CN101504266A - 硅片检测工具及检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳电池制造领域，具体地说是关于太阳电池制造时对电池基体材料硅片的一种检测工具及检测方法。按照本发明提供的技术方案，在本发明的硅片检测模板上设置用于检测待测硅片的横向宽度的横向刻度与用于检测待测硅片的纵向宽度的纵向刻度；以及用于检测待测硅片的直边偏差的直边刻度，其中相对的两直边刻度的直边基准线之间的距离为待测硅片的标准尺寸；所述横向刻度的横向基准线与纵向刻度的纵向基准线相互垂直，横向基准线与纵向基准线的交点为所述模板的尺寸刻度中心。利用这种检测工具及检测方法，可方便、快捷、准确地检测出晶体硅片的外形尺寸，利于操作人员对硅片进行精确的分类和组织生产。

Description

硅片检测工具及检测方法
技术领域
本发明涉及太阳电池制造领域，具体地说是关于太阳电池制造时对电池基体材料硅片的一种检测工具及检测方法。
背景技术
目前，太阳电池作为新兴绿色能源，已经得到越来越广泛的使用。当前使用最广的是晶体硅太阳电池，即利用晶体硅片作为基体材料进行太阳电池制作。一般来讲，晶体硅片的切片尺寸都是按照国际标准或国家标准生产的，与此相应的晶体硅的生产设备、太阳电池的生产设备的参数都和这个标准尺寸有关。如果实际使用的硅片尺寸与此标准尺寸相差太大，就需要将设备特殊调整，否则无法生产，所以在将硅片投入生产线进行太阳电池生产前，需要将硅片按尺寸进行分类。
在生产晶体硅片的过程中，往往会出现因拉棒及切片等原因而引起硅片的外形尺寸发生偏差，这种偏差通常无法通过操作人员的肉眼来快速准确地区分。由于在后续利用硅片生产太阳电池的过程中，对同批生产的硅片的外形尺寸具有极高的精度要求，否则会造成硅片的破片，降低生产效率，增加由于报废造成的成本上升，所以，在将硅片投入电池生产线进行电池片生产前，必须按照精确的外形尺寸对硅片进行分类，然后按照不同规格的晶体硅片分别组织生产，但是，在现有技术中，还没有一种方便、快捷、准确的检测技术来完成这项精度要求相当高的任务。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅片检测工具及检测方法，利用这种检测工具及检测方法，可方便、快捷、准确地检测出晶体硅片的外形尺寸，利于操作人员对硅片进行精确的分类和组织生产。
按照本发明提供的技术方案，在本发明的硅片检测模板上设置用于检测待测硅片的横向宽度的横向刻度与用于检测待测硅片的纵向宽度的纵向刻度；以及用于检测待测硅片的直边偏差的直边刻度，其中相对的两直边刻度的直边基准线之间的距离为待测硅片的标准尺寸；所述横向刻度的横向基准线与纵向刻度的纵向基准线相互垂直，横向基准线与纵向基准线的交点为所述模板的尺寸刻度中心。
每条直边刻度有直边基准线，直边刻度分列于直边基准线的两侧，两条垂直相交的直边基准线的交点为端点；任一直边基准线与其任一端点构成模板的检测基准。
对应于每条待测硅片的直边有两个所述直边刻度，分别位于模板上对应于待测硅片的直边的两个端部的部位，并对称地位于横向刻度的两侧和/或纵向刻度的两侧。
在模板上还设置有用于检测待测硅片的圆弧直径的圆弧刻度；所述圆弧刻度位于模板上对应于待测硅片的圆弧的部位。两对角相对的圆弧刻度的圆弧基准线之间的直径距离为待测硅片的标准对角直径。
如上所述，所述横向刻度与纵向刻度均呈直条状布置，并分别从模板上对应于待测硅片的一侧边缘的部位连续地延伸至模板上对应于待测硅片的另一侧边缘的部位。或者，所述横向刻度与纵向刻度均呈直条状布置，并分别位于模板上对应于待测硅片的边缘的部位。所述刻度的刻度线是通过印刷或打印的方式设置于模板上的，或者是通过菲林形成的。
根据本发明的目的，本发明还提出一种硅片检测方法，利用硅片检测模板对硅片进行快速检测和分类，检测模板上具有相互垂直的用于检测待测硅片的横向宽度的横向刻度与用于检测待测硅片的纵向宽度的纵向刻度，以及用于检测待测硅片的直边偏差的直边刻度；检测时，将待测硅片放在模板上，并使待测硅片的一个边与模板上的任一直边刻度的直边基准线重合，再使待测硅片的一个边上的角点与所述直边基准线的一个端点重合，然后读出模板上待测硅片的两条纵向直边所对应的横向刻度数及纵向刻度数，得出待测硅片的横向宽度及纵向宽度；再读出每条待测硅片的直边偏差的两个直边刻度数。
当待测硅片为单晶硅片时，在模版上设置用于检测单晶硅片的圆弧直径的圆弧刻度，利用圆弧刻度读出单晶硅片的圆弧直径的圆弧刻度数。然后再按照预定的误差标准将硅片进行分类。
本发明的优点是：利用本发明所述的模板后，可以方便快捷地检测出晶体硅片的各种尺寸数据，以便将晶体硅片按照不同的尺寸标准分类，以利于后道工序的顺利进行，降低后道工序中的破片率。
附图说明
图1是发明的模板示意图。
图2是图1中A的放大图。
图3是图1中B的放大图。
具体实施方式
如图1所示：在模板1上设置用于检测待测硅片的横向宽度的横向刻度2与用于检测待测硅片的纵向宽度的纵向刻度4；以及用于检测待测硅片的直边偏差的直边刻度3，相对的两直边刻度3的直边基准线30之间的距离应该是待测硅片的标准尺寸；所述横向刻度2的横向基准线7与纵向刻度4的纵向基准线8相互垂直，横向基准线7与纵向基准线8的交点为所述模板1的尺寸刻度中心6。
每条直边刻度3有直边基准线30，两条垂直相交的直边基准线的交点为端点32；任一直边刻度基准线30与其任一端点32构成模板1的检测基准。
所述基准线是在模板上刻制相关刻度的刻度线的基准，因此，所述基准线可以是对应的刻度线的中心线，也可以是位于对应的刻度线的某一端的一根直线，或者是位于指定部位的某根直线。
对应于每条待测硅片的直边有两个所述直边刻度3，分别位于模板1上对应于待测硅片的直边的两个端部的部位，并对称地位于横向刻度2的两侧和/或纵向刻度4的两侧。
在模板1上还设置有用于检测硅片的圆弧直径的圆弧刻度5；所述圆弧刻度5位于模板1上对应于待测硅片的圆弧的部位。两对角相对的圆弧刻度5的圆弧基准线50之间的直径距离为待测硅片的标准对角直径。
所述横向刻度2与纵向刻度4均呈直条状布置，并分别从模板1上对应于待测硅片的一侧边缘的部位连续地延伸至模板1上对应于待测硅片的另一侧边缘的部位。
或者，所述横向刻度2与纵向刻度4均呈直条状布置，并分别位于模板1上对应于待测硅片的边缘的部位。
所述刻度的刻度线是通过印刷或打印的方式设置于模板1上，或者是通过菲林形成的。所述检测模板1上的刻度的最小单位可根据待测硅片标准尺寸的大小而不同，本发明优选的最小刻度为0.1mm。
检测时，将待测硅片放在模板1上，使待测硅片的一个边与模板上的任一直边基准线30重合，并使该待测硅片的一个边上的角点与该直边基准线30的一个端点32重合，然后即可读出模板上待测硅片的每条边所对应的刻度数，得出待测硅片的横向宽度、纵向宽度以及每条待测硅片的直边偏差。
如果待测硅片为单晶硅片，则可以再通过检测模板上的圆弧刻度数读出单晶硅片的圆弧直径数值。然后根据测得的数据，将待测硅片按照标准尺寸误差进行分类，在后续太阳电池加工时，将同一类的晶体硅片放在一条流水线上生产。标准尺寸误差可根据标准尺寸的不同而不同，如标准尺寸为125mm时，误差在±0.3mm内的归为一类；标准尺寸为150mm时，误差在±0.5mm内的归为一类。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非用于限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神及公开的范围内，仍可作一些更动或润色，故本发明的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。

Claims (10)

1、一种硅片检测工具，其特征是：在模板(1)上设置用于检测待测硅片的横向宽度的横向刻度(2)与用于检测待测硅片的纵向宽度的纵向刻度(4)；以及用于检测待测硅片的直边偏差的直边刻度(3)；所述横向刻度(2)的横向基准线(7)与纵向刻度(4)的纵向基准线(8)相互垂直，横向基准线(7)与纵向基准线(8)的交点为所述模板(1)的尺寸刻度中心(6)。
2、如权利要求1所述的硅片检测工具，其特征是：每条直边刻度(3)有直边基准线(30)，两条垂直相交的直边基准线的交点为端点(32)；任一直边刻度基准线(30)与其任一端点(32)构成模板(1)的检测基准。
3、如权利要求1所述的硅片检测工具，其特征是：对应于每条待测硅片的直边有两个所述直边刻度(3)，分别位于模板(1)上对应于待测硅片的直边的两个端部的部位，并对称地位于横向刻度(2)的两侧和/或纵向刻度(4)的两侧。
4、如权利要求1所述的硅片检测工具，其特征是：在模板(1)上还设置有用于检测待测硅片的圆弧直径的圆弧刻度(5)；所述圆弧刻度(5)位于模板(1)上对应于待测硅片的圆弧的部位。
5、如权利要求1所述的硅片检测工具，其特征是：所述横向刻度(2)与纵向刻度(4)均呈直条状布置，并分别从模板(1)上对应于待测硅片的一侧边缘的部位连续地延伸至模板(1)上对应于待测硅片的另一侧边缘的部位。
6、如权利要求1所述的硅片检测工具，其特征是：所述横向刻度(2)与纵向刻度(4)均呈直条状布置，并分别位于模板(1)上对应于待测硅片的边缘的部位。
7、如权利要求1至5之一所述的硅片检测工具，其特征是，所述刻度的刻度线是通过印刷或打印的方式设置于模板(1)上，或者是通过菲林形成。
8、一种硅片检测方法，利用检测模板对硅片进行检测，所述模板(1)上具有相互垂直的用于检测待测硅片的横向宽度的横向刻度(2)与用于检测待测硅片的纵向宽度的纵向刻度(4)，以及用于检测待测硅片的直边偏差的直边刻度(3)；其特征是：检测时，将待测硅片放在模板(1)上，并使待测硅片的一个边与模板上的任一直边刻度的直边基准线(30)重合，再使待测硅片的一个边上的角点与所述直边基准线(30)的一个端点(32)重合，然后读出模板(1)上待测硅片的直边所对应的横向刻度数及纵向刻度数，得出待测硅片的横向宽度及纵向宽度；再读出每条待测硅片的直边偏差的两个直边刻度数。
9、根据权利要求8所述的硅片检测方法，其特征在于，当待测硅片为单晶硅片时，在模版(1)上设置用于检测单晶硅片的圆弧直径的圆弧刻度(5)，利用圆弧刻度(5)读出单晶硅片的圆弧直径的圆弧刻度数。
10、根据权利要求8或9所述的硅片检测方法，其特征在于，还包括按照预定的误差标准将硅片进行分类。
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Denomination of invention: Silicon slice detection tool and detection method

Granted publication date: 20100825

License type: Exclusive License

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