CN112117352B - 一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，包括如下步骤：S1、不同生产线上用于在硅片上刻蚀出的激光光斑大小各不相同；S2、同一生产线上沿着同一方向设有的多个激光机台预设的激光图案上均设计激光标识，同一所述生产线的所述激光机台上的所述激光标识分别刻蚀在不同细栅线的尾部；在激光扩散后面的工序中如果存在经测试后确定是由激光扩散处理发生偏移引起异常的所述硅片，则通过显微镜根据硅片中所述激光光斑大小和激光标识追溯异常激光机台和异常硅片。本发明的目的在于：设计一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，旨在解决相关技术中因为产线较多，而且流转情况也比较复杂，难以定线追溯的技术问题。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池片制造技术领域，具体涉及一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法。
背景技术
SE电池是在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度的掺杂(即对应激光处理区)，在电极以外的区域进行低浓度的掺杂(即对应非激光处理区域)，这种选择性掺杂结构既降低了硅片和电极的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高了电池的转换效率，在实现SE电池量产制备时，多是利用激光机台在扩散后的硅片上进行激光处理，然后，再进行刻蚀、丝网印刷等工艺；
目前，行业内的SE电池生产的新公司，都是大量的开线，扩充产能，随着激光机台使用次数的增加或受其他因素的影响等，激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理时，激光机台会出现激光振镜发生偏移等现象，这些现象最终会影响SE电池的良品率，一旦出现激光扩散处理后制成中异常硅片，就需要追溯异常激光台和异常硅片，一般一个公司会开多条生产线，每条生产线的激光机台数量5-10台左右，每台激光台有AB侧，每侧有4个作业台面，传统追溯生产信息的方法都是对每台激光台和激光台不同台面生产的硅片进行检查，但是产线较多，而且流转情况也比较复杂，难以定线追溯。
发明内容
本发明的目的在于：设计一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，旨在解决相关技术中因为产线较多，而且流转情况也比较复杂，难以定线追溯的技术问题。
本发明采用的技术方案如下：
一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，包括如下步骤：
S1、不同生产线上用于在硅片上刻蚀出的激光光斑大小各不相同；
S2、同一生产线上沿着同一方向设有的多个激光机台预设的激光图案上均设计激光标识，同一所述生产线的所述激光机台上的所述激光标识分别刻蚀在不同细栅线的尾部；
在激光扩散后面的工序中如果存在经测试后确定是由激光扩散处理发生偏移引起异常的所述硅片，则通过显微镜根据硅片中所述激光光斑大小和激光标识追溯异常激光机台和异常硅片。
优选的，所述激光标识设计成线段图形。
优选的，所述激光标识设计成点状图形。
优选的，所述S2步骤中，每个所述激光机台有两个输出端，所述输出端分别在同一条所述细栅线的左右侧刻蚀出所述激光标识。
优选的，所述S2步骤中，每个所述激光机台有两个输出端，两所述输出端在所述细栅线刻蚀的所述激光标识数量不一致。
优选的，所述激光光斑大小50-150μm。
优选的，所述激光标识在硅片上的深度为20-50μm。
优选的，所述激光标识长度50-300μm。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明的激光线追溯硅片生产信息的方法不需要更改激光工艺，只需在目前的激光图形的基础上增加50-300μm长度的激光标识，增加的激光标识和激光图案一起打在硅片上，激光标识在细栅线的尾部与细栅线是断开的，不会影响电池的性能。
2、增加的激光标识由于是很小的激光线，肉眼看不见，需要在显微镜下才能看到，不影响硅片的外观，厂家的客户也容易接受，不影响销售。
3、一旦在激光扩散后道工序中检查出来硅片发生激光偏移，通过本发明的方法能快速追溯到激光机台，减少排查力度，无需全部停掉生产线上的激光机台进行一一排查，提高产品的合格率。
附图说明
图1为本发明实施例2中细栅线和激光标识设计成线段的结构视图；
图2为本发明实施例2中细栅线和激光标识设计成点状的结构视图；
图3是本发明实施例3中3号机台B侧的激光标识结构视图。
附图标记：1-细栅线，2-激光标识。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。
实施例1，
一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，包括如下步骤：
S1、不同生产线上用于在硅片上刻蚀出的激光光斑大小各不相同；
S2、同一生产线上沿着同一方向设有的多个激光机台预设的激光图案上均设计激光标识，同一所述生产线的激光机台上的激光标识分别刻蚀在不同细栅线的尾部；
在激光扩散后面的工序中如果存在经测试后确定是由激光扩散处理发生偏移引起异常的硅片，则通过显微镜根据硅片中所述激光光斑大小和激光标识追溯异常激光机台和异常硅片。
每条生产线投入生产前分配一个指定直径的激光光斑，不同的生产线所对应的激光光斑大小不同，激光光斑大小50-150μm，这样方便后期辨认，通过改变激光入射孔径将各自生产线下的激光机台设置成指定激光光斑；每条生产线沿同一方向对各自的激光机台进行顺序编号，例如，一条生产线下的3个机台可以编号成：1号机台、2号机台和3号机台，将编完顺序的激光机台与细栅线对应起来，比如1号机台对应第一条细栅线，在激光机台预设的激光图案上设计激光标识，通过激光机台在相应的硅片上的细栅线尾部刻蚀激光标识，该激光标识与细栅线是断开不连续的，由于激光标识是um级别，用肉眼不能识别，不影响硅片的美观和销售同时激光标识打在细栅线外不影响硅片的性能；
如果在激光扩散之后的工序上如果检测到激光扩散处理时产生的激光偏移的异常硅片，通过显微镜识别异常硅片上的激光光斑和激光标识的位置，进而判断出是哪个激光机台出现异常，然后派人对异常激光机台进行检查维修，同时也能快速追溯到此激光机台生产出的异常硅片并将它们进行返工，相比现有技术中传统的追溯方法，本发明的追溯方法不需要将所有生产线的所有机台全部停工检查，而是直接精准定位到某台激光机台上，追溯效率更快时间短，不耽误正常激光机台的正常生产，减少更多异常硅片影响硅电池性能。
实施例2，
本实施例和实施例1的不同之处在于，激光标识设计成线段，线段的长度方向与细栅线一致，例如，在第三条细栅线1的尾部刻蚀激光标识2，通过激光标识2在细栅线的位置可以直接判断出来该硅片是在3号激光机台上生产的，另外，激光标识2还可以设计成点状，参照图2，在第二条细栅线1的尾部刻蚀激光标识2，且细栅线1的延长线穿过激光标识2的圆心，通过激光标识2在细栅线的位置可以直接判断出来该硅片是在2号激光机台上生产的。
激光标识在硅片上的深度为20-50μm，激光标识长度50-300μm，由于激光标识是um级别，用肉眼不能识别，不影响硅片的美观和销售同时激光标识打在细栅线外不影响硅片的性能。
实施例3，
本实施例与实施1的不同之处在于，S2步骤中，每个激光机台有两个输出端，输出端分别在同一条细栅线的左右侧刻蚀出激光标识。
激光机台有AB两侧，每侧均有一个输出端，每个输出端均可单独作业，此实施例中可以在细栅线的左侧或右侧其中一侧的位置刻蚀激光标识用来标记激光台的A侧或B侧，例如，3号机台B侧，参照图3，在第三条细栅线1的右侧设计形状为线段的激光标识2来进行标记，通过该实施例的方法可以精准追溯到某激光机台的一侧，相比实施例1排查异常激光机台和异常硅片的时间缩短一半，效率提高一倍，而且激光机台正常的一侧不需要停工，提高生产效率的同时减少企业停工带来的经济损失。
实施例4，
本实施例与实施例1的不同之处在于，激光机台有两个输出端，输出端在细栅线刻蚀的激光标识数量不一致。比如一个输出端在细栅线的尾部刻蚀一个激光标识，另一个输出端在细栅线的尾部刻蚀两个激光标识，用激光标识数量的不同区别激光台不同的输出端能快速识别，提高了工作人员追溯激光机台或硅片的效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、不同生产线上用于在硅片上刻蚀出的激光光斑大小各不相同；
S2、同一生产线上沿着同一方向设有的多个激光机台预设的激光图案上均设计激光标识(2)，同一所述生产线的所述激光机台上的所述激光标识(2)分别刻蚀在不同细栅线(1)的尾部；所述尾部与所述细栅线断开；
在激光扩散后面的工序中如果存在经测试后确定是由激光扩散处理发生偏移引起异常的所述硅片，则通过显微镜根据硅片中所述激光光斑大小和激光标识(2)追溯异常激光机台和异常硅片。
2.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光标识(2)设计成线段图形。
3.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光标识(2)设计成点状图形。
4.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述S2步骤中，每个所述激光机台有两个输出端，所述输出端分别在同一条所述细栅线(1)的左右侧刻蚀出所述激光标识(2)。
5.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述S2步骤中，每个所述激光机台有两个输出端，两所述输出端在所述细栅线(1)刻蚀的所述激光标识(2)数量不一致。
6.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光光斑直径50-150μm。
7.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光标识(2)在硅片上的深度为20-50μm。
8.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光标识(2)长度50-300μm。
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