JP2007081300A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 SiO2および/もしくはSiO2前駆体を含むペーストを半導体基板上にパターニングして塗布し、酸素雰囲気で焼成することでドーパントの拡散制御マスクを形成させ、その後ドーピングを行なうことで、パターニングされた拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
【選択図】 図2
Description
<マスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法>
図2は、本発明による太陽電池の製造方法の概略断面図である。以下、マスキングペーストを用いて裏面接合型太陽電池を製造する方法を図2に沿って説明する。
マスキングペーストを上述する条件で焼成することによって、拡散制御マスクが形成される。マスキングペーストが塗布、例えばスクリーン印刷されていない部分のみにドーパントの拡散が生じる。拡散制御マスクとは、ドーパントの拡散工程において、ドーパントの拡散を停止させるなどの制御機能を有する膜をいう。拡散制御マスクの材質としてはSiO2を用いているが、SiO2前駆体は、通常マスキングペースト中にSi(OH)4の形で存在していると考えられ、乾燥工程によりSiO2に変化し、拡散防御マスクとしての役割を果たす。SiO2前駆体を形成するのは、ほかにTEOS(テトラエチルオルソシリケート)のような一般式R´nSi(OR)4-nで示される物質、シロキサン、ポリシロキサンも含まれる(R´はメチル、エチルまたはフェニル、Rはメチル、エチル、n−プロピルまたはi−プロピル、nは0、1または2)。
まず、ガラス瓶にTEOS(テトラエチルオルソシリケート)のような一般式R´nSi(OR)4-n(R´はメチル、エチルまたはフェニル、Rはメチル、エチル、n−プロピルまたはi−プロピル、nは0、1または2)で示される物質(以下TEOSを例に説明する)、溶剤(ブチルセロソルブ)、水、塩酸を適量入れ、10分程度よく攪拌した後、6時間程度放置する。この過程により塩酸を触媒としてTEOSと水が化学反応を起こし、エチルアルコールとSiO2前駆体であるSi(OH)4が発生する。触媒は、硝酸、硫酸などの無機酸、ギ酸、酢酸、しゅう酸などの有機酸など、酸であればよい。ただし、半導体に対して影響を与えにくく、かつ入手しやすい塩酸を用いることが望ましい。
まず、ガラス瓶にTEOS(テトラエチルオルソシリケート)30g、溶剤としてブチルセロソルブ100g、水10g、塩酸数滴を入れ、10分間よく攪拌した後、6時間放置した。この過程により塩酸を触媒としてTEOSと水が化学反応を起こし、エチルアルコールとSiO2前駆体であるSi(OH)4が発生した。
マスキングペーストの代わりにフォトリソグラフィー技術を用いて裏面接合型太陽電池を製造した。
本発明の実施例と、比較例によって、それぞれ製作された太陽電池の特性を測定し比較した。その結果、フォトリソグラフィー工程を含む製造方法による従来の裏面接合型太陽電池(比較例1)と比べて、本発明の製造方法による裏面接合型太陽電池(実施例1)は遜色がなかった。また、高い太陽電池の特性が得られることもわかった。
Claims (5)
- SiO2および/もしくはSiO2前駆体を含むペーストを半導体基板上にパターニングして塗布し、酸素雰囲気で焼成することでドーパントの拡散制御マスクを形成させ、その後ドーピングを行なうことで、パターニングされた拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 前記ドーパントの拡散は、気相拡散もしくは塗布拡散であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記焼成は、焼成温度800〜1050℃、焼成時間10〜60分であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記ドーパントの拡散の拡散温度は、p型ドーパント拡散は800℃以上、n型ドーパント拡散は700℃以上であることを特徴とする請求項1〜3に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記ペーストは、SiO2前駆体としてテトラエチルオルソシリケートを5〜25質量%、増粘剤としてエチルセルロースを5〜25質量%、テトラエチルオルソシリケートの加水分解反応の触媒として酸を0.1質量%含有することを特徴とする請求項1〜4に記載の太陽電池の製造方法。
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