JP2010283408A - 太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る太陽電池は、半導体基板の裏面に第1及び第2導電型の半導体層を備える裏面接合型の太陽電池であって、前記半導体層の表面側に設けられた絶縁層及び電極層を有し、前記半導体層の表面の全面は前記絶縁層及び電極層で覆われる。
【選択図】図2
Description
(太陽電池の構成)
本発明の実施形態に係る太陽電池10の構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る太陽電池10の裏面側の平面図である。図2は、図1のA−A線における断面図である。なお、図1では、p側電極層20a及びn側電極層20bの本数及びサイズを模式的に示している。
(太陽電池の製造方法)
次に、太陽電池10の製造方法について、図3〜8を参照しながら説明する。
(作用及び効果)
本実施形態に係る太陽電池10は、第1半導体層12の両隣に配設される一対の第2半導体層14と、一方の第2半導体層14上から第1半導体層12上まで跨って形成される絶縁層16と、他方の第2半導体層14上から第1半導体層12上まで跨って形成される絶縁層16とを備える。透明電極層18及び収集電極層20は、絶縁層16上において第1方向に沿って形成される一対の分離溝30によって分離される。
(その他の実施形態)
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
11…半導体基板
12…第1半導体層
14…第2半導体層
16…絶縁層
18…透明電極層
20…収集電極層
20a…p側電極層
20b…n側電極層
30…分離溝
Claims (10)
- 半導体基板の裏面に第1及び第2導電型の半導体層を備える裏面接合型の太陽電池であって、前記半導体層の表面側に設けられた絶縁層及び電極層を有し、前記半導体層の表面の全面は前記絶縁層及び電極層で覆われる、太陽電池。
- 前記半導体基板の裏面の最表面は前記絶縁層及び電極層から構成される、請求項1記載の太陽電池。
- 前記電極層は金属を含む、請求項1または2に記載の太陽電池。
- 前記電極層は前記第1導電型及び第2導電型の半導体層の夫々に対応して設けられ、
前記第1導電型半導体層に対応して設けられた電極層と第2導電型半導体層に対応して設けられた電極層との間の分離部に位置する前記半導体層の表面は前記絶縁層で覆われる、請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池。 - 前記絶縁層は前記電極層と前記半導体層との間に位置する、請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記絶縁層は前記第1及び第2の半導体層の表面に跨って設けられている、請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記第1導電型半導体層に対応して設けられた電極層と第2導電型半導体層に対応して設けられた電極層との間の分離部は、前記第1及び第2導電型の半導体層のうち前記半導体基板との間でpn接合を形成する一方の半導体層の上に位置する、請求項1乃至6のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記第1及び第2導電型の半導体層の夫々は所定の方向に沿ってライン状に交互に設けられており、前記第1及び第2導電型の半導体層のうち前記半導体基板との間でpn接合を形成する一方の半導体層の前記半導体基板との接触幅は、他方の半導体層の前記半導体基板との接触幅より大きい、請求項1乃至7のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記半導体基板はn型の単結晶シリコンからなり、前記第1及び第2導電型の半導体層は非晶質シリコンからなる、請求項1乃至8のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記半導体基板の前記裏面と反対側の面から光が入射される、請求項1乃至9のいずれかに記載の太陽電池。
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