JP2001189478A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子及びその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 169
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 102100033041 Carbonic anhydrase 13 Human genes 0.000 description 1
- 101000867860 Homo sapiens Carbonic anhydrase 13 Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
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- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、プラズマによるダメージを解消
し、非晶質半導体層と透明電極との界面特性を良好に保
ち、高効率な半導体素子を提供することを課題とする。 【解決手段】 ｎ型単結基板１表面に電気抵抗を低下さ
せる不純物を実質的に含まないｉ型非晶質半導体層２を
形成する工程と、ｐ型不純物を含むガスを励起した雰囲
気に、前記非晶質半導体層２が形成されたｎ型単結晶基
板１を曝して前記不純物を前記非晶質半導体層２に拡散
させてプラズマドーピング層３を形成する工程と、前記
プラズマドーピング層３上に、化学的気相成長法により
前記ｐ型不純物を含むｐ型非晶質半導体層薄膜４を形成
する工程と、このｐ型非晶質半導体薄膜４上に透明電極
５を形成する工程と、を有する。
し、非晶質半導体層と透明電極との界面特性を良好に保
ち、高効率な半導体素子を提供することを課題とする。 【解決手段】 ｎ型単結基板１表面に電気抵抗を低下さ
せる不純物を実質的に含まないｉ型非晶質半導体層２を
形成する工程と、ｐ型不純物を含むガスを励起した雰囲
気に、前記非晶質半導体層２が形成されたｎ型単結晶基
板１を曝して前記不純物を前記非晶質半導体層２に拡散
させてプラズマドーピング層３を形成する工程と、前記
プラズマドーピング層３上に、化学的気相成長法により
前記ｐ型不純物を含むｐ型非晶質半導体層薄膜４を形成
する工程と、このｐ型非晶質半導体薄膜４上に透明電極
５を形成する工程と、を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光入射により光
起電力を発生する光起電力素子や、液晶ディスプレイな
どに用いる薄膜トランジスタなどのヘテロ接合を有する
半導体素子及びその製造方法に関する。
起電力を発生する光起電力素子や、液晶ディスプレイな
どに用いる薄膜トランジスタなどのヘテロ接合を有する
半導体素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光起電力素子は、光を吸収し電
流に主に変換する部分の半導体の種類により、単結晶
系、多結晶系、非晶質系に分類されるが、単結晶シリコ
ンまたは多結晶シリコン等の結晶系半導体からなる結晶
系基板を基板として用い、その基板上に非晶質シリコン
半導体層を形成し、結晶系基板と非晶質シリコン半導体
層との間に、半導体接合を形成する光起電力素子の研究
が進んでおり、例えば、特開平４−１３０６７１号公報
にその種の光起電力素子が示されている。この光起電力
素子は、互いに逆の導電型を有する結晶系半導体と非晶
質半導体とを組み合わせて半導体接合を形成する際に、
接合界面に膜厚が数Å以上２５０Å以下であるｉ型の非
晶質半導体層を介在せしめることにより界面特性を向上
させ、光電変換特性の向上を図るものである。
流に主に変換する部分の半導体の種類により、単結晶
系、多結晶系、非晶質系に分類されるが、単結晶シリコ
ンまたは多結晶シリコン等の結晶系半導体からなる結晶
系基板を基板として用い、その基板上に非晶質シリコン
半導体層を形成し、結晶系基板と非晶質シリコン半導体
層との間に、半導体接合を形成する光起電力素子の研究
が進んでおり、例えば、特開平４−１３０６７１号公報
にその種の光起電力素子が示されている。この光起電力
素子は、互いに逆の導電型を有する結晶系半導体と非晶
質半導体とを組み合わせて半導体接合を形成する際に、
接合界面に膜厚が数Å以上２５０Å以下であるｉ型の非
晶質半導体層を介在せしめることにより界面特性を向上
させ、光電変換特性の向上を図るものである。
【０００３】ところで、光電変換特性に優れた、例えば
単結晶シリコンを用いた結晶系の光起電力素子において
は、単結晶シリコンの表面を凹凸化することにより、反
射を低減し、かつ、入射した光を散乱させ半導体層中で
の光路長を長くすることで光の有効利用を図っている。
しかしながら、上述した特開平４−１３０６７１号公報
に記載されている結晶系半導体と非晶質半導体との接合
界面にｉ型の非晶質半導体層を介在させた構造の光起電
力素子においては、結晶系半導体の凹凸表面上に均一に
ｉ型非晶質半導体を薄く形成することが困難であった。
すなわち、ｉ型の非晶質半導体層が数Å以上２５０Å以
下と極めて薄膜であり、通常のプラズマＣＶＤ（化学気
相成長）法では、結晶系半導体の凸部にその非晶質半導
体層が形成され難く、全面に均一な薄膜を形成すること
が困難であった。このため、高い開放電圧を得るために
ｉ型非晶質半導体層を必要以上に厚く形成する必要があ
り、発電層である結晶系半導体に到達する光が減少して
いた。
単結晶シリコンを用いた結晶系の光起電力素子において
は、単結晶シリコンの表面を凹凸化することにより、反
射を低減し、かつ、入射した光を散乱させ半導体層中で
の光路長を長くすることで光の有効利用を図っている。
しかしながら、上述した特開平４−１３０６７１号公報
に記載されている結晶系半導体と非晶質半導体との接合
界面にｉ型の非晶質半導体層を介在させた構造の光起電
力素子においては、結晶系半導体の凹凸表面上に均一に
ｉ型非晶質半導体を薄く形成することが困難であった。
すなわち、ｉ型の非晶質半導体層が数Å以上２５０Å以
下と極めて薄膜であり、通常のプラズマＣＶＤ（化学気
相成長）法では、結晶系半導体の凸部にその非晶質半導
体層が形成され難く、全面に均一な薄膜を形成すること
が困難であった。このため、高い開放電圧を得るために
ｉ型非晶質半導体層を必要以上に厚く形成する必要があ
り、発電層である結晶系半導体に到達する光が減少して
いた。
【０００４】上記した問題点を解決する方法が特開平１
１−１１２０１１号公報に提案されている。この方法
は、一導電型結晶系半導体上に所定の膜厚のｉ型非晶質
半導体層を形成し、その後、他導電型の不純物を含むプ
ラズマ中に曝して表面部分に不純物層を形成することに
より、結晶系半導体と非晶質半導体との接合界面に薄膜
のｉ型の非晶質半導体層を介在させるように構成し、高
い変換効率を得るものである。
１−１１２０１１号公報に提案されている。この方法
は、一導電型結晶系半導体上に所定の膜厚のｉ型非晶質
半導体層を形成し、その後、他導電型の不純物を含むプ
ラズマ中に曝して表面部分に不純物層を形成することに
より、結晶系半導体と非晶質半導体との接合界面に薄膜
のｉ型の非晶質半導体層を介在させるように構成し、高
い変換効率を得るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平１１−
１１２０１１号公報に記載された方法においては、光学
的ロスや膜厚不均一による開放電圧の低下は回避できる
ものの、非晶質半導体表面をプラズマに曝すために、非
晶質半導体層表面にダメージが残り、この半導体層表面
に形成される透明導電膜との界面特性が劣化し、Ｆ．
Ｆ．（曲線因子）の低下が発生するという問題があっ
た。
１１２０１１号公報に記載された方法においては、光学
的ロスや膜厚不均一による開放電圧の低下は回避できる
ものの、非晶質半導体表面をプラズマに曝すために、非
晶質半導体層表面にダメージが残り、この半導体層表面
に形成される透明導電膜との界面特性が劣化し、Ｆ．
Ｆ．（曲線因子）の低下が発生するという問題があっ
た。
【０００６】この発明は、上述した従来の問題点を解決
するためになされたものにして、プラズマによるダメー
ジを解消し、非晶質半導体層と電極との界面特性を良好
に保ち、高効率な半導体素子を提供することを課題とす
る。
するためになされたものにして、プラズマによるダメー
ジを解消し、非晶質半導体層と電極との界面特性を良好
に保ち、高効率な半導体素子を提供することを課題とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体素子
は、一導電型結晶系半導体基板と、この結晶系半導体基
板上に形成された電気抵抗を低下させる不純物を実質的
に含まない非晶質半導体層と、他導電型の不純物を含む
ガスを励起した雰囲気に前記非晶質半導体層を形成した
前記結晶系半導体基板を曝することにより形成された他
導電型非晶質半導体層と、前記他導電型非晶質半導体層
上に化学的気相成長法により形成された他導電型非晶質
半導体層薄膜と、を有する。
は、一導電型結晶系半導体基板と、この結晶系半導体基
板上に形成された電気抵抗を低下させる不純物を実質的
に含まない非晶質半導体層と、他導電型の不純物を含む
ガスを励起した雰囲気に前記非晶質半導体層を形成した
前記結晶系半導体基板を曝することにより形成された他
導電型非晶質半導体層と、前記他導電型非晶質半導体層
上に化学的気相成長法により形成された他導電型非晶質
半導体層薄膜と、を有する。
【０００８】また、この発明の半導体素子の製造方法
は、結晶系半導体基板表面に電気抵抗を低下させる不純
物を実質的に含まない非晶質半導体層を形成する工程
と、電気抵抗を低下させる不純物を含むガスを励起した
雰囲気に、前記非晶質半導体層が形成された前記結晶系
半導体基板を曝して前記不純物を前記非晶質半導体層に
拡散させる工程と、前記電気抵抗を低下させた非晶質半
導体層上に、化学的気相成長法により前記電気抵抗を低
下させる不純物を含む非晶質半導体層薄膜を形成する工
程と、を有することを特徴とする。
は、結晶系半導体基板表面に電気抵抗を低下させる不純
物を実質的に含まない非晶質半導体層を形成する工程
と、電気抵抗を低下させる不純物を含むガスを励起した
雰囲気に、前記非晶質半導体層が形成された前記結晶系
半導体基板を曝して前記不純物を前記非晶質半導体層に
拡散させる工程と、前記電気抵抗を低下させた非晶質半
導体層上に、化学的気相成長法により前記電気抵抗を低
下させる不純物を含む非晶質半導体層薄膜を形成する工
程と、を有することを特徴とする。
【０００９】また、この発明は前記結晶系半導体基板表
面に電気抵抗を低下させる不純物を実質的に含まない非
晶質半導体層が水素化非晶質シリコンカーバイトであ
り、前記電気抵抗を低下させる不純物を含むガスを励起
した雰囲気に、前記電気抵抗を低下させる不純物を実質
的に含まない水素化非晶質シリコンカーバイト層が形成
された前記結晶系半導体基板を曝して、前記不純物を前
記水素化非晶質シリコンカーバイト層に拡散させる工程
において、前記ガス中に炭素を含むガスを混合するよう
に構成することができる。
面に電気抵抗を低下させる不純物を実質的に含まない非
晶質半導体層が水素化非晶質シリコンカーバイトであ
り、前記電気抵抗を低下させる不純物を含むガスを励起
した雰囲気に、前記電気抵抗を低下させる不純物を実質
的に含まない水素化非晶質シリコンカーバイト層が形成
された前記結晶系半導体基板を曝して、前記不純物を前
記水素化非晶質シリコンカーバイト層に拡散させる工程
において、前記ガス中に炭素を含むガスを混合するよう
に構成することができる。
【００１０】前記電気抵抗を低下させる不純物を含む非
晶質半導体層薄膜は、１０ないし５０Åの範囲の薄膜に
構成すればよい。
晶質半導体層薄膜は、１０ないし５０Åの範囲の薄膜に
構成すればよい。
【００１１】また、前記電気抵抗を低下させる不純物を
含む水素化非晶質シリコンカーバイド薄膜は、２０ない
し１００Åの範囲の薄膜に構成すればよい。
含む水素化非晶質シリコンカーバイド薄膜は、２０ない
し１００Åの範囲の薄膜に構成すればよい。
【００１２】また、この発明は、前記電気抵抗を低下さ
せる不純物を実質的に含まない非晶質半導体層を形成す
る反応室と、前記電気抵抗を低下させる不純物を含む非
晶質半導体層薄膜を形成する反応室とを独立させ、前記
電気抵抗を低下させる不純物を含むガスを励起した雰囲
気に、前記非晶質半導体層が形成された前記結晶系半導
体基板を曝して、前記不純物を前記非晶質半導体層に拡
散させる工程を、前記電気抵抗を低下させる不純物を含
む非晶質半導体層薄膜を形成するための反応室において
行うように構成すればよい。
せる不純物を実質的に含まない非晶質半導体層を形成す
る反応室と、前記電気抵抗を低下させる不純物を含む非
晶質半導体層薄膜を形成する反応室とを独立させ、前記
電気抵抗を低下させる不純物を含むガスを励起した雰囲
気に、前記非晶質半導体層が形成された前記結晶系半導
体基板を曝して、前記不純物を前記非晶質半導体層に拡
散させる工程を、前記電気抵抗を低下させる不純物を含
む非晶質半導体層薄膜を形成するための反応室において
行うように構成すればよい。
【００１３】上記したように、この発明は、一導電型結
晶系基板に、不純物を含まないｉ型の非晶質半導体層、
プラズマにより不純物を前記ｉ型の非晶質導体層に拡散
させた他導電型半導体層、及び不純物をプラズマ拡散さ
せた非晶質半導体層上に堆積させた電気抵抗を低下させ
る不純物を含む導電層を極薄膜状に形成する工程を用い
る。これにより、表面が凹凸化された結晶系基板を用い
る場合でも、簡単な工程において、所望の膜厚を有する
薄膜のｉ型の非晶質半導体層を均一に形成でき、かつ、
非晶質半導体層の最表面にプラズマによるダメージの少
ない良質の界面を形成することができる。
晶系基板に、不純物を含まないｉ型の非晶質半導体層、
プラズマにより不純物を前記ｉ型の非晶質導体層に拡散
させた他導電型半導体層、及び不純物をプラズマ拡散さ
せた非晶質半導体層上に堆積させた電気抵抗を低下させ
る不純物を含む導電層を極薄膜状に形成する工程を用い
る。これにより、表面が凹凸化された結晶系基板を用い
る場合でも、簡単な工程において、所望の膜厚を有する
薄膜のｉ型の非晶質半導体層を均一に形成でき、かつ、
非晶質半導体層の最表面にプラズマによるダメージの少
ない良質の界面を形成することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して具体的に説明する。
面を参照して具体的に説明する。
【００１５】（第１の実施の形態）図１は、この発明の
第１の実施の形態による光起電力装置の構成を示す断面
図である。図１において、１は、ｎ型の単結晶シリコン
（Ｓｉ）基板（抵抗率：５Ωｃｍ以下、厚さ：３００μ
ｍ）である。この単結晶シリコン基板１の表面はアルカ
リエッチング等の方法により表面が凹凸化されている。
凹凸化された単結晶シリコン基板１の受光面には、ｉ型
の水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層２（厚
さ：数Å〜５００Å、好ましくは数Å〜２５０Å）、ｉ
型の水素化非晶質シリコン半導体層２の表面部を電気抵
抗を低下させる不純物を含むプラズマに曝すことによ
り、低抵抗化させたｐ型の水素化非晶質シリコン半導体
層（プラズマドープ層）３（厚さ：数Å〜３００Å、好
ましくは数Å〜２００Å）、プラズマＣＶＤ法により形
成されたｐ型の水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）半導
体層４（厚さ：数Å〜３００Å、好ましくは数Å〜１５
０Å）、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の透光性導電膜からなる透明電極５（厚さ：６０
０Å〜１５００Å、好ましくは７００Å〜１２００Å）
がその順に積層形成されている。更に、透明電極５上に
は、図示はしていないが、例えば、Ａｇからなる櫛形状
の集電極（幅２００μｍ以下、１０μｍ以上）が形成さ
れている。また、単結晶シリコン基板１の背面には、例
えば、Ａｌからなる裏面電極６（厚さ：２μｍ以下）が
形成されている。
第１の実施の形態による光起電力装置の構成を示す断面
図である。図１において、１は、ｎ型の単結晶シリコン
（Ｓｉ）基板（抵抗率：５Ωｃｍ以下、厚さ：３００μ
ｍ）である。この単結晶シリコン基板１の表面はアルカ
リエッチング等の方法により表面が凹凸化されている。
凹凸化された単結晶シリコン基板１の受光面には、ｉ型
の水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層２（厚
さ：数Å〜５００Å、好ましくは数Å〜２５０Å）、ｉ
型の水素化非晶質シリコン半導体層２の表面部を電気抵
抗を低下させる不純物を含むプラズマに曝すことによ
り、低抵抗化させたｐ型の水素化非晶質シリコン半導体
層（プラズマドープ層）３（厚さ：数Å〜３００Å、好
ましくは数Å〜２００Å）、プラズマＣＶＤ法により形
成されたｐ型の水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）半導
体層４（厚さ：数Å〜３００Å、好ましくは数Å〜１５
０Å）、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の透光性導電膜からなる透明電極５（厚さ：６０
０Å〜１５００Å、好ましくは７００Å〜１２００Å）
がその順に積層形成されている。更に、透明電極５上に
は、図示はしていないが、例えば、Ａｇからなる櫛形状
の集電極（幅２００μｍ以下、１０μｍ以上）が形成さ
れている。また、単結晶シリコン基板１の背面には、例
えば、Ａｌからなる裏面電極６（厚さ：２μｍ以下）が
形成されている。
【００１６】次に、図１に示す構成の光起電力装置の製
造方法について説明する。まず、アルカリエッチング等
の方法により表面に凹凸が形成されたｎ型の単結晶シリ
コン基板１を洗浄した後、水素プラズマに曝して表面を
クリーニングする。次いで、ＳｉＨ4ガスを用いたプラ
ズマＣＶＤ法により、単結晶シリコン基板１の凹凸化さ
れた受光面に、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導体層２
を約１００Åの膜厚で形成する。
造方法について説明する。まず、アルカリエッチング等
の方法により表面に凹凸が形成されたｎ型の単結晶シリ
コン基板１を洗浄した後、水素プラズマに曝して表面を
クリーニングする。次いで、ＳｉＨ4ガスを用いたプラ
ズマＣＶＤ法により、単結晶シリコン基板１の凹凸化さ
れた受光面に、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導体層２
を約１００Åの膜厚で形成する。
【００１７】この水素化非晶質シリコン半導体層２が形
成された単結晶シリコン基板１を、Ｈ2で希釈されたＢ2
Ｈ6ガスのプラズマ中に曝す。すると、ｉ型の水素化非
晶質シリコン半導体層２の表面からある深さまで電気的
抵抗を小さくする不純物であるボロン原子が混入し、ｉ
型の水素化非晶質シリコン半導体層２及びｐ型の水素化
非晶質シリコン半導体層３の積層構造が形成される。こ
のとき、非晶質シリコン半導体層３表面は、プラズマに
よりダメージ層が形成される。
成された単結晶シリコン基板１を、Ｈ2で希釈されたＢ2
Ｈ6ガスのプラズマ中に曝す。すると、ｉ型の水素化非
晶質シリコン半導体層２の表面からある深さまで電気的
抵抗を小さくする不純物であるボロン原子が混入し、ｉ
型の水素化非晶質シリコン半導体層２及びｐ型の水素化
非晶質シリコン半導体層３の積層構造が形成される。こ
のとき、非晶質シリコン半導体層３表面は、プラズマに
よりダメージ層が形成される。
【００１８】次に、プラズマダメージを含むｐ型の水素
化非晶質シリコン半導体層３の表面に、透明導電膜との
界面特性を向上させるために、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6とＨ2と
を含むガスによるプラズマＣＶＤ法により、第２のｐ型
の水素化非晶質シリコン半導体層４を約２０Å形成す
る。この際、ｎ型の単結晶シリコン基板１とボロン原子
の混入で形成されるｐ型の水素化非晶質シリコン半導体
層３との界面では、その界面特性を良好に維持するため
に、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導体層２をボロンを
含まない状態に維持する必要がある。また、第２のｐ型
の非晶質シリコン半導体層４は極薄膜を凹凸表面に均一
に形成する必要がある。このような条件を表１に示す。
かかる条件によれば、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導
体層の表面から約５０Åの深さまでボロン原子を混入さ
せてｐ型の水素化非晶質シリコン半導体層とすることが
でき、単結晶シリコン基板１と水素化非晶質シリコン半
導体層が接する部分をｉ型のまま約５０Å維持すること
ができる。また、極薄膜の第２のｐ型の水素化非晶質シ
リコン半導体層を凹凸表面に均一に形成することができ
る。
化非晶質シリコン半導体層３の表面に、透明導電膜との
界面特性を向上させるために、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6とＨ2と
を含むガスによるプラズマＣＶＤ法により、第２のｐ型
の水素化非晶質シリコン半導体層４を約２０Å形成す
る。この際、ｎ型の単結晶シリコン基板１とボロン原子
の混入で形成されるｐ型の水素化非晶質シリコン半導体
層３との界面では、その界面特性を良好に維持するため
に、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導体層２をボロンを
含まない状態に維持する必要がある。また、第２のｐ型
の非晶質シリコン半導体層４は極薄膜を凹凸表面に均一
に形成する必要がある。このような条件を表１に示す。
かかる条件によれば、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導
体層の表面から約５０Åの深さまでボロン原子を混入さ
せてｐ型の水素化非晶質シリコン半導体層とすることが
でき、単結晶シリコン基板１と水素化非晶質シリコン半
導体層が接する部分をｉ型のまま約５０Å維持すること
ができる。また、極薄膜の第２のｐ型の水素化非晶質シ
リコン半導体層を凹凸表面に均一に形成することができ
る。
【００１９】
【表１】
【００２０】次いで、ＩＴＯをターゲットとするスパッ
タ法により、透光性導電膜としての透明電極５を水素化
非晶質シリコン半導体層４上に形成する。メタルマスク
を用いたＡｇの蒸着により、櫛形の集電極を透明電極５
上にパターン形成する。最後に単結晶シリコン基板１の
裏面に、Ａｌからなる裏面電極６を蒸着により形成す
る。
タ法により、透光性導電膜としての透明電極５を水素化
非晶質シリコン半導体層４上に形成する。メタルマスク
を用いたＡｇの蒸着により、櫛形の集電極を透明電極５
上にパターン形成する。最後に単結晶シリコン基板１の
裏面に、Ａｌからなる裏面電極６を蒸着により形成す
る。
【００２１】なお、ｉ型水素化非晶質シリコン半導体層
２を形成する反応室と、ｐ型水素化非晶質シリコン半導
体層薄膜４を形成する反応室とを独立させて形成する工
程をとる場合には、プラズマドーピングを行う工程をｐ
型水素化非晶質シリコン半導体層薄膜４を形成する反応
室で行えばよい。
２を形成する反応室と、ｐ型水素化非晶質シリコン半導
体層薄膜４を形成する反応室とを独立させて形成する工
程をとる場合には、プラズマドーピングを行う工程をｐ
型水素化非晶質シリコン半導体層薄膜４を形成する反応
室で行えばよい。
【００２２】上記した実施の形態では、表面が凹凸化さ
れた結晶系シリコン基板を用いた場合であっても、最初
に比較的厚い膜厚のｉ型の水素化非晶質シリコン半導体
層２を形成し、その後に不純物を混入させて、薄膜のｉ
型の水素化非晶質シリコン半導体層を形成するようにし
たので、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導体層が形成さ
れないところが無くなる。そして、従来のように透明電
極５との界面にプラズマダメージが残った部分が水素化
非晶質シリコン半導体層表面上に無くなり、良質な半導
体素子を提供することができる。
れた結晶系シリコン基板を用いた場合であっても、最初
に比較的厚い膜厚のｉ型の水素化非晶質シリコン半導体
層２を形成し、その後に不純物を混入させて、薄膜のｉ
型の水素化非晶質シリコン半導体層を形成するようにし
たので、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導体層が形成さ
れないところが無くなる。そして、従来のように透明電
極５との界面にプラズマダメージが残った部分が水素化
非晶質シリコン半導体層表面上に無くなり、良質な半導
体素子を提供することができる。
【００２３】（第２の実施形態）上記した第１の実施の
形態においては、実質的に電気抵抗を低下させる不純物
を含まない非晶質半導体層として、ｉ型の水素化非晶質
シリコン半導体層を用いたが、この第２の実施形態で
は、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導体層の替わりに、
水素化非晶質シリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）層を用
いたものである。水素化非晶質シリコンカーバイドは光
学的バンドギャップが広く、炭素（Ｃ）を含まない水素
化非晶質シリコン半導体層よりも多くの光を単結晶シリ
コン基板１中に導くことができる。以下の表２にプラズ
マＣＶＤの条件を示す。なお、他のプロセスは第１の実
施形態と同様であるので、ここでは割愛する。
形態においては、実質的に電気抵抗を低下させる不純物
を含まない非晶質半導体層として、ｉ型の水素化非晶質
シリコン半導体層を用いたが、この第２の実施形態で
は、ｉ型の水素化非晶質シリコン半導体層の替わりに、
水素化非晶質シリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）層を用
いたものである。水素化非晶質シリコンカーバイドは光
学的バンドギャップが広く、炭素（Ｃ）を含まない水素
化非晶質シリコン半導体層よりも多くの光を単結晶シリ
コン基板１中に導くことができる。以下の表２にプラズ
マＣＶＤの条件を示す。なお、他のプロセスは第１の実
施形態と同様であるので、ここでは割愛する。
【００２４】
【表２】
【００２５】（第３の実施形態）第３の実施形態は、上
記した第１、２の実施形態において、プラズマＣＶＤプ
ロセスにより形成されるｐ型の水素化非晶質シリコン半
導体層４を、水素化非晶質シリコンカーバイド層で構成
したものである。水素化非晶質シリコンカーバイド層と
することで、ｐ型非晶質半導体層をワイドバンドギャッ
プ化でき、光の吸収を低下させることができる。その形
成条件を以下の表３に示す。
記した第１、２の実施形態において、プラズマＣＶＤプ
ロセスにより形成されるｐ型の水素化非晶質シリコン半
導体層４を、水素化非晶質シリコンカーバイド層で構成
したものである。水素化非晶質シリコンカーバイド層と
することで、ｐ型非晶質半導体層をワイドバンドギャッ
プ化でき、光の吸収を低下させることができる。その形
成条件を以下の表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】（第４の実施形態）第４の実施形態は、電
気抵抗を低下させる不純物を含むプラズマ中にｉ型の水
素化非晶質シリコンカーバイト層が形成された結晶系半
導体基板を曝して不純物をｉ型の水素化非晶質シリコン
カーバイト層に拡散させる工程において、プラズマ中に
ＣＨ4を導入したものである。かかる方法によるプラズ
マドーピングを用いることで、不純物導入によるバンド
ギャップのナローイングを防ぐことができる。その形成
条件を表４に示す。
気抵抗を低下させる不純物を含むプラズマ中にｉ型の水
素化非晶質シリコンカーバイト層が形成された結晶系半
導体基板を曝して不純物をｉ型の水素化非晶質シリコン
カーバイト層に拡散させる工程において、プラズマ中に
ＣＨ4を導入したものである。かかる方法によるプラズ
マドーピングを用いることで、不純物導入によるバンド
ギャップのナローイングを防ぐことができる。その形成
条件を表４に示す。
【００２８】
【表４】
【００２９】（第５の実施形態）この第５の実施形態
は、ｐ−ｎ接合のみでなく、ｎ型の結晶系半導体基板と
ｎ型の水素化非晶質シリコン半導体層とのｈｉｇｈ−ｌ
ｏｗ接合にもこの発明を適用したものである。また、こ
の第５の実施形態は、基板の両面から光が入射される両
面入射型光起電力装置である。
は、ｐ−ｎ接合のみでなく、ｎ型の結晶系半導体基板と
ｎ型の水素化非晶質シリコン半導体層とのｈｉｇｈ−ｌ
ｏｗ接合にもこの発明を適用したものである。また、こ
の第５の実施形態は、基板の両面から光が入射される両
面入射型光起電力装置である。
【００３０】この第５の実施形態につき図２に従い説明
する。図２に示す構造について、ｐ−ｎ接合形成の形態
は、前記した第１から４の実施の形態と同様であるの
で、ここでは説明を省略し、ｈｉｇｈ−ｌｏｗ接合部分
につき説明する。
する。図２に示す構造について、ｐ−ｎ接合形成の形態
は、前記した第１から４の実施の形態と同様であるの
で、ここでは説明を省略し、ｈｉｇｈ−ｌｏｗ接合部分
につき説明する。
【００３１】凹凸加工が施された単結晶シリコン基板１
表面を水素プラズマに曝して表面をクリーニングする。
次いで、ＳｉＨ4ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、単結晶シリコン基板１の凹凸化された裏面側受光面
に、ｉ型の水素化非晶質シリコン系半導体層７を約２０
０Åの膜厚で形成する。この水素化非晶質シリコン半導
体層７が形成された単結晶シリコン基板１をＨ2で希釈
されたＰＨ3ガスのプラズマ中に曝す。すると、ｉ型の
水素化非晶質シリコン系半導体層７の表面からある深さ
まで電気的抵抗を小さくする不純物である燐（Ｐ）原子
が混入し、ｉ型の水素化非晶質シリコン系半導体層７及
びｎ型の水素化非晶質シリコン系半導体層８の積層構造
が形成される。次に、プラズマダメージを含むｎ型の水
素化非晶質シリコン系半導体層８の表面に、裏面電極と
の界面特性を向上させるために、ＳｉＨ4、ＰＨ3とＨ2
とを含むガスによるプラズマＣＶＤ法により、第２のｎ
型の水素化非晶質シリコン系半導体層９を約５０Å形成
する。この際、ｎ型の単結晶シリコン基板１と燐原子の
混入で形成されるｎ型の水素化非晶質シリコン系半導体
層８との界面では、その界面特性を良好に維持するため
に、ｉ型の水素化非晶質シリコン系半導体層７を燐を含
まない状態に維持する必要がある。また、第２のｎ型の
水素化非晶質シリコン系半導体層９は極薄膜を凹凸表面
に均一に形成する必要がある。このような条件を表５に
示す。かかる条件によれば、ｉ型の水素化非晶質シリコ
ン系半導体層の表面から約１００Åの深さまでボロン原
子を混入させてｎ型の水素化非晶質シリコン系半導体層
とすることができ、単結晶シリコン基板１と水素化非晶
質シリコン系半導体層が接する部分をｉ型のまま約１０
０Å維持することができる。また、極薄膜の第２のｎ型
の水素化非晶質シリコン系半導体層を凹凸表面に均一に
形成することができる。
表面を水素プラズマに曝して表面をクリーニングする。
次いで、ＳｉＨ4ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、単結晶シリコン基板１の凹凸化された裏面側受光面
に、ｉ型の水素化非晶質シリコン系半導体層７を約２０
０Åの膜厚で形成する。この水素化非晶質シリコン半導
体層７が形成された単結晶シリコン基板１をＨ2で希釈
されたＰＨ3ガスのプラズマ中に曝す。すると、ｉ型の
水素化非晶質シリコン系半導体層７の表面からある深さ
まで電気的抵抗を小さくする不純物である燐（Ｐ）原子
が混入し、ｉ型の水素化非晶質シリコン系半導体層７及
びｎ型の水素化非晶質シリコン系半導体層８の積層構造
が形成される。次に、プラズマダメージを含むｎ型の水
素化非晶質シリコン系半導体層８の表面に、裏面電極と
の界面特性を向上させるために、ＳｉＨ4、ＰＨ3とＨ2
とを含むガスによるプラズマＣＶＤ法により、第２のｎ
型の水素化非晶質シリコン系半導体層９を約５０Å形成
する。この際、ｎ型の単結晶シリコン基板１と燐原子の
混入で形成されるｎ型の水素化非晶質シリコン系半導体
層８との界面では、その界面特性を良好に維持するため
に、ｉ型の水素化非晶質シリコン系半導体層７を燐を含
まない状態に維持する必要がある。また、第２のｎ型の
水素化非晶質シリコン系半導体層９は極薄膜を凹凸表面
に均一に形成する必要がある。このような条件を表５に
示す。かかる条件によれば、ｉ型の水素化非晶質シリコ
ン系半導体層の表面から約１００Åの深さまでボロン原
子を混入させてｎ型の水素化非晶質シリコン系半導体層
とすることができ、単結晶シリコン基板１と水素化非晶
質シリコン系半導体層が接する部分をｉ型のまま約１０
０Å維持することができる。また、極薄膜の第２のｎ型
の水素化非晶質シリコン系半導体層を凹凸表面に均一に
形成することができる。
【００３２】
【表５】
【００３３】次いで、ＩＴＯをターゲットとするスパッ
タ法により、透明導電膜としての透明電極５及び１０を
水素化非晶質シリコン半導体層４及び９上にそれぞれ形
成する。その後、メタルマスクを用いたＡｇの蒸着によ
り、櫛形の集電極を透明電極５及び１０上にパターン形
成する。
タ法により、透明導電膜としての透明電極５及び１０を
水素化非晶質シリコン半導体層４及び９上にそれぞれ形
成する。その後、メタルマスクを用いたＡｇの蒸着によ
り、櫛形の集電極を透明電極５及び１０上にパターン形
成する。
【００３４】上記した第５の実施形態においては、水素
化非晶質シリコン系半導体として、水素化非晶質シリコ
ンカーバイトを用いているが、水素化非晶質シリコンを
用いても同様の効果が得られる。
化非晶質シリコン系半導体として、水素化非晶質シリコ
ンカーバイトを用いているが、水素化非晶質シリコンを
用いても同様の効果が得られる。
【００３５】上述したこの発明の光起電力装置では、凹
凸加工が施された結晶系基板の表面に均一に薄膜の非晶
質半導体層が形成でき、かつ非晶質半導体層と透明電極
との界面を良好に保つことができる。
凸加工が施された結晶系基板の表面に均一に薄膜の非晶
質半導体層が形成でき、かつ非晶質半導体層と透明電極
との界面を良好に保つことができる。
【００３６】次に、以上のようにこの発明の方法を用い
て作製された光起電力素子と従来のプラズマドーピング
により形成された光起電力素子との光電変換特性を比較
した結果を表６に示す。
て作製された光起電力素子と従来のプラズマドーピング
により形成された光起電力素子との光電変換特性を比較
した結果を表６に示す。
【００３７】
【表６】
【００３８】表６よりこの発明の光起電力素子が、従来
に比べて光電変換効率が向上していることが分かる。こ
の理由は、プラズマダメージがあるプラズマドーピング
層の表面に、良質の電気抵抗を低下させた水素化非晶質
半導体層を極薄膜形成したことにより、水素化非晶半導
体層と透明電極との界面特性が向上し、主に曲線因子
（Ｆ．Ｆ．）が向上したからである。なお、表６に示す
従来例１の構造は、裏面に水素化非晶質シリコン半導体
層を形成しないＡｌ電極のみの構造である。また、従来
例２の構造は、単結晶シリコン基板の裏面側にもｉ型お
よびｎ型の水素化非晶質シリコン半導体層を形成した構
造である。
に比べて光電変換効率が向上していることが分かる。こ
の理由は、プラズマダメージがあるプラズマドーピング
層の表面に、良質の電気抵抗を低下させた水素化非晶質
半導体層を極薄膜形成したことにより、水素化非晶半導
体層と透明電極との界面特性が向上し、主に曲線因子
（Ｆ．Ｆ．）が向上したからである。なお、表６に示す
従来例１の構造は、裏面に水素化非晶質シリコン半導体
層を形成しないＡｌ電極のみの構造である。また、従来
例２の構造は、単結晶シリコン基板の裏面側にもｉ型お
よびｎ型の水素化非晶質シリコン半導体層を形成した構
造である。
【００３９】なお、上記の実施形態の中では、裏面電極
層をＡｌの単一材料にて形成した例を示している場合で
も、裏面電極での光反射率を向上させるために、ＩＴ
Ｏ、ＺｎＯ、ＳｉＯ2等の膜と反射率が高いＡｇ、Ａｕ
等の膜とを、全域又は一部領域で積層する構成も可能で
ある。
層をＡｌの単一材料にて形成した例を示している場合で
も、裏面電極での光反射率を向上させるために、ＩＴ
Ｏ、ＺｎＯ、ＳｉＯ2等の膜と反射率が高いＡｇ、Ａｕ
等の膜とを、全域又は一部領域で積層する構成も可能で
ある。
【００４０】また、上記実施形態では、ｎ型の単結晶シ
リコン基板１を使用したが、これに限るものではなく、
ｐ型の単結晶シリコン基板を用い、不純物を含む各水素
化非晶質シリコン半導体層の導電型を逆にする場合や、
多結晶シリコン基板を用いた場合においても、この発明
を適用できることはもちろんである。
リコン基板１を使用したが、これに限るものではなく、
ｐ型の単結晶シリコン基板を用い、不純物を含む各水素
化非晶質シリコン半導体層の導電型を逆にする場合や、
多結晶シリコン基板を用いた場合においても、この発明
を適用できることはもちろんである。
【００４１】さらに、上記実施形態は、この発明を光起
電力装置に適用した場合につき説明したが、液晶ディス
プレイなどに用いる薄膜トランジスタなどのヘテロ接合
を有する半導体素子にも適用することができる。
電力装置に適用した場合につき説明したが、液晶ディス
プレイなどに用いる薄膜トランジスタなどのヘテロ接合
を有する半導体素子にも適用することができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、不
純物を含むガスをプラズマ分解し、その雰囲気中に不純
物を含まない非晶質半導体層を曝し、不純物を拡散させ
て、不純物を含まない層と不純物を含む層とを非晶質半
導体層中に形成し、プラズマダメージを含むプラズマド
ープ層上に不純物を含む良質な非晶質半導体層を極薄膜
状に形成することにより、表面が凹凸化された結晶系シ
リコン基板についても各水素化非晶質シリコン半導体層
を均一に形成でき、且つ、非晶質半導体層と電極との界
面特性を良好に保つことができるため、高効率な半導体
素子を安価に製造できる。
純物を含むガスをプラズマ分解し、その雰囲気中に不純
物を含まない非晶質半導体層を曝し、不純物を拡散させ
て、不純物を含まない層と不純物を含む層とを非晶質半
導体層中に形成し、プラズマダメージを含むプラズマド
ープ層上に不純物を含む良質な非晶質半導体層を極薄膜
状に形成することにより、表面が凹凸化された結晶系シ
リコン基板についても各水素化非晶質シリコン半導体層
を均一に形成でき、且つ、非晶質半導体層と電極との界
面特性を良好に保つことができるため、高効率な半導体
素子を安価に製造できる。
【図１】この発明の実施の形態による光起電力装置の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】この発明の異なる実施の形態による光起電力装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
１ ｎ型単結晶シリコン基板１ ２ ｉ型水素化非晶質シリコン半導体層 ３ ｐ型水素化非晶質シリコン半導体層（プラズマドー
ピング層） ４ ｐ型水素化非晶質シリコン半導体層 ５ 透明電極 ６ 裏面電極
ピング層） ４ ｐ型水素化非晶質シリコン半導体層 ５ 透明電極 ６ 裏面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 HA04 JA24 KA03 KA05 KA10 MA07 MA08 MA27 MA37 5F045 AA08 AB04 AB06 AC01 AD05 AE19 AF03 AF12 BB08 BB16 CA13 CA15 DA52 DA66 EB13 HA02 HA20 5F051 AA05 AA16 CA02 CA03 CA05 CA15 DA03 DA04 FA04 FA06 GA04 GA15 5F110 AA30 BB01 GG01 GG02 GG07 GG13 GG15 GG20 GG22 GG25 GG36 GG45 GG55 HK08 HK09 HK16 HK21 HK25 HK35 HK39
Claims (6)
- 【請求項１】 一導電型結晶系半導体基板と、この結晶
系半導体基板上に形成された電気抵抗を低下させる不純
物を実質的に含まない非晶質半導体層と、他導電型の不
純物を含むガスを励起した雰囲気に前記非晶質半導体層
を形成した前記結晶系半導体基板を曝すことにより形成
された他導電型非晶質半導体層と、前記他導電型非晶質
半導体層上に化学的気相成長法により形成された他導電
型非晶質半導体層薄膜と、を有することを特徴とする半
導体素子。 - 【請求項２】 結晶系半導体基板を有する半導体素子の
製造方法において、前記結晶系半導体基板表面に電気抵
抗を低下させる不純物を実質的に含まない非晶質半導体
層を形成する工程と、電気抵抗を低下させる不純物を含
むガスを励起した雰囲気に、前記非晶質半導体層が形成
された前記結晶系半導体基板を曝して前記不純物を前記
非晶質半導体層に拡散させる工程と、前記電気抵抗を低
下させた非晶質半導体層上に、化学的気相成長法により
前記電気抵抗を低下させる不純物を含む非晶質半導体層
薄膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導
体素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記結晶系半導体基板表面に電気抵抗を
低下させる不純物を実質的に含まない非晶質半導体層が
水素化非晶質シリコンカーバイトであり、前記電気抵抗
を低下させる不純物を含むガスを励起した雰囲気に、前
記電気抵抗を低下させる不純物を実質的に含まない水素
化非晶質シリコンカーバイト層が形成された前記結晶系
半導体基板を曝して、前記不純物を前記水素化非晶質シ
リコンカーバイト層に拡散させる工程において、前記ガ
ス中に炭素を含むガスを混合することを特徴とする請求
項２に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記電気抵抗を低下させる不純物を含む
非晶質半導体層薄膜は、１０ないし５０Åの範囲の薄膜
であることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の
製造方法。 - 【請求項５】 前記電気抵抗を低下させる不純物を含む
水素化非晶質シリコンカーバイド薄膜は、２０ないし１
００Åの範囲の薄膜であることを特徴とする請求項３に
記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記電気抵抗を低下させる不純物を実質
的に含まない非晶質半導体層を形成する反応室と、前記
電気抵抗を低下させる不純物を含む非晶質半導体層薄膜
を形成する反応室とを独立させ、前記電気抵抗を低下さ
せる不純物を含むガスを励起した雰囲気に、前記非晶質
半導体層が形成された前記結晶系半導体基板を曝して、
前記不純物を前記非晶質半導体層に拡散させる工程を、
前記電気抵抗を低下させる不純物を含む非晶質半導体層
薄膜を形成するための反応室において行うことを特徴と
する請求項２ないし５のいずれかに記載の半導体素子の
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37241899A JP2001189478A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 半導体素子及びその製造方法 |
| EP00128279A EP1113505A3 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-22 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US09/747,956 US6670542B2 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37241899A JP2001189478A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 半導体素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001189478A true JP2001189478A (ja) | 2001-07-10 |
Family
ID=18500413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37241899A Pending JP2001189478A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6670542B2 (ja) |
| EP (1) | EP1113505A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001189478A (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006286820A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2010087520A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Commiss Energ Atom | デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法 |
| JP2010192869A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Korea Inst Of Industrial Technology | 誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 |
| JP2010537423A (ja) * | 2007-12-18 | 2010-12-02 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 異種接合シリコン太陽電池及びその製造方法 |
| WO2011048797A1 (ja) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | パナソニック株式会社 | シリコン粉末の製造方法、および多結晶型太陽電池パネルならびにその製造方法 |
| WO2011119618A3 (en) * | 2010-03-24 | 2012-01-19 | Sionyx, Inc. | Devices having enhanced electromagnetic radiation detection and associated methods |
| WO2012020682A1 (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池 |
| WO2012036146A1 (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 株式会社アルバック | 結晶太陽電池及びその製造方法 |
| US8268714B2 (en) | 2009-02-17 | 2012-09-18 | Korea Institute Of Industrial Technology | Method for fabricating solar cell using inductively coupled plasma chemical vapor deposition |
| JP2012216593A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
| JP2013105883A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
| WO2013128628A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| WO2014002256A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| JP2014506005A (ja) * | 2010-12-22 | 2014-03-06 | アイメック | ヘテロ接合界面パッシベーション方法 |
| JP2014072416A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール |
| KR20140112649A (ko) * | 2013-03-13 | 2014-09-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| JP2016178332A (ja) * | 2014-12-31 | 2016-10-06 | 新日光能源科技股▲ふん▼有限公司 | ヘテロ接合型太陽電池及びその製造方法 |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US9673250B2 (en) | 2013-06-29 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9741761B2 (en) | 2010-04-21 | 2017-08-22 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9761739B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| US9762830B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High dynamic range CMOS image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| US9905599B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-02-27 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US10244188B2 (en) | 2011-07-13 | 2019-03-26 | Sionyx, Llc | Biometric imaging devices and associated methods |
| US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| JP2020043368A (ja) * | 2016-06-30 | 2020-03-19 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3902534B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2007-04-11 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置及びその製造方法 |
| EP1398837A1 (en) * | 2002-09-09 | 2004-03-17 | Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) | Photovoltaic device |
| JP2005175160A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US20060292809A1 (en) * | 2005-06-23 | 2006-12-28 | Enicks Darwin G | Method for growth and optimization of heterojunction bipolar transistor film stacks by remote injection |
| US20080050883A1 (en) * | 2006-08-25 | 2008-02-28 | Atmel Corporation | Hetrojunction bipolar transistor (hbt) with periodic multilayer base |
| US20070054460A1 (en) * | 2005-06-23 | 2007-03-08 | Atmel Corporation | System and method for providing a nanoscale, highly selective, and thermally resilient silicon, germanium, or silicon-germanium etch-stop |
| US20070023081A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | General Electric Company | Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles |
| US7906723B2 (en) * | 2008-04-30 | 2011-03-15 | General Electric Company | Compositionally-graded and structurally-graded photovoltaic devices and methods of fabricating such devices |
| US8530934B2 (en) | 2005-11-07 | 2013-09-10 | Atmel Corporation | Integrated circuit structures containing a strain-compensated compound semiconductor layer and methods and systems related thereto |
| US20070102834A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Enicks Darwin G | Strain-compensated metastable compound base heterojunction bipolar transistor |
| US8816191B2 (en) * | 2005-11-29 | 2014-08-26 | Banpil Photonics, Inc. | High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof |
| US20070262295A1 (en) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Atmel Corporation | A method for manipulation of oxygen within semiconductor materials |
| US20080000522A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | General Electric Company | Photovoltaic device which includes all-back-contact configuration; and related processes |
| DE102006042617B4 (de) | 2006-09-05 | 2010-04-08 | Q-Cells Se | Verfahren zur Erzeugung von lokalen Kontakten |
| US7569913B2 (en) * | 2006-10-26 | 2009-08-04 | Atmel Corporation | Boron etch-stop layer and methods related thereto |
| US7495250B2 (en) * | 2006-10-26 | 2009-02-24 | Atmel Corporation | Integrated circuit structures having a boron- and carbon-doped etch-stop and methods, devices and systems related thereto |
| US7550758B2 (en) | 2006-10-31 | 2009-06-23 | Atmel Corporation | Method for providing a nanoscale, high electron mobility transistor (HEMT) on insulator |
| FR2910712A1 (fr) * | 2006-12-20 | 2008-06-27 | Centre Nat Rech Scient | Heterojonction a interface dopee |
| US20080174028A1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | General Electric Company | Method and Apparatus For A Semiconductor Structure Forming At Least One Via |
| US20080173347A1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | General Electric Company | Method And Apparatus For A Semiconductor Structure |
| EP1973167B1 (en) * | 2007-03-19 | 2018-06-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| US8076175B2 (en) * | 2008-02-25 | 2011-12-13 | Suniva, Inc. | Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
| JP2009200419A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 太陽電池の製造方法 |
| US20090211623A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Suniva, Inc. | Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
| EP2261995B1 (en) * | 2008-03-19 | 2019-05-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| JP5809978B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2015-11-11 | ザ・トラステイーズ・オブ・ザ・ユニバーシテイ・オブ・ペンシルベニア | サルアデノウイルスＳＡｄＶ−４３、−４５、−４６、−４７、−４８、−４９および−５０ならびにそれらの用途 |
| KR101539047B1 (ko) | 2008-12-24 | 2015-07-23 | 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 | 광기전력 변환 소자 및 그의 제조방법 |
| US7858427B2 (en) * | 2009-03-03 | 2010-12-28 | Applied Materials, Inc. | Crystalline silicon solar cells on low purity substrate |
| KR20100124660A (ko) * | 2009-05-19 | 2010-11-29 | 주성엔지니어링(주) | 태양전지 및 그의 제조방법 |
| KR101139443B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2012-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 이종접합 태양전지와 그 제조방법 |
| TW201119052A (en) * | 2009-11-20 | 2011-06-01 | Univ Nat Taiwan | Photoelectric device |
| CN101866971A (zh) * | 2010-05-18 | 2010-10-20 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 具有选择性发射级太阳能电池片 |
| CN102064216A (zh) * | 2010-11-22 | 2011-05-18 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种新型晶体硅太阳电池及其制作方法 |
| KR101745683B1 (ko) * | 2011-01-14 | 2017-06-09 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| JP5820989B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-11-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| CN106165120B (zh) * | 2014-03-31 | 2018-01-30 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 太阳能电池及太阳能电池的制造方法 |
| CN105609581A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-05-25 | 普乐新能源（蚌埠）有限公司 | 背接触式异质结太阳能电池 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0658971B2 (ja) * | 1984-02-23 | 1994-08-03 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
| JPH065774B2 (ja) * | 1985-08-07 | 1994-01-19 | 工業技術院長 | 太陽電池 |
| JP2740284B2 (ja) * | 1989-08-09 | 1998-04-15 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
| US5573601A (en) * | 1989-10-17 | 1996-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Pin amorphous silicon photovoltaic element with counter-doped intermediate layer |
| US5213628A (en) * | 1990-09-20 | 1993-05-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| JP3203078B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
| FR2711276B1 (fr) * | 1993-10-11 | 1995-12-01 | Neuchatel Universite | Cellule photovoltaïque et procédé de fabrication d'une telle cellule. |
| IT1277856B1 (it) * | 1995-02-09 | 1997-11-12 | Univ Roma | Rivelatore di radiazione ultravioletta in film sottile, con opzione di elevata selettivita' spettrale. |
| JP3169337B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2001-05-21 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
| US5824566A (en) * | 1995-09-26 | 1998-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing a photovoltaic device |
| JPH11112011A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
| US6165844A (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-26 | United Microelectronics Corp. | Method for forming a textured surface on a semiconductor substrate and a tunneling oxide layer on the textured surface |
| JP3056200B1 (ja) * | 1999-02-26 | 2000-06-26 | 鐘淵化学工業株式会社 | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37241899A patent/JP2001189478A/ja active Pending
-
2000
- 2000-12-22 EP EP00128279A patent/EP1113505A3/en not_active Withdrawn
- 2000-12-27 US US09/747,956 patent/US6670542B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US10741399B2 (en) | 2004-09-24 | 2020-08-11 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| JP2006286820A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP4557772B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-10-06 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| JP2010537423A (ja) * | 2007-12-18 | 2010-12-02 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 異種接合シリコン太陽電池及びその製造方法 |
| JP2010087520A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Commiss Energ Atom | デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法 |
| US8304336B2 (en) | 2009-02-17 | 2012-11-06 | Korea Institute Of Industrial Technology | Method for fabricating solar cell using inductively coupled plasma chemical vapor deposition |
| JP2014195101A (ja) * | 2009-02-17 | 2014-10-09 | Korea Inst Of Industrial Technology | 誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 |
| JP2010192869A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Korea Inst Of Industrial Technology | 誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 |
| JP2012134541A (ja) * | 2009-02-17 | 2012-07-12 | Korea Inst Of Industrial Technology | 誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 |
| JP2012146994A (ja) * | 2009-02-17 | 2012-08-02 | Korea Inst Of Industrial Technology | 誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 |
| US8268714B2 (en) | 2009-02-17 | 2012-09-18 | Korea Institute Of Industrial Technology | Method for fabricating solar cell using inductively coupled plasma chemical vapor deposition |
| US8283245B2 (en) | 2009-02-17 | 2012-10-09 | Korea Institute Of Industrial Technology | Method for fabricating solar cell using inductively coupled plasma chemical vapor deposition |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US10361232B2 (en) | 2009-09-17 | 2019-07-23 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| KR101323226B1 (ko) * | 2009-10-23 | 2013-10-30 | 파나소닉 주식회사 | 다결정형 태양전지 패널의 제조 방법 |
| JP5204299B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2013-06-05 | パナソニック株式会社 | 結晶型太陽電池パネルの製造方法 |
| WO2011048797A1 (ja) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | パナソニック株式会社 | シリコン粉末の製造方法、および多結晶型太陽電池パネルならびにその製造方法 |
| WO2011119618A3 (en) * | 2010-03-24 | 2012-01-19 | Sionyx, Inc. | Devices having enhanced electromagnetic radiation detection and associated methods |
| US9741761B2 (en) | 2010-04-21 | 2017-08-22 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US10229951B2 (en) | 2010-04-21 | 2019-03-12 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9761739B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| US10505054B2 (en) | 2010-06-18 | 2019-12-10 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| JPWO2012020682A1 (ja) * | 2010-08-09 | 2013-10-28 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池 |
| WO2012020682A1 (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池 |
| WO2012036146A1 (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 株式会社アルバック | 結晶太陽電池及びその製造方法 |
| JP2012060080A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Ulvac Japan Ltd | 結晶太陽電池及びその製造方法 |
| JP2014506005A (ja) * | 2010-12-22 | 2014-03-06 | アイメック | ヘテロ接合界面パッシベーション方法 |
| JP2012216593A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
| US10269861B2 (en) | 2011-06-09 | 2019-04-23 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US9666636B2 (en) | 2011-06-09 | 2017-05-30 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US10244188B2 (en) | 2011-07-13 | 2019-03-26 | Sionyx, Llc | Biometric imaging devices and associated methods |
| JP2013105883A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
| JPWO2013128628A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2015-07-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光起電力装置 |
| US9705022B2 (en) | 2012-03-02 | 2017-07-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| WO2013128628A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| US9905599B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-02-27 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
| US10224359B2 (en) | 2012-03-22 | 2019-03-05 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
| WO2014002256A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| JPWO2014002256A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-05-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
| JP2014072416A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール |
| US9762830B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High dynamic range CMOS image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| KR101979843B1 (ko) | 2013-03-13 | 2019-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| KR20140112649A (ko) * | 2013-03-13 | 2014-09-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US9673250B2 (en) | 2013-06-29 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US10347682B2 (en) | 2013-06-29 | 2019-07-09 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US11069737B2 (en) | 2013-06-29 | 2021-07-20 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| JP2016178332A (ja) * | 2014-12-31 | 2016-10-06 | 新日光能源科技股▲ふん▼有限公司 | ヘテロ接合型太陽電池及びその製造方法 |
| JP2020043368A (ja) * | 2016-06-30 | 2020-03-19 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1113505A3 (en) | 2004-01-21 |
| US20010008295A1 (en) | 2001-07-19 |
| US6670542B2 (en) | 2003-12-30 |
| EP1113505A2 (en) | 2001-07-04 |
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Legal Events
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|
| A02 | Decision of refusal |
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