JP5820265B2 - 裏面電極型太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の裏面電極型太陽電池は、半導体基板の裏面側に設けられた第1導電型の非晶質半導体層と、半導体基板の裏面側に、第1導電型の非晶質半導体層と接することなくi型非晶質半導体層を介して一部重複するように設けられた第2導電型の非晶質半導体層と、第1導電型の非晶質半導体層上に、絶縁層を介在することなく設けられた第1電極と、第2導電型の非晶質半導体層上に、絶縁層を介在することなく設けられた第2電極と、第1電極と第2導電型の非晶質半導体層とが接触せずに第1電極と第2電極とを分離するように、第1導電型の非晶質半導体層と第2導電型の非晶質半導体層との重複領域の少なくとも一部上に設けられた分離部とを備え、第1導電型の非晶質半導体層と第2導電型の非晶質半導体層との間に、i型非晶質半導体層とは別に絶縁層を介在しておらず、分離部の一方の側面を構成する第1電極の端面と角を成す該第1電極の面が端部で第1導電型の非晶質半導体層に接しており、分離部の他方の側面を構成する第2電極の端面と角を成す該第2電極の面が端部で第2導電型の非晶質半導体層に接している。
材、11 裏面電極型太陽電池、61 n型用透明電極、62 p型用透明電極、71 n型用金属電極、72 p型用金属電極、81 n型用電極、82 p型用電極、91 遮蔽板、92 遮蔽板。
Claims (7)
- 半導体基板の裏面の一部に、i型非晶質半導体層及び第1導電型の非晶質半導体層を積層する第1工程と、
前記第1導電型の非晶質半導体層に一部重複させて、絶縁層を形成することなく、i型非晶質半導体層及び第2導電型の非晶質半導体層を積層する第2工程と、
前記第1導電型の非晶質半導体層及び前記第2導電型の非晶質半導体層上に、絶縁層を形成することなく、電極を形成する第3工程と、
前記第1導電型の非晶質半導体層と前記第2導電型の非晶質半導体層の重複領域の上方の、前記電極をウエットエッチングで除去する第4工程を備えた裏面電極型太陽電池の製造方法。 - 前記第4工程は、フォトリソグラフィ法により行われる請求項1に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
- 前記第1導電型は、n型である請求項1または2に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
- 前記第3工程は、スパッタリング法により透明電極を形成し、蒸着法により前記透明電極上に金属電極を形成する請求項1〜3のいずれかに記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
- 前記第1工程及び前記第2工程の処理温度は、他の工程の処理温度よりも高い請求項1〜4のいずれかに記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
- 前記第1工程及び前記第2工程の処理温度は、120℃〜200℃である請求項5に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
- 半導体基板の裏面側に設けられた第1導電型の非晶質半導体層と、
前記半導体基板の裏面側に、前記第1導電型の非晶質半導体層と接することなくi型非晶質半導体層を介して一部重複するように設けられた第2導電型の非晶質半導体層と、
前記第1導電型の非晶質半導体層上に、絶縁層を介在することなく設けられた第1電極と、
前記第2導電型の非晶質半導体層上に、絶縁層を介在することなく設けられた第2電極と、
前記第1電極と前記第2導電型の非晶質半導体層とが接触せずに前記第1電極と前記第2電極とを分離するように、前記第1導電型の非晶質半導体層と前記第2導電型の非晶質半導体層との重複領域の少なくとも一部上に設けられた分離部とを備え、
前記第1導電型の非晶質半導体層と前記第2導電型の非晶質半導体層との間に、前記i型非晶質半導体層とは別に絶縁層を介在しておらず、
前記分離部の一方の側面を構成する前記第1電極の端面と角を成す該第1電極の面が端部で前記第1導電型の非晶質半導体層に接しており、前記分離部の他方の側面を構成する前記第2電極の端面と角を成す該第2電極の面が端部で前記第2導電型の非晶質半導体層に接している裏面電極型太陽電池。
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