WO2013128628A1 - 光起電力装置 - Google Patents

光起電力装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013128628A1
WO2013128628A1 PCT/JP2012/055368 JP2012055368W WO2013128628A1 WO 2013128628 A1 WO2013128628 A1 WO 2013128628A1 JP 2012055368 W JP2012055368 W JP 2012055368W WO 2013128628 A1 WO2013128628 A1 WO 2013128628A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
amorphous layer
density
layer
photovoltaic device
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/055368
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
泰史 角村
章義 大鐘
馬場　俊明
Original Assignee
三洋電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to EP12869812.3A priority Critical patent/EP2822042B1/en
Priority to CN201280070921.4A priority patent/CN104145344B/zh
Priority to PCT/JP2012/055368 priority patent/WO2013128628A1/ja
Priority to JP2014501925A priority patent/JP6025106B2/ja
Publication of WO2013128628A1 publication Critical patent/WO2013128628A1/ja
Priority to US14/470,114 priority patent/US9705022B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/065—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the graded gap type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L31/204—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System including AIVBIV alloys, e.g. SiGe, SiC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System characterised by the doping material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a photovoltaic device.
  • a photovoltaic device in which a substantially intrinsic amorphous silicon layer is formed between a crystalline silicon substrate and a doped amorphous silicon layer.
  • Patent Document 1 As a means for improving the output characteristics of a photovoltaic device having such a structure, a structure in which oxygen is introduced into the interface portion between the silicon substrate and the intrinsic amorphous silicon layer is disclosed (see Patent Document 1).
  • an i-type amorphous silicon thin film is provided between the crystalline silicon substrate and the p-type amorphous silicon thin film, and boron (B) is formed at the interface between the crystalline silicon substrate and the i-type amorphous silicon thin film.
  • An introduced structure is disclosed (see Patent Document 2).
  • the number of recombination centers at the interface between the crystalline silicon substrate and the amorphous silicon layer is further reduced, and It is important to suppress the disappearance of carriers due to bonding as much as possible. In addition, it is required to simultaneously reduce the series resistance component near the interface.
  • the present invention includes a crystalline semiconductor substrate and an amorphous semiconductor layer formed on the main surface of the substrate, and the thickness of the interface between the substrate and the amorphous semiconductor layer from the vicinity of the interface with the substrate.
  • a photovoltaic device having a p-type dopant density profile that decreases stepwise along the direction.
  • the photoelectric conversion efficiency in the photovoltaic device can be increased.
  • the photovoltaic device 100 includes a substrate 10, a first amorphous layer 12a, a second amorphous layer 12b, a transparent conductive layer 14, and a third amorphous layer.
  • the layer 16a, the fourth amorphous layer 16b, the transparent conductive layer 18, the first electrode 20, and the second electrode 22 are configured.
  • the structure of the photovoltaic device 100 will be described while showing a method for manufacturing the photovoltaic device 100.
  • Table 1 shows examples of conditions for forming each amorphous layer in the photovoltaic device 100. Note that the various film forming conditions used in the present embodiment are examples, and should be appropriately changed and optimized depending on the apparatus to be used. As shown in Table 1, diborane (B 2 H 6 ) and phosphine (PH 3 ) were diluted with hydrogen.
  • the substrate 10 is a crystalline semiconductor material.
  • the substrate 10 can be an n-type or p-type conductive crystalline semiconductor substrate.
  • the substrate 10 absorbs incident light to generate electron and hole carrier pairs by photoelectric conversion.
  • an n-type silicon single crystal substrate is used as the substrate 10 will be described.
  • the substrate 10 is placed in the film forming tank after cleaning.
  • the substrate 10 can be cleaned using a hydrofluoric acid aqueous solution (HF aqueous solution) or an RCA cleaning solution. It is also preferable to form a texture structure on the front surface or the back surface of the substrate 10 using an alkaline etching solution such as a potassium hydroxide aqueous solution (KOH aqueous solution).
  • the surface of the substrate 10 is one surface of the main surface of the substrate 10, and the back surface of the substrate 10 is a surface opposite to the surface of the substrate 10.
  • the surface treatment is performed by simultaneously introducing a p-type dopant-containing gas and an oxygen-containing gas in the hydrogen plasma treatment.
  • a p-type dopant-containing gas for example, diborane (B 2 H 6 ) is used as the p-type dopant-containing gas.
  • carbon dioxide (CO 2 ) is used as the oxygen-containing gas.
  • boron (B) and oxygen (O) are introduced into the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a.
  • the first amorphous layer 12a which is an amorphous semiconductor layer, is formed on the surface of the substrate 10 thus surface-treated.
  • the first amorphous layer 12a is an amorphous silicon layer containing hydrogen.
  • the first amorphous layer 12a is preferably thin so that light absorption can be suppressed as much as possible, while being thick enough to sufficiently passivate the surface of the substrate 10.
  • the film thickness of the first amorphous layer 12a is not less than 1 nm and not more than 25 nm, preferably not less than 5 nm and not more than 10 nm.
  • the first amorphous layer 12a can be formed by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), Cat-CVD (Catalytic Chemical Vapor Deposition), sputtering, or the like.
  • PECVD any method such as RF plasma CVD, high frequency VHF plasma CVD, or microwave plasma CVD may be used. In this embodiment, a case where an RF plasma CVD method is used will be described.
  • hydrogen is supplied as a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ) and a diluent gas, and RF high-frequency power is applied to parallel plate electrodes and the like to form plasma, thereby heating the semiconductor substrate 10.
  • the first amorphous layer 12a can be formed by supplying to the film formation surface.
  • the substrate temperature during film formation is 150 ° C. or more and 250 ° C. or less, and the RF power density is 1 mW / cm 2 or more and 10 mW / cm 2 or less.
  • a p-type dopant-containing gas such as diborane (B 2 H 6 ) and an oxygen-containing gas such as carbon dioxide (CO 2 ) are added at the initial stage of film formation of the first amorphous layer 12a.
  • an oxygen-containing gas such as carbon dioxide (CO 2 )
  • the supply amount of the p-type dopant-containing gas is decreased stepwise.
  • the supply of the p-type dopant-containing gas is decreased over four stages, but the present invention is not limited to this, and it is preferable to reduce the supply stepwise at least once.
  • the density of the p-type dopant contained in the first amorphous layer 12a is such that the maximum density in the vicinity of the interface is 1 ⁇ 10 18 / cm 3 or more and less than 5 ⁇ 10 19 / cm 3 , and then the staircase is When the density is decreased to 5 ⁇ 10 17 / cm 3 or more and less than 5 ⁇ 10 18 / cm 3 , the density of the bottom may be 1 ⁇ 10 17 / cm 3 or more and less than 2 ⁇ 10 18 / cm 3. Is preferred.
  • the supply amount of the oxygen-containing gas may be changed step by step.
  • the supply amount of the oxygen-containing gas is also preferably reduced stepwise at least once. In particular, it is preferable to decrease at the same timing as the supply amount of the p-type dopant-containing gas.
  • the density of oxygen contained in the first amorphous layer 12a has a maximum density in the vicinity of the interface of 1 ⁇ 10 21 / cm 3 or more, more preferably 10 times or more and less than 1000 times the p-type dopant density. It is preferable that the density when decreasing stepwise from 1 ⁇ 10 17 / cm 3 to 1 ⁇ 10 21 / cm 3 and the bottom density to be less than 5 ⁇ 10 20 / cm 3 .
  • the second amorphous layer 12b is a layer made of an amorphous semiconductor film containing a p-type conductive dopant.
  • the second amorphous layer 12b is an amorphous silicon layer containing hydrogen.
  • the second amorphous layer 12b has a higher density of p-type dopant in the film than the first amorphous layer 12a.
  • the second amorphous layer 12b preferably has a p-type dopant density of 1 ⁇ 10 20 / cm 3 or more.
  • the film thickness of the second amorphous layer 12b is preferably thin so as to suppress light absorption as much as possible, while carriers generated in the substrate 10 are effectively separated at the pn junction, and It is preferable to increase the thickness so that the generated carriers are efficiently collected by the transparent conductive layer 14.
  • the thickness is preferably 1 nm or more and 10 nm or less.
  • the second amorphous layer 12b can be formed by PECVD, Cat-CVD, sputtering, or the like.
  • PECVD an RF plasma CVD method can be applied.
  • a p-type dopant-containing gas such as diborane (B 2 H 6 ) is added to a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), diluted with hydrogen, and supplied to a parallel plate electrode or the like.
  • the second amorphous layer 12b can be formed by applying RF high frequency power to generate plasma and supplying it to the heated first amorphous layer 12a.
  • the substrate temperature during film formation is preferably 150 ° C. or more and 250 ° C. or less, and the RF power density is preferably 1 mW / cm 2 or more and 10 mW / cm 2 or less.
  • the surface treatment for the back surface is a hydrogen plasma treatment in which no p-type dopant-containing gas and oxygen-containing gas are introduced.
  • a third amorphous layer 16a is formed on the back surface of the substrate 10 that has been subjected to the surface treatment.
  • the third amorphous layer 16a is an amorphous silicon layer containing hydrogen.
  • the density of the p-type or n-type dopant contained in the third amorphous layer 16a is preferably less than 1 ⁇ 10 18 / cm 3 .
  • a semiconductor layer having a difference in p-type or n-type dopant density of less than 1 ⁇ 10 18 / cm 3 is used.
  • the film thickness of the third amorphous layer 16a is not less than 1 nm and not more than 25 nm, preferably not less than 5 nm and not more than 10 nm, like the first amorphous layer 12a.
  • the third amorphous layer 16a can be formed by PECVD, Cat-CVD, sputtering, or the like.
  • PECVD an RF plasma CVD method can be applied.
  • a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ) is diluted with hydrogen and supplied, and RF high frequency power is applied to a parallel plate electrode or the like to form plasma, thereby heating the heated substrate 10.
  • the third amorphous layer 16a can be formed by supplying the film formation surface.
  • the fourth amorphous layer 16b is a layer made of an amorphous semiconductor film containing an n-type conductive dopant.
  • the fourth amorphous layer 16b is an amorphous silicon layer containing hydrogen.
  • the fourth amorphous layer 16b has a higher n-type dopant density than the third amorphous layer 16a.
  • the fourth amorphous layer 16b preferably has an n-type dopant density of 1 ⁇ 10 20 / cm 3 or more.
  • the film thickness of the fourth amorphous layer 16b is preferably thin so that light absorption can be suppressed as much as possible.
  • carriers generated in the substrate 10 are effectively prevented by a BSF (Back Surface Field) structure. It is preferable to increase the thickness of the generated carriers so as to be efficiently collected by the transparent conductive layer 18 while being separated.
  • the thickness is preferably 1 nm or more and 10 nm or less.
  • the fourth amorphous layer 16b can also be formed by PECVD, Cat-CVD, sputtering, or the like.
  • PECVD an RF plasma CVD method can be applied.
  • a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ) and an n-type dopant-containing gas such as phosphine (PH 3 ) are diluted with hydrogen and supplied, and RF high frequency power is supplied to parallel plate electrodes and the like.
  • the fourth amorphous layer 16b can be formed by applying the plasma and supplying the plasma onto the third amorphous layer 16a of the heated substrate 10.
  • the substrate temperature during film formation is preferably 150 ° C. or more and 250 ° C. or less, and the RF power density is preferably 1 mW / cm 2 or more and 10 mW / cm 2 or less.
  • the front surface side of the substrate 10 is a light receiving surface (a surface on which light is mainly introduced from outside) or the back surface side is a light receiving surface.
  • the first amorphous layer 12a and the second amorphous layer 12b on the front surface side are formed, and then the third amorphous layer 16a and the fourth amorphous layer 16b on the back surface side are formed.
  • the formation order of these is also arbitrary.
  • the transparent conductive layers 14 and 18 are formed on the second amorphous layer 12b and the fourth amorphous layer 16b, respectively.
  • the transparent conductive layers 14 and 18 are made of, for example, a metal oxide such as indium oxide (In 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), or titanium oxide (TiO 2 ) having a polycrystalline structure. These metal oxides are composed of at least one, and tin (Sn), zinc (Zn), tungsten (W), antimony (Sb), titanium (Ti), cerium (Ce), gallium (Ga). Or the like.
  • the transparent conductive layers 14 and 18 can be formed by a thin film forming method such as vapor deposition, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or sputtering. Although the film thickness of the transparent conductive layers 14 and 18 can be suitably adjusted with the refractive index of the transparent conductive layers 14 and 18, in this embodiment, they were 70 nm or more and 100 nm or less.
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the first electrode 20 and the second electrode 22 are formed on the transparent conductive layers 14 and 18, respectively. It is preferable that the first electrode 20 and the second electrode 22 have a comb-like finger electrode structure.
  • the first electrode 20 and the second electrode 22 can be formed by a screen printing method, a plating method, or the like.
  • the first electrode 20 and the second electrode 22 are formed by applying a silver paste or the like to a thickness of about several tens of ⁇ m.
  • FIG. 3 shows the density profile of boron (B) and oxygen (O) in the depth direction from the second amorphous layer 12b and the first amorphous layer 12a toward the substrate 10.
  • the density profile of boron decreases stepwise from the vicinity of the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a toward the film thickness direction of the first amorphous layer 12a. is doing.
  • the boron density is 1 ⁇ 10 18 / cm 3 or more and 5 ⁇ 10 19 / cm 3 or less.
  • it has the area
  • a stepwise boron density profile is shown along the film thickness direction with the region B as a boundary.
  • the film thickness range of the region B is preferably 2 nm or more and 5 nm or less.
  • the boron density in the region B is preferably 5 ⁇ 10 17 / cm 3 or more and less than 5 ⁇ 10 18 / cm 3 .
  • diborane (B 2 H 6 ) is supplied in the surface treatment stage before starting the film formation of the first amorphous layer 12a.
  • a supplying diborane (B 2 H 6) at the stage of surface treatment, while stepwise reducing diborane (B 2 H 6) at the time of forming the first amorphous layer 12a supplies It depends.
  • diborane (B 2 H 6 ) is supplied while being decreased stepwise during the formation of the first amorphous layer 12a.
  • the oxygen density profile is the same as that of the first amorphous layer 12a.
  • the density decreases stepwise from the vicinity of the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a toward the film thickness direction.
  • the oxygen density is not less than 10 times and not more than 1000 times the boron density.
  • the density profile of boron and oxygen in the film thickness direction may have at least one step-like change region, and may further have two or more step-like change regions.
  • the density of each element in the semiconductor film can be measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS) or the like.
  • SIMS secondary ion mass spectrometry
  • the density of each element in the film may be measured by a method that does not reduce the resolution in the film thickness direction due to the texture.
  • the photovoltaic device having the first amorphous layer 12a having a boron density profile whose density decreases stepwise from the interface with the substrate 10 in the film thickness direction was taken as an example. That is, a boron density peak exists at the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a, and the boron density in the first amorphous layer 12a is lower than that at the interface. Thus, a boron density profile in which one region where the density decreases stepwise exists.
  • the density profile is a measurement result under conditions of no texture, no transparent conductive layers 14 and 18, no first electrode 20 and no second electrode.
  • Example 1 in the surface treatment of the substrate 10 before the first amorphous layer 12a is formed, the flow ratio of hydrogen to diborane (B 2 H 6 ) is set to 1: 1 ⁇ 10 ⁇ 5 for 3 minutes. Processing time was provided. Thereafter, the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide is set to 100: 2.5 ⁇ 10 ⁇ 7 to 0, and the initial layer of the first amorphous layer 12a is formed to 2 to 5 nm. Filmed. Thereafter, the first amorphous layer 12a was formed with the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide being 100 to 0 to 0.
  • the density of boron in the first amorphous layer 12a thus formed is measured by SIMS, the maximum density near the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a (region A in FIG. 3) is 4 ⁇ 10 19 / cm 3 , and the density of the stepped portion (region B in FIG. 3) was 5 ⁇ 10 17 / cm 3 .
  • Example 2 after performing the surface treatment under the same conditions as in Example 1, the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ) and carbon dioxide was set to 100: 2.5 ⁇ 10 ⁇ 6 to 0.
  • the initial layer of the first amorphous layer 12a was formed to 2 to 5 nm.
  • the film formation of the first amorphous layer 12a was continued with the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide set to 100 to 0 to 0.
  • the density of boron in the first amorphous layer 12a thus formed is measured by SIMS, the maximum density near the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a (region A in FIG. 3) is Similar to Example 1, the density was 4 ⁇ 10 19 / cm 3 , and the density of the stepped portion (region B in FIG. 3) was 5 ⁇ 10 18 / cm 3 .
  • Example 3 after performing the surface treatment under the same conditions as in Example 1, the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ) and carbon dioxide was set to 100: 1 ⁇ 10 ⁇ 5 to 0.
  • the initial layer of the first amorphous layer 12a was formed to 2 to 5 nm.
  • the film formation of the first amorphous layer 12a was continued with the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide set to 100 to 0 to 0.
  • the density of boron in the first amorphous layer 12a thus formed is measured by SIMS, the maximum density near the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a (region A in FIG. 3) is Similarly 4 ⁇ 10 19 / cm 3 becomes as in example 1, the density of the stepped portion (a region of FIG. 3 B) became 2 ⁇ 10 19 / cm 3.
  • Example 4 after performing the surface treatment under the same conditions as in Example 1, the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide was 100: 2.5 ⁇ 10 ⁇ 6 : 5.
  • the initial layer of the first amorphous layer 12a was formed to 2 to 5 nm. Thereafter, the film formation of the first amorphous layer 12a was continued with the flow ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide set to 100: 0: 5.
  • the density of boron in the first amorphous layer 12a thus formed is measured by SIMS, the maximum density near the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a (region A in FIG.
  • Example 3 is Similar to Example 1, the density was 4 ⁇ 10 19 / cm 3 , and the density of the stepped portion (region B in FIG. 3) was 5 ⁇ 10 18 / cm 3 . Further, in this example, the oxygen density was 2 ⁇ 10 20 / cm 3 over the entire first amorphous layer 12a.
  • Example 5 after performing the surface treatment under the same conditions as in Example 1, the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide was 100: 2.5 ⁇ 10 ⁇ 6 : 5.
  • the initial layer of the first amorphous layer 12a was formed to 2 to 5 nm. Thereafter, the film formation of the first amorphous layer 12a was continued with the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide set to 100 to 0 to 0.
  • the density of boron in the first amorphous layer 12a thus formed is measured by SIMS, the maximum density near the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a (region A in FIG.
  • Example 3 is Similar to Example 1, the density was 4 ⁇ 10 19 / cm 3 , and the density of the stepped portion (region B in FIG. 3) was 5 ⁇ 10 18 / cm 3 . Furthermore, in this example, the oxygen density was 2 ⁇ 10 20 / cm 3 in the vicinity of the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a (region A in FIG. 3).
  • Comparative Example 1 after surface treatment under the same conditions as in Example 1, the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide was set to 100: 0 to 0, and the first amorphous The initial layer of the quality layer 12a was formed to 2 to 5 nm. Thereafter, the film formation of the first amorphous layer 12a was continued with the flow rate ratio of silane (SiH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and carbon dioxide set to 100 to 0 to 0.
  • the density of boron in the first amorphous layer 12a formed thereby is measured by SIMS, the density of boron decreases monotonously from the vicinity of the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a, and is stepped. It did not become the profile that becomes a part of.
  • the boron density in the first amorphous layer 12a thus formed is measured by SIMS, the boron density is determined by the first amorphous layer excluding the vicinity of the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a. It was 5 ⁇ 10 18 / cm 3 in almost all layers of 12a.
  • the density of boron in the first amorphous layer 12a formed thereby is measured by SIMS, the density of boron is the first amorphous layer including the vicinity of the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a. It was 4 ⁇ 10 19 / cm 3 in almost all layers of 12a.
  • Table 3 shows the output characteristics of the photovoltaic devices of Examples and Comparative Examples.
  • the measurement data are the open circuit voltage (Voc), the short circuit current (Isc), the fill factor (FF), and the output (Pmax).
  • Table 2 shows values normalized by setting each value of Comparative Example 1 to 1.
  • the measurement result is a result of measurement after forming the texture, the transparent conductive layers 14 and 18, the first electrode 20 and the second electrode to form the device.
  • Examples 1 to 5 show improvement in fill factor (FF) and output (Pmax).
  • the difference between the comparative examples 1 to 3 and the examples 1 to 5 is that the density distribution of boron in the first amorphous layer 12a has a stepped portion (region B in FIG. 3). From this, it was confirmed that the photoelectric conversion efficiency in the photovoltaic device is increased by providing a stepped portion (region B in FIG. 3) in the boron density distribution in the first amorphous layer 12a.
  • the initial growth layer of the first amorphous layer 12a is greatly disturbed in structure and has a low conductivity.
  • introducing boron has the effect of improving electrical conductivity by acting as an acceptor, but increases the number of recombination centers.
  • the conductivity can be improved while suppressing an increase in recombination centers, and the power generation efficiency can be improved.
  • the power generation efficiency can be improved more effectively by controlling the boron density when decreasing stepwise from the vicinity of the interface to a range of 5 ⁇ 10 17 / cm 3 or more and less than 5 ⁇ 10 18 / cm 3 .
  • the power generation efficiency can be further increased by introducing high-density oxygen into the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a. This is presumably because defects introduced by boron addition are inactivated by introducing high-density oxygen into the interface between the substrate 10 and the first amorphous layer 12a.
  • the resistance value of the first amorphous layer 12a increases as the oxygen density increases. Therefore, it is speculated that by making the oxygen density in the high-density oxygen region 10 times or more and less than 1000 times the boron density, conductivity can be improved while defect generation is suppressed, and power generation efficiency can be increased. .
  • the oxygen density profile is preferably stepped in accordance with the boron density profile.

Abstract

　本発明に係る光起電力装置（１００）は、結晶系半導体の基板（１０）と、基板（１０）の主面上に形成された第１非晶質層（１２ａ）と、を備え、基板（１０）と第１非晶質層（１２ａ）との界面において、基板（１０）との界面近傍から膜厚方向に沿って階段状に減少するｐ型ドーパント密度プロファイルを有することにより、再結合中心の増加を抑えつつ導電率を向上でき、発電効率を向上することができる。

Description

光起電力装置
　本発明は、光起電力装置に関する。
　結晶系シリコン基板及びドープされた非晶質シリコン層との間に実質的に真性である非晶質シリコン層を形成した光起電力装置が知られている。
　このような構造を有する光起電力装置の出力特性を向上させる手段として、シリコン基板と真性非晶質シリコン層との界面部分に酸素を導入した構造が開示されている（特許文献１参照）。
　また、結晶系シリコン基板とｐ型非晶質シリコン系薄膜との間にｉ型非晶質シリコン薄膜を設け、結晶系シリコン基板とｉ型非晶質シリコン薄膜との界面にボロン（Ｂ）を導入した構造が開示されている（特許文献２参照）。
　これら構造とすることにより、結晶系シリコン基板と非晶質シリコンとの界面特性を向上させ、界面でのキャリアの再結合を抑制することができるとされている。
特開２００３－２５８２８７号公報 特開２００１－３４５４６３号公報
　上記のように、結晶系シリコン基板上に非晶質シリコン層を設けた光起電力装置では、結晶系シリコン基板と非晶質シリコン層との界面における再結合中心をより低減し、界面における再結合によるキャリアの消滅をできる限り抑制することが重要である。また、界面付近での直列抵抗成分の低減も同時に達成することが要求される。
　本発明は、結晶系半導体の基板と、基板の主面上に形成された非晶質半導体層と、を備え、基板と非晶質半導体層との界面において、基板との界面近傍から膜厚方向に沿って階段状に減少するｐ型ドーパント密度プロファイルを有する、光起電力装置である。
　本発明によれば、光起電力装置における光電変換効率を高めることができる。
本発明に係る実施の形態における光起電力装置の断面図である。 本発明に係る実施の形態における光起電力装置の成膜工程のガス導入のタイムチャートである。 本発明に係る実施の形態における光起電力装置のｐ型ドーパント密度及び酸素密度の膜厚方向のプロファイルを示す図である。
　図１に示すように、本発明の実施の形態における光起電力装置１００は、基板１０、第１非晶質層１２ａ、第２非晶質層１２ｂ、透明導電層１４、第３非晶質層１６ａ、第４非晶質層１６ｂ、透明導電層１８、第１電極２０及び第２電極２２を含んで構成される。
　以下、光起電力装置１００の製造方法を示しつつ、光起電力装置１００の構造を説明する。
　表１に光起電力装置１００における、各非晶質層の形成条件の例を示す。なお、本実施形態に用いた各種成膜条件は一例であり、使用する装置によって適宜変更し、最適化を行うべきものである。表１に示すように、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及びホスフィン（ＰＨ３）については水素希釈した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　基板１０は、結晶系の半導体材料である。基板１０は、ｎ型又はｐ型の導電型の結晶性半導体基板とすることができる。基板１０は、例えば、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、砒化ガリウム基板（ＧａＡｓ）、インジウム燐基板（ＩｎＰ）等を適用することができる。基板１０は、入射された光を吸収することで、光電変換により電子及び正孔のキャリア対を発生させる。以下では、基板１０としてｎ型のシリコン単結晶基板を用いた例を説明する。
　基板１０は、洗浄後に成膜槽内に設置される。基板１０の洗浄は、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ水溶液）やＲＣＡ洗浄液を用いて行うことができる。また、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ水溶液）等のアルカリ性エッチング液を用いて、基板１０の表面や裏面にテクスチャ構造を形成することも好適である。
　次に、基板１０の表面に対して表面処理を施す。ここで、基板１０の表面とは基板１０の主面の一方の面であり、基板１０の裏面とは基板１０の表面とは反対側の面である。
　表１に示すように、表面処理は、水素プラズマ処理において、ｐ型ドーパント含有ガス及び酸素含有ガスを同時に導入して行う。ｐ型ドーパント含有ガスは、例えば、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）を用いる。また、酸素含有ガスは、例えば、二酸化炭素（ＣＯ２）を用いる。これにより、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面にボロン（Ｂ）及び酸素（Ｏ）が導入される。
　このように表面処理された基板１０の表面上に非晶質の半導体層である第１非晶質層１２ａが形成される。例えば、第１非晶質層１２ａは、水素を含むアモルファスのシリコン層とする。第１非晶質層１２ａは、光の吸収をできるだけ抑えられるように薄くし、一方で基板１０の表面が十分にパッシベーションされる程度に厚くすることが好適である。第１非晶質層１２ａの膜厚は、１ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、好ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
　第１非晶質層１２ａは、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｓｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、Ｃａｔ－ＣＶＤ（Ｃａｔａｌｙｔｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング法等により形成することができる。ＰＥＣＶＤは、ＲＦプラズマＣＶＤ法、周波数の高いＶＨＦプラズマＣＶＤ法、さらにはマイクロ波プラズマＣＶＤ法などいずれの手法を用いても良い。本実施例では、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いる場合について説明する。
　例えば、表１に示すように、シラン（ＳｉＨ４）等のケイ素含有ガス及び希釈ガスとして水素を供給し、平行平板電極等にＲＦ高周波電力を印加してプラズマ化して、加熱された半導体基板１０の成膜面に供給することによって第１非晶質層１２ａを形成することができる。成膜時の基板温度は１５０℃以上２５０℃以下、ＲＦ電力密度は１ｍＷ／ｃｍ２以上１０ｍＷ／ｃｍ２以下である。
　図２のタイムチャートに示すように、第１非晶質層１２ａの成膜初期においてジボラン（Ｂ２Ｈ６）等のｐ型ドーパント含有ガス及び二酸化炭素（ＣＯ２）等の酸素含有ガスを加えて成膜を開始する。
　このとき、図２に実線で示すように、段階的にｐ型ドーパント含有ガスの供給量を減少させる。図２では、４段階に亘ってｐ型ドーパント含有ガスの供給を減少させているがこれに限定されるものではなく、少なくとも一回は階段状に減少させることが好ましい。このとき、第１非晶質層１２ａに含有されるｐ型ドーパントの密度は、界面付近での最大の密度を１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３未満とし、そこから階段状に減少させるときの密度を５×１０１７／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３未満とし、ボトムの密度を１×１０１７／ｃｍ３以上２×１０１８／ｃｍ３未満とすることが好適である。
　また、図２に破線で示すように、段階的に酸素含有ガスの供給量を変更してもよい。酸素含有ガスの供給量も、少なくとも一回は階段状に減少させることが好ましい。特に、ｐ型ドーパント含有ガスの供給量と同じタイミングで減少させることが好ましい。このとき、第１非晶質層１２ａに含有される酸素の密度は、界面付近での最大の密度を１×１０２１／ｃｍ３以上、より好ましくはｐ型ドーパント密度の１０倍以上１０００倍未満とし、そこから階段状に減少させるときの密度を１×１０１７／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３未満とし、ボトムの密度を５×１０２０／ｃｍ３未満することが好適である。
　第２非晶質層１２ｂは、ｐ型の導電型のドーパントを含む非晶質半導体膜からなる層である。例えば、第２非晶質層１２ｂは、水素を含有するアモルファスシリコン層とする。第２非晶質層１２ｂは、第１非晶質層１２ａよりも膜中のｐ型のドーパントの密度が高くされる。例えば、第２非晶質層１２ｂは、ｐ型のドーパントの密度を１×１０２０／ｃｍ３以上とすることが好適である。第２非晶質層１２ｂの膜厚は、光の吸収をできるだけ抑えられるように薄くすることが好適である一方で、基板１０内で発生したキャリアがｐｎ接合部で効果的に分離され、かつ、発生したキャリアが透明導電層１４で効率よく収集される程度に厚くすることが好適である。例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることが好適である。
　第２非晶質層１２ｂは、ＰＥＣＶＤ、Ｃａｔ－ＣＶＤ、スパッタリング法等により形成することができる。ＰＥＣＶＤは、ＲＦプラズマＣＶＤ法を適用することができる。例えば、表１に示すように、シラン（ＳｉＨ４）等のケイ素含有ガスにジボラン（Ｂ２Ｈ６）等のｐ型ドーパント含有ガスを加え、水素で希釈して供給し、平行平板電極等にＲＦ高周波電力を印加してプラズマ化して、加熱された第１非晶質層１２ａ上に供給することによって第２非晶質層１２ｂを形成することができる。成膜時の基板温度は１５０℃以上２５０℃以下、ＲＦ電力密度は１ｍＷ／ｃｍ２以上１０ｍＷ／ｃｍ２以下とすることが好適である。
　次に、基板１０の裏面に表面処理を施す。裏面に対する表面処理は、ｐ型ドーパント含有ガス及び酸素含有ガスを導入しない水素プラズマ処理とする。
　表面処理が施された基板１０の裏面上に第３非晶質層１６ａが形成される。例えば、第３非晶質層１６ａは、水素を含むアモルファスシリコン層とする。第３非晶質層１６ａに含有されるｐ型又はｎ型のドーパントの密度は１×１０１８／ｃｍ３未満とすることが好適である。または、ｐ型及びｎ型のドーパントが同時に含まれる場合にはｐ型又はｎ型のドーパント密度の差が１×１０１８／ｃｍ３未満である半導体層とする。第３非晶質層１６ａの膜厚は、第１非晶質層１２ａと同様に、１ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、好ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
　第３非晶質層１６ａは、ＰＥＣＶＤ、Ｃａｔ－ＣＶＤ、スパッタリング法等により形成することができる。ＰＥＣＶＤは、ＲＦプラズマＣＶＤ法を適用することができる。
　例えば、表１に示すように、シラン（ＳｉＨ４）等のケイ素含有ガスを水素で希釈して供給し、平行平板電極等にＲＦ高周波電力を印加してプラズマ化して、加熱された基板１０の成膜面に供給することによって第３非晶質層１６ａを形成することができる。成膜時の基板温度は、第１非晶質層１２ａと同様に、１５０℃以上２５０℃以下、ＲＦ電力密度は１ｍＷ／ｃｍ２以上１０ｍＷ／ｃｍ２以下である。
　第４非晶質層１６ｂは、ｎ型の導電型のドーパントを含む非晶質半導体膜からなる層である。例えば、第４非晶質層１６ｂは、水素を含有するアモルファスシリコン層である。第４非晶質層１６ｂは、第３非晶質層１６ａよりも膜中のｎ型のドーパントの密度が高くされる。例えば、第４非晶質層１６ｂは、ｎ型のドーパントの密度を１×１０２０／ｃｍ３以上とすることが好適である。第４非晶質層１６ｂの膜厚は、光の吸収をできるだけ抑えられるように薄くすることが好適である一方で、基板１０内で発生したキャリアをＢＳＦ（Ｂａｃｋ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｆｉｅｌｄ）構造により効果的に分離しつつ、発生したキャリアを透明導電層１８で効率よく収集される程度に厚くすることが好適である。例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることが好適である。
　第４非晶質層１６ｂも、ＰＥＣＶＤ、Ｃａｔ－ＣＶＤ、スパッタリング法等により形成することができる。ＰＥＣＶＤは、ＲＦプラズマＣＶＤ法を適用することができる。
　例えば、表１に示すように、シラン（ＳｉＨ４）等のケイ素含有ガス及びホスフィン（ＰＨ３）等のｎ型ドーパント含有ガスを水素で希釈して供給し、平行平板電極等にＲＦ高周波電力を印加してプラズマ化して、加熱された基板１０の第３非晶質層１６ａ上に供給することによって第４非晶質層１６ｂを形成することができる。成膜時の基板温度は１５０℃以上２５０℃以下、ＲＦ電力密度は１ｍＷ／ｃｍ２以上１０ｍＷ／ｃｍ２以下とすることが好適である。
　なお、基板１０の表面側を受光面（主として外部から光を導入する面）とするか、裏面側を受光面とするかは任意である。また、前述の実施形態では表面側の第１非晶質層１２ａおよび第２非晶質層１２ｂを形成した後、裏面側の第３非晶質層１６ａおよび第４非晶質層１６ｂを形成するとしたが、これらの形成順序も任意である。
　透明導電層１４，１８は、それぞれ第２非晶質層１２ｂ及び第４非晶質層１６ｂ上に形成される。透明導電層１４、１８は、例えば、多結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、または酸化チタン（ＴｉＯ２）などの金属酸化物を少なくとも一つを含んで構成され、これらの金属酸化物に、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）、セリウム（Ｃｅ）、ガリウム（Ｇａ）などのドーパントがドープされていてもよい。透明導電層１４、１８は、蒸着法、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング法等の薄膜形成方法により形成することができる。透明導電層１４，１８の膜厚は、透明導電層１４，１８の屈折率により適宜調整され得るが、本実施形態では７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とした。
　第１電極２０及び第２電極２２は、それぞれ透明導電層１４，１８上に形成される。第１電極２０及び第２電極２２は、櫛状のフィンガー電極構造とすることが好適である。第１電極２０及び第２電極２２は、スクリーン印刷法やメッキ法等により形成することができる。例えば、第１電極２０及び第２電極２２は、銀ペースト等を数１０μｍ程度の厚みに塗布することにより形成される。
　図３は、第２非晶質層１２ｂ及び第１非晶質層１２ａから基板１０に向けた深さ方向のボロン（Ｂ）及び酸素（Ｏ）の密度プロファイルを示す。
　図３の実線に示すように、ボロンの密度プロファイルは、第１非晶質層１２ａの膜厚方向へ向けて基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面近傍から階段状に密度が減少している。具体的には、基板１０と第１非晶質層１２ａの界面から２ｎｍ以内の高密度ボロン領域では、ボロン密度は１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下とする。そして、第１非晶質層１２ａ側に向けて、急激に減少する領域Ａ、一旦減少が緩やかになる領域Ｂ及び再度急激に減少する領域Ｃを有する。すなわち、領域Ｂを境界として、膜厚方向に沿って階段状のボロン密度プロファイルを示す。ここで、領域Ｂの膜厚範囲は２ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが好ましい。また、領域Ｂのボロン密度は、５×１０１７／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３未満とすることが好ましい。
　ボロン密度プロファイルの要因について説明する。領域Ａでは、第１非晶質層１２ａの成膜を開始する前の表面処理の段階においてジボラン（Ｂ２Ｈ６）を供給することによる。領域Ｂでは、表面処理の段階においてジボラン（Ｂ２Ｈ６）を供給することと、第１非晶質層１２ａの成膜時においてジボラン（Ｂ２Ｈ６）を段階的に減少させながら供給することによる。領域Ｃでは、第１非晶質層１２ａの成膜時においてジボラン（Ｂ２Ｈ６）を段階的に減少させながら供給することによる。
　また、第１非晶質層１２ａを成膜時に酸素含有ガスの供給量を段階的に変化させた場合、図３の破線に示すように、酸素密度プロファイルは、第１非晶質層１２ａの膜厚方向へ向けて基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面近傍から階段状に密度が減少している。具体的には、基板１０と第１非晶質層１２ａの界面から２ｎｍ以内の高密度酸素領域では、酸素密度はボロン密度の１０倍以上１０００倍以下となる。そして、第１非晶質層１２ａ側に向けて、急激に減少する領域ａ、一旦減少が緩やかになる領域ｂ及び再度急激に減少する領域ｃを有する。すなわち、領域ｂを境界として、膜厚方向に沿って階段状の酸素密度プロファイルを示す。
　ここで、ボロン及び酸素の膜厚方向の密度プロファイルは、少なくとも１つの階段状の変化領域を有すればよく、さらに２以上の階段状の変化領域を有していてもよい。
　なお、半導体膜中の各元素の密度は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）等で測定することができる。基板１０にテクスチャ構造を設けた場合、テクスチャによる膜厚方向への分解能が低下しない方法で膜中の各元素の密度を測定すればよい。
＜実施例及び比較例＞
　上記形成方法に沿って、表２に示した条件において、基板１０との界面から膜厚方向へ向けて階段状に密度が減少するボロン密度プロファイルを有する第１非晶質層１２ａを有する光起電力装置を実施例とした。すなわち、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面にボロン密度のピークが存在すると共に、第１非晶質層１２ａ中は界面より低いボロン密度であり、界面近傍に膜厚方向に沿って階段状に密度が減少する１つの領域が存在するボロン密度プロファイルとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　なお、以下の説明において、密度プロファイルは、テクスチャなし、透明導電層１４，１８なし、第１電極２０及び第２電極なし、の条件下における測定結果である。
　実施例１では、第１非晶質層１２ａの成膜する前の基板１０の表面処理において、水素とジボラン（Ｂ２Ｈ６）との流量比を１対１×１０－５として３分の処理時間を設けた。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対２．５×１０－７対０として、第１非晶質層１２ａの初期層を２～５ｎｍ成膜した。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対０対０として、第１非晶質層１２ａを成膜した。これによって成膜された第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度をＳＩＭＳにより測定すると、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近（図３の領域Ａ）での最大の密度は４×１０１９／ｃｍ３となり、階段状部分（図３の領域Ｂ）の密度は５×１０１７／ｃｍ３となった。
　実施例２では、実施例１と同一条件の表面処理を行った後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対２．５×１０－６対０として、第１非晶質層１２ａの初期層を２～５ｎｍ成膜した。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対０対０として、第１非晶質層１２ａの成膜を継続した。これによって成膜された第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度をＳＩＭＳにより測定すると、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近（図３の領域Ａ）での最大の密度は実施例１と同様に４×１０１９／ｃｍ３となり、階段状部分（図３の領域Ｂ）の密度は５×１０１８／ｃｍ３となった。
　実施例３では、実施例１と同一条件の表面処理を行った後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対１×１０－５対０として、第１非晶質層１２ａの初期層を２～５ｎｍ成膜した。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対０対０として、第１非晶質層１２ａの成膜を継続した。これによって成膜された第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度をＳＩＭＳにより測定すると、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近（図３の領域Ａ）での最大の密度は実施例１と同様に４×１０１９／ｃｍ３となり、階段状部分（図３の領域Ｂ）の密度は２×１０１９／ｃｍ３となった。
　実施例４では、実施例１と同一条件の表面処理を行った後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対２．５×１０－６対５として、第１非晶質層１２ａの初期層を２～５ｎｍ成膜した。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対０対５として、第１非晶質層１２ａの成膜を継続した。これによって成膜された第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度をＳＩＭＳにより測定すると、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近（図３の領域Ａ）での最大の密度は実施例１と同様に４×１０１９／ｃｍ３となり、階段状部分（図３の領域Ｂ）の密度は５×１０１８／ｃｍ３となった。さらに本実施例では、酸素の密度は、第１非晶質層１２ａの全層にわたり２×１０２０／ｃｍ３となった。
　実施例５では、実施例１と同一条件の表面処理を行った後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対２．５×１０－６対５として、第１非晶質層１２ａの初期層を２～５ｎｍ成膜した。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対０対０として、第１非晶質層１２ａの成膜を継続した。これによって成膜された第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度をＳＩＭＳにより測定すると、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近（図３の領域Ａ）での最大の密度は実施例１と同様に４×１０１９／ｃｍ３となり、階段状部分（図３の領域Ｂ）の密度は５×１０１８／ｃｍ３となった。さらに本実施例では、酸素の密度は、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近（図３の領域Ａ）において２×１０２０／ｃｍ３となった。
　比較例１では、実施例１と同一条件の表面処理を行った後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対０対０として、第１非晶質層１２ａの初期層を２～５ｎｍ成膜した。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対０対０として、第１非晶質層１２ａの成膜を継続した。これによって成膜された第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度をＳＩＭＳにより測定すると、ボロンの密度は、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近から単調に減少し、階段状の部分となるプロファイルとならなかった。
　比較例２では、実施例１と同一条件の表面処理を行った後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対２．５×１０－６対０として、第１非晶質層１２ａの初期層を２～５ｎｍ成膜した。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対２．５×１０－６対０として、第１非晶質層１２ａの成膜を継続した。これによって成膜された第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度をＳＩＭＳにより測定すると、ボロンの密度は、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近を除く第１非晶質層１２ａのほぼ全層において５×１０１８／ｃｍ３となった。
　比較例３では、実施例１と同一条件の表面処理を行った後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対２．５×１０－５対０として、第１非晶質層１２ａの初期層を２～５ｎｍ成膜した。その後、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）及び二酸化炭素の流量比を１００対２．５×１０－５対０として、第１非晶質層１２ａの成膜を継続した。これによって成膜された第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度をＳＩＭＳにより測定すると、ボロンの密度は、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面付近を含む第１非晶質層１２ａのほぼ全層において４×１０１９／ｃｍ３となった。
　表３に、実施例及び比較例の光起電力装置の出力特性を示す。測定データは、開放電圧（Ｖｏｃ）、短絡電流（Ｉｓｃ）、曲線因子（ＦＦ）及び出力（Ｐｍａｘ）であり、表２では比較例１の各値を１として規格化した値を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　なお、測定結果は、テクスチャ、透明導電層１４，１８、第１電極２０及び第２電極を形成してデバイスの構成とした後に測定した結果である。
　比較例１～３に対して、実施例１～５では曲線因子（ＦＦ）及び出力（Ｐｍａｘ）の改善が確認できる。比較例１～３と実施例１～５との違いの共通点は、第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度分布に階段状部分（図３の領域Ｂ）を有することである。このことから、第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度分布に階段状部分（図３の領域Ｂ）を設けると、光起電力装置における光電変換効率が高まることが確認された。
　さらに、比較例１～３及び実施例１～３に対して、実施例４～５では、開放電圧（Ｖｏｃ）の改善が確認できる。比較例１～３及び実施例１～３と実施例４～５との違いの共通点は、第１非晶質層１２ａにおける酸素の密度分布にも階段状部分（図３の領域Ｂ）を有することである。このことから、第１非晶質層１２ａにおけるボロンの密度分布に階段状部分（図３の領域Ｂ）を設けるとともに酸素の密度分布にも階段状部分を設けると、光起電力装置における光電変換効率がさらに高まることが確認された。
　第１非晶質層１２ａのボロンの密度分布に階段状部分を設けない比較例１～３では、基板１０と第１非晶質層１２ａの界面近傍での構造の乱れが比較的大きく、導電性が低下するものと考えられる。これに対して、実施例１～５のように基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面に高密度のボロンの導入を行い、膜厚方向に沿って階段状にボロン密度を減少させたボロン密度プロファイルとした場合、第１非晶質層１２ａの導電性を高め、発電効率を高めることができると推察される。
　第１非晶質層１２ａの成長初期層は構造の乱れが大きく、導電率が低くなることが推定される。一方、ボロンを導入することによって、アクセプタとして働き導電率を向上させる効果があるが、再結合中心が増加する。本実施形態のようにボロンの密度を階段状に減少させる密度プロファイルとすることによって、再結合中心の増加を抑えつつ導電率を向上でき、発電効率を向上できたと考えられる。      
　また、界面付近から階段状に減少させるときのボロン密度を５×１０１７／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３未満の範囲に制御することで、より効果的に発電効率を向上できる。
　また、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面に高密度の酸素を導入することによって、さらに発電効率を高めることができる。これは、基板１０と第１非晶質層１２ａとの界面に高密度の酸素を導入することによって、ボロン添加によって生成された欠陥が不活性化されるためと推察される。一方、酸素密度の増加に伴って第１非晶質層１２ａの抵抗値が増加する。そこで、高密度酸素領域における酸素密度をボロン密度の１０倍以上１０００倍未満とすることによって、欠陥生成を抑制しつつ導電性を向上させることができ、発電効率を高めることができると推察される。また、ボロン密度プロファイルを階段状とした場合、ボロン密度の低い領域において酸素密度が高くなると抵抗増加の割合が大きくなるので、ボロン密度プロファイルに合わせて酸素密度プロファイルも階段状とすることが好ましい。
　１０　半導体基板、１２ａ　第１非晶質層、１２ｂ　第２非晶質層、１４　透明導電層、１６ａ　第３非晶質層、１６ｂ　第４非晶質層、１８　透明導電層、２０　第１電極、２２　第２電極、１００　光起電力装置。

Claims (7)

  1. 　結晶系半導体の基板と、
    　前記基板の主面上に形成された非晶質半導体層と、
    を備え、
    　前記非晶質半導体層は、前記基板と前記非晶質半導体層との界面近傍から膜厚方向に沿って階段状に減少するｐ型ドーパント密度プロファイルを有する、光起電力装置。
  2. 　請求項１に記載の光起電力装置であって、
    　前記基板と前記非晶質半導体層との界面近傍の２ｎｍ以内の領域におけるｐ型ドーパント密度は１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下である、光起電力装置。
  3. 　請求項１に記載の光起電力装置であって、
    　前記基板と前記非晶質半導体層との界面近傍の２ｎｍ以内の領域における酸素密度は１×１０１９／ｃｍ３以上である、光起電力装置。
  4. 　請求項１に記載の光起電力装置であって、
    　前記非晶質半導体層は、前記基板と前記非晶質半導体層との界面近傍から膜厚方向に沿って階段状に減少する酸素密度プロファイルを有する、光起電力装置。
  5. 　請求項３及び４に記載の光起電力装置であって、
    　前記基板と前記非晶質半導体層との界面近傍の２ｎｍ以内の領域における酸素密度はｐ型ドーパント密度の１０倍以上１０００倍未満である、光起電力装置。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の光起電力装置であって、
    　ｐ型ドーパント密度プロファイルの前記階段状部分の膜厚範囲は２ｎｍ以上５ｎｍ以下である、光起電力装置。
  7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の光起電力装置であって、
    　ｐ型ドーパント密度プロファイルの前記階段状部分のｐ型ドーパント密度は５×１０１７／ｃｍ３以上５×１０１８／ｃｍ３未満である、光起電力装置。
     
     
PCT/JP2012/055368 2012-03-02 2012-03-02 光起電力装置 WO2013128628A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP12869812.3A EP2822042B1 (en) 2012-03-02 2012-03-02 Photovoltaic device
CN201280070921.4A CN104145344B (zh) 2012-03-02 2012-03-02 光伏器件
PCT/JP2012/055368 WO2013128628A1 (ja) 2012-03-02 2012-03-02 光起電力装置
JP2014501925A JP6025106B2 (ja) 2012-03-02 2012-03-02 光起電力装置
US14/470,114 US9705022B2 (en) 2012-03-02 2014-08-27 Photovoltaic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/055368 WO2013128628A1 (ja) 2012-03-02 2012-03-02 光起電力装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/470,114 Continuation US9705022B2 (en) 2012-03-02 2014-08-27 Photovoltaic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013128628A1 true WO2013128628A1 (ja) 2013-09-06

Family

ID=49081872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/055368 WO2013128628A1 (ja) 2012-03-02 2012-03-02 光起電力装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9705022B2 (ja)
EP (1) EP2822042B1 (ja)
JP (1) JP6025106B2 (ja)
CN (1) CN104145344B (ja)
WO (1) WO2013128628A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016147566A1 (ja) * 2015-03-17 2016-09-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セル
JP2016219854A (ja) * 2016-09-30 2016-12-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2787541B1 (en) * 2013-04-03 2022-08-31 LG Electronics, Inc. Solar cell
KR102219804B1 (ko) 2014-11-04 2021-02-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
EP3026713B1 (en) 2014-11-28 2019-03-27 LG Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
CN106847837B (zh) * 2017-04-26 2020-01-10 京东方科技集团股份有限公司 一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板
CN110943136A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 君泰创新（北京）科技有限公司 一种p型硅薄膜和太阳能电池及制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06291342A (ja) * 1993-04-06 1994-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPH11112011A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子の製造方法
JP2001189478A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP2001345463A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置及びその製造方法
JP2003258287A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及び光起電力装置並びにその製造方法
JP2004296776A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子およびその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59115574A (ja) * 1982-12-23 1984-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置作製方法
JPH0969640A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Canon Inc 光起電力素子
JP3902534B2 (ja) * 2001-11-29 2007-04-11 三洋電機株式会社 光起電力装置及びその製造方法
JP2004103649A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Toyota Motor Corp 熱光発電用光電変換素子
US20080230782A1 (en) * 2006-10-09 2008-09-25 Homer Antoniadis Photoconductive devices with enhanced efficiency from group iv nanoparticle materials and methods thereof
JP5526461B2 (ja) * 2007-03-19 2014-06-18 三洋電機株式会社 光起電力装置
JP2010147324A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Kyocera Corp 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
WO2011005447A2 (en) * 2009-06-22 2011-01-13 International Business Machines Corporation Semiconductor optical detector structure
IT1394853B1 (it) * 2009-07-21 2012-07-20 Cesi Ct Elettrotecnico Sperimentale Italiano Giacinto Motta S P A Cella fotovoltaica ad elevata efficienza di conversione
JP5824681B2 (ja) * 2011-06-30 2015-11-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光起電力装置
JP5919559B2 (ja) * 2011-06-30 2016-05-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光起電力装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06291342A (ja) * 1993-04-06 1994-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPH11112011A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子の製造方法
JP2001189478A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP2001345463A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置及びその製造方法
JP2003258287A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及び光起電力装置並びにその製造方法
JP2004296776A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2822042A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016147566A1 (ja) * 2015-03-17 2016-09-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セル
JPWO2016147566A1 (ja) * 2015-03-17 2017-12-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セル
JP2016219854A (ja) * 2016-09-30 2016-12-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140360577A1 (en) 2014-12-11
EP2822042A4 (en) 2015-06-03
JP6025106B2 (ja) 2016-11-16
CN104145344A (zh) 2014-11-12
EP2822042B1 (en) 2016-10-05
JPWO2013128628A1 (ja) 2015-07-30
CN104145344B (zh) 2016-08-24
US9705022B2 (en) 2017-07-11
EP2822042A1 (en) 2015-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8691613B2 (en) Method for manufacturing photoelectric conversion device
JP6025106B2 (ja) 光起電力装置
US10340403B2 (en) Photovoltaic device
US20140283902A1 (en) Back junction solar cell with tunnel oxide
JP5526461B2 (ja) 光起電力装置
JP5919559B2 (ja) 光起電力装置
KR20080002657A (ko) 반도체 구조, 태양 전지 및 광 전지 디바이스 제조 방법
JP2013239694A (ja) トンネル酸化物を有する後面接合太陽電池
JP6350979B2 (ja) 太陽電池
WO2014050304A1 (ja) 光電変換素子とその製造方法
JP2014072416A (ja) 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
CN106887483A (zh) 硅基异质接面太阳能电池及其制备方法
JP2016219854A (ja) 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法
JP4215697B2 (ja) 光電変換装置およびその製造方法
JP6206687B2 (ja) 光起電力装置及びその製造方法
WO2019004126A1 (ja) 光電変換装置の製造方法
JP6021084B2 (ja) 光起電力装置及びその製造方法
CN205428969U (zh) 硅基异质接面太阳能电池
JP2006060131A (ja) 光電変換装置およびその製造方法
JP2013041996A (ja) 薄膜光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12869812

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014501925

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2012869812

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012869812

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE