JPS61279665A - 部分乾式メツキ方法 - Google Patents
部分乾式メツキ方法Info
- Publication number
- JPS61279665A JPS61279665A JP12190685A JP12190685A JPS61279665A JP S61279665 A JPS61279665 A JP S61279665A JP 12190685 A JP12190685 A JP 12190685A JP 12190685 A JP12190685 A JP 12190685A JP S61279665 A JPS61279665 A JP S61279665A
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- JP
- Japan
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- film
- masking
- org
- solvent
- dry plating
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリング、イオンブレーティング等によ
る部分乾式メッキ方法に関し、特に立体形状の基体にＴ
ｉＮ、Ｔｉ０１Ｓｉ３Ｎ４等の耐食性被膜を部分的に形
成するのに好適の方法に関する。
る部分乾式メッキ方法に関し、特に立体形状の基体にＴ
ｉＮ、Ｔｉ０１Ｓｉ３Ｎ４等の耐食性被膜を部分的に形
成するのに好適の方法に関する。
基体表面の所望の部分にのみメッキ被膜を必要とする場
合、全面にメッキ被膜を形成した後不要の部分の被膜を
エツチング等で除去するか、メツ＋３１．□アツ７カ７
ヶフイ２４や。え□ １゜で被膜（７□＋＞９’）Ｉ、
Ｔ−ｉツヤを施すか、何０ １かの方法が採られている
。ところが、メッキ被膜がＴＩＮ、 ＴｉＯ、Ｓｉ Ｎ
、 ＳｉＯ、５ｉ（１！、 ＴｉＯ等の耐 １食性
被膜の場合はエツチング法は不適当であり、 １ｉ。
合、全面にメッキ被膜を形成した後不要の部分の被膜を
エツチング等で除去するか、メツ＋３１．□アツ７カ７
ヶフイ２４や。え□ １゜で被膜（７□＋＞９’）Ｉ、
Ｔ−ｉツヤを施すか、何０ １かの方法が採られている
。ところが、メッキ被膜がＴＩＮ、 ＴｉＯ、Ｓｉ Ｎ
、 ＳｉＯ、５ｉ（１！、 ＴｉＯ等の耐 １食性
被膜の場合はエツチング法は不適当であり、 １ｉ。
マスキング法に依るほかないが、プラスチック７ 、
。
。
イルムでは複雑なパターンのマスキングを行なう □
ことができず、金属薄板では立体的形状の基体に 二
充分密着したマスキングを行なうことは困難である０ 近年種々の形状の物品の所望の部分に装飾用の、 。
ことができず、金属薄板では立体的形状の基体に 二
充分密着したマスキングを行なうことは困難である０ 近年種々の形状の物品の所望の部分に装飾用の、 。
又機能用の乾式メッキを施すことが考えられてぃ ゛
るが・上記″′う１適当な°″＋′＋′グ手段 また
め精度の良い部分乾式メッキを施すことができ □ヶ
い。ヵ、ヶ、−ｃあつぇ。 ゛（！
＃＃（Ｓ＆Ｌ、！： ５ 、！：ｔ６ｆ！５１）１．ａ
） ：’８１″′Ｉｏｎｅｃｔ・０６１”Ｉ
欠４■消５・ １□基体表面が立体的形状の面であ
っても所望のバタ′（ 一ンで精度良く部分乾式メッキを施こし得る方法を提供
することにある。
るが・上記″′う１適当な°″＋′＋′グ手段 また
め精度の良い部分乾式メッキを施すことができ □ヶ
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） ：’８１″′Ｉｏｎｅｃｔ・０６１”Ｉ
欠４■消５・ １□基体表面が立体的形状の面であ
っても所望のバタ′（ 一ンで精度良く部分乾式メッキを施こし得る方法を提供
することにある。
この目的を達成するため本発明は、基体表面のメッキ被
膜を要しない部分に無機質粉末と有機質結合剤及び有機
溶媒を混練してペースト状としたマスキング剤を塗布し
、塗布した該マスキング剤中の有機溶媒を蒸発してマス
キング膜を形成し、上記基体表面に乾式メッキを施した
後、該基体を有機溶媒で処理して該マスキング膜を除去
するようにしたものである。
膜を要しない部分に無機質粉末と有機質結合剤及び有機
溶媒を混練してペースト状としたマスキング剤を塗布し
、塗布した該マスキング剤中の有機溶媒を蒸発してマス
キング膜を形成し、上記基体表面に乾式メッキを施した
後、該基体を有機溶媒で処理して該マスキング膜を除去
するようにしたものである。
本発明に用いるマスキング剤は上記のように、無機質粉
末、有機質結合剤及び有機溶媒から成る。
末、有機質結合剤及び有機溶媒から成る。
無機質粉末は真空下で基体の加熱条件に耐え、非電導性
のものであれば何れでも良＜、Ａｌ０１Ｓ１０．ＴｉＯ
等の耐火物のはかガラスであっても差支えない。この粉
末はペースト状にする必要から成る程度粒径が小さいこ
とが必要であるが、３２５メツシュ以下程度で充分であ
る。有機質結合剤は有機溶媒に溶解でき、加熱によって
変質せず且つ該溶媒より充分沸点が高く、前記無機質粉
末の粒子を結合すると共に基体表面に対して接着し得る
ものであれば何れでも良く、エチルセルロース、ブチラ
ール樹脂、メタクリレート樹脂等が適当である。
のものであれば何れでも良＜、Ａｌ０１Ｓ１０．ＴｉＯ
等の耐火物のはかガラスであっても差支えない。この粉
末はペースト状にする必要から成る程度粒径が小さいこ
とが必要であるが、３２５メツシュ以下程度で充分であ
る。有機質結合剤は有機溶媒に溶解でき、加熱によって
変質せず且つ該溶媒より充分沸点が高く、前記無機質粉
末の粒子を結合すると共に基体表面に対して接着し得る
ものであれば何れでも良く、エチルセルロース、ブチラ
ール樹脂、メタクリレート樹脂等が適当である。
又１有機溶媒は前記有機質結合剤を溶解し得るものカラ
選択され、ターピネオール、ブチルカルピトールアセテ
ート、メチルアルコール等が適当テある０これら無機質
粉末、有機質粉末、有機溶媒は適当な割合で配合し、混
練してペースト状とする。この配合割合は使用する無機
質粉末の粒度、比重によっても変わるので、−概に決め
られないが、例えば平均粒径１〜２μｍのＡｌＯ粉末の
場合は、粉末６０１結合剤１０、溶媒３ｏ各重量％程度
が適当である。
選択され、ターピネオール、ブチルカルピトールアセテ
ート、メチルアルコール等が適当テある０これら無機質
粉末、有機質粉末、有機溶媒は適当な割合で配合し、混
練してペースト状とする。この配合割合は使用する無機
質粉末の粒度、比重によっても変わるので、−概に決め
られないが、例えば平均粒径１〜２μｍのＡｌＯ粉末の
場合は、粉末６０１結合剤１０、溶媒３ｏ各重量％程度
が適当である。
上記マスキング剤を基体へ塗布するには、スクリーン印
刷法、転写法、吹き付は法等が適用できる。次いで、該
塗布膜から有機溶媒を蒸発する。
刷法、転写法、吹き付は法等が適用できる。次いで、該
塗布膜から有機溶媒を蒸発する。
溶媒の蒸発により塗布膜は乾燥して無機質粉末と有機質
結合剤からなるマスキング膜となる。該マ □スキ
ング膜が形成された基体を、乾式メッキ装置 □に
供し、所要の被膜を形成する。この乾式メッキは、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等何れでも良く、所
要の被膜に適する方法を適用すれば良い。乾式メッキを
施した後該基体を有機溶媒で処理して該マスキング膜を
除去する。この有機溶媒は、有機質結合剤を溶解するこ
とができ且つ表面張力の低いものが適当で・アルコール
類が好ましい。この処理は基体を溶媒に浸漬することで
容易に行なうことができる。該処理によってマスキング
膜が除去されるのは次のような機構によると考えられる
。即ち、マスキング膜を形成した基体上に乾式メッキを
施すと、該メッキは真空下で且つ数百度の温度下で行な
われるため、有機質結合剤が一部分解してガスを放出し
、このガスがマスキング膜上にメッキ被膜が均一に沈着
することを妨げ、マスキング膜上のメッキ被膜は多数の
微小孔を有する被膜となる。この微小孔から有機溶媒が
浸透して有機質結合剤を溶解し、該溶媒が基体に到達し
てマスキング膜が剥離されるに至る。
結合剤からなるマスキング膜となる。該マ □スキ
ング膜が形成された基体を、乾式メッキ装置 □に
供し、所要の被膜を形成する。この乾式メッキは、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等何れでも良く、所
要の被膜に適する方法を適用すれば良い。乾式メッキを
施した後該基体を有機溶媒で処理して該マスキング膜を
除去する。この有機溶媒は、有機質結合剤を溶解するこ
とができ且つ表面張力の低いものが適当で・アルコール
類が好ましい。この処理は基体を溶媒に浸漬することで
容易に行なうことができる。該処理によってマスキング
膜が除去されるのは次のような機構によると考えられる
。即ち、マスキング膜を形成した基体上に乾式メッキを
施すと、該メッキは真空下で且つ数百度の温度下で行な
われるため、有機質結合剤が一部分解してガスを放出し
、このガスがマスキング膜上にメッキ被膜が均一に沈着
することを妨げ、マスキング膜上のメッキ被膜は多数の
微小孔を有する被膜となる。この微小孔から有機溶媒が
浸透して有機質結合剤を溶解し、該溶媒が基体に到達し
てマスキング膜が剥離されるに至る。
従って、マスキング膜の除去に用いる溶媒は、この微小
孔に浸透し易いように表面張力の低いメタノール、エタ
ノール、ブタノール等ノアルコール類が適当である。
孔に浸透し易いように表面張力の低いメタノール、エタ
ノール、ブタノール等ノアルコール類が適当である。
上記のように本発明はペースト状のマスキング を
剤を用いるので・複雑なパターンのマスキングも
゛可能であり、基体表面が立体的形状であっても対
＋応することができる。
剤を用いるので・複雑なパターンのマスキングも
゛可能であり、基体表面が立体的形状であっても対
＋応することができる。
実施例
平均粒径１μｍのＡｌＯ粉末を６０重量％、エチ
ミルセルロースを１０重量％、ターピネオールを３０［
重量係含有するマスキング剤を、５０關角のステ
）ンレススチール板の一方の主面中央部に、３Ｑｍｓ
’角のパターンのスクリーンを用いて塗布し
、１００ Ｉ。
ミルセルロースを１０重量％、ターピネオールを３０［
重量係含有するマスキング剤を、５０關角のステ
）ンレススチール板の一方の主面中央部に、３Ｑｍｓ
’角のパターンのスクリーンを用いて塗布し
、１００ Ｉ。
Ｃで３０分間乾燥してマスキング膜とした。該マ
、１［１］ スキング膜の厚さは４０μｍであった。このステン
１）ル ススチール板をアーク放電型イオンプレーティ
１゜ング装置に供し、蒸発源にＴ１を用い、アンモニア
ｊガスの存在下１０−４〜１０−’Ｔｏｒｒの真
空度で３０分間 ・。
、１［１］ スキング膜の厚さは４０μｍであった。このステン
１）ル ススチール板をアーク放電型イオンプレーティ
１゜ング装置に供し、蒸発源にＴ１を用い、アンモニア
ｊガスの存在下１０−４〜１０−’Ｔｏｒｒの真
空度で３０分間 ・。
）。
・、ｆ
乾式メッキを行ない、マスキング膜を形成してあ
ｊ５る主面に２μｍ厚さのＴｉｎ膜を形成した。次いで
、 ・該ステンレススチール板を常温のメチルアル
コ−□″ルに１０分間浸漬し、マスキング膜を剥離した
。
ｊ５る主面に２μｍ厚さのＴｉｎ膜を形成した。次いで
、 ・該ステンレススチール板を常温のメチルアル
コ−□″ルに１０分間浸漬し、マスキング膜を剥離した
。
この処理により額縁状の金色の被膜を有するステンレス
スチール板が得られた。
スチール板が得られた。
本発明によれば立体的表面にも所望形状の乾式メッキを
精度良く施すことができる。
精度良く施すことができる。
Claims (1)
- （１）基体表面のメッキ被膜を要しない部分に無機質粉
末と有機質結合剤及び有機溶媒を混練してペースト状と
したマスキング剤を塗布し、塗布したマスキング剤中の
有機溶媒を蒸発してマスキング膜を形成し、上記基体表
面に乾式メッキを施した後、該基体を有機溶媒で処理し
て該マスキング膜を除去することを特徴とする部分乾式
メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12190685A JPS61279665A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 部分乾式メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12190685A JPS61279665A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 部分乾式メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279665A true JPS61279665A (ja) | 1986-12-10 |
Family
ID=14822833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12190685A Pending JPS61279665A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 部分乾式メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61279665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054341A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur erzeugung von p, p+ und n, n+ bereichen in halbleitern |
| EP1783243A1 (de) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Trockene Zusammensetzung, deren Verwendung, Schichtsystem und Verfahren zur Beschichtung |
| JP2017517469A (ja) * | 2014-05-21 | 2017-06-29 | デー．スワロフスキー カーゲーＤ．Ｓｗａｒｏｖｓｋｉ ＫＧ | オブジェクトの表面を部分的にコーティングするための方法 |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP12190685A patent/JPS61279665A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054341A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur erzeugung von p, p+ und n, n+ bereichen in halbleitern |
| US6695903B1 (en) | 1999-03-11 | 2004-02-24 | Merck Patent Gmbh | Dopant pastes for the production of p, p+, and n, n+ regions in semiconductors |
| EP1783243A1 (de) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Trockene Zusammensetzung, deren Verwendung, Schichtsystem und Verfahren zur Beschichtung |
| WO2007051752A1 (de) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Trockene zusammensetzung, deren verwendung, schichtsystem und verfahren zur beschichtung |
| JP2017517469A (ja) * | 2014-05-21 | 2017-06-29 | デー．スワロフスキー カーゲーＤ．Ｓｗａｒｏｖｓｋｉ ＫＧ | オブジェクトの表面を部分的にコーティングするための方法 |
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