WO2012014806A1 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
この発明は、スクリーン印刷により電極を形成する際に、pn接合にダメージを与えずに出力の特性の高い太陽電池を提供することを課題とする。 この発明は、発電が寄与するpn接合が下面側にある基板1の下面の上に、スクリーン印刷により電極5を形成した後、下面と反対である基板1の上面側にスクリーン印刷により電極9を形成する。電極5、9はフィンガー電極を有し、電極5のフィンガー電極の本数を電極9のフィンガー電極の本数より多くする。
Description
この発明は、太陽電池の製造方法に関し、特に、太陽電池にスクリーン印刷法により電極を設ける太陽電池の製造方法に関するものである。
太陽電池に電極を形成する場合、生産性及び信頼性等の面において優位なスクリーン印刷法が多く用いられている。銀ペーストを用いて、受光面と反対側の面にそれぞれフィンガー電極をスクリーン印刷により形成したものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
ところで、結晶系半導体基板と非晶質半導体との間に実質的に真性な非晶質半導体を挟み、その界面での欠陥を低減し、ヘテロ接合界面の特性を改善した構造の太陽電池が知られている。
かかる構造の太陽電池においても、従来スクリーン印刷法を用いて電極を形成していた。
しかしながら、近年、太陽電池の普及に伴い高性能化の要請が高まっており、このため、電極の形成工程を改善して太陽電池の性能を改善する必要が生じてきた。
この発明は、斯かる要請に応えるためになされたものにして、電極の形成工程を改善することにより性能の高い太陽電池を提供することを目的とする。
この発明は、p型またはn型の半導体基板の一方の面にpn接合が形成された太陽電池の製造方法であって、半導体基板の一方の面の上にスクリーン印刷により電極を形成した後、半導体基板の他方の面の上にスクリーン印刷により電極を形成することを特徴とする。
この発明によれば、上記の工程を備えることにより性能の高い太陽電池が得られる。
この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、説明の重複を避けるためにその説明は繰返さない。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
図1は、実施形態による太陽電池の構成を示した断面図である。図1を参照して、実施形態による太陽電池の構成について説明する。
実施形態に係る太陽電池は、結晶系半導体基板と非晶質半導体との間に実質的に真性な非晶質半導体を挟んだ構造を採用している。これによって、その界面での欠陥を低減し、ヘテロ接合界面における少数キャリアの再結合を防止した構造を用いている。
太陽電池装置は、図1に示すように、約1Ω・cmの抵抗率と約200μmの厚みとを有するとともに、(100)面を有するn型単結晶シリコン基板(n:c-Si)1を備えている。n型単結晶シリコン基板1の表面には、数μmから数十μmの高さを有するピラミッド状の凹凸からなるテクスチャー構造が形成されている。このn型単結晶シリコン基板1の下面の上には、約5nmの厚みを有する実質的にi型の非晶質シリコン層(i:a-Si)2が形成されている。また、i型非晶質シリコン層2上には、約5nmの厚みを有するp型非晶質シリコン層(p:a-Si)3が形成され、発電に寄与するpn接合が形成されている。なお、図1において、n型単結晶シリコン基板1の下側で、p型非晶質シリコン層3が形成される面を下面とし、その反対側の面を上面とする。
また、p型非晶質シリコン層3上には、約100nmの厚みを有する透明導電膜(TCO)4が形成されている。この透明導電膜4は、酸化インジウム錫や酸化亜鉛等の透光性導電酸化膜で形成されている。
更に、この透明導電膜4の上面の上の所定領域には、電極5が形成されている。この電極5は、銀(Ag)ペースト等の導電ペーストを用いて形成されている。また、この電極5は、複数のフィンガー電極部とバスバー電極部で構成されている。
n型単結晶シリコン基板1の上面の上には、約5nmの厚みを有する実質的にi型の非晶質シリコン層6が形成されている。i型非晶質シリコン層6上には、約20nmの厚みを有するn型非晶質シリコン層7が形成されている。また、n型非晶質シリコン層7上には、約100nmの厚みを有する透明導電膜8が形成されている。透明導電膜8上の所定領域には、電極9が形成されている。
この発明の実施形態における太陽電池装置は、図1に示すように、発電に寄与するpn接合が下面側にある構造(以下、「BS構造」という。)であって、光は主に図1に示す太陽電池のn型非晶質シリコン層7側から入射する。光の遮蔽を少なくするため、光入射量の少ないp型非晶質シリコン層3側に設けられる電極5のフィンガー電極の本数が多く、光入射量の多いn型非晶質シリコン層7側に設けられる電極9のフィンガー電極の本数は少なくする。
例えば、電極5のフィンガー電極の本数は221本、電極9のフィンガー電極の本数は61本と、p型非晶質シリコン層3側の電極5のフィンガー本数を約4倍程度多くしている。
次に、この図1に示す太陽電池の製造方法につき、図2A~図2E、図3及び図4を参照して説明する。
図2Aに示すように、まず、(100)面を有するn型単結晶シリコン基板1を用意する。このn型単結晶シリコン基板1にエッチングを施し、基板表面にピラミッド状凹凸を形成する。そして、このn型単結晶シリコン基板1の一面の上に、i型非晶質シリコン層2、p型非晶質シリコン層3を形成する。例えば、プラズマCVD法等のCVD法により、i型非晶質シリコン層2、p型非晶質シリコン層3を形成する。
続いて、図2Bに示すように、n型単結晶シリコン基板1の他面の上には、i型非晶質シリコン層6、n型非晶質シリコン層7を形成する。例えば、プラズマCVD法等のCVD法により、i型非晶質シリコン層6、n型非晶質シリコン層7を形成する。
その後、図2Cに示すように、p型非晶質シリコン層3、n型非晶質シリコン層7上に、約100nmの厚みを有する透明導電膜4、8を形成する。例えば、酸化インジウムを用いたスパッタ法により、透明電極膜4、8を形成する。
そして、図2Dに示すように、発電に寄与するpn接合がある面、すなわち、p型非晶質シリコン層3側の透明導電膜4の下面の上の所定領域に、銀ペーストを用いたスクリーン印刷により、電極5を形成する。図3に示すように、n型非晶質シリコン層7が設けられた上面側が接触するようにn型単結晶シリコン基板1を印刷ステージ22上に載せ、電極形成のために所定のパターンを形成したスクリーンマスク23を、p型非晶質シリコン層3が設けられた下面側の表面に配設する。そして、そのスクリーンマスク23上に電極となる導電ペースト20を載置し、所定のスキージ21により、スクリーンマスク23に設けられた開口部に導電ペースト20を充填する。導電性ペースト20を充填した後、スクリーンマスク23を取り除き、透明導電膜4上に電極5を形成する。
続いて、図2Eに示すように、透明導電膜8の上面の上の所定領域に、導電ペーストを用いたスクリーン印刷により、電極9を形成する。図4に示すように、電極5が形成された上面側が接触するようにn型単結晶シリコン基板1を印刷ステージ22上に載せ、電極形成のために所定のパターンを形成したスクリーンマスク24をn型非晶質シリコン層7が設けられた面側の表面に配設する。このとき、スクリーン印刷工程においては、印刷ステージ22上に電極5を介してpn接合面が支持される。そして、そのスクリーンマスク24上に電極となる導電ペースト20を載置し、所定のスキージ21により、スクリーンマスク24に設けられた開口部に導電ペースト20を充填する。導電性ペースト20を充填した後、スクリーンマスク24を取り除き、透明導電膜8上に電極9を形成する。
このようにして、この発明による太陽電池が得られる。上記のように、この発明によれば、スクリーン印刷により電極を形成する際に、pn接合にダメージを与えずに出力の特性の高い太陽電池が得られる。
詳述すると、図2Dに示すスクリーン印刷工程においては、発電に寄与するpn接合が設けられた面が印刷ステージ22に接触しない。これによって、基板のずれやこすれ等により、pn接合にダメージを与える虞がなくなり、pn接合の破壊等の悪影響を防止できる。その後、図2Eに示すスクリーン印刷工程において、印刷ステージ22上に電極5を介してpn接合面が支持される。これによって、pn接合面が印刷ステージ22に直接接触する虞がなくなり、pn接合に与えるダメージを軽減させることができる。また、電極5の本数は電極9に比べて多いので、スクリーン印刷工程における圧力は分散され、pn接合へのダメージも軽減される。
次に、参考例による太陽電池につき、図5A~図5B、図6及び図7を参照して説明する。この参考例は、電極5、9をスクリーン印刷によって形成するが、n型非晶質シリコン層7側の電極9から形成するものである。なお、図5Aにおいて、n型単結晶シリコン基板1の下側で、p型非晶質シリコン層3が形成される面を下面とし、その反対側の面を上面とする。透明導電電極4、8の形成までは前述と同様に形成される。
そして、図5Aに示すように、導電ペーストを用いてスクリーン印刷により、電極9を形成する。電極9の形成は、図6に示すように、p型非晶質シリコン層3が設けられた下面側を印刷ステージ22上に載せ、その後は図2Eの工程と同様の方法で透明導電膜8上に電極9を形成する。
続いて、図5Bに示すように、透明導電膜4の下面の上の所定領域に、スクリーン印刷により、導電ペーストを用いて電極5を形成する。この電極5の形成は、図7に示すように、電極9が形成された上面側が接触するようにn型単結晶シリコン基板1を印刷ステージ22上に載せ、その後は図2Dの工程と同様の方法で透明導電膜4上に電極5を形成する。
このようにして、この発明の参考例による太陽電池が得られる。
参考例におけるスクリーン印刷工程においては、図5Aの工程において、発電に寄与するpn接合の面が印刷ステージ22に接触することになり、pn接合にダメージを与え、pn接合の破壊等が生じる虞がある。
次に、実施形態に係る太陽電池と参考例の太陽電池を用意し、太陽電池特性を測定した結果を図12に示す。図12において、縦軸はサンプル数、横軸は太陽電池の特性である。なお、横軸は印刷環境の良い状態、すなわち、両面ともスクリーンマスクは新品のものを使用し、清掃した後の印刷ステージ22を用いて作成した参考例による太陽電池の特性により規格化したものである。
比較した各サンプルは、印刷ステージ22を清掃した後、500ショット印刷後の状態からそれぞれ太陽電池を作成した。なお、1ショットの印刷とは、図3に示す動作を示す。詳述すると、1ショットの印刷は、n型単結晶シリコン基板1を印刷ステージ22上に載せてスクリーンマスク23を表面に配設し、スクリーンマスク23上に導電性ペースト20を載置してスクリーンマスク23に設けられた開口部に導電性ペースト20を充填する1回の動作である。
図12に示すように、実施形態に係る太陽電池の方が参考例のものより、太陽電池の特性の高いサンプルが多く得られた。詳述すると、図12の横軸は太陽電池の出力電力の最大値(Pmax)で、縦軸はPmaxの値に対応したサンプルの数である。最もサンプル数の多いPmaxの区間を基準とすると、実施形態に係る太陽電池について基準よりもPmaxの高いサンプルの数が、参考例による太陽電池について基準よりもPmaxの高いサンプルの数に比べ、多くなった。このように、実施形態に係る太陽電池について、スクリーン印刷により電極を形成する際にpn接合に与えるダメージを低減することによって、出力の特性の高い太陽電池が得られることが分かる。
次に、他の実施形態につき図8、図9A~図9E、図10及び図11に従い説明する。この図8に示すものは、pn接合が形成された上面側から光が入射する構造(以下、「STD構造」という。)にこの発明を適用したものである。なお、図8において、n型単結晶シリコン基板1の下側で、n型非晶質シリコン層7が形成される面を下面とし、その反対側の面を上面とする。
図8に示すように、n型単結晶シリコン基板1の上面の上には、実質的に真性のi型非晶質シリコン層2が形成されている。i型非晶質シリコン層2上には、p型非晶質シリコン層3が形成されている。p型非晶質シリコン層3上には、透明導電膜としての透明導電膜4が形成されている。この透明導電膜4の上面の上の所定領域には、電極5が形成されている。
また、n型単結晶シリコン基板1の下面の上には、実質的に真性のi型非晶質シリコン層6が形成されている。i型非晶質シリコン層6上には、n型非晶質シリコン層7が形成されている。n型非晶質シリコン層7上には、透明導電膜8が形成されている。透明導電膜8上の所定領域には、電極9が形成されている。このようにn型単結晶シリコン基板1の下面の上に、i型非晶質シリコン層6およびn型非晶質シリコン層7が順番に形成されることにより、いわゆるBSF構造が形成されている。他の実施形態に係るそれぞれの膜の厚みは、実施形態に係る太陽電池の膜の厚みと同様である。
次に、他の実施形態に係る太陽電池の製造方法につき、図9A~図9E、図10及び図11を参照して説明する。
図9Aから図9Cの工程は、上記した図2Aから図2Cと同様であるので、同じ符号を付しここでは説明を割愛する。
図9Dに示すように、発電に寄与するpn接合がある面、すなわち、p型非晶質シリコン層3側の透明導電膜4の上面の上の所定領域に、導電ペーストを用いたスクリーン印刷により、電極5を形成する。図10に示すように、n型非晶質シリコン層7が設けられた下面側を印刷ステージ22上に載せ、その後は図2Eの工程と同様の方法で透明導電膜4上に電極5を形成する。
続いて、図9Eに示すように、透明導電膜8の下面の上の所定領域に、導電ペーストを用いたスクリーン印刷により、電極9を形成する。この電極5の形成は、図11に示すように、p側の電極5が形成された上面側を印刷ステージ22上に載せ、その後は図2Dの工程と同様の方法で透明導電膜8上に電極9を形成する。
上記のように、他の実施形態によれば、スクリーン印刷により電極を形成する際に、pn接合にダメージを与えずに出力の特性の高い太陽電池が得られる。
なお、図2A~図2Eに示す工程と図9A~図9Eに示す工程においては、p型非晶質シリコン層3上に形成する電極の本数が相違する。BS構造の太陽電池の方がSTD構造の太陽電池よりp型非晶質シリコン層3上に形成する電極の本数が多く、この実施形態では約4倍である。この結果、n型非晶質シリコン層7側に電極を形成する際に、BS構造の太陽電池の方がpn接合に加わる圧力の分散がなされ、STD構造のものよりpn接合に対するダメージが削減されるという効果が期待できる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
例えば、この発明は、熱拡散を用いてpn接合を形成した結晶系太陽電池にも適用することができる。また、p型の半導体基板(シリコン基板)を用いて形成した結晶系太陽電池にも適用することができる。
1 n型単結晶シリコン基板
2 i型非晶質シリコン層
3 p型非晶質シリコン層
4 透明導電膜
5 電極
6 i型非晶質シリコン層
7 n型非晶質シリコン層
8 透明導電膜
9 電極
2 i型非晶質シリコン層
3 p型非晶質シリコン層
4 透明導電膜
5 電極
6 i型非晶質シリコン層
7 n型非晶質シリコン層
8 透明導電膜
9 電極
Claims (4)
- p型またはn型の半導体基板の一方の面にpn接合が形成された太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の前記一方の面の上にスクリーン印刷により電極を形成した後、前記半導体基板の他方の面の上にスクリーン印刷により電極を形成する、太陽電池の製造方法。
- 前記電極はバスバー電極と、バスバー電極に接続された複数のフィンガー電極を備え、前記一方の面の上に形成される前記フィンガー電極の本数は、前記他方の面の上に形成される前記フィンガー電極の本数と異なる、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記一方の面の上に形成される前記フィンガー電極の本数は、前記他方の面の上に形成される前記フィンガー電極の本数に比べ多い、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記太陽電池は、p型またはn型の結晶系シリコン基板に非晶質シリコン層を積層してpn接合が形成されたものである、請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
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