３になるから、これをＢＳＧ除去工程におい
て除去し、しかる後ドライブイン拡散工程においてホウ
素を単結晶シリコン１ａ内に目的の深さだけ拡散させ
る。ここで従来より用いられていた焼成工程では、酸素
分圧を含む不活性ガス中において、４５０〜８００℃、
３０分の熱処理を施していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるにプレ拡散工程
の温度は通常９６０℃程度であるから、焼成工程の温度
を例えば６００℃とし、焼成工程からプレ拡散工程に移
行するための昇温速度を５℃／分とすれば、焼成工程か
らプレ拡散工程への移行に、（９６０−６００）／５＝
７２分もの長時間を要することとなる。したがって本発
明は、スピンオン拡散法における焼成工程からプレ拡散
工程への移行時間の短縮を図ることを目的とする。
の温度は通常９６０℃程度であるから、焼成工程の温度
を例えば６００℃とし、焼成工程からプレ拡散工程に移
行するための昇温速度を５℃／分とすれば、焼成工程か
らプレ拡散工程への移行に、（９６０−６００）／５＝
７２分もの長時間を要することとなる。したがって本発
明は、スピンオン拡散法における焼成工程からプレ拡散
工程への移行時間の短縮を図ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、焼成工程の温
度を８００〜８５０℃とすることによって、上記目的を
達成したものである。
度を８００〜８５０℃とすることによって、上記目的を
達成したものである。
【０００５】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。図１に示
す工程に従って、先ずシリコンウェーハ１表面にＢ2Ｏ3
と有機バインダーと溶剤とからなる塗布液２を塗布し、
次いで従来例と同様にべークした後、８５０℃に保った
熱処理炉に３０分間投入して焼成した。次いで５℃／分
の昇温速度で９６０℃まで昇温し、９６０℃において３
０分間保持してプレ拡散を行った。次いで２．５℃／分
の降温速度で８５０℃まで降温し、８５０℃で１０分間
保持した後、熱処理炉からシリコンウェーハ１を取り出
した。しかる後プレ拡散まで行ったシリコンウェーハ１
のシート抵抗を測定したところ、５１．７Ω／□、バラ
ツキ２．１％であった。
す工程に従って、先ずシリコンウェーハ１表面にＢ2Ｏ3
と有機バインダーと溶剤とからなる塗布液２を塗布し、
次いで従来例と同様にべークした後、８５０℃に保った
熱処理炉に３０分間投入して焼成した。次いで５℃／分
の昇温速度で９６０℃まで昇温し、９６０℃において３
０分間保持してプレ拡散を行った。次いで２．５℃／分
の降温速度で８５０℃まで降温し、８５０℃で１０分間
保持した後、熱処理炉からシリコンウェーハ１を取り出
した。しかる後プレ拡散まで行ったシリコンウェーハ１
のシート抵抗を測定したところ、５１．７Ω／□、バラ
ツキ２．１％であった。
【０００６】他方、比較例として焼成温度を６００℃と
し、他の条件は上記と同様にしてプレ拡散後のシート抵
抗を測定したところ、５４．４Ω／□、バラツキ３．３
％であり、この比較例と比較して上記実施例のシート抵
抗は特に異なるものではなかった。またいわゆるドラゴ
ンティースが単結晶シリコン１ａの拡散層１ｃに現れる
ことが懸念されたが、拡散層１ｃの形状は本実施例と実
施例とで差はなかった。すなわち従来より焼成温度は８
００℃以下とされていたが、本実施例のごとく８５０℃
で焼成しても何ら問題はなかった。
し、他の条件は上記と同様にしてプレ拡散後のシート抵
抗を測定したところ、５４．４Ω／□、バラツキ３．３
％であり、この比較例と比較して上記実施例のシート抵
抗は特に異なるものではなかった。またいわゆるドラゴ
ンティースが単結晶シリコン１ａの拡散層１ｃに現れる
ことが懸念されたが、拡散層１ｃの形状は本実施例と実
施例とで差はなかった。すなわち従来より焼成温度は８
００℃以下とされていたが、本実施例のごとく８５０℃
で焼成しても何ら問題はなかった。
【０００７】ここで焼成工程からプレ拡散工程への移行
時間を調べると、比較例では既述の通り７２分を要する
が、本実施例では（９６０−８５０）／５＝２２分でプ
レ拡散工程に移行することができ、すなわち従来例に比
して移行時間を１／３以下に短縮することができた。
時間を調べると、比較例では既述の通り７２分を要する
が、本実施例では（９６０−８５０）／５＝２２分でプ
レ拡散工程に移行することができ、すなわち従来例に比
して移行時間を１／３以下に短縮することができた。
【０００８】
【発明の効果】本発明は、スピンオン拡散法における焼
成工程を８００〜８５０℃で行うものであるから、焼成
工程からプレ拡散工程への移行時間を大幅に短縮するこ
とができ、したがってスピンオン拡散法全体の処理時間
も短縮することができる。
成工程を８００〜８５０℃で行うものであるから、焼成
工程からプレ拡散工程への移行時間を大幅に短縮するこ
とができ、したがってスピンオン拡散法全体の処理時間
も短縮することができる。
【図１】スピンオン拡散法の工程を示す工程図
１…シリコンウェーハ １ａ…単結晶シリコン １
ｂ…ＳｉＯ2層 １ｃ…拡散層 ２…塗布液 ３…ボロン
シリケートガラス
ｂ…ＳｉＯ2層 １ｃ…拡散層 ２…塗布液 ３…ボロン
シリケートガラス
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェーハ表面にホウ素と有機バイン
ダーとを含有する塗布液を塗布し、該塗布液中の前記有
機バインダーを焼成によって除去し、しかる後塗布液中
の前記ホウ素を熱拡散によって前記半導体ウェーハ内に
拡散させる半導体ウェーハのホウ素拡散方法において、 前記焼成の温度を８００〜８５０℃としたことを特徴と
する半導体ウェーハのホウ素拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30130093A JPH07130675A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30130093A JPH07130675A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130675A true JPH07130675A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17895184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30130093A Pending JPH07130675A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130675A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011024408A1 (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | 東京応化工業株式会社 | 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP30130093A patent/JPH07130675A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011024408A1 (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | 東京応化工業株式会社 | 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池 |
| US9620367B2 (en) | 2009-08-27 | 2017-04-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Diffusion agent composition, method of forming impurity diffusion layer, and solar cell |
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