JP6104037B2 - 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュールに関する。

現在の結晶シリコン太陽電池としては、拡散による不純物半導体層が基板の受光面側に形成された従来より最も一般的な拡散型の太陽電池、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜により不純物半導体層が形成されたヘテロ接合太陽電池、基板と同じ導電型および基板と異なる導電形の不純物半導体層が基板の裏面側にくし型に配置された裏面接合型の太陽電池があり、いずれの型の太陽電池も量産レベルで製造されている。

拡散型の太陽電池では、基板としてたとえば厚さが２００μｍ程度のｐ型結晶シリコン基板が用いられる。そして、光吸収率を高める表面テクスチャ、ｎ型拡散層、反射防止膜およびペーストによる表面電極（例えば、櫛型銀（Ａｇ）電極）が当該基板の受光面側に順次形成され、ペーストによる裏面電極（例えば、アルミニウム（Ａｌ）電極）がスクリーン印刷によって当該基板の非受光面側に形成された後、８００℃程度の高温で焼成されることによって拡散型の太陽電池が製造されている。

かかる焼成では、表面電極および裏面電極のペーストの溶媒分が揮発するとともに、当該基板の受光面側において櫛型Ａｇ電極が反射防止膜を突き破ってｎ型拡散層に接続され、また、当該基板の非受光面側においてＡｌ電極の一部のＡｌが当該基板に拡散して裏面電界層（ＢＳＦ：Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）を形成する。

光電変換効率をより向上させる太陽電池セル構造として、たとえば特許文献１〜特許文献３には結晶シリコン基板に薄い真性半導体薄膜を介して不純物ドープシリコン層からなる接合あるいはＢＳＦ層を形成するヘテロ接合太陽電池に関する発明が記載されている。このような構造では、不純物ドープ層を薄膜で形成することにより不純物ドープ層の濃度分布を自由に設定でき、また不純物ドープ層が薄いため膜中でのキャリアの再結合や光吸収を抑制することができる。また、結晶シリコン基板と不純物ドープシリコン層との間に挿入した真性半導体層は、結晶シリコン基板と不純物ドープシリコン層との接合間の不純物拡散を抑制し、急峻な不純物プロファイルを有する接合を形成することができるため、良好な接合界面形成により高い開放電圧を得ることができる。

さらに、真性半導体層、不純物ドープ層は２００℃程度の低温で形成できるため、基板の厚さが薄くても熱により基板に生じるストレスや、基板の反りを低減することができる。また、熱により劣化しやすい結晶シリコン基板に対しても基板品質の低下を抑制できることが期待できる。この方式の太陽電池における電極は、ヘテロ接合部の特性低下を防ぐため、低温焼結型Ａｇ電極を用いて２００℃以下で形成される。

特許文献４および特許文献５には、基板の裏面にｐ型およびｎ型の両方の導電型の不純物ドープ薄膜を交互に配置し、エミッタおよびベースの両電極を裏面側に形成することにより受光面側の電極のシャドーロスを抑制する裏面ヘテロ接合型太陽電池の製造方法が示されている。この方式の太陽電池によれば、受光面側のシャドーロスを抑制することに加えて、不純物ドープ層よりも光吸収率の小さい絶縁膜等を受光面の反射防止膜として用いることができるため、高い短絡電流を有する太陽電池を実現できる。また、たとえば特許文献５には絶縁膜を介してｐ型領域とｎ型領域とをパターニングする方法が記載されている。

裏面接合型の太陽電池は、基板の裏面にｐ型およびｎ型の両方の導電型のパターンを形成する必要があるため、半導体薄膜および電極のパターニングが必要となる。半導体薄膜および電極のパターニングには、スクリーン印刷、スプレー、ディスペンサ、インクジェットなどによりエッチングペーストを不要部のみに塗布して不要部を直接エッチング除去する方法や、フォトレジストを用いた写真製版法などがある。エッチングペーストを用いる方法は、写真製版に比べてプロセスが簡略であること、太陽電池では量産工程に多く用いられるスクリーン印刷により形成できるなどの利点がある。

また、裏面ヘテロ接合型太陽電池を含むヘテロ接合型太陽電池における電極形成方法はスクリーン印刷により金属ペーストを印刷パターニングする方法が一般的である。しかしながら、真空蒸着、スパッタリングなどにより形成される薄膜を用いたり、たとえば特許文献６に記載されているような電解または無電解のめっきにより形成される金属電極なども用いられる。めっきにより形成される銅（Ｃｕ）電極は、Ａｇ電極に比べて材料コストを低減することができるため、低コスト化に有効である。

特許第２１３２５２７号公報 特許第２６１４５６１号公報 特許第３４６９７２９号公報 特開２００８−０８５３７４号公報 特開２０１２−０７４４１５号公報 特開２０００−０５８８８５号公報

ところで、裏面接合型の太陽電池において、ストライプ状に交互に配列されるｐ型接合領域とｎ型接合領域との幅（ピッチ）は特性に大きく影響を与える。光照射により発生したキャリアが各接合領域へ移動する距離は各接合領域のピッチに依存するため、極力ピッチを小さくする方がキャリアの再結合を抑制することができる。特に発電に大きく寄与する少数キャリアの再結合を防ぐために、基板と同じ導電型の接合領域は、例えば１００μｍ程度以下の幅にするなど極力狭くする、また各接合領域間の半導体膜が形成されていない領域の幅も数十μｍ以下にするなど、ピッチの低減が光電変換効率の向上に必須である。

各接合領域の幅を細くする際、各接合領域上に形成される集電極は、各接合領域の内側、すなわち各接合領域の幅よりも狭く形成される必要がある。このため、集電極も各接合領域のピッチに対応して細く、精度良く形成される必要がある。従来の裏面接合型の太陽電池は、接合領域が５００μｍ或いはそれ以上の広い幅を有しているため、集電極の幅も広く確保でき、集電極の厚さが例えば５μｍ以下と薄くてもフィルファクターの低下を招くことはなかった。しかしながら、接合領域の幅を狭くする場合には厚さの薄い集電極では配線抵抗が大きくなり、フィルファクターの低下を招く。このため、配線抵抗が大きくならないように集電極の厚さを厚くして、アスペクト比を大きくする必要が生じる。

集電極はめっき法やスクリーン印刷法などにより形成されるが、高いフィルファクターを維持して１００μｍの幅の接合領域に８０μｍの幅の集電極を形成しようとした場合は、スクリーン印刷によるＡｇ電極の厚さは２０μｍ以上、抵抗の低いＣｕからなるめっき電極であっても１０μｍ以上の高さが必要となる。また、同一平面にあるｐ型接合領域とｎ型接合領域とに対してシリコン酸化膜や窒化膜のような薄い絶縁膜の開口部を介してめっき法によりアスペクト比の大きい電極を形成することが考えられる。しかし、めっきは開口部から当方的に成長し、横方向（絶縁膜の面方向）への広がりが生じる。このため、開口幅は電極幅の半分以下、例えば電極幅が８０μｍの電極を形成する場合には開口幅を４０μｍ以下にするなど、極端に狭くしておく必要がある。ただし、この場合は、接触抵抗が増加するという問題が生じる。

また、スクリーン印刷により裏面電極を形成する場合は、印刷精度の問題によりストライプ状の電極の横方向（幅方向）への広がりや滲みが生じる。このため、電極を各接合領域内に確実に印刷するためにはｐ型接合領域上の電極とｎ型接合領域上の電極との間隔を十分に空けておく必要があり、１００μｍ以下の細い幅の接合領域には精度良く電極を形成できない、という問題があった。

さらに、裏面電極には基板の裏面に到達した長波長の光を反射して基板に再入射させる役目もあるため、ｐ型接合領域とｎ型接合領域との隙間を狭くしてｐ型接合領域とｎ型接合領域とにより裏面全面を覆うことが望ましい。しかし、ｐ型接合領域とｎ型接合領域との隙間を狭くしても、その上に形成された各集電極間の間隔を十分に空けると、基板の裏面に到達した光が各集電極間の間から太陽電池を透過して裏面に逃げてしまうため、光反射特性が低下し、長波長側の光を有効に利用することができない、という問題もあった。

また、ｐ型およびｎ型の各接合領域は、エッチングペーストによる印刷パターニングやフォトリソプロセスなどにより形成される。しかし、１００μｍ程度の幅の接合領域を印刷パターニングにより形成しようとすると、横方向（幅方向）への広がりや、印刷の位置合わせ精度の問題により、実現することは困難であった。

たとえば特許文献５に記載されているように、プラズマＣＶＤと絶縁膜を形成し、絶縁膜をマスクとしてフォトリソグラフィーにより上記のような細い接合領域を形成することは可能である。しかしながら、通常用いられるフォトレジストは、フォトレジストを形成したままプラズマＣＶＤによるヘテロ膜を形成できないため、ｐ型接合領域、ｎ型接合領域、電極の形成工程においてその都度レジストを形成、パターニング、除去する必要があり、工程が非常に複雑になるという課題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、裏面接合型のヘテロ接合光起電力装置において、簡略な形成プロセスにより製造可能であり光電変換効率に優れた光起電力装置およびその製造方法を得ることを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる光起電力装置は、第２導電型の結晶系半導体基板の受光面と反対側の裏面上に、第１真性半導体膜と第１導電型の第１半導体膜と第１集電極とをこの順で有する第１導電型半導体接合領域と、第２真性半導体膜と第２導電型の第２半導体膜と第２集電極とを前記第１導電型半導体接合領域と異なる領域にこの順で有する第２導電型半導体接合領域と、を備えた光起電力装置であって、前記結晶系半導体基板の裏面の面内において、前記第１導電型半導体接合領域と、前記第１導電型半導体接合領域と前記第２導電型半導体接合領域とを分離する絶縁体層と、前記第２導電型半導体接合領域とがこの順で隣接して交互に配置され、前記第１集電極および前記第２集電極が、それぞれ隣接する２つの前記絶縁体層間に挟まれるとともに、前記第１集電極および前記第２集電極の少なくとも一方の上面が前記絶縁体層の上面よりも低いこと、を特徴とする。

本発明によれば、簡略な形成プロセスにより製造可能であり光電変換効率に優れた裏面接合型のヘテロ接合太陽電池が得られる、という効果を奏する。

図１−１は、本発明の実施の形態１にかかる光起電力装置である太陽電池の裏面構造を模式的に示す平面図である。 図１−２は、本発明の実施の形態１にかかる光起電力装置である太陽電池の断面構造を模式的に示す図であり、図１−１の線分Ａ−Ａ’における要部断面図である。 図２は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図３−１は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−２は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−３は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−４は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−５は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−６は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−７は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−８は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−９は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−１０は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−１１は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−１２は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−１３は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−１４は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−１５は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図３−１６は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図４は、本発明の実施の形態２にかかる光起電力装置である太陽電池の断面構造を模式的に示す図である。 図５は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図６−１は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−２は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−３は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−４は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−５は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−６は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−７は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−８は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−９は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−１０は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−１１は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−１２は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−１３は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−１４は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図６−１５は、本発明の実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。

以下に、本発明にかかる光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。

実施の形態１．
図１−１は、本発明の実施の形態１にかかる光起電力装置である太陽電池の裏面構造を模式的に示す平面図である。図１−２は、本発明の実施の形態１にかかる光起電力装置である太陽電池の断面構造を模式的に示す図であり、図１−１の線分Ａ−Ａ’における要部断面図である。本実施の形態では、一方の半導体膜を形成後に絶縁体フィルムとエッチングペーストによるエッチングとを組み合わせて２つの半導体接合領域をパターニングした後、絶縁体フィルムを用いてめっきにより２つの半導体接合領域に同時に裏面反射膜を兼ねた裏面電極を形成する例について示す。

実施の形態１にかかる太陽電池は、裏面接合型のヘテロ接合太陽電池であり、第１導電型の結晶系半導体基板であるｎ型半導体基板３を有する。ｎ型半導体基板３は、例えばｎ型のドーパント（例えばリン（Ｐ））がドープされることでｎ型の導電型を呈する結晶系シリコン基板である。結晶系シリコン基板には、単結晶シリコン基板および多結晶シリコン基板を含むが、本実施の形態では単結晶のシリコン基板を用いた例を示す。

ｎ型半導体基板３の受光面側の面には、微細凹凸からなるテクスチャー４が形成されている。テクスチャー４上には、テクスチャー４側から真性（ｉ型）シリコン膜およびｎ型半導体基板３と同じ導電型（ｎ型）のシリコン膜が積層された積層構造（図示せず）からなる受光面側電界層５と、反射防止膜６とがこの順で積層されている。

受光面側電界層５における真性（ｉ型）シリコン膜は、ｎ型半導体基板３の受光面を被覆して形成されており、ｎ型半導体基板３の受光面側の基板表面におけるキャリア再結合を抑制する表面パッシベーション層としても働く。このような膜を形成することで、ｎ型半導体基板３へのパッシベーション効果が得られ、開放電圧や短絡電流密度が向上するという効果が得られる。

反射防止膜６は、受光面側電界層５を被覆して形成されており、受光面側から太陽電池に入射する光の反射損失の低減を目的として設けられる層である。また、反射防止膜６は、ｎ型半導体基板３の保護層としての機能も有する。

ｎ型半導体基板３の受光面と反対の面（裏面）側には、ｎ型半導体基板３と反対の導電型（ｐ型）の不純物ドープ半導体薄膜からなる半導体層を有するｐ型半導体接合領域１と、ｎ型半導体基板３と同じ導電型（ｎ型）の不純物ドープ半導体薄膜からなる半導体層を有するｎ型半導体接合領域２と、がそれぞれ櫛形形状に交互に配列されている。そして、ｎ型半導体基板３の裏面において、ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とは、櫛形形状においてそれぞれ櫛歯に相当する部分が１本ずつ交互に噛み合わさるようにストライプ状に配置されている。すなわち、ｐ型半導体接合領域１の櫛形形状において櫛歯に相当する領域の１本１本と、ｎ型半導体接合領域２の櫛形形状において櫛歯に相当する領域の１本１本とが１本ずつ交互に噛み合わさるように配置されている。

ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とは、ｎ型半導体基板３の裏面側における後述する透明導電膜９上の全面に形成された透光性を有する絶縁体層である絶縁体フィルム１０により、それぞれ画定、区画されている。すなわち、ｐ型半導体接合領域１は、絶縁体フィルム１０に設けられた開口パターン２３に対応している。ｎ型半導体接合領域２は、絶縁体フィルム１０に設けられた開口パターン２４に対応している。ｐ型半導体接合領域１およびｎ型半導体接合領域２のストライプ状の部分（櫛歯に相当する部分）では、ｐ型半導体接合領域１と絶縁体フィルム１０とｎ型半導体接合領域２とがこの順で交互に配置されている。

絶縁体フィルム１０は、後述するｐ型領域集電極１４とｎ型領域集電極１５とを電気的に分離するとともに、製造工程においては各部材の広がり防止壁として機能する。絶縁体フィルム１０は、たとえば光硬化性または光軟化性を有する感光性フィルムや、熱硬化性の樹脂フィルムが用いられる。絶縁体フィルム１０自体が光硬化性または光軟化性の特性を有することにより、開口パターンを形成しない状態でｎ型半導体基板３上に形成した後に、レジスト等を用いることなく写真製版によりパターニングが可能となる。また、絶縁体フィルム１０が熱硬化性を有する場合には、樹脂材料等をｎ型半導体基板３上に塗布した後に熱硬化させることによりｎ型半導体基板３上に絶縁体フィルム１０を形成することができる。また、絶縁体フィルム１０は、後述するエッチングペースト２５およびエッチングペースト２６に対して対エッチング性を有する。また、絶縁体フィルム１０は、製造工程環境に耐性を有し、たとえばｎ型半導体基板３の裏面に絶縁体フィルム１０が配置された後の処理工程温度に対して耐熱性を有し、たとえば２００℃以上の耐熱性を有する。絶縁体フィルム１０としては、たとえば東レ感光性ポリイミドシート（東レ株式会社製）を用いることができる。

ｎ型半導体基板３の裏面の面内における絶縁体フィルム１０の形成領域およびｐ型半導体接合領域１には、ｎ型半導体基板３の裏面上に真性（ｉ型）シリコン膜７、ｐ型シリコン膜８、透明導電膜９がｐ型半導体接合領域１と同様の櫛形形状にこの順で積層されている。ｐ型半導体接合領域１では、ｐ型シリコン膜８がｉ型シリコン膜７を介してｎ型半導体基板３の裏面とｐｎ接合を形成する。ｎ型半導体基板３とｐ型シリコン膜８との間のｉ型シリコン膜７は、ｎ型半導体基板３とｐ型シリコン膜８との接合間の不純物拡散を抑制し、急峻な不純物プロファイルを有する接合を形成することができるため、良好な接合界面形成により高い開放電圧を得ることができる。なお、ｉ型シリコン膜７は、ｎ型半導体基板３の裏面の基板表面におけるキャリア再結合を抑制する裏面パッシベーション層としても働く。このような膜を形成することで、ｎ型半導体基板３へのパッシベーション効果が得られ、開放電圧や短絡電流密度が向上するという効果が得られる。

そして、ｐ型半導体接合領域１では、ｐ型半導体接合領域１における各領域を電気的に結合し、発電された電力を各領域から集電して外部に取り出すためのｐ型領域集電極１４が透明導電膜９上にｐ型半導体接合領域１と同様の櫛形形状に形成されている。ｐ型領域集電極１４は、ｐ型半導体接合領域１の櫛歯に相当する部分（ストライプ状の部分）にグリッド電極が、ｐ型半導体接合領域１の櫛歯の根本に相当する部分にバス電極が形成されている。ｐ型領域集電極１４は、ｎ型半導体基板３側からＮｉめっき膜とＣｕめっき膜とＳｎめっき膜とがこの順で積層されためっき電極である。

また、透明導電膜９上におけるｐ型領域集電極１４が設けられていない領域の全面には絶縁体フィルム１０が形成されている。ｐ型領域集電極１４は、絶縁体フィルム１０に設けられた開口パターン２３内に、その上面が絶縁体フィルム１０の上面よりも低い状態で埋設されている。したがって、グリッド電極の横方向（幅方向）は、絶縁体フィルム１０の側面により制限されている。本明細書においては、図１−１の線分Ａ−Ａ’方向をグリッド電極の幅方向または横方向と呼ぶ。

また、絶縁体フィルム１０の開口パターン２３の側面は、ｎ型半導体基板３の面方向に対して略垂直とされている。これにより、ｐ型領域集電極１４の断面形状は、矩形性の良い四角形状となり、ｐ型領域集電極１４の下部の透明導電膜９との接触面積に対して断面積を大きく保つことができる。このため、同じ底面積であっても通常のめっきにより形成される半円形上や印刷による三角形状の断面形状の電極よりも配線抵抗を低く保つことができる。

ｎ型半導体基板３の裏面の面内におけるｎ型半導体接合領域２では、絶縁体フィルム１０の開口パターン２４の内面の全面に沿って、ｉ型シリコン膜１１、ｎ型シリコン膜１２、透明導電膜１３がこの順で積層された積層構造が形成されている。すなわち、ｎ型半導体基板３の裏面において真性（ｉ型）シリコン膜７、ｐ型シリコン膜８、透明導電膜９が形成されていない領域には、該積層構造がｎ型半導体接合領域２と同様の櫛形形状に形成されている。また、この積層構造は、開口パターン２４の底面であるｎ型半導体基板３の裏面から絶縁体フィルム１０の側壁、および絶縁体フィルム１０の上面の全域までにわたってｎ型半導体接合領域２と同様の櫛形形状に形成されている。なお、ｉ型シリコン膜１１は、ｎ型半導体基板３の裏面の基板表面におけるキャリア再結合を抑制する裏面パッシベーション層としても働く。このような膜を形成することで、ｎ型半導体基板３へのパッシベーション効果が得られ、開放電圧や短絡電流密度が向上するという効果が得られる。

このように、ｎ型半導体基板３の裏面において、絶縁体フィルム１０の形成領域およびｐ型半導体接合領域１には真性（ｉ型）シリコン膜７が形成され、ｎ型半導体接合領域２には真性（ｉ型）シリコン膜１１が形成されることにより、ｎ型半導体基板３の裏面の全面がパッシベーション層により覆われている。これにより、ｎ型半導体基板３の裏面において表面再結合速度の低い領域を作らず、ｎ型半導体基板３の裏面全面において再結合を抑制する効果が得られ、高い開放電圧と高い短絡電流を実現できる。

ｎ型シリコン膜１２は、ｎ型半導体基板３よりもｎ型のドーパント（例えばリン（Ｐ））を高濃度に含有する。ｎ型半導体基板３とｎ型シリコン膜１２との間のｉ型シリコン膜１１は、ｎ型半導体基板３とｎ型シリコン膜１２との接合間の不純物拡散を抑制し、急峻な不純物プロファイルを有する接合を形成することができるため、良好な接合界面形成により高い開放電圧を得ることができる。

そして、ｎ型半導体接合領域２では、ｎ型半導体接合領域２における各領域を電気的に結合し、発電された電力を各領域から集電して外部に取り出すためのｎ型領域集電極１５が透明導電膜１３上にｎ型半導体接合領域２と同様の櫛形形状に形成されている。ｎ型領域集電極１５は、ｎ型半導体接合領域２の櫛歯に相当する部分（ストライプ状の部分）にグリッド電極が、ｐ型半導体接合領域１の櫛歯の根本に相当する部分にバス電極が形成されている。ｎ型領域集電極１５は、透明導電膜１３側からＮｉめっき膜とＣｕめっき膜とＳｎめっき膜とがこの順で積層されためっき電極である。

光反射率が高く配線抵抗が低いめっき電極であるｎ型領域集電極１５が絶縁体フィルム１０上に形成されていることにより、ｎ型領域集電極１５の配線抵抗を減らし、ｎ型半導体接合領域２の幅が狭くてもｎ型半導体接合領域２の集電極の直列抵抗を低減できる。また、受光面から入射して絶縁体フィルム１０を透過した光をこのｎ型領域集電極１５により反射させることができるため、光吸収ロスを減らすことができ、高いフィルファクターと高い短絡電流を実現することができる。また、ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とは、絶縁体フィルム１０の段差により接触しないように形成されているため、シャント抵抗も高く保つことができる。

この太陽電池においては反射防止膜６側が受光面とされ、太陽光が入射される。この太陽電池は、ｐ型領域集電極１４およびｎ型領域集電極１５が、太陽電池の裏面側にのみ配された裏面接合型のヘテロ接合太陽電池である。これにより、実施の形態１にかかる太陽電池は、受光面側のシャドーロスを抑制して光電変換効率の向上が図られている。

なお、絶縁体フィルム１０の下部においてはｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とが接触する部分があるが、ここでの接触は薄膜同士の接触のため接触面積が小さく、またｉ型シリコン膜１１を含んで接触しているため、この接触部において電流リークは生じない。

つぎに、このような実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法の一例について図２、図３−１〜図３−１６を参照して説明する。図２は、実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するためのフローチャートである。図３−１〜図３−１６は、実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。なお、図３−８〜図３−１６では、理解の容易のため図３−１〜図３−７と上下方向を逆にしている。

まず、半導体基板を用意する。半導体基板はたとえばｎ型単結晶シリコン或いはｎ型多結晶シリコン、またはｐ型単結晶シリコン或いはｐ型多結晶シリコンから任意に選ぶことができるが、本実施の形態ではｎ型ドーパント原子としてたとえばリン（Ｐ）を所定の濃度で含有する単結晶シリコンからなるｎ型半導体基板３を用いた例を示す。ｎ型半導体基板３として、たとえば寸法が１００ｍｍ□であり、比抵抗が１Ωｃｍであり、主面の面方位が（１００）の単結晶ｎ型シリコン基板を用意する（図３−１）。

そして、ｎ型半導体基板３をアルカリ溶液中に浸漬することにより、インゴットからワイヤーソーでスライスされた際のスライスダメージ層２１が除去される（図３−２、ステップＳ１０）。

つぎに、太陽電池において受光面と反対側の面（裏面）となるｎ型半導体基板３の一方の面に、耐アルカリ性のエッチング保護膜２２としてたとえばプラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜が形成される（図３−３、ステップＳ２０）。

その後、イソプロピルアルコールを添加したアルカリ溶液中にｎ型半導体基板３を浸漬することにより、エッチング保護膜２２が形成されていないｎ型半導体基板３の片面にピラミッド状のテクスチャー４が形成される（図３−４、ステップＳ３０）。さらに、ｎ型半導体基板３をフッ酸に浸漬することにより、エッチング保護膜２２として形成された窒化シリコン膜が除去され、片面にテクスチャー４が形成された片面テクスチャー基板が形成される（図３−５）。

なお、テクスチャー４はｎ型半導体基板３の片面のみに形成しても両面に形成しても構わないが、本実施の形態では片面のみにテクスチャー４を形成する。ｎ型半導体基板３においてテクスチャー４が形成された面は、最終的に太陽電池が完成した際には受光面になる。以下、ｎ型半導体基板３においてテクスチャー４が形成された面を受光面と呼ぶ場合がある。

つぎに、テクスチャー４が形成されたｎ型半導体基板３の受光面に受光面側電界層５が形成される（図３−６、ステップＳ４０）。まず、ｎ型半導体基板３にＲＣＡ洗浄によるクリーニングが施される。その後、ｎ型半導体基板３を希フッ酸に浸漬することにより、ｎ型半導体基板３の表面に形成された表面酸化膜が除去される。そして、ｎ型半導体基板３において受光面となるテクスチャー４が形成された基板面に受光面側電界層５としてｉ型シリコン膜とｎ型シリコン膜との積層構造（図示せず）が形成される。

ｉ型シリコン膜としては、たとえば１３．５６〜６０ＭＨｚのＲＦプラズマＣＶＤチャンバにおいて約２〜３ｎｍの膜厚の酸素ドープｉ型非晶質シリコン層が形成される。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：１０〜１００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５００〜１０００ｓｃｃｍ、炭酸ガス（ＣＯ_２）：５〜２０ｓｃｃｍとする。

続けて、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｉ型シリコン膜が形成されたｎ型半導体基板３のテクスチャー４形成面に、約２０ｎｍの膜厚のｎ型シリコン膜がプラズマＣＶＤにより形成される。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ／ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：５〜５０ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５０〜２００ｓｃｃｍ、１％に水素希釈したホスフィン（ＰＨ_３）：１０〜５０ｓｃｃｍとする。

つぎに、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、受光面側電界層５としてｉ型シリコン膜およびｎ型シリコン膜が形成されたｎ型半導体基板３の基板面に、反射防止膜６としてプラズマＣＶＤにより屈折率２.０、膜厚８０ｎｍのシリコン窒化膜が形成される（図３−７、ステップＳ４０）。

つぎに、ｎ型半導体基板３にＲＣＡ洗浄によるクリーニングが施される（ステップＳ５０）。そして、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｎ型半導体基板３における裏面、すなわちテクスチャー４の非形成面（非テクスチャー形成面）に、ｉ型シリコン膜７として約２〜３ｎｍの膜厚の酸素ドープｉ型非晶質シリコン膜が形成される（図３−８、ステップＳ６０）。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：１０〜１００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５００〜１０００ｓｃｃｍ、炭酸ガス（ＣＯ_２）：５〜２０ｓｃｃｍとする。

続けて、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｉ型シリコン膜７が形成されたｎ型半導体基板３における裏面に、ｐ型シリコン膜８として約２０ｎｍの膜厚のｐ型非晶質シリコン膜が形成される（図３−８、ステップＳ７０）。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：５〜５０ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５００〜２０００ｓｃｃｍ、１％に水素希釈したジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）：１０〜５０ｓｃｃｍとする。

つぎに、ｎ型半導体基板３においてｉ型シリコン膜７およびｐ型シリコン膜８が形成された裏面に、透明導電膜９としてたとえばスパッタリング法により約７０〜９０ｎｍの膜厚の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が形成される（図３−８、ステップＳ８０）。

つぎに、ｎ型半導体基板３においてｉ型シリコン膜７、ｐ型シリコン膜８および透明導電膜９が形成された裏面に、フィルムラミネータにより絶縁体フィルム１０として厚さ２０μｍの感光性フィルムが貼り付けられる（図３−９、ステップＳ９０）。感光性フィルムは、フォトレジストと同様に写真製版によりパターニングが可能なフィルムである。このパターニングが可能な感光性フィルムとしては、ｎ型半導体基板３における受光面、すなわちテクスチャー形成面側から入射した光において、８００ｎｍ以降の長波長側に吸収の無い材料を用いることが好ましい。

つぎに、ｎ型半導体基板３の面内においてｐ型半導体接合領域１のパターンおよびｎ型半導体接合領域２のパターンに対応した開口パターンが写真製版により絶縁体フィルム１０に形成される（図３−１０、ステップＳ１００）。まず、絶縁体フィルム１０に露光を施して、ｎ型半導体接合領域２に対応する幅５０μｍのグリッド電極のパターンおよび幅１ｍｍのバス電極のパターン、およびｐ型半導体接合領域１に対応する幅５００μｍのグリッド電極のパターンおよび幅１ｍｍのバス電極のパターンのパターンが転写される。

そして、絶縁体フィルム１０を現像液で現像することにより、ｐ型半導体接合領域１のパターンに対応した開口パターン２３と、ｎ型半導体接合領域２のパターンに対応した開口パターン２４とが絶縁体フィルム１０に形成される。開口パターン２３は、ｎ型半導体基板３の裏面の面内においてｐ型半導体接合領域１を画定する。開口パターン２４は、ｎ型半導体基板３の裏面の面内においてｎ型半導体接合領域２を画定する。ｎ型半導体基板３の裏面において、開口パターン２３および開口パターン２４は、それぞれ櫛形形状に交互に配列される。そして、開口パターン２３と開口パターン２４とは、櫛形形状においてそれぞれ櫛歯に相当する部分が１本ずつ交互に噛み合わさるようにストライプ状に配置される。すなわち、ストライプ状部分では、開口パターン２３の櫛形形状において櫛歯に相当する領域と、絶縁体フィルム１０と、開口パターン２４の櫛形形状において櫛歯に相当する領域とがこの順で交互に噛み合わさるように配置される。

ｐ型半導体接合領域１のパターンに対応した開口パターン２３と、ｎ型半導体接合領域２のパターンに対応した開口パターン２４とを分離する分離部である絶縁体フィルム１０幅はたとえば５０μｍとされる。開口パターン２３および開口パターン２４では、透明導電膜９が露出する。

つぎに、ｎ型半導体基板３の裏面における開口パターン２４が形成された領域に、すなわち開口パターン２４において露出した透明導電膜９上に、スクリーン印刷によりエッチングペースト２５が塗布される（図３−１１）。そして、ｎ型半導体基板３をオーブン等で加熱することにより、開口パターン２４内の透明導電膜９、ｐ型シリコン膜８およびｉ型シリコン膜７がエッチングペースト２５により開口パターン２４と同じパターンでエッチングされる。その後、純水または薄いアルカリ溶液でｎ型半導体基板３を洗浄することにより、エッチングペースト２５および被エッチング膜の残渣が除去される（図３−１２、ステップＳ１１０）。これにより、開口パターン２４にｎ型半導体基板３の裏面のシリコン面が露出する。また、透明導電膜９、ｐ型シリコン膜８およびｉ型シリコン膜７は、絶縁体フィルム１０の下部領域およびｐ型半導体接合領域１のパターンに対応した開口パターン２３の下部領域に残存する。

この際、エッチングペースト２５は、掘り込み部である開口パターン２４に対する重ね合わせ精度を考慮して、開口パターン２４の幅よりも狭い幅で印刷する必要がある。ここで、エッチングペースト印刷時の印刷スクリーンの開口部を絶縁体フィルム１０の開口パターン２４よりも狭くしておくことにより、エッチングペースト２５の印刷位置が若干位置ずれを起こしても、絶縁体フィルム１０で囲まれた絶縁体フィルム１０の開口パターン２４領域内からはみ出すことがなく、またエッチングペースト２５が開口パターン２４領域内で広がることによって開口パターン２４の幅の細い領域を精度良くエッチングすることができる。また、エッチングペースト２５の印刷厚が開口パターン２４の深さを大きく超えないように、印刷版の乳剤厚や印刷条件を調整する必要がある。

また、エッチングペースト２５の塗布後の加熱プロセスは、シリコン系膜を劣化させないように２００℃以下の温度での加熱が必要である。エッチングペースト２５の材料およびエッチングする各膜の種類によっては透明導電膜９、ｐ型シリコン膜８、ｉ型シリコン膜７を同時にエッチングすることができる。一方、透明導電膜９、ｐ型シリコン膜８、ｉ型シリコン膜７を同時にエッチングができない場合は、まず透明導電膜９用のエッチングペーストを用いて透明導電膜９を除去し、その後シリコン膜用のエッチングペーストを用いてｐ型シリコン膜８およびｉ型シリコン膜７を除去するなどの方法を用いる。

つぎに、開口パターン２４に露出したｎ型半導体基板３の裏面がＲＣＡ洗浄により洗浄される（ステップＳ１２０）。そして、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｎ型半導体基板３の裏面の全面に、ｉ型シリコン膜１１として約２〜３ｎｍの膜厚の酸素ドープｉ型非晶質シリコン膜が形成される（図３−１３、ステップＳ１３０）。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量を（ＳＨ_４）：１０〜１００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５００〜１０００ｓｃｃｍ、炭酸ガス（ＣＯ_２）：５〜２０ｓｃｃｍとする。ここで、ｉ型シリコン膜１１は、開口パターン２４内および開口パターン２３内においても、内面に沿って形成される。

続けて、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｉ型シリコン膜１１が形成されたｎ型半導体基板３における裏面の全面に、ｎ型シリコン膜１２として約２０ｎｍの膜厚のｎ型シリコン膜が形成される（図３−１３、ステップＳ１４０）。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：５〜５０ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５０〜２００ｓｃｃｍ、１％に水素希釈したホスフィン（ＰＨ_３）：１０〜５０ｓｃｃｍとする。ここで、ｎ型シリコン膜１２は、開口パターン２４内および開口パターン２３内においても、内面に沿ってｉ型シリコン膜１１上に形成される。

その後、ｎ型半導体基板３に対して、フォーミングガスである水素５％含有の不活性ガス雰囲気中において、２００℃で１０分間の熱処理が行われる。この工程においては、ｐ型半導体領域のｉ型シリコン膜７、ｐ型シリコン膜８、透明導電膜９及びｎ型半導体領域のｉ型シリコン膜１１、ｎ型シリコン膜１２が水素含有ガス雰囲気中でアニールされることにより、ｎ型半導体基板とｉ型シリコン膜の界面の欠陥密度が低減され、欠陥による特性低下を防ぐことができる。また、２００℃程度の温度で加熱されることにより透明導電膜９は結晶化され、この後で行うエッチングペーストによるエッチングに対する耐性が向上する。

つぎに、ｎ型半導体基板３においてｉ型シリコン膜１１およびｎ型シリコン膜１２が形成された裏面の全面に、透明導電膜１３としてたとえばスパッタリング法により約７０〜９０ｎｍの膜厚の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が形成される（図３−１３、ステップＳ１５０）。ここで、透明導電膜１３は、開口パターン２４内および開口パターン２３内においても、内面に沿ってｎ型シリコン膜１２上に形成される。

つぎに、ｎ型半導体基板３の裏面における開口パターン２３が形成された領域に、すなわち開口パターン２３内において露出した透明導電膜１３上に、スクリーン印刷によりエッチングペースト２６が塗布される（図３−１４）。そして、ｎ型半導体基板３をオーブン等で加熱することにより、開口パターン２３の領域形成された透明導電膜１３、ｎ型シリコン膜１２およびｉ型シリコン膜１１がエッチングペースト２６によりエッチングされる。その後、純水または薄いアルカリ溶液でｎ型半導体基板３を洗浄することにより、エッチングペースト２６および被エッチング膜の残渣が除去される（図３−１５、ステップＳ１６０）。これにより、開口パターン２３に透明導電膜９が露出する。また、透明導電膜１３、ｎ型シリコン膜１２およびｉ型シリコン膜１１は、開口パターン２４の内壁に沿った領域および絶縁体フィルム１０上の領域に残存する。

この際、エッチングペースト２６は、掘り込み部である開口パターン２３に対する重ね合わせ精度を考慮して、開口パターン２３の幅よりも狭い幅で印刷する必要がある。ここで、エッチングペースト印刷時の印刷スクリーンの開口部を絶縁体フィルム１０の開口パターン２３よりも狭くしておくことにより、エッチングペースト２６の印刷位置が若干位置ずれを起こしても、絶縁体フィルム１０で囲まれた絶縁体フィルム１０の開口パターン２３領域内からはみ出すことがなく、またエッチングペースト２６が開口パターン２４領域内で広がることによって開口パターン２４の幅の細い領域を精度良くエッチングすることができる。なお、開口パターン２３の内壁にはｉ型シリコン膜１１、ｎ型シリコン膜１２および透明導電膜１３が成膜されているので、これらの膜厚も考慮する。また、エッチングペースト２５の印刷厚が開口パターン２４の深さを大きく超えないように、印刷版の乳剤厚や印刷条件を調整する必要がある。

エッチングペースト２６によるエッチング工程では、結晶化した透明導電膜をエッチングストップ層として利用する。初めに形成されたｐ型シリコン膜８上の透明導電膜９は前記のフォーミングガスによるアニール工程で結晶化されていることにより薬液耐性が高く、またｎ型シリコン膜１２上の透明導電膜１３は結晶化されていないために薬液耐性が低い。つまりｎ型シリコン膜１２上の透明導電膜１３はｐ型シリコン膜８上の透明導電膜９よりもエッチングされやすい。よってエッチングペースト２６として、結晶化していない透明導電膜１３やｎ型シリコン層１２、ｉ型シリコン層１１をエッチングし、結晶化している透明導電膜をエッチングしないような材料を選択することにより、ｐ型シリコン膜８上の透明導電膜９残すように透明導電膜１３、ｎ型シリコン膜１２、ｉ型シリコン膜１１のみを除去することができる。

つぎに、めっき処理を施すことにより、内面に沿って透明導電膜１３、ｎ型シリコン膜１２およびｉ型シリコン膜１１が形成された開口パターン２４の内部へのｎ型領域集電極１５の形成、および開口パターン２３の内部へのｐ型領域集電極１４の形成が同時に行われる。まず、Ｎｉ無電解めっきの前処理として、ｎ型半導体基板３がパラジウムを触媒とした液に浸漬される。パラジウム触媒は正イオンとして触媒液に分散しているため、酸化物である透明導電膜９および透明導電膜１３に吸着する。逆に、ｎ型半導体基板３における受光面側の表面に反射防止膜６として形成された窒化シリコン膜にはパラジウム触媒が付着しない。このため、ｎ型半導体基板３の裏面の透明導電膜９および透明導電膜１３にのみパラジウムを付着させることができる。なお、ｎ型半導体基板３の裏面のみをパラジウムを触媒とした液に浸してもよい。

つぎに、ｎ型半導体基板３が無電解Ｎｉめっき液に浸漬されることにより、パラジウム触媒が吸着したｎ型半導体基板３の裏面の透明導電膜９上および透明導電膜１３上に選択的にＮｉめっき膜が成長する。無電解Ｎｉめっきはたとえば温度７０℃で行われ、Ｎｉめっき膜の厚さが絶縁体フィルム１０の厚さよりも厚さが薄くなるように、Ｎｉめっき膜がたとえば約１μｍの厚さとなるように浸漬時間が調整される。これにより、透明導電膜９が露出した開口パターン２３内部、透明導電膜１３が露出した開口パターン２４の内部および絶縁体フィルム１０の上部領域にＮｉめっき膜が形成される。このとき、パラジウム触媒が吸着していない開口パターン２３内部の絶縁体フィルム１０の側壁にはＮｉは付着しない。

つぎに、ｎ型半導体基板３が硫酸銅系の電解Ｃｕめっき浴に浸漬されることにより、無電解Ｎｉめっき膜が形成された開口パターン２３および開口パターン２４のうちバス電極部分の各々に異なる直流電源に結線したマイナス電極を、アノード電極にプラス電極を接続し、電圧を印加して電解Ｃｕめっきを行う。これにより、Ｎｉめっき膜上にＣｕめっき膜が形成される。電界Ｃｕめっきは、たとえば１Ａ／ｄｍ²の電圧下で行われ、開口パターン２３においてＮｉめっき膜とＣｕめっき膜との合計の厚さが絶縁体フィルム１０の厚さよりも薄くなるように、Ｃｕめっき膜の厚さが絶縁体フィルム１０の表面より若干薄くなり絶縁体フィルム１０の上面からのＣｕめっき膜のはみ出しが無いような厚さに調整される。Ｃｕめっき膜は、たとえば約１５μｍの厚さとなるように浸漬時間が調整される。さらに、Ｃｕめっき膜の表面の酸化を防止するために、Ｃｕめっき膜の表面にＳｎの置換めっきを行う。

このようにしてＮｉめっき膜とＣｕめっき膜とＳｎめっき膜とが積層しためっき電極が形成される。これにより、ｐ型半導体接合領域１では、ｐ型領域集電極１４として開口パターン２３の内部に絶縁体フィルム１０よりも薄い膜厚で、すなわち表面が絶縁体フィルム１０の上面よりも低いめっき電極が形成される。絶縁体フィルム１０の厚さが２０μｍであるのに対して、ｐ型領域集電極１４は、約１５μｍの厚さとされる。このように、ｐ型領域集電極１４の厚さをパターニングされた絶縁体フィルム１０よりも薄くすることにより、開口パターン２３から横へのはみ出し無く、細いｐ型領域集電極１４を形成できる。なお、ここでは、ｐ型領域集電極１４とｎ型領域集電極１５とを同時に形成しているが、どちらか一方を先に形成してもよい。

また、ｎ型半導体接合領域２では、ｎ型領域集電極１５として開口パターン２４の内部領域を埋めるとともに該開口パターン２４に隣接する絶縁体フィルム１０上の領域にめっき電極が形成される。ここで、ｐ型領域集電極１４は開口パターン２３の内部に絶縁体フィルム１０の上面よりも低い膜厚で形成されるため、ｐ型領域集電極１４とｎ型領域集電極１５とは、絶縁体フィルム１０の段差により接触しない。なお、ここでは、ｐ型領域集電極１４の上面が絶縁体フィルム１０の上面よりも低くしているが、ｐ型領域集電極１４とｎ型領域集電極１５との構造を逆にして、ｎ型領域集電極１５の上面を絶縁体フィルム１０の上面よりも低くしてもよい。

なお、上記においては長波長側に吸収の無い透光性の絶縁体フィルム１０を用いたが、絶縁体フィルム内に光反射体や光散乱体の少なくとも一方を含むことによりこの絶縁体フィルム自体で、ｎ型半導体基板３の裏面に到達した長波長光を散乱、反射させてもよい。絶縁体フィルム１０の内部に長波長の光を散乱、反射する光散乱性材料を含む場合には、ｎ型半導体基板３および裏面側の半導体領域を通過した長波長の光を散乱、反射してｎ型半導体基板３内に再入射させることにより、太陽電池での光の吸収効率を高めることができる。

また、上記においては、感光性フィルムを絶縁体フィルム１０のパターニングフィルムとして用いたが、あらかじめ開口パターンがパターニングされている熱硬化性のシート状の樹脂絶縁体フィルムを熱圧着によりｎ型半導体基板３に接着してもよい。

また、上記においては、ｐ型半導体接合領域１のグリッド電極の幅を５００μｍ、ｎ型半導体接合領域２のグリッド電極の幅を５０μｍ、ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とを分離する分離部である絶縁体フィルム１０幅を５０μｍ、絶縁体フィルム１０の厚さを２０μｍとした。しかし、電極をめっきによるＣｕ電極とした場合には、絶縁体フィルム１０上に形成した電極領域を含むｐ型半導体接合領域１およびｎ型半導体接合領域２のそれぞれの集電極の電極断面積が６００μｍ^２以上であってｐ型領域集電極１４の厚さが絶縁体フィルム１０の厚さより薄い範囲であれば、電極幅、電極厚および絶縁体フィルム１０の厚さを任意に設定することができる。それぞれの集電極の電極断面積が６００μｍ^２未満の場合には、直列抵抗が増大して太陽電池の電流−電圧特性におけるフィルファクターが低下する。

この場合、ｐ型半導体接合領域１のｐ型領域集電極１４とｎ型半導体接合領域２のｎ型領域集電極１５とは、各々異なる大きさの電流を流すことにより各々の集電極に適した膜厚に調整することができる。ただし、絶縁体フィルム１０の厚さが厚い場合には写真製版によるパターニング性が低下するため、絶縁体フィルム１０の厚さは５μｍ〜５０μｍの範囲で形成することが好ましい。絶縁体フィルム１０の厚さが５μｍ以上であることにより、エッチングペーストやめっき膜の横への広がりを防止することができる。また、絶縁体フィルム１０の厚さが５０μｍ以下であることにより、写真製版でのパターニングが可能となる。

また、上記と同様の工程を通常用いられる液状レジストで行うことも想定できるが、液状レジストは通常酸耐性が無く、パターニング後の酸洗浄などに対して耐性を持たないため、塗布厚の減少を起こすなどの問題を生じる。また、液状レジストは、ＣＶＤ工程や電極の乾燥工程など、２００℃程度の温度環境下におかれると熱収縮を起こし、パターン形状の変化や、収縮による応力に起因した剥離が生じる。したがって、上述した実施の形態１にかかる太陽電池の構造およびその製造プロセスを実現するためには、上述した絶縁体フィルムを用いる必要がある。

また、上記において、ｐ型半導体接合領域１における構成とｎ型半導体接合領域２における構成とを入れ替えた構成とすることも可能である。

上述した実施の形態１においては、半導体基板上にはじめに形成した半導体膜上に、最終的に形成される電極より厚い厚さを有するとともに製造工程環境に耐性を有する透光性の絶縁体フィルムを形成し、各半導体接合領域に対応した開口パターンをこの絶縁体フィルムにパターニングする。この後は、絶縁体フィルムをエッチングペーストによるパターニングと組み合わせ、２つの半導体接合領域の形成、分離、集電極形成のためのパターニングの役割をこのフィルムが担うことにより、半導体接合領域および集電極のパターニングプロセスを簡略化することができる。

すなわち、絶縁体フィルム１０を広がり防止壁として用いることにより、エッチングペーストによる各半導体接合領域のパターニング時のエッチングペーストの滲みを抑制して、幅の細い半導体接合領域を精度良くパターニングして形成することができる。また、めっきによる集電極形成時のめっき膜の横への広がりを抑制して、幅が細く、厚さの厚い集電極を精度良くパターニングして形成することができる。また、絶縁体フィルム１０はｐ型領域集電極１４とｎ型領域集電極１５とを電気的に分離する。このため、ｐ型領域集電極１４とｎ型領域集電極１５との間に、電気的な分離に必要以上な広い間隔が不要である。

また、上述した実施の形態１においては、光反射率が高く配線抵抗が低いめっき電極であるｎ型領域集電極１５が絶縁体フィルム１０上にも形成されていることにより、ｎ型領域集電極１５の接触抵抗および配線抵抗を減らし、ｎ型半導体接合領域２の幅が狭くてもｎ型半導体接合領域２の集電極の直列抵抗を低減できる。

また、上述した実施の形態１においては、絶縁体フィルム１０をｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２との間の領域に残すことにより、光反射率が高く配線抵抗が低いめっき電極であるｎ型領域集電極１５が絶縁体フィルム１０の開口パターン２４の側壁および絶縁体フィルム１０上にも形成される。これにより、ｎ型領域集電極１５とその下層の透明導電膜１３との接触面積を大きくすることができ、ｎ型領域集電極１５の接触抵抗および配線抵抗を減らし、ｎ型半導体接合領域２の幅が狭くてもｎ型半導体接合領域２の集電極の直列抵抗を低減できる。

また、上述した実施の形態１においては、光反射率が高く配線抵抗が低いめっき電極であるｎ型領域集電極１５が絶縁体フィルム１０上にも形成されていることにより、受光面から入射して絶縁体フィルム１０を透過した光をこの絶縁体フィルム１０上のｎ型領域集電極１５によっても反射させることができる。これにより、ｎ型半導体基板３の裏面の全面での光反射光かが得られ、光吸収ロスを減らすことができ、高いフィルファクターと高い短絡電流を実現することができる。また、ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域１とは、絶縁体フィルム１０の段差により接触しないように形成されているため、シャント抵抗も高く保つことができる。

また、上述した実施の形態１においては、ｎ型半導体基板３の裏面は、絶縁体フィルム１０がｐ型の導電型の半導体膜の上に形成されており、バス電極、グリッド電極などの集電極が絶縁体フィルム１０を介して交互に配置された構造となるが、ｎ型半導体基板３の裏面におけるすべての領域がｐ型またはｎ型のうちのどちらかの導電型の半導体膜と集電極とに覆われている。すなわち、ｎ型半導体基板３の裏面の全面がパッシベーション層により覆われている。これにより、ｎ型半導体基板３の裏面において表面再結合速度の低い領域を作らず、ｎ型半導体基板３の裏面全面において再結合を抑制する効果が得られ、高い開放電圧と高い短絡電流を実現できる。

また、上述した実施の形態１においては、絶縁体フィルム１０の開口パターンの側面は、ｎ型半導体基板３の面方向に対して略垂直とされている。これにより、集電極の断面形状は、矩形性の良い四角形状となり、集電極の下部の透明導電膜との接触面積に対して断面積を大きく保つことができる。このため、同じ底面積であっても通常のめっきにより形成される半円形上や印刷による三角形状の断面形状の電極よりも配線抵抗を低く保つことができる。

したがって、実施の形態１によれば、電極厚より厚い絶縁体フィルムをｐ型およびｎ型の各半導体接合領域のパターニングおよび各領域の電極形成のパターニングに用いることにより、形成プロセスを簡略化することができる。また、配線抵抗や接触抵抗を犠牲にすることなく、たとえば１００μｍ以下の幅の狭い半導体接合領域および５０μｍ以下の幅の狭い集電極をたとえば５μｍ以上の厚さで精度良く形成することができる。また、ｎ型半導体基板３の裏面全面に集電極を形成することにより、ｎ型半導体基板３の裏面側での光の反射効率を高めることができる。これにより、光電変換効率に優れた裏面接合型のヘテロ接合太陽電池が得られる。

実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２にかかる光起電力装置である太陽電池の断面構造を模式的に示す図である。実施の形態２にかかる太陽電池の裏面構造は、実施の形態１にかかる太陽電池と共通である。図４は、図１−１の線分Ａ−Ａ’における要部断面図に対応する。なお、実施の形態１にかかる太陽電池と共通の部材については、実施の形態１と同じ符号を付すことで詳細な説明を省略する。本実施の形態では、一方の半導体膜を形成後に絶縁体フィルムを用いて一方の半導体接合領域および一方のペースト裏面電極のパターニング形成を行い、その後、絶縁体フィルムとエッチングとを組み合わせて他方の半導体接合領域および他方のペースト裏面電極のパターニング形成を行う例について示す。

実施の形態２にかかる太陽電池は、裏面接合型のヘテロ接合太陽電池であり、第１導電型の結晶系半導体基板であるｎ型半導体基板３を有する。ｎ型半導体基板３の受光面側の面には、微細凹凸からなるテクスチャー４が形成されている。テクスチャー４上には、テクスチャー４側から真性（ｉ型）シリコン膜およびｎ型半導体基板３と同じ導電型（ｎ型）のシリコン膜が積層された積層構造（図示せず）からなる受光面側電界層５と、反射防止膜６とがこの順で積層されている。

ｎ型半導体基板３の受光面と反対の面（裏面）側には、ｎ型半導体基板３と反対の導電型（ｐ型）の不純物ドープ半導体薄膜からなる半導体層を有するｐ型半導体接合領域１と、ｎ型半導体基板３と同じ導電型（ｎ型）の不純物ドープ半導体薄膜からなる半導体層を有するｎ型半導体接合領域２と、がそれぞれ櫛型形状に交互に配列されている。そして、ｎ型半導体基板３の裏面において、ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とは、櫛形形状においてそれぞれ櫛歯に相当する部分が１本ずつ交互に噛み合わさるようにストライプ状に配置されている。すなわち、ｐ型半導体接合領域１の櫛形形状において櫛歯に相当する領域の１本１本と、ｎ型半導体接合領域２の櫛形形状において櫛歯に相当する領域の１本１本とが１本ずつ交互に噛み合わさるように配置されている。

ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とは、ｎ型半導体基板３の裏面側における後述する金属薄膜３１上の全面に形成された透光性を有する絶縁体層である絶縁体フィルム１０により、それぞれ区画されている。すなわち、ｐ型半導体接合領域１は、絶縁体フィルム１０に設けられた開口パターン２３に対応している。ｎ型半導体接合領域２は、絶縁体フィルム１０に設けられた開口パターン２４に対応している。ｐ型半導体接合領域１およびｎ型半導体接合領域２のストライプ状の部分（櫛歯に相当する部分）では、ｐ型半導体接合領域１と絶縁体フィルム１０とｎ型半導体接合領域２とがこの順で交互に配置されている。

ｎ型半導体基板３の裏面の面内におけるｐ型半導体接合領域１および絶縁体フィルム１０の形成領域には、ｎ型半導体基板３の裏面上に真性（ｉ型）シリコン膜７、ｐ型シリコン膜８、透明導電膜９、金属薄膜３１がｐ型半導体接合領域１と同様の櫛形形状にこの順で積層されている。たとえば２００℃以下で焼成されるスクリーン印刷による電極は、電極は粒子状であり光反射率が低い。このため、金属薄膜３１は、たとえば２００℃以下で焼成されるスクリーン印刷による電極よりも反射率の高い金属薄膜であり、たとえば蒸着膜またはスパッタリング膜が用いられる。このような金属薄膜３１を備えることにより、ｎ型半導体基板３の裏面に到達した光をより有効に反射し、光閉じ込め効果の高い構造を形成できる。

また、絶縁体フィルム１０の直下の領域において、金属薄膜３１と透明導電膜９とが積層されていることにより、金属薄膜３１のみの場合に比べてｎ型半導体基板３の裏面に到達した光の光反射率をさらに向上させることができる。

そして、ｐ型半導体接合領域１では、ｐ型半導体接合領域１における各領域を電気的に結合し、発電された電力を各領域から集電して外部に取り出すためのｐ型領域集電極３３が金属薄膜３１上にｐ型半導体接合領域１と同様の櫛形形状に形成されている。ｐ型領域集電極３３は、ｐ型半導体接合領域１の櫛歯に相当する部分（ストライプ状の部分）にグリッド電極が、ｐ型半導体接合領域１の櫛歯の根本に相当する部分にバス電極が形成されている。ｐ型領域集電極３３は、スクリーン印刷により低温焼結型のＡｇペーストが印刷され、焼成されて形成されたペースト電極である。

また、金属薄膜３１上におけるｐ型領域集電極３３が設けられていない領域の全面には絶縁体フィルム１０が形成されている。ｐ型領域集電極３３は、絶縁体フィルム１０に設けられた開口パターン２３内に埋設されている。したがって、グリッド電極の横方向（幅方向）は、絶縁体フィルム１０の側面により制限されている。

また、絶縁体フィルム１０の開口パターン２３の側面は、ｎ型半導体基板３の面方向に対して略垂直とされている。これにより、ｐ型領域集電極３３の断面形状は、矩形性の良い四角形状となり、ｐ型領域集電極３３の下部の金属薄膜３１との接触面積に対して断面積を大きく保つことができる。このため、同じ底面積であっても通常のめっきにより形成される半円形上や印刷による三角形状の断面形状の電極よりも配線抵抗を低く保つことができる。

ｎ型半導体基板３の裏面の面内におけるｎ型半導体接合領域２では、絶縁体フィルム１０の開口パターン２４の内面の全面に沿って、ｉ型シリコン膜１１、ｎ型シリコン膜１２、透明導電膜１３、金属薄膜３２がこの順で積層された積層構造が形成されている。すなわち、ｎ型半導体基板３の裏面において真性（ｉ型）シリコン膜７、ｐ型シリコン膜８、透明導電膜９、金属薄膜３１が形成されていない領域には、該積層構造がｎ型半導体接合領域２と同様の櫛形形状に形成されている。たとえば２００℃以下で焼成されるスクリーン印刷による電極は、電極は粒子状であり光反射率が低い。このため、金属薄膜３２は、たとえば２００℃以下で焼成されるスクリーン印刷による電極よりも反射率の高い金属薄膜であり、たとえば蒸着膜またはスパッタリング膜が用いられる。このような金属薄膜３２を備えることにより、ｎ型半導体基板３の裏面に到達した光をより有効に反射し、光閉じ込め効果の高い構造を形成できる。

このように、ｎ型半導体基板３の裏面において、絶縁体フィルム１０の形成領域およびｐ型半導体接合領域１には真性（ｉ型）シリコン膜７が形成され、ｎ型半導体接合領域２には真性（ｉ型）シリコン膜１１が形成されることにより、ｎ型半導体基板３の裏面の全面がパッシベーション層により覆われている。これにより、ｎ型半導体基板３の裏面において表面再結合速度の低い領域を作らず、ｎ型半導体基板３の裏面全面において再結合を抑制する効果が得られ、高い開放電圧と高い短絡電流を実現できる。

そして、ｎ型半導体接合領域２では、ｎ型半導体接合領域２における各領域を電気的に結合し、発電された電力を各領域から集電して外部に取り出すためのｎ型領域集電極３４が金属薄膜３２上にｎ型半導体接合領域２と同様の櫛形形状に形成されている。ｎ型領域集電極３４は、ｎ型半導体接合領域２の櫛歯に相当する部分（ストライプ状の部分）にグリッド電極が、ｐ型半導体接合領域１の櫛歯の根本に相当する部分にバス電極が形成されている。ｎ型領域集電極３４は、スクリーン印刷により低温焼結型のＡｇペーストが印刷され、焼成されて形成されたペースト電極である。

この太陽電池においては反射防止膜６側が受光面とされ、太陽光が入射される。この太陽電池は、ｐ型領域集電極１４およびｎ型領域集電極３４が、太陽電池の裏面側にのみ配された裏面接合型のヘテロ接合太陽電池である。これにより、実施の形態２にかかる太陽電池は、受光面側のシャドーロスを抑制して光電変換効率の向上が図られている。

つぎに、このような実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法の一例について図５、図６−１〜図６−１５を参照して説明する。図５は、実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するためのフローチャートである。図６−１〜図６−１５は、実施の形態２にかかる太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。なお、図６−８〜図６−１５では、理解の容易のため図６−１〜図６−７と上下方向を逆にしている。

まず、図６−１〜図６−７およびステップＳ１０〜ステップＳ４０で示す工程を実施して、ｎ型半導体基板３のテクスチャー形成面に受光面側電界層５と反射防止膜６とがこの順で形成される（図６−７、ステップＳ４０）。なお、図６−１〜図６−７およびステップＳ１０〜ステップＳ４０で示す工程は、実施の形態１で図３−１〜図３−７を参照して説明したステップＳ１０〜ステップＳ４０の工程と同じである。

つぎに、ｎ型半導体基板３にＲＣＡ洗浄によるクリーニングが施される（ステップＳ５０）。そして、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｎ型半導体基板３における裏面に、ｉ型シリコン膜７として約２〜３ｎｍの膜厚の酸素ドープｉ型非晶質シリコン膜が形成される（図６−８、ステップＳ６０）。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：１０〜１００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５００〜１０００ｓｃｃｍ、炭酸ガス（ＣＯ_２）：５〜２０ｓｃｃｍとする。

続けて、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｉ型シリコン膜７が形成されたｎ型半導体基板３における裏面に、ｐ型シリコン膜８として約２０ｎｍの膜厚のｐ型非晶質シリコン膜が形成される（図６−８、ステップＳ７０）。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：５〜５０ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５００〜２０００ｓｃｃｍ、１％に水素希釈したジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）：１０〜５０ｓｃｃｍとする。

その後、ｎ型半導体基板３に対して、フォーミングガスである水素５％含有の不活性ガス雰囲気中において、２００℃で１０分間の熱処理が行われる。

つぎに、ｎ型半導体基板３においてｉ型シリコン膜７およびｐ型シリコン膜８が形成された裏面に、透明導電膜９としてたとえばスパッタリング法により約７０〜９０ｎｍの膜厚の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が形成される（図６−８、ステップＳ８０）。

さらに、ｎ型半導体基板３においてｉ型シリコン膜７、ｐ型シリコン膜８および透明導電膜９が形成された裏面に、金属薄膜３１としてたとえばスパッタリング法により約１００ｎｍの膜厚のＡｇ薄膜が形成される（図６−８、ステップＳ２１０）。

つぎに、ｎ型半導体基板３においてｉ型シリコン膜７、ｐ型シリコン膜８および透明導電膜９、金属薄膜３１が形成された裏面に、フィルムラミネータにより絶縁体フィルム１０として厚さ２０μｍの感光性フィルムが貼り付けられる（図６−９、ステップＳ２２０）。絶縁体フィルム１０のフィルム厚は、後の工程で形成されるスクリーン印刷によるＡｇ電極の厚さよりも厚いフィルム厚としてたとえば２０μｍとされている。感光性フィルムは、フォトレジストと同様に写真製版によりパターニングが可能なフィルムである。このパターニングが可能な感光性フィルムとしては、ｎ型半導体基板３における受光面、すなわちテクスチャー形成面から入射した光において、８００ｎｍ以降の長波長側に吸収の無い材料を用いることが好ましい。

つぎに、ｎ型半導体基板３の面内においてｐ型半導体接合領域１のパターンおよびｎ型半導体接合領域２のパターンに対応した開口パターンが写真製版により絶縁体フィルム１０に形成される（図６−１０、ステップＳ２３０）。まず、絶縁体フィルム１０に露光を施して、ｎ型半導体接合領域２に対応する幅５０μｍのグリッド電極のパターンおよび幅１μｍのバス電極のパターン、およびｐ型半導体接合領域１に対応する幅５００μｍのグリッド電極のパターンおよび幅１μｍのバス電極のパターンのパターンが転写される。

そして、絶縁体フィルム１０を現像液で現像することにより、ｐ型半導体接合領域１のパターンに対応した開口パターン２３と、ｎ型半導体接合領域２のパターンに対応した開口パターン２４とが絶縁体フィルム１０に形成される。ｎ型半導体基板３の裏面において、開口パターン２３および開口パターン２４は、それぞれ櫛形形状に交互に配列される。そして、開口パターン２３と開口パターン２４とは、櫛形形状においてそれぞれ櫛歯に相当する部分が１本ずつ交互に噛み合わさるようにストライプ状に配置される。すなわち、ストライプ状部分では、開口パターン２３の櫛形形状において櫛歯に相当する領域と、絶縁体フィルム１０と、開口パターン２４の櫛形形状において櫛歯に相当する領域とがこの順で交互に噛み合わさるように配置される。

ｐ型半導体接合領域１のパターンに対応した開口パターン２３と、ｎ型半導体接合領域２のパターンに対応した開口パターン２４とを分離する分離部である絶縁体フィルム１０幅はたとえば５０μｍとされる。開口パターン２３および開口パターン２４では、金属薄膜３１が露出する。

つぎに、ｎ型半導体基板３の裏面における開口パターン２３が形成された領域に、すなわち開口パターン２３において露出した金属薄膜３１上に、スクリーン印刷により低温焼結型のＡｇペーストを塗布し、２００℃で１時間焼成することにより、ｐ型領域集電極３３としてＡｇ電極が形成される（図６−１１、ステップＳ２４０）。ここで、ｐ型領域集電極３３の厚さは、絶縁体フィルム１０の厚さより薄くなるように印刷条件が調整される。

この際、Ａｇペーストは、掘り込み部である開口パターン２３に対する重ね合わせ精度を考慮して、開口パターン２３の幅よりも狭い幅で印刷する必要がある。ここで、Ａｇペースト印刷時の印刷スクリーンの開口部を絶縁体フィルム１０の開口パターン２３よりも狭くしておくことにより、Ａｇペーストの印刷位置が若干位置ずれを起こしても、絶縁体フィルム１０で囲まれた絶縁体フィルム１０の開口パターン２３領域内からはみ出すことがなく、またＡｇペーストが開口パターン２３領域内で広がることによって開口パターン２３の幅の細い領域を精度良く形成することができる。また、Ａｇペーストの印刷厚が開口パターン２３の深さを大きく超えないように、印刷版の乳剤厚や印刷条件を調整する必要がある。

つぎに、リン酸：硝酸＝１：４となるリン硝酸にｎ型半導体基板３を浸漬することにより、ｎ型半導体接合領域２のパターンに対応した開口パターン２４内の領域の金属薄膜３１（Ａｇ薄膜）がエッチング除去される。続けて、ｎ型半導体基板３をシュウ酸に浸漬することにより、開口パターン２４内の領域の透明導電膜９（ＩＴＯ膜）がエッチング除去される。

さらにフッ酸：硝酸＝１：１０となるフッ硝酸にｎ型半導体基板３を浸漬することにより、開口パターン２４内の領域のｐ型シリコン膜８（ｐ型非晶質シリコン膜）およびｉ型シリコン膜７（酸素ドープｉ型非晶質シリコン膜）をエッチング除去してｎ型半導体基板３の裏面の基板面を開口パターン２４内に露出させる（図６−１２、ステップＳ２５０）。なお、金属薄膜３１（Ａｇ薄膜）をエッチングする工程において、ｐ型半導体接合領域１に形成されたｐ型領域集電極３３としてのＡｇ電極は若干エッチングされるが、このＡｇ電極は金属薄膜３１（Ａｇ薄膜）に比べて極端に厚いため、エッチングされる量は無視できる。

つぎに、開口パターン２４内に露出したｎ型半導体基板３の裏面の基板面にＲＣＡ洗浄によるクリーニングが施される（ステップＳ２６０）。そして、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｎ型半導体基板３における裏面の全面に、ｉ型シリコン膜１１として約２〜３ｎｍの膜厚の酸素ドープｉ型非晶質シリコン膜が形成される（図６−１３、ステップＳ２７０）。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：１０〜１００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５００〜１０００ｓｃｃｍ、炭酸ガス（ＣＯ_２）：５〜２０ｓｃｃｍとする。

続けて、プラズマＣＶＤチャンバにおいて、ｉ型シリコン膜１１が形成されたｎ型半導体基板３における裏面の全面に、ｎ型シリコン膜１２として約２０ｎｍの膜厚のｎ型非晶質シリコン膜が形成される（図６−１３、ステップＳ２８０）。成膜条件は、たとえばＲＦ出力２０〜１００ｍＷ/ｃｍ^２、基板温度１００〜２００℃、ガス圧４００〜６００Ｐａの雰囲気下で、反応ガスの流量をシラン（ＳＨ_４）：５〜５０ｓｃｃｍ、水素（Ｈ_２）：５００〜２０００ｓｃｃｍ、１％に水素希釈したホスフィン（ＰＨ_３）：１０〜５０ｓｃｃｍとする。

その後、フォーミングガス、たとえば水素５％含有の不活性ガス雰囲気中において、２００℃で１０分間の熱処理を行う。

つぎに、ｎ型半導体基板３においてｉ型シリコン膜１１およびｎ型シリコン膜１２が形成された裏面の全面に、透明導電膜１３としてたとえばスパッタリング法により約７０〜９０ｎｍの膜厚の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が形成される（図６−１３、ステップＳ２９０）。

さらに、ｎ型半導体基板３においてｉ型シリコン膜１１、ｎ型シリコン膜１２および透明導電膜１３が形成された裏面の全面に、金属薄膜３２としてたとえばスパッタリング法により約１００ｎｍの膜厚のＡｇ薄膜が形成される（図６−１３、ステップＳ３００）。

つぎに、ｎ型半導体基板３の裏面においてｉ型シリコン膜１１、ｎ型シリコン膜１２、透明導電膜１３および金属薄膜３２が積層形成された開口パターン２４内に、スクリーン印刷により低温焼結型のＡｇペーストを塗布し、２００℃で１時間焼成することにより、ｎ型領域集電極３４としてＡｇ電極が形成される（図６−１４、ステップＳ３１０）。

この際、Ａｇペーストは開口パターン２３に接触しなければ開口パターン２４からはみ出して絶縁体フィルム１０上に形成されてもよい。開口パターン２４からはみ出して形成された場合にはＡｇペーストの断面積を増加させることができるため、開口パターン２４が狭い場合であっても配線抵抗によるフィルファクターの増加を防ぐことができる。

つぎに、リン酸：硝酸＝１：４となるリン硝酸にｎ型半導体基板３を浸漬することにより、ｐ型半導体接合領域１上および絶縁体フィルム１０上の金属薄膜３２（Ａｇ薄膜）がエッチング除去される。続けて、ｎ型半導体基板３をシュウ酸に浸漬することにより、ｐ型半導体接合領域１上および絶縁体フィルム１０上の透明導電膜１３（ＩＴＯ膜）がエッチング除去される。

さらにフッ酸：硝酸＝１：１０となるフッ硝酸にｎ型半導体基板３を浸漬することにより、ｐ型半導体接合領域１上および絶縁体フィルム１０上のｎ型シリコン膜１２（ｎ型非晶質シリコン膜）とｉ型シリコン膜１１（酸素ドープｉ型非晶質シリコン膜）とをエッチング除去してｐ型半導体接合領域１に形成されたｐ型領域集電極３３、および絶縁体フィルム１０を露出させる（図６−１５、ステップＳ３２０）。

ここで、絶縁体フィルム１０とｐ型領域集電極３３とがエッチングマスクとして用いられる。金属薄膜３２（Ａｇ薄膜）、透明導電膜１３（ＩＴＯ膜）、ｎ型シリコン膜１２（ｎ型非晶質シリコン膜）、ｉ型シリコン膜１１（酸素ドープｉ型非晶質シリコン膜）をパターニングする際に、厚さの厚いスクリーン印刷によるｐ型領域集電極３３をエッチングマスクとすることにより、保護レジスト等を用いることなく簡単なプロセスでパターニングが可能である。

なお、金属薄膜３２（Ａｇ薄膜）をエッチングする工程において、ｎ型半導体接合領域２に形成されたｎ型領域集電極３４としてのＡｇ電極は若干エッチングされるが、このＡｇ電極は金属薄膜３２（Ａｇ薄膜）に比べて極端に厚いため、エッチングされる量は無視できる。

なお、上記においては、長波長側に吸収の無い絶縁体フィルム１０を用いるとともに、ｐ型半導体接合領域１、およびｎ型半導体接合領域２の両方にスパッタリングによるＡｇ薄膜を用いたが、スクリーン印刷によるＡｇ電極として光反射率の高いものを用いた場合はこのＡｇ薄膜の形成を省略することができる。ただし、この場合は絶縁体フィルム１０の形成領域には光反射体が無く、光が透過してしまう。このため、絶縁体フィルム１０内に光反射体や光散乱体の少なくとも一方を含むことにより、絶縁体フィルム１０自体でｎ型半導体基板３の裏面に到達した長波長光を散乱、反射させることが好ましい。これにより、ｎ型半導体基板３および裏面側の半導体領域を通過した長波長の光を絶縁体フィルム１０で散乱、反射してｎ型半導体基板３内に再入射させることにより、太陽電池での光の吸収効率を高めることができる。

また、上記においては、感光性フィルムを絶縁体フィルム１０のパターニングフィルムとして用いたが、初めから開口パターンがパターニングされている絶縁体フィルムを熱圧着によりｎ型半導体基板３に接着してもよい。

また、上記においては、ｐ型半導体接合領域１のグリッド電極の幅を５００μｍ、ｎ型半導体接合領域２のグリッド電極の幅を１００μｍ、ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とを分離する分離部である絶縁体フィルム１０の幅を５０μｍ、絶縁体フィルム１０の厚さを２０μｍとした。しかし、電極をＡｇペーストによる電極とした場合には、ｐ型半導体接合領域１およびｎ型半導体接合領域２のそれぞれの集電極の電極断面積が１６００μｍ^２以上であってｐ型領域集電極１４の厚さが絶縁体フィルム１０の厚さより薄い範囲であれば、電極幅、電極厚および絶縁体フィルム１０の厚さを任意に設定することができる。それぞれの集電極の電極断面積が１６００μｍ^２未満の場合には、直列抵抗が増大して太陽電池の電流−電圧特性におけるフィルファクターが低下する。

ただし、絶縁体フィルム１０の厚さが厚い場合には写真製版によるパターニング性が低下するため、絶縁体フィルム１０の厚さは５μｍ〜５０μｍの範囲で形成することが好ましい。絶縁体フィルム１０の厚さが５μｍ以上であることにより、Ａｇペーストの横への広がりを防止することができる。また、絶縁体フィルム１０の厚さが５０μｍ以下であることにより、写真製版でのパターニングが可能となる。

また、絶縁体フィルム１０の下部においてはｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２とが接触する部分があるが、ｎ型半導体接合領域２の金属薄膜３１（Ａｇ薄膜）膜除去時（図６−１２、ステップＳ２５０）にオーバーエッチングを施すことにより、絶縁体フィルム１０下の金属薄膜３１（Ａｇ薄膜）とｎ型半導体接合領域２のシリコン薄膜との接触を防ぐことができる。

また、上記において、ｐ型半導体接合領域１における構成とｎ型半導体接合領域２における構成とを入れ替えた構成とすることも可能である。

上述した実施の形態２においては、実施の形態１と同様に半導体基板上にはじめに形成した半導体膜上に、最終的に形成される電極より厚い厚さを有するとともに製造工程環境に耐性を有する透光性の絶縁体フィルムを形成し、各半導体接合領域に対応した開口パターンをこの絶縁体フィルムにパターニングする。この後は、絶縁体フィルムとＡｇの印刷電極をマスクとしたエッチングによるパターニングと組み合わせ、半導体接合領域の形成、分離、集電極形成のためのパターニングの役割をこのフィルムが担うことにより、半導体接合領域および集電極のパターニングプロセスを簡略化することができる。

すなわち、絶縁体フィルム１０を広がり防止壁として用いることにより、エッチングによる半導体接合領域のパターニング時のエッチング領域の横への広がりを抑制して、幅の細い半導体接合領域を精度良くパターニングして形成することができる。また、スクリーン印刷による集電極形成時のペーストの横への広がりを抑制して、幅が細く、厚さの厚い集電極を精度良くパターニングして形成することができる。また、絶縁体フィルム１０はｐ型領域集電極３３とｎ型領域集電極３４とを電気的に分離する。このため、ｐ型領域集電極３３とｎ型領域集電極３４との間に、電気的な分離に必要以上な広い間隔が不要である。

また、上述した実施の形態２においては、実施の形態１と同様にｎ型半導体基板３の裏面は、絶縁体フィルム１０がｐ型の導電型の半導体膜の上に形成されており、バス電極、グリッド電極などの集電極が絶縁体フィルム１０を介して交互に配置された構造となるが、ｎ型半導体基板３の裏面におけるすべての領域がｐ型またはｎ型のうちのどちらか導電型の半導体膜と集電極とに覆われている。すなわち、ｎ型半導体基板３の裏面の全面がパッシベーション層により覆われている。これにより、ｎ型半導体基板３の裏面において表面再結合速度の低い領域を作らず、ｎ型半導体基板３の裏面全面において再結合を抑制する効果が得られ、高い開放電圧と高い短絡電流を実現できる。

また、上述した実施の形態２においては、実施の形態１と同様に絶縁体フィルム１０の開口パターンの側面は、ｎ型半導体基板３の面方向に対して略垂直とされている。これにより、集電極の断面形状は、矩形性の良い四角形状となり、集電極の下部の透明導電膜との接触面積に対して断面積を大きく保つことができる。このため、同じ底面積であっても通常のめっきにより形成される半円形上や印刷による三角形状の断面形状の電極よりも配線抵抗を低く保つことができる。

そして、上述した実施の形態２においては、絶縁体フィルム１０の形成領域、ｐ型半導体接合領域１、ｎ型半導体接合領域２のほぼ全面にスパッタリングによる金属薄膜（Ａｇ薄膜）が形成されていることにより、受光面から入射して絶縁体フィルム１０を透過した光をこの金属薄膜（Ａｇ薄膜）により反射させることができるため、光吸収ロスを減らすことができ、高いフィルファクターと高い短絡電流を実現することができる。また、ｐ型半導体接合領域１とｎ型半導体接合領域２との集電極は、絶縁体フィルム１０の段差により接触しないように形成されているため、シャント抵抗も高く保つことができる。

したがって、実施の形態２によれば、電極厚より厚い絶縁体フィルムをｐ型およびｎ型の各半導体接合領域のパターニングおよび各領域の電極形成のパターニングに用いることにより、形成プロセスを簡略化することができる。また、配線抵抗や接触抵抗を犠牲にすることなく、たとえば１００μｍ以下の幅の狭い半導体接合領域および５０μｍ以下の幅の狭い集電極をたとえば５μｍ以上の厚さで精度良く形成することができる。また、ｎ型半導体基板３の裏面全面に集電極を形成することにより、ｎ型半導体基板３の裏面側での光の反射効率を高めることができる。これにより、光電変換効率に優れた裏面接合型のヘテロ接合太陽電池が得られる。

また、上記の実施の形態で説明した構成を有する太陽電池セルを複数形成し、隣接する太陽電池セル同士を電気的に直列または並列に接続することにより、良好な光閉じ込め効果を有し、光電変換効率に優れた太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、たとえば隣接する太陽電池セルの一方のｐ型領域集電極１４と他方のｎ型領域集電極１５とを電気的に接続すればよい。

以上のように、本発明にかかる光起電力装置は、簡略な形成プロセスにより製造可能であり光電変換効率に優れた裏面接合型のヘテロ接合光起電力装置の実現に有用である。

１ ｐ型半導体接合領域、２ ｎ型半導体接合領域、３ ｎ型半導体基板、４ テクスチャー、５ 受光面側電界層、６ 反射防止膜、７ 真性（ｉ型）シリコン膜、８ ｐ型シリコン膜、９ 透明導電膜、１０ 絶縁体フィルム、１１ ｉ型シリコン膜、１２ ｎ型シリコン膜、１３ 透明導電膜、１４ ｐ型領域集電極、１５ ｎ型領域集電極、２１ スライスダメージ層、２２ エッチング保護膜、２３ 開口パターン、２４ 開口パターン、２５ エッチングペースト、２６ エッチングペースト、３１ 金属薄膜、３２ 金属薄膜、３３ ｐ型領域集電極、３４ ｎ型領域集電極。

Claims (16)

1. 第２導電型の結晶系半導体基板の受光面と反対側の裏面上に、第１真性半導体膜と第１導電型の第１半導体膜と第１集電極とをこの順で有する第１導電型半導体接合領域と、第２真性半導体膜と第２導電型の第２半導体膜と第２集電極とを前記第１導電型半導体接合領域と異なる領域にこの順で有する第２導電型半導体接合領域と、を備えた光起電力装置であって、
   前記結晶系半導体基板の裏面の面内において、前記第１導電型半導体接合領域と、前記第１導電型半導体接合領域と前記第２導電型半導体接合領域とを分離する絶縁体層と、前記第２導電型半導体接合領域とがこの順で隣接して交互に配置され、
   前記第１集電極および前記第２集電極が、それぞれ隣接する２つの前記絶縁体層間に挟まれるとともに、前記第１集電極および前記第２集電極の少なくとも一方の上面が前記絶縁体層の上面よりも低いこと、
   を特徴とする光起電力装置。
2. 前記結晶系半導体基板の裏面と前記絶縁体層との間に、前記第１真性半導体膜と前記第１半導体膜との積層構造または前記第２真性半導体膜と前記第２半導体膜との積層構造が、形成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載の光起電力装置。
3. 前記第２導電型半導体接合領域の幅が前記第１導電型半導体接合領域との幅よりも狭く、
   前記第２真性半導体膜と前記第２半導体膜と前記第２集電極とが、前記結晶系半導体基板の裏面上から前記第２導電型半導体接合領域に隣接する前記絶縁体層の側面までを覆っていること、
   を特徴とする請求項１または２に記載の光起電力装置。
4. 前記絶縁体層が透光性を有し、
   前記第２真性半導体膜と前記第２導電型の第２半導体膜と前記第２集電極とが、前記絶縁体層の側面から前記隣接する前記絶縁体層の上面まで延在して覆っていること、
   を特徴とする請求項３に記載の光起電力装置。
5. 前記第１集電極および前記第２集電極のうち少なくとも一方が、前記第２半導体膜側から、ペースト金属電極よりも反射率の高い金属薄膜とペースト金属電極とが積層された積層構造を有すること、
   を特徴とする請求項１または２に記載の光起電力装置。
6. 前記金属薄膜が、蒸着膜またはスパッタリング膜であること、
   を特徴とする請求項５に記載の光起電力装置。
7. 前記金属薄膜が、前記結晶系半導体基板の裏面と前記絶縁体層との間に形成されていること、
   を特徴とする請求項５または６に記載の光起電力装置。
8. 前記金属薄膜と、その下層の前記第１半導体膜または前記第２半導体膜との間に、透明導電膜が形成されていること、
   を特徴とする請求項５〜７のいずれか１つに記載の光起電力装置。
9. 前記絶縁体層が、波長が８００ｎｍ以降の長波長の光を反射する光反射体、または波長が８００ｎｍ以降の長波長の光を散乱する光散乱体の少なくとも一方を内部に含むこと、
   を特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の光起電力装置。
10. 前記絶縁体層の厚さが５μｍ以上５０μｍ以下であること、
    を特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の光起電力装置。
11. 第２導電型の結晶系半導体基板の受光面と反対側の裏面上に、第１真性半導体膜と第１導電型の第１半導体膜と第１集電極とをこの順で有する第１導電型半導体接合領域と、第２真性半導体膜と第２導電型の第２半導体膜と第２集電極とを前記第１導電型半導体接合領域と異なる領域にこの順で有する第２導電型半導体接合領域と、を形成する光起電力装置の製造方法であって、
    前記結晶系半導体基板の裏面に前記第１真性半導体膜を形成する第１工程と、
    前記第１真性半導体膜上に前記第１導電型の第１半導体膜を形成する第２工程と、
    前記結晶系半導体基板の裏面の面内において前記第１導電型半導体接合領域に対応する第１開口パターンと、前記第２導電型半導体接合領域に対応する第２開口パターンとを有する絶縁体層を前記第１半導体膜上に、前記第１開口パターンと前記絶縁体層と前記第２開口パターンとがこの順で隣接するように形成する第３工程と、
    前記第２導電型半導体接合領域に対応する前記第２開口パターン内にエッチングペーストを塗布して該第２開口パターンの領域の前記第１半導体膜および前記第１真性半導体膜を除去することにより、前記第１半導体膜および前記第１真性半導体膜をパターニングする第４工程と、
    を含み、
    前記第４工程の後に、前記第２開口パターン内に露出した前記結晶系半導体基板の裏面上に、前記第２真性半導体膜と前記第２半導体膜とを介して前記第２集電極を形成する第５工程を含み、
    前記第４工程の後から前記第５工程の後のいずれかのタイミングで前記第１開口パターン内の前記第１半導体膜上に前記第１集電極を形成する第６工程を含み、
    前記第１集電極および前記第２集電極のうち少なくとも一方の上面を前記絶縁体層の上面よりも低くすること、
    を特徴とする光起電力装置の製造方法。
12. 前記第１集電極および前記第２集電極のうち少なくとも一方が、めっきにより形成されること、
    を特徴とする請求項１１に記載の光起電力装置の製造方法。
13. 第２導電型の結晶系半導体基板の受光面と反対側の裏面上に、第１真性半導体膜と第１導電型の第１半導体膜と第１集電極とをこの順で有する第１導電型半導体接合領域と、第２真性半導体膜と第２導電型の第２半導体膜と第２集電極とを前記第１導電型半導体接合領域と異なる領域にこの順で有する第２導電型半導体接合領域と、を形成する光起電力装置の製造方法であって、
    前記結晶系半導体基板の裏面に前記第１真性半導体膜を形成する第１工程と、
    前記第１真性半導体膜上に前記第１導電型の第１半導体膜を形成する第２工程と、
    前記結晶系半導体基板の裏面の面内において前記第１導電型半導体接合領域に対応する第１開口パターンと、前記第２導電型半導体接合領域に対応する第２開口パターンとを有する絶縁体層を前記第１半導体膜上に、前記第１開口パターンと前記絶縁体層と前記第２開口パターンとがこの順で隣接するように形成する第３工程と、
    前記第２導電型半導体接合領域に対応する前記第２開口パターンの領域の前記第１半導体膜および前記第１真性半導体膜を除去することにより、前記第１半導体膜および前記第１真性半導体膜をパターニングする第４工程と、
    前記第１開口パターン内の前記第１半導体膜上に前記第１集電極を形成する第７工程と、
    を含み、
    前記第４工程および前記第７工程の後に、前記第２開口パターン内に露出した前記結晶系半導体基板の裏面上に、前記第２真性半導体膜と前記第２半導体膜とを介して前記第２集電極を形成する第８工程を含み、
    少なくとも前記第１集電極がペースト状金属のスクリーン印刷および焼結により形成され、
    前記第１集電極および前記第２集電極のうち少なくとも一方の上面が前記絶縁体層の上面よりも低くされ、
    前記第８工程では、前記結晶系半導体基板の裏面の全面に前記第２真性半導体膜と前記第２半導体膜とをこの順で形成した後に前記第２開口パターン内に前記第２集電極を形成し、さらに前記絶縁体層および前記第１集電極をエッチングマスクとして前記第２開口パターン内以外の前記第２真性半導体膜と前記第２半導体膜とをエッチング除去すること、
    を特徴とする光起電力装置の製造方法。
14. 前記絶縁体層が、光硬化性または光軟化性を有し、
    前記第３工程では、前記第１半導体膜上に配置された前記絶縁体層に対して直接写真製版によりパターニングして前記第１開口パターンおよび前記第２開口パターンを形成すること、
    を特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の光起電力装置の製造方法。
15. 前記第３工程では、あらかじめ前記第１開口パターンおよび前記第２開口パターンがパターニングされた熱硬化性樹脂からなるシート状の前記絶縁体層が熱圧着により前記第１半導体膜上に貼着されること、
    を特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１つに記載の光起電力装置の製造方法。
16. 請求項１〜１０のいずれか１つに記載の光起電力装置の少なくとも２つ以上が電気的に直列または並列に接続されてなること、
    を特徴とする光起電力モジュール。

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