JP2009206375A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】太陽電池10において、p側電極15は、第1絶縁層13に形成された第1溝部13aに配設されてp型領域11aと接触しており、n側電極16は、第2絶縁層14に形成された第2溝部14aに配設されてn型領域11bに接触する。
【選択図】図2
Description
本発明の実施形態に係る太陽電池10の構成について、図面を参照しながら説明する。
次に、太陽電池10の製造方法について、図3〜5を参照しながら説明する。なお、各図(a)は、半導体基板11を裏面側から見た平面図である。各図(b)は、各図(a)の基準線における断面図である。
まず、半導体基板11をインゴットからスライスした際に表面に形成されたダメージ、及び表面に付着した汚れ(金属、有機物)を除去するため、酸溶液またはアルカリ溶液を用いて半導体基板11の表面を洗浄する。また、これにより、半導体基板11の受光面及び裏面にテクスチャーを形成する。
次に、半導体基板11の受光面上に、反射防止層を形成する。
次に、図4に示すように、パッシベーション層12において、第1絶縁層13を第1方向に沿って形成する。第1絶縁層13は、例えば、インクジェット法を用いて、アクセプタを含む有機系樹脂などを塗布することにより形成できる。
次に、第1絶縁層13及び第2絶縁層14それぞれの第2方向中央にレーザ光を照射し、第1方向に沿ってレーザ光を走査する。
次に、導電性材料を、第1溝部13a、第2溝部14a及びパッシベーション層溝部12aに配設する。導電性材料としては、例えば、樹脂型或いは焼結型の銀ペーストを用いることができる。導電性材料の配設には、例えば、スクリーン印刷法、ディスペンサー法、或いはインクジェット法などを用いることができる。
本実施形態に係る太陽電池10において、p側電極15は、第1溝部13aに配設され、p型領域11aと接触する。また、n側電極16は、第2溝部14aに配設され、n型領域11bと接触する。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
11…半導体基板
11a…p型領域
11b…n型領域
12…パッシベーション層
12a…パッシベーション層溝部
13…第1絶縁層
13a…第1溝部
14…第2絶縁層
14a…第2溝部
15…p側電極
16…n側電極
Claims (7)
- 光を受ける受光面と前記受光面の反対側に設けられる裏面とを有し、前記裏面側において所定の方向に沿ってそれぞれ形成される一導電型領域と他導電型領域とを含む半導体基板と、
前記一導電型領域上に配設され、前記所定の方向に沿って形成された溝部を有する絶縁層と、
前記一導電型領域上に形成され、前記一導電型領域と接触する一導電側電極と、
前記他導電型領域上に形成され、前記他導電型領域と接触する他導電側電極と
を備え、
前記一導電側電極は、前記溝部に配設され、
前記絶縁層は、前記半導体基板への拡散により前記一導電型領域を形成する一導電型不純物を含む
ことを特徴とする太陽電池。 - 前記他導電型領域上に配設され、前記所定の方向に沿って形成された他の溝部を有する他の絶縁層を備え、
前記他導電側電極は、前記他の溝部に配設され、
前記他の絶縁層は、前記半導体基板への拡散により前記他導電型領域を形成する他導電型不純物を含む
ことを特徴とする太陽電池。 - 前記所定の方向に略直交する方向において、前記溝部の幅は、前記半導体基板から離れるほど大きい
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記一導電側電極は、前記溝部から前記絶縁層上に跨って配設される
ことを特徴とする請求項1又は3に記載の太陽電池。 - 前記裏面のうち前記一導電側電極及び前記他導電側電極それぞれが形成される領域を除いた領域は、絶縁性を有するパッシベーション層によって覆われており、
前記絶縁層は、前記パッシベーション層上に形成される
ことを特徴とする請求項1、3〜4の何れかに記載の太陽電池。 - 光を受ける受光面と前記受光面の反対側に設けられた裏面とを有する半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、
前記裏面上において、一導電型不純物を含む絶縁層を所定の方向に沿って形成する工程と、
前記絶縁層にレーザ光を前記所定の方向に沿って照射することにより、前記絶縁層に溝部を形成する工程と、
前記溝部に導電性材料を配設する工程と
を備え、
前記溝部を形成する工程において、前記一導電型不純物は、前記半導体基板の前記裏面側に拡散される
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記裏面上において、他導電型不純物を含む他の絶縁層を所定の方向に沿って形成する工程と、
前記他の絶縁層にレーザ光を前記所定の方向に沿って照射することにより、前記他の絶縁層に他の溝部を形成する工程と、
前記他の溝部に導電性材料を配設する工程と
を備え、
前記他の溝部を形成する工程において、前記他導電型不純物は、前記半導体基板の前記裏面側に拡散される
ことを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。
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