JPH0258217A - 金属膜の形成方法 - Google Patents
金属膜の形成方法Info
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- JPH0258217A JPH0258217A JP20823688A JP20823688A JPH0258217A JP H0258217 A JPH0258217 A JP H0258217A JP 20823688 A JP20823688 A JP 20823688A JP 20823688 A JP20823688 A JP 20823688A JP H0258217 A JPH0258217 A JP H0258217A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 abstract 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006160 GeF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015255 MoF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000171 gas-source molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- RLCOZMCCEKDUPY-UHFFFAOYSA-H molybdenum hexafluoride Chemical compound F[Mo](F)(F)(F)(F)F RLCOZMCCEKDUPY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PPMWWXLUCOODDK-UHFFFAOYSA-N tetrafluorogermane Chemical compound F[Ge](F)(F)F PPMWWXLUCOODDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は基板表面上の所望の領域にのみ金属膜を選択的
に形成することのできる金属膜の形成方法に関する。
に形成することのできる金属膜の形成方法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体上、金属上あるいはそれらの化合物、混合
物上の所望の領域のみタングステン（Ｗ）を成長させる
Ｗの選択成長法では、ＷＦ６と１１２を用いてＷＦ６を
水素によフて還元することによりＷを成長させていた。
物上の所望の領域のみタングステン（Ｗ）を成長させる
Ｗの選択成長法では、ＷＦ６と１１２を用いてＷＦ６を
水素によフて還元することによりＷを成長させていた。
この方法では例えば下地がＳｉやＧｅである場合に第３
図に示すような下地ＳＩ、Ｇｅの１食刻、すなわちエン
クローチメント現象が起こり、この方法を用いて製作し
たデバイスの特性を劣化させるという問題があった。こ
れを解決する手段として気相から、Ｓｉ、）Ｉ、の形の
分子構造を持つＳｉを構成元素とするいわゆるシラン系
のガスを用いてＷＦ６を通光して成長させることにより
、気相からＳｉを供給して下地のエンクローチメントを
防ぐ方法が提案されている。しかしこの方法では、シラ
ン系ガスに根本的に選択成長性がないために、選択性を
良好に保つために、成長温度を３００℃以下にしなけら
ばならず、このために成長したＷＩＩＡと下地との密着
性が悪いという欠点があった。また当然のことながら、
上述のようにシラン系ガスはマスク膜に対する選択成長
性がないので、たとえば、５ｉ０２をマスク膜に用いた
場合、たとえ低温であってもこの膜の上にもシラン系ガ
スは吸着しＳｉの微小核成長が生じ、この上にＷの成長
が起こるので、本来の目的である選択成長が破れ易いと
いう欠点があった。また、エンクローチメントを防ぐ別
の手段として、第４図（Ａ）に示すようにＳｉ基板１上
にＳｉｇｈ膜２を形成しバターニング後、Ｓｉ基板１が
露出した開口部を形成し、化学気相成長（（：ＶＤ）法
によってポリＳｔを堆積しく第４図（Ｂ） ） 、公知
のエッチバック法によりＳｉ開口部にのみあらかじめポ
リ５３層４を形成し （第４図（Ｃ） ） 、ポリＳＬ
層４上にＷ層３を選択成長させる（第４図（Ｄ））こと
によって、Ｓｉ基板１へのエンクローチメントを防ぐ方
法が提案されている。しかし、この方法ではＷの選択成
長のために６ｉ’ＡＪな工程を増やすことになり、工程
数を減らすことができるというＷの選択成長法の特徴を
生かせないという欠点があった。
図に示すような下地ＳＩ、Ｇｅの１食刻、すなわちエン
クローチメント現象が起こり、この方法を用いて製作し
たデバイスの特性を劣化させるという問題があった。こ
れを解決する手段として気相から、Ｓｉ、）Ｉ、の形の
分子構造を持つＳｉを構成元素とするいわゆるシラン系
のガスを用いてＷＦ６を通光して成長させることにより
、気相からＳｉを供給して下地のエンクローチメントを
防ぐ方法が提案されている。しかしこの方法では、シラ
ン系ガスに根本的に選択成長性がないために、選択性を
良好に保つために、成長温度を３００℃以下にしなけら
ばならず、このために成長したＷＩＩＡと下地との密着
性が悪いという欠点があった。また当然のことながら、
上述のようにシラン系ガスはマスク膜に対する選択成長
性がないので、たとえば、５ｉ０２をマスク膜に用いた
場合、たとえ低温であってもこの膜の上にもシラン系ガ
スは吸着しＳｉの微小核成長が生じ、この上にＷの成長
が起こるので、本来の目的である選択成長が破れ易いと
いう欠点があった。また、エンクローチメントを防ぐ別
の手段として、第４図（Ａ）に示すようにＳｉ基板１上
にＳｉｇｈ膜２を形成しバターニング後、Ｓｉ基板１が
露出した開口部を形成し、化学気相成長（（：ＶＤ）法
によってポリＳｔを堆積しく第４図（Ｂ） ） 、公知
のエッチバック法によりＳｉ開口部にのみあらかじめポ
リ５３層４を形成し （第４図（Ｃ） ） 、ポリＳＬ
層４上にＷ層３を選択成長させる（第４図（Ｄ））こと
によって、Ｓｉ基板１へのエンクローチメントを防ぐ方
法が提案されている。しかし、この方法ではＷの選択成
長のために６ｉ’ＡＪな工程を増やすことになり、工程
数を減らすことができるというＷの選択成長法の特徴を
生かせないという欠点があった。
［発明が解決しようとする課題］
そこで、本発明の目的は、上述した問題点を解消し、基
板へのエンクローチメントを防止し、基板表面の所望の
領域に金属膜を選択的に成長させ、工程を簡略化するこ
とのできる金属膜の成長方法を提供することにある。
板へのエンクローチメントを防止し、基板表面の所望の
領域に金属膜を選択的に成長させ、工程を簡略化するこ
とのできる金属膜の成長方法を提供することにある。
人し、開口部に金属を成長させ、金属膜を形成する工程
とを含むことを特徴とする。
とを含むことを特徴とする。
本発明の第２の形、態は、基板上に絶縁５摸を形成しバ
ターニングして、絶縁膜の一部に基板の露出した開口部
を形成する工程と、Ｇｅ１１４．Ｇ（！（Ｃｌ１３）２
１１２およびＧｃ （Ｃｚｌｌｓ） ＋１２のうち少な
くとも一種からなる気体、または気体と１１２との混合
気体、またはＧｃＣｊ２．、と１１２との混合気体を、
基板上に導入して、開口部にＧｅ層を形成する工程と、
金属とハロゲン元素との化合物を基板上に導入して、Ｇ
ｃ面層上金属を成長させ、金属１模を形成する工程とを
含むことを特徴とする。
ターニングして、絶縁膜の一部に基板の露出した開口部
を形成する工程と、Ｇｅ１１４．Ｇ（！（Ｃｌ１３）２
１１２およびＧｃ （Ｃｚｌｌｓ） ＋１２のうち少な
くとも一種からなる気体、または気体と１１２との混合
気体、またはＧｃＣｊ２．、と１１２との混合気体を、
基板上に導入して、開口部にＧｅ層を形成する工程と、
金属とハロゲン元素との化合物を基板上に導入して、Ｇ
ｃ面層上金属を成長させ、金属１模を形成する工程とを
含むことを特徴とする。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明の第１の形態
は、基板上に絶縁膜を形成しパターニングして、絶縁膜
の一部に基板が露出した開口部を形成する工程と、金属
とハロゲン元素との化合物と、少なくともＧｅ１１４
、Ｇｅ （Ｃｌ１３） ２１１２ 、Ｇ（！ （Ｃ２ｔ
１５） ２および＾ｓ１１．のうちの一種を含む気体と
を、基板上に導［作 用］ 本発明の主旨は、ＷＦ６の還元ガスとして５ｉｌ１４と
は異なり、それ自身に選択成長性があり、そのガスの中
心元素のフッ化物が揮発性であるガスを用いて高温にお
いても選択成長法が破れることなく、下地との密着性よ
くかつエンクローチメントを生じせしめることのないＷ
の選択成長法を提供することにある。この主旨に沿って
Ｇｅ１４を還元ガスに用いた例を以下に記す。まずＧｅ
１１．＋を用いた６ｅのＣＶＯ法では３００℃以上の高
温でも選択成長が可能であることを示す。Ｇ ｅ ＋＋
４を用いたＣＶＤ法では５ｉｌ１４と異なり絶縁膜上
にはＧｅが堆積せず、Ｓｉ、Ｇｅ。
は、基板上に絶縁膜を形成しパターニングして、絶縁膜
の一部に基板が露出した開口部を形成する工程と、金属
とハロゲン元素との化合物と、少なくともＧｅ１１４
、Ｇｅ （Ｃｌ１３） ２１１２ 、Ｇ（！ （Ｃ２ｔ
１５） ２および＾ｓ１１．のうちの一種を含む気体と
を、基板上に導［作 用］ 本発明の主旨は、ＷＦ６の還元ガスとして５ｉｌ１４と
は異なり、それ自身に選択成長性があり、そのガスの中
心元素のフッ化物が揮発性であるガスを用いて高温にお
いても選択成長法が破れることなく、下地との密着性よ
くかつエンクローチメントを生じせしめることのないＷ
の選択成長法を提供することにある。この主旨に沿って
Ｇｅ１４を還元ガスに用いた例を以下に記す。まずＧｅ
１１．＋を用いた６ｅのＣＶＯ法では３００℃以上の高
温でも選択成長が可能であることを示す。Ｇ ｅ ＋＋
４を用いたＣＶＤ法では５ｉｌ１４と異なり絶縁膜上
にはＧｅが堆積せず、Ｓｉ、Ｇｅ。
ＧａＡｓおよび金属上にのみ選択的にＧｅが堆積する選
択成長性を持つことを、先願発明（特開昭６１−２０３
６３３号公報）にて示した。すなわち、たとえば、Ｓｉ
基板１上に５ｉ０２層２を形成しこの表面の一部をエツ
チングしてＳｉ表面を露出したＳｉ基板１を形成しく第
１図（＾））、これに、Ｇｅ１１．２５ｓｃｃｍ。
択成長性を持つことを、先願発明（特開昭６１−２０３
６３３号公報）にて示した。すなわち、たとえば、Ｓｉ
基板１上に５ｉ０２層２を形成しこの表面の一部をエツ
チングしてＳｉ表面を露出したＳｉ基板１を形成しく第
１図（＾））、これに、Ｇｅ１１．２５ｓｃｃｍ。
Ｉｆ、 ２０００ｓｃｃｍを基板温度４１０℃にて導入
すると、Ｓｉ露出表面上にのみＧｅ１１４の表面吸着分
解反応が起こり、Ｇｅ層５がＳｉ露出表面上にのみ堆積
速度〜７０Ａ／ｗｉｎでエピタキシャルかつ選択的に成
長する（第１図（Ｂ））。このような選択成長が可能な
温度範囲は室温から６００℃程度までの広い温度範囲に
渡る。すなわち、５ｉｌ１４を用いた場合は上述のよう
な選択成長性が全く見られないのに対し、Ｇｅ１１４を
用いた場合は広い温度範囲にわたり選択成長性があり、
Ｓ ｉ １１ 、上へのＧｃの成長は起こらない。
すると、Ｓｉ露出表面上にのみＧｅ１１４の表面吸着分
解反応が起こり、Ｇｅ層５がＳｉ露出表面上にのみ堆積
速度〜７０Ａ／ｗｉｎでエピタキシャルかつ選択的に成
長する（第１図（Ｂ））。このような選択成長が可能な
温度範囲は室温から６００℃程度までの広い温度範囲に
渡る。すなわち、５ｉｌ１４を用いた場合は上述のよう
な選択成長性が全く見られないのに対し、Ｇｅ１１４を
用いた場合は広い温度範囲にわたり選択成長性があり、
Ｓ ｉ １１ 、上へのＧｃの成長は起こらない。
ＷＦ６の還元ガスとして、あるいはＷ選択成長前の開口
部にあらかじめ堆積させる層の原料ガスとしてＧｅ１１
４等の木質的に選択成長性を持ったガスを用いるので、
従来の技術とは異なり ３００℃以上の高温で選択性を
確保できかつ下地との密着性が著しく良好な、エンクロ
ーチメントのないＷの選択成長が可能である。
部にあらかじめ堆積させる層の原料ガスとしてＧｅ１１
４等の木質的に選択成長性を持ったガスを用いるので、
従来の技術とは異なり ３００℃以上の高温で選択性を
確保できかつ下地との密着性が著しく良好な、エンクロ
ーチメントのないＷの選択成長が可能である。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
実施例１
ＷＦ６の還元ガスにＧ ｅ ＩＩ４を用いた例を説明す
る。
る。
Ｇｅを供給した場合、５ｉｎ２上へのＧｅの核成長がな
く、したがって、Ｇａ核を成長核とする５ｉ０２上への
Ｗの成長による選択性破れが起こらず、Ｓｉ上にのみエ
ンクローチメントを生じせしめないＷの選択成長が可能
である。
く、したがって、Ｇａ核を成長核とする５ｉ０２上への
Ｗの成長による選択性破れが起こらず、Ｓｉ上にのみエ
ンクローチメントを生じせしめないＷの選択成長が可能
である。
Ｇｅ１１４をＷＦ６の還元ガスに用いた場合にはＷｌ’
６（ｇ）＋３７２Ｇａ１１．（ｇｌ＝ Ｗ （Ｓ）”３
／２ＧｅＦ＜ （ｇ） ”３＋＋２ （、’ｉ）
（１）（ｇ）：気体、（ｓ）：固体 なる反応によってＷが堆積する。木刀法を実現するガス
系としては、上述のようにＷＦ６とＧ ｅ ＩＩ 、＋
の混合系の他にＷＦａとＧ ｅ ＩＩ 、と計等の不活
性ガスとの混合ガス系、あるいはＷＦｏ、Ｇｅ１１．＋
および１１２、さらには”Ｆａ、Ｇｅ１ｌ、、、不活性
ガスおよび＋＋２との混合ガス系を用いてもよいことは
言うまでもない。
６（ｇ）＋３７２Ｇａ１１．（ｇｌ＝ Ｗ （Ｓ）”３
／２ＧｅＦ＜ （ｇ） ”３＋＋２ （、’ｉ）
（１）（ｇ）：気体、（ｓ）：固体 なる反応によってＷが堆積する。木刀法を実現するガス
系としては、上述のようにＷＦ６とＧ ｅ ＩＩ 、＋
の混合系の他にＷＦａとＧ ｅ ＩＩ 、と計等の不活
性ガスとの混合ガス系、あるいはＷＦｏ、Ｇｅ１１．＋
および１１２、さらには”Ｆａ、Ｇｅ１ｌ、、、不活性
ガスおよび＋＋２との混合ガス系を用いてもよいことは
言うまでもない。
なお、Ｓ＋１Ｉ４Ｊ元による方法においても、あるいは
本実施例によるａ ｅ ＋＋ ４１ａ元による方法にお
いても、還元反応の他の副反応が起こるためＷ膜中に前
者ではＳｉが、後者では６ｅが混入し、Ｗの抵抗を上げ
てしまう欠点があることはいずれの方法においても否め
ない。本発明の主たる目的はＷ成長初期のエンクローチ
メントを防止することにあるので、成長したＷの抵抗を
下げるため以下のような成長方法をとってもよい。すな
１わち成長初期にＷＦａ とＧａ１１４を導入しＷＦ、
をＧ ｅ Ｈ４で還元し、Ｗを堆積したのち、ＷＦａと
Ｓｉが直接接触しなくなったところで、Ｇ ｅ Ｉｆ
、＋の導入を停止し、１１２によってＷＦ、を還元して
高純度のＷを連続的に成長する。このような２段階成長
方法によってＧｅの混入を低減し、堆積するＷの抵抗を
下げることができる。ＷＦ６の還元ガスとしては、Ｇａ
１１４の他にも選択成長が可能であり、かつ還元反応に
よって生ずるそのガスの中心元素のフッ化物が揮発性で
あればよい。このような選択成長刊を持つ還元性ガスと
しては、Ｇｅ （Ｃｔｌ＋） ＋１２ 、あるいはＧｅ
（Ｃ２１１５） ２１１２がある（ ＃、５ Ｖａｎ
昭６３−２３１１８１ 号）。これらのガスでは、ＷＦ
６ （ｇ）”ＩＣ（！Ｒ２１１２（ｇ） ＝ Ｗ （
Ｓ） ＋３Ｇ（！１２１＋２ （８）”３１１２ （ｇ
）Ｒ：アルキル基 なる反応によってＷＦ６を還元する。これらのガスも７
００℃程度まで選択成長性を持つので、高温でＷＦ、の
還元反応を行うことができ、したがフて、下地との密着
性のよいＷ膜を形成することが可能である。またＩＩＩ
−Ｖ族（例えば６ａ八Ｓ）のガスソース分子線エピタ
キシー（Ｇａｓ ５ｏｕｒｃｅ ＭＢＥ）法あるいは有
機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法で用いられ、３００℃
以上の高温でも選択成長することが公知であるＡ ｓ
Ｉｆ 、はそのフッ化物＾ｓＦ３が揮発性であるので、
やはりＷＦ６の還元ガスとして利用可能である。このガ
スを用いた場合の還元反応はＷＦ６−２八ｓ１１３（ｇ
）−Ｗ（ｓ）＋２ＡｓＦ３（ｇ）＋３Ｈｔ（ｇ）
（３）である。この反応の結果、Ｇ ｅ ＩＩ 、、
を用いた場合と同様に高温において密着性のよいＷの選
択成長か＾５１１３においても可能である。また選択成
長性をもつ被還元ガスとしては、ＷＦ、の他にＭｏＦ６
がＭｏの選択成長において知られているか、このガスの
還元ガスとしてＧｅ１１４． Ｇｅ （ＣＨ１３） ２
１１２ 、 Ｇｃ （Ｃ２１１５） ２＋１２あるいは
Ａ ｓ Ｉｔ、を用いても上述と同様の効果を得られる
ことは言うまでもない。
本実施例によるａ ｅ ＋＋ ４１ａ元による方法にお
いても、還元反応の他の副反応が起こるためＷ膜中に前
者ではＳｉが、後者では６ｅが混入し、Ｗの抵抗を上げ
てしまう欠点があることはいずれの方法においても否め
ない。本発明の主たる目的はＷ成長初期のエンクローチ
メントを防止することにあるので、成長したＷの抵抗を
下げるため以下のような成長方法をとってもよい。すな
１わち成長初期にＷＦａ とＧａ１１４を導入しＷＦ、
をＧ ｅ Ｈ４で還元し、Ｗを堆積したのち、ＷＦａと
Ｓｉが直接接触しなくなったところで、Ｇ ｅ Ｉｆ
、＋の導入を停止し、１１２によってＷＦ、を還元して
高純度のＷを連続的に成長する。このような２段階成長
方法によってＧｅの混入を低減し、堆積するＷの抵抗を
下げることができる。ＷＦ６の還元ガスとしては、Ｇａ
１１４の他にも選択成長が可能であり、かつ還元反応に
よって生ずるそのガスの中心元素のフッ化物が揮発性で
あればよい。このような選択成長刊を持つ還元性ガスと
しては、Ｇｅ （Ｃｔｌ＋） ＋１２ 、あるいはＧｅ
（Ｃ２１１５） ２１１２がある（ ＃、５ Ｖａｎ
昭６３−２３１１８１ 号）。これらのガスでは、ＷＦ
６ （ｇ）”ＩＣ（！Ｒ２１１２（ｇ） ＝ Ｗ （
Ｓ） ＋３Ｇ（！１２１＋２ （８）”３１１２ （ｇ
）Ｒ：アルキル基 なる反応によってＷＦ６を還元する。これらのガスも７
００℃程度まで選択成長性を持つので、高温でＷＦ、の
還元反応を行うことができ、したがフて、下地との密着
性のよいＷ膜を形成することが可能である。またＩＩＩ
−Ｖ族（例えば６ａ八Ｓ）のガスソース分子線エピタ
キシー（Ｇａｓ ５ｏｕｒｃｅ ＭＢＥ）法あるいは有
機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法で用いられ、３００℃
以上の高温でも選択成長することが公知であるＡ ｓ
Ｉｆ 、はそのフッ化物＾ｓＦ３が揮発性であるので、
やはりＷＦ６の還元ガスとして利用可能である。このガ
スを用いた場合の還元反応はＷＦ６−２八ｓ１１３（ｇ
）−Ｗ（ｓ）＋２ＡｓＦ３（ｇ）＋３Ｈｔ（ｇ）
（３）である。この反応の結果、Ｇ ｅ ＩＩ 、、
を用いた場合と同様に高温において密着性のよいＷの選
択成長か＾５１１３においても可能である。また選択成
長性をもつ被還元ガスとしては、ＷＦ、の他にＭｏＦ６
がＭｏの選択成長において知られているか、このガスの
還元ガスとしてＧｅ１１４． Ｇｅ （ＣＨ１３） ２
１１２ 、 Ｇｃ （Ｃ２１１５） ２＋１２あるいは
Ａ ｓ Ｉｔ、を用いても上述と同様の効果を得られる
ことは言うまでもない。
実施例２
木実側倒では、Ｓｉ下地へのエンクローチメントを抑え
金属の安定な選択成長のための他の方法を示す６まずＷ
Ｆ６によってＷを成長させる前に基板開口部Ｓｉ上にあ
らかじめＧｅを、選択成長性を持ったＧｅ層を構成原子
とするガスのＣＶＤ法によって形成して、このＧｅ層上
にＷ層を選択的に成長させてＳ ｉ ’Ｊ、ｔｓ ｆｊ
のエンクローチメン１−を防ぐ方法を述べる。第２図（
八）に示ずごと＜Ｓｉ基板１上にＳ ｉ０２層２を形成
したのち、Ｓｉ基板工が露出するように開口８１３を形
成する（第２図（Ｂ））。この後、Ｇｅｌ１４２５ｓｃ
ｃｍｊ１２２０００ｓｃｃｍ温度４１０℃にてＳｉ基板
ｌ上に導入し、Ｓｉ基板ｌの露出面上に ３００人の６
ｅ層５を選択的に形成する（第２図（Ｃ））。この後、
ＷＦ、 ｌＯ１０５ｃ、ｌＩ２１８００ｓｃｃｎ＋を導
入し、開口部に成長させたＧｃ層５上にのみＷ層５を１
μＬｎ形成する（第２図（Ｄ））。このとき ＷＦ６（ｇ）”３／２Ｇｅ（Ｓ） ＝Ｗ（Ｓ）”３／２
ＧｅＦ４（ｇ）なる反応によってＧｅが若干喰刻を受け
るが、デバイスの特性劣化の原因となるＳｉ基板に及ふ
喰刻はない。木実側倒では、あらかじめ選択成長させる
Ｇｅ層の厚さを３００人としたか、この厚さは喰刻が基
板に及ばない範囲において、厚くあるいは薄くしてもよ
いことはもちろんである。
金属の安定な選択成長のための他の方法を示す６まずＷ
Ｆ６によってＷを成長させる前に基板開口部Ｓｉ上にあ
らかじめＧｅを、選択成長性を持ったＧｅ層を構成原子
とするガスのＣＶＤ法によって形成して、このＧｅ層上
にＷ層を選択的に成長させてＳ ｉ ’Ｊ、ｔｓ ｆｊ
のエンクローチメン１−を防ぐ方法を述べる。第２図（
八）に示ずごと＜Ｓｉ基板１上にＳ ｉ０２層２を形成
したのち、Ｓｉ基板工が露出するように開口８１３を形
成する（第２図（Ｂ））。この後、Ｇｅｌ１４２５ｓｃ
ｃｍｊ１２２０００ｓｃｃｍ温度４１０℃にてＳｉ基板
ｌ上に導入し、Ｓｉ基板ｌの露出面上に ３００人の６
ｅ層５を選択的に形成する（第２図（Ｃ））。この後、
ＷＦ、 ｌＯ１０５ｃ、ｌＩ２１８００ｓｃｃｎ＋を導
入し、開口部に成長させたＧｃ層５上にのみＷ層５を１
μＬｎ形成する（第２図（Ｄ））。このとき ＷＦ６（ｇ）”３／２Ｇｅ（Ｓ） ＝Ｗ（Ｓ）”３／２
ＧｅＦ４（ｇ）なる反応によってＧｅが若干喰刻を受け
るが、デバイスの特性劣化の原因となるＳｉ基板に及ふ
喰刻はない。木実側倒では、あらかじめ選択成長させる
Ｇｅ層の厚さを３００人としたか、この厚さは喰刻が基
板に及ばない範囲において、厚くあるいは薄くしてもよ
いことはもちろんである。
Ｇｅ層を形成するためのＣＶＤ原料ガスとしては、Ｇ
ＣＩｆ ４とＩＩ２の混合ガス系の他に、Ｇａ１１４の
みでもよく、あるいは前述したＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ２，
Ｇｅ（Ｃ２１１ｓ）ＪｚあるいはやはりＧｅの選択成長
が可能であるＧｅＣｕ４と１１２の混合ガス（特開昭６
２−１７９１１３号公報）であってもよいことはいうま
でもない。さらに、ｂｅＮの抵抗を下げるために、６ｅ
を堆積するための原料ガス、たとえばＧ ｅ Ｉｔ 、
＋とともにＰ１１３．へＳＩ＋３．８２１１３等のガス
を微」添加する通常のＣＶＤ法と四柱の方法で、ｎＢ２
．Ｐ型いずれのＧｅ層も形成することか可能であること
はいうまでもない。
ＣＩｆ ４とＩＩ２の混合ガス系の他に、Ｇａ１１４の
みでもよく、あるいは前述したＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ２，
Ｇｅ（Ｃ２１１ｓ）ＪｚあるいはやはりＧｅの選択成長
が可能であるＧｅＣｕ４と１１２の混合ガス（特開昭６
２−１７９１１３号公報）であってもよいことはいうま
でもない。さらに、ｂｅＮの抵抗を下げるために、６ｅ
を堆積するための原料ガス、たとえばＧ ｅ Ｉｔ 、
＋とともにＰ１１３．へＳＩ＋３．８２１１３等のガス
を微」添加する通常のＣＶＤ法と四柱の方法で、ｎＢ２
．Ｐ型いずれのＧｅ層も形成することか可能であること
はいうまでもない。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、ＷＦ６あるいは
ＭｏＦ、の還元ガスとして、あるいはＷ選択成長前の開
口部にあらかじめ堆積される層の原料ガスとして、半導
体上、金属上あるいはそれらの化合物、混合物上にその
ガスの中心元素からなる膜を堆積させ、５ｉｎ７等の絶
縁膜上には堆積しない選択成長性を３００℃以上でもち
、なおかつ是元後の生成物であるそのガスのフッ化物が
揮発性をもつガス、すなわちＧｅＬ 、Ｇｅ （Ｃ１ｌ
ｓ） ２１１２ 、Ｇｅ （Ｃ２１１５）２１１２ある
いはＡ ｓ ＩＩ ３を用いることによって、下地のＳ
ｊや６ｅのエンクローチメントをｊ（ＩＪえ、 ３００
℃以上の高温成長においても選択性の良好な、密着性の
よいＷあるいはＭＯの選択成長が可能である。
ＭｏＦ、の還元ガスとして、あるいはＷ選択成長前の開
口部にあらかじめ堆積される層の原料ガスとして、半導
体上、金属上あるいはそれらの化合物、混合物上にその
ガスの中心元素からなる膜を堆積させ、５ｉｎ７等の絶
縁膜上には堆積しない選択成長性を３００℃以上でもち
、なおかつ是元後の生成物であるそのガスのフッ化物が
揮発性をもつガス、すなわちＧｅＬ 、Ｇｅ （Ｃ１ｌ
ｓ） ２１１２ 、Ｇｅ （Ｃ２１１５）２１１２ある
いはＡ ｓ ＩＩ ３を用いることによって、下地のＳ
ｊや６ｅのエンクローチメントをｊ（ＩＪえ、 ３００
℃以上の高温成長においても選択性の良好な、密着性の
よいＷあるいはＭＯの選択成長が可能である。
第１図はＧ１１４を用いてＧｅを選択成長させる工程を
示す断面図、 第２図は本発明の実施例の工程を示す断面図、第３図は
ＷＦ６による下地基板のエンクローチメントを示す断面
図、 第４図は従来の選択成長法の工程を示す断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、 ２・・・５ｉ０２層、 ３・・・Ｗ層、 ４・・・ポリＳｉ層、 ５・・・Ｇｅ層。 ｌ５ｉＪ’棧 第 図 ３Ｗ層 第 図 第 図 第 図
示す断面図、 第２図は本発明の実施例の工程を示す断面図、第３図は
ＷＦ６による下地基板のエンクローチメントを示す断面
図、 第４図は従来の選択成長法の工程を示す断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、 ２・・・５ｉ０２層、 ３・・・Ｗ層、 ４・・・ポリＳｉ層、 ５・・・Ｇｅ層。 ｌ５ｉＪ’棧 第 図 ３Ｗ層 第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）基板上に絶縁膜を形成しパターニングして、該絶
縁膜の一部に前記基板が露出した開口部を形成する工程
と、 金属とハロゲン元素との化合物と、少なくともＧｅＨ＿
４、Ｇｅ（ＣＨ＿３）＿２Ｈ＿２、Ｇｅ（Ｃ＿２Ｈ＿５
）＿２およびＡｓＨ＿３のうちの一種を含む気体とを、
前記基板上に導入し、前記開口部に前記金属を成長させ
、金属膜を形成する工程と を含むことを特徴とする金属膜の形成方法。 - （２）基板上に絶縁膜を形成しパターニングして、該絶
縁膜の一部に前記基板の露出した開口部を形成する工程
と、 ＧｅＨ＿４、Ｇｅ（ＣＨ＿３）＿２Ｈ＿２およびＧｅ（
Ｃ＿２Ｈ＿５）Ｈ＿２のうち少なくとも一種からなる気
体、または該気体とＨ＿２との混合気体、またはＧｅＣ
ｌ＿４とＨ＿２との混合気体を、前記基板上に導入して
、前記開口部にＧｅ層を形成する工程と、 金属とハロゲン元素との化合物を前記基板上に導入して
、前記Ｇｅ層上に金属を成長させ、金属膜を形成する工
程と を含むことを特徴とする金属膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208236A JP2617529B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 金属膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208236A JP2617529B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 金属膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258217A true JPH0258217A (ja) | 1990-02-27 |
| JP2617529B2 JP2617529B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=16552908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208236A Expired - Lifetime JP2617529B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 金属膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617529B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231549A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Fujitsu Ltd | 中継器監視方式 |
| JPH03150874A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5180687A (en) * | 1989-09-26 | 1993-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminum hydride |
| JPH05259103A (ja) * | 1992-03-16 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 配線用金属形成での前処理方法 |
| US5316972A (en) * | 1989-09-26 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride and process for preparing semiconductor device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179113A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JPS62189721A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体膜形成法および半導体膜形成用装置 |
| JPS63177419A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成方法 |
| JPS6474720A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-20 | Toshiba Corp | Formation of high melting metal film |
| JPH01214116A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Nec Corp | コンタクト孔埋込方法 |
| JPH0244772A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63208236A patent/JP2617529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
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| JP2711670B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1998-02-10 | 富士通株式会社 | 中継器監視方式 |
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| JPH05259103A (ja) * | 1992-03-16 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 配線用金属形成での前処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2617529B2 (ja) | 1997-06-04 |
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