JP2006310373A - 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の半導体基板にpn接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第1導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第1塗布剤と少なくとも第1塗布剤に接するようにドーパントを含む第2塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第1塗布剤の塗布により形成される第1拡散層と、第2塗布剤の塗布により形成され、第1拡散層より導電率が低い第2拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法。
【選択図】図1
Description
このような必要最小限工程数といくつかの有用な効果により、民生用太陽電池は以前より低コスト化が図られている。
ところが、このように電極ペーストに含まれる銀フィラーの周りにドーパントを含む化合物を添加する方法では、安定的にコンタクトを形成できないため、フィルファクタが低く、かつ、信頼性が低いといった問題がある。
しかし、このような埋め込み型電極太陽電池の製造方法では、拡散工程を最低2回行う必要があり、煩雑でコスト増加を招く。
しかし、このようなインクジェット方式によるドーパント塗布を用いた太陽電池セルの作製においては、ドーパントとしてリン酸などを用いる場合、腐食対策が必要であり、装置が複雑となる上、メンテナンスも煩雑となる。また、ドーパント濃度や種類が異なる塗布剤をインクジェットで塗り分けても、1回の熱処理で拡散させると、オートドープにより所望の濃度差が得られなくなってしまう。
しかし、この方法では、特許文献6の明細書によると2回熱処理を施す必要があり、簡便でない。だからといって熱処理を1回にすると、オートドーピングにより受光面の電極直下以外の部分もドーパントが高濃度となり、高変換効率を示さなくなる。
このように、第2塗布剤としてオートドープ防止剤を含むものを用いれば、第1塗布剤のドーパント飛散防止剤と相まって、第2拡散層へのオートドープがより防止されるため、二段エミッタの高濃度拡散層及び低濃度拡散層の表面濃度差が確実に形成される。
このように、拡散熱処理を気相拡散ソース雰囲気下で行なえば、低濃度拡散層におけるドーパントの濃度面内分布が均一となり、性能のバラツキのない太陽電池を製造できる。
このように、ドーパント飛散防止剤又はオートドープ防止剤として珪素化合物を含むものを用いれば、ドーパントのアウトディフュージョンやオートドープを効果的に防止でき、これによって二段エミッタにおいて高濃度拡散層と低濃度拡散層との表面濃度差を極めて確実に形成できる。また、珪素化合物であれば、不純物ともならない。
このように、第1塗布剤及び第2塗布剤として少なくともドーパントの含有率、粘度、ドーパント飛散防止剤及びオートドープ防止剤の含有量、ドーパントの種類のいずれか1つ以上が異なるものを用いる、又は第1塗布剤と第2塗布剤との塗布の際に塗布膜厚を異なるものとする、あるいはこれらを組み合わせて行うことにより、二段エミッタにおける高濃度拡散層と低濃度拡散層との表面濃度差を極めて確実に形成できる。
このように、第1塗布剤のドーパントの含有率を第2塗布剤のドーパントの含有率の4倍以上とすれば、二段エミッタにおける高濃度拡散層と低濃度拡散層との表面濃度差をさらに確実に形成できる。
このように、ドーパント飛散防止剤に含まれる珪素化合物をSiO2、特にはシリカゲルとし、オートドープ防止剤に含まれる珪素化合物を珪素酸化物前駆体とすれば、塗布剤の粘度をそれぞれの用途に応じて効果的に制御できるとともに、ドーパントのアウトディフュージョンやオートドープを防止でき、これによって二段エミッタにおける高濃度拡散層と低濃度拡散層との表面濃度差を極めて確実に形成できる。
このように、珪素化合物を含む第3塗布剤を、第1塗布剤及び/又は第2塗布剤の上部を覆うように塗布し、その後前記拡散熱処理を行えば、さらにアウトディフュージョンやオートドープを防止でき、これによって二段エミッタの高濃度拡散層及び低濃度拡散層の表面濃度差を1回の熱処理で極めて確実に形成できる。
このように、拡散熱処理により形成した拡散層の表面をエッチバックすれば、特に低濃度拡散層の表面準位の多い領域を削るため、太陽電池の性能を向上させることができる。
このように、拡散熱処理により形成した拡散層の表面を酸化しても、後のガラスエッチング工程時に表面準位の多い領域を削るため、太陽電池の性能を向上させることができる。
このように、第1拡散層及び第2拡散層を前記半導体基板の受光面及び該受光面の裏面の少なくとも一方に形成することにより、従来の構造の太陽電池を容易に製造できるし、また裏面全体又は部分的にBSF層を容易に形成することや、これまで煩雑な工程を経て作られていた正負電極を片面に集約した裏面コンタクト型太陽電池を容易に製造することができる。
このように、少なくとも第1導電型と同一導電型の拡散層が前記受光面の裏面に形成されたものであれば、裏面全体又は部分的にBSF層が形成された太陽電池となる。
このように、ドーパント飛散防止剤が珪素化合物を含むものであれば、ドーパントのアウトディフュージョンを効果的に防止でき、シリコンウエーハに対して不純物とならない塗布剤となる。
このように、珪素化合物がSiO2、特にはシリカゲルであれば、塗布剤の粘度が効果的に制御されたものであるとともに、ドーパントのアウトディフュージョンを効果的に防止できる塗布剤となる。
このように、塗布剤がさらに増粘剤を含むものであれば、粘度が効果的に制御された塗布剤となる。この増粘剤としては、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル及びこれらの共重合体、もしくはセルロース誘導体、もしくはポリアクリレートが好ましい。
このように、塗布剤がスクリーン印刷用塗布剤であれば、スクリーン印刷機で容易に塗布でき、ドーパントの熱拡散を容易に行うことができる塗布剤となる。
図1は本発明に従う太陽電池の実施形態の一例の断面構造を示す。
この太陽電池100は、半導体基板1が有する第1導電型とは反対導電型の第1拡散層である高濃度エミッタ層2及び高濃度エミッタ層2より導電率の低い第2拡散層である低濃度エミッタ層3とが半導体基板の受光面1aに形成されたものであり、好ましくは少なくとも第1導電型と同一導電型の拡散層であるBSF層5が受光面の裏面1bに形成されたものである
まず、本発明の第一の実施形態と同様に例えば15cm角のアズスライスのガリウムドープp型単結晶シリコン基板等の半導体基板を用意し、ダメージエッチング、ランダムテクスチャ形成を行う。
次の工程である接合分離およびその後の工程は、図2(a)に示すように上記第一の実施形態の工程と同様に行うことができる。
なお、上記において、シリカゲル等の珪素化合物を含む第3塗布剤を、第1塗布剤及び/又は第2塗布剤の上部を覆うように塗布し、その後前記拡散熱処理を行えば、さらにアウトディフュージョンやオートドープを防止でき、これによって二段エミッタにおける高濃度拡散層と低濃度拡散層との表面濃度差を極めて確実に形成できる。
図5(a)に示す処理Aでは、図2(a)の製造フローにおける拡散熱処理に加え、拡散熱処理後、アンモニア・過酸化水素水混合液に浸け、表層のエミッタ層の界面準位密度が高いと思われる部分、すなわち厚みにして数nm程度の部分をエッチング(エッチバック)する。その後の反射防止膜形成工程以降は、図2(a)と同一の処理を行うことで、特に低濃度拡散層の表面準位を減らし、太陽電池の性能を向上させることができる。
なお、アンモニア・過酸化水素水混合液を用いる場合に限らず、フッ硝酸や弱アルカリにより表層をエッチングしても同様の効果が得られる。
前述のように、例えば拡散ペーストにシリカゲル等を含有させると、ドーパントのアウトディフュージョンを抑制できるが、実際には、100%抑制することは不可能である。その結果、アウトディフュージョンしたドーパントは再拡散するため、面内で拡散層の濃度分布が生じる。これは、個体差すなわち性能のバラツキを作るため、極力減らす必要がある。そこで、ある程度、再拡散をさせる中で太陽電池を作製することを前提とするならば、拡散熱処理時にドーパントが充分に充満する気相拡散ソース雰囲気下にサンプルを配置すれば、拡散層の濃度面内分布を均一にすることが可能である。こうすることにより、性能のバラツキの少ない太陽電池を製造することが可能である。
この裏面コンタクト型太陽電池101は、半導体基板1が有する第1導電型とは反対導電型の第1拡散層である高濃度エミッタ層2及び高濃度エミッタ層2より導電率の低い反対導電型の第2拡散層である低濃度エミッタ層3と、第1導電型と同一導電型の拡散層であるローカルBSF層10とが前記半導体基板の受光面の裏面に形成されたものであることを特徴とする。
このように利点の多い太陽電池構造であるが、同一面内に高濃度のp型拡散層および高濃度のn型拡散層という反対導電型の高濃度拡散層を形成しなくてはならないため、プロセスが非常に複雑となっていた。
以下、本発明に係る太陽電池の製造方法の別の実施形態について説明する。
一般的なスクリーン印刷技術による太陽電池は、図1に示すように、AlによるBSF層5に裏面全面が覆われた構造となっている。このBSF層の面積を小さくし、裏面の残りの領域を高品質なパッシベーション膜で覆うと開放電圧が高まり、その結果、出力が増大することが知られている。
以下、図9に示す太陽電池を製造する場合における、本発明に係る太陽電池の製造方法の実施形態について説明する。
次に図2(a)に示す工程と同様、プラズマエッチャーを用いて接合分離を行った後、表面に形成されたリンおよびボロンガラスをフッ酸でエッチングする。
また、窒化膜等の反射防止膜兼パッシベーション膜を堆積する前に、酸化により5〜30nmの膜厚の酸化膜をつければ、さらに開放電圧が向上し、発電効率が高まる。
(実施例1、比較例1)
実施例1として、図2(a)の工程に従い、CZ法により作製された結晶面方位(100)、15cm角250μm厚、アズスライスでの比抵抗2Ω・cm(ドーパント濃度7.2×1015cm−3)、ガリウムドープ、第1導電型がp型の単結晶シリコン基板を用意し、これを40重量パーセント水酸化ナトリウム水溶液に浸し、ダメージ層をエッチングで取り除いた。次に、この基板を3重量パーセント水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸し、ウェットエッチングすることにより、表面にランダムテクスチャを形成した。
その後、所定の熱プロファイルにより焼成を行い、裏面電極および表面櫛形電極を形成し、太陽電池を作製した。
実施例2として、本発明の種々の二段エミッタ作製方法によって太陽電池を作製した。このとき形成された高濃度層、低濃度層のシート抵抗を表2に示す。併せてそれらの太陽電池特性を表3に示す。
本実施例では、表2に示すように、塗布拡散法で同一面内に二種類の濃度の拡散層を形成するために塗布剤に含まれるドーパント含有量、塗布膜厚、ガラス含有量(珪素化合物含有量)、元素等の変更を利用した。特に、塗布膜厚の変更に関しては粘度の変更を利用するか、もしくは溝を利用した。
以下に簡単に二段エミッタの製法を説明する。なお、テクスチャ形成や拡散後から電極形成までの一連のプロセスについては実施例1と同様である。
図5に示す処理A、Bに従う工程により、太陽電池を作製した。製造条件は、拡散層表面のエッチバック、表面酸化以外は実施例1と同様のものとした。この際、エッチバックは熱処理後に基板をアンモニア・過酸化水素水混合液に浸漬し、表面を数ナノメートルエッチングすることにより行った。一方、表面酸化は熱処理に引き続き降温せずにドライ酸素だけを流し、基板を熱処理炉内に10分間保持することにより行った。本実施例で得られた太陽電池の諸特性を表4に示す。なお、比較のため、実施例1の太陽電池の諸特性も示す。また、分光感度特性(外部量子効率)を図10に示す。
短絡電流が増加したのは、図10に示すように短波長域の量子効率がエミッタエッチバックおよび表面酸化後、増加したことによる。本実施例のように、拡散層表層部を改質してやることで、界面準位密度が低下し、太陽電池の性能をさらに改善することができた。
図6に示す方法に従い、POCl3気相拡散ソース雰囲気下900℃で拡散熱処理を行なった。その後の条件は、実施例1と同様の拡散ペースト、塗布剤を用いた。
上記方法によって作製した太陽電池の諸特性の平均およびバラツキの度合いを示す標準偏差を表5に示す。
括弧内の標準偏差を見れば、実施例1の場合と比較して、本実施例の製法により標準偏差が軽減したことが分かる。すなわち、性能バラツキは本実施例の製法により改善したといえる。
図7に示すような裏面コンタクト型太陽電池を作製した。
具体的には、結晶面方位(100)、15cm角200μm厚、アズスライスでの比抵抗0.5Ω・cm(ドーパント濃度1.01×1016cm−3)、リンドープで導電型がn型の単結晶シリコン基板を用意し、図2(a)と同様の方法を用い、両面合計で30μm程度ダメージエッチングを行い、さらに、表面に反射防止構造であるテクスチャ形成を行った。
次に、アライメント機構をもったスクリーン印刷装置を用い、ボロンおよびリン高濃度拡散層にあわせて図8(a)に示すような櫛形電極パターンをAgからなる電極ペーストを用い、印刷し、電極ペーストを乾燥後、所定の熱プロファイルにより焼成を行い、裏面櫛形電極を形成し、裏面コンタクト型太陽電池を作製した。
その結果、実施例5の裏面コンタクト型太陽電池においても、実施例1の一般的な構造を有する太陽電池と比較して、短絡電流が減少するが、開放電圧、フィルファクタが増加するため、ほぼ同様の変換効率を得た。
図9(a)、(b)に示すような太陽電池を作製した。
具体的には、結晶面方位(100)、15cm角250μm厚、アズスライスでの比抵抗0.5Ω・cm(ドーパント濃度3.26×1016cm−3)、ガリウムドープで導電型がp型の単結晶シリコン基板を用意し、図2(a)と同様の方法を用い、両面合計で30μm程度ダメージエッチングを行い、さらに、図2(a)と同様の方法を用い、表面に反射防止構造であるテクスチャ形成を行った。
3…低濃度エミッタ層、 4…パッシベーション膜兼反射防止膜、 5…BSF層、
6…裏面電極、 7…表面櫛形電極、 8…拡散ペースト、 9…塗布剤、
10…ローカルBSF層、 11…裏面パッシベーション膜、 12…裏面櫛形電極、
13…タブ線、 14…高濃度BSF層、 15…低濃度BSF層、
100…太陽電池、 101…裏面コンタクト型太陽電池。
Claims (21)
- 第1導電型の半導体基板にpn接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第1導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第1塗布剤と少なくとも第1塗布剤に接するようにドーパントを含む第2塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第1塗布剤の塗布により形成される第1拡散層と、第2塗布剤の塗布により形成され、第1拡散層より導電率が低い第2拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 前記第2塗布剤としてオートドープ防止剤を含むものを用いることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 第1導電型の半導体基板にpn接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第1導電型の半導体基板上に溝を形成し、ドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第1塗布剤を全面に塗布した後、拡散熱処理により、前記半導体基板上の溝下部に形成される第1拡散層と、前記溝下部以外の部分に形成され、第1拡散層より導電率が低い第2拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 前記拡散熱処理を気相拡散ソース雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記ドーパント飛散防止剤又はオートドープ防止剤として珪素化合物を含むものを用いることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
- 第1塗布剤及び第2塗布剤として少なくともドーパントの含有率、粘度、ドーパント飛散防止剤及びオートドープ防止剤の含有量、ドーパントの種類のいずれか1つ以上が異なるものを用いる、及び/又は第1塗布剤と第2塗布剤との塗布の際に塗布膜厚を異なるものとすることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項4、請求項5のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
- 第1塗布剤のドーパントの含有率を第2塗布剤のドーパントの含有率の4倍以上とすることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記ドーパント飛散防止剤に含まれる珪素化合物をSiO2とし、前記オートドープ防止剤に含まれる珪素化合物を珪素酸化物前駆体とすることを特徴とする請求項5乃至請求7のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
- 珪素化合物を含む第3塗布剤を、第1塗布剤及び/又は第2塗布剤の上部を覆うように塗布し、その後前記拡散熱処理を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記拡散熱処理により形成した拡散層の表面をエッチバックすることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記拡散熱処理により形成した拡散層の表面を酸化することを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
- 第1拡散層及び第2拡散層を前記半導体基板の受光面及び該受光面の裏面の少なくとも一方に形成することを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項の製造方法により製造した太陽電池であって、前記半導体基板が有する第1導電型とは反対導電型の第1拡散層及び該反対導電型の第1拡散層より導電率の低い第2拡散層とが前記半導体基板の受光面に形成されたものであることを特徴とする太陽電池。
- 請求項13に記載の太陽電池において、さらに、少なくとも第1導電型と同一導電型の拡散層が前記受光面の裏面に形成されたものであることを特徴とする太陽電池。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項の製造方法により製造した太陽電池であって、前記半導体基板が有する第1導電型とは反対導電型の第1拡散層及び該反対導電型の第1拡散層より導電率の低い反対導電型の第2拡散層と、第1導電型と同一導電型の拡散層とが前記半導体基板の受光面の裏面に形成されたものであることを特徴とする太陽電池。
- 半導体装置の製造方法であって、少なくとも、第1導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第1塗布剤とドーパントを含む第2塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第1塗布剤の塗布により形成される第1拡散層と、第2塗布剤の塗布により形成され、第1拡散層とは導電率が異なる第2拡散層とを同時に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に塗布して該半導体基板に熱拡散によりドーパントをドープするための塗布剤であって、少なくともドーパントとドーパント飛散防止剤とを含むものであることを特徴とする塗布剤。
- 前記ドーパント飛散防止剤は珪素化合物を含むものであることを特徴とする請求項17に記載の塗布剤。
- 前記珪素化合物はSiO2であることを特徴とする請求項18に記載の塗布剤。
- 前記塗布剤はさらに増粘剤を含むものであることを特徴とする請求項17乃至請求項19のいずれか一項に記載の塗布剤。
- 前記塗布剤はスクリーン印刷用塗布剤であることを特徴とする請求項17乃至請求項20のいずれか一項に記載の塗布剤。
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WO2016072048A1 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 |
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