JP6206687B2 - 光起電力装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、上記の光電変換装置の製造方法であって、結晶系シリコンからなる半導体基板の表面にテクスチャ構造を形成する第1の工程と、前記半導体基板の第一表面を酸化処理して第1の酸化界面を形成する第2の工程と、前記第1の酸化界面上に第1の導電型のドーパントを含む第1の非晶質半導体層を形成する第3の工程と、前記半導体基板の第二表面を酸化処理して第2の酸化界面を形成する第4の工程と、前記第2の酸化界面上に第2の導電型のドーパントを含む第2の非晶質半導体層を形成する第5の工程と、を含む光電変換装置の製造方法であって、前記酸化処理は、大気雰囲気中に所定時間放置する方法、オゾン水処理、過酸化水素水処理、オゾナイザー処理から選択されるいずれかの方法を用いて実施される、光電変換装置の製造方法である。
上記形成方法に沿って、表1に示した条件において、膜厚方向へ向けて半導体基板10とi型非晶質層12iとの界面近傍から階段状に濃度が減少する酸素濃度プロファイルを有するi型非晶質層12iと、膜厚方向へ向けて半導体基板10とi型非晶質層16iとの界面近傍から階段状に濃度が減少する酸素濃度プロファイルを有するi型非晶質層16iと、を有する光起電力装置を実施例とした。このとき、p型非晶質層12p側のi型非晶質層12iを形成する際に、n型非晶質層16n側のi型非晶質層16iを形成する際よりも酸素含有ガスの導入量を多くした。
Claims (8)
- 第一表面及び第二表面を備えた結晶系半導体基板と、
前記結晶系半導体基板の前記第一表面上に形成され第1の導電型のドーパントを含む第1の非晶質半導体層と、
前記結晶系半導体基板の前記第二表面上に形成され第2の導電型のドーパントを含む第2の非晶質半導体層と、
を備える光電変換装置であって、
前記結晶系半導体基板と前記第1の非晶質半導体層との界面は、10 21 cm 3 オーダーの酸素を含む第1の酸化界面であって、
前記結晶系半導体基板と前記第2の非晶質半導体層との界面は、10 21 cm 3 オーダーの酸素を含む第2の酸化界面であって、
前記第1の非晶質半導体層は、前記第1の酸化界面から膜厚方向に5nm以下の範囲に、膜厚方向に沿って対数の勾配プロファイルが少なくとも二つのピークを有するように濃度が減少する酸素濃度プロファイルを有し、前記対数の勾配プロファイルの少なくとも二つのピークよりも前記第1の酸化界面に近い第1の高濃度酸素領域を備え、
前記第2の非晶質半導体層は、前記第2の酸化界面から膜厚方向に5nm以下の範囲に前記第1の高濃度酸素領域よりも酸素濃度が低い第2の高濃度酸素領域を備える、光電変換装置。 - 前記第2の高濃度酸素領域において、前記第2の酸化界面から膜厚方向に沿って、対数の勾配プロファイルが少なくとも二つのピークを有するように濃度が減少する酸素濃度プロファイルを有する、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第1の高濃度酸素領域は、前記第1の酸化界面から1nm以下の領域にあり、
前記第2の高濃度酸素領域は、前記第2の酸化界面から1nm以下の領域にある、請求項1または2に記載の光電変換装置。 - 前記第1の非晶質半導体層上に集電極が形成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
結晶系シリコンからなる半導体基板の表面にテクスチャ構造を形成する第1の工程と、
前記半導体基板の第一表面を酸化処理して第1の酸化界面を形成する第2の工程と、
前記第1の酸化界面上に第1の導電型のドーパントを含む第1の非晶質半導体層を形成する第3の工程と、
前記半導体基板の第二表面を酸化処理して第2の酸化界面を形成する第4の工程と、
前記第2の酸化界面上に第2の導電型のドーパントを含む第2の非晶質半導体層を形成する第5の工程と、
を含む光電変換装置の製造方法であって、
前記酸化処理は、大気雰囲気中に所定時間放置する方法、オゾン水処理、過酸化水素水処理、オゾナイザー処理から選択されるいずれかの方法を用いて実施される、光電変換装置の製造方法。 - 前記非晶質半導体層は、ケイ素含有ガスと、炭酸ガス又は酸素ガスとを導入して形成される、請求項5に記載の光電変化装置の製造方法。
- 前記第1の導電型はp型であって、前記第2の導電型はn型であって、
前記第3の工程は、ケイ素含有ガスにp型のドーパントを導入してp型の非晶質半導体層を形成し、
前記第5の工程は、ケイ素含有ガスにn型のドーパントを導入してn型の非晶質半導体層を形成する、請求項6に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第1の導電方はn型であって、前記第2の導電型はp型であって、
前記第3の工程は、ケイ素含有ガスにn型のドーパントを導入してn型の非晶質半導体層を形成し、
前記第5の工程は、ケイ素含有ガスにp型のドーパントを導入してp型の非晶質半導体層を形成する、請求項6に記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016038578A JP6206687B2 (ja) | 2016-03-01 | 2016-03-01 | 光起電力装置及びその製造方法 |
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JP2011145143A Division JP5919559B2 (ja) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 光起電力装置 |
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JP2016105511A JP2016105511A (ja) | 2016-06-09 |
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Family
ID=56102524
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JP2016038578A Active JP6206687B2 (ja) | 2016-03-01 | 2016-03-01 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6206687B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020061442A (ja) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | パナソニック株式会社 | 太陽電池セル |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002329878A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の作製方法 |
JP4070483B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2008-04-02 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置並びにその製造方法 |
JP5526461B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2014-06-18 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
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2016
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Publication number | Publication date |
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JP2016105511A (ja) | 2016-06-09 |
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