JPS62179113A - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および製造装置Info
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- JPS62179113A JPS62179113A JP2028386A JP2028386A JPS62179113A JP S62179113 A JPS62179113 A JP S62179113A JP 2028386 A JP2028386 A JP 2028386A JP 2028386 A JP2028386 A JP 2028386A JP S62179113 A JPS62179113 A JP S62179113A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体または金属
層表面上に選択的にＧの（ゲールマニウム）層を形成す
る方法およびそのための装置に関する。
層表面上に選択的にＧの（ゲールマニウム）層を形成す
る方法およびそのための装置に関する。
従来半導体装置の電極・配線の形成には、第６図に示す
ように下層の電極・配線層１上に開口（スルーホール）
２を有する絶縁層３を形成し、次にスパッタ法または真
空蒸着法により例えばＡｔ等の金属層４を形成する方法
が用いられてきた。
ように下層の電極・配線層１上に開口（スルーホール）
２を有する絶縁層３を形成し、次にスパッタ法または真
空蒸着法により例えばＡｔ等の金属層４を形成する方法
が用いられてきた。
しかし、半導体装置の微細化に伴いスルーホール２が微
小になるにつれ、同図に示すようにスルーホール２の側
壁部に金属が堆積されず、下層電極・配線層１との接続
が十分にとれない欠点があった。
小になるにつれ、同図に示すようにスルーホール２の側
壁部に金属が堆積されず、下層電極・配線層１との接続
が十分にとれない欠点があった。
これを改善する方法として、発明者らは先に、ＧｅＨ４
ガスを用いて絶縁′・鳶に囲まれた半導体または金属か
らなる下地基板の表面上に下地基板との反応がほとんど
ないＧｅ層を形成する方法を提案した（方弁、高校、室
田：第３２回応用物理学関係連合講演会予稿集ｐ４６７
、２９ａ −Ｃ−３（１９８５） ）。
ガスを用いて絶縁′・鳶に囲まれた半導体または金属か
らなる下地基板の表面上に下地基板との反応がほとんど
ないＧｅ層を形成する方法を提案した（方弁、高校、室
田：第３２回応用物理学関係連合講演会予稿集ｐ４６７
、２９ａ −Ｃ−３（１９８５） ）。
しかし、この方法では、要求される膜厚が厚かったシ、
あるいは基板処理枚数が多く、何回も連続して処理を行
なうなどのためにＧｅ層の堆積処理時間が長時間に及ぶ
場合に、そのメカニズムは必ずしも明らかではないが、
高選択性が得られず、第７図に示したように、下地基板
５の絶縁層６から露出した表面上のみならず、絶縁層６
の上にもＧｅ層７が堆積する問題があった。
あるいは基板処理枚数が多く、何回も連続して処理を行
なうなどのためにＧｅ層の堆積処理時間が長時間に及ぶ
場合に、そのメカニズムは必ずしも明らかではないが、
高選択性が得られず、第７図に示したように、下地基板
５の絶縁層６から露出した表面上のみならず、絶縁層６
の上にもＧｅ層７が堆積する問題があった。
本発明の製造方法は、Ｇｅ層を形成する場合に、はじめ
にＧｅおよびＨから構成されるガスで処理することによ
り第１のＧｅ層を形成し、しかる後にＧｅおよびハロゲ
ンから構成されるガスとＨ２ガスとで処理することによ
り第１のＧｅ層上に第２のＧｅ層を形成するものである
。
にＧｅおよびＨから構成されるガスで処理することによ
り第１のＧｅ層を形成し、しかる後にＧｅおよびハロゲ
ンから構成されるガスとＨ２ガスとで処理することによ
り第１のＧｅ層上に第２のＧｅ層を形成するものである
。
また本発明の製造装置は、反応炉と、少なくともＧｅと
Ｈとから構成されるガス、少なくともＧｅとハロゲンと
から構成されるガスおよびＨ２ガスの各供給源と、これ
らのガスを反応炉に導入する手段とを備えたものである
。
Ｈとから構成されるガス、少なくともＧｅとハロゲンと
から構成されるガスおよびＨ２ガスの各供給源と、これ
らのガスを反応炉に導入する手段とを備えたものである
。
少なくともＧｅとＨとから構成されるガスによシ、被処
理基板表面に形成される酸化膜を除去しながら第１のＧ
ｅ層が形成され、少なくともＧｅとハロゲンとから構成
されるガスおよびＨ２ガスによシ第１のＧｅ層上に第２
のＧｅ層が、長時間にわたって高選択性を維持しながら
形成される。
理基板表面に形成される酸化膜を除去しながら第１のＧ
ｅ層が形成され、少なくともＧｅとハロゲンとから構成
されるガスおよびＨ２ガスによシ第１のＧｅ層上に第２
のＧｅ層が、長時間にわたって高選択性を維持しながら
形成される。
第１図は本発明の一実施例を示す工程断面図である。
Ｇ＠とＨとから構成されるガス、例えばＧｅＨ４ガスに
よる処理では、Ｇｅ層形成時の選択性を長時間にわたっ
て保持できないことは先に述べた通りであるが、Ｇｅと
ハロゲンとから構成されるガス、例えばＧｅＣ１，ガス
で処理することにより、上記選択性を長時間にわたって
保持できることが確認された。
よる処理では、Ｇｅ層形成時の選択性を長時間にわたっ
て保持できないことは先に述べた通りであるが、Ｇｅと
ハロゲンとから構成されるガス、例えばＧｅＣ１，ガス
で処理することにより、上記選択性を長時間にわたって
保持できることが確認された。
ところが、ＧｅＣ１４ガス雰囲気では、低真空下では、
あるいはフッ酸洗浄程度の簡単な基板洗浄工程を経るの
みでは、例えば８１ （シリコン）からなる基板表面に
Ｇｅ層を形成できない。そこで、本実施例では、フッ酸
洗浄程度の簡単な基板洗浄のみで、あるいは低真空下で
Ｇｅ層を選択的に形成可能なＧ ＠ Ｈ４ガスによる処
理で薄い第１のＧｅ層を形成した後に、ＧｅＣＩｔガス
およびＨ２ガスを用いて処理して第１のＧｅ層上に第２
のＧｅ層を形成した。
あるいはフッ酸洗浄程度の簡単な基板洗浄工程を経るの
みでは、例えば８１ （シリコン）からなる基板表面に
Ｇｅ層を形成できない。そこで、本実施例では、フッ酸
洗浄程度の簡単な基板洗浄のみで、あるいは低真空下で
Ｇｅ層を選択的に形成可能なＧ ＠ Ｈ４ガスによる処
理で薄い第１のＧｅ層を形成した後に、ＧｅＣＩｔガス
およびＨ２ガスを用いて処理して第１のＧｅ層上に第２
のＧｅ層を形成した。
第１図において、（１００）面を出したＳｔ基板１１上
に酸化膜１２を５００Ｘの厚さに形成し、その一部をフ
ォトリソグラフィおよびエツチングによシ除去し、Ｓｉ
基板表面を露出させる（同図（ａ））。
に酸化膜１２を５００Ｘの厚さに形成し、その一部をフ
ォトリソグラフィおよびエツチングによシ除去し、Ｓｉ
基板表面を露出させる（同図（ａ））。
なお、酸化膜１２の代りに窒化膜を用いてもよい。
この基板を、後述するよりなＧ ｅ Ｈ４ガス、Ｇ＠Ｃ
Ｉ４ガス、ＧｅＣ１ａガスおよびＨ２ガスの導入が可能
なＣＶＤ反応炉に入れ、４５０℃以下の基板温度で、Ｇ
ｅＨ４ガス雰囲気中で処理し、第１の００層１３を８１
基板１１の露出した表面上にのみ形成した（同図（ｂ）
）。このＧｅ層１３の膜厚は任意である。
Ｉ４ガス、ＧｅＣ１ａガスおよびＨ２ガスの導入が可能
なＣＶＤ反応炉に入れ、４５０℃以下の基板温度で、Ｇ
ｅＨ４ガス雰囲気中で処理し、第１の００層１３を８１
基板１１の露出した表面上にのみ形成した（同図（ｂ）
）。このＧｅ層１３の膜厚は任意である。
ただ、あまυ厚くなると先に述べたように選択性の低下
が生ずるため、適当にとどめる。薄い方には特に限定は
ない。本実施例ではとの膜厚を２００又とした。また、
Ｇ＠Ｈ４ガス雰囲気の処理条件は、Ｇ＠Ｈ４ガス分圧が
３．８ Ｘ １０−２Ｔ ｏｒｒ ｓ ｔたキャリーガ
スとしてＨ２ガスを用い、全圧を３．０ Ｔ ｅｒｒと
した。Ｈ２ガスの代りに、Ｈｅガスを用いてもよい。
が生ずるため、適当にとどめる。薄い方には特に限定は
ない。本実施例ではとの膜厚を２００又とした。また、
Ｇ＠Ｈ４ガス雰囲気の処理条件は、Ｇ＠Ｈ４ガス分圧が
３．８ Ｘ １０−２Ｔ ｏｒｒ ｓ ｔたキャリーガ
スとしてＨ２ガスを用い、全圧を３．０ Ｔ ｅｒｒと
した。Ｈ２ガスの代りに、Ｈｅガスを用いてもよい。
引続き、ＧｅＣｌ４ガスとＨ２ガス雰囲気で処理するこ
とにより、第１の００１１３０表面上に第２のＧＩ層１
４を形成した。膜厚は第１のＧｅ層１３と合せて２００
０Ｘとしたが、その間、高い選択性が保持され、第１の
Ｇｅ層１３の露出表面上にのみ形成できた。処理条件は
、ＧｅＣｌ４ガス分圧１．０×１０＝Ｔｏｒｒ、 Ｈ２
ガス分圧６゜４５ Ｔｏｒｒ 、基板温度５４０℃であ
る。
とにより、第１の００１１３０表面上に第２のＧＩ層１
４を形成した。膜厚は第１のＧｅ層１３と合せて２００
０Ｘとしたが、その間、高い選択性が保持され、第１の
Ｇｅ層１３の露出表面上にのみ形成できた。処理条件は
、ＧｅＣｌ４ガス分圧１．０×１０＝Ｔｏｒｒ、 Ｈ２
ガス分圧６゜４５ Ｔｏｒｒ 、基板温度５４０℃であ
る。
第２図に、本実施例におけるＧｅＣｌ４ガスとＨ２ガス
雰囲気下での処理による、第１のＧｅＪＢ１３上へのＧ
ｅの堆積速度のＧｅＣ１４ガ１示す。（イ）〜に）は基
板温度をそれぞれ４９０℃、５１５℃、５４０℃、５６
５℃とした場合の結果を示すが、同図から明らかなよう
に、Ｇ＠Ｃ１４ガス分圧ＰＧ＠ｃ１４が低い場合にＧｅ
が堆積するが、ＰＣｅＣ１４が高い場合にはエツチング
となる。なお、このエツチングの場合も高選択性を有し
、例えば下地のＳｉ基板１１を侵すことなく００層１３
のみを除去できる。
雰囲気下での処理による、第１のＧｅＪＢ１３上へのＧ
ｅの堆積速度のＧｅＣ１４ガ１示す。（イ）〜に）は基
板温度をそれぞれ４９０℃、５１５℃、５４０℃、５６
５℃とした場合の結果を示すが、同図から明らかなよう
に、Ｇ＠Ｃ１４ガス分圧ＰＧ＠ｃ１４が低い場合にＧｅ
が堆積するが、ＰＣｅＣ１４が高い場合にはエツチング
となる。なお、このエツチングの場合も高選択性を有し
、例えば下地のＳｉ基板１１を侵すことなく００層１３
のみを除去できる。
このＧｅＣｌ４ガスとＨ２ガスによる処理で形成される
Ｇｅ層１４はエピタキシャルであり、その堆積機構はＧ
ｅＣｌ４ガスに由来するＧｅ化学種の吸着とＨ２ガスの
解離吸着を経てＧｅｐＡが形成されるラングミュア−ヒ
ンジエルウッド機構である。
Ｇｅ層１４はエピタキシャルであり、その堆積機構はＧ
ｅＣｌ４ガスに由来するＧｅ化学種の吸着とＨ２ガスの
解離吸着を経てＧｅｐＡが形成されるラングミュア−ヒ
ンジエルウッド機構である。
一方、第３図にエツチング速度とＨ２ガス分圧ＰＨ２と
の関係を示すが、図示のようにエツチング速度にＰＨ２
依存性がないことから、ＧｅＣ１４ガスの水素還元によ
るＨｅ ｌはエツチングに寄与していないことがわかる
。さらに、エツチング速度がＧｅＣ１４ガス分圧ｐｃｅ
ｃｔ４に比例することから、エツチング反応は Ｇｅ−１−ＧｅＣ１４ −＋ ２ＧｅＣ１２なる均等化
反応であることがわかる。
の関係を示すが、図示のようにエツチング速度にＰＨ２
依存性がないことから、ＧｅＣ１４ガスの水素還元によ
るＨｅ ｌはエツチングに寄与していないことがわかる
。さらに、エツチング速度がＧｅＣ１４ガス分圧ｐｃｅ
ｃｔ４に比例することから、エツチング反応は Ｇｅ−１−ＧｅＣ１４ −＋ ２ＧｅＣ１２なる均等化
反応であることがわかる。
以上の堆積機構とエツチング機構とを併せて、堆積速度
ＲＧｅｃｔ４を定式化すると、Ａ＝１．４６Ｘ１０”５
ｉｐ（−０．５４４ｅＶ／ｋＴ）（人ｙｒｉｔｒ −２
Ｔｏｒｒ−２）Ｂ ＝２．７５Ｘ １０” ＠ｒｐｃ
Ｏ．１００ ｅＶ／ｋＴ） （Ｔｏｒｒ−１）Ｃ＝２．
８４Ｘ１０”＠Ｘｐ（−１．０１ｅＶ／ｋＴ）（λｍー
１’ｐ□ｒｒー〇と表わせる。ｋはボルツマン定数、Ｔ
は基板の絶対温度である。
ＲＧｅｃｔ４を定式化すると、Ａ＝１．４６Ｘ１０”５
ｉｐ（−０．５４４ｅＶ／ｋＴ）（人ｙｒｉｔｒ −２
Ｔｏｒｒ−２）Ｂ ＝２．７５Ｘ １０” ＠ｒｐｃ
Ｏ．１００ ｅＶ／ｋＴ） （Ｔｏｒｒ−１）Ｃ＝２．
８４Ｘ１０”＠Ｘｐ（−１．０１ｅＶ／ｋＴ）（λｍー
１’ｐ□ｒｒー〇と表わせる。ｋはボルツマン定数、Ｔ
は基板の絶対温度である。
このように、ＧｅＨ４ガスを用いることによシ、簡単な
基板洗浄で、また低真空下でＧｅ層を形成でき、またそ
の上に、ＧｅＣ１４ガスを用いることによシ高い選択性
を保持してＧｅ層を形成できる理由は、次のように推測
される。
基板洗浄で、また低真空下でＧｅ層を形成でき、またそ
の上に、ＧｅＣ１４ガスを用いることによシ高い選択性
を保持してＧｅ層を形成できる理由は、次のように推測
される。
まず、フッ酸洗浄程度の簡単な基板洗浄工程を経るのみ
では、基板を反応炉に導入する以前に、基板表面に自然
酸化膜が形成されるが、Ｇｅ）Ｉ４がこの自然酸化膜を
除去できるのは、 Ｓ ｉｏ ２ ＋ ２Ｇ＠Ｈ４ →Ｓ ｉ ＋ ２Ｇｅ
Ｏ１＋４Ｈ２↑なる還元反応によるものと考えられる。
では、基板を反応炉に導入する以前に、基板表面に自然
酸化膜が形成されるが、Ｇｅ）Ｉ４がこの自然酸化膜を
除去できるのは、 Ｓ ｉｏ ２ ＋ ２Ｇ＠Ｈ４ →Ｓ ｉ ＋ ２Ｇｅ
Ｏ１＋４Ｈ２↑なる還元反応によるものと考えられる。
そして、このようなきれいなＳｌ上にＧｅＨ４によって
いったんＧｅ層が形成されると、この０６層は炉内に残
留する少量の酸素と反応しても、基板を４００℃程度に
加熱しておけば ２Ｇｅ ＋０ ２ →２Ｇ＠ Ｏ↑ なる反応で蒸発してしまうため、常にきれいなＧｅ面が
露出していることになる。
いったんＧｅ層が形成されると、この０６層は炉内に残
留する少量の酸素と反応しても、基板を４００℃程度に
加熱しておけば ２Ｇｅ ＋０ ２ →２Ｇ＠ Ｏ↑ なる反応で蒸発してしまうため、常にきれいなＧｅ面が
露出していることになる。
そこで、次にこの表面上にＧｅＣ１４とＨ２とを導入す
ることにより、 ＧｅＣ１ ４ ＋ ２Ｈ２ −＋ Ｇｅ ＋ ４ＨＣ１
なる反応で引続いてＧｅ層７を形成することが可能にな
シ、またＧｅＨ４ガスに比較してＧｅＣｌ４ガスが気相
分解しにくいために、長時間にわたって高い選択性を確
保できるものと考えられる。
ることにより、 ＧｅＣ１ ４ ＋ ２Ｈ２ −＋ Ｇｅ ＋ ４ＨＣ１
なる反応で引続いてＧｅ層７を形成することが可能にな
シ、またＧｅＨ４ガスに比較してＧｅＣｌ４ガスが気相
分解しにくいために、長時間にわたって高い選択性を確
保できるものと考えられる。
なお、超高真空下で基板を８００℃以上に加熱するなど
の複雑な工程をとり、自然酸化膜を除去して清浄表面を
露出すれば、直接ＧｅＣ１４とＨ２とによってＧｅ層を
形成することも可能であると考えられるが、超高真空下
での処理のための特別な装置が必要となシ、また基板を
８００℃以上に加熱しなければならないことは、基板、
ひいては作製される半導体装置の特性を損わ々いように
する観点からも望ましくない。
の複雑な工程をとり、自然酸化膜を除去して清浄表面を
露出すれば、直接ＧｅＣ１４とＨ２とによってＧｅ層を
形成することも可能であると考えられるが、超高真空下
での処理のための特別な装置が必要となシ、また基板を
８００℃以上に加熱しなければならないことは、基板、
ひいては作製される半導体装置の特性を損わ々いように
する観点からも望ましくない。
これに対し、上述した実施例によれば、このような超高
真空・高温の処理が不要で、しかもＧｅＨ４ガスによっ
て形成するＧｅ層はきわめて薄くてよいために、基板処
理枚数が多く、あるいは所望膜厚が厚い場合でも、ＣＶ
Ｄ反応炉を洗浄する等の特別の工程を経ることなく、Ｇ
嗜Ｃ１４ガスおよびＨ２ガスで処理することによって、
高選択性を確保しつつＧｅ層を形成することができた。
真空・高温の処理が不要で、しかもＧｅＨ４ガスによっ
て形成するＧｅ層はきわめて薄くてよいために、基板処
理枚数が多く、あるいは所望膜厚が厚い場合でも、ＣＶ
Ｄ反応炉を洗浄する等の特別の工程を経ることなく、Ｇ
嗜Ｃ１４ガスおよびＨ２ガスで処理することによって、
高選択性を確保しつつＧｅ層を形成することができた。
上述した実施例において、ＣＶＤ反応炉は、第４図に示
すようにＣＶＤ反応炉２１にＧｅＨ４ガス源２２、Ｇ＊
Ｃ１４ガス源２３お上２３２ガス源２４から各ガスを、
３系統に分けてそれぞれ導入系２５．２６ 。
すようにＣＶＤ反応炉２１にＧｅＨ４ガス源２２、Ｇ＊
Ｃ１４ガス源２３お上２３２ガス源２４から各ガスを、
３系統に分けてそれぞれ導入系２５．２６ 。
２７により導入する構成をとっている。これは、ＧｅＣ
ｌ４ガスの蒸気圧が低いため、その導入系２６を反応炉
の手前でＨ２ガス導入系２７につないだ場合、Ｈ２ガス
がＧｅＣｌ４ガス源２３側へ流入してＧ１ＩＣ１４ガス
をＣＶＤ反応炉２１に導入できなくなるのを防ぐためで
ある。
ｌ４ガスの蒸気圧が低いため、その導入系２６を反応炉
の手前でＨ２ガス導入系２７につないだ場合、Ｈ２ガス
がＧｅＣｌ４ガス源２３側へ流入してＧ１ＩＣ１４ガス
をＣＶＤ反応炉２１に導入できなくなるのを防ぐためで
ある。
また、２８，２９．３（１，マスフローコントローラで
あるが、ＧｅＣｌ４ガスは上述のように蒸気圧が低く、
通常のマスフローコントローラでの流量調整は不可能で
あるため、マスフローコントローラ２９は＃、量計とし
てのみ使い、流量調節は、マスフローコントローラ２９
とＣＶＤ反応炉２１との間に微量流量調節バルブ３１を
挿入して行なった。
あるが、ＧｅＣｌ４ガスは上述のように蒸気圧が低く、
通常のマスフローコントローラでの流量調整は不可能で
あるため、マスフローコントローラ２９は＃、量計とし
てのみ使い、流量調節は、マスフローコントローラ２９
とＣＶＤ反応炉２１との間に微量流量調節バルブ３１を
挿入して行なった。
ｉた、このような構造に限らず、Ｇ＠Ｈ４ガス、ＧｅＣ
ｌ４ガスおよびＨ２ガス等のキャリアーガスをＣＶＤ反
応炉２１に導入することが可能な構造であればよく、例
えば第５図に示すようか構成としてもよい。同図におい
て、３２はＨ２ガス源２４から送られるＨ２ガヌとＧｅ
Ｃｌ４ガスとを周知の混合機構によシ混合して送り出せ
るようにしたＧｅＣｌ４ガス源である。
ｌ４ガスおよびＨ２ガス等のキャリアーガスをＣＶＤ反
応炉２１に導入することが可能な構造であればよく、例
えば第５図に示すようか構成としてもよい。同図におい
て、３２はＨ２ガス源２４から送られるＨ２ガヌとＧｅ
Ｃｌ４ガスとを周知の混合機構によシ混合して送り出せ
るようにしたＧｅＣｌ４ガス源である。
以上Ｇ ＠ Ｈ４ガスとＧ ｅ Ｃ１４ガスとを用いた
例について説明したが、それぞれ少なくともＧｅとＨと
を含むガスおよび少なくともＧｅとハロゲンとを含むガ
スを用いることによｐ１同様の効果が得られる〇 また、Ｓｉ基板上に形成する場合について説明したが、
金属層上にも同様にしてＧｅ層を形成できる。
例について説明したが、それぞれ少なくともＧｅとＨと
を含むガスおよび少なくともＧｅとハロゲンとを含むガ
スを用いることによｐ１同様の効果が得られる〇 また、Ｓｉ基板上に形成する場合について説明したが、
金属層上にも同様にしてＧｅ層を形成できる。
以上説明したように、本発明によれば、ＧｅとＨとから
構成されるガスで処理した後、Ｇｅとハロゲンとから構
成されるガスおよびＨ２ガスで処理することにより、半
導体または金属表面に、長時間にわたって高選択性を確
保してＧｅ層が形成できる。したがって、膜厚が厚い場
合でも、また基板処理枚数が多い場合でも、選択性を再
生させるために反応炉内を洗浄するなどの特別な工程を
経ることなく、連続してＧｅ層の選択的堆積ができる利
点がある。
構成されるガスで処理した後、Ｇｅとハロゲンとから構
成されるガスおよびＨ２ガスで処理することにより、半
導体または金属表面に、長時間にわたって高選択性を確
保してＧｅ層が形成できる。したがって、膜厚が厚い場
合でも、また基板処理枚数が多い場合でも、選択性を再
生させるために反応炉内を洗浄するなどの特別な工程を
経ることなく、連続してＧｅ層の選択的堆積ができる利
点がある。
第１図は本発明の一実施例を示す工程断面図、第２図は
成膜速度のＧｅＣｌ４ガス分圧依存性を示す図、第３図
はエツチング速度のＨ２ガス分圧依存性を示す図、第４
図および第５図はそれぞれＣＶＤ反応炉の構成例を示す
図、第６図および第７図は従来例の欠点を説明するため
の断面図である。 １１・・・・８１基板、１２・・−・酸化膜（マスク層
）、１３・・・・第１のＧｅ層、１４・・・・第２のＧ
ｅ層、２１・・・・ＣＶＤ反応炉、２２１１・・・Ｇ＠
Ｈ４ガス源、２３．３２−・−・ＧｅＣｌ４ガス源、２
４−＊＊＊Ｈ２ガス源、２５〜２７・・・・ガス導入系
。
成膜速度のＧｅＣｌ４ガス分圧依存性を示す図、第３図
はエツチング速度のＨ２ガス分圧依存性を示す図、第４
図および第５図はそれぞれＣＶＤ反応炉の構成例を示す
図、第６図および第７図は従来例の欠点を説明するため
の断面図である。 １１・・・・８１基板、１２・・−・酸化膜（マスク層
）、１３・・・・第１のＧｅ層、１４・・・・第２のＧ
ｅ層、２１・・・・ＣＶＤ反応炉、２２１１・・・Ｇ＠
Ｈ４ガス源、２３．３２−・−・ＧｅＣｌ４ガス源、２
４−＊＊＊Ｈ２ガス源、２５〜２７・・・・ガス導入系
。
Claims (2)
- （１）少なくとも表面部が半導体または金属からなる基
板の表面上に所定パターンのマスク層を形成し、このマ
スク層から露出した基板の表面上にのみＧｅ層を選択的
に形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、
Ｇｅ層の形成工程は、少なくともＧｅおよびＨから構成
されるガスで処理することにより露出した基板の表面上
に第１のＧｅ層を形成する工程と、少なくともＧｅおよ
びハロゲンから構成されるガスとＨ＿２ガスとで処理す
ることにより第１のＧｅ層の表面上に第２のＧｅ層を形
成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - （２）被処理基板を収容する反応炉と、少なくともＧｅ
およびＨから構成されるガスを供給する第１のガス供給
源と、少なくともＧｅおよびハロゲンから構成されるガ
スを供給する第２のガス供給源と、Ｈ＿２ガスを供給す
る第３のガス供給源と、これら各供給源のガスを上記反
応炉にそれぞれ導入する手段とを備えたことを特徴とす
る半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028386A JPH0666264B2 (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028386A JPH0666264B2 (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62179113A true JPS62179113A (ja) | 1987-08-06 |
| JPH0666264B2 JPH0666264B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=12022840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2028386A Expired - Lifetime JPH0666264B2 (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666264B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258217A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属膜の形成方法 |
| US5225366A (en) * | 1990-06-22 | 1993-07-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors |
| US5259918A (en) * | 1991-06-12 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Heteroepitaxial growth of germanium on silicon by UHV/CVD |
| US5286334A (en) * | 1991-10-21 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Nonselective germanium deposition by UHV/CVD |
| US5583062A (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-10 | Lsi Logic Corporation | Self-aligned twin well process having a SiO2 -polysilicon-SiO2 barrier mask |
| US5670393A (en) * | 1995-07-12 | 1997-09-23 | Lsi Logic Corporation | Method of making combined metal oxide semiconductor and junction field effect transistor device |
| US5770492A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Self-aligned twin well process |
| JP2008544556A (ja) * | 2005-06-22 | 2008-12-04 | サンディスク スリーディー，エルエルシー | ゲルマニウム膜を堆積させる方法 |
| JP2014515877A (ja) * | 2011-03-31 | 2014-07-03 | アイメック | 単結晶スズ含有半導体材料を成長させる方法 |
-
1986
- 1986-02-03 JP JP2028386A patent/JPH0666264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258217A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属膜の形成方法 |
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| US5770492A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Self-aligned twin well process |
| US5670393A (en) * | 1995-07-12 | 1997-09-23 | Lsi Logic Corporation | Method of making combined metal oxide semiconductor and junction field effect transistor device |
| JP2008544556A (ja) * | 2005-06-22 | 2008-12-04 | サンディスク スリーディー，エルエルシー | ゲルマニウム膜を堆積させる方法 |
| JP2014515877A (ja) * | 2011-03-31 | 2014-07-03 | アイメック | 単結晶スズ含有半導体材料を成長させる方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666264B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |