MXPA01009113A - Pastas impurificadoras para la produccion de las regiones p, p+ y n, n+ en semiconducores - Google Patents

Pastas impurificadoras para la produccion de las regiones p, p+ y n, n+ en semiconducores

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MXPA01009113A
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boron
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Claudia Zielinski
Lilia Heider
Werner Stockum
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Abstract

La invención se refiere a las novedosas pastas impurificadoras basadas en boro, fósforo o boro-aluminio para la producción de zonas p, p+ y n, n+ en plaquitas de Silicio monocristalinas y policristalinas. La invención se refiere además al uso de las pastas correspondientes como pastas de enmascaramiento en la producción de semiconductores, en componentes electrónicos en polvo o en aplicaciones fotovoltaic

Description

PASTAS IMPURIFICADORAS PARA LA PRODUCCIÓN DE LAS REGIONES p, p+ Y n, n+ EN SEMICONDUCTORES DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN La invención se refiere a las nuevas pastas impurificadoras de boro, fósforo o boro-aluminio para la producción de las regiones p, p+ y n, n+ en plaquitas de silicio monocristalinas y policristalinas, y de las pastas correspondientes para el uso como pastas de enmascaramiento en la fabricación de semiconductores, componentes electrónicos de energía o en aplicaciones fotovoltaicas . La impurificación con boro o fósforo de las plaquitas de silicio monocristalinas en la tecnología fotovoltaica y en el caso de los semiconductores de energía (por ejemplo, diodos, tiristores) es llevada a cabo por medio de la fase de vapor (por ejemplo, POCl3, fosfina, BBr3) o con sólidos (películas o rebanadas sólidas) o con medios líquidos tales como por ejemplo ácido fosfórico, y otros sistemas B o P orgánicos. La aplicación directamente en patrón no es posible con estas técnicas. Las regiones definidas no pueden ser selectivamente impurificadas sin el uso de procesos elaborados, por ejemplo fotolitográficos, para enmascarar las áreas que no van a ser impurificadas.
REF: 132241 En la tecnología fotovoltaica, un campo superficial posterior extenso o local (BSF) puede ser logrado por la impurificación p++ sobre la parte posterior. Las lineas de producción existentes actualmente operan únicamente con un campo superficial posterior extenso, el cual es obtenido ya sea mediante una capa metálica de aluminio o una fuente de boro liquido. Los BSFs locales han sido únicamente actualmente realizados a una escala de laboratorio, por razones que serán explicadas con detalle más adelante. Un campo superficial posterior extenso es especialmente ventajoso, entre otros, en el caso de plaquitas de silicio delgadas (=250 µm) , ya que de otro modo la eficacia de la celda llega a ser significativamente menor. Tal BSF es actualmente obtenido en el caso de las plaquitas de silicio de >300 µm de espesor por la impresión extensa con una pasta de aluminio [P. Lolgen; F. J. Bisschop; . C. Sinke; R. A. Steeman; L. A. Verhoef y colaboradores, 6a. PV Science and Engineering Conference, New Delhi, 1992, pp. 239] . Este caso es ventajoso ya que, por otra parte, la impurificación de p+, por ejemplo de un BSF, está constituida por el aluminio y, por otra parte, la electricidad generada en la celda es también disipada por el aluminio. En el caso de plaquitas delgadas, no obstante, la curvatura de la plaquitas ocurre después de que la pasta de aluminio ha sido quemada. El manejo y procesamiento posterior de tales plaquitas, requiere por lo tanto medidas especiales, ya que existen dificultades pronunciadas involucradas con la incorporación de tales celdas flexionadas en los módulos PV usualmente diseñados planos . En la patente Alemana DE 195 08712 C2 y en K. A. Münzer, R. R. King, R. E. Schlosser, H. J. Schmidt, J. Schmalzbauer, S. Sterk, H. L. Mayer, 13th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 23-27 10.1995, p. 1398, se realizan intentos para resolver este problema por un proceso de centrifugación con boro. En este caso, la impurificación p++ es producida por el boro y un armazón de aluminio es implementado en una impresión subsecuente por medio de una pasta de aluminio. Las desventajas de este proceso son: a) el requerimiento grande de material del proceso de centrifugación b) el desembolso considerable de equipo, con el cual van a ser recubiertas las plaquitas angulares uniformemente, utilizando el proceso de centrifugación c) el manejo de alto rendimiento y caro, que tiene que ser realizado en la producción en masa únicamente con gran dificultad, y d) la formación en patrón selectiva de las plaquitas no es posible, como se describe anteriormente. El objetivo de la presente invención fue por lo tanto proporcionar pastas impurificadoras no caras, mejoradas, utilizables en la tecnología de los semiconductores, que no tienen las desventajas descritas anteriormente y pueden ser utilizadas de una manera directa. El objetivo de la presente invención fue también proporcionar las pastas para impresión por estarcido, correspondientes. El objetivo es logrado por las pastas impurificadoras para la formación en patrón selectiva y para la impresión extensa de plaquitas de silicio por impresión por estarcido, por rodillo, por almohadilla, por esténcil u otras técnicas de impresión acostumbradas en la tecnología de los semiconductores para la producción de regiones p, p+, p++, n, n+, n++ en la plaquitas de silicio, que contiene: a) uno o más componentes con acción impurificadora; b) una matriz de Si02/ c) solventes, d) opcionalmente un ácido y agua, y opcionalmente e) aditivos tales como agentes espesantes o agentes humectantes, la composición total tiene impurezas en la forma de iones metálicos en concentraciones respectivas de menos de 500 ppb, preferentemente menores de 200 ppb. A través de las pruebas, se encontró que son eliminadas las desventajas anteriormente mencionadas por las pastas impurificadoras imprimibles por estarcido, encontradas aqui . Las pastas de acuerdo con la invención pueden contener una fuente impurificadora, seleccionada del grupo de sales de boro, óxido de boro, ácido bórico, compuestos de boro orgánicos, compuestos de boro-aluminio, y sales de fósforo, óxido de fósforo, pentóxido de fósforo, ácido fosfórico, compuestos organofosfóricos, compuestos orgánicos de aluminio y sales de aluminio. En principio, los compuestos conocidos por la persona experta en la técnica principalmente de los grupos principales III y V de la tabla periódica, son adecuados. Las pastas correspondientes contienen además una matriz de Si02, que consiste de uno o más precursores de S102. Las pastas impurificadoras que han sido encontradas pueden contener una o más fuentes impurificadoras seleccionadas del grupo de óxido de boro (B203) , ácido fosfórico (H3P04) , pentóxido de fósforo (P205) y sal de aluminio, siendo posible que las fuentes de impurificación sean utilizadas en diferentes concentraciones . La presente invención también se refiere a las pastas impurificadoras que contienen una o más fuentes impurificadoras del grupo de compuestos orgánicos de boro, de fósforo y de aluminio, siendo posible que las fuentes de impurificación sean utilizadas en diferentes concentraciones . El objetivo es además logrado por las pastas impurificadoras, que contienen una o más fuentes impurificadoras seleccionadas del grupo de óxido de boro (B2O3) , ácido fosfórico (H3PO4) , pentóxido de fósforo (P2O5) y sal de aluminio o compuestos orgánicos de aluminio, y opcionalmente una o más fuentes impurificadoras del grupo de los compuestos orgánicos de boro, de fósforo y de aluminio, siendo posible que las fuentes impurificadoras sean utilizadas en concentraciones diferentes. La matriz de Si02, la cual contiene la pasta impurificadora, puede, de acuerdo con la invención, ser formada por un compuesto orgánico de silicio de la fórmula general R' nSi (OR) 4_n en la cual R' denota metilo, etilo o fenilo, R denota metilo, etilo, n-propilo o i-propilo, y n denota 0, 1 ó 2.
La presente invención se refiere además a una pasta impurificadora que contiene una matriz de Si02, la cual es formada por silanos, seleccionados del grupo de tetrametoxisilano, tetraetoxisilano, tetrabutoxisilano, individualmente o como una mezcla. La presente invención también se refiere al uso de las nuevas pastas impurificadoras descritas, en la tecnología de los semiconductores, la tecnología fotovoltaica o en los componentes electrónicos de energía. Además de las pastas impurificadoras, la invención también se refiere a las pastas de enmascaramiento, que contienen: a) una matriz de Si02, b) solventes, c) opcionalmente un ácido y agua, y opcionalmente d) aditivos, tales como agentes espesantes o agentes humectantes, la composición total tiene impurezas en la forma de iones metálicos en concentraciones respectivas de menos de 500 ppb, preferentemente menores de 200 ppb. Las pastas de enmascaramiento, como las pastas impurificadoras, mencionadas anteriormente están compuestas de la misma manera, excepto que las pastas de enmascaramiento están libres de impurificadores, y son utilizadas de acuerdo con la invención en la tecnología de los semiconductores, la tecnología fotovoltaica y en componentes electrónicos de energía. Es igualmente posible lograr la impurificación extensa y selectiva con fósforo (emisor selectivo) de manera barata y con alto rendimiento, por medio de pastas imprimibles por estarcido. Las etapas de formación en patrón, las cuales son actualmente hechas posibles por los procesos fotolitográficos, pueden ser reemplazadas de manera barata por el uso de la pasta impurificadora imprimible por estarcido . La pasta de enmascaramiento, la cual puede ser descrita como la pasta de matriz de Si02 pura sin aditivos impurificadores, puede ser empleada para la formación de capa protectora, intencionalmente definida. Para este propósito, la pasta puede ser aplicada extensamente a la plaquitas de silicio, o incluso en forma de patrón. Esto hace posible proteger las regiones definidas de la impurificación durante el proceso de difusión. El objetivo es logrado mediante las nuevas pastas para la producción selectiva de capas de silicato impurificadas con fósforo, con boro, y con boro-aluminio.
Estas pastas son adecuadas para el uso en los procesos de impresión técnicos en la industria de los componentes electrónicos. Éstos incluyen, especialmente, la tecnología de impresión por estarcido o la impresión con almohadilla. Dependiendo del campo de aplicación deseado, las concentraciones de los componentes individuales y las viscosidades pueden ser variadas en las pastas que son utilizadas . Las pastas impurificadoras de acuerdo con la invención son además distinguidas por una matriz definida. Esto es formado por un componente formador de Si02 durante el calentamiento en el proceso de difusión. Junto con el componente que distribuye el boro o el fósforo, lo que se describe en la literatura [K. Spanowsky, The Diffusion of Boron with the aid of Spin-on Glasses in MOS Technology, diploma dissertation, 1996; R. Fischer, Experiments to Clarify the Diffusion Mechanism of Phosphorus in Silicon, diploma dissertation, 1994] y conocida para la persona experta en la técnica como vidrio de boro- o fósforo-silicato (B203)z* (Si02)y o (P205)?* (Si02)v es formado Este vidrio forma la fuente efectiva del impurificador durante la impur-ficación. La cantidad del componente formador de Si02 en la pasta impurificadora está en un intervalo modificable de 0.1-5% en peso. En relación a los componentes impurificadores B203 o P205, la proporción de Si02 a B203 o P205 puede ser ajustada arbitrariamente, aunque el intervalo de 10-80% en impurificador de Si02 es ventajoso. La concentración del impurificador que va a ser lograda en el silicio puede ser controlada perfectamente a través de esta proporción. La profundidad de penetración del impurificador es, como es conocido en la literatura [A. Goetzberger; B. Voß; J. Knobloch, Solar Power: Photovoltaic Technalogy, Teubner Studienbücher Stuttgart 1997, pp. 40; 107], controlada a través de los parámetros del tiempo de difusión y de la temperatura de difusión. El proceso de impurificación es llevado a cabo por la difusión controlada en atmósfera de aire o de oxigeno. Las temperaturas para la difusión del fósforo son por ejemplo de 900-950°C para el fósforo, y para la difusión con boro de aproximadamente 950-1250 °C . La temperatura de difusión es dictada por las plaquitas de silicio utilizadas. En el caso de plaquitas monocristalinas, la temperatura de difusión puede ser más alta, por ejemplo hasta de aproximadamente 1250 °C, ya que éstas son térmicamente más estables que las plaquitas poliscristalinas . La difusión puede también ser llevada a cabo con la tecnología de procesamiento térmico rápido (RTP) (siglas en Ingles) . El tiempo de difusión puede, dependiendo del propósito de aplicación, ser de unos pocos minutos a tantas como 60 horas o más. Después de la difusión, las plaquitas son tratadas con HF (concentración de aproximadamente 2-50% de HF) , con el fin de disolver el vidrio de fósforo o de borosilicato (PSG, BSG) formado. Después de este tratamiento, la plaquitas de silicio tiene una superficie de silicio libre. El componente impurificador está en el intervalo de concentración de 0-10% con relación a la pasta impurificadora. En el caso de una composición libre de impurificador (0% en peso), es producida una pasta de enmascaramiento. Esto es realizado bajo las mismas condiciones de proceso que en el caso de las pastas impurificadoras . El solvente forma el constituyente principal de la pasta. La proporción puede estar en el intervalo de 50-80% en peso de la cantidad total. La proporción de los agentes espesantes, que son necesarios para el ajuste controlado del intervalo de viscosidad y fundamentalmente para la capacidad de impresión del impurificador, por ejemplo para formar una pasta imprimible, está en el intervalo de aproximadamente 1-20% en peso en relación a la cantidad total de la pasta. Otros aditivos con propiedades ventajosas para el propósito deseado son los agentes antiespumantes, moderadores de la adhesión, agentes espesantes, agentes humectantes, agentes de nivelación o agentes tixotrópicos . Éstos pueden afectar de manera positiva la capacidad de impresión de la pasta. Los alcoxisilanos son en general adecuados para la formación de la matriz de silicio, en particular silanos de la fórmula general R' nSi (OR) _n/ en la cual R' denota metilo, etilo o fenilo, R denota metilo, etilo, n-propilo o i-propilo, y n denota 0, 1 ó 2. Los ejemplos de silanos adecuados son tetrametoxisilano, tetraetoxisilano, tetrabutoxisilano, tetrapropoxisilano, así como los ejemplos superiores y mixtos, por ejemplo silanos con cadenas de alquilo más largas o silanos con diversos residuos de alquilo. Las mezclas de diversos alquil- o alcoxisilanos pueden también ser utilizadas ventajosamente. Puede ser necesario el prehidrolizar estos compuestos. El uso de tales siloxanos ya que no necesitan pretratamiento, tales como por ejemplo, los polisiloxanos, es ventajoso para la producción de las pastas de acuerdo con la invención. Cuando el sustrato es calentado en el horno de difusión, los compuestos orgánicos de silicio forman dióxido de silicio, por ejemplo de acuerdo con la presente ecuación: C8H20O4Si -» C02 + H20 + Si02 (TEOS, ortosilicato de tetraetilo) Con el fin de producir la matriz impurificadora, los compuestos de boro y de fósforo, así como los compuestos de aluminio, pueden ser utilizados como los componentes inorgánicos. Los ejemplos incluyen óxido de boro B203, ácido bórico B(OH)3, ácido fosfórico H3PO4, P2O5 y sales de aluminio o compuestos orgánicos de aluminio. Los compuestos orgánicos de boro y de fósforo así como los compuestos orgánicos de aluminio pueden ser utilizados como los componentes orgánicos. - Pueden ser además mezclados aditivos con las pastas _ de acuerdo con la invención. Éstos pueden ser ^ácidos orgánicos e inorgánicos tales como por ejemplo, ácido nítrico, ácido clorhídrico, ácido láctico, ácido oxálico, ácido fórmico o similares. En particular, estos ácidos son agregados cuando necesita ser llevada a cabo la hidrólisis del compuesto orgánico de silicio. En general, tales ácidos orgánicos cuyos residuos de alquilo tienen una longitud de cadena de n = 1 - 10 son utilizables. Es posible utilizar ácidos orgánicos que tienen un residuo R = OH o = alquilo con n = 1 - 10. Los residuos de alquilo de las sales que pueden ser utilizadas pueden ser de cadena lineal y de cadena ramificada. Los aditivos correspondientes en las pastas de acuerdo con la invención son necesarios cuando el compuesto orgánico de silicio necesita ser prehidrolizado . No obstante, en el caso del siloxano, por ejemplo, este aditivo puede ser omitido. Los agentes espesantes adecuados incluyen Thixoton® (aceite de ricino) , Borchigen TS® (aditivo reológico para ácidos silícicos) , bentonitas con diversas cualidades y propiedades, en general aditivos inorgánicos de reología para diversas mezclas de solvente polar, nitrocelulosa, etilcelulosa y otros compuestos de celulosa, polivinilpirrolidonas con calidad variable, almidón (+NH4OH) , gelatina, ácido algínico, ácido silícico amorfo altamente disperso (Aerosil®) , polivinilbutiral (Mowital®) (altamente soluble, por ejemplo en butilglicol) , carboximetilcelulosa de sodio (Vivistar) , resina de poliamida termoplástica (Eurelon®) (necesita ser calentada a ebullición a aproximadamente 180°C) , derivado orgánico de aceite de ricino (Thixin®) , cera de diamida (Thixatrol plus®) , poliacrilatos de hinchamiento (Rheolate®) , polieterurea-poliuretano (Rheolate®) , polieter-polioles (Rheolate®) .
Los polisiloxanos, siloxanos y trisiloxanos pueden ser utilizados como agentes de nivelación. Particularmente, los aditivos altamente adecuados son aquéllos que se enlazan perfectamente con los otros componentes, ventajosamente pueden ser presecados, liberados de adherencia a temperaturas por debajo de 200°C y quemados sin dejar residuos a 200-500°C. La viscosidad de la pasta impuríficadora altamente pura, es ajustada por el agente espesante, así como por el solvente utilizado. Un requerimiento básico para una pasta impurificadora en la tecnología fotovoltaica es la más baja contaminación posible con los componentes metálicos. En particular, los cationes de los metales hierro, cromo, cobre, níquel, oro, calcio, etc., frecuentemente denominados en la literatura como "asesinos" del tiempo de vida del portador, en particular, son indeseables. Sus concentraciones deben ser tanto como sea posible menores de 500 ppb en la pasta. En casos particulares, las concentraciones deben, tanto como sea posible no exceder 200 ppb. Con el fin de hacer posible el cumplir con estas condiciones, en casos particulares pueden ser utilizados únicamente materiales iniciales purificados.
Además de los componentes mencionados anteriormente, la adición de solventes es necesaria para la producción de las pastas. Los solventes orgánicos adecuados incluyen polialcoholes hidrofílicos, tales como etilenglicol, metilcelosolve, acetato de metilcelosolve, etilcelosolve, dietilcelosolve, acetato de celosolve, éter monobutilico de etilenglicol, éter monofenílico de etilenglicol, metoximetoxietanol, monoacetato de etilenglicol, diacetato de etilenglicol, dietilenglicol, éter monometílico de dietilenglicol, acetato del éter monoetílico de dietilenglicol, éter monobutilico de dietilenglicol, acetato del éter monobutílico de dietilenglicol, éter dimetílico de dietilenglicol, éter metiletilico de dietilenglicol, éter dietílico de dietilenglicol, acetato de dietilenglicol, trietilenglicol, éter monometílico de trietilenglicol, éter monoetílico de trietilenglicol, tetraetilenglicol, polietilenglicoles líquidos, propilenglicol, éter monometílico de propilenglicol, éter monoetílico de propilenglicol, éter monobutilico de propilenglicol, 1-butoxietoxipropanol, dipropilglicol, éter monometílico de dipropilenglicol, éter monoetílico de dipropilenglicol, éter monometílico de tripropilenglicol, polipropilenglicoles, trimetilenglicol, butanodial, 1,5-pentanodial, hexilenglicol, glicerina, acetato de glicerilo, diacetato de glicerilo, triacetato de glicerilo, trimetilolpropino, 1, 2, 6-hexanotriol o derivados hidrofílicos de los mismos, así como alcoholes polivalentes alifáticos y aromáticos tales como por ejemplo, 1,2-propanodiol, 1, 5-pentanodiol, octanodiol y también esteres y éteres de los mismos o mezclas de estos solventes. Un constituyente adecuado puede contener por ejemplo, 1, 2-butanodiol como su constituyente principal. Tales mezclas de solventes que contienen 30-95% en peso de 1, 5-pentanodiol han probado ser adecuadas. Tal mezcla puede contener éter monobutílico de etilenglicol (EGB) , éter monobutilico de dietilenglicol (DGB) , éter monometílíco de dipropilenglicol (DPM), 1, 4-butanodiol (1,4BD) y 1, 3-butanodiol (1,3BD) como otros solventes. Los éteres hidrofílicos, tales como dioxano, trioxano, tetrahidrofurano, tetrahidropirano, pueden ser además utilizados como solventes. El metilal, dietilacetal, metiletilcetona, metilisobutilcetona, dietilcetana, acetonilacetona, diacetonalcohol o esteres hidrofílicos como formiato de metilo, formiato de etilo, formiato de propilo, acetato de metilo y acetato de etilo, son también adecuados . Las pruebas han mostrado que la aplicación de una cantidad de 50-100 mg de pasta a una plaquitas acostumbradamente utilizada, por ejemplo, una plaquitas de 10 cm (4 pulgadas) es suficiente para lograr un efecto impurificador. La aplicación de la pasta de acuerdo con la invención a la plaquitas que va a ser tratada, puede ser llevada a cabo con los métodos conocidos por la persona experta en la técnica. En particular, la aplicación mediante el proceso de impresión por estarcido, es adecuada para este propósito. La conversión de la pasta aplicada a las capas impurificadas deseadas tiene lugar, de una manera conocida, mediante calentamiento a temperaturas de 200 a 600 °C, preferentemente a aproximadamente 500 °C. El tiempo de calentamiento requerido depende del espesor de la capa de pasta aplicada. La pasta de acuerdo con la invención es adecuada para la producción de uniones p-n, tales como por ejemplo en la tecnología de los semiconductores, en particular, pero también para el uso en la producción de celdas solares utilizadas en la tecnología solar. Por ejemplo, se ha encontrado que a través del uso de pastas de boro de acuerdo con la invención para la producción de capas de vidrio impurificadas, la eficiencia de las celdas solares, que es usualmente de 14% en producción, es incrementada por aproximadamente 1.5 a 2%. Para mejor entendimiento y para aclaración, serán dados los ejemplos siguientes que caen dentro del alcance de la protección de la presente invención, pero no restringen la invención a estos ejemplos.
Ejemplo 1: Se colocó TEOS (1.43 g) en un vaso de precipitados. Se agregó luego el solvente N-metilpirrolidona NMP (83 g) y la mezcla básica se preparó con la ayuda de un agitador. Se agregaron luego 11 g de polivinilpirrolidona, 4.6 g de trióxido de diboro y finalmente 3 g de ácido láctico en sucesión. Durante la adición, fue además necesario agitar vigorosamente. Después de que se completó la adición, la mezcla se agitó por aproximadamente 30 minutos más. La transferencia a los recipientes tuvo lugar después de un tiempo de espera corto. Este tiempo de espera fue necesario para que las burbujas formadas en la mezcla fueran capaces de romperse. Esta mezcla dio una pasta por medio de la cual se formó un vidrio de boro sobre la plaquitas, por ejemplo, la impurificación de la plaquitas de silicio monocristalina y policristalina fue obtenida de una manera controlada con la concentración de boro deseada. La pasta obtenida es estable en el almacenamiento, fácil de manejar e imprimible. Ésta puede ser removida de la tela de impresión de estarcido con solventes estándares. 2. Ejemplos de pastas con un solvente o con mezclas de solventes .
Pasta P: g 1 , 4-butanodiol g P203 g 1 , 2-propanodiol 5 g Trasi l® (fuente de silicio; resina de alquilsilicona con grupos alcoxi) 2 g Foamex N® (polidimetilsiloxano; desaireador) 2 g Aerex® (polímero orgánico de alto peso molecular con puntas de silicona; agente antiespumante) g Byk 410® (urea modificada; agente tixotrópico) 05 g TEGO Glíde 40( (Polisiloxanos modificados con poliéter; agente de nivelación) g PVP (polivinilpirrolidona; espesante) : Pasta de boro: g 1, 2-propanodiol 4.6 g B203 1.43 g TEOS 3* g Ácido láctico 2.5 g Byk 410® Agente tixotrópico 0.05 g TEGO Glide 400® Agente de nivelación 0.2 g Aerex® Agente antiespumante 0.2 g Foamex N® Desaireador 4 g PVP Espesante II. Pasta de silicio: 48 g 1, 2-propanodiol 3 g TEOS 3 g Ácido láctico 35 g Éter monobutílico etilenglicol 3 g Trasil® 5 g Byk 410® Agente tixotrópico 0.4 g TEGO Glide 400® Agente de nivelación 4 g PVP Espesante Se hace constar que con relación a esta fecha, el mejor método conocido por la solicitante para llevar a la práctica la citada invención, es el convencional para la manufactura de los objetos a que la misma se refiere.

Claims (14)

REIVINDICACIONES Habiéndose descrito la invención como antecede, se reclama como propiedad lo contenido en las siguientes reivindicaciones:
1. Las pastas impurificadoras para la impresión selectiva y extensa de plaquitas de silicio mediante impresión por estarcido, por rodillo, por cojín, por esténcil u otras técnicas de impresión acostumbradas en la tecnología de los semiconductores para la producción de regiones p, p+, p++, n, n+, n++ en la plaquitas de silicio, caracterizadas porque contienen: a) uno o más componentes con acción impurificadora; b) una matriz de Si02, c) solventes, d) opcionalmente un ácido y agua, y opcionalmente e) aditivos tales como agentes espesantes o agentes humectantes, la composición total que tiene impurezas en la forma de iones metálicos en concentraciones respectivas menores de 500 ppb, preferentemente menores de 200 ppb.
2. La pasta impurificadora de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada porque contiene una fuente impurificadora del grupo de sales de boro, óxido de boro, ácido bórico, compuestos orgánicos de boro, compuestos de boro-aluminio y sales de fósforo, óxido de fósforo, pentóxido de fósforo, ácido fosfórico, compuestos organosfosfóricos, compuestos orgánicos de aluminio y sales de aluminio.
3. La pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 y 2, caracterizada porque contiene una matriz de Si02 que consiste de uno o más precursores de Si02.
4. La pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 a 3, caracterizada porque contiene una o más fuentes impurificadoras seleccionadas del grupo de óxido de boro (B2O3) , ácido bórico B(OH) , ácido fosfórico (H3PO4) , pentóxido de fósforo (P205) y sal de aluminio y compuestos orgánicos de aluminio, siendo posible que las fuentes de impurificación sean utilizadas en diferentes concentraciones.
5. La pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 a 3, caracterizada porque contiene una o más fuentes impurificadoras del grupo de compuestos orgánicos de boro, fósforo y aluminio, siendo posible que las fuentes de impurificación sean utilizadas en diferentes concentraciones .
6. La pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 a 3, caracterizada porque contiene una o más fuentes impurificadoras seleccionadas del grupo de óxido de boro (B203) , ácido bórico B(OH)3, ácido fosfórico (H3PO4) , pentóxido de fósforo (P205) y sal de aluminio, y opcionalmente una o más fuentes impurificadoras del grupo de compuestos orgánicos de boro, fósforo y aluminio, siendo posible que las fuentes de impurificación sean utilizadas en diferentes concentraciones.
7. La pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 a 3, caracterizada porque contiene una matriz de Si02/ que es formada por silanos de la fórmula general R' nSi (OR) 4-n, en la cual R' -denota metilo, etilo o fenilo, R denota metilo, etilo, n-propilo o i-propilo, y n denota 0, 1 ó 2.
8. La pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 a 3 y 7, caracterizada porque contiene una matriz de Si02 que es formada por silanos seleccionados del grupo de tetrametoxisilano, tetraetoxisilano, tetrabutoxisilano, tetrapropoxisilano, tetrametoxisilano individualmente o como una mezcla.
9. La pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 a 8, caracterizada porque contiene uno o más solventes del grupo de ^polialcoholes hidrofílicos, sus éteres o esteres, de éteres hidrofílicos, aldehidos, cetonas o esteres o mezclas de los mismos.
10. La pasta impurificadora de conformidad con la reivindicación 9, caracterizada porque contiene 30-95i en peso de 1, 2-propanodiol como una mezcla con uno o más solventes seleccionados del grupo de éter monobutílico de etilenglicol (EGB) , éter monobutílico de dietilenglicol (DGB) , éter monometilico de dipropilenglicol (DPM), 1,4-butanodiol (1,4BD), y 1, 3-butanodiol (1,3BD) y/o uno o más solventes seleccionados del grupo de dioxano, trioxano, tetrahidrofurano, y tetrahidropiran-metilal, dietilacetal, metiletilcetona, metilisobutilcetona, dietilcetona, acetonilacetona, diacetonalcohol, formiato de metilo, formiato de etilo, formiato de propilo, acetato de metilo y acetato de etilo.
11. La pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 a 10, caracterizada porque contiene ortosilicato de tetraetilo como matriz de Si02, 1,2-propanodiol, N-metilpirrolidona, éter monobutílico de etilenglic?l, 1, 4-butanodiol o mezclas de los mismos como solventes, ácido láctico como ácido, P2O5 o B203 como impurificador y, como aditivos, agentes de nivelación, agentes tixotrópicos, espesantes y opcionalmente agentes antiespumantes y desaireadores, la cantidad de componente formador de Si02 en la pasta impurificadora está en un intervalo de 0.1-5% en peso y, en relación a los componentes impurificadores B203 o P20=, en el intervalo de 10-80% de impurificador en Si02. -
12. El uso de una pasta impurificadora de conformidad con las reivindicaciones 1 a 11, en la tecnología de los semiconductores, tecnología fotovoltaica o en componentes electrónicos de energía.
13. La pasta de enmascaramiento, caracterizada porque contiene: a) una matriz de Si02, b) solventes, c) opcionalmente un ácido y agua, y opcionalmente d) aditivos, agentes espesantes o agentes humectantes, la composición total tiene impurezas en la forma de iones metálicos en concentraciones respectivas de menos de 500 ppb, preferentemente menos de 200 ppb.
14. El uso de una pasta de enmascaramiento de conformidad con la reivindicación 13, en la tecnología de los semiconductores, tecnología fotovoltaica y componentes electrónicos de energía.
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