JP2008021993A - 全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法 - Google Patents

全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008021993A
JP2008021993A JP2007171329A JP2007171329A JP2008021993A JP 2008021993 A JP2008021993 A JP 2008021993A JP 2007171329 A JP2007171329 A JP 2007171329A JP 2007171329 A JP2007171329 A JP 2007171329A JP 2008021993 A JP2008021993 A JP 2008021993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
semiconductor layer
amorphous semiconductor
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007171329A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008021993A5 (ja
Inventor
James Neil Johnson
ジェームズ・ニール・ジョンソン
Venkatesan Manivannan
ヴェンカテサン・マニヴァンナン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2008021993A publication Critical patent/JP2008021993A/ja
Publication of JP2008021993A5 publication Critical patent/JP2008021993A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/065—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the graded gap type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】半導体構造について説明する。
【解決手段】本半導体構造は、前面（１２）及び背面（１４）を有する１つの導電型の半導体基板（１０）を含む。第１のアモルファス半導体層（１６）は、半導体基板（１０）の前面（１２）上に付加され、また第２（２２）及び第３（３２）のアモルファス半導体層は、半導体基板（１０）の背面（１４）の一部分上に配置される。第２及び第３の層は各々、その深さにわたって基板（１０）との界面における実質的に真性からその反対面における実質的に導電性まで組成傾斜している。幾つかの事例では、第１の半導体層（１６）はまた、組成傾斜しているが、他の事例では第１の半導体層（１６）は、真性であることを特徴とする。半導体構造は、太陽電池として機能することができ、また多数のそのような電池を含むモジュールは、本発明の別の実施形態を表す。光起電力デバイスを作る方法についてもまた、説明している。
【選択図】 図１

Description

本発明は、総括的には高効率太陽電池に関する。より具体的には、本発明は、ヘテロ接合を含む半導体デバイスに基づいた太陽電池に関する。
太陽エネルギーは、太陽エネルギーを有用な形態で利用することができるとしたら、事実上人間が使用するための無限のエネルギーを供給する可能性を提案することは疑いの余地がない。おそらく、太陽のエネルギーを用いて電気を得ることに最大の努力をする限り、得られた電気は次に、あらゆる現存の電気ネットワークを通して家庭、地域社会又は産業レベルに利用することができる。この電気を太陽放射線から生成する主要な方法には、光起電力変換器による直接的な生成が含まれている。これらの型のデバイスは、ヘテロ接合の存在に依存し、当技術分野では良く知られている。（この説明で用いる場合に、ヘテロ接合は、異種半導体材料の層からなる半導体接合である。これらの材料は通常、不等バンドギャップを有する。１つの実施例として、ヘテロ接合は、例えば「ｐ−ｎ」接合のような、１つの導電型の層又は領域と反対導電性の層又は領域との間の接触によって形成することができる）。太陽電池に加えて、ヘテロ接合を利用する他のデバイスは、薄膜トランジスタ及びバイポーラトランジスタを含む。
一般に、光起電力デバイスは、太陽、白熱又は蛍光放射線などの放射線を電気エネルギーに変換する。太陽光は、大半のデバイスにとって典型的な放射線源である。電気エネルギーへの変換は、公知の光起電力効果によって達成される。この現象によると、光起電力デバイスに衝突する放射線は、デバイスの活性領域によって吸収されて電子及び正孔の対を生成し、この電子及び正孔の対は、全体として光生成電荷担体と呼ばれることもある。電子及び正孔は、拡散し、デバイス内に形成された電界によって収集される。
このような信頼性があるクリーンかつ再生可能なエネルギーとして機能する太陽電池の可能性を考慮して、この性能を高めるための大きな努力がなされてきた。このような性能の１つの主要な尺度は、デバイスの光電変換効率である。変換効率は通常、その活性表面に接触する光エネルギーの比率としての、デバイスによって生成された電流の量として測定される。文献に記録されているように、例えば１％又はそれ以下のような光電変換効率の極く僅かな増加は、非常に大幅な光起電力法の進歩を表す。
光起電力デバイスの性能は、その大部分が各半導体層の組成及び微細構造によって決まる。例えば、構造の不完全性又は不純物原子に由来する欠陥部位は、単結晶半導体層の表面上又はバルク内部にある可能性がある。さらに、多結晶半導体材料は、多数のバルク及び表面欠陥部位を含む粒界を有する、ランダム配向粒子を含む可能性がある。
この型の種々の欠陥の存在は、光起電力デバイスの有害な影響の原因となる可能性がある。例えば、電荷担体の多くは、１以上の集電極へのこれらの意図した通路を進み続けるのではなくて、ヘテロ接合近くの欠陥部位で再結合する。従って、これら電荷担体は、電流キャリアとして失われる。電荷担体の再結合は、光電変換効率の低下の主な原因の１つである。
表面欠陥のマイナスの影響は、不動態化処理法によってある程度まで最小化することができる。例えば、真性（すなわち、非ドープ）アモルファス半導体材料の層は、基板の表面上に形成することができる。この真性層の存在は、基板表面での電荷担体の再結合を減少させ、それによって光起電力デバイスの性能を向上させる。
この型の真性層の使用は、その全体が米国特許第５２１３６２８号（Ｎｏｇｕｃｈｉ他）に記載されている。Ｎｏｇｕｃｈｉは、選択導電性型の単結晶又は多結晶半導体層を含む光起電力デバイスを記載している。実質的に２５０オングストローム又はそれ以下の真性層が、基板上に形成される。実質的なアモルファス層は、基板の導電性と反対の導電性を有し、かつ「半導体サンドイッチ構造」を完成する真性層上に形成される。光起電力デバイスは、アモルファス層上への光透過性電極及び基板への底面に取付けた背後電極の付加によって完成する。
Ｎｏｇｕｃｈｉ特許に記載された光起電力デバイスは、幾つかの状況下で電荷担体再結合の問題を著しく最小化すると思われる。例えば、選択厚さでの真性層の存在は、デバイスの光電変換効率を増大させると言われている。さらに、このようにして半導体基板の表面を不動態化処理する概念は、Ｎｏｇｕｃｈｉ他の登録以降多数の文献に記載されている。その実例には、米国特許第５６４８６７５号（Ｔｅｒａｄａ他）、並びに米国特許出願公開第２００２／００６９９１１号（Ｎａｋａｍｕｒａ他）、同第２００３／０１６８６６０号（Ｔｅｒａｋａｗａ他）及び同第２００５／００６２０４１号（Ｔｅｒａｋａｗａ他）が含まれる。
上述の文献は、再結合問題をある程度まで解決するが、幾つかの大きな欠点が残っている。例えば、真性層の存在は、有益であるが、さらに別の界面すなわち真性層と上にあるアモルファス層との間の界面の形成を引き起こす。この新規の界面は、捕捉された状態になりかつ蓄積した不純物及び疑似汚染物質のさらに別の部位となり、電荷担体の付加的再結合を引き起こす可能性がある。実施例として、多層構造の製作時の堆積段階の間の中断により、汚染物質の侵入の有り難くない機会がもたらされる可能性がある。さらに、導電性の変化及び／又はバンドギャップの変動に起因した界面における突然のバンド曲がりは、再結合の別の原因となる可能性がある高密度の界面準位を招く可能性がある。
さらに、電荷担体再結合を排除することにより、光電変換効率は確実に増大するが、依然として従来型の太陽電池の性能を低下させる可能性がある他の要因が存在する。実例として、これ迄の太陽電池には、多くの場合、電池の前側すなわち入射光線を受ける表面上に電気的接続部の多くが形成されていた。従って、電池の前面は通常、バスバー及びタブのような関連するデバイス及びハードウェアと共に、前側金属グリッド線又は電流収集リボンを備えていた。
太陽電池の前側上にこれらの特徴形状部が存在することは、多くの理由で不利なものとなるおそれがある。例えば、グリッド線及びタブは、太陽電池の均一性及び全体の外観を損なう。太陽電池の美的特徴は、多くの場合、例えば居住家屋設計などにおいて重要な品質パラメータを表す。さらに、太陽電池の作動性能は、そうでなければ電池によって吸収されることになる入射光線の部分を前側特徴形状部が「陰にする」ので、これらの前側特徴形状部の存在によって悪影響を受ける可能性がある。
太陽電池の前表面特徴形状部と関連する種々の問題は、幾つかの成功例で解決されてきた。例えば、電池の背面上に全ての電気的接続を有するシリコン光起電力デバイスが、開発されてきた。米国特許第５０５３０８３号（Ｓｉｎｔｏｎ）に記載されているように、「背面」型の電池は、主として所望の光エネルギーを遮断する前側特徴形状部が存在しないので、高い効率を示すことができる。さらに、これらの特徴形状部がないことにより、例えば以下に記載しているように、テクスチャ加工のような電池の前側上の他の処置及び加工を可能にすることができる。
それにもかかわらず、光電効率を増大させることは、効率が光起電力デバイスの経済的実施可能性に直接影響を与えるので、引き続き強く求められている。従って、光起電力デバイスの改善は、当技術分野において大いに歓迎されるものとなる。デバイスは、半導体層間の種々の界面領域における電荷担体再結合の問題を最小にしなければならない。さらに、デバイスは、例えば光電変換効率のような良好な光起電力性能を保証する電気的特性を示さなければならない。さらに、デバイスは、効率的かつ経済的に作ることができなければならない。
デバイスの製作は、不純物及びその他の欠陥の過度なレベルの持ち込みを許すことになるプロセス段階を排除しなければならない。これらのデバイスの多くにおける別の重要な要件は、それらの視覚的特徴である。具体的には、太陽電池構造は、例えば家屋及び他の構造体の建築設計のような特定の用途で使用した時に、見て美しくかつ格好の良いものでなければならない。
米国特許第５２１３６２８号明細書 米国特許第５６４８６７５号明細書 米国特許出願公開第２００２／００６９９１１号明細書 米国特許出願公開第２００３／０１６８６６０号明細書 米国特許出願公開第２００５／００６２０４１号明細書 米国特許第５０５３０８３号明細書 米国特許第５０５３０８３号明細書 米国特許第４２００４７２号明細書 米国特許出願公開第２００４／０２００５２０号明細書 米国特許第６６７０５４２号明細書 米国特許第６６６７４３４号明細書 米国特許第５２５２１４２号明細書 米国特許第５２５６８８７号明細書 米国特許第６６６７０５４２号明細書 米国特許出願公開第２００４／００４６４９７号明細書 米国特許出願公開第２００５／０１５１１３１号明細書 特開２００４−１６４０７２号明細書 David L. King et al., "Experimental Optimization of an Anisotropic Etching Process for Random Texturization of Silicon Solar Cells," IEEE Conference(1991), pp. 303-308 K. S. Lim et al., "A novel structure, high conversion efficiency p-SiC/graded p-SiC/i-Si/n-Si/metal substrate-type amorphous silicon solar cell," Journal of Applied Physics, 56(2), July 15, 1984,pp. 538-542. P. Chatterjee, "A computer analysis of the effect of a wide-band-gap emitter layer on the performance of a-Si:H-based heterojunction solar cells," Journal of Applied Physics, 79(9), May 1, 1996, pp. 7339-7347. H. Fujiwara et al., "Interface Structure in a-Si:H/c-Si Heterojunction solar Cells Characterized by Optical Diagnosis Technique, Research Center for Phtovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology." Undated. H.. Fujiwara et al., "Real-time monitoring and process control in amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cells by spectroscopic ellipsometry and infrared spectroscopy," Journal of Applied Physics, 86(3), 2005, pp. 1-3. J. Jurgens et al., "Back Contact Solar Cells in BIPV Applications-A New Dimension of Architectural PV Design," 20th EU PVSEC, June 6-10, 2005, Barcelona, Spain, pp. 1-3.- James Neil Johnson et al., "Compositionally-Graded Photovoltaic Device and Fabrication Method, and Related Articles," Serial No.: 11/263,159,filed October 31, 2005, GE Docket No. 188359-2.
本発明の１つの実施形態は、半導体構造に関し、本半導体構造は、
（ａ）前面及び背面を有する１つの導電型の半導体基板と、
（ｂ）半導体基板の前面上に配置された第１のアモルファス半導体層と、
（ｃ）半導体基板の背面の一部分上に配置され、その深さにわたって基板との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜し、また選択ドーパント原子の組み込みによって得られた選択導電型を有する第２のアモルファス半導体層と、
（ｄ）半導体基板の背面の別の部分上にかつ第２のアモルファス半導体層から間隔をおいて配置され、その深さにわたって基板との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜し、また第２のアモルファス層の型とは異なりかつ選択ドーパント原子の組み込みによって得られた導電型を有する第３のアモルファス半導体層と、を含む。
本発明の別の実施形態は、１以上の太陽電池デバイスを含む太陽発電モジュール（ソーラモジュール）に関し、太陽電池デバイスの少なくとも１つは、本明細書に記載した半導体構造を含む。
光起電力デバイスを作る方法は、本発明の別の実施形態を構成する。本方法は、
（Ｉ）半導体基板の前面上に第１のアモルファス半導体層を形成する段階と、
（ＩＩ）第２のアモルファス半導体層がその深さにわたって基板の背面との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜した状態になるように、半導体材料及びドーパントを該ドーパントの濃度を変更しながら背面部分上に連続的に堆積させることによって、半導体基板の背面の一部分上に第２のアモルファス半導体層を形成する段階と、
（ＩＩＩ）第３のアモルファス半導体層がその深さにわたって基板の背面との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜した状態になるように、半導体材料及びドーパントを該ドーパントの濃度を変更しながら背面部分上に連続的に堆積させることによって、半導体基板の背面の別の部分上に第３のアモルファス半導体層を形成する段階と、を含む。
本発明の種々の特徴、態様及び利点は、添付の図面と関連させて行った以下の詳細な説明からより明らかになるであろう。
本発明のシリコン基板は、様々な形態とすることができる。図１に示すように、基板１０は、単結晶又は多結晶とすることができる。さらに、基板材料は、部分的には光起電力デバイスの電力要件に応じてｎ型又はｐ型とすることができる。基板１０は、前面１２及び背面１４を含む。基板は通常、約５０ミクロン〜約６００ミクロンの厚さを有する。（本明細書に示した図の全ては、必ずしも縮尺通りには描いておらず、その代わり本文の理解を容易にするように描いていることを理解されたい）。
様々な従来通りの処理段階が通常、他の半導体層の堆積前に基板に対して実施される。例えば基板は、清浄化し、真空チャンバ（例えば、以下に記載するようにプラズマ反応チャンバ）内に配置することができる。次に、チャンバは、基板上の又は内部のあらゆる水分を除去するのに十分な温度まで加熱することができる。通常は、約１２０〜２４０℃の範囲内の温度で十分である。次に、場合によっては、チャンバ内に水素ガスを導入し、基板は、付加的表面清浄化のためにプラズマ放電に曝される。しかしながら、清浄化及び前処理段階については多くの変形形態が可能である。通常は、これらの段階は、デバイスの付加的製作に用いるチャンバ内で実施される。
基板上に形成された種々の半導体層は通常（常にそうとは限らないが）、プラズマ蒸着によって施こされる。多くの異なる型のプラズマ蒸着が、可能である。非限定的な実施例には、化学蒸着（ＣＶＤ）、真空プラズマ溶射（ＶＰＳ）、低圧プラズマ溶射（ＬＰＰＳ）、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、高周波プラズマ化学蒸着（ＲＥＰＥＣＶＤ）、膨張熱プラズマ化学蒸着（ＥＴＰＣＶＤ）、電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学蒸着（ＥＣＲＰＥＣＶＤ）、誘導結合プラズマ化学蒸着（ＩＣＰＥＣＶＤ）及び空気プラズマ溶射（ＡＰＳ）が含まれる。例えば反応性スパッタリングのようなスパッタリング法もまた、用いることができる。さらに、これらの方法のいずれかの組み合わせもまた、用いることができる。当業者は、これらの堆積法の全てに対する一般的操作の詳細に精通している。幾つかの好ましい実施形態では、種々の半導体層は、ＰＥＣＶＤ法によって形成される。
図１に示す本発明の１つの実施形態では、基板１０の前面１２上に、真性アモルファスシリコン層１６が形成される。前に述べたように、真性層１６は、非ドープ（すなわち、実質的にゼロのドーパント濃度を有する）状態である。層は、多数の方法で形成することができる。非限定的な実施例として、シリコン基板１０は、プラズマ反応チャンバ（例えば、ＣＶＤ又はＰＥＣＶＤ）内に配置することができる。チャンバを脱気にした後、基板は、例えば約１２０℃〜約２４０℃のような適切な温度まで加熱することができる。シランのようなシリコン含有ガスが、例えばグロー放電などによってプラズマを生成しながら、チャンバ内にポンプ圧送される。プラズマは、ガス前駆体の分解を引き起こして、シリコンのアモルファス層の形成をもたらす。
真性層１６の厚さは、層の光学的及び電気的特性を含む種々の要因によって決まることになる。層の厚さは、基板界面における電荷担体の再結合を最小する必要がある程度によって最も大きな影響を受ける。通常、層１６の厚さは、約２５０オングストロームよりも小さいか又はそれに等しい。幾つかの具体的な実施形態では、層１６は、約３０オングストローム〜約１８０オングストロームの範囲内の厚さを有する。所定の状況下で最も適切な厚さは、例えば、半導体を組み込む光起電力デバイスの光電変換効率に関する測定値を取ることによって、不必要な労力なしに決定することができる。
この実施形態によると、透明膜又は層１８は、光起電力デバイスの受光側上の真性アモルファスシリコン層１６上に配置される。膜１８は、デバイスに反射防止（ＡＲ）特性を与える。透明膜は、金属酸化物のような様々な材料を含むことができる。非限定的な実施例には、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ドープＺｎＯ及びインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が含まれる。膜１８は、スパッタリング又は蒸発のような種々の従来の方法によって形成することができる。その厚さは、所望のＡＲ特性を含む種々の要因によって決まることになる。通常、透明膜１８（それは上面２０を有する）は、約２００オングストローム〜約１０００オングストロームの範囲内の厚さを有することになる。
第２のアモルファス半導体層２２は、基板１０の背面１４の一部分上に配置される。基板１０は、光起電力デバイスの主要電力生成層であるが、半導体層２２は、デバイスの電極の１つの構成部品を構成する。当業者には分かるように、電極は一般的に、デバイスを通してかつ外部回路まで電力（電流）を運ぶように設計される。半導体層２２は、光起電力デバイスの電気的構成に応じてｎ型又はｐ型のいずれかとすることができる。
本発明の主要な実施形態によると、第２のアモルファス層２２は、ドーパント濃度の観点で組成傾斜している。一般に、ドーパント濃度は、基板との界面すなわち図１の領域２４において実質的にゼロである。層２２の反対側すなわち領域２６上で、ドーパント濃度は、半導体導電性目標の観点で最大である。これらの型の層の組成傾斜の概念はまた、全体的に本発明の出願人による係属中の出願、すなわち２００５年１０月３１日出願のＪ．Ｊｏｈｎｓｏｎ及びＶ．Ｍａｎｉｖａｎｎａｎの米国特許出願第１１／２６３，１５９号に記載されている。その特許出願の内容は、参考文献として本明細書に組み入れている。
「組成傾斜した」という用語は、半導体層２２の深さ（「Ｄ」）の関数としてドーパント濃度の変化（すなわち、「段階的変化」）を記述することを意図するものである。幾つかの実施形態では、段階的変化は、実質的に連続的であるが、これは、必ずしもそうであることを必要としない。例えば、濃度の変化率自体が、深さによって変化することができ、幾つかの領域では僅かに増大し、また他の領域では僅かに低下することができる。（しかしながら、全体の段階的変化は、基板１０に向かう方向のドーパント濃度の低下として常に特徴付けられる）。さらに、幾つかの事例では、ドーパント濃度は、深さの幾分かの部分において一定のままとすることができるが、その部分はおそらく非常に小さなものとなる。段階的変化のありとあらゆるこれらの変動は、「傾斜した」という用語によって包含することを意図する。所定の半導体層の具体的なドーパント濃度プロフィールは、例えば半導体デバイスのドーパントの型及び電力要件並びにその微細構造及び厚さのような種々の要因によって決まることになる。
上述のように、層２２のドーパント濃度は、特定のドーパントプロフィールにかかわらず、基板との界面において実質的にゼロである。従って真性領域２４は、基板表面１４との界面において電荷担体の再結合を防止するように機能する。アモルファス層２２の反対側の下面において、領域２６は、実質的に導電性である。その領域の具体的なドーパント濃度は、半導体デバイスの特定の要件に応じて決まることになる。多結晶又は単結晶シリコン基板の場合の非限定的な実施例として、領域２６は、多くの場合、約１×１０１６ｃｍ−３〜約１×１０２１ｃｍ−３の範囲内のドーパントの濃度を有することになる。
傾斜アモルファス層２２の厚さはまた、領域２６の用いたドーパントの型、基板の導電型、傾斜プロフィール及びドーパント濃度のような種々の要因によって決まることになる。層１６の場合におけるのと同様に、層２２の厚さは通常、約２５０オングストロームよりも小さいか又はそれに等しい。幾つかの具体的な実施形態では、傾斜層２２は、約３０オングストローム〜約１８０オングストロームの範囲内の厚さを有する。層１６について前記したように、所定の状況下において最も適切な厚さは、デバイスの光電変換効率に関する測定値を取ることによって、容易に決定することができる。他の特性（開回電圧（ＶＯＣ）、短絡電流（ＩＳＣ）及び充填率（ＦＦ）のような）の測定はまた、層２２の最も適切な厚さを決定するのに役立てることができる。
幾つかの好ましい実施形態（全てではないが）では、電極層２８は、アモルファス半導体層２２の背面上に形成される（図１）。通常、電極層２８は、金属原子が導電層（以下で説明する）から半導体層２２内に拡散するのを防止する拡散障壁層として機能する。電極層２８は一般的に、インジウムスズ酸化物、ＺｎＯ、ドープＺｎＯ及び同様のものなどの導電材料で形成される。電極層２８は、導電層を堆積するのに用いるあらゆる一般的な堆積法のいずれかで形成することができる。層２８は通常、約５０オングストローム〜約５００オングストロームの範囲内の厚さを有するが、この範囲は大きく変化させることができる。
引き続き図１を参照すると、金属接点３０は、アモルファス半導体層２２上に配置される。金属接点３０は、電極層２８を介在させないで層２２上に直接施されることになる。層２８が存在する場合には、金属層３０は、その上に施されることになる。金属接点３０は、光起電力デバイスによって生成された電流を所望の場所まで運搬する導電電極として機能する。金属接点は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタニウム（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）及びその種々の組み合わせのような様々な導電材料で形成することができる。金属接点３０は、図１に材料の層として示しているが、その形状及び寸法は、さらに以下に記載するように大きく変化させることができる。金属接点は、例えばプラズマ蒸着、スクリーン印刷、真空蒸発（マスクを用いることもある）、空気ディスペンシング、又はインクジェット印刷などの直接書き込み法のような種々の方法によって形成することができる。
第３のアモルファス半導体層３２は、基板１０の背面１４の別の部分上に配置される。層２２の場合におけるのと同様に、半導体層３２は、光起電力デバイスの電極の１つの別の構成部品を構成する。層３２は、ｎ型又はｐ型のものとすることができる。しかしながら、この型の半導体構成のほとんどにおいて、層３２は、半導体層２２の導電性とは異なる導電性（ｎ又はｐ）を有する。（図１では、層２２は、ｎ型として適宜示しているが、層３２は、ｐ型として示している）。
アモルファス半導体層２２の場合におけるのと同様に、層３２は、ドーパント濃度の観点で組成傾斜している。従って、ドーパント濃度は、基板との界面すなわち図１の領域３４において実質的にゼロである。この真性領域は、前記したように電荷担体の再結合を防止する。層３２の反対側すなわち領域３６上で、ドーパント濃度は、半導体導電性目標の観点で最大である。層２２及び１６の場合におけるのと同様に、層３２の厚さは通常、約２５０オングストロームよりも小さいか又はそれに等しい。幾つかの具体的な実施形態では、層は、約３０オングストローム〜約１８０オングストロームの範囲内の厚さを有する。
領域２６の場合におけるのと同様に、領域３６は通常、約１×１０１６ｃｍ−３〜約１×１０２１ｃｍ−３の範囲内のドーパントの濃度を有することになる。しかしながら、具体的な濃度は、領域２６の濃度と同一である必要はなく、部分的にはデバイスの全体構成によって決まることになる。さらに、半導体層３２の全体の段階的変化パターンは、半導体層２２の段階的変化パターンと同様又は実質的に同一とすることができる。しかしながら、幾つかの実施形態では、段階的変化プロフィールは、互いに異なる、すなわちここでも層組成並びに厚さ、ドーパント型、半導体要件及び同様のものなどのような要因によって決まるものとすることができる。さらに、「領域」２４、２６、３４及び３６の正確な深さは、半導体層厚さ及びドーパントプロフィールのような本明細書に記載した要因に応じて変化させることができることも強調しておきたい。他の図に示した類似の領域についても、同じことが当てはまる。
図１では、半導体層２２及び３２の個々の幅は、互いに等しいものとして示している。（図では、幅寸法は、矢印及び文字「Ｗ」で表している）。しかしながら、幅が等しいことは必ずしも必要ではない。幾つかの好ましい実施形態では、ｉ−ｐ傾斜アモルファス層（ここでは、任意の電極層３８）の幅は、アモルファス半導体層３２の背面上に施すことができる。層３８は、例えば以下に記載する下にあるアモルファス半導体層と金属接点との間の拡散障壁層として機能する層２８と同様の方式で実施する。電極層３８はまた一般的に、導電材料で形成される。電極層３８は、層２８と同じ厚さを有することができるが、幾つかの実施形態では、厚さはまた異なるものとすることができる。
図１に示すように、金属接点４０は、アモルファス半導体層３２上に配置される。金属接点３０の場合におけるのと同様に、接点４０は、層３２上に直接施されるか又は任意の層３８の上に施されることになる。金属接点４０は、光起電力デバイスによって生成された電流を所望の場所まで運搬する別の導電電極として機能する。金属接点は、上述の導電材料で形成することができ、通常は接点３０と同一の材料で作られる。さらに、接点４０の寸法及び形状は、それを形成した方式で可能なように大きく変化させることができる。言い換えると、これらのパラメータ及び細部は、それらが大部分は光起電力デバイスの全体構造によって決まるので、接点３０におけるのと同じである必要はない。
同様に図１に示すように、第２のアモルファス半導体層２２は、分離溝４２によって第３のアモルファス半導体層３２から間隔を置いて配置される。一般的には、溝４２の主要な機能は、２つの半導体層を電気的及び構造的に分離しかつ/又は接点層３０を接点層４０から分離することである。溝の正確な形状もまた、変化させることができる。溝は、種々の半導体及び金属層の製作中又は製作後のいずれかにおいて、多数の従来通りの方法によって形成することができる。実施例として、溝は、レーザ穿孔などの穿孔法によって又は機械的スクライビング法によって形成することができる。幾つかの事例では、溝は、例えばポリマー樹脂（ここでは図示せず）のような電気絶縁材料で充填されるか又は部分的に充填される。絶縁材料は、エッチング、フライス加工又はスクライビング段階などのデバイスを形成するのに用いる種々の製作段階の間に基板１０の底面を保護するのに役立てることができる。
接点層３０及び４０は、種々の半導体素子を相互接続するための電気システムの部分を構成する。そのようなシステムには、あらゆる従来の電気的設計を用いることができる。本明細書で強調するように、好ましい実施形態は、デバイスの前面すなわち上面２０には入射光を妨害することになる何らの特徴形状部も実質的にないことを保証する場所に電気接点の全てが組み込まれることを要求する。そこで、一般的に、種々の電気相互接続部は、ほぼ基板背面１４の近傍に設置されて、「全背面接点構成」構成を形成する。
１つの例示として、接点は、交互かみ合いさせることができる。例えば（及び、デバイスの平面斜視図で視た場合に）、接点は、米国特許出願公開第２００５／００６２０４１号に記載されているように、くし形として配置することができ、この特許出願公開は、参考文献として本明細書に組み入れている。交互かみ合い配置はまた、例えば米国特許第５０５３０８３号（Ｓｉｎｔｏｎ）、同第４２００４７２号（Ｃｈａｐｐｅｌｌ他）及び米国特許出願公開第２００４／０２００５２０号（Ｍｕｌｌｉｇａｎ他）のような種々の他の文献に記載されており、これらもまた、参考文献として本明細書に組み入れている。当業者は、不必要な労力なしに、特定のデバイスに最も適切な金属被覆及び電気的スキームを容易に決定することができるであろう。
半導体層２２及び３２の組成傾斜は、種々の方法によって実施することができる。各層の堆積は一般的に、別々の段階で行われる。通常、傾斜は、プラズマ蒸着中にドーパントレベルを調整することによって達成される。典型的な実施形態では、シラン（ＳｉＨ４）のようなシリコン前駆体ガスが、その中に基板を配置する真空チャンバ内に導入される。水素のような希釈ガスもまた、シリコン前駆体ガスと共に導入することができる。前駆体ガスの流量は、大きく変化させることができるが、一般的には約１０ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍの範囲内にある。堆積の初期段階の間には、何らのドーパント前駆体も存在しない。従って、領域２４及び３４は、上述のように実質的に真性（「非ドープ」）であり、従って基板１０の表面を不動態化するのに役立つ。
層２２及び３２の各々について堆積プロセスが継続するにつれて、プラズマ混合物に対してドーパント前駆体が加えられる。前駆体の選択は、勿論例えばリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）などのｎ型ドーパント、又はホウ素（Ｂ）などのｐ型ドーパントのような選択ドーパントによって決まることになる。ドーパント化合物の幾つかの非限定的な実施例には、ｐ型ドーパント用のジボランガス（Ｂ２Ｈ６）、又はｎ型ドーパント用のホスフィン（ＰＨ３）を挙げることができる。ドーパントガスは、純粋な形態とすることができ、或いはそれらガスは、アルゴン、水素又はヘリウムなどのキャリアガスで希釈することができる。
各層２２及び３２の形成の間に、ドーパントガスの付加は、所望のドーピングプロフィールをもたらすように、注意深く制御される。当業者は、この作業を実施するのに用いることができる、例えば質量流制御器のようなガス計量装置について精通している。ドーパントガスの供給量は、上述の傾斜スキームと実質的に合致するように選択されることになる。従って、極めて一般的な表現では、ドーパントガスの供給量は、堆積プロセスの間に徐々に増加させることになる。しかしながら、供給量の多くの具体的な変化は、堆積スキーム内にプログラムすることができる。プロセスのこの段階の終わりにおける最大流量は、前に述べたように実質的導電領域２６及び３６の形成をもたらす。領域２６及び３６の各々は、基板との間でヘテロ接合を形成する。
図１の実施形態では、真性アモルファスシリコン層は、基板の前面上に形成された。しかしながら、他の実施形態では、真性層の代わりに、組成傾斜アモルファス半導体層が形成される。この別の実施形態の１つの例示は、図２に示している。（この図では、図１の素子と同様の又は同一の素子の多くは、ラベル表示していないか又は同一の要素番号で示している）。従って、図２に示すように、第１のアモルファス半導体層５０は、基板１０の前面１２上に配置される。第１のアモルファス半導体層は、その深さにわたって組成傾斜している。従って、層は、基板との界面（すなわち、領域５２）で実質的に真性であり、反対側（領域５４）において実質的に導電性である。
層５０は、図１の傾斜層について前記したのと同じ方法により組成傾斜させることができる。さらに、層５０の傾斜プロフィールは、他の傾斜層のプロフィールと同様とすることができるが、層５０の傾斜プロフィールは、異なるプロフィールを有するようにすることもできる。通常、層の導電領域（すなわち、領域５４）は、前に記載した一般的な範囲、すなわち約１×１０１６ｃｍ−３〜約１×１０２１ｃｍ−３のドーパント原子の濃度を有することになる。傾斜層５０に用いるドーパントの型は、部分的には基板の導電型によって決まることになる。一般的に、層は、基板との間でヘテロ接合を形成する。
他のドープ領域の場合におけるのと同様に、層５０の具体的なドーパント濃度プロフィールは、例えば半導体デバイスのドーパントの型及び電力要件並びにその微細構造及び厚さのような種々の要因によって決まることになる。組成傾斜層５０の存在は、電荷担体の再結合を防止するための付加的部位として、非常に利点を有することができる。このようにして、デバイスの集電極に向かう電荷担体の意図する経路は、強化され、それによってより大きな光電変換をもたらす。層５０は、前面電界（ＦＳＦ）と呼ぶ場合がある。
図１の実施形態におけるのと同様に、図２のアモルファス半導体層５０上に、透明膜又は層５６が配置されて、デバイスに反射防止特性を与える。さらに、デバイスはまた、基板の背面１４上に形成された第２及び第３のアモルファス半導体層２２、３２を含む。好ましい実施形態では、これらの層の各々は、前記したように組成傾斜している。
引き続き図２を参照すると、金属接点層３０及び４０は、それぞれ層２２及び３２上に形成される。この特定の例示では、金属接点層と下にあるアモルファス層２２及び３２（すなわち、図１における層２８及び３８に類似している）との間に何らの電極層もない。しかしながら、この実施形態でも同様に例えば拡散障壁として実施するために、電極層を利用することもできることを理解されたい。
本発明の幾つかの好ましい実施形態では、半導体デバイスの平面の少なくとも１つは、テクスチャ加工される。デバイスの種々の表面をテクスチャ加工することにより、望ましくない光反射を低下させることができる。さらに、テクスチャ加工は、半導体層の１つにおける光路長を長くすること（「光学的光捕捉」）によって、入射光をなお一層効果的に利用することを可能にする。通常、少なくとも前側（すなわち、入射光に最も近い表面）が、テクスチャ加工される。
テクスチャ加工は、様々な方法によって実施することができる。１つの有益な情報源は、Ｄａｖｉｄ Ｋｉｎｇ他による、ＩＥＥＥ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ（１９９１）、３０３−３０８ページの「シリコン太陽電池のランダムテクスチャ加工のための異方性エッチング法の実験的最適化」という論文である。この論文は、参考文献として本明細書に組み入れている。非常に多くの場合、テクスチャ加工は、水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムのような低濃度（例えば、約５容量％よりも小さい）の塩基性化合物で薄めたアルカリ溶液を用いて、エッチング法によって実施することができる。アルカリ溶液は、例えばイソプロピルアルコールなどのヒドロキシ化合物のような他の成分も同様に含むことができる。多くの他の型のアルカリ溶液もまた、用いることができる。
図３は、これらの好ましい実施形態の幾つかの半導体デバイスの非限定的な例示である。（この図では、図１の素子と同様の又は同一の素子の多くは、ラベル表示していないか又は同一の要素番号で示している）。幾つかの好ましい実施形態では、基板の前面１２は、図３に示すようにテクスチャ加工される。さらに、背面１４は、テクスチャ加工することができる。
テクスチャ加工の型は、前に考察した多数の要因に応じて大きく変化させることができる。１つの実施例として、テクスチャ加工特徴形状部は、図３に示すように微小ピラミッド６０の形態とすることができる。図３は、全平面をテクスチャ加工されたものとしてたまたま示しているが、そうであるための要件又は好ましさは何もないことを強調しておきたい。当業者には分かるように、表面の多くにおいてテクスチャ加工プロフィールは、下にある表面のプロフィールから効果的に得ることができる。例えば、基板表面１２及び１４がテクスチャ加工されている場合には、これらの表面上に堆積した層（及びその後の層）は、多くの場合基板表面の共形特徴形状部に適合することになる。例えば、これは、図３において半導体層１６、２２、３２、透明層１８、及び金属接点層３０、４０について示している。（例えば、図１の層２８及び３８のような任意の電極層もまた、存在する場合にはテクスチャ加工することができる）。
光起電力デバイス用の半導体層のテクスチャ加工に関する種々の他の詳細は、当技術分野では公知である。１つの実施例として、米国特許第６、６７０、５４２号（Ｓａｋａｔａ他）は、光起電力変換デバイスに用いる単結晶層のテクスチャ加工表面を形成する各段階を記載している。Ｓａｋａｔａ他の特許もまた、参考文献として本明細書に組み入れている。さらに、Ｓａｋａｔａ他は、ｉ型アモルファス層（本明細書に記載したアモルファス層と同様な）が、所望の程度の層均一性でテクスチャ加工表面上に形成されることを保証するのに役立つ手順を記載している。
上記の説明は、多くの場合太陽電池デバイスとして用いられる半導体構造に関連している。これらのデバイスの１以上は、ソーラモジュールの形態の中に組み込むことができる。例えば、多数の太陽電池は、互いに電気的に直列又は並列に接続されてモジュールを形成することができる。（当業者は、電気的接続その他に関する詳細に精通している）。そのようなモジュールは、個々の太陽電池デバイスよりもはるかに大きなエネルギー出力が可能となる。
ソーラモジュールの非限定的な実施例は、例えば米国特許第６６６７４３４号（Ｍｏｒｉｚａｎｅ他）のような種々の文献に記載されており、この特許は、参考文献として本明細書に組み入れている。モジュールは、種々の方法によって形成することができる。例えば、多数の太陽電池デバイスは、ガラス層の間、又はガラス層と例えばＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル）から作られたもののような透明樹脂シートとの間に挟むことができる。従って本発明の幾つかの実施形態によると、ソーラモジュールは、少なくとも１つの太陽電池デバイスを含み、太陽電池デバイスそれ自体は、前に説明したように半導体基板に隣接する組成傾斜アモルファス層を含む。傾斜層の使用により、光電変換効率その他のようなデバイス特性が改善され、それによってソーラモジュールの全体性能を高めることができる。
Ｍｏｒｉｚａｎｅ他の文献はまた、ソーラモジュールの幾つかについての種々の他の特徴を記載している。例えば、この特許は、光がモジュールの前面及び後面の両方に接触することができる、「両面入射」型ソーラモジュールを記載している。さらに、この特許は、極度に防湿（例えば、アウトドアで用いるもの）とする必要があるソーラモジュールを記載している。これらの型のモジュールでは、各太陽電池素子の側面を密封するために、シール用樹脂を用いることができる。さらに、モジュールは、近くのガラス層から望ましくないナトリウムの拡散を防止する種々の樹脂層を含むことができる。これらの型のソーラモジュールの全ては、本明細書に記載した組成傾斜アモルファス層（又は複数の層）を含むデバイスを組み込むことができる。
当業者は一般的に、例えば種々の基板材料、裏当て材料及びモジュールフレームのようなソーラモジュールの主要な構成部品に関する多くの他の詳細に精通している。例えば、モジュールの中及び外の結線（例えば、電気変換器につながるもの）並びに種々のモジュール封入法のようなその他の詳細及び考慮事項もまた、よく知られている。
一般的な実施例を以下に示す。この実施例は、単なる例示と見なすべきであり、特許請求する本発明の範囲に対する何らかの限定であると解釈すべきではない。
本発明の幾つかの実施形態による光起電力デバイスの製作は、以下のように行うことができる。１つの導電型の単結晶又は多結晶半導体基板（又はシリコンウェーハ）は、最初に従来通りの方法によってエッチングすることができる。例えば、最初に石英容器内に、選択割合の超高純度脱イオン水、水酸化カリウム（ＫＯＨ、４５％濃度）及びイソプロピルアルコールを含むテクスチャ加工溶液を準備することができる。テクスチャ加工溶液の温度は通常、約６５℃〜８０℃に維持される。次に、基板は、所望の程度のエッチングを達成するのに好適になるように定めた時間（一般的には約５〜６０分）の間、攪拌溶液内に浸漬することができる。テクスチャ加工段階に続いて、基板は、取り出され、かつ脱イオン水で洗い流される。
幾つかの事例では、テクスチャ加工の前に、基板には、種々の前処理段階が行われる。例えば、基板（例えば、ウェーハ）は、緩衝酸化物エッチング（ＢＯＥ）溶液内に６０秒間浸漬し、続いて表面損傷除去エッチングを行うことができる。後者の段階は、ＫＯＨ：Ｈ２Ｏが１：１の溶液内において８５℃で約３０分間実施することができ、約３０ミクロンほどの所望の基板の薄層化を得ることができる。次に、ウェーハは、表面酸化を防止するために、イソプロピルアルコール内に少なくとも１０分間貯蔵することができる。
図３の例示的な実施形態を参照すると、基板１０は次に、デバイスの前側上の特徴形状部の形成に備えて、プラズマ反応チャンバ（例えば、プラズマ化学蒸着システム）内に配置することができる。真空ポンプを用いて、チャンバから大気気体を除去し、次に約１２０〜約２４０℃に基板を予熱する。基板の前面上に、任意の水素プラズマ表面前処理段階が実施される。約５０〜約５００ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル毎分）の流量で、水素（Ｈ２）がチャンバ内に導入される。絞り弁を用いて、約２００ｍＴｏｒｒ〜約８００ｍＴｏｒｒの範囲内の一定の処理圧力を維持する。約６ｍＷ／ｃｍ２〜約５０ｍＷ／ｃｍ２の範囲内の電力密度を有する交流周波数入力電力を用いて、プラズマを発生させかつ維持する。印加する入力電力は、約１００ｋＨｚ〜約２．４５ＧＨｚとすることができる。水素プラズマ表面前処理時間は、約１〜６０秒である。
水素プラズマ前処理段階の終わりに（このような段階を用いる場合）、シラン（ＳｉＨ４）が、約１０ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍの流量でプロセスチャンバ内に導入される。これにより、真性アモルファスシリコン層１６の堆積を開始することになる。（この実施形態では、アモルファス層の組成が真性（非ドープ）になるようにプラズマ内にはドーパント前駆体は全く含まれず、従って半導体基板の表面を不動態化するのに役立つ）。堆積は、真性層が所望の平均厚さを達成するまで続けられる。上述のように、層は通常、下にある基板の表面プロフィールに合致し、従って同様にテクスチャ加工表面を有することになる。
真性層１６の形成後に、好適なプロセスチャンバ内で透明反射防止層又は皮膜１８を形成することができる。前述したように、スパッタリング、ＣＶＤ、蒸発及び同様のものなどのような多数の方法を用いて、そのような層を形成することができる。堆積は、層１８が、所望の厚さを有するまで続けられる。層１６の場合におけるのと同様に、層１８は通常、下にある表面に緊密に合致し、従ってテクスチャ加工最上部表面２０を形成することになる。
次に、基板１０は、背面特徴形状部の全ての形成に備えて、真空チャンバ内に再配置することができる。背面アモルファス層、並びに上にある金属接点、及び介在する任意の電極層の各々の形成に関する多数の詳細が存在する。これらは、半導体産業では極めて通常のものであるので、これらの層の形成に含まれる多くの段階を詳しく述べる必要はない。当業者には分かるように、背面上の種々の層の形成は、例えばマスキング、硬化（暴露）、フォトレジストリフトオフ、エッチング及び同様のもののような一連の堆積及びフォトリソグラフィ段階を含む。
傾斜層２２及び３２の形成に関して、簡単に再検討することにする。（これらの形成の段階は、実質的に同等にすることができるが、異なる導電型を形成するために様々なドーパント原子が用いられる）。デバイスの前側について記載したのと同様に、最初に背面に対して水素プラズマ前処理段階を行うことができ、この段階では、シランが、プロセスチャンバ内に約１０ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍの流量で導入される。これにより、結果として真性アモルファス領域２４及び３４（どちらの層が最初に形成されるかに応じて）の形成が生じることになる。各事例では、ドーパント前駆体が存在しないことにより、基板の背面１４を不動態化するように機能する。
層２２及び３２の各々の堆積プロセスが進むにつれて、所望のドーパント前駆体が、その後連続してプラズマ混合物に加えられる。ドーパント前駆体の実施例には、Ｂ２Ｈ６、Ｂ（ＣＨ３）３、及びＰＨ３がある。これらは、純粋な形態とすることができ或いはアルゴン、水素又はヘリウムなどのキャリアガスで希釈することができる。前駆体の流量は、組成傾斜層堆積の進行につれて増大する。これにより、単一層にわたってドーピング濃度の勾配が形成される。傾斜層堆積プロセスの最後において、プラズマ中のドーパント前駆体の濃度は、実質的にドープアモルファス半導体特性が得られるすなわち領域２６及び３６が形成されるほどになる。
次に、電極層２８及び３８（存在する場合）は、スパッタリングなどの前記した技術の１以上により、それぞれの傾斜層上に形成することができる。接点３０及び４０はまた、例えばスクリーン印刷のような従来通りの方法で形成することができる。分離溝４２はまた、例えばレーザ穿孔又は機械的スクライビングのような公知の方法で形成することができる。当業者は、デバイスの他の従来通りの製作段階についても同様に精通しているであろう。さらに、上に記載した特許及び他の文献はさらに、この型の複数のデバイスを含むモジュールの製造に関して、さらに詳細を示している。
本発明を詳細に説明しかつ例示してきたが、本説明は、本発明の異なる実施形態の実施例を開示するものであり、示した実施例又は例示に限定することを意図するものではないことをはっきりと理解されたい。従って、当業者は、本発明の特許請求した発明概念の技術思想及び技術的範囲から逸脱することなく、種々の修正、改造及び変更に想到することができる。上述した特許、特許出願、論文及び図書の全ては、参考文献として本明細書に組み入れている。
本発明の１つの実施形態による光起電力デバイスの構造を示す概略断面図。 本発明の別の実施形態による光起電力デバイスの構造を示す概略断面図。 本発明のさらに別の実施形態による光起電力デバイスの構造を示す概略断面図。
符号の説明
１０ 基板
１２ 基板の前面
１４ 基板の背面
１６ 第１のアモルファスシリコン層
１８ 透明膜／層
２０ 層１８の上面
２２ 第２のアモルファス半導体層
２４ 第２のアモルファス層の領域
２６ 第２のアモルファス層の領域
２８ 電極層
３０ 金属接点層
３２ 第３のアモルファス半導体層
３４ 半導体層３２の領域
３６ 半導体層３２の領域
３８ 電極層
４０ 金属接点層
４２ 溝
５０ 組成傾斜アモルファス半導体層
５２ 層５０の領域
５４ 層５０の領域
５６ 透明層
６０ テクスチャ加工特徴形状部

Claims (15)

  1. （ａ）前面（１２）及び背面（１４）を有する１つの導電型の半導体基板（１０）と、
    （ｂ）前記半導体基板（１０）の前面（１２）上に配置された第１のアモルファス半導体層（１６）と、
    （ｃ）前記半導体基板（１０）の背面（１４）の一部分上に配置され、その深さにわたって前記基板（１０）との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜し、また選択ドーパント原子の組み込みによって得られた選択導電型を有する第２のアモルファス半導体層（２２）と、
    （ｄ）前記半導体基板（１０）の背面（１４）の別の部分上にかつ前記第２のアモルファス半導体層（２２）から間隔をおいて配置され、その深さにわたって前記基板（１０）との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜し、また前記第２のアモルファス層（２２）の型とは異なりかつ選択ドーパント原子の組み込みによって得られた導電型を有する第３のアモルファス半導体層（３２）と、
    を含む半導体構造。
  2. 前記第２のアモルファス半導体層（２２）及び第３のアモルファス半導体層（３２）の両方について、前記基板（１０）との界面におけるドーパント原子の濃度が、実質的にゼロであり、またその反対側におけるドーパント原子の濃度が、約１×１０１６ｃｍ−３〜約１×１０２１ｃｍ−３の範囲内である、請求項１記載の半導体構造。
  3. 少なくとも１つの電気接点（３０）が、前記第２のアモルファス半導体層（２２）上に配置され、また少なくとも１つの電気接点（４０）が、前記第３のアモルファス半導体層（３２）上に配置される、請求項１記載の半導体構造。
  4. 電極層（２８）が、前記第２のアモルファス半導体層（２２）とその上にある電気接点(３０)との間に配置され、また電極層（３８）が、前記第３のアモルファス半導体層（３２）とその上にある電気接点(４０)との間に配置される、請求項３記載の半導体構造。
  5. 前記第２のアモルファス半導体層（２２）が、分離溝（４２）によって前記第３のアモルファス半導体層（３２）から間隔をおいて配置される、請求項１記載の半導体構造。
  6. 透明層（１８）が、前記第１のアモルファス半導体層（１６）上に配置される、請求項１記載の半導体構造。
  7. 前記透明層（１８）が、反射防止構造を含む、請求項６記載の半導体構造。
  8. 前記透明層（１８）が、窒化ケイ素を含む材料で形成される、請求項６記載の半導体構造。
  9. 前記基板（１０）が、単結晶又は多結晶であり、かつｎ型又はｐ型である、請求項１記載の半導体構造。
  10. 前記第１のアモルファス半導体層（１６）が、真性である、請求項１記載の半導体構造。
  11. 前記第１のアモルファス半導体層（１６）が、その深さにわたって前記基板（１０）との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜している、請求項１記載の半導体構造。
  12. 前記基板（１０）の前面（１２）が、テクスチャ加工される、請求項１記載の半導体構造。
  13. 前記第２のアモルファス半導体層（２２）上に配置された少なくとも１つの電気接点（３０）が、前記第３のアモルファス半導体層（３２）上に配置された少なくとも１つの電気接点（４０）と交互かみ合いする、請求項３記載の半導体構造。
  14. 全背面接点構成を有する半導体構造を含み、
    前記構造の少なくとも１つのアモルファス半導体層が、組成傾斜ドーパント原子プロフィールを含む、
    太陽電池。
  15. 光起電力デバイスを作る方法であって、
    （Ｉ）半導体基板（１０）の前面（１２）上に第１のアモルファス半導体層（１６）を形成する段階と、
    （ＩＩ）第２のアモルファス半導体層（２２）がその深さにわたって前記基板の背面（１４）との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜した状態になるように、半導体材料及びドーパントを該ドーパントの濃度を変更しながら前記背面部分上に堆積させることによって、前記半導体基板（１０）の背面（１４）の一部分上に第２のアモルファス半導体層（２２）を形成する段階と、
    （ＩＩＩ）第３のアモルファス半導体層（３２）がその深さにわたって前記基板（１０）の背面（１４）との界面における実質的に真性からその反対側における実質的に導電性まで組成傾斜した状態になるように、半導体材料及びドーパントを該ドーパントの濃度を変更しながら前記背面部分上に堆積させることによって、前記半導体基板（１０）の背面（１４）の別の部分上に第３のアモルファス半導体層（３２）を形成する段階と、
    を含む方法。
JP2007171329A 2006-06-30 2007-06-29 全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法 Pending JP2008021993A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/480,161 US20080000522A1 (en) 2006-06-30 2006-06-30 Photovoltaic device which includes all-back-contact configuration; and related processes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008021993A true JP2008021993A (ja) 2008-01-31
JP2008021993A5 JP2008021993A5 (ja) 2010-07-29

Family

ID=38535964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007171329A Pending JP2008021993A (ja) 2006-06-30 2007-06-29 全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080000522A1 (ja)
EP (1) EP1873840A1 (ja)
JP (1) JP2008021993A (ja)
KR (1) KR20080002657A (ja)
CN (1) CN101097969A (ja)
AU (1) AU2007202844A1 (ja)

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009524916A (ja) * 2006-01-26 2009-07-02 アライズ テクノロジーズ コーポレーション 太陽電池
JP2009200267A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
JP2010087520A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Commiss Energ Atom デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法
JP2010147324A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Kyocera Corp 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
JP2010183080A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Lg Electronics Inc 太陽電池及びその製造方法
WO2010098446A1 (ja) * 2009-02-26 2010-09-02 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP2010283408A (ja) * 2010-09-30 2010-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
JP2011009615A (ja) * 2009-06-28 2011-01-13 Sino-American Silicon Products Inc 太陽電池の製造方法
JP2011044749A (ja) * 2010-11-30 2011-03-03 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
JP2011061197A (ja) * 2009-09-04 2011-03-24 Lg Electronics Inc 太陽電池およびその製造方法
JP2011523230A (ja) * 2008-06-12 2011-08-04 サンパワー コーポレイション ポリシリコンドープ領域を有するバックコンタクト型太陽電池のトレンチプロセス及び構造
JP2012164961A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Samsung Sdi Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
WO2012132615A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換装置及びその製造方法
WO2012132758A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
JP2013513965A (ja) * 2009-12-21 2013-04-22 ヒュンダイ ヘビー インダストリーズ カンパニー リミテッド 裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法
JP2013513964A (ja) * 2009-12-14 2013-04-22 トタル ソシエテ アノニム 裏面接点・ヘテロ接合太陽電池
JP2013115262A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Sharp Corp 光電変換素子
JP2013125890A (ja) * 2011-12-15 2013-06-24 Sharp Corp 光電変換素子およびその製造方法
JP2013187287A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Sharp Corp 光電変換素子
JP2013239694A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Sereebo Inc トンネル酸化物を有する後面接合太陽電池
JP2014067888A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Sharp Corp 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP2014112735A (ja) * 2014-03-19 2014-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法
JPWO2012132766A1 (ja) * 2011-03-28 2014-07-28 三洋電機株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
JP2015507848A (ja) * 2011-12-30 2015-03-12 ソレクセル、インコーポレイテッド マルチレベルソーラーセルメタライゼーション
JP2015050411A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 三洋電機株式会社 太陽電池
JP2015062232A (ja) * 2010-03-04 2015-04-02 サンパワー コーポレイション バックコンタクトソーラーセルおよびソーラーセルの製造方法
JP2015188120A (ja) * 2015-07-31 2015-10-29 シャープ株式会社 光電変換素子
WO2015198978A1 (ja) * 2014-06-27 2015-12-30 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP2016012623A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP2016012624A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP2016509376A (ja) * 2013-03-08 2016-03-24 ソイテックＳｏｉｔｅｃ 効率を改善するように構成された低バンドギャップ活性層を有する光活性デバイス及び関連する方法
JP2016092425A (ja) * 2014-11-04 2016-05-23 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
WO2016114371A1 (ja) * 2015-01-16 2016-07-21 シャープ株式会社 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム
JP2016143868A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 信越化学工業株式会社 裏面接合型太陽電池
WO2016140309A1 (ja) * 2015-03-04 2016-09-09 シャープ株式会社 光電変換素子およびその製造方法
JP2017118112A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
JPWO2016114271A1 (ja) * 2015-01-14 2017-10-19 シャープ株式会社 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム
JP2019169599A (ja) * 2018-03-23 2019-10-03 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法、および、太陽電池

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
WO2007029971A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-15 Iferro Co., Ltd. Method of forming organic layer on semiconductor substrate
KR101198763B1 (ko) * 2006-03-23 2012-11-12 엘지이노텍 주식회사 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법
US20080174028A1 (en) * 2007-01-23 2008-07-24 General Electric Company Method and Apparatus For A Semiconductor Structure Forming At Least One Via
US9287430B1 (en) * 2007-11-01 2016-03-15 Sandia Corporation Photovoltaic solar concentrator
KR20090091562A (ko) * 2008-02-25 2009-08-28 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
KR101155343B1 (ko) * 2008-02-25 2012-06-11 엘지전자 주식회사 백 콘택 태양전지의 제조 방법
US8212327B2 (en) 2008-03-06 2012-07-03 Sionyx, Inc. High fill-factor laser-treated semiconductor device on bulk material with single side contact scheme
WO2009111748A2 (en) * 2008-03-06 2009-09-11 Sionyx, Inc. High fill-factor laser-treated semiconductor device on bulk material with single side contact scheme
KR101032064B1 (ko) * 2008-07-24 2011-05-02 주식회사 밀레니엄투자 태양 전지 및 이의 제조방법
US7820472B2 (en) * 2008-11-13 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Method of forming front contacts to a silicon solar cell without patterning
KR100993511B1 (ko) 2008-11-19 2010-11-12 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101539047B1 (ko) * 2008-12-24 2015-07-23 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 광기전력 변환 소자 및 그의 제조방법
JP2010258043A (ja) * 2009-04-21 2010-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
JP2010283339A (ja) * 2009-05-02 2010-12-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及びその作製方法
CN102044579B (zh) * 2009-09-07 2013-12-18 Lg电子株式会社 太阳能电池
EP2293350A3 (en) * 2009-09-07 2013-06-12 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
EP2494611A2 (en) * 2009-10-26 2012-09-05 3M Innovative Properties Company Structured film and articles made therefrom
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
CN102074616B (zh) * 2009-11-19 2013-03-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种选择性发射极太阳能电池的制备方法
KR101145357B1 (ko) * 2009-12-16 2012-05-14 (주)에스엔텍 텍스처링 모듈 및 이를 구비한 태양전지 제조장치 및 이를 이용한 태양전지 제조방법
KR20110071375A (ko) * 2009-12-21 2011-06-29 현대중공업 주식회사 후면전계형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법
NL2004066C2 (en) * 2010-01-06 2011-07-07 Stichting Energie Solar cell and method for manufacturing of such a solar cell.
DE102010007695A1 (de) 2010-02-09 2011-08-11 Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, 14109 Rückseitenkontaktierte Solarzelle mit unstrukturierter Absorberschicht
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
CN101866969B (zh) * 2010-05-27 2012-09-19 友达光电股份有限公司 太阳电池
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
US20120146172A1 (en) 2010-06-18 2012-06-14 Sionyx, Inc. High Speed Photosensitive Devices and Associated Methods
US8633379B2 (en) 2010-08-17 2014-01-21 Lg Electronics Inc. Solar cell
DE102010044348A1 (de) * 2010-09-03 2012-03-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Photovoltaische Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
WO2012105154A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 三洋電機株式会社 光電変換素子の製造方法
WO2012105153A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 三洋電機株式会社 光電変換素子
US8816190B2 (en) * 2011-04-18 2014-08-26 First Solar, Inc. Photovoltaic devices and method of making
US8802486B2 (en) * 2011-04-25 2014-08-12 Sunpower Corporation Method of forming emitters for a back-contact solar cell
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
CN102214720B (zh) * 2011-06-10 2013-07-24 山东力诺太阳能电力股份有限公司 基于p型硅片的背接触异质结太阳电池
JP2014525091A (ja) 2011-07-13 2014-09-25 サイオニクス、インク． 生体撮像装置および関連方法
TWI427808B (zh) * 2011-08-11 2014-02-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Production method of back electrode solar cell
US8889981B2 (en) * 2011-10-18 2014-11-18 Samsung Sdi Co., Ltd. Photoelectric device
KR20130050721A (ko) 2011-11-08 2013-05-16 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
CN102446992A (zh) * 2011-12-14 2012-05-09 杭州赛昂电力有限公司 薄膜太阳能电池及其制作方法
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
KR20140019099A (ko) * 2012-08-02 2014-02-14 삼성에스디아이 주식회사 광전소자
JP6103867B2 (ja) * 2012-09-12 2017-03-29 シャープ株式会社 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
TWI483410B (zh) * 2012-09-27 2015-05-01 Motech Ind Inc 太陽能電池、其製造方法及其模組
MX351564B (es) 2012-10-04 2017-10-18 Solarcity Corp Dispositivos fotovoltaicos con rejillas metálicas galvanizadas.
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
WO2014110520A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Silevo, Inc. Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
JP6466346B2 (ja) 2013-02-15 2019-02-06 サイオニクス、エルエルシー アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジｃｍｏｓ画像センサおよび関連づけられた方法
NL2010382C2 (en) * 2013-03-01 2014-09-03 Energieonderzoek Ct Nederland Photo-voltaic cell and method of manufacturing such a cell.
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
US9209345B2 (en) 2013-06-29 2015-12-08 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
CN103646983B (zh) * 2013-11-29 2016-09-07 常州天合光能有限公司 背发射极对称异质结太阳电池及其制备方法
US9577134B2 (en) * 2013-12-09 2017-02-21 Sunpower Corporation Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap
TW201526252A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 Neo Solar Power Corp 太陽能電池及其製造方法
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US20160020342A1 (en) * 2014-07-17 2016-01-21 Solarcity Corporation Solar cell with interdigitated back contact
CN105470322A (zh) * 2014-09-12 2016-04-06 英属开曼群岛商精曜有限公司 太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能电池的制作方法
JP2017530557A (ja) 2014-09-26 2017-10-12 パワーバイプロキシ リミテッド 誘導性電力伝送システム用送信機
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
US20160284913A1 (en) * 2015-03-27 2016-09-29 Staffan WESTERBERG Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation
DE102015112046A1 (de) * 2015-07-23 2017-01-26 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Verfahren zur Herstellung einseitig angeordneter strukturierter Kontakte in einer Schichtanordnung für ein photovoltaisches Bauelement
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
CN106653928A (zh) * 2016-11-30 2017-05-10 上海电机学院 一种新型异质结太阳能电池结构及其制作方法
US20180295560A1 (en) 2017-04-11 2018-10-11 Global Tel*Link Corporation System and method for detecting and controlling contraband devices
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN116741849A (zh) * 2022-06-08 2023-09-12 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及光伏组件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282458A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP2004296776A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子およびその製造方法
JP2005101240A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子およびその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4434318A (en) * 1981-03-25 1984-02-28 Sera Solar Corporation Solar cells and method
JPH0831413B2 (ja) * 1986-11-26 1996-03-27 キヤノン株式会社 Ｐｉｎ型光電変換素子の製造方法
US5213628A (en) * 1990-09-20 1993-05-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JP2719230B2 (ja) * 1990-11-22 1998-02-25 キヤノン株式会社 光起電力素子
US5256887A (en) * 1991-07-19 1993-10-26 Solarex Corporation Photovoltaic device including a boron doping profile in an i-type layer
ES2169078T3 (es) * 1993-07-29 2002-07-01 Gerhard Willeke Procedimiento para fabricacion de una celula solar, asi como la celula solar fabricada segun este procedimiento.
JPH0878659A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体デバイス及びその製造方法
JP3468670B2 (ja) * 1997-04-28 2003-11-17 シャープ株式会社 太陽電池セルおよびその製造方法
JP2001189478A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP2001291881A (ja) * 2000-01-31 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP3490964B2 (ja) * 2000-09-05 2004-01-26 三洋電機株式会社 光起電力装置
JP4070483B2 (ja) * 2002-03-05 2008-04-02 三洋電機株式会社 光起電力装置並びにその製造方法
JP2003298078A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Ebara Corp 光起電力素子
US20050151131A1 (en) * 2002-06-11 2005-07-14 Wager John F.Iii Polycrystalline thin-film solar cells
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
EP1519422B1 (en) * 2003-09-24 2018-05-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photovoltaic cell and its fabrication method
US6998288B1 (en) * 2003-10-03 2006-02-14 Sunpower Corporation Use of doped silicon dioxide in the fabrication of solar cells
US20060130891A1 (en) * 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
FR2880989B1 (fr) * 2005-01-20 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
US20070169808A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 Kherani Nazir P Solar cell

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282458A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP2004296776A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子およびその製造方法
JP2005101240A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子およびその製造方法

Cited By (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009524916A (ja) * 2006-01-26 2009-07-02 アライズ テクノロジーズ コーポレーション 太陽電池
JP2009200267A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
JP2011523230A (ja) * 2008-06-12 2011-08-04 サンパワー コーポレイション ポリシリコンドープ領域を有するバックコンタクト型太陽電池のトレンチプロセス及び構造
JP2014212339A (ja) * 2008-06-12 2014-11-13 サンパワー コーポレイション ポリシリコンドープ領域を有するバックコンタクト型太陽電池のトレンチプロセス及び構造
US8975717B2 (en) 2008-06-12 2015-03-10 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
JP2016036056A (ja) * 2008-06-12 2016-03-17 サンパワー コーポレイション ポリシリコンドープ領域を有するバックコンタクト型太陽電池のトレンチプロセス及び構造
JP2010087520A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Commiss Energ Atom デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法
JP2010147324A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Kyocera Corp 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
JP2010183080A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Lg Electronics Inc 太陽電池及びその製造方法
JP2015029126A (ja) * 2009-02-04 2015-02-12 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
CN102334192A (zh) * 2009-02-26 2012-01-25 三洋电机株式会社 太阳能电池的制造方法
WO2010098446A1 (ja) * 2009-02-26 2010-09-02 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
US8664034B2 (en) 2009-02-26 2014-03-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing solar cell
JP2010199416A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法
JP2011009615A (ja) * 2009-06-28 2011-01-13 Sino-American Silicon Products Inc 太陽電池の製造方法
JP2011061197A (ja) * 2009-09-04 2011-03-24 Lg Electronics Inc 太陽電池およびその製造方法
JP2013513964A (ja) * 2009-12-14 2013-04-22 トタル ソシエテ アノニム 裏面接点・ヘテロ接合太陽電池
JP2013513965A (ja) * 2009-12-21 2013-04-22 ヒュンダイ ヘビー インダストリーズ カンパニー リミテッド 裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法
JP2015062232A (ja) * 2010-03-04 2015-04-02 サンパワー コーポレイション バックコンタクトソーラーセルおよびソーラーセルの製造方法
JP2010283408A (ja) * 2010-09-30 2010-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
JP2011044749A (ja) * 2010-11-30 2011-03-03 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
JP2012164961A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Samsung Sdi Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
JP5879538B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光電変換装置及びその製造方法
WO2012132615A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換装置及びその製造方法
JPWO2012132758A1 (ja) * 2011-03-28 2014-07-28 三洋電機株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
JPWO2012132766A1 (ja) * 2011-03-28 2014-07-28 三洋電機株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
US9653626B2 (en) 2011-03-28 2017-05-16 Panasonic intellectual property Management co., Ltd Photoelectric conversion device and method for producing photoelectric conversion device
WO2012132758A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
JP2013115262A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Sharp Corp 光電変換素子
JP2013125890A (ja) * 2011-12-15 2013-06-24 Sharp Corp 光電変換素子およびその製造方法
JP2015507848A (ja) * 2011-12-30 2015-03-12 ソレクセル、インコーポレイテッド マルチレベルソーラーセルメタライゼーション
JP2013187287A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Sharp Corp 光電変換素子
JP2013239694A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Sereebo Inc トンネル酸化物を有する後面接合太陽電池
JP2014067888A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Sharp Corp 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP2016509376A (ja) * 2013-03-08 2016-03-24 ソイテックＳｏｉｔｅｃ 効率を改善するように構成された低バンドギャップ活性層を有する光活性デバイス及び関連する方法
JP2015050411A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 三洋電機株式会社 太陽電池
JP2014112735A (ja) * 2014-03-19 2014-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法
JP2016012624A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
WO2015198978A1 (ja) * 2014-06-27 2015-12-30 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP2016012623A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
US10224453B2 (en) 2014-11-04 2019-03-05 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
JP2016092425A (ja) * 2014-11-04 2016-05-23 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
US10714654B2 (en) 2014-11-04 2020-07-14 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
US10749069B2 (en) 2014-11-04 2020-08-18 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
JPWO2016114271A1 (ja) * 2015-01-14 2017-10-19 シャープ株式会社 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム
WO2016114371A1 (ja) * 2015-01-16 2016-07-21 シャープ株式会社 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム
JP2016143868A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 信越化学工業株式会社 裏面接合型太陽電池
WO2016140309A1 (ja) * 2015-03-04 2016-09-09 シャープ株式会社 光電変換素子およびその製造方法
JP2015188120A (ja) * 2015-07-31 2015-10-29 シャープ株式会社 光電変換素子
JP2017118112A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
US10868210B2 (en) 2015-12-21 2020-12-15 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
JP2019169599A (ja) * 2018-03-23 2019-10-03 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法、および、太陽電池
JP7043308B2 (ja) 2018-03-23 2022-03-29 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法、および、太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
CN101097969A (zh) 2008-01-02
US20080000522A1 (en) 2008-01-03
AU2007202844A1 (en) 2008-01-17
EP1873840A1 (en) 2008-01-02
KR20080002657A (ko) 2008-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008021993A (ja) 全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法
US9887306B2 (en) Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US20080173347A1 (en) Method And Apparatus For A Semiconductor Structure
Gordon et al. 8% Efficient thin‐film polycrystalline‐silicon solar cells based on aluminum‐induced crystallization and thermal CVD
US8872020B2 (en) Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design
KR101000064B1 (ko) 이종접합 태양전지 및 그 제조방법
EP2110859B1 (en) Laminate type photoelectric converter and method for fabricating the same
US20070023081A1 (en) Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
US20070023082A1 (en) Compositionally-graded back contact photovoltaic devices and methods of fabricating such devices
US20100243042A1 (en) High-efficiency photovoltaic cells
US20080174028A1 (en) Method and Apparatus For A Semiconductor Structure Forming At Least One Via
US20090255574A1 (en) Solar cell fabricated by silicon liquid-phase deposition
US9231146B2 (en) Silicon photovoltaic element and fabrication method
US10084099B2 (en) Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US20120312361A1 (en) Emitter structure and fabrication method for silicon heterojunction solar cell
JP5645734B2 (ja) 太陽電池素子
KR101079027B1 (ko) 광기전력 장치의 제조 방법
US20110120549A1 (en) Thin film solar cell and manufacturing method threof, method for increasing carrier mobility in semiconductor device, and semiconductor device
AU2022429985A1 (en) Solar cell and method for forming the same
WO2023126146A1 (en) Solar cell and method for forming the same
Goldbach et al. Bifacial silicon heterojunction solar cell with deposited back surface field
Gordon et al. Processing and characterization of efficient thin-film polycrystalline silicon solar cells
WO2011032879A2 (en) Method for manufacturing a thin-film, silicon-based solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100614

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100614

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100614

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100614

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110607

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110607

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110614

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111130

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120306

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120309

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120405

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120413

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120717