CN202196760U - 硅片背面缺陷正面打点的定位装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种硅片背面缺陷正面打点的定位装置，包括安装硅片的铁环、位于铁环四周的方形导轨框架，所述导轨框架包括四个带刻度尺的导轨，导轨框架上设有两根可移动的游尺，其中一根游尺垂直地跨设在平行的两个导轨上，另一根游尺垂直地跨设在另外两个平行的导轨上。本实用新型通过对具体缺陷位置的坐标化，改变了现有人为目测计算die位置的费时费力的做法，提高了工作效率和定位准确率，出错概率降低，定位时间缩短，正面划伤概率理论值为零。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，属于一种用于缺陷监控的硅片背面缺陷正面打点的定位装置。
背景技术
在硅片的生产制造过程中，经常会出现某个die(晶粒)有缺陷，通常发现硅片背面晶粒有缺陷时，采用对X、Y方向的背面刀痕数进行手动数数来进行定位，这种定位方式不但费时费力，还容易污染UV膜，并且定位的准确率很低。通过现有实验数据，此种做法通常一个die平均花费5分钟，同时容易出错，风险呈几何级数增加。并且由于现有检查方法导致硅片翻转以后正面和净化纸相接触，在相对移动中易引起新的划伤异常。随着单枚硅片背面缺陷的增加，所耗时间和所产生的风险将递增。由于当前划片槽尺寸越来越小，背面崩齿等缺陷对硅片的影响越来越大。为了改变当前较原始的定位打点方式，所以需要一个操作方便的缺陷定位装置，能精确定位正背面缺陷的同步性，以达到准确对背面缺陷die进行正面打点。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种硅片背面缺陷正面打点的定位装置，可以精确定位背面缺陷在正面的位置，提高正面打点的准确性，并且省时省力。
为解决上述技术问题，本实用新型的硅片背面缺陷正面打点的定位装置，包括安装硅片的铁环、位于铁环四周的方形导轨框架，所述导轨框架包括四个导轨，其中至少两个相互垂直的导轨上具有刻度尺，所述导轨框架上设有两根可移动的游尺，其中一根游尺垂直地跨设在平行的两个导轨上，另一根游尺垂直地跨设在另外两个平行的导轨上。
优选的，所述四个导轨都具有刻度尺。
进一步地，所述导轨和刻度尺为一体结构。或者，所述导轨和刻度尺为独立结构，每个导轨的下方都设有一个刻度尺。
进一步地，所述两根游尺相互垂直。
优选的，所述刻度尺的最小刻度为1毫米。
本实用新型通过对具体缺陷位置的坐标化，改变了现有人为目测计算die位置的费时费力的做法，出错概率降低，定位时间缩短，正面划伤概率理论值为零。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：
附图是本实用新型的结构示意图。
其中附图标记说明如下：
1为硅片；2为导轨；3为游尺；4为铁环。
具体实施方式
本实用新型的硅片背面缺陷正面打点的定位装置，如附图所示，包括安装硅片1的铁环4、位于铁环4四周的方形导轨框架，所述导轨框架包括四个导轨2，其中至少两个相互垂直的导轨上具有刻度尺。导轨框架上设有两根可移动的游尺3，其中一根游尺3垂直地跨设在平行的两个导轨2上，另一根游尺3垂直地跨设在另外两个平行的导轨2上。所述两根游尺3相互垂直。在本实施例中，为了避免长时间使用中游尺会产生偏差而不能完全垂直于导轨，四个导轨2上均具有刻度尺，只要游尺位置匹配，即可保证使用过程中的精确度。
所述导轨2和刻度尺为一体结构，当然，也可以为独立结构，每个导轨2的下方都设有一个刻度尺。所述刻度尺的最小刻度为1毫米。
本装置的定位打点过程中，硅片中心的坐标定义为(0，0)，经过硅片中心且平行于横向导轨的轴线定义为X轴，经过硅片中心且平行于纵向导轨的轴线定义为Y轴，包括以下步骤：1)将带铁环的硅片背面朝上放入该定位装置上，并且使硅片缺口位于导轨框架的下方；2)将定位装置放置于INT外观机台上，进行常规的微观检查；3)当发现某个die有缺陷时，通过显微镜观察，将纵向的游尺沿X轴移动至缺陷位置，再将横向的游尺沿Y轴移动至缺陷位置；4)根据两个游尺在刻度尺的位置，记录缺陷位置的横坐标和纵坐标，例如(30，40)；5)将硅片以Y轴为中心翻转180°，即使得硅片正面朝上、缺口仍然位于导轨框架的下方放置于定位装置上；6)将步骤4中测得的坐标值关于Y轴对称得到一个新的坐标值(-30，40)，将纵向的游尺沿X轴移动至新的坐标值所指位置，此时两个游尺相交的位置就是硅片背面缺陷所在位置，对此位置进行正面打点即可。
所述游尺在移动过程中，始终与所跨设导轨相垂直，即游尺在移动过程中始终同步，不会发生偏斜，从而保证了定位的准确性。
本专利通过对具体缺陷位置的坐标化，解决了现有人为目测去数die这样一个极为费时费力的做法。通过现有数据可说明，此种做法通常一个die平均花费5分钟，同时容易出错，风险呈几何级数增加。并且由于现有检查方法导致硅片翻转以后正面和净化纸相接触，在相对移动中易引起新的划伤异常。随着单枚硅片背面缺陷的增加，所耗时间和所产生的风险将递增。而使用此装置后，缺陷位置被数字化，出错概率降低，定位时间缩短，正面划伤概率理论值为零。
以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员还可对本实用新型等做出许多变形和等效置换，这些也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种硅片背面缺陷正面打点的定位装置，其特征在于：包括安装硅片(1)的铁环(4)、位于铁环(4)四周的方形导轨框架，所述导轨框架包括四个导轨(2)，其中至少两个相互垂直的导轨上具有刻度尺，所述导轨框架上设有两根可移动的游尺(3)，其中一根游尺(3)垂直地跨设在平行的两个导轨(2)上，另一根游尺(3)垂直地跨设在另外两个平行的导轨(2)上。
2.根据权利要求1所述的硅片背面缺陷正面打点的定位装置，其特征在于：所述四个导轨(2)都具有刻度尺。
3.根据权利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打点的定位装置，其特征在于：所述导轨(2)和刻度尺为一体结构。
4.根据权利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打点的定位装置，其特征在于：所述导轨(2)和刻度尺为独立结构，每个导轨(2)的下方都设有一个刻度尺。
5.根据权利要求1所述的硅片背面缺陷正面打点的定位装置，其特征在于：所述两根游尺(3)相互垂直。
6.根据权利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打点的定位装置，其特征在于：所述刻度尺的最小刻度为1毫米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011203056602U CN202196760U (zh) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 硅片背面缺陷正面打点的定位装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2011203056602U CN202196760U (zh) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 硅片背面缺陷正面打点的定位装置 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN202196760U true CN202196760U (zh) | 2012-04-18 |
Family
ID=45951659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011203056602U Expired - Fee Related CN202196760U (zh) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 硅片背面缺陷正面打点的定位装置 |
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|---|---|
| CN (1) | CN202196760U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104752252A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 表征晶背缺陷的方法 |
| CN108346595A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 宏观划痕长度测量装置 |
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