JP2013513965A - 裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013513965A JP2013513965A JP2012544394A JP2012544394A JP2013513965A JP 2013513965 A JP2013513965 A JP 2013513965A JP 2012544394 A JP2012544394 A JP 2012544394A JP 2012544394 A JP2012544394 A JP 2012544394A JP 2013513965 A JP2013513965 A JP 2013513965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- substrate
- type
- back surface
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本発明に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池は、第1の導電型の結晶質シリコン基板と、前記基板の表面上に順次に積層された真性層と、第1の導電型の非晶質シリコン層と、前記第2の導電型の非晶質シリコン上に積層された反射防止膜と、前記基板の裏面から前記基板の内部へ所定の深さで形成された第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域、及び前記第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域上にそれぞれ具備された第1の導電型電極と第2の導電型電極とを含んでなり、前記第1の導電型電極と第2の導電型電極とは交互に配置されることを特徴とする。
Description
本発明は、裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法に係り、より詳しくは、ヘテロ接合型の太陽電池と裏面電界型の太陽電池とを組み合わせて太陽電池の光電変換効率を極大化させることができる裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法に関する。
太陽電池は、太陽光を直接電気へと変換させる太陽光発電の核心素子であって、基本的にp−n接合からなるダイオード(diode)であると言える。太陽光が太陽電池によって電気へと変換される過程を説明すると、太陽電池のp−n接合部に太陽光が入射すると電子・正孔対が生成され、電場によって電子はn層に、正孔はp層に移動することでp−n接合部の間に光起電力が発生し、太陽電池の両端に負荷やシステムを接続すると電流が流れることで電力を生産することができるようになる。
一般的な太陽電池は、表面と裏面にそれぞれ表面電極と裏面電極が具備される構造を有する。受光面である表面に表面電極が具備されることで、表面電極の面積分受光面積が減少するようになる。このような受光面積の減少という問題を解決するために、裏面電界型の太陽電池が提案された。裏面電界型の太陽電池は、太陽電池の裏面上に(+)電極と(−)電極とを具備させ、太陽電池の表面の受光面積を極大化することを特徴とする。
なお、前述したように太陽電池はp−n接合からなるダイオードであると言えるところ、これはp型半導体層とn型半導体層との接合構造からなる。通常、p型基板にp型不純物イオンを注入してp型半導体層を形成することで(または、その逆)p−n接合を実現する。このように、太陽電池のp−n接合を構成するためには、不可欠に不純物イオンが注入された半導体層が要求される。
しかしながら、光電変換によって生成された電荷が移動中に太陽電池の半導体層に存在する格子間位置(interstitial sites)または置換位置(substitutional sites)に捕集されて再結合する場合が発生し、これは、太陽電池の光電変換効率に悪影響を及ぼす。このような問題を解決するために、p型半導体層とn型半導体層との間に真性層(intrinsic layer)を具備する、いわゆる、ヘテロ接合型(hetero−junction)の太陽電池が提示され、これによりキャリア(carrier)の再結合率を低下させることができる。
本発明は、ヘテロ接合型の太陽電池と裏面電界型の太陽電池とを組み合わせて太陽電池の光電変換効率を極大化させることができる裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法を提供することにその目的がある。
前記目的を達成するための本発明に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池は、第1の導電型の結晶質シリコン基板と、前記基板の表面上に順次に積層された真性層、第1の導電型の非晶質シリコン層と、前記第2の導電型の非晶質シリコン上に積層された反射防止膜と、前記基板の裏面から該基板の内部へ所定の深さで形成された第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域、及び前記第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域上にそれぞれ具備された第1の導電型電極と第2の導電型電極とを含んでなり、前記第1の導電型電極と第2の導電型電極とは交互に配置されることを特徴とする。
本発明に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池の製造方法は、第1の導電型の結晶質シリコン基板を準備するステップと、前記基板の裏面の内部に第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域とを交互に配設するステップと、前記基板の表面上に真性層と第1の導電型の非晶質シリコン層を順次に積層するステップと、前記第1の導電型の非晶質シリコン層上に反射防止膜を形成するステップ、及び前記第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域上にそれぞれ第1の導電型電極と第2の導電型電極を形成するステップとを含んでなることを特徴とする。
第1の導電型の接合領域または第2の導電型の接合領域を配設する方法は、前記基板の裏面上に第1の導電型の接合領域または第2の導電型の接合領域が形成される部位の基板を選択的に露出させるスクリーンマスクを形成する過程と、前記スクリーンマスクを含む基板の表面上に液状の第1の導電型または第2の導電型不純物を塗布する過程と、前記基板に熱処理を施して第1の導電型の接合領域または第2の導電型の接合領域を形成する過程とを含んでなるものであってよい。
前記反射防止膜を形成するステップの前に、前記第1の導電型の非晶質シリコン層上にバッファー層を形成するステップをさらに含んでいてよい。
本発明に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法では、次のような効果がある。
太陽電池の裏面上に(+)電極と(−)電極の両方が具備されることで受光面積を極大化することができ、不純物イオンが注入されていない真性層が具備されることでキャリアの再結合率を最小化して太陽電池の光電変換効率を向上させることができるようになる。
太陽電池の裏面上に(+)電極と(−)電極の両方が具備されることで受光面積を極大化することができ、不純物イオンが注入されていない真性層が具備されることでキャリアの再結合率を最小化して太陽電池の光電変換効率を向上させることができるようになる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法を説明することにする。図1は、本発明の一実施形態に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池の断面図である。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池は、第1の導電型の結晶質シリコン基板101を具備する。前記第1の導電型は、p型またはn型であってよく、第2の導電型は第1の導電型の逆である。以下の説明では、第1の導電型がn型、第2の導電型がp型であることを中心に説明することにする。
前記n型基板101(n−)上には真性層108とn型非晶質半導体層109(n+ a−Si:H)が順次に積層される。前記真性層108は、前記n型非晶質半導体層109と同様に非晶質シリコン層からなるものであってよい。前記n型非晶質半導体層109上には、シリコン酸化膜などからなる反射防止膜111が具備される。前記n型非晶質半導体層109とシリコン酸化膜との間に応力を緩和させるためにバッファー層110としてのシリコン酸化膜層がさらに具備されていてもよい。
一方、前記基板101の裏面から基板101内部の所定の深さまでの領域にp接合領域104とn接合領域107が具備される。前記p接合領域104とn接合領域107とは、それぞれn型基板101にp型不純物イオンとn型不純物イオンが注入されてなる半導体領域のことを言い、前記p接合領域104とn接合領域107とは、前記基板101の裏面に交互に配置される。また、前記p接合領域104とn接合領域107上には、それぞれp電極112とn電極113が具備される。
次いで、本発明の一実施形態に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池の製造方法を説明することにする。図2aないし図2gは、本発明の一実施形態に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池の製造方法を説明するための工程断面図である。
先ず、図2aに示すように第1の導電型、例えば、n型の結晶質シリコン基板101を準備する。しかる後、前記基板101の表面に凹凸が形成されるようにテクスチャリング(texturing)工程を行なう。前記テクスチャリング工程は、光吸収を極大化するためのものであって、湿式エッチングまたは反応性イオンエッチング(reactive ion etching)などの乾式エッチング方法を用いて行なうことができる。
次いで、p接合領域104及びn接合領域107の形成工程を行なう。前記p接合領域104の形成工程とn接合領域107の形成工程は、独立して順次に行ない、その順序は特に問わない。
p接合領域104の形成工程を先に行なう場合、図2bに示すように前記基板101の裏面上にp接合領域104が形成される部位の基板101を露出させる第1のスクリーンマスク102を形成する。しかる後、液状のp型不純物103をローラーなどを利用して前記第1のスクリーンマスク102を含む基板101の表面上に塗布する。次いで、熱処理工程を行い、前記p型不純物を前記基板101の内部へ拡散させてp接合領域104を形成する(図2c参照)。
このような状態で、図2dに示すように前記第1のスクリーンマスク102を除去し、第2のスクリーンマスク105を前記基板101上に形成する。前記第2のスクリーンマスク105は、n接合領域107が形成される部位の基板101を選択的に露出させる。前記第2のスクリーンマスク105が形成された状態で、基板101の表面上に液状のn型不純物106を塗布する。このとき、液状のn型不純物106は、前記p型不純物と同様にローラーを利用して塗布することができる。しかる後、熱処理工程を行い、前記n型不純物を前記基板101の内部へ拡散させてn接合領域107を形成する(図2e参照)。次いで、第2のスクリーンマスク105を除去する。
前記p接合領域104及びn接合領域107が形成された状態で、図2fに示すように前記基板101の表面上に非晶質シリコン材質の真性層108を積層する。前記真性層108は、プラズマ強化化学気相蒸着法(PECVD、plasma enhanced chemical vapor deposition)などを用いて形成することができる。しかる後、前記真性層108上にn型非晶質シリコン層(n+ a−Si:H)を形成する。前記n型非晶質シリコン層は、非晶質シリコン層の形成の際にn型不純物イオンを注入して形成することができる。
このような状態で、前記n型非晶質シリコン層上にシリコン窒化膜材質の反射防止膜111を形成する。このとき、前記反射防止膜111とn型非晶質シリコン層との間の応力を緩和させるために、前記反射防止膜111の形成の前にシリコン酸化膜材質のバッファー層110を前記n型非晶質シリコン層上に形成することもできる。次いで、図2gに示すように前記p接合領域104とn接合領域107上にそれぞれp電極112とn電極113を形成すれば本発明の一実施形態に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池の製造方法は完了する。
太陽電池の裏面上に(+)電極と(−)電極の両方が具備されることで受光面積を極大化することができ、不純物イオンが注入されていない真性層が具備されることでキャリアの再結合率を最小化して太陽電池の光電変換効率を向上させることができるようになる。
前記目的を達成するための本発明に係る裏面電界型のヘテロ接合太陽電池は、第1の導電型の結晶質シリコン基板と、前記基板の表面上に順次に積層された真性層、第1の導電型の非晶質シリコン層と、前記第1の導電型の非晶質シリコン上に積層された反射防止膜と、前記基板の裏面から該基板の内部へ所定の深さで形成された第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域、及び前記第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域上にそれぞれ具備された第1の導電型電極と第2の導電型電極とを含んでなり、前記第1の導電型電極と第2の導電型電極とは交互に配置されることを特徴とする。
Claims (5)
- 第1の導電型の結晶質シリコン基板と、
前記基板の表面上に順次に積層された真性層及び第1の導電型の非晶質シリコン層と、
前記第2の導電型の非晶質シリコン上に積層された反射防止膜と、
前記基板の裏面から前記基板の内部へ所定の深さで形成された第1の導電型の接合領域及び第2の導電型の接合領域と、
前記第1の導電型の接合領域及び第2の導電型の接合領域上にそれぞれ具備された第1の導電型電極及び第2の導電型電極とを含んでなり、
前記第1の導電型電極と第2の導電型電極とは交互に配置されることを特徴とする裏面電界型のヘテロ接合太陽電池。 - 前記第1の導電型の非晶質シリコン層と反射防止膜との間にバッファー層がさらに具備されることを特徴とする請求項1に記載の裏面電界型のヘテロ接合太陽電池。
- 第1の導電型の結晶質シリコン基板を準備するステップと、
前記基板の裏面の内部に第1の導電型の接合領域と第2の導電型の接合領域とを交互に配設するステップと、
前記基板の表面上に真性層と第1の導電型の非晶質シリコン層とを順次に積層するステップと、
前記第1の導電型の非晶質シリコン層上に反射防止膜を形成するステップと、
前記第1の導電型の接合領域及び第2の導電型の接合領域上にそれぞれ第1の導電型電極及び第2の導電型電極を形成するステップとを含んでなることを特徴とする裏面電界型のヘテロ接合太陽電池の製造方法。 - 第1の導電型の接合領域または第2の導電型の接合領域を形成する方法は、
前記基板の裏面上に第1の導電型の接合領域または第2の導電型の接合領域が形成される部位の基板を選択的に露出させるスクリーンマスクを形成する過程と、
前記スクリーンマスクを含む基板の表面上に液状の第1の導電型または第2の導電型不純物を塗布する過程と、
前記基板に熱処理を施して第1の導電型の接合領域または第2の導電型の接合領域を形成する過程とを含んでなることを特徴とする請求項3に記載の裏面電界型のヘテロ接合太陽電池の製造方法。 - 前記反射防止膜を形成するステップの前に、
前記第1の導電型の非晶質シリコン層上にバッファー層を形成するステップをさらに含んでなることを特徴とする請求項3に記載の裏面電界型のヘテロ接合太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090127928A KR20110071374A (ko) | 2009-12-21 | 2009-12-21 | 후면전계형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 |
KR10-2009-0127928 | 2009-12-21 | ||
PCT/KR2010/009060 WO2011078520A2 (ko) | 2009-12-21 | 2010-12-17 | 후면전계형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013513965A true JP2013513965A (ja) | 2013-04-22 |
Family
ID=44196267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012544394A Pending JP2013513965A (ja) | 2009-12-21 | 2010-12-17 | 裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120255608A1 (ja) |
JP (1) | JP2013513965A (ja) |
KR (1) | KR20110071374A (ja) |
CN (1) | CN102763227A (ja) |
DE (1) | DE112010004923T5 (ja) |
WO (1) | WO2011078520A2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101363002B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2014-02-18 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법 |
TWI511316B (zh) * | 2015-02-13 | 2015-12-01 | Neo Solar Power Corp | 異質接面太陽能電池及其製造方法 |
US20160284913A1 (en) * | 2015-03-27 | 2016-09-29 | Staffan WESTERBERG | Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11312814A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Toyota Motor Corp | 太陽電池素子 |
JP2007081300A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2008021993A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-31 | General Electric Co <Ge> | 全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法 |
JP2008192764A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Kyocera Corp | 光電変換素子の製造方法 |
JP2010258043A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0529638A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 光電変換装置の製造方法 |
JP3468670B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2003-11-17 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
JP4171428B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2008-10-22 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
US7700400B2 (en) * | 2004-12-27 | 2010-04-20 | Naoetsu Electronics Co., Ltd. | Back junction solar cell and process for producing the same |
KR101241617B1 (ko) * | 2006-12-01 | 2013-03-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
US20090293948A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of manufacturing an amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell |
-
2009
- 2009-12-21 KR KR1020090127928A patent/KR20110071374A/ko not_active Application Discontinuation
-
2010
- 2010-12-17 WO PCT/KR2010/009060 patent/WO2011078520A2/ko active Application Filing
- 2010-12-17 CN CN2010800642094A patent/CN102763227A/zh active Pending
- 2010-12-17 US US13/516,959 patent/US20120255608A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-17 DE DE112010004923T patent/DE112010004923T5/de not_active Ceased
- 2010-12-17 JP JP2012544394A patent/JP2013513965A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11312814A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Toyota Motor Corp | 太陽電池素子 |
JP2007081300A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2008021993A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-31 | General Electric Co <Ge> | 全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法 |
JP2008192764A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Kyocera Corp | 光電変換素子の製造方法 |
JP2010258043A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112010004923T5 (de) | 2012-11-08 |
WO2011078520A3 (ko) | 2011-11-10 |
CN102763227A (zh) | 2012-10-31 |
KR20110071374A (ko) | 2011-06-29 |
WO2011078520A2 (ko) | 2011-06-30 |
US20120255608A1 (en) | 2012-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8686283B2 (en) | Solar cell with oxide tunneling junctions | |
JP2013513966A (ja) | 裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法 | |
JP2009164544A (ja) | 太陽電池のパッシベーション層構造およびその製造方法 | |
KR20090065895A (ko) | 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR102148427B1 (ko) | 광전소자 및 그 제조방법 | |
KR20130048948A (ko) | 양면수광형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101179365B1 (ko) | 전후면전계 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR20170143074A (ko) | 양면 수광형 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 | |
KR101543767B1 (ko) | 태양전지의 선택적 에미터 형성방법, 및 태양전지와 그 제조방법 | |
KR101238988B1 (ko) | 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101284271B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지 | |
JP2013513965A (ja) | 裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法 | |
KR101125450B1 (ko) | 후면전극형 태양전지의 제조방법 | |
CN102738264B (zh) | 掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法 | |
KR101181625B1 (ko) | 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법 | |
KR20140022507A (ko) | 후면전극형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101155192B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 | |
KR101115104B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101345506B1 (ko) | 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR20130048945A (ko) | 양면수광형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR20110060130A (ko) | 태양전지 제조 시의 선택적 에미터 형성 방법 | |
KR20140022508A (ko) | 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법 | |
WO2011078518A2 (ko) | 후면전계형 이종접합 태양전지의 제조방법 | |
KR20110071378A (ko) | 후면전계형 이종접합 태양전지의 제조방법 | |
KR101172611B1 (ko) | 태양전지 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140304 |