KR20140022507A - 후면전극형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이종접합형 태양전지와 후면전극형 태양전지를 접목시켜 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 후면전극형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법은 n형 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 기판의 후면은 p 도핑영역과 n 도핑영역이 교번하여 반복 배치되는 형태로 구분되며, 상기 n 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하는 단계와, 상기 기판 후면의 전면 상에 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 p 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하여, 상기 p 도핑영역에는 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막이 순차적으로 적층되고, 상기 n 도핑영역에는 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막이 순차적으로 적층되도록 하는 단계 및 상기 p 도핑영역의 투명전도산화막 상에 p 전극을 형성하고, 상기 n 도핑영역의 투명전도산화막 상에 n 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 후면전극형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이종접합형 태양전지와 후면전극형 태양전지를 접목시켜 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 후면전극형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. 태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다.
일반적인 태양전지는 전면과 후면에 각각 전면전극과 후면전극이 구비되는 구조를 갖는다. 수광면인 전면에 전면전극이 구비됨에 따라, 전면전극의 면적만큼 수광면적이 줄어들게 된다. 이와 같은 수광면적이 축소되는 문제를 해결하기 위해 후면전극형 태양전지가 제안되었다. 후면전극형 태양전지는 태양전지의 후면 상에 (+)전극과 (-)전극을 구비시켜 태양전지 전면의 수광면적을 극대화하는 것을 특징으로 한다.
한편, 전술한 바와 같이 태양전지는 p-n 접합으로 이루어진 다이오드라 할 수 있는데, 이는 p형 반도체층과 n형 반도체층의 접합 구조로 이루어진다. 통상, p형 기판에 p형 불순물 이온을 주입하여 p형 반도체층을 형성하여(또는 그 반대) p-n 접합을 구현한다. 이와 같이, 태양전지의 p-n 접합을 구성하기 위해서는 필연적으로 불순물 이온이 주입된 반도체층이 요구된다.
그러나, 광전변환에 의해 생성된 전하가 이동 중에 태양전지의 반도체층에 존재하는 침입형 사이트(interstitial sites) 또는 대체형 사이트(substitutional sites)에 포집되어 재결합되는 경우가 발생하며, 이는 태양전지의 광전변환효율에 악영향을 끼친다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해, p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 진성층(intrinsic layer)을 구비시키는 이른바, 이종접합형(hetero-junction) 태양전지가 제시되었으며 이를 통해 캐리어(carrier)의 재결합률을 저하시킬 수 있다(한국공개특허공보 제2012-20294호).
본 발명은 이종접합형 태양전지와 후면전극형 태양전지를 접목시켜 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 후면전극형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다. 또한, 본 발명은 각 단위공정에서의 패터닝 공정을 최적화하여 공정 효율 및 태양전지의 전기적 특성을 향상시킴에 다른 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법은 n형 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 기판의 후면은 p 도핑영역과 n 도핑영역이 교번하여 반복 배치되는 형태로 구분되며, 상기 n 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하는 단계와, 상기 기판 후면의 전면 상에 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 p 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하여, 상기 p 도핑영역에는 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막이 순차적으로 적층되고, 상기 n 도핑영역에는 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막이 순차적으로 적층되도록 하는 단계 및 상기 p 도핑영역의 투명전도산화막 상에 p 전극을 형성하고, 상기 n 도핑영역의 투명전도산화막 상에 n 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 n 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하는 단계는, 상기 n 도핑영역의 투명전도산화막 상에 식각 페이스트를 도포하는 과정과, 상기 기판을 열처리하여 식각 페이스트가 도포된 투명전도산화막을 제거하는 과정과, 상기 p 도핑영역에 잔존하는 투명전도산화막을 식각 마스크로 이용하여 n 도핑영역의 p형 비정질 반도체층 및 진성형 비정질 반도체층(i)을 습식식각하는 과정을 포함하여 구성된다.
상기 n 도핑영역의 p형 비정질 반도체층 및 진성형 비정질 반도체층(i)을 습식식각하는 과정에서, 상기 습식식각에 의해 p형 비정질 반도체층, 진성형 비정질 반도체층(i) 및 상기 p형 비정질 반도체층에 잔존하는 식각 페이스트가 함께 제거되며, 상기 습식식각시 에천트는 알칼리 수용액 또는 산 수용액이다. 또한, 상기 알칼리 수용액은 KOH, NaOH, LiOH, RbOH, CsOH 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액으로 구성되고, 상기 산 수용액은 HF, HNO3, HCl, H2SO4, CH3COOH 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액으로 구성될 수 있다.
상기 p 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하는 단계는, 상기 p 도핑영역의 투명전도산화막 상에 식각 페이스트를 도포하는 과정과, 상기 기판을 열처리하여 식각 페이스트가 도포된 투명전도산화막을 제거하는 과정과, 상기 n 도핑영역에 잔존하는 투명전도산화막을 식각 마스크로 이용하여 p 도핑영역의 n형 비정질 반도체층 및 진성형 비정질 반도체층(i)을 습식식각하는 과정을 포함하여 구성된다.
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본 발명에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지는 n형 결정질 실리콘 기판과, 상기 n형 결정질 실리콘 기판의 후면은 p 도핑영역과 n 도핑영역이 교번하여 반복 배치되는 형태로 구분되며, 상기 p 도핑영역의 기판 후면 상에 순차적으로 적층된 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막과, 상기 n 도핑영역의 기판 후면 상에 순차적으로 적층된 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막; 및 상기 p 도핑영역의 투명전도산화막 상에 구비된 p 전극 및 상기 n 도핑영역의 투명전도산화막 상에 구비된 n 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
태양전지의 후면 상에 (+) 전극과 (-) 전극이 모두 구비됨에 따라 수광면적을 극대화할 수 있으며, 불순물 이온이 주입되지 않은 진성형 비정질 반도체층(i)이 구비됨으로 인해 캐리어의 재결합률을 최소화하여 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 식각 페이스트 제거를 위한 별도의 공정이 요구되지 않음에 따라, p 도핑영역과 n 도핑영역의 형성 공정을 간소화할 수 있으며, 공정 특성상 p 도핑영역과 n 도핑영역 사이의 간격을 없앨 수 있기 때문에 간격에 의한 셀 특성 저하를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지의 단면도.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지는 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판(101)을 구비한다. 상기 제 1 도전형은 p형 또는 n형일 수 있으며, 제 2 도전형은 제 1 도전형의 반대이다. 이하의 설명에서는 제 1 도전형이 n형, 제 2 도전형이 p형인 것을 중심으로 설명하기로 한다.
상기 n형 결정질 실리콘 기판(101)(n-)의 후면은 p 도핑영역과 n 도핑영역이 교번, 배치되는 형태로 정의되며, p 도핑영역의 기판(101) 후면 상에는 진성형 비정질 반도체층(i)(102), p형 비정질 반도체층(p)(103), 투명전도산화막(104)이 순차적으로 적층되며, n 도핑영역의 기판(101) 후면 상에는 진성형 비정질 반도체층(i)(106), n형 비정질 반도체층(n)(107), 투명전도산화막(108)이 순차적으로 적층된다. 상기 p 도핑영역의 투명전도산화막(104) 및 n 도핑영역의 투명전도산화막(108) 상에는 각각 외부 회로와 연결되는 p 전극(110), n 전극(111)이 구비된다.
한편, 도면에 도시하지 않았지만 상기 n형 기판(101) 상부에는 전면전계층이 구비되고, 상기 전면전계층 상에 반사방지막이 더 구비될 수 있다. 상기 전면전계층은 n형 결정질 실리콘 반도체층 또는 n형 비정질 실리콘 반도체층으로 구성될 수 있으며, n형 비정질 실리콘 반도체층으로 구성되는 경우 n형 비정질 실리콘 반도체층 하부에 진성 비정질 실리콘 반도체층이 구비될 수 있다. 상기 반사방지막은 SiNx, SiOx, SiONx, 등으로 이루어질 수 있다.
다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법을 설명하기로 한다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이 제 1 도전형 예를 들어, n형의 결정질 실리콘 기판(101)을 준비한다. 그런 다음, 상기 기판(101)의 표면에 요철이 형성되도록 텍스쳐링(texturing) 공정을 진행한다. 상기 텍스쳐링 공정은 광흡수를 극대화하기 위한 것이며, 습식식각 또는 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 등의 건식식각 방법을 이용하여 진행할 수 있다.
텍스쳐링 공정이 진행된 상태에서, 상기 기판(101)의 후면 상에 비정질 실리콘 재질의 진성형 비정질 반도체층(i)(intrinsic layer)(102), p형 비정질 반도체층(p)(103) 및 투명전도산화막(104)을 순차적으로 적층한다. 상기 진성형 비정질 반도체층(i)(102)은 불순물 이온이 주입되지 않은 비정질실리콘층이고, 상기 p형 비정질 반도체층(p)(103)은 p형 불순물 이온이 주입된 비정질실리콘층이며, 상기 진성형 비정질 반도체층(i)(102) 및 p형 비정질 반도체층(p)(103)은 플라즈마 강화 화학기상증착법(PECVD, plasma enhanced chemical vapor deposition) 등을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 투명전도산화막(104)(108)은 p형 비정질 반도체층(p)(103) 및 후술하는 n형 비정질 반도체층(n)(107)의 전기전도도 특성을 보완하기 위한 것으로서, ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), IWO(Indium Tungsten Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), In2O3 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
이와 같은 상태에서, 후면전극형 태양전지의 p 도핑영역을 형성하기 위한 패터닝 공정을 진행한다. 먼저, p 도핑영역 이외의 영역에 형성된 투명전도산화막(104)을 제거한다. 구체적으로, 제거 대상 투명전도산화막(104) 상에 식각 페이스트(105)를 인쇄, 도포한다. 그런 다음, 일정 온도 하에서 열처리 공정을 진행하면 식각 페이스트(105)가 도포된 영역의 투명전도산화막(104)은 제거되며(도 2b 참조), p 도핑영역의 투명전도산화막(104_만이 잔존하게 된다. 이어, 도 2c에 도시한 바와 같이 패터닝된 투명전도산화막(104)을 식각 마스크로 이용하여 식각 마스크에 의해 노출된 p형 비정질 반도체층(p)(103) 및 그 하부의 진성형 비정질 반도체층(i)(102)을 습식식각하여 제거한다. 상기 공정을 통해 패터닝된 투명전도산화막(104), p형 비정질 반도체층(p)(103), 진성형 비정질 반도체층(i)(102)의 구조물이 얻어지며 이는 후면전극형 태양전지의 p 도핑영역에 해당된다.
습식식각시 p형 비정질 반도체층(p)(103)과 진성형 비정질 반도체층(i)(102)의 제거 뿐만 아니라 p형 비정질 반도체층(p)(103) 상에 잔존하는 식각 페이스트(105) 또한 제거되어야 한다. 이를 위해, 습식식각시 에천트(echant)로는 알칼리 수용액 또는 산 수용액이 이용된다. 상기 알칼리 수용액은 KOH, NaOH, LiOH, RbOH, CsOH 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액으로 구성되고, 상기 산 수용액은 HF, HNO3, HCl, H2SO4, CH3COOH 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액으로 구성될 수 있다.
후면전극형 태양전지의 p 도핑영역이 완성된 상태에서, 도 2d에 도시한 바와 같이 상기 기판(101) 전면 상에 비정질 실리콘 재질의 진성형 비정질 반도체층(i)(106), n형 비정질 반도체층(n)(107) 및 투명전도산화막(108)을 순차적으로 적층한다.
그런 다음, 후면전극형 태양전지의 n 도핑영역을 형성하기 위한 패터닝 공정을 진행한다. 구체적으로, p 도핑영역의 투명전도산화막(108) 상에 식각 페이스트(109)를 인쇄, 도포한 다음(도 2e 참조), 열처리 공정을 진행하여 식각 페이스트(109)가 도포된 영역의 투명전도산화막(108)을 제거한다(도 2f 참조). 이에 따라, p 도핑영역에서는 n형 비정질 반도체층(n)(107)이 노출되며, 그 이외의 영역 즉, n 도핑영역에는 투명전도산화막(108)이 잔존한다. 잔존하는 투명전도산화막(108)을 식각 마스크로 이용하여 노출된 n형 비정질 반도체층(n)(107) 및 그 하부의 진성형 비정질 반도체층(i)(106)을 습식식각하여 제거한다(도 2g 참조). 이 때의 습식식각 역시 n형 비정질 반도체층(n)(107)과 진성형 비정질 반도체층(i)(106)의 제거 뿐만 아니라 n형 비정질 반도체층(n)(107) 상에 잔존하는 식각 페이스트(109) 또한 제거되어야 하며, 상기의 p형 비정질 반도체층(p)(103), 진성형 비정질 반도체층(i)(102) 및 잔존하는 식각 페이스트(105)의 제거시와 마찬가지로 알칼리 수용액 또는 산 수용액이 이용된다. 알칼리 수용액 또는 산 수용액의 세부 구성은 상술한 바와 동일하다.
최종적으로, 도 2g에 도시한 바와 같이 p 도핑영역에는 <진성형 비정질 반도체층(i)(102)/p형 비정질 반도체층(103)/투명전도산화막(104)>의 구조물이 형성되고, n 도핑영역에는 <진성형 비정질 반도체층(i)(106)/n형 비정질 반도체층(107)/투명전도산화막(108)>의 구조물이 형성되며, 상기 기판(101) 후면 상에 상기 p 도핑영역과 n 도핑영역이 교번하여 반복 배치되는 형태를 이루게 된다.
상기 p 도핑영역 및 n 도핑영역이 형성된 상태에서, 도 2h에 도시한 바와 같이 도금 등의 공정을 통해 p 도핑영역의 투명전도산화막(104)과 n 도핑영역의 투명전도산화막(108) 상에 각각 금속전극을 형성하여 p 전극(110), n 전극(111)을 형성하면 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법은 완료된다.
한편, 상기 기판(101)의 상부에는 전면전계층과 반사방지막이 더 구비될 수 있는데, 상기 전면전계층 및 반사방지막의 형성 공정은 상술한 일련의 제조공정 중 특정 시점에서 선택적으로 적용할 수 있다. 예를 들어, 전면전계층 및 반사방지막 형성은 텍스쳐링 공정 이후에 진행할 수 있다.
101 : n형 결정질 실리콘 기판 102, 106 : 진성형 비정질 반도체층(i)
103 : p형 비정질 반도체층(p) 104, 108 : 투명전도산화막
105, 109 : 식각 페이스트 107 : n형 비정질 반도체층(n)
110 : p 전극 111 : n 전극
103 : p형 비정질 반도체층(p) 104, 108 : 투명전도산화막
105, 109 : 식각 페이스트 107 : n형 비정질 반도체층(n)
110 : p 전극 111 : n 전극
Claims (8)
- n형 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;
상기 기판의 후면 상에 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막을 순차적으로 적층하는 단계;
상기 기판의 후면은 p 도핑영역과 n 도핑영역이 교번하여 반복 배치되는 형태로 구분되며, 상기 n 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하는 단계;
상기 기판 후면의 전면 상에 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막을 순차적으로 적층하는 단계;
상기 p 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하여, 상기 p 도핑영역에는 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막이 순차적으로 적층되고, 상기 n 도핑영역에는 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막이 순차적으로 적층되도록 하는 단계; 및
상기 p 도핑영역의 투명전도산화막 상에 p 전극을 형성하고, 상기 n 도핑영역의 투명전도산화막 상에 n 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 n 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하는 단계는,
상기 n 도핑영역의 투명전도산화막 상에 식각 페이스트를 도포하는 과정과,
상기 기판을 열처리하여 식각 페이스트가 도포된 투명전도산화막을 제거하는 과정과,
상기 p 도핑영역에 잔존하는 투명전도산화막을 식각 마스크로 이용하여 n 도핑영역의 p형 비정질 반도체층 및 진성형 비정질 반도체층(i)을 습식식각하는 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 n 도핑영역의 p형 비정질 반도체층 및 진성형 비정질 반도체층(i)을 습식식각하는 과정에서,
상기 습식식각에 의해 p형 비정질 반도체층, 진성형 비정질 반도체층(i) 및 상기 p형 비정질 반도체층에 잔존하는 식각 페이스트가 함께 제거되며, 상기 습식식각시 에천트는 알칼리 수용액 또는 산 수용액인 것을 특징으로 하는 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 알칼리 수용액은 KOH, NaOH, LiOH, RbOH, CsOH 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액으로 구성되고, 상기 산 수용액은 HF, HNO3, HCl, H2SO4, CH3COOH 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액으로 구성되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 p 도핑영역의 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막을 식각, 제거하는 단계는,
상기 p 도핑영역의 투명전도산화막 상에 식각 페이스트를 도포하는 과정과,
상기 기판을 열처리하여 식각 페이스트가 도포된 투명전도산화막을 제거하는 과정과,
상기 n 도핑영역에 잔존하는 투명전도산화막을 식각 마스크로 이용하여 p 도핑영역의 n형 비정질 반도체층 및 진성형 비정질 반도체층(i)을 습식식각하는 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 p 도핑영역의 n형 비정질 반도체층 및 진성형 비정질 반도체층(i)을 습식식각하는 과정에서,
상기 습식식각에 의해 n형 비정질 반도체층, 진성형 비정질 반도체층(i) 및 상기 n형 비정질 반도체층에 잔존하는 식각 페이스트가 함께 제거되며, 상기 습식식각시 에천트는 알칼리 수용액 또는 산 수용액인 것을 특징으로 하는 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 알칼리 수용액은 KOH, NaOH, LiOH, RbOH, CsOH 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액으로 구성되고, 상기 산 수용액은 HF, HNO3, HCl, H2SO4, CH3COOH 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액으로 구성되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 이종접합 태양전지의 제조방법.
- n형 결정질 실리콘 기판;
상기 n형 결정질 실리콘 기판의 후면은 p 도핑영역과 n 도핑영역이 교번하여 반복 배치되는 형태로 구분되며, 상기 p 도핑영역의 기판 후면 상에 순차적으로 적층된 진성형 비정질 반도체층(i), p형 비정질 반도체층(p) 및 투명전도산화막;
상기 n 도핑영역의 기판 후면 상에 순차적으로 적층된 진성형 비정질 반도체층(i), n형 비정질 반도체층(n) 및 투명전도산화막; 및
상기 p 도핑영역의 투명전도산화막 상에 구비된 p 전극 및 상기 n 도핑영역의 투명전도산화막 상에 구비된 n 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 후면전극형 이종접합 태양전지.
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| CN115207137A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-10-18 | 金阳(泉州)新能源科技有限公司 | 一种联合钝化背接触电池及其制备方法 |
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