JP2011023690A - 選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法 - Google Patents

選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011023690A
JP2011023690A JP2009196940A JP2009196940A JP2011023690A JP 2011023690 A JP2011023690 A JP 2011023690A JP 2009196940 A JP2009196940 A JP 2009196940A JP 2009196940 A JP2009196940 A JP 2009196940A JP 2011023690 A JP2011023690 A JP 2011023690A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode pattern
substrate
barrier layer
selective emitter
emitter structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009196940A
Other languages
English (en)
Inventor
Huai-Tsung Chen
▲懐▼宗 陳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
E Ton Solar Tech Co Ltd
Original Assignee
E Ton Solar Tech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by E Ton Solar Tech Co Ltd filed Critical E Ton Solar Tech Co Ltd
Publication of JP2011023690A publication Critical patent/JP2011023690A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】従来の技術で選択エミッタ構造に電極パターンを形成するときに発生しうるアラインメントの問題を解決するために、選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を提供する。
【解決手段】本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。
【選択図】図６

Description

本発明は、選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法に関し、特に、基板の表面にアラインメントマークを形成し、このアラインメントマークを用いることによりアラインメント（位置合わせ）を行って選択エミッタ構造において電極パターンを形成する方法に関する。
太陽電池の発電効率は光電変換効率によって決められ、光電変換効率の向上は以下の要因を調整すれば達成できる。一、光吸収能力の向上。太陽電池の光吸収層は、太陽光で照射すれば光起電力効果により自由電子−正孔ペアを生成する。太陽電池の光吸収能力が高ければ、より多くの自由電子−正孔ペアを生成し、より大きな光電流を生成することができる。二、電子−正孔ペアの再結合の減少。電子−正孔ペアの再結合は電力の損失を招く。電子−正孔ペアの再結合を起こす要因としては、結晶粒界に存在するダングリングボンドと、太陽電池の内部欠陥などがある。三、接触抵抗の減少。太陽電池の金属電極と半導体層の間の接触抵抗は、半導体層に対して高濃度ドーピングを行えば（例えば不純物を増加する）減らすことができる。しかし、電子−正孔ペアの再結合確率もそれによって高くなる。
現在、業界の高性能太陽電池の開発では、接触抵抗を減らし、太陽電池の光電変換効率を向上させる方法として、選択拡散技術を利用する場合がある。選択拡散とは、選択エミッタ構造で金属電極と半導体層の間にパターン化された高濃度ドーピング領域を形成し、同時に半導体層の他領域に低濃度ドーピング領域を形成することをいい、電子−正孔ペアの再結合確率を増やさずに接触抵抗を減らす効果がある。しかし、従来の選択エミッタの製作工程において、高濃度ドーピング領域は、フォトリソグラフィー工程により定められたマスクで高濃度ドーピング領域の形成予定位置を露出させてから、拡散工程で露出領域に形成しなければならない。このようなフォトリソグラフィー工程は複雑で高価であるのみならず、従来の選択エミッタの製作方法では、後に製作される電極パターンと高濃度ドーピング領域のアラインメントが問題で、予想通りに接触抵抗を減らすことができず、太陽電池の光電変換効率に影響する恐れがある。
本発明は、従来の技術で選択エミッタ構造に電極パターンを形成するときに発生しうるアラインメントの問題を解決するために、選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を提供する。
前掲課題を解決するために、本発明では選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を提供する。同方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。
前掲課題を解決するために、本発明では太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を提供する。同方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとし、電極パターン領域の基板の表面に電極パターンを形成する段階とを含む。
本発明による方法では、電極パターン領域の基板の表面に予めパターン化可視マークを形成しておき、後に電極パターンを形成するときはパターン化可視マークをアラインメントマークとし、精密なアラインメントを行うことができる。
本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す説明図である。 本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す他の説明図である。 本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す他の説明図である。 本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す他の説明図である。 本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す他の説明図である。 本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す他の説明図である。 本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す他の説明図である。 本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す他の説明図である。 本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す他の説明図である。
かかる方法の特徴を本発明の属する技術分野の当業者に詳述するために、具体的な実施例を挙げ、添付した図面を参照して以下に説明する。もっとも、本発明の範囲は以下の説明に限らない。
図１から図８を参照する。図１から図８は本発明の好ましい実施例による選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を表す説明図である。本発明の特徴を明確に示すために、図１〜図４、及び図６〜図８では断面図を掲示し、図５〜図９では平面図を掲示する。なお、本実施例では、太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を例として本発明を説明するが、本発明の範囲はそれに限らない。まずは図１に示すように、基板１０を提供する。本実施例では半導体シリコン基板を基板１０とするが、本発明はそれに限らない。次に基板１０の表面に対して粗面化処理を行う。表面の粗面化は入射光の反射率を減らして光の入射量を増やし、光電変換効率を向上させる効果がある。
次に図２に示すように、基板１０に障壁層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）１２を形成する。本実施例では太陽電池の選択エミッタの製作を例にするので、障壁層１２は拡散障壁層である。拡散障壁層は各種の薄膜技術で形成できる。
次に障壁層１２をパターン化して基板１０の一部を露出させ、電極パターン領域を形成する。本実施例による障壁層１２のパターン化は以下の段階を含む。まず図３に示すように、電極パターンの位置を定めるパターン化エッチング材料１４を障壁層１２に形成する。パターン化エッチング材料１４は下方へ障壁層１２の一部を選択的にエッチングし、基板１０の一部を露出させる。次に図４と図５に示すように、パターン化エッチング材料１４を除去し、基板１０の電極パターン領域１６を露出させる。
その後、図６に示すように、電極パターン領域１６の基板１０の表面特性を変えて、パターン化可視マーク２０を形成する。本実施例によれば、電極パターン領域１６の基板１０の表面特性とは基板１０の表面粗度を指す。電極パターン領域１６の基板１０の表面粗度を変えれば、電極パターン領域１６の基板１０の光反射率が変わり、電極パターン領域１６は基板１０の他領域と異なり、電極パターンのアラインメントマークとされるパターン化可視マーク２０を形成する素地になれる。もっとも、本発明はそれに限らず、電極パターン領域１６の基板１０の他種の表面特性を変えて、パターン化可視マーク２０を形成することもできる。
次に図７に示すように、基板１０表面の障壁層１２を除去する。更に図８と図９に示すように、パターン化可視マーク２０をアラインメントマークとして、基板１０の電極パターン領域１６に電極パターン２２を形成する。本実施例による電極パターン２２はスクリーン印刷工程で製作されるが、本発明はそれに限らない。なお、電極パターン２２は、線幅の広いバスバー電極２２ａと、バスバー電極２２ａと電気的に接続される線幅の狭いフィンガー電極２２ｂとを含む。もっとも本発明はこれに限らない。
まとめて言えば、本発明による太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法は、電極パターンが形成される電極パターン領域の基板の表面に予めパターン化可視マークを形成しておき、後に電極パターンを製作するときはパターン化可視マークを使ってアラインメントを行うので、電極パターンのアラインメント精度を向上させることができる。
以上は本発明に好ましい実施例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、本発明の精神の下においてなされ、本発明に対して均等の効果を有するものは、いずれも本発明の特許請求の範囲に属するものとする。
１０ 基板
１２ 障壁層
１４ パターン化エッチング材料
１６ 電極パターン領域
２０ パターン化可視マーク
２２ 電極パターン
２２ａ バスバー電極
２２ｂ フィンガー電極

Claims (10)

  1. 選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法であって、
    基板を提供する段階と、
    前記基板に障壁層を形成し、更に前記障壁層をパターン化して前記基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、
    前記電極パターン領域の前記基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、
    前記障壁層を除去する段階と、
    前記パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階と、
    を含む、
    選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  2. 前記障壁層をパターン化する段階は、
    前記障壁層にパターン化エッチング材料を形成する段階と、
    前記パターン化エッチング材料により前記障壁層の一部を選択的にエッチングし、前記基板の一部を露出させる段階と、
    前記パターン化エッチング材料を除去する段階と、
    を含む、
    請求項１に記載の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  3. 前記電極パターン領域の前記基板の表面特性を変える段階は、前記電極パターン領域の前記基板の光反射率を変えることを含む、
    請求項１に記載の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  4. 前記障壁層は拡散障壁層を含む、
    請求項１に記載の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  5. 太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法であって、
    基板を提供する段階と、
    前記基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して前記基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、
    前記電極パターン領域の前記基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、
    前記障壁層を除去する段階と、
    前記パターン化可視マークをアラインメントマークとし、前記電極パターン領域の前記基板の表面に電極パターンを形成する段階と、
    を含む、
    太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  6. 前記障壁層をパターン化する段階は、
    前記障壁層にパターン化エッチング材料を形成する段階と、
    前記パターン化エッチング材料により前記障壁層の一部を選択的にエッチングし、前記基板の一部を露出させる段階と、
    前記パターン化エッチング材料を除去する段階と、
    を含む、
    請求項５に記載の太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  7. 前記電極パターン領域の前記基板の表面特性を変える段階は、前記電極パターン領域の前記基板の光反射率を変えることを含む、
    請求項５に記載の太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  8. 前記電極パターンはスクリーン印刷工程により形成される、
    請求項５に記載の太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  9. 前記障壁層は拡散障壁層を含む、
    請求項５に記載の太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
  10. 前記方法は更に、前記基板の表面に対して粗面化処理を行う段階を含む、
    請求項５に記載の太陽電池の選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法。
JP2009196940A 2009-07-20 2009-08-27 選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法 Pending JP2011023690A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098124408A TW201104822A (en) 2009-07-20 2009-07-20 Aligning method of patterned electrode in a selective emitter structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011023690A true JP2011023690A (ja) 2011-02-03

Family

ID=43301754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009196940A Pending JP2011023690A (ja) 2009-07-20 2009-08-27 選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110014772A1 (ja)
EP (1) EP2280424A2 (ja)
JP (1) JP2011023690A (ja)
TW (1) TW201104822A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013015173A1 (ja) * 2011-07-25 2013-01-31 日立化成工業株式会社 太陽電池基板、太陽電池基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池
JP2013211541A (ja) * 2012-02-28 2013-10-10 Kyocera Corp 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
WO2014189178A1 (ko) * 2013-05-22 2014-11-27 제일모직 주식회사 선택적 에미터를 갖는 태양전지의 제조방법 및 이로부터 제조된 태양전지
WO2016080348A1 (ja) * 2014-11-21 2016-05-26 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
KR101867968B1 (ko) * 2017-01-26 2018-06-15 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법 및 장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102122683A (zh) * 2011-01-27 2011-07-13 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 采用腐蚀浆料法制备单晶硅太阳能电池选择发射极的工艺
CN102651406A (zh) * 2011-02-23 2012-08-29 茂迪股份有限公司 晶硅太阳能电池的制造方法
US10204778B2 (en) * 2016-12-28 2019-02-12 QROMIS, Inc. Method and system for vertical power devices
CN112117352B (zh) * 2020-09-25 2022-07-29 通威太阳能(眉山)有限公司 一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04122012A (ja) * 1990-09-12 1992-04-22 Mitsubishi Electric Corp アライメントマークおよびその形成方法
JP2004520713A (ja) * 2001-02-02 2004-07-08 シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー 選択エミッター層を有する太陽電池
JP2006310373A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
JP2008053363A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板およびその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091021A (en) * 1996-11-01 2000-07-18 Sandia Corporation Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
JP2004193350A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
KR100580657B1 (ko) * 2004-11-11 2006-05-16 삼성전기주식회사 마이크로 미러 어레이 및 그 제조 방법
JP2011524639A (ja) * 2008-06-11 2011-09-01 インテバック・インコーポレイテッド 太陽電池装置及び太陽電池素子形成方法
US7951637B2 (en) * 2008-08-27 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Back contact solar cells using printed dielectric barrier

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04122012A (ja) * 1990-09-12 1992-04-22 Mitsubishi Electric Corp アライメントマークおよびその形成方法
JP2004520713A (ja) * 2001-02-02 2004-07-08 シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー 選択エミッター層を有する太陽電池
JP2006310373A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
JP2008053363A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板およびその製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013015173A1 (ja) * 2011-07-25 2013-01-31 日立化成工業株式会社 太陽電池基板、太陽電池基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池
JPWO2013015173A1 (ja) * 2011-07-25 2015-02-23 日立化成株式会社 太陽電池基板、太陽電池基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池
KR101541657B1 (ko) 2011-07-25 2015-08-03 히타치가세이가부시끼가이샤 태양 전지 기판, 태양 전지 기판의 제조 방법, 태양 전지 소자 및 태양 전지
JP2015149500A (ja) * 2011-07-25 2015-08-20 日立化成株式会社 太陽電池基板、太陽電池基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池
JP2016139834A (ja) * 2011-07-25 2016-08-04 日立化成株式会社 太陽電池基板、太陽電池基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池
JP2013211541A (ja) * 2012-02-28 2013-10-10 Kyocera Corp 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
WO2014189178A1 (ko) * 2013-05-22 2014-11-27 제일모직 주식회사 선택적 에미터를 갖는 태양전지의 제조방법 및 이로부터 제조된 태양전지
US10522698B2 (en) 2013-05-22 2019-12-31 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for manufacturing solar cell having selective emitter and solar cell manufactured thereby
WO2016080348A1 (ja) * 2014-11-21 2016-05-26 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
JP5963999B1 (ja) * 2014-11-21 2016-08-03 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
KR101867968B1 (ko) * 2017-01-26 2018-06-15 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20110014772A1 (en) 2011-01-20
EP2280424A2 (en) 2011-02-02
TW201104822A (en) 2011-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011023690A (ja) 選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法
EP3240045B1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US9583653B2 (en) Solar cell and fabrication method thereof
JP2006332273A (ja) 裏面電極型太陽電池
JP2010258456A (ja) 周期構造を有するシリコン基板
TWI476943B (zh) 太陽能電池及其製作方法
JP2010161310A (ja) 裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池の製造方法
CN113140644A (zh) 一种单面或双面太阳能电池图形化掩膜和太阳能电池的制备方法
JP2006156646A (ja) 太陽電池の製造方法
US11158748B2 (en) Solar cell, solar cell module, and solar cell manufacturing method
WO2019242550A1 (zh) 太阳能电池及其制作方法
TW201119069A (en) Nanostructured thin film inorganic solar cells
JP2014072209A (ja) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP2015053303A (ja) 太陽電池セル、太陽電池モジュール、および太陽電池セルの製造方法。
JP2014022544A (ja) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
WO2020237696A1 (zh) 一种薄膜光伏电池的制造方法及薄膜光伏电池
JP2014183073A (ja) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP2005260157A (ja) 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP2013168605A (ja) 太陽電池の製造方法
JP5029921B2 (ja) 太陽電池セルの製造方法
WO2012014806A1 (ja) 太陽電池の製造方法
CN101989634A (zh) 选择性射极结构的电极图形的对齐方法
US20190109253A1 (en) Solar cell and method for manufacturing same, and solar cell panel
JP6564199B2 (ja) 裏面電極型光電変換素子および裏面電極型光電変換素子の製造方法
KR101385669B1 (ko) 실리콘 기판의 나노 및 마이크로 복합 구조체를 갖는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120118

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120619