JPH0461321A - 半導体ウェハの不純物デポジション拡散法 - Google Patents
半導体ウェハの不純物デポジション拡散法Info
- Publication number
- JPH0461321A JPH0461321A JP17214990A JP17214990A JPH0461321A JP H0461321 A JPH0461321 A JP H0461321A JP 17214990 A JP17214990 A JP 17214990A JP 17214990 A JP17214990 A JP 17214990A JP H0461321 A JPH0461321 A JP H0461321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- film
- wafer
- heat
- impurities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 19
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 50
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハの不純物デポジション拡散法に関
するものである。
するものである。
ウェハプロセスにおける不純物拡散技術の一種として、
拡散ソースに固体ソースを用いた不純物デポジション拡
散法がある。これは、処理すべき半導体ウェハ上に、Ｃ
ＶＤ法などで不純物をドーピングしたデポジション膜を
形成し、その後に熱処理することで不純物を半導体ウェ
ハ中にドライブインする方法である。
拡散ソースに固体ソースを用いた不純物デポジション拡
散法がある。これは、処理すべき半導体ウェハ上に、Ｃ
ＶＤ法などで不純物をドーピングしたデポジション膜を
形成し、その後に熱処理することで不純物を半導体ウェ
ハ中にドライブインする方法である。
第３図を参照して、この不純物デポジション拡散法の基
本概念を説明する。図示の通り、多数の半導体ウェハ１
をセットした石英ボート２を反応管３に入れる。そして
、反応管３をこれに付設したヒータ４で加熱し、温度は
熱電対５て測定する。
本概念を説明する。図示の通り、多数の半導体ウェハ１
をセットした石英ボート２を反応管３に入れる。そして
、反応管３をこれに付設したヒータ４で加熱し、温度は
熱電対５て測定する。
このようにして、反応管３の内部に原料ガスとして、Ｐ
ＯＣｆｌ １０ およびＮ２ガスを供給すると、半導体
ウェハ１の表面に拡散源Ｐ２Ｏ５を含むデポジション膜
が形成される。そして、デポジション膜が所定の厚さに
なったら、雰囲気をＮ２ガスに切り変えて、熱処理して
デポジション膜中のリン（Ｐ）を半導体ウェハ１にドラ
イブインさせる。
ＯＣｆｌ １０ およびＮ２ガスを供給すると、半導体
ウェハ１の表面に拡散源Ｐ２Ｏ５を含むデポジション膜
が形成される。そして、デポジション膜が所定の厚さに
なったら、雰囲気をＮ２ガスに切り変えて、熱処理して
デポジション膜中のリン（Ｐ）を半導体ウェハ１にドラ
イブインさせる。
しかしながら、従来の不純物デポジション拡散法におい
ては、デポジション膜の形成とドーパントの拡散のため
の熱処理を、共に８５０℃〜９５０℃の高温条件で行な
っているため、半導体ウェハ１の中心部と外周部でドー
パントの拡散が均一にならない欠点があった。具体的に
は、半導体ウェハ１の表面にポリシリコン膜を形成し、
この上にデポジション膜を形成するときには、８５０〜
９５０℃でポリシリコン膜上に拡散源Ｐ２Ｏ５（デポジ
ションＨ）が形成されていく過程で、ポリシリコン膜中
へのリン（Ｐ）の拡散が進行していく。すると、多数の
半導体ウエノ１１を同時処理するときには、Ｐデポジシ
ョン膜は半導体ウェハ１の外周部から形成されていくの
で、デポジション膜の形成が終了した時点で、半導体ウ
ェハ１の外周部のポリシリコン膜には、既に不純物とし
てのリンがドーピングされていることになる。このため
、デポジション膜の形成後に熱処理して不純物を拡散し
ても、結果的には半導体ウェハの外周部ではより高濃度
にドーピングされ、中心部ではより低濃度にドーピング
された半導体ウェハしか得られない。
ては、デポジション膜の形成とドーパントの拡散のため
の熱処理を、共に８５０℃〜９５０℃の高温条件で行な
っているため、半導体ウェハ１の中心部と外周部でドー
パントの拡散が均一にならない欠点があった。具体的に
は、半導体ウェハ１の表面にポリシリコン膜を形成し、
この上にデポジション膜を形成するときには、８５０〜
９５０℃でポリシリコン膜上に拡散源Ｐ２Ｏ５（デポジ
ションＨ）が形成されていく過程で、ポリシリコン膜中
へのリン（Ｐ）の拡散が進行していく。すると、多数の
半導体ウエノ１１を同時処理するときには、Ｐデポジシ
ョン膜は半導体ウェハ１の外周部から形成されていくの
で、デポジション膜の形成が終了した時点で、半導体ウ
ェハ１の外周部のポリシリコン膜には、既に不純物とし
てのリンがドーピングされていることになる。このため
、デポジション膜の形成後に熱処理して不純物を拡散し
ても、結果的には半導体ウェハの外周部ではより高濃度
にドーピングされ、中心部ではより低濃度にドーピング
された半導体ウェハしか得られない。
上記のような不具合は、−回の拡散工程で同時処理する
半導体７エハの数が多くなれば、それだけ顕著となり、
また半導体ウェハが大口径化すれば、それだけ顕著とな
る。なぜならば、半導体ウェハの同時処理枚数が多くな
れば、相互の隙間は狭くなり、従って原料ガスが中心部
に供給されにくくなるからであり、半導体ウェハが大口
径化すれば、半導体ウェハ相互の隙間から中心部まで原
料ガスが届き難くなるためである。
半導体７エハの数が多くなれば、それだけ顕著となり、
また半導体ウェハが大口径化すれば、それだけ顕著とな
る。なぜならば、半導体ウェハの同時処理枚数が多くな
れば、相互の隙間は狭くなり、従って原料ガスが中心部
に供給されにくくなるからであり、半導体ウェハが大口
径化すれば、半導体ウェハ相互の隙間から中心部まで原
料ガスが届き難くなるためである。
本発明は、かかる従来技術の欠点を解決した半導体ウェ
ハの不純物デポジション拡散法を提供することを課題と
している。
ハの不純物デポジション拡散法を提供することを課題と
している。
本発明に係る半導体ウェハの不純物デポジション拡散法
は、不純物を含む原料ガスの雰囲気中で半導体ウェハを
熱処理することにより、当該半導体ウェハ上に不純物を
含むデポジション膜を形成する第１の工程と、半導体ウ
ェハを熱処理することにより、デポジション膜に含まれ
た不純物を半導体ウェハに拡散する第２の工程とを備え
る方法において、第１の工程は、不純物とオゾンを少な
くとも含む原料ガス中で、不純物が半導体ウェハ中に実
質的に拡散しない低温で熱処理する工程であり、第２の
工程は、デポジション膜が形成された半導体ウェハを第
１の工程よりも十分に高温で熱処理する工程であること
を特徴とする。
は、不純物を含む原料ガスの雰囲気中で半導体ウェハを
熱処理することにより、当該半導体ウェハ上に不純物を
含むデポジション膜を形成する第１の工程と、半導体ウ
ェハを熱処理することにより、デポジション膜に含まれ
た不純物を半導体ウェハに拡散する第２の工程とを備え
る方法において、第１の工程は、不純物とオゾンを少な
くとも含む原料ガス中で、不純物が半導体ウェハ中に実
質的に拡散しない低温で熱処理する工程であり、第２の
工程は、デポジション膜が形成された半導体ウェハを第
１の工程よりも十分に高温で熱処理する工程であること
を特徴とする。
本発明の構成によれば、原料ガスにオゾンを含ませてい
るので、不純物をドープしたデポジション膜を低温条件
下で半導体ウェハに形成でき、従ってデポジション膜の
形成中に不純物が半導体ウェハに拡散していくことはな
い。
るので、不純物をドープしたデポジション膜を低温条件
下で半導体ウェハに形成でき、従ってデポジション膜の
形成中に不純物が半導体ウェハに拡散していくことはな
い。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
まず、シリコンからなる６インチ半導体ウェハを１００
枚用意し、これらの表面にポリシリコン膜を堆積する。
枚用意し、これらの表面にポリシリコン膜を堆積する。
そして、石英ボートに１００枚の半導体ウェハをセット
し、縦型拡散炉の炉心管にセットする。
し、縦型拡散炉の炉心管にセットする。
次に、炉心管中にｐｏｃｊ！ と０３ （オゾン）を含
む原料ガスを、キャリアガス（Ｎ２）と共に導入、４０
０℃に昇温しで３０分間熱処理する。
む原料ガスを、キャリアガス（Ｎ２）と共に導入、４０
０℃に昇温しで３０分間熱処理する。
これにより、反応性の高いオゾンとＰｏＣｇ３が反応し
、ポリシリコン膜に拡散源Ｐ２Ｏ５としてのデポジショ
ン膜が形成されていく。このとき、４００℃程度の低温
ではドーパント（Ｐ）がポリシリコン膜に拡散していく
ことはなく、従ってポリシリコン膜の中心部と外周部で
はリン濃度には差が生じない。
、ポリシリコン膜に拡散源Ｐ２Ｏ５としてのデポジショ
ン膜が形成されていく。このとき、４００℃程度の低温
ではドーパント（Ｐ）がポリシリコン膜に拡散していく
ことはなく、従ってポリシリコン膜の中心部と外周部で
はリン濃度には差が生じない。
３０分間のデポジション工程が終了した時点では、半導
体ウェハは第１図のようになっている。
体ウェハは第１図のようになっている。
同図（ａ）は半導体ウェハの平面図であり、同図（ｂ）
は厚さ方向を拡大して描いた断面図である。
は厚さ方向を拡大して描いた断面図である。
図示の通り、５１基板１１の上面にはポリシリコン膜１
２が堆積され、その上に拡散源Ｐ２Ｏ５すなわちデポジ
ション膜であるＰＳＧ膜１３が形成されている。ここで
、原料ガスは同図（ａ）の矢印のように、外周部から中
心部方向へ供給されるため、ＰＳＧ膜１３は半導体ウェ
ハの中心部で薄く、周辺部で厚くなっている。しかし、
ドーパントであるリンの含有率は路間−であり、しかも
、低温であるためポリシリコン膜１２にはリンはドライ
ブインされていない。
２が堆積され、その上に拡散源Ｐ２Ｏ５すなわちデポジ
ション膜であるＰＳＧ膜１３が形成されている。ここで
、原料ガスは同図（ａ）の矢印のように、外周部から中
心部方向へ供給されるため、ＰＳＧ膜１３は半導体ウェ
ハの中心部で薄く、周辺部で厚くなっている。しかし、
ドーパントであるリンの含有率は路間−であり、しかも
、低温であるためポリシリコン膜１２にはリンはドライ
ブインされていない。
そこで、次に原料ガスの供給を停止し、炉心管内をＮ２
などの不活性ガス雰囲気とし、８５０℃に昇温しで３０
分間の熱処理をする。これにより、ポリシリコン膜中へ
のリンの拡散（固相拡散）が始まる。このとき、ＰＳＧ
膜１３は半導体ウエノ＼の中心部と外周部で厚さが異な
るものの、リンの含有率は路間−であるので、均一な濃
度でリンが拡散されていく。なお、均一な濃度での拡散
を保証するためには、中心部でのＰＳＧ膜１３の厚さは
一定値以上となっている必要がある。例えば、ＬＳＩ用
のポリシリコンゲート電極を形成する場合には、中心部
のＰＳＧ膜１３は１００ＯＡ程度の厚さで十分である。
などの不活性ガス雰囲気とし、８５０℃に昇温しで３０
分間の熱処理をする。これにより、ポリシリコン膜中へ
のリンの拡散（固相拡散）が始まる。このとき、ＰＳＧ
膜１３は半導体ウエノ＼の中心部と外周部で厚さが異な
るものの、リンの含有率は路間−であるので、均一な濃
度でリンが拡散されていく。なお、均一な濃度での拡散
を保証するためには、中心部でのＰＳＧ膜１３の厚さは
一定値以上となっている必要がある。例えば、ＬＳＩ用
のポリシリコンゲート電極を形成する場合には、中心部
のＰＳＧ膜１３は１００ＯＡ程度の厚さで十分である。
その後、処理した半導体ウェハを拡散炉から取り出し、
表面のＰＳＧ膜１３をエツチングにより除去すると、抵
抗率が略均−となったポリシリコン膜を有する半導体ウ
ニＩ＼が得られる。このため、半導体ウェハの中心部で
構成される半導体チップと、外周部で構成さる半導体チ
ップの特性を路間−にすることができる。
表面のＰＳＧ膜１３をエツチングにより除去すると、抵
抗率が略均−となったポリシリコン膜を有する半導体ウ
ニＩ＼が得られる。このため、半導体ウェハの中心部で
構成される半導体チップと、外周部で構成さる半導体チ
ップの特性を路間−にすることができる。
第２図に、本発明者による具体的な実施例と比較例の結
果を示す。同図（ａ）は上述の実施例で作製されたポリ
シリコン膜のシート抵抗を等高線（１本が１％）で示し
ている。図示の通り、リン濃度が面内で均一に制御され
ていることがわかる。
果を示す。同図（ａ）は上述の実施例で作製されたポリ
シリコン膜のシート抵抗を等高線（１本が１％）で示し
ている。図示の通り、リン濃度が面内で均一に制御され
ていることがわかる。
同図（ｂ）は、ＰデポジションをＰＯＣＩＩ３．０２雰
囲気、８５０℃で３０分間行ない。その後に８５０℃、
３０分間の熱処理をＮ２雰囲気で行なったポリシリコン
膜のシート抵抗を、１％単位の等高線で示している。半
導体ウェハの中心部のリン濃度が、外周部に比べてかな
り低くなっているのがわかる。なお、上記の実施例およ
び比較例は、共に６インチ半導体（Ｓｉ ）ウェハを１
００枚、同時処理したときのものである。
囲気、８５０℃で３０分間行ない。その後に８５０℃、
３０分間の熱処理をＮ２雰囲気で行なったポリシリコン
膜のシート抵抗を、１％単位の等高線で示している。半
導体ウェハの中心部のリン濃度が、外周部に比べてかな
り低くなっているのがわかる。なお、上記の実施例およ
び比較例は、共に６インチ半導体（Ｓｉ ）ウェハを１
００枚、同時処理したときのものである。
本発明については、上記実施例に限定されず、種々の変
形が可能である。
形が可能である。
例えば、デポジション膜形成時の温度は、ドーパントが
下地にドライブインしない（あるいは、はとんどドライ
ブインしない）程度であればよく、拡散時の温度も特に
限定されない。また、拡散するドーパントはリンに限ら
れず、デポジション膜形成によって固相拡散できるもの
であれば、たとえばボロン（Ｂ）などでもよい。さらに
、ポリシリコン膜に拡散する場合に限られず、半導体ウ
ェハ自体に拡散する場合も含めて広く適用できる。
下地にドライブインしない（あるいは、はとんどドライ
ブインしない）程度であればよく、拡散時の温度も特に
限定されない。また、拡散するドーパントはリンに限ら
れず、デポジション膜形成によって固相拡散できるもの
であれば、たとえばボロン（Ｂ）などでもよい。さらに
、ポリシリコン膜に拡散する場合に限られず、半導体ウ
ェハ自体に拡散する場合も含めて広く適用できる。
以上、詳細に説明した通り本発明によれば、原料ガスに
オゾンを含ませているので、低温条件下で半導体ウェハ
に不純物をドープしたデポジション膜を形成でき、従っ
てデポジション膜の形成中に不純物が半導体ウェハに拡
散していくことはない。従って、均一な濃度で半導体ウ
エノ＼にドーパントを拡散できる。本発明は大口径の半
導体ウェハを、同時に多数枚処理する場合に特に有効で
あるので、半導体デバイス製造の歩留りの向上と生産性
の向上を、同時に実現することが可能になる。
オゾンを含ませているので、低温条件下で半導体ウェハ
に不純物をドープしたデポジション膜を形成でき、従っ
てデポジション膜の形成中に不純物が半導体ウェハに拡
散していくことはない。従って、均一な濃度で半導体ウ
エノ＼にドーパントを拡散できる。本発明は大口径の半
導体ウェハを、同時に多数枚処理する場合に特に有効で
あるので、半導体デバイス製造の歩留りの向上と生産性
の向上を、同時に実現することが可能になる。
第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図は本発明者
による具体的な実施例と比較例の結果を示す図、第３図
は不純物デポジション拡散法の基本概念を説明する図で
ある。 １・・・半導体ウェハ、２・・・石英ボート、３・・・
反応管、４・・・ヒータ、５・・・熱電対、１１・・・
Ｓｔ基板、］２・・・ポリシリコン膜、１３・・・ＰＳ
ＧＦｍ。
による具体的な実施例と比較例の結果を示す図、第３図
は不純物デポジション拡散法の基本概念を説明する図で
ある。 １・・・半導体ウェハ、２・・・石英ボート、３・・・
反応管、４・・・ヒータ、５・・・熱電対、１１・・・
Ｓｔ基板、］２・・・ポリシリコン膜、１３・・・ＰＳ
ＧＦｍ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、不純物を含む原料ガスの雰囲気中で半導体ウェハを
熱処理することにより、当該半導体ウェハ上に前記不純
物を含むデポジション膜を形成する第１の工程と、前記
半導体ウェハを熱処理することにより、前記デポジショ
ン膜に含まれた前記不純物を前記半導体ウェハに拡散す
る第２の工程とを備える半導体ウェハの不純物デポジシ
ョン拡散法において、 前記第１の工程は、前記不純物とオゾンを少なくとも含
む原料ガス中で、前記不純物が前記半導体ウェハ中に実
質的に拡散しない低温で熱処理する工程であり、 前記第２の工程は、前記デポジション膜が形成された前
記半導体ウェハを前記第１の工程よりも十分に高温で熱
処理する工程であることを特徴とする半導体ウェハの不
純物デポジション拡散法。 ２、前記第１の工程は、前記半導体ウェハの表面にあら
かじめ形成されたポリシリコン膜上に前記デポジション
膜を形成する工程である請求項１記載の半導体ウェハの
不純物デポジション拡散法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17214990A JPH0461321A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体ウェハの不純物デポジション拡散法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17214990A JPH0461321A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体ウェハの不純物デポジション拡散法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461321A true JPH0461321A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15936476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17214990A Pending JPH0461321A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体ウェハの不純物デポジション拡散法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461321A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014504003A (ja) * | 2010-12-02 | 2014-02-13 | サンパワー コーポレイション | バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法 |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP17214990A patent/JPH0461321A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014504003A (ja) * | 2010-12-02 | 2014-02-13 | サンパワー コーポレイション | バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法 |
| US9166079B2 (en) | 2010-12-02 | 2015-10-20 | Sunpower Corporation | Method of forming contacts for a back-contact solar cell |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10107018A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
| KR100413914B1 (ko) | 성막방법 | |
| US4016006A (en) | Method of heat treatment of wafers | |
| KR19980036973A (ko) | 마이크로파를 이용한 다결정 박막의 제조방법 | |
| JPH0461321A (ja) | 半導体ウェハの不純物デポジション拡散法 | |
| JPH0465821A (ja) | 半導体ウェハの不純物デポジション拡散法 | |
| JPH08264400A (ja) | シリコン単結晶ウェハおよびその表面の熱酸化方法 | |
| JP3706811B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置 | |
| JPS63142822A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63119229A (ja) | ボロン拡散方法 | |
| JPS6362326A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001313265A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63128623A (ja) | 熱処理制御用基板及びその使用方法 | |
| JPS61135128A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0160932B2 (ja) | ||
| JPH08264475A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0283918A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH027516A (ja) | 半導体に於ける不純物の拡散方法 | |
| JPH0354822A (ja) | 多結晶シリコン膜へのリンの拡散方法 | |
| JPH0821554B2 (ja) | 熱拡散方法 | |
| JPH07130675A (ja) | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 | |
| JPH02121327A (ja) | 多結晶シリコン膜へのリンの拡散方法 | |
| JPH04152517A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH08203913A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理方法 | |
| JPS6236086A (ja) | 炭化珪素製品の製造方法 |