JPS61136681A - 熱ｃｖｄ方法 - Google Patents
熱ｃｖｄ方法Info
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- JPS61136681A JPS61136681A JP25610384A JP25610384A JPS61136681A JP S61136681 A JPS61136681 A JP S61136681A JP 25610384 A JP25610384 A JP 25610384A JP 25610384 A JP25610384 A JP 25610384A JP S61136681 A JPS61136681 A JP S61136681A
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- Japan
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- gas
- gaseous
- bubbling
- mixing ratio
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は種々の基板上で薄膜形成をより低温で行う熱Ｃ
ＶＤ方法に関するものである。
ＶＤ方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来熱ＣＶＤにおいては、第４図のように原料ガスとキ
ャリアガスの混合ガス３１と希釈用ガス３２を反応管１
７に導入し、炉１８で熱分解させて各種の基板１１上に
金属、半導体や絶縁体の各種薄膜を堆積させていた。
ャリアガスの混合ガス３１と希釈用ガス３２を反応管１
７に導入し、炉１８で熱分解させて各種の基板１１上に
金属、半導体や絶縁体の各種薄膜を堆積させていた。
例えばと７ ソ：／ （Ｈ，Ｏ，ＰＩＥＲ８ＯＮ）Ｇ：
より、シン・ソリッド・フィルムズ誌（Ｔｈｉｎ、 ５
ｏｌｉｄ、 Ｆｉｌｍｓ）第４５巻の２５７ページか
ら２６３ページに掲載された論文では、鉄の表面にＡｃ
を堆積させる為にＡｃ（Ｃ２Ｈ５）ａを４５０°Ｃ〜７
００°Ｃで熱分解させた例が記述されている。
より、シン・ソリッド・フィルムズ誌（Ｔｈｉｎ、 ５
ｏｌｉｄ、 Ｆｉｌｍｓ）第４５巻の２５７ページか
ら２６３ページに掲載された論文では、鉄の表面にＡｃ
を堆積させる為にＡｃ（Ｃ２Ｈ５）ａを４５０°Ｃ〜７
００°Ｃで熱分解させた例が記述されている。
しかし、このような高温での熱分解を用いる方法では、
基板がポリイミドなどの合成樹脂であると、熱可塑性や
熱硬化性の為に変質する問題があった。また基板１１が
プロセス途中の半導体デバイスだと不純物プロファイル
がくずれたり、金属と半導体の界面で金属が半導体中へ
拡散し、ソース、ドレインといった活性領域が不活性に
なるという問題もあった。
基板がポリイミドなどの合成樹脂であると、熱可塑性や
熱硬化性の為に変質する問題があった。また基板１１が
プロセス途中の半導体デバイスだと不純物プロファイル
がくずれたり、金属と半導体の界面で金属が半導体中へ
拡散し、ソース、ドレインといった活性領域が不活性に
なるという問題もあった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上述のような従来の欠点を除去し、種
々の基板上に金属や半導体などの薄膜を従来より低温で
堆積させる方法を提供することにある。
々の基板上に金属や半導体などの薄膜を従来より低温で
堆積させる方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明はアルキル化合物を含むＣＶＤ原料ガスを用いて
基板上に薄膜を堆積させる熱ＣＶＤ方法において、前記
アルキル化合物のキャリヤガスにＮ２と不活性ガスの混
合ガス又はＮ２とＮ２の混合ガスを使用し、前記混合ガ
スの混合比を変えることを特徴としている。
基板上に薄膜を堆積させる熱ＣＶＤ方法において、前記
アルキル化合物のキャリヤガスにＮ２と不活性ガスの混
合ガス又はＮ２とＮ２の混合ガスを使用し、前記混合ガ
スの混合比を変えることを特徴としている。
（発明の作用・原理）
本発明は上述の方法および装置構成をとることにより、
従来技術の問題点を解決した。本発明者は原料ガスであ
るアルキル化合物のうち、メチル基と結合している化合
物の不活性（又はＮ２）ガス中での熱分解はラジカル反
応であり、Ｎ２がス中では水素化反応で、水素化反応の
方が低温で起きることを見出した。またエチル基、プロ
ピル基およびブチル基と結合している化合物の熱分解は
不活性（又はＮ２）ガス中でもＮ２ガス中でもり一エリ
ミネーションの機構で生じるが、Ｎ２ガス中の方がより
低温で起きることも見出した。
従来技術の問題点を解決した。本発明者は原料ガスであ
るアルキル化合物のうち、メチル基と結合している化合
物の不活性（又はＮ２）ガス中での熱分解はラジカル反
応であり、Ｎ２がス中では水素化反応で、水素化反応の
方が低温で起きることを見出した。またエチル基、プロ
ピル基およびブチル基と結合している化合物の熱分解は
不活性（又はＮ２）ガス中でもＮ２ガス中でもり一エリ
ミネーションの機構で生じるが、Ｎ２ガス中の方がより
低温で起きることも見出した。
このようにアルキル化合物の分解反応温度がキャリヤガ
スの種類によって異なるといる新しい知見を利用すると
、キャリアガスを複数種混合し混合比率を変えることに
よって分解温度を下げるだけでなく、分解温度を上限と
下限の間で制御することができる。第１図（ａ）に原料
ガスにＡｅ（Ｃ２Ｈｓ）ａを用いた例を、また第１図（
ｂ）にＧａ（Ｃ２Ｈｓ）ａとＧａ（ＣＨ３）３を用いた
例を示す。その場合Ｎ２ガス混合比率が低いと分解反応
温度は高くなるが堆積速度は大きくなり、逆にＮ２ガス
混合比率が高くなると堆積速度は小さくなるが分解反応
温度は低くなる。従って下地に熱可塑性や熱硬化性のあ
るポリイミドなどの合成樹脂が使われていても、変質さ
せることなく金属や半導体などをその上に低温で堆積で
きる。また基板がプロセス途中の半導体デバイスでは、
不純物プロファイルをくずすことなく、さらに金属と半
導体の界面で金属が半導体中へ拡散してソース、ドレイ
ンといった活性領域をこわすことなく金属や半導体など
を低温で堆積できる。また例えば絶縁膜と金属の多層膜
構造のデバイスを形成する場合、絶縁膜上の第１層目の
金属膜はＮ２ガス混合比を小さくして、高温ではあるが
大きな堆積速度で堆積させる。続いてパターン化等のプ
ロセスの後に層間絶縁膜を堆積させ、その上に第２層目
の金属膜をＮ２ガス混合比を大きくして、堆積速度は小
さいが低温で堆積させる。このように本発明を適用する
と、第２層目の金属膜を低温で堆積させることができる
ので、第１層目の金属膜のパターンのだれを防ぎ、多層
膜構造デノくイスを能率よる形成できる。
スの種類によって異なるといる新しい知見を利用すると
、キャリアガスを複数種混合し混合比率を変えることに
よって分解温度を下げるだけでなく、分解温度を上限と
下限の間で制御することができる。第１図（ａ）に原料
ガスにＡｅ（Ｃ２Ｈｓ）ａを用いた例を、また第１図（
ｂ）にＧａ（Ｃ２Ｈｓ）ａとＧａ（ＣＨ３）３を用いた
例を示す。その場合Ｎ２ガス混合比率が低いと分解反応
温度は高くなるが堆積速度は大きくなり、逆にＮ２ガス
混合比率が高くなると堆積速度は小さくなるが分解反応
温度は低くなる。従って下地に熱可塑性や熱硬化性のあ
るポリイミドなどの合成樹脂が使われていても、変質さ
せることなく金属や半導体などをその上に低温で堆積で
きる。また基板がプロセス途中の半導体デバイスでは、
不純物プロファイルをくずすことなく、さらに金属と半
導体の界面で金属が半導体中へ拡散してソース、ドレイ
ンといった活性領域をこわすことなく金属や半導体など
を低温で堆積できる。また例えば絶縁膜と金属の多層膜
構造のデバイスを形成する場合、絶縁膜上の第１層目の
金属膜はＮ２ガス混合比を小さくして、高温ではあるが
大きな堆積速度で堆積させる。続いてパターン化等のプ
ロセスの後に層間絶縁膜を堆積させ、その上に第２層目
の金属膜をＮ２ガス混合比を大きくして、堆積速度は小
さいが低温で堆積させる。このように本発明を適用する
と、第２層目の金属膜を低温で堆積させることができる
ので、第１層目の金属膜のパターンのだれを防ぎ、多層
膜構造デノくイスを能率よる形成できる。
（実施例）
以下、本発明について実施例を示す図面を参照□して説
明する。
明する。
第２図は本発明の方法を実現するために用いた装置例を
示すものである。この実施例ではポリイミドの基板１１
上にＡｅの薄膜を堆積させる為に、Ａｅ（Ｃ２Ｈ５）３
（以下ＴＥＡと略す）のはいっているノくアラ１６内
で、キャリヤガスのバブリング用Ｎ２ガス１２とバブリ
ング用Ｎ２ガス１３の混合ガスでバブリングされたＴＥ
Ａ蒸気を希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガス１５の混
合ガスと共に反応管１７に導入し、炉１８でＴＥＡを加
熱分解させる。バブリングされたＴＥＡ！気と希釈用ガ
スをよく混合させる為に反応管１７にバッフル１９をつ
けた。またＴＥＡが反応管１７に導入される前に、炉１
８の熱によって分解するのを防ぐ為に反応管の前に冷却
機構２０を設は水冷した。バブリング用Ｎ２ガス１２と
バブリング用Ｎ２ガス１３の混合比を２：１、合計流量
１００ ＳＣＣＭ、希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガ
ス１５の混合比を２：１、合計流量６００８ＣＣＭとし
、約５００°Ｃの温度でＡ（を堆積速度約２００ｎｍ／
分で堆積できた。またバブリング用Ｎ２ガス１２とバブ
リング用Ｎ２ガス１３の混合比、および希釈用Ｎ２ガス
１４と希釈用Ｎ２ガス１５の混合比を９＝１にすると約
３００℃で約１１００ｎ／分の堆積速度でＡｌ？を堆積
できた。このように本発明の方法によるＡｅの堆積温度
は、ポリイミドの熱分解温度５５０６Ｃ以下にでき、基
板１１の変質等の現像を抑制することができた。なおバ
ブリング用Ｎ２ガス１２とバブリング用Ｎ２ガス１３の
混合比、および希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガス１
５の混合比は、各々マス７０−コントローラ２１によっ
て流量を制御することで調整した。
示すものである。この実施例ではポリイミドの基板１１
上にＡｅの薄膜を堆積させる為に、Ａｅ（Ｃ２Ｈ５）３
（以下ＴＥＡと略す）のはいっているノくアラ１６内
で、キャリヤガスのバブリング用Ｎ２ガス１２とバブリ
ング用Ｎ２ガス１３の混合ガスでバブリングされたＴＥ
Ａ蒸気を希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガス１５の混
合ガスと共に反応管１７に導入し、炉１８でＴＥＡを加
熱分解させる。バブリングされたＴＥＡ！気と希釈用ガ
スをよく混合させる為に反応管１７にバッフル１９をつ
けた。またＴＥＡが反応管１７に導入される前に、炉１
８の熱によって分解するのを防ぐ為に反応管の前に冷却
機構２０を設は水冷した。バブリング用Ｎ２ガス１２と
バブリング用Ｎ２ガス１３の混合比を２：１、合計流量
１００ ＳＣＣＭ、希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガ
ス１５の混合比を２：１、合計流量６００８ＣＣＭとし
、約５００°Ｃの温度でＡ（を堆積速度約２００ｎｍ／
分で堆積できた。またバブリング用Ｎ２ガス１２とバブ
リング用Ｎ２ガス１３の混合比、および希釈用Ｎ２ガス
１４と希釈用Ｎ２ガス１５の混合比を９＝１にすると約
３００℃で約１１００ｎ／分の堆積速度でＡｌ？を堆積
できた。このように本発明の方法によるＡｅの堆積温度
は、ポリイミドの熱分解温度５５０６Ｃ以下にでき、基
板１１の変質等の現像を抑制することができた。なおバ
ブリング用Ｎ２ガス１２とバブリング用Ｎ２ガス１３の
混合比、および希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガス１
５の混合比は、各々マス７０−コントローラ２１によっ
て流量を制御することで調整した。
ＴＥＡの代わりにＡ（（ｉｓｏ −Ｃ４Ｈｇ ） ３を
使って、本発明により、より低温の約２５０°ＣでＡｅ
を堆積させることもできた。
使って、本発明により、より低温の約２５０°ＣでＡｅ
を堆積させることもできた。
Ａｅ以外にもＺｎ、 Ｃｄ 、 Ｉ、 、 Ｇａ、 Ｔ
、 、 ｓｂ 、 Ａ、 、 Ｈ，、Ｓ 、 Ｓｉ 。
、 、 ｓｂ 、 Ａ、 、 Ｈ，、Ｓ 、 Ｓｉ 。
ＩｎＰのアルキル化合物を使えば、これらの金属、半導
体やドーピング材を本発明の方法及び装置を用いて、従
来より低温で堆積させることができる。
体やドーピング材を本発明の方法及び装置を用いて、従
来より低温で堆積させることができる。
第３図は本発明による前記一実施例を別の多層構造形成
に適用した場合の概略工程図である。（ａ）は熱酸化に
よるｓ、ｏ２に覆われたＳｉ基板４１上に、配線用金属
膜を堆積させた後にエツチングしてパターン化した、第
一層配線用金属膜４２を形成した状態である。（ｂ）は
前記第一層配線用金属膜４２上に絶縁膜４３を堆積させ
た状態である。（Ｃ）は前記絶縁膜４３上に金属膜４４
を堆積させた状態である。（ｄ）は前記金属膜４４をエ
ツチングしてパターン化し、第二層配線用金属膜４５を
形成し、多層構造を造り上げた状態である。
に適用した場合の概略工程図である。（ａ）は熱酸化に
よるｓ、ｏ２に覆われたＳｉ基板４１上に、配線用金属
膜を堆積させた後にエツチングしてパターン化した、第
一層配線用金属膜４２を形成した状態である。（ｂ）は
前記第一層配線用金属膜４２上に絶縁膜４３を堆積させ
た状態である。（Ｃ）は前記絶縁膜４３上に金属膜４４
を堆積させた状態である。（ｄ）は前記金属膜４４をエ
ツチングしてパターン化し、第二層配線用金属膜４５を
形成し、多層構造を造り上げた状態である。
第一層配線用金属膜４２は、ＴＥＡをバブリング用のＮ
２ガス１２とバブリング用Ｎ２ガス１３を１＝１の割合
の混合ガス１００ ＳＣＣＭでバブリングし、同じ混合
比の希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガス１５の混合ガ
ス６００ＳＣＣＭと共に反応管１７へ導入し、約６００
°Ｃで堆積速度約２８０ｎｍ／分で堆積させた。この人
ｅ膜のエツチングはＣＣ１４ガス中でのプラズマエツチ
ングで行った。絶縁膜４３はＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガ
スを用いて約３００°ＣでプラスマＣＶＤで堆積させた
。第二層配線用金属膜４４はＴＥＡをバブリング用のＮ
２がス１２とバブリング用Ｎ２ガス１３を１０：１の割
合の混合ガス１１００５ＣＣでバブリングし、同じ混合
比の希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガス１５の混合ガ
ス６００ ＳＣＣＭと共に反応管１７へ導入し、約２８
０°Ｃで堆積速度約１１００ｎ／分で堆積させた。この
人ｅ膜のパターン化もＣＣ１４中で約３００°Ｃでのプ
ラズマエツチングで行った。このように第一層目のＡｅ
膜はバブリング用のＮ２ガス１２と希釈用Ｎ２ガス１４
の混合比を減らし、約６００°Ｃの高温ではあるが、速
く堆積させた。一方策二層目のＡｅ膜はバブリング用の
Ｎ２ガス１２と希釈用Ｎ２ガス１４を増して低温で堆積
させたので、堆積速度は遅いが、第一層目のＡ？膜のパ
ターンのだれや基板、絶縁膜への拡散を起こすことなく
多層構造を形成できた。
２ガス１２とバブリング用Ｎ２ガス１３を１＝１の割合
の混合ガス１００ ＳＣＣＭでバブリングし、同じ混合
比の希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガス１５の混合ガ
ス６００ＳＣＣＭと共に反応管１７へ導入し、約６００
°Ｃで堆積速度約２８０ｎｍ／分で堆積させた。この人
ｅ膜のエツチングはＣＣ１４ガス中でのプラズマエツチ
ングで行った。絶縁膜４３はＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガ
スを用いて約３００°ＣでプラスマＣＶＤで堆積させた
。第二層配線用金属膜４４はＴＥＡをバブリング用のＮ
２がス１２とバブリング用Ｎ２ガス１３を１０：１の割
合の混合ガス１１００５ＣＣでバブリングし、同じ混合
比の希釈用Ｎ２ガス１４と希釈用Ｎ２ガス１５の混合ガ
ス６００ ＳＣＣＭと共に反応管１７へ導入し、約２８
０°Ｃで堆積速度約１１００ｎ／分で堆積させた。この
人ｅ膜のパターン化もＣＣ１４中で約３００°Ｃでのプ
ラズマエツチングで行った。このように第一層目のＡｅ
膜はバブリング用のＮ２ガス１２と希釈用Ｎ２ガス１４
の混合比を減らし、約６００°Ｃの高温ではあるが、速
く堆積させた。一方策二層目のＡｅ膜はバブリング用の
Ｎ２ガス１２と希釈用Ｎ２ガス１４を増して低温で堆積
させたので、堆積速度は遅いが、第一層目のＡ？膜のパ
ターンのだれや基板、絶縁膜への拡散を起こすことなく
多層構造を形成できた。
以上の実施例においては、金属堆積を中心に述べたが、
アルキル化合物と酸化機能を有するガスとの反応により
形成される、例えば５ｉｏ２やＳｉ３Ｎ４などの酸化膜
や窒化膜などの形成についても、本発明を適用すること
により低温化できる。また本発明を適用できる基板は、
半導体基板にとどまらないことは言うまでもない。
アルキル化合物と酸化機能を有するガスとの反応により
形成される、例えば５ｉｏ２やＳｉ３Ｎ４などの酸化膜
や窒化膜などの形成についても、本発明を適用すること
により低温化できる。また本発明を適用できる基板は、
半導体基板にとどまらないことは言うまでもない。
上記実施例では熱源として抵抗加熱炉を用いたが、他の
熱源、例えば高周波、赤外線ランプ、レーザ光等を用い
ても分解温度の制御は可能である。待にレーザ光を用い
た場合は局部的に堆積できるため、ＣＶＤの最中に混合
比を変えることにより、場所によって薄膜の幅を任意に
変えることが可能である。また基板の材質が不連続に変
化する場合、例えばＳｉとｓ、ｏ２のような場合でもそ
のＳ、／８．０２境界で線幅を変えることなく一定の幅
で形成することができるという特長がある。
熱源、例えば高周波、赤外線ランプ、レーザ光等を用い
ても分解温度の制御は可能である。待にレーザ光を用い
た場合は局部的に堆積できるため、ＣＶＤの最中に混合
比を変えることにより、場所によって薄膜の幅を任意に
変えることが可能である。また基板の材質が不連続に変
化する場合、例えばＳｉとｓ、ｏ２のような場合でもそ
のＳ、／８．０２境界で線幅を変えることなく一定の幅
で形成することができるという特長がある。
（発明の効果）
以上、本発明の熱ＣＶＤ方法を適用することにより、半
導体や金属などのアルキル化合物を従来より低温で熱分
解でき、その結果、熱で変形、変質しやすい合成樹脂等
の基板上に半導体や金属などを堆積させることができる
。また基板がプロセス途中のデバイスであっても、不純
物プロファイルのくずれや、金属と半導体の界面におけ
る拡散によるソース、ドレインといった活性領域の不活
性化を防ぐことができる。また多層構造の形成において
、第二層目より上の層を低温で堆積させることにより、
より下層の膜のパターンのだれや不純物拡散、あるいは
下層の膜の構成原子の基板、層間絶縁膜への拡散を起こ
すことなく多層化できる。
導体や金属などのアルキル化合物を従来より低温で熱分
解でき、その結果、熱で変形、変質しやすい合成樹脂等
の基板上に半導体や金属などを堆積させることができる
。また基板がプロセス途中のデバイスであっても、不純
物プロファイルのくずれや、金属と半導体の界面におけ
る拡散によるソース、ドレインといった活性領域の不活
性化を防ぐことができる。また多層構造の形成において
、第二層目より上の層を低温で堆積させることにより、
より下層の膜のパターンのだれや不純物拡散、あるいは
下層の膜の構成原子の基板、層間絶縁膜への拡散を起こ
すことなく多層化できる。
第１図（ａ） （ｂ）はキャリアガスの混合比を変える
と反応温度が変わる一例を示す図、第２図は本発明を適
用した一実施例の装置模式図、第３図は本発明を適用し
た多層配線形成の概略工程図、第４図は従来装置の模式
図である。 １１・・・・・基板 １２・・・・・バブリング用Ｎ２ガス １３・・・・・バブリング用Ｎ２ガス １４・・・・・希釈用Ｈ２ガス １５・・・・・希釈用Ｎ２ガス １６・・・・・バプラ １７・・・・・反応
管１８・・・・・炉１９・・・・・バッフル２０・・・
・・冷却機構 ２１・・・・・マスフローコントローラ３１・・・・・
混合ガス ３２・・・・・希釈用ガス４１・
・・・・シリコン基板 ４２・・・・・第一層配線用金属膜 ４３・・・・・絶縁膜 必・・・・・金属膜
４５・・・・・第二層配線用金属膜 ＴＥＡからのＡＬの検出率 残留 原料ガス量（任意スケール） 第２図
と反応温度が変わる一例を示す図、第２図は本発明を適
用した一実施例の装置模式図、第３図は本発明を適用し
た多層配線形成の概略工程図、第４図は従来装置の模式
図である。 １１・・・・・基板 １２・・・・・バブリング用Ｎ２ガス １３・・・・・バブリング用Ｎ２ガス １４・・・・・希釈用Ｈ２ガス １５・・・・・希釈用Ｎ２ガス １６・・・・・バプラ １７・・・・・反応
管１８・・・・・炉１９・・・・・バッフル２０・・・
・・冷却機構 ２１・・・・・マスフローコントローラ３１・・・・・
混合ガス ３２・・・・・希釈用ガス４１・
・・・・シリコン基板 ４２・・・・・第一層配線用金属膜 ４３・・・・・絶縁膜 必・・・・・金属膜
４５・・・・・第二層配線用金属膜 ＴＥＡからのＡＬの検出率 残留 原料ガス量（任意スケール） 第２図
Claims (1)
- アルキル化合物を含む原料ガスを熱分解して基板上に
薄膜を堆積させる熱ＣＶＤ方法において、前記アルキル
化合物のキャリアガスとしてＨ＿２とＮ＿２の混合ガス
、またはＨ＿２と不活性ガスとの混合ガスを用い、前記
混合ガスの混合比を前記原料ガスが所望の温度で分解す
るよう定めることを特徴とする熱ＣＶＤ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25610384A JPS61136681A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 熱ｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25610384A JPS61136681A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 熱ｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136681A true JPS61136681A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17287927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25610384A Pending JPS61136681A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 熱ｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136681A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220870A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-29 | Fujitsu Ltd | アルミニウム層の化学気相成長方法 |
| JPS62185878A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Fujitsu Ltd | 金属の気相成長方法 |
| JP2011236507A (ja) * | 2003-09-19 | 2011-11-24 | Akzo Nobel Nv | 液体／蒸気堆積方法による基体の金属被覆 |
-
1984
- 1984-12-04 JP JP25610384A patent/JPS61136681A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220870A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-29 | Fujitsu Ltd | アルミニウム層の化学気相成長方法 |
| JPS62185878A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Fujitsu Ltd | 金属の気相成長方法 |
| JP2011236507A (ja) * | 2003-09-19 | 2011-11-24 | Akzo Nobel Nv | 液体／蒸気堆積方法による基体の金属被覆 |
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