JPH09283458A - 半導体用塗布拡散剤 - Google Patents
半導体用塗布拡散剤Info
- Publication number
- JPH09283458A JPH09283458A JP9100996A JP9100996A JPH09283458A JP H09283458 A JPH09283458 A JP H09283458A JP 9100996 A JP9100996 A JP 9100996A JP 9100996 A JP9100996 A JP 9100996A JP H09283458 A JPH09283458 A JP H09283458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- viscosity
- solvent
- diffusing agent
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多種多用な半導体製造方法に対して広範囲に
対応でき、更に濃度や粘度等の塗布特性を柔軟に代えら
れる半導体用塗布拡散剤を提供する。 【解決手段】 成膜剤であるシリカ源用不純物から成る
拡散源と，アルコールを基準にしたエステル類で構成さ
れる低粘度溶媒又はアルコールを基準としたジオール類
や高分子等を添加した高粘度溶媒とに本発明に係る半導
体用塗布拡散剤の特徴がある。このように溶媒を代える
ことにより塗布特性の制御範囲を拡大したものであり、
対象である半導体ウエーハの凹凸としては、５００ｎｍ
から１００ｎｍの範囲が適用可能である。
対応でき、更に濃度や粘度等の塗布特性を柔軟に代えら
れる半導体用塗布拡散剤を提供する。 【解決手段】 成膜剤であるシリカ源用不純物から成る
拡散源と，アルコールを基準にしたエステル類で構成さ
れる低粘度溶媒又はアルコールを基準としたジオール類
や高分子等を添加した高粘度溶媒とに本発明に係る半導
体用塗布拡散剤の特徴がある。このように溶媒を代える
ことにより塗布特性の制御範囲を拡大したものであり、
対象である半導体ウエーハの凹凸としては、５００ｎｍ
から１００ｎｍの範囲が適用可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体用塗布拡散剤
に係り、特にシリコン半導体ウエーハへの不純物拡散時
に使用するものである。
に係り、特にシリコン半導体ウエーハへの不純物拡散時
に使用するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造には不純物の導入拡散
が依然として不可欠であり、要求される特性に応じて、
不純物源のデポ、固相拡散、気相拡散更にはイオン注入
等が、選択されているのが実情である。しかも近年で
は、単結晶から成るシリコンウエーハ表面に例えばフィ
ールド酸化膜等を被覆後、いわゆるフォトリソグラフィ
工程により形成した開口部を介して不純物を導入拡散し
てＰＮ接合を形成することにより能動素子又は受動素子
を設けている。更に各素子には電気的に接触させた導電
性物質からなる電極に配線を設置して外部機器と接続可
能にするのは周知事項である。このように半導体素子の
形成に際しては、半導体ウエーハに各種材料を被覆して
おり、５００ｎｍ乃至１００ｎｍの段差が生じている。
このように段差のある半導体ウエーハに半導体用塗布拡
散剤も近年開発使用されており、アンチモン塗布拡散剤
を例にして説明する。
が依然として不可欠であり、要求される特性に応じて、
不純物源のデポ、固相拡散、気相拡散更にはイオン注入
等が、選択されているのが実情である。しかも近年で
は、単結晶から成るシリコンウエーハ表面に例えばフィ
ールド酸化膜等を被覆後、いわゆるフォトリソグラフィ
工程により形成した開口部を介して不純物を導入拡散し
てＰＮ接合を形成することにより能動素子又は受動素子
を設けている。更に各素子には電気的に接触させた導電
性物質からなる電極に配線を設置して外部機器と接続可
能にするのは周知事項である。このように半導体素子の
形成に際しては、半導体ウエーハに各種材料を被覆して
おり、５００ｎｍ乃至１００ｎｍの段差が生じている。
このように段差のある半導体ウエーハに半導体用塗布拡
散剤も近年開発使用されており、アンチモン塗布拡散剤
を例にして説明する。
【０００３】このアンチモン塗布拡散剤は溶媒中にシリ
カ源並びにアンチモン源を投入して形成されており、含
有物の濃度と粘度を調整するには、シリカ源やアンチモ
ン源の含有量を変化する方法が採られている。図４には
従来の技術で使用した溶媒であるイソプロピルアルコー
ルの分子式を示す。
カ源並びにアンチモン源を投入して形成されており、含
有物の濃度と粘度を調整するには、シリカ源やアンチモ
ン源の含有量を変化する方法が採られている。図４には
従来の技術で使用した溶媒であるイソプロピルアルコー
ルの分子式を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようにシリカ源や
アンチモン源の含有量を変化させて塗布剤の濃度や粘度
調整を行っていたが、溶液の安定性や塗布特性等の理由
により、種類が限定されていた。
アンチモン源の含有量を変化させて塗布剤の濃度や粘度
調整を行っていたが、溶液の安定性や塗布特性等の理由
により、種類が限定されていた。
【０００５】このために半導体素子の製造過程特に不純
物拡散工程において以下の問題が生じていた。
物拡散工程において以下の問題が生じていた。
【０００６】１．前記のように段差のある半導体ウエー
ハを処理する際には、不純物塗布膜に、段差の違いによ
りはがれが発生した。
ハを処理する際には、不純物塗布膜に、段差の違いによ
りはがれが発生した。
【０００７】２．設定する塗布膜厚が広範囲であるため
に、半導体ウエーハ内で膜厚を制御することが困難であ
った。
に、半導体ウエーハ内で膜厚を制御することが困難であ
った。
【０００８】３．拡散処理時にクラックが発生した。
【０００９】本発明はこのような事情により成されたも
ので、特に、多種多用な半導体製造方法に対して広範囲
に対応でき、更に濃度や粘度等の塗布特性を柔軟に代え
られる半導体用塗布拡散剤を提供する。
ので、特に、多種多用な半導体製造方法に対して広範囲
に対応でき、更に濃度や粘度等の塗布特性を柔軟に代え
られる半導体用塗布拡散剤を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】成膜剤であるシリカ源用
不純物から成る拡散源と，アルコールを基準にしたエス
テル類で構成される低粘度溶媒又はアルコールを基準と
したジオール類や高分子等を添加した高粘度溶媒とに本
発明に係る半導体用塗布拡散剤の特徴がある。このよう
に溶媒を代えることにより塗布特性の制御範囲を拡大し
たものであり、対象である半導体ウエーハの凹凸として
は、５００ｎｍから１００ｎｍの範囲が本発明の適用可
能である。
不純物から成る拡散源と，アルコールを基準にしたエス
テル類で構成される低粘度溶媒又はアルコールを基準と
したジオール類や高分子等を添加した高粘度溶媒とに本
発明に係る半導体用塗布拡散剤の特徴がある。このよう
に溶媒を代えることにより塗布特性の制御範囲を拡大し
たものであり、対象である半導体ウエーハの凹凸として
は、５００ｎｍから１００ｎｍの範囲が本発明の適用可
能である。
【００１１】更に低粘度の溶媒は、１０0 ｍＰａ・ｓ以
下、高粘度の溶媒は５ｍＰａ・ｓ以上であり、低粘度の
溶媒にはエルテル類や混合溶液、高粘度の溶媒にはジオ
ールや高分子等が適用可能である。
下、高粘度の溶媒は５ｍＰａ・ｓ以上であり、低粘度の
溶媒にはエルテル類や混合溶液、高粘度の溶媒にはジオ
ールや高分子等が適用可能である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施例として半導体
用塗布拡散剤を図１〜図３を参照して説明する。シリカ
源用不純物から成る拡散源用のアルコールを基準にした
エステル類で構成される低粘度溶媒として図１に酢酸エ
チルの分子式を示した。
用塗布拡散剤を図１〜図３を参照して説明する。シリカ
源用不純物から成る拡散源用のアルコールを基準にした
エステル類で構成される低粘度溶媒として図１に酢酸エ
チルの分子式を示した。
【００１３】図２には、アルコールを基準としたジオー
ル類や高分子等を添加した高粘度溶媒としてジオ−ルと
してエチレングリコ−ルの分子式を例示した。これには
水素結合（図では点線で表示）が形成されているので、
粘度が高い。
ル類や高分子等を添加した高粘度溶媒としてジオ−ルと
してエチレングリコ−ルの分子式を例示した。これには
水素結合（図では点線で表示）が形成されているので、
粘度が高い。
【００１４】図３は、縦軸に溶媒の種類、横軸に粘度を
採って、各溶媒における可能な粘度範囲を明らかにして
いる。図では、イソプロピルアルコ−ルを１１、エステ
ル類及び混合溶液を４１、ジオ−ル及び高分子の添加溶
液を４２と表示した。
採って、各溶媒における可能な粘度範囲を明らかにして
いる。図では、イソプロピルアルコ−ルを１１、エステ
ル類及び混合溶液を４１、ジオ−ル及び高分子の添加溶
液を４２と表示した。
【００１５】
【発明の効果】本発明による半導体用塗布拡散剤では、
多種多用な塗布特性の調整が可能である。従来技術で
は、現在使用されている１．９ｍＰａ・ｓに対して、低
粘度や高でも十数ｍＰａ・ｓまでが可能になる。
多種多用な塗布特性の調整が可能である。従来技術で
は、現在使用されている１．９ｍＰａ・ｓに対して、低
粘度や高でも十数ｍＰａ・ｓまでが可能になる。
【００１６】しかも、不純物拡散工程での不純物拡散特
性及び製造方法に最適な塗布拡散剤を選択できる。更に
このような調整できることにより、歩留まりや品質の向
上を図ることができる。更に又、特性の違う溶媒を適用
することができるので、その濃度を広範囲に変えること
ができる。
性及び製造方法に最適な塗布拡散剤を選択できる。更に
このような調整できることにより、歩留まりや品質の向
上を図ることができる。更に又、特性の違う溶媒を適用
することができるので、その濃度を広範囲に変えること
ができる。
【図１】本発明の一実施例用の低粘度の溶媒であるエル
テル類や混合溶液として、酢酸エチルの分子式を示し
た。
テル類や混合溶液として、酢酸エチルの分子式を示し
た。
【図２】本発明の一実施例用のジオール類や高分子等を
添加した高粘度の溶媒として利用されるエチレングリコ
−ルの分子式を示した。
添加した高粘度の溶媒として利用されるエチレングリコ
−ルの分子式を示した。
【図３】縦軸に溶媒の種類、横軸に粘度を採って、各溶
媒における可能な粘度範囲を明らかにした。
媒における可能な粘度範囲を明らかにした。
【図４】従来溶媒に使用したイソプロピルアルコールの
分子式を示す。
分子式を示す。
１１：イソプロピルアルコ−ル、 ４１：エステル類及び混合溶液、 ４２：ジオ−ル及び高分子の添加溶液。
Claims (1)
- 【請求項１】 成膜剤であるシリカ源用不純物から成る
拡散源と，アルコールを基準としたエステル類で構成さ
れる低粘度溶媒又はアルコールを基準としたジオール類
や高分子等を添加した高粘度溶媒とを具備することを特
徴とする半導体用塗布拡散剤
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100996A JPH09283458A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100996A JPH09283458A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283458A true JPH09283458A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14014529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9100996A Pending JPH09283458A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283458A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539615A (ja) * | 1999-03-11 | 2002-11-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 半導体にｐ、ｐ＋およびｎ、ｎ＋領域を形成するためのドーパント・ペースト |
| JP2006310368A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
| JP2006310373A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP9100996A patent/JPH09283458A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539615A (ja) * | 1999-03-11 | 2002-11-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 半導体にｐ、ｐ＋およびｎ、ｎ＋領域を形成するためのドーパント・ペースト |
| JP2006310368A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
| JP2006310373A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20130008000A1 (en) | High aspect ratio openings | |
| US6946407B2 (en) | Method for pretreating a substrate prior to application of a polymeric coat | |
| US4894254A (en) | Method of forming silicone film | |
| US20200017693A1 (en) | Priming Material for Substrate Coating | |
| US8420550B2 (en) | Method for cleaning backside etch during manufacture of integrated circuits | |
| EP0122822A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type comprenant au moins une couche de silicium déposée sur un substrat isolant | |
| US5985364A (en) | Method of exhaust control for spin-on films with reduced defects | |
| JPH09283458A (ja) | 半導体用塗布拡散剤 | |
| EP0300563B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor devices in which a surface of a semiconductor structure is selectively treated | |
| KR20030094490A (ko) | 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조방법 | |
| US20100247770A1 (en) | Method for applying coating liquid, method for forming coated film, method for forming a pattern by using the same, and method for manufacturing semiconductor device | |
| US20040221954A1 (en) | Coating apparatus and coating method | |
| US6403160B1 (en) | Ferroelectric thin film, production method thereof and coating liquid for making thin film | |
| US4954454A (en) | Method for fabricating a polycrystalline silicon resistor | |
| US6559072B2 (en) | Develop processing method of a resist surface of a substrate for reduced processing time and reduced defect density | |
| US6420278B1 (en) | Method for improving the dielectric constant of silicon-based semiconductor materials | |
| KR100272160B1 (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| US6780250B2 (en) | System and method for integrated oxide removal and processing of a semiconductor wafer | |
| JP3109800B2 (ja) | 高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法 | |
| US20230386852A1 (en) | Ambient controlled two-step thermal treatment for spin-on coating layer planarization | |
| Higa et al. | Gated Si field emitter array prepared by using anodization | |
| JPH05259049A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JP3359080B2 (ja) | 耐酸性保護膜形成用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JPH0376109A (ja) | レジストのコーティング方法 | |
| KR100366367B1 (ko) | 감광액 도포장치 및 이를 이용한 감광막 형성 방법 |